KR20120115013A - Ｍｅｍｓ 공진기, 이를 구비하는 센서 및 ｍｅｍｓ 공진기의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N chromium gold Chemical compound [Cr].[Au] RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
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- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
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- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
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- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2457—Clamped-free beam resonators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 제조방법에 관한 것으로, 상기 MEMS 공진기는, 일면에서 리세스되는 리세스부를 구비하는 MEMS 공진기의 베이스 기판과, 상기 리세스부의 빈공간을 이용하여 진동하도록 상기 베이스 기판에 장착되고 적어도 일부가 상기 리세스부와 중첩되도록 배치되는 진동자, 및 상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록 상기 진동자와 베이스 기판에 각각 연결되는 와이어를 포함한다. 이에 의하여 공진기의 고유주파수가 용이하게 조정될 수 있다.
Description
본 발명은 미세전자기계시스템(Microelectromechanical Systems, MEMS) 공진기의 제조방법과 이에 의하여 제조된 MEMS 공진기 및 센서에 관한 것이다.
MEMS(Microelectromechanical Systems) 공진기는 필터, 센서, 트랜스듀서와 같은 다양한 분야에서 이용되고 있다. MEMS 공진기를 이용한 센서로는 공진형 MEMS 자이로스코프, 가속도계와 같은 관성센서들이 있다. MEMS 공진형 자이로스코프의 경우는 구동부와 측정부의 주파수를 일치시키면 감지능력이 크게 증가하기 때문에 MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법이 매우 필요하다. 이 밖에도 MEMS 공진기를 이용한 디바이스에서 고유주파수 오차가 발생하였을 때, 이를 보정하여 제품의 균일도를 높이기 위해서 고유주파수 조정방법이 이용된다.
MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법으로는 레이저 절제, 화학 기상 증착, 집속 이온빔 증착 등의 방법이 주로 이용된다. 레이저 절제를 이용한 MEMS 공진기 주파수 조정방법은 레이저를 이용해 공진기의 질량을 제거하여 주파수를 조정하고, 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition, CVD), 집속 이온빔(Focused ion beam, FIB) 증착을 이용한 방법은 MEMS 공진기에 물질을 증착하여 공진기의 질량을 늘려 주파수를 조정한다. 그러나 이러한 방법들은 고가의 장비, 설비를 필요하고, 수행하는데 시간이 많이 소요되며, 조정된 주파수를 되돌릴 수 없다는 단점이 있다.
따라서, 이러한 단점을 보완할 수 있는 MEMS 공진기 및 이의 제조방법이 고려될 수 있다.
본 발명은 MEMS 공진기의 고유주파수를 간단하게 조정(설정)할 수 있는 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 가역적 특성을 구비하는 MEMS 공진기 및 MEMS 공진기의 제조방법을 구현하기 위한 것이다.
이와 같은 본 발명의 해결 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르는 미세전자기계시스템(MEMS) 공진기는, 일면에서 리세스되는 리세스부를 구비하는 MEMS 공진기의 베이스 기판과, 상기 리세스부의 빈공간을 이용하여 진동하도록 상기 베이스 기판에 장착되고 적어도 일부가 상기 리세스부와 중첩되도록 배치되는 진동자, 및 상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록 상기 진동자와 베이스 기판에 각각 연결되는 와이어를 포함한다.
본 발명과 관련한 일 예에 따르면, 상기 베이스 기판에는 상기 일면을 덮도록 이루어지는 박막이 증착되고, 상기 진동자는 상기 박막으로부터 연장되도록 이루어진다.
상기 박막과 상기 진동자의 일면에는 각각 제1 및 제2 금속막이 형성되고, 상기 와이어는 상기 제1 및 제2 금속막을 연결하도록 이루어진다. 상기 와이어는 상기 제1 및 제2 금속막을 전극으로 하는 유전영동에 의하여 형성될 수 있다. 상기 와이어는 상기 유전영동에 의하여 상기 제1 및 제2 금속막에 부착되는 나노입자를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속막은 상기 박막과 상기 진동자로부터 상기 빈 공간으로 돌출되는 구조물들에 형성된다. 상기 제1 및 제2 금속막은 서로 마주보도록 배치될 수 있다.
