KR20120133985A - 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트 - Google Patents

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미찌히또 오오이시
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

다양한 환경 하에서의 보존 안정성이 우수하고, 사용 후에 있어서도 피착체에 대한 오염을 방지할 수 있고, 또한 반도체 웨이퍼의 회로 패턴 형성면에 접합하였을 때에, 회로 패턴이 형성하는 단차에의 추종성이 우수하고, 또한 경시에서의 들뜸량 안정성이 우수한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기재의 적어도 편면에 점착제층을 구비하고 있고, 상기 점착제층이 베이스 중합체에 폴리에스테르계의 가소제 및 계면 활성제가 첨가되고, 상기 가소제 및 계면 활성제의 용해도 파라미터(SP값)가 0.9≤[가소제의 SP값]/[계면 활성제의 SP값]≤1.0의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트이다.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트 {PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트에 관한 것이다.
IC 등의 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼는, 그것을 가급적 얇게 하기 위하여 이면 연삭 처리 등의 가공이 실시된다. 반도체 웨이퍼의 가공 시에는, 예를 들어 웨이퍼가 파손되거나, 회로 패턴 형성면이 연삭 찌꺼기 등에 의해 오염, 손상되거나 하는 것을 방지하기 위하여 자동 접착 장치를 통하여 미리 그 회로 패턴 형성면에 표면 보호 시트가 접착된다. 그리고, 웨이퍼의 이면 연삭 등의 가공을 실시한 후에, 그 표면 보호 시트가 박리 제거되어 웨이퍼 세정 공정 등에 보내진다. 또한, 그 후의 공정에서는 웨이퍼가 개편화되고, 이것을 PKG 제조 공정으로 진행시키기 위하여 가공용 시트가 사용된다.
이러한 표면 보호 시트 또는 가공용 시트로서는 기재에 점착제층을 구비한 점착 시트가 사용되며, 점착제층에는 가소제로서 프탈산 디옥틸, 프탈산 디부틸 등의 프탈산 에스테르가 첨가된 것이 일반적으로 알려져 있다.
그러나, 프탈산 에스테르를 첨가한 점착제층을 구비한 점착 시트는 저온이나 고습 등의 환경 조건 하에서 보존되면, 점착제 성분 유래의 스테인이 점착제층 표면에 석출된다. 그 결과, 그 점착 시트를 웨이퍼에 접착하였을 때에 회로 패턴 형성면을 오염시키는 경우가 있었다.
또한, 상술한 표면 보호 시트 또는 가공용 시트를 사용한 경우, 그것을 박리 제거한 후의 회로 패턴 형성면 등은 아세톤, 이소프로필알코올 등의 친수성 유기 용제로 전세정하고, 더 수세할 필요가 있었다. 그 결과, 유기 용제의 사용에 의한 환경 위생 대책을 필요로 함과 함께 세정 효율이 떨어진다고 하는 과제가 있었다.
이에 대하여, 점착제 성분으로서 폴리프로필렌글리콜과 같은 수용성 중합체를 함유하는 점착 시트가 제안되어 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평5-335288호 공보).
그러나, 이러한 점착 시트를 사용한 경우라도 수용성 중합체가 회로 패턴 형성면 등에 블리드되기 때문에 수세 공정을 필요로 하므로 근본적인 해결에 이르지 못하였다.
또한, 2007년 6월 1일부터 REACH 규제법이 시행되어, 프탈산 에스테르가 인가 후보의 고 우려물질 중 하나로서 예시되어 있으며, 금후 사용 제한 또는 사용 금지로 될 가능성이 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 다양한 환경 하에서의 보존 안정성이 우수하고, 사용 후에 있어서도 피착체에 대한 오염을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트의 보존 안정성 등에 대하여 예의 연구를 행한 결과, 이하의 (i) 및 (ii)를 밝혀내고 본 발명의 완성에 이르렀다.
(i) 베이스 중합체, 가소제 및 계면 활성제를 포함하는 점착제에서는, 예상 외로 블리드 아웃한 성분은 가소제가 아니라 계면 활성제 성분만이다.
(ii) 사용하는 가소제와 계면 활성제의 조합에 있어서, 이제까지 고려되지 않은 SP값의 관계를 특정한 범위로 함으로써, 고온 가습 조건도 포함한 다양한 환경 하에서 보존하여도 스테인을 피착체측에 석출시키지 않고 안정하게 보존할 수 있다.
즉, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는 기재의 적어도 편면에 점착제층을 구비하고 있고, 상기 점착제층이 베이스 중합체, 폴리에스테르계의 가소제 및 계면 활성제를 포함하고, 상기 가소제 및 계면 활성제의 용해도 파라미터(SP값)가
0.9≤[가소제의 SP값]/[계면 활성제의 SP값]≤1.0의 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다.