본 발명과 관련한 다른 일 예에 따르면,상기 와이어는 전압의 인가에 의하여 절단되도록 이루어진다.
본 발명과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 진동자는 상기 기판에 연결되는 고정단과 상기 리세스부로 연장되는 자유단을 구비하는 외팔보를 이루거나, 상기 리세스부를 가로질러 양단이 각각 상기 기판에 연결되는 고정보를 형성한다.
또한 상기한 과제를 실현하기 위하여 본 발명은, 센서 본체와, 상기 본체에 장착되며 진동자를 구비하는 상기 MEMS 공진기, 및 가속도 또는 각속도를 측정하도록 상기 진동자의 변위를 검출하는 제어부를 포함하는 센서를 개시한다.
또한, 본 발명은 베이스 기판으로부터 연장되는 진동자를 구비하는 MEMS 공진기의 제조방법에 있어서, 상기 베이스 기판과 진동자에 각각 제1 및 제2 전극막이 생성된 MEMS 공진기를 제조하는 단계와, 상기 제1 및 제2 전극막의 사이에 나노입자가 혼합된 용액을 충전하는 단계, 및 상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록 상기 제1 및 제2 전극막에 전원을 공급하여 상기 베이스 기판과 진동자를 연결하는 와이어를 생성하는 단계를 포함하는 MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법을 개시한다.
본 발명의 제조방법과 관련한 일 예에 따르면, 상기 제조하는 단계는, 베이스 기판에 박막을 증착하는 단계와, 상기 박막이 기설정된 패턴을 형성하도록 식각하는 단계와, 상기 패턴이 형성된 박막에 상기 제1 및 제2 금속막을 증착하는 단계, 및 상기 베이스 기판을 식각하여 상기 진동자를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제조방법과 관련한 다른 일 예에 따르면, 상기 용액에는 폴리머의 단량체가 혼합된다. 상기 나노입자는 탄소나노튜브, 풀러렌, 금나노입자 및 은나노입자 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명의 제조방법과 관련한 또 다른 일 예에 따르면, 상기 조정방법은 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 복원시키도록 상기 와이어에 전압을 인가하여 상기 와이어를 절단하는 단계를 포함한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 제조방법에 의하면, 전기적으로 와이어를 생성하므로써, 기초적인 장비를 이용하여 저비용으로 신속히 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정(설정)할 수 있다. 또한, 이를 통하여 공진형 MEMS 자이로스코프, 가속도계 등과 같은 공진형 센서의 성능을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 의하면, 생성된 와이어를 전기적으로 간단히 절단함으로써 MEMS 공진기의 고유주파수를 되돌릴 수 있다.
또한, 본 발명의 와이어 형성을 통한 MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법은 저비용으로도 용이하게 적용이 가능하므로, 기존보다 더 넓은 범위의 MEMS 공진기에 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 공진기의 제조방법을 보여주는 순서도
도 2a 내지 도 2h는 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기를 제조하는 개념도들
도 3은 도 1의 제조방법에서 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기의 평면도
도 4는 도 3의 MEMS 공진기에 와이어 생성용 용액을 공급하는 개념도
도 5는 도 3의 MEMS 공진기에서 와이어를 생성시키는 개념도
도 6은 도 5와 같이 MEMS 공진기에 생성된 와이어를 전기적으로 절단하는 방법을 나타낸 개념도
도 7은 본 발명의 제조방법에 의해 제작된 MEMS 공진기의 현미경 사진에 대응하는 개념도
도 8은 도 7의 A부분의 확대도
도 9는 도 7의 MEMS 공진기가 적용된 센서의 개념도
도 10은 본 발명의 MEMS 공진기의 고유주파수를 측정하기 위한 실험 방법을 도시한 개념도