이러한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트에서는,
상기 가소제가 베이스 중합체 100중량부에 대하여 10 내지 50중량부 함유되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 계면 활성제가 베이스 중합체 100중량부에 대하여 1 내지 10중량부 첨가되어 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 베이스 중합체가 아크릴계 중합체를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 0.2≤B/A≤5.7의 관계를 만족하는, 막 두께 A㎛의 점착제층을 구비하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 단차 B㎛를 갖는 웨이퍼 표면에 접착하였을 때,
단차로부터의 상기 점착 시트의 초기 들뜸량 d1과 24시간 후의 점착 시트의 들뜸량 d2가
(d2/d1)×100≤110(％)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 여러가지 환경 하에 있어서 우수한 보존 안정성을 갖고, 사용 후에 있어서도 피착체에 대한 오염을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 점착 시트의 단차에 대한 초기 들뜸량 d1을 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 1b는 본 발명의 점착 시트의 단차에 대한 경시 들뜸량 d1을 설명하기 위한 개략적인 단면도.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트(이하, 간단히 「점착 시트」라고 기재하는 경우가 있음)는, 기재와, 기재의 적어도 편면에 배치된 점착재층을 구비한다. 점착재층은 적어도 베이스 중합체와 폴리에스테르계의 가소제와 계면 활성제를 포함하는 점착제에 의해 형성되어 있다.
(가소제)
본 발명에 사용되는 가소제는 점착제의 피착체에 대한 접착력을 저하시키는 것이며, 폴리에스테르계의 가소제인 것이 적합하다. 가소제의 종류는 사용하는 점착제에 의해 적절하게 선택할 수 있지만, 후술하는 용해도 파라미터(SP값)의 관계를 만족하는 것이 적합하다.
가소제로서는, 예를 들어 다이니폰 잉크(주)제 W-700 등의 트리멜리트산계 폴리에스테르, (주)제이플러스제 D620 등의 아디프산계 폴리에스테르, 말레산계 폴리에스테르, 세박산계 폴리에스테르, 벤조산계 폴리에스테르, 에폭시계 폴리에스테르, 폴리에테르계 폴리에스테르 등이 바람직하다. 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.
가소제는 베이스 중합체 100중량부에 대하여 10 내지 50중량부의 비율로 사용하는 것이 적합하며, 10 내지 30중량부가 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 점착력이 지나치게 강한 것에 기인하는 박리 시에서의 반도체 웨이퍼 등의 피착체의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 점착제층 표면의 블리드를 피하여 피착체의 오염을 방지할 수 있다.
(계면 활성제)
본 발명에 사용되는 계면 활성제는 반도체 웨이퍼에 대한 점착력을 조정하기 위한 성분이며, 비이온계, 양이온계 및 음이온계 계면 활성제의 어느 것을 사용하여도 되지만, 비이온계 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 계면 활성제의 구체적인 종류는 사용하는 점착제에 의해 적절하게 선택할 수 있으며, 후술하는 SP값의 관계를 만족하는 것이 적합하다.
계면 활성제로서는, 예를 들어 알킬황산염(다이이찌 고교 세야꾸(주)제 네오겐 R 등), 알킬인산염(가오(주)제 일렉트론 스트리퍼 N 등) 등의 음이온계 계면 활성제; 지방족 4급 암모늄염(가오(주)제 코타민 24P 등), 방향족 4급 암모늄염(도호 가가꾸(주)제 카티날 HC-100 등) 등의 양이온계 계면 활성제; 소르비탄 지방산 에스테르(가오(주)제 레오돌 SP-L10 등), 폴리옥시에틸렌(다이이찌 고교 세야꾸(주)제 노이겐 EP-120A 등), 글리세린, 에테르, 지방산 등의 비이온계 계면 활성제를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.
계면 활성제는 베이스 중합체 100중량부에 대하여 1 내지 10중량부의 비율로 사용하는 것이 적합하며, 1 내지 5중량부가 바람직하고, 1 내지 2중량부가 보다 바람직하다. 이 범위로 함으로써 점착력의 현저한 저하를 피하여 반도체 웨이퍼 패턴면의 요철 추종성을 유지할 수 있다.
(SP값)
상술한 점착제층을 구성하는 가소제 및 계면 활성제의 SP값은,
0.9≤[가소제의 SP값]/[계면 활성제의 SP값]≤1.0
의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
여기서, 가소제의 SP값 δp는 Small의 식인 수학식 1에 의해 어림셈한 값을 가리킨다. 또한, 계면 활성제의 SP값 δs는 계면 활성제의 HLB값으로부터 어림셈한 값을 가리키며, 예를 들어 수학식 2(인용 문헌: SP값의 기초ㆍ응용과 계산 방법, 야마모또 히데끼 저서, P.54 내지 56)에 의해 구해지는 값을 가리킨다.
Figure pct00001
여기서, δp는 용해도 파라미터, F는 분자간 상호 작용에 관계된 상수(표 1에 나타내는 Small의 상수, 치환기의 종류에 의존하고 있음), V는 몰 분자 용적이다.
Figure pct00002
Figure pct00003
여기서, HLB값은 비이온성 계면 활성제의 친수기와 소수기의 밸런스를 수치화한 값이며, 비이온성 계면 활성제의 친수성의 정도를 나타내고 있다. HLB값은 수학식 3을 사용하여 구해지는 값이다.
Figure pct00004
(점착제층)
본 발명에 사용되는 점착제층에 포함되는 점착제, 즉 상기 가소제 및 계면 활성제를 함유하여 이루어지는 점착제는 미러 웨이퍼에 대한 접착력이 0.1 내지 1.0N/20mm 정도인 것이 바람직하다. 이 범위로 함으로써 반도체 웨이퍼 패턴면의 요철 추종성을 확보할 수 있음과 함께, 박리할 때의 반도체 웨이퍼의 파괴를 유효하게 방지할 수 있다.
또한, 점착제는 30 내지 90％ 정도의 겔분율을 갖고 있는 것이 적합하며, 30 내지 70％ 정도인 것이 바람직하다. 이 범위의 겔분율을 가짐으로써, 응집력 부족에 기인하는 풀 잔여를 방지할 수 있음과 함께, 피착체와의 밀착성을 확보하여 반도체 웨이퍼 패턴면의 요철 추종성을 유지할 수 있다.
여기서, 점착제의 겔분율이란, 점착제를 테이프로부터 채취하고, 채취한 점착제의 중량(W1)을 측정하여, 그것을 아세트산 에틸에 1주일간 침지한 후, 용제분을 건조시키고 남은 겔의 중량(W2)을 측정하여 수학식 4로부터 산출한 값을 가리킨다.
Figure pct00005
점착제층을 구성하는 점착제에서의 베이스 중합체는 특별히 제한되는 것이 아니며, 예를 들어 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 우레탄계 점착제 등 공지된 점착제를 구성하는 베이스 중합체 중에서 적절하게 선택할 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 점착제를 구성하는 베이스 중합체인 아크릴계 중합체는 내열성, 내후성 등 다양한 특성이 우수하고, 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분의 종류 등을 선택함으로써, 원하는 특성을 발현시키는 것이 가능하기 때문에 적절하게 사용할 수 있다.
아크릴계 점착제의 베이스 중합체인 아크릴계 중합체는 (메트)아크릴산 알킬에스테르를 주 단량체 성분으로 하여 구성된다.
(메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 이소프로필, (메트)아크릴산 부틸, (메트)아크릴산 이소부틸, (메트)아크릴산 s-부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트리데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 (메트)아크릴산 C1-20 알킬에스테르(바람직하게는 (메트)아크릴산 C1-12 알킬에스테르, 더욱 바람직하게는 (메트)아크릴산 C1-8 알킬에스테르) 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬에스테르는 1종 또는 2종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
아크릴계 중합체는 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 (메트)아크릴산 알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하여도 된다.
이러한 단량체 성분으로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; (메트)아크릴산 히드록시부틸, (메트)아크릴산 히드록시헥실, (메트)아크릴산 히드록시옥틸, (메트)아크릴산 히드록시데실, (메트)아크릴산 히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환)아미드계 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산 알콕시알킬계 단량체; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산 아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트계 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 단량체; (메트)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르계 단량체; 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 디비닐벤젠, 부틸 디(메트)아크릴레이트, 헥실 디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 단량체; 이소프렌, 디부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
아크릴계 공중합체는 상술한 (메트)아크릴산 알킬에스테르와, 필요에 따라 그 밖의 단량체를 공지된 적절한 방법에 의해 중합에 이용함으로써 제조할 수 있다.
아크릴계 공중합체의 분자량 등은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 중량 평균 분자량 10만 내지 200만, 바람직하게는 15만 내지 100만, 더욱 바람직하게는 30만 내지 100만의 범위인 것을 사용할 수 있다. 중량 평균 분자량은, 예를 들어 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산값으로서 측정할 수 있다.
점착제는 에너지선 중합성 화합물을 첨가하거나, 베이스 중합체에 에너지선 중합성 이중 결합을 도입하는 것 등에 의해 에너지선 경화형 점착제로 할 수 있다. 에너지선 경화형 점착제를 사용한 점착제층은 에너지선 조사 전에는 충분한 접착력을 발현하지만, 에너지선 조사 후에는 접착력이 현저하게 저하하여 피착체에 스트레스를 주는 일없이 용이하게 박리하는 것이 가능하다. 또한, 에너지선으로서는 예를 들어 자외선, 전자선 등을 들 수 있다.