도 11은 본 발명의 제조방법에 의해 MEMS 공진기의 고유주파수가 조정된 결과를 도시한 그래프
도 2a 내지 도 2h는 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기를 제조하는 개념도들
도 3은 도 1의 제조방법에서 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기의 평면도
도 4는 도 3의 MEMS 공진기에 와이어 생성용 용액을 공급하는 개념도
도 5는 도 3의 MEMS 공진기에서 와이어를 생성시키는 개념도
도 6은 도 5와 같이 MEMS 공진기에 생성된 와이어를 전기적으로 절단하는 방법을 나타낸 개념도
도 7은 본 발명의 제조방법에 의해 제작된 MEMS 공진기의 현미경 사진에 대응하는 개념도
도 8은 도 7의 A부분의 확대도
도 9는 도 7의 MEMS 공진기가 적용된 센서의 개념도
도 10은 본 발명의 MEMS 공진기의 고유주파수를 측정하기 위한 실험 방법을 도시한 개념도
도 11은 본 발명의 제조방법에 의해 MEMS 공진기의 고유주파수가 조정된 결과를 도시한 그래프
이하, 본 발명에 관련된 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 제조방법(고유주파수 조정방법)에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일?유사한 구성에 대해서는 동일?유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다. 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 공진기의 제조방법을 보여주는 순서도이다. 또한, 도 2a 내지 도 2h는 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기를 제조하는 개념도들이고, 도 3은 도 1의 제조방법에서 와이어가 생성되기 전의 MEMS 공진기의 평면도이며, 도 4는 도 3의 MEMS 공진기에 와이어 생성용 용액을 공급하는 개념도이고, 도 5는 도 3의 MEMS 공진기에서 와이어를 생성시키는 개념도이고, 도 6은 도 5와 같이 MEMS 공진기의 와이어를 전기적으로 절단하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, MEMS 공진기의 제조방법은 먼저, 베이스 기판과 진동자에 각각 제1 및 제2 전극막이 생성된 MEMS 공진기를 제조한다(S100).
MEMS 공진기는 베이스 기판으로부터 연장되는 진동자를 구비하도록 이루어진다. 이러한 형태의 공진기를 구현하기 위하여, 상기 제조하는 단계(S100)는 박막을 증착하는 단계, 식각하는 단계, 금속막을 증착하는 단계 및 진동자를 형성하는 단계를 포함한다.
박막을 증착하는 단계에서 베이스 기판에 박막이 증착된다. 예를 들어, 도 2a와 같이 작업자는 실리콘으로 이루어진 기판(101)을 준비하고, 도 2b와 같이 저압 화학 기상 증착(Low pressure chemical vapor depostion, LPCVD) 등을 통해서 기판(101)에 저응력 실리콘 질화막(102)을 증착한다.
식각하는 단계에서는 기설정된 패턴이 형성되도록 상기 박막을 식각한다. 보다 구체적으로, 도 2c와 같이 패턴막(103)을 포토리소그래피를 이용하여서 형성하고, 반응성 이온 식각(Reactive ion etching, RIE)을 이용해서 실리콘 질화막(102)을 개구된 패턴(104)을 따라 식각한다.
금속막을 증착하는 단계에서는 상기 패턴이 형성된 박막에 상기 제1 및 제2 금속막을 증착한다. 예를 들어, 도 2e와 같이 기존의 패턴막(103)을 제거하고 새로운 패턴막(105)을 포토리소그래피를 이용하여 형성하고, 도 2f와 같이 크롬, 골드로 이루어진 금속막(106)을 증착한다. 이후에, 도 2g와 같이 상기의 패턴막(105)을 제거하면 제1 전극막(고정측 전극, 107)과 제2 전극막(진동자 측의 전극, 108)이 형성된다.
진동자를 형성하는 단계는 상기 베이스 기판을 식각하여 상기 진동자를 형성한다. 보다 구체적으로, 트라메틸 암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl-Ammonium Hydroxide, TMAH) 용액을 이용해서 전체를 식각하면 도 2h 및 도 3과 같이 최종적으로 MEMS 공진기가 준비된다.