에너지선 중합성 화합물로서는 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 분자 중에 2 이상 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 화합물로서는, 예를 들어 다관능 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다.
다관능 아크릴레이트계 화합물로서는, 예를 들어 1,4-부틸렌 디(메트)아크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메트)아크릴레이트나 폴리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트 등의 직쇄상 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 시클로헥산디메탄올 디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 등의 지환식 기를 갖는 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트 등의 분지쇄상 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트나 이들의 축합물(디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 등)을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.
에너지선 중합성 화합물로서, 예를 들어 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 등의 다관능 아크릴레이트계 올리고머를 사용하여도 된다.
우레탄 아크릴레이트계 올리고머는, 예를 들어 디이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물의 반응에 의해 얻어진 우레탄 올리고머에 히드록실기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르를 반응시켜 얻어진다.
디이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 페닐렌 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 나프탈렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
폴리올 화합물로서는 에틸렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 트리메틸올프로판, 디프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 글리세린 등의 다가 알코올류, 상기 다가 알코올류와, 아디프산, 세박산, 아젤라산, 말레산 등의 지방족 디카르복실산 또는 테레프탈산, 이소프탈산 등의 방향족 디카르복실산과의 축합 반응에 의해 얻어지는 폴리에스테르계 폴리올 화합물; 폴리에틸렌에테르글리콜, 폴리프로필렌에테르글리콜, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜, 폴리헥사메틸렌에테르글리콜 등의 폴리에테르계 폴리올 화합물; 폴리카프로락톤글리콜, 폴리프로피오락톤글리콜, 폴리발레로락톤글리콜 등의 락톤계 폴리올 화합물; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올, 펜탄디올, 옥탄디올, 노난디올 등의 다가 알코올과, 디에틸렌카르보네이트, 디프로필렌카르보네이트 등과의 탈알코올 반응에 의해 얻어지는 폴리카르보네이트계 폴리올 화합물을 들 수 있다. 히드록실기 함유 (메트)아크릴산 알킬에스테르 화합물로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에너지선 중합성 화합물은 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 200중량부, 바람직하게는 10 내지 100중량부, 더욱 바람직하게는 10 내지 45중량부의 범위에서 사용할 수 있다.
베이스 중합체에 에너지선 중합성 이중 결합을 도입하는 방법으로서는, 예를 들어 베이스 중합체인 아크릴계 중합체를 제조할 때에 카르복실기, 히드록실기, 아미노기 등의 반응성 관능기를 갖는 공중합성 단량체를 공중합시키는 방법을 들 수 있다. 이에 의해, 베이스 중합체에 반응의 기점으로 되는 관능기를 도입하고, 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 다관능성 단량체 혹은 올리고머를 상기 반응의 기점으로 되는 관능기를 통하여 결합시킬 수 있고, 측쇄에 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체를 얻을 수 있다.
에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라 광중합 개시제를 포함하여도 된다. 광중합 개시제는 에너지선을 조사함으로써 여기, 활성화하여 라디칼을 생성하고, 점착제층의 효율적인 중합 경화 반응을 촉진한다.
광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르계 개시제; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 폴리비닐벤조페논 등의 벤조페논계 개시제; α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논 등의 방향족 케톤계 개시제; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈계 개시제; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 개시제, 벤질 등의 벤질계 개시제, 벤조인 등의 벤조인계 개시제, α-케톨계 화합물(2-메틸-2-히드록시프로피오페논 등), 방향족 술포닐 클로라이드계 화합물(2-나프탈렌술포닐 클로라이드 등), 광활성 옥심 화합물(1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등), 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.
점착제는 베이스 중합체로서 카르복실기 등의 산성기를 갖는 중합체를 사용하고, 중화제를 첨가하여 베이스 중합체 중의 산성기의 전부 또는 일부를 중화함으로써 친수성을 부여한 친수성 점착제로 하여도 된다. 친수성 점착제는 일반적으로 피착체에의 풀 잔여가 적고, 또한 풀 잔여가 발생한 경우라도 순수로 세정함으로써 용이하게 제거할 수 있다.
산성기를 갖는 중합체는, 베이스 중합체를 제조할 때에 상술한 카르복실기 함유 단량체 등의 산성기를 갖는 단량체를 공중합함으로써 얻어진다.
중화제로서는, 예를 들어 모노에틸아민, 모노에탄올아민 등의 1급 아민, 디에틸아민, 디에탄올아민 등의 2급 아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민, N,N,N'-트리메틸에틸렌디아민, N-메틸디에탄올아민, N,N-디에틸히드록실아민 등의 3급 아민 등 알칼리성을 나타내는 유기 아미노 화합물을 들 수 있다.
점착제는 필요에 따라 가교제를 포함하여도 된다.
가교제로서는, 예를 들어 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등의 가교제를 사용할 수 있고, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제 등을 적절하게 사용할 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 된다.
에폭시계 가교제로서는, 예를 들어 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 디글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1,6-헥산디올 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 소르비톨 폴리글리시딜에테르, 글리세롤 폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨 폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤 폴리글리시딜에테르, 소르비탄 폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 폴리글리시딜에테르, 아디프산 디글리시딜에스테르, o-프탈산 디글리시딜에스테르, 트리글리시딜-트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 레조르신 디글리시딜에테르, 비스페놀-S-디글리시딜에테르, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들어 1,2-에틸렌 디이소시아네이트, 1,4-부틸렌 디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌 디이소시아네이트, 시클로헥실렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 수소 첨가 톨릴렌 디이소시아네이트, 수소 첨가 크실렌 디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 크실릴렌 디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트류 등을 들 수 있다.
점착제층은 상기 점착제를 나이프 코터, 롤 코터, 그라비아 코터, 다이 코터, 리버스 코터 등, 적당한 방법에 의해 기재 상에 도포함으로써 형성할 수 있다. 또한, 예를 들어 표면에 이형 처리를 실시한 필름 등, 적당한 캐스팅용 공정 시트 상에 점착제층을 형성하고, 이 점착제층을 기재 상에 전사하여도 된다.
점착제층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 바람직하게는 10㎛ 이상(예를 들어, 10 내지 200㎛), 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상(예를 들어, 15 내지 100㎛), 특히 바람직하게는 18㎛ 이상(예를 들어, 18 내지 50㎛)이다. 점착제층의 두께가 상기 범위 내이면, 기재의 응력을 경감시켜 점착 시트의 응력 완화율을 향상시킬 수 있다.
점착제층의 탄성률은 1.0×104 내지 1.0×107 정도의 범위인 것이 바람직하다. 탄성률이 상기 범위이면, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 점착 시트로서의 용도에 적합한 점착 특성을 발현시킬 수 있다.
점착제로서 에너지선 경화형 점착제를 사용하는 경우에는, 상기 탄성률은 경화 전(에너지선 조사 전)의 점착제층의 탄성률이다.
(기재)
본 발명의 점착 시트의 기재로서는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 수지(플라스틱)제 필름을 사용할 수 있다.
수지제 필름을 구성하는 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 경화성 수지(열경화성 수지, 광경화성 수지 등) 및 열가소성 수지 등 중 어느 것이어도 된다.
구체적으로는, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; (메트)아크릴계 중합체, 폴리스티렌, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 불소 수지, 셀룰로오스 수지 및 이들의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 이들 재료는 필요에 따라 몇종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다.
또한, 상술한 수지 중에 탄산칼슘, 실리카, 운모 등의 무기 필러, 철, 납 등의 금속 필러, 안료, 염료 등의 착색제 등의 첨가물이 함유되어 있어도 된다.
기재를 구성하는 재료로서는 열가소성 엘라스토머 등의 응력 완화 특성이 큰 수지이면, 점착 시트의 응력 완화율 향상의 점에서 바람직하다. 기재는 단층 필름이어도 되고, 각 수지의 장점을 살린 적층체(다층 필름)이어도 된다.
적층체로서는, 중심층과, 중심층의 적어도 편면에 형성된 표면층으로 이루어지는 적층 필름을 들 수 있다. 표면층은 바람직하게는 중심층의 양면에 형성되어 있고, 표면층/중심층/표면층의 3층을 갖는다. 중심층 및 표면층을 구성하는 재료로서는, 예를 들어 상술한 폴리올레핀계 수지, 또한 이것들에 1 내지 80Mrad 정도의 전자선 또는 γ선을 조사한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
중심층과 표면층의 각각을 구성하는 재료는, 이들 폴리올레핀계 수지 중에서 열수축률이 상이하고, 각 층이 서로 완충됨으로써 기재 전체의 열수축률이 억제되도록 선택하는 것이 바람직하다. 이러한 조합으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌과 폴리프로필렌의 조합을 들 수 있고, 특히 결정성 폴리에틸렌과 비결정성 폴리프로필렌의 조합이 바람직하다. 폴리에틸렌과 폴리프로필렌으로 이루어지는 적층체를 기재로서 사용하는 경우에는, 기재의 점착제층과 접하는 측에 폴리에틸렌으로 이루어지는 층을 형성하는 것이 투묘성의 점에서 바람직하다. 적층체가 중심층의 양측에 표면층을 갖는 형태인 경우에는, 2개의 표면층은 동일 종류의 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
적층체를 구성하는 각 층의 두께의 비는 특별히 제한되지 않으며, 중심층의 두께는 표면층의 두께보다도 큰 쪽이 바람직하다. 두께의 비는, 예를 들어 한쪽의 표면층:중심층=1:12 내지 3:5를 들 수 있고, 바람직하게는 1:10 내지 3:10 정도이다. 중심층의 양면에 표면층을 갖는 경우의 한쪽의 표면층과 다른쪽의 표면층의 두께는 동일하여도 되고, 상이하여도 된다. 한쪽의 표면층의 두께와 다른쪽의 표면층의 두께의 비는, 예를 들어 1:1 내지 1:5의 범위로부터 선택할 수 있지만, 2개의 표면층의 두께는 동일한 것이 바람직하다. 그 중에서도 표면층:중심층:표면층=2:9:2 정도의 두께비를 갖는 다층 필름을 특히 적절하게 사용할 수 있다.