이와 같이 제조된 MEMS 공진기는 도 3과 같이, 외팔보 형태의 진동자(112)를 구비하는 MEMS 공진기로서, 와이어 형성을 위한 서로 대칭되는 구조물(109, 110)을 구비한다. 상기 두 개의 구조물(109, 110)의 사이에는 와이어 형성을 위한 공간(111)이 형성된다. 상기 구조물은(109, 110)은 상기 공간(111)으로 돌출될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 구조물은(109, 110)은 각각 베이스 기판 및 진동자(112)으로부터 서로를 향하여 돌출되도록 형성될 수 있다.
MEMS 공진기 제조 단계(S100)의 일 예에서 설명한 실리콘 기판(101), 저응력 실리콘 질화막(102), 크롬 골드로 이루어진 금속막(106)은 다른 재료들로 이루어질 수 있다. 또한 공정 방법으로 이용한 저압 화학 기상 증착, 반응성 이온 식각, 포토리소그래피의 방법도 본 발명에 한정되지 않으며, 제작 방법으로 상술한 MEMS 공진기를 제조하는 것이 가능하다.
다시 도 1을 참조하면, MEMS 공진기의 제조방법은 상기 제1 및 제2 전극막의 사이에 나노입자가 혼합된 용액을 충전한다(S200).
상기 용액은 용매와 나노입자를 혼합하여 만들어진다. 예를 들어, 용매에 탄소 나노 튜브(Carbon nano tube, CNT)가 0.01 내지 10 중량% 만큼 첨가되며, 나아가 용액에 대하여 계면활성제 및 초음파 처리가 이루어질 수 있다.
도 4를 참조하면, 진동자(112) 측의 와이어 형성을 위한 구조물(110)과 이와 마주보는 박막 측의 상기 와이어 형성을 위한 구조물(109)간의 와이어 형성을 위한 공간(111)에 와이어 형성을 위해 제조한 용액(121)이 공급된다.
상기 나노 입자는 탄소 나노 튜브(CNT) 뿐만 아니라 풀러렌(C60), 금나노입자, 은나노입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 용액에는 용매에 나노입자 외에도 피롤, 아닐린 등의 기능성 폴리머의 단량체가 혼합될 수 있다.
다음은, 상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록, 상기 제1 및 제2 전극막에 전원을 공급하여 상기 베이스 기판과 진동자를 연결하는 와이어를 생성한다(S300).
예를 들어, 도 5와 같이 제1 및 제2 전극막(107, 108)에 함수 발생기(114)를 이용해서 전압을 가한다. 상기 전압은 1kHz 내지 100MHz의 주파수 범위의 교류 전압이 될 수 있다. 상기 전압의 인해 와이어 합성을 위한 용액(121) 내의 나노입자들은 유전영동에 의해서 와이어 합성을 위한 구조물(109, 110)에 모이게 되며, 나아가 서로 달라붙어서 와이어(122)를 형성한다.
MEMS 공진기의 고유주파수(f)는 공진기의 탄성계수(k)와 유효질량(m)에 의해서 식 (1)과 같이 결정되어진다.
도 5를 참조하면, 형성된 와이어는 진동자(112)의 탄성계수를 늘리거나(k+k') 유효질량을 줄여서(m-m') MEMS 공진기의 고유주파수(f')를 증가시킨다. 이는 식 (2)를 통해 확인 할 수 있다.
탄성계수는 와이어의 물성에 따라서 변화될 수 있고, 유효질량은 MEMS 공진기의 전극구조물 배치에 따라서 변화될 수 있다.
또한, 본 발명의 제조방법은 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 복원시키도록 상기 와이어에 전압을 인가하여 상기 와이어를 절단하는 단계를 포함할 수 있다. 즉, 도 6과 같이 MEMS 공진기에 형성된 와이어(122)를 전기적인 방법을 이용해서 절단하게 되면 와이어의 영향이 없어져 MEMS 공진기의 고유주파수는 원상태로 회복된다.
예를 들어, 함수 발생기(114)를 통해서 와이어 합성을 위한 제1 및 제2 전극막(107, 108)에 강한 전압을 인가하면 와이어(122)에 강한 전류가 흐르게 되며, 이를 통하여 와이어(122)가 전기적으로 절단된다.