중심층과 표면층의 사이에는 필요에 따라 적당한 중간층이 형성되어 있어도 된다. 중간층으로서는, 예를 들어 층간의 밀착력을 향상시키기 위한 접착층, 하도층 등을 들 수 있다.
기재의 제막 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 펠릿 형상의 수지를 용융하고, 압출 제막기에 의해 필름화하는 방법, T다이 또는 인플레이션법에 의한 압출 성형 또는 캘린더법에 의해 제조하는 방법 등을 들 수 있다.
점착 시트, 특히 기재의 열수축률은 2％ 정도 이하로 하는 것이 바람직하다. 기재의 열수축률은 제막 공정에서의 온도 조건에 크게 의존하기 때문에, 제막 공정에 연신 공정을 포함하지 않는 기재를 선택하는 것이 바람직하다.
기재의 상면, 즉 점착제층이 형성되는 측의 면에는 점착제와의 밀착성을 향상시키기 위하여 관용의 표면 처리, 예를 들어 코로나 처리, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 실시되어 있어도 된다.
기재의 두께는 얻고자 하는 점착 시트 등의 물성에 의해 조절할 수 있으며, 예를 들어 30 내지 1000㎛, 바람직하게는 40 내지 800㎛, 더욱 바람직하게는 50 내지 500㎛, 특히 바람직하게는 100 내지 200㎛를 들 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는, 상술한 바와 같이 기재 상에 점착제층이 형성되어 있고, 점착제층은 필요에 따라 적절히 세퍼레이터에 의해 보호되어 있어도 된다.
또한, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는 롤 형상으로 권회된 형태를 가져도 되며, 시트 형상, 테이프 형상 등의 형태를 가져도 된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는, 예를 들어 전자 부품 등 다양한 피착체의 표면 보호용 시트, 특히 반도체 웨이퍼를 연마할 때에 반도체 웨이퍼의 회로면을 보호하기 위한 보호용 점착 시트(백 그라인드 시트), 다이싱 시의 보호 및／또는 가공용 시트, 반도체 웨이퍼 가공의 각 공정에 있어서 가공용 점착 시트 등으로서 사용할 수 있다.
예를 들어, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정에서는, 우선 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트의 점착제층을 웨이퍼 표면(패턴 회로 형성면)에 부착한다. 이 부착 공정은 라미네이터라고 불리는 장치를 사용하여 행해진다.
계속해서, 웨이퍼 이면을 그라인더 등에 의해 소정의 두께(예를 들어 50 내지 200㎛)로 될 때까지 연삭하고, 필요에 따라 에칭 등에 의한 화학 연삭을 행한다. 이때, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는 반도체 웨이퍼를 고정하는 역할과, 반도체 웨이퍼 표면(패턴 회로 형성면)을 보호하여 웨이퍼 표면이 더럽혀지거나 파손되거나 하는 것을 방지하는 역할을 담당한다.
웨이퍼 이면 연삭 공정 종료 후, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 피착체로부터 박리한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 회로 패턴 형성면에 접합하였을 때에, 회로 패턴이 형성하는 단차에의 추종성이 양호하고, 경시에서의 들뜸량의 안정성을 도모할 수 있다. 그 결과, 사용 시에서의 편리성도 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명의 점착 시트에 있어서, 도 1a 및 1b에 도시한 바와 같이 점착 시트(12)의 점착제층(도시하지 않음)의 막 두께를 A㎛로 하고, 웨이퍼(10) 표면의 단차(11)를 B㎛로 하면, 이들 막 두께 A와 단차 B가 0.2≤B/A≤5.7의 관계를 만족하는 경우, 단차(11)로부터의 점착 시트(12)의 초기 들뜸량 d1(도 1a)과 24시간 후의 점착 시트의 들뜸량 d2(도 1b)가 수학식 5의 관계를 만족하는 것이 확인되고 있다. 또한, (d2/d1)×100이 109％ 이하인 것이 바람직하다.