이와 같이, 본 발명이 제안하는 와이어 생성을 이용한 MEMS 공진기의 주파수 조정 방법은 기초적인 장비로 와이어를 생성하여 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하고 상기 와이어를 간단히 절단함으로써 MEMS 공진기의 고유주파수를 되돌릴 수 있다는 장점이 있다.
이하, 상기 제조방법에 의하여 제작되는 MEMS 공진기의 구조 및 이를 이용한 센서에 대하여 도 3과 함께 도 7 및 도 8을 참조하여 보다 상세히 설명한다. 도 7은 본 발명의 제조방법에 의해 제작된 MEMS 공진기의 현미경 사진에 대응하는 개념도이며, 도 8은 도 7의 A부분의 확대도이며, 도 9는 도 7의 MEMS 공진기가 적용된 센서의 개념도이다.
도시에 의하면, MEMS 공진기(200)는 베이스 기판(201), 진동자(212) 및 와이어(222)를 포함한다.
베이스 기판(201)는 일면에서 리세스(recess)되는 리세스부(201a)를 구비하며, 진동자(212)는 상기 리세스부(201a)의 빈공간을 이용하여 진동하도록, 상기 베이스 기판(201)에 장착되고 적어도 일부가 상기 리세스부(201a)와 중첩되도록 배치된다. 리세스부(201a)는 도 3에 도시된 바와 같이, 진동자가 변형할 수 있는 공간을 형성한다.
진동자(212)는 상기 기판(201)에 연결되는 고정단과 상기 리세스부(201a)로 연장되는 자유단을 구비하는 외팔보를 이룬다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 진동자는 상기 리세스부를 가로질러 양단이 각각 상기 기판에 연결되는 고정보를 형성할 수 있다.
도 7 및 도 8에 의하면, 베이스 기판(201)에는 상기 일면을 덮도록 이루어지는 박막(202)이 증착되고, 진동자(212)는 상기 박막(202)으로부터 연장되도록 이루어진다.
박막(202)과 진동자(212)의 일면에는 각각 제1 및 제2 금속막(207, 208)이 형성된다. 제1 및 제2 금속막(207, 208)은 각각 기판측 박막과 진동자측 박막으로부터 리세스부의 빈공간을 향하여 돌출된 구조물들(209, 210)에 형성되며, 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 구조물들(209, 210)은 복수의 쌍으로 구비되며, 각 쌍들은 기설정된 거리로 이격 배치될 수 있다.
와이어(222)는 진동자(212)의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기(200)의 고유주파수를 조정하도록, 상기 진동자(212)와 베이스 기판(201)에 각각 연결된다. 보다 구체적으로, 와이어(222)는 제1 및 제2 금속막(207, 208)을 연결하도록 이루어진다. 와이어(222)는 제1 및 제2 금속막(207, 208)을 전극으로 하는 유전영동에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 유전영동에 의하여 상기 제1 및 제2 금속막(207, 208)에 부착되는 나노입자를 포함한다. 상기 와이어는 전압의 인가에 의하여 절단되도록 이루어진다. 이를 통하여, 가역적인 MEMS 공진기(200)가 구현된다.
이하, 본 발명의 MEMS 공진기가 적용될 수 있는 센서에 대하여 설명한다.
센서는 센서 본체, 도 7 및 도 8의 MEMS 공진기(200) 및 제어부를 포함한다. MEMS 공진기는 센서 본체에 장착되며, 제어부가 가속도 또는 각속도를 측정하도록 상기 진동자의 변위를 검출한다.
이러한 센서의 일 예로서, 도 7 및 도 8의 MEMS 공진기는 도 9의 공진형 자이로스코프에 적용될 수 있다. 도 9의 공진형 자이로스코프는 기존에 알려진 자이로스코프의 구조에 본 발명의 MEMS 공진기를 적용한 것이다.
도시에 의하면, 공진형 자이로스코프는 자이로의 프루프매스를 구동축으로 진동을 시키고 이때 외부에서 들어오는 각속도에 의해서 수직한 방향으로 발생하는 코리올리힘에 의해 변화되는 감지축의 변위를 측정하여 각속도를 감지한다. 공진형 자이로스코프는 수직하게 교차되는 측정축, 감지축을 갖고, 각축은 질량, 스프링, 댐핑 시스템으로 각각의 공진주파수를 갖는다. 그리고 공진점에서 최대의 변위를 나타내며, 높은 Q-factor에 같은 힘을 정적으로 가했을 때 보다 1000~100000배 수준의 높은 변위를 보인다. 측정축은 공진주파수로 진동시켜서 에너지 소비를 줄이고 변위를 최대로 한다. 이때 측정축의 공진주파수가 구동축의 공진주파수와 일치되면 측정축의 변위가 최대가 되어 자이로의 감도가 크게 향상된다. 따라서, 고유주파수의 조정이 간단한 도 7의 MEMS 공진기(200)가 적용된 공진형 자이로스코프는 보다 용이하게 감지능력이 증가될 수 있다.
또한, 도 7의 MEMS 공진기는 캔틸레버 센서에 적용될 수 있다. 캔틸레버 센서는 캔필레버 표면에 물질 결합에 의한 질량변화와, 질량변화에 따른 공진주파수 변화를 측정하는 원리로 이루어진다. 따라서, 도 7의 MEMS 공진기가 적용되면 주파수 튜닝에 의해 민감한 영역으로 공진주파수를 조절할 수 있게 된다.
도 10은 본 발명의 MEMS 공진기의 고유주파수를 측정하기 위한 실험 방법을 도시한 개념도이고, 도 11은 본 발명의 제조방법에 의해 MEMS 공진기의 고유주파수가 조정된 결과를 도시한 그래프이다.
도 10을 참조하면, 진동 신호 분석기(FFT analyzer, 801)의 출력전압이 압전소자(PZT, 802)에 연결되며, 이를 통하여 MEMS 공진기의 진동자(212)에 진동이 가해진다. 보다 구체적으로, 상기 출력전압은 일정한 전압이 주파수를 변화시키면서 증가하게 되며, 압전소자(802)는 주파수를 변화시키며 MEMS 공진기의 진동자(212)에 진동을 가한다. 진동자(212)의 진동은 레이저 진동계(803)가 측정하여 전압신호로 진동 신호 분석기(801)에 입력한다. 진동 신호 분석기(801)는 주파수에 따른 진동자의 진동을 기록하여 나타낸다.
도 11을 참조하면, 와이어를 생성하기 전인 기본 상태에서 측정된 MEMS 공진기의 고유주파수는 5.89kHz 이며, 이는 와이어를 생성하면 5.96 kHz 로 증가한다. 또한, 그래프를 참조하면, 와이어를 절단하였을 때에, MEMS 공진기의 고유주파수는 5.89kHz 로 복원된다.
상기와 같이 나노입자로 구성된 와이어를 생성함에 따라, 공진기의 기계적 특성을 조절하고, 이를 통해 고유주파수가 조정된다. 나아가, 와이어가 생성될 전극의 배치와 와이어의 물성변화를 통해, 고유주파수는 저비용으로 용이하게 조정될 수 있다.