Figure pct00006
종래부터 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 피착체로부터 박리할 때의 점착력 조정 성분으로서 계면 활성제를 점착제층에 함유시키고 있었는데, 이 성분이 점착제층 표면에 석출되어 반도체 웨이퍼의 패턴면을 오염시키는 경우가 있었다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는, 대량의 물을 반도체 웨이퍼에 뿌리면서 IC의 개편화가 행해지고 있는데, 이 때에도 마찬가지의 스테인 유래의 오염이 우려되고 있었다.
그러나, 본 발명의 점착 시트에서는 가소제와 계면 활성제의 특정한 조합을 선택함으로써, 다양한 환경 하에서의 보존 및 사용에 있어서도 점착제 성분 유래의 스테인의 석출을 유효하게 방지할 수 있다. 따라서, 이면 연삭 등의 반도체 웨이퍼 가공 후, 반도체 웨이퍼 표면에 접합한 점착 시트를 박리할 때에, 웨이퍼 표면에의 스테인 유래의 오염을 방지할 수 있어, 반도체 웨이퍼 등의 클린도가 요구되는 피착체의 보관, 이송 또는 가공 시에서의 표면 보호 시트로서 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 세정 공정 등의 생략 또는 간략화 등에 의해 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 점착 시트에서는 프탈산 에스테르를 사용하고 있지 않기 때문에, 환경면을 배려한 점착 시트로 할 수 있다.
<실시예>
이하에, 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 제한되는 것이 아니다.
(실시예 1)
아크릴산 부틸 97중량부, 메타크릴산 메틸 2중량부, 아크릴산 3중량부를 톨루엔 중에서 용액 중합법에 의해 공중합하여 중량 평균 분자량 55만의 아크릴계 중합체를 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 100중량부에 가소제로서 아디프산계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「W-230H」)를 10중량부, 점착력 조정 성분으로서 비이온계 계면 활성제(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명 「노이겐 EP-120A」)를 1중량부, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제; 상품명 「테트라드(TETRAD) C」)를 0.5중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교(주)제; 상품명 「코로네이트 L」)를 3중량부 혼합하여 점착제 조성물 A를 얻었다.
얻어진 점착제 조성물 A를 캐스팅용 공정 시트(두께 50㎛의 도레이사제 PET 필름) 상에 건조 후의 두께가 45㎛로 되도록 파운틴 다이 방식에 의해 도포 시공하여 점착제층을 형성하였다.
기재로서 폴리에틸렌/비결정 폴리프로필렌/폴리에틸렌의 3층으로 이루어지는 두께 135㎛의 적층 필름 A를 압출기에서 공압출에 의해 제작하였다. 또한, 적층 필름 A 각 층의 두께의 비는 폴리에틸렌:비결정 프로필렌:폴리에틸렌=2:9:2이다.
적층 필름 A 상에 점착제층 A를 전사에 의해 라미네이트하고 50℃×48시간 숙성하여 점착 시트 A를 얻었다.
(실시예 2)
상술한 아크릴계 중합체 100중량부에 가소제로서 트리멜리트산계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「W-705」)를 30중량부, 점착력 조정 성분으로서 비이온계 계면 활성제(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명 「노이겐 EP-120A」)를 1중량부, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제; 상품명 「테트라드 C」)를 0.5중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교(주)제; 상품명 「코로네이트 L」)를 3중량부 혼합하여 점착제 조성물 B를 얻었다.
점착제 조성물 A 대신에 점착제 조성물 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 B를 얻었다.
(실시예 3)
상술한 아크릴계 중합체 100중량부에 가소제로서 벤조산계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「W-83」)를 50중량부, 점착력 조정 성분으로서 비이온계 계면 활성제(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명 「노이겐 EP-120A」)를 1중량부, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제; 상품명 「테트라드 C」)를 0.5중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교(주)제; 상품명 「코로네이트 L」)를 3중량부 혼합하여 점착제 조성물 C를 얻었다.
점착제 조성물 A 대신에 점착제 조성물 C를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 C를 얻었다.
(실시예 4)
상술한 아크릴계 중합체 100중량부에 가소제로서 아디프산계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「W-230H」)를 10중량부, 점착력 조정 성분으로서 비이온계 계면 활성제(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명 「노이겐 EP-120A」)를 5중량부, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제; 상품명 「테트라드 C」)를 0.5중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교(주)제; 상품명 「코로네이트 L」)를 3중량부 혼합하여 점착제 조성물 D를 얻었다.
점착제 조성물 A 대신에 점착제 조성물 D를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 D를 얻었다.
(실시예 5)
상술한 아크릴계 중합체 100중량부에 가소제로서 아디프산계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「W-230H」)를 10중량부, 점착력 조정 성분으로서 비이온계 계면 활성제(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명 「노이겐 EP-120A」)를 10중량부, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제; 상품명 「테트라드 C」)를 0.5중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교(주)제; 상품명 「코로네이트 L」)를 3중량부 혼합하여 점착제 조성물 E를 얻었다.
점착제 조성물 A 대신에 점착제 조성물 E를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 E를 얻었다.
(비교예 1)
가소제로서 프탈산 에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「DOP」)를 30중량부 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 F를 얻었다.
(비교예 2)
가소제로서 폴리에테르계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「AS-200」)를 10중량부 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 G를 얻었다.
(비교예 3)
가소제로서 폴리에테르계 폴리에스테르(다이니폰 잉크(주)제; 상품명 「AS-200」)를 50중량부 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 조작을 행하여 점착 시트 H를 얻었다.
(시험 평가)
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트에 대하여, 이하의 시험 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
[보존 안정성 시험]
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트를 0℃ 및 40℃×92％ RH 환경 중에 30일간 방치하였다. 그 후, 점착 시트를 50×50mm로 잘라내어 시험편으로 하였다. 얻어진 시험편을 4인치 미러 웨이퍼 표면에 2kg 고무 롤러를 사용하여 속도 10cm/초로 텐션을 가하지 않고 부착하였다. 부착 후, 속도 300mm/min으로 시험편을 떼어내고, 미러 웨이퍼 표면 상태를 육안으로 관찰하였다. 관찰 방법으로서는 시험편 부착면을 5×5mm의 크기로 구분하여 총 100개의 격자 무늬를 제작하고, 스테인이 부착되어 있는 격자 무늬의 수를 육안으로 관찰하였다.
○: 100개 중 1개도 스테인이 관찰되지 않았음
△: 100개 중 50개 미만의 스테인이 관찰되었음
×: 100개 중 50개 이상의 스테인이 관찰되었음
[미러 웨이퍼에 대한 접착력]
JIS Z-0237에 준하여 피착체로서 미러 웨이퍼를 사용하여 측정하였다.
[점착제의 겔분율]
점착 시트로부터 점착제를 채취하고, 채취한 점착제의 중량(W1)을 측정하여 그것을 아세트산 에틸에 1주일간 침지한 후, 용제분을 건조시키고 남은 겔의 중량(W2)을 측정하여 다음 식으로부터 산출하였다.
겔분율(％)=W2×100/W1
[단차 추종성 시험]
실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트를 닛또 세끼(주)제 DR3000II를 사용하여 접합압 0.4MPa, 접합 속도 10mm/초로 미러 웨이퍼에 접합하였다. 그 때, 미러 웨이퍼 상에 53㎛ 두께의 테이프를 점착 시트 접합 방향과 수직으로 접합하여 의사 단차로 하였다.
점착 시트 접합 후, 의사 단차로부터의 테이프의 들뜬 거리를 광학 현미경을 사용하여 평가하고, 초기 단차 들뜸량(d1, 도 1a 참조)으로 하였다. 또한 접합 24시간 후에 마찬가지의 평가를 행하여 경시에서의 들뜸량(d2, 도 1b 참조)을 측정하여, 초기 들뜸량으로부터의 상승 비율을 이하의 식을 이용하여 산출하였다.
경시 안정성(％)=(d2/d1)×100
Figure pct00007
(시험예)
점착제층의 두께를 15 내지 65㎛의 사이에서 변화시킨 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 점착 시트를 제작하였다. 얻어진 점착 시트에 대하여, 상술한 단차 추종성 시험에 따라 단차를 18 내지 85㎛의 사이에서 변화시켜 시험하였다. 그 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
Figure pct00008
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트는, 전자 부품 등 다양한 피착체의 표면 보호용 시트, 다이싱 시의 가공용 시트 등으로서 광범위하게 이용할 수 있다.

Claims (5)

  1. 기재의 적어도 편면에 점착제층을 구비하고 있고,
    상기 점착제층이 베이스 중합체, 폴리에스테르계의 가소제 및 계면 활성제를 포함하고,
    상기 가소제 및 계면 활성제의 용해도 파라미터(SP값)가
    0.9≤[가소제의 SP값]/[계면 활성제의 SP값]≤1.0의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가소제가 베이스 중합체 100중량부에 대하여 10 내지 50중량부 첨가되어 이루어지는, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 계면 활성제가 베이스 중합체 100중량부에 대하여 1 내지 10중량부 첨가되어 이루어지는, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 중합체가 아크릴계 중합체를 포함하는, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 0.2≤B/A≤5.7의 관계를 만족하는, 막 두께 A㎛의 점착제층을 구비하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트를 단차 B㎛를 갖는 웨이퍼 표면에 접착하였을 때,
    단차로부터의 상기 점착 시트의 초기 들뜸량 d1과 24시간 후의 점착 시트의 들뜸량 d2가
    (d2/d1)×100≤110(％)
    의 관계를 만족하는, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트.
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