상기와 같은 MEMS 공진기, 이를 구비하는 센서 및 MEMS 공진기의 제조방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
Claims (15)
- 일면에서 리세스되는 리세스부를 구비하는 미세전자기계시스템(MEMS) 공진기의 베이스 기판;
상기 리세스부의 빈공간을 이용하여 진동하도록, 상기 베이스 기판에 장착되고 적어도 일부가 상기 리세스부와 중첩되도록 배치되는 진동자; 및
상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록, 상기 진동자와 베이스 기판에 각각 연결되는 와이어를 포함하는 MEMS 공진기. - 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판에는 상기 일면을 덮도록 이루어지는 박막이 증착되고,
상기 진동자는 상기 박막으로부터 연장되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제2항에 있어서,
상기 박막과 상기 진동자의 일면에는 각각 제1 및 제2 금속막이 형성되고,
상기 와이어는 상기 제1 및 제2 금속막을 연결하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제3항에 있어서,
상기 와이어는 상기 제1 및 제2 금속막을 전극으로 하는 유전영동에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제4항에 있어서,
상기 와이어는 상기 유전영동에 의하여 상기 제1 및 제2 금속막에 부착되는 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제3항에 있어서,
상기 제1 및 제2 금속막은 상기 박막과 상기 진동자로부터 상기 빈 공간으로 돌출되는 구조물들에 배치되는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제3항에 있어서,
상기 제1 및 제2 금속막은 서로 마주보도록 배치되는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제1항에 있어서,
상기 와이어는 전압의 인가에 의하여 절단되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 제1항에 있어서,
상기 진동자는 상기 기판에 연결되는 고정단과 상기 리세스부로 연장되는 자유단을 구비하는 외팔보를 이루거나, 상기 리세스부를 가로질러 양단이 각각 상기 기판에 연결되는 고정보를 형성하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기. - 센서 본체;
상기 본체에 장착되며, 진동자를 구비하고, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따르는 MEMS 공진기; 및
가속도 또는 각속도를 측정하도록 상기 진동자의 변위를 검출하는 제어부를 포함하는 센서. - 베이스 기판으로부터 연장되는 진동자를 구비하는 MEMS 공진기의 고유주파수 조정방법에 있어서,
상기 베이스 기판과 진동자에 각각 제1 및 제2 전극막이 생성된 MEMS 공진기를 제조하는 단계;
상기 제1 및 제2 전극막의 사이에 나노입자가 혼합된 용액을 충전하는 단계; 및
상기 진동자의 적어도 일부를 지지하여 상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 조정하도록, 상기 제1 및 제2 전극막에 전원을 공급하여 상기 베이스 기판과 진동자를 연결하는 와이어를 생성하는 단계를 포함하는 MEMS 공진기의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 제조하는 단계는,
베이스 기판에 박막을 증착하는 단계;
상기 박막이 기설정된 패턴을 형성하도록 식각하는 단계;
상기 패턴이 형성된 박막에 상기 제1 및 제2 금속막을 증착하는 단계; 및
상기 베이스 기판을 식각하여 상기 진동자를 형성하는 단계를 포함하는 MEMS 공진기의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 용액에는 폴리머의 단량체가 혼합되는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 나노입자는 탄소나노튜브, 풀러렌, 금나노입자 및 은나노입자 중 적어도 하나를 포함하는 MEMS 공진기의 제조방법. - 제11항에 있어서,
상기 MEMS 공진기의 고유주파수를 복원시키도록 상기 와이어에 전압을 인가하여 상기 와이어를 절단하는 단계를 더 포함하는 MEMS 공진기의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110032913A KR101239636B1 (ko) | 2011-04-08 | 2011-04-08 | Ｍｅｍｓ 공진기, 이를 구비하는 센서 및 ｍｅｍｓ 공진기의 제조방법 |
| PCT/KR2011/003333 WO2012138006A1 (en) | 2011-04-08 | 2011-05-04 | Mems resonator, sensor having the same and manufacturing method for mems resonator |
| US13/519,451 US9032795B2 (en) | 2011-04-08 | 2011-05-04 | MEMS resonator, sensor having the same and manufacturing method for MEMS resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110032913A KR101239636B1 (ko) | 2011-04-08 | 2011-04-08 | Ｍｅｍｓ 공진기, 이를 구비하는 센서 및 ｍｅｍｓ 공진기의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120115013A true KR20120115013A (ko) | 2012-10-17 |
| KR101239636B1 KR101239636B1 (ko) | 2013-03-11 |
Family
ID=46969380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110032913A KR101239636B1 (ko) | 2011-04-08 | 2011-04-08 | Ｍｅｍｓ 공진기, 이를 구비하는 센서 및 ｍｅｍｓ 공진기의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9032795B2 (ko) |
| KR (1) | KR101239636B1 (ko) |
| WO (1) | WO2012138006A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030898A3 (en) * | 2013-06-07 | 2015-05-07 | The Regents Of The University Of California | Micromechanical resonant switches and charge pumps |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9540230B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-01-10 | Invensense, Inc. | Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
| US9718679B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-08-01 | Invensense, Inc. | Integrated heater for gettering or outgassing activation |
| US9738512B2 (en) | 2012-06-27 | 2017-08-22 | Invensense, Inc. | CMOS-MEMS integrated device including multiple cavities at different controlled pressures and methods of manufacture |
| US10252920B2 (en) * | 2015-09-07 | 2019-04-09 | International Business Machines Corporation | Flowfield sensors for monitoring liquid flow |
| KR101724488B1 (ko) | 2015-12-11 | 2017-04-07 | 현대자동차 주식회사 | Mems 공진기 |
| CA3030308C (en) | 2016-07-29 | 2022-04-05 | The Board Of Trustees Of Western Michigan University | Magnetic nanoparticle-based gyroscopic sensor |
| US10771040B2 (en) * | 2017-07-12 | 2020-09-08 | Nutech Ventures | Systems and methods for reducing the actuation voltage for electrostatic MEMS devices |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3940636A (en) * | 1975-03-03 | 1976-02-24 | Sperry Rand Corporation | Acoustic delay surface wave motion transducer systems with enhanced stability |
| US4715227A (en) * | 1986-09-02 | 1987-12-29 | The Singer Company | Multisensor assembly with angular rate piezoelectric crystal beam |
| KR100394016B1 (ko) | 2001-07-16 | 2003-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브를 이용한 ｍｅｍｓ 공진기 및 그 제조방법,상기 공진기를 이용한 주파수 발생기 |
| US20040011650A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-01-22 | Frederic Zenhausern | Method and apparatus for manipulating polarizable analytes via dielectrophoresis |
| US7857956B2 (en) * | 2003-02-27 | 2010-12-28 | The Regents Of The University Of California | Systems and methods for making and using nanoelectrodes |
| JPWO2005012923A1 (ja) * | 2003-08-04 | 2006-09-21 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| JP2006041911A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｍｅｍｓフィルタ装置およびその製造方法 |
| JP4381354B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子の支持構造および物理量測定装置 |
| JP2006308543A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Fujitsu Media Device Kk | 角速度センサ |
| JP2007058105A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロミラー素子及び可動構造 |
| JP5622347B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサ装置 |
| US8362618B2 (en) * | 2006-11-08 | 2013-01-29 | Northeastern University | Three dimensional nanoscale circuit interconnect and method of assembly by dielectrophoresis |
| DE102007001516B3 (de) * | 2007-01-10 | 2008-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanisches Bauelement mit einstellbarer Resonanzfrequenz durch Geometrieänderung und Verfahren zum Betreiben desselben |
| KR100949375B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2010-03-25 | 포항공과대학교 산학협력단 | 미세 와이어 제조 방법, 그리고 미세 와이어를 포함하는 센서 제조 방법 |
| US8232544B2 (en) * | 2008-04-04 | 2012-07-31 | Nokia Corporation | Nanowire |
| KR101000642B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2010-12-10 | 연세대학교 산학협력단 | Ｍｅｍｓ구동기의 기계적 구속에 의한 마이크로 공진기의 고유 주파수 튜닝장치, 이를 구비한 마이크로 공진기, 그 제조방법 및 튜닝방법 |
| US20120085649A1 (en) * | 2010-03-09 | 2012-04-12 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Dielectrophoresis devices and methods therefor |
| US20120061241A1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Nokia Corporation | Apparatus and associated methods |
-
2011
- 2011-04-08 KR KR1020110032913A patent/KR101239636B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-05-04 WO PCT/KR2011/003333 patent/WO2012138006A1/en active Application Filing
- 2011-05-04 US US13/519,451 patent/US9032795B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030898A3 (en) * | 2013-06-07 | 2015-05-07 | The Regents Of The University Of California | Micromechanical resonant switches and charge pumps |
| US9431201B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-08-30 | The Regents Of The University Of California | Micromechanical resonant switches and charge pumps |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9032795B2 (en) | 2015-05-19 |
| KR101239636B1 (ko) | 2013-03-11 |
| US20120279302A1 (en) | 2012-11-08 |
| WO2012138006A1 (en) | 2012-10-11 |
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