KR20120084336A - 리드용 클래드재 및 리드용 클래드재의 용접 방법 - Google Patents

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Abstract

표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 억제하는 것이 가능한 리드용 클래드재가 얻어진다. 이 리드용 클래드재(1)는, 전지(2)의 단자(21, 22)에 용접되는 리드용 클래드재이며, 전지의 단자에 대하여 용접되는 측에 배치되는 제1 Ni층(11)과, 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 제2 Ni층(12)과, 제1 Ni층과 제2 Ni층에 끼워지도록 배치되는 Fe층(10)을 구비하고, 제1 Ni층의 두께는, 제1 Ni층, 제2 Ni층 및 Fe 층으로 이루어지는 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하이다.

Description

리드용 클래드재 및 리드용 클래드재의 용접 방법{CLADDING MATERIAL FOR LEADS AND METHOD OF WELDING CLADDING MATERIAL FOR LEADS}
본 발명은, 리드용 클래드재 및 리드용 클래드재의 용접 방법에 관한 것으로, 특히, 전지의 단자에 용접되는 리드용 클래드재 및 리드용 클래드재의 용접 방법에 관한 것이다.
종래, 전지의 단자에 용접되는 리드가 알려져 있다. 이러한 리드는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2007-35650호 공보에 개시되어 있다. 상기 일본 특허 공개 제2007-35650호 공보에는, 연강판의 표면 상에 Ni-Fe 합금으로 이루어지는 도금층이 형성된 전지 캔 및 덮개에, 연강판의 표면 상에 Ni로 이루어지는 도금층이 형성된 리드재를 저항 용접하는 전지 용기의 용접 방법이 개시되어 있다. 또한, 저항 용접할 때에는, 리드재의 Ni로 이루어지는 도금층과, 저항 용접용의 전극이 접촉한 상태에서 전극에 전류가 흐름으로써, 전지 캔 및 덮개에 리드재가 저항 용접되도록 구성되어 있다. 또한, 상기 일본 특허 공개 제2007-35650호 공보에는 명기되어 있지 않지만, 리드재의 연강판에 Ni를 도금할 때에는 수분이나 Ni 이외의 불순물이 포함되는 Ni 도금조에 연강판을 넣음으로써 도금욕을 행한다고 생각되어진다.
일본 특허 공개 제2007-35650호 공보
그러나, 상기 일본 특허 공개 제2007-35650호 공보에 개시된 전지 용기의 용접 방법에서는, 리드재에 Ni로 이루어지는 도금층을 형성할 때에, Ni 도금조에 포함되어 있던 수분이나 Ni 이외의 불순물이 리드재의 도금층에 존재하는 경우가 있다고 생각되어진다. 이 경우, 전지 캔 및 덮개에 대하여 저항 용접을 행할 때에, 리드재의 도금층에 잔존하는 불순물이 용접 시의 고열에 의해 가스화된다는 문제가 있다. 이로 인해, 저항 용접을 행할 때에, 리드재의 도금층에 잔존하는 가스화된 불순물과, 저항 용접용의 전극이 반응하는 것에 기인하여 리드재의 도금층에 전극의 일부가 이물질로서 존재하는 경우가 있다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 본 발명의 하나의 목적은, 표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 억제하는 것이 가능한 리드용 클래드재 및 리드용 클래드재의 용접 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 국면에 의한 리드용 클래드재는, 전지의 단자에 용접되는 리드용 클래드재이며, 전지의 단자에 대하여 용접되는 측에 배치되는 제1 Ni층과, 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 제2 Ni층과, 제1 Ni층과 제2 Ni층에 끼워지도록 배치되는 Fe층을 구비하고, 제1 Ni층의 두께는, 제1 Ni층, 제2 Ni층 및 Fe 층으로 이루어지는 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하이다.
본 발명의 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에서는, 상기한 바와 같이 리드재로서 제1 Ni층과 제2 Ni층과 Fe층으로 이루어지는 클래드재를 사용함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용하는 경우와 달리, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 포함되는 Ni 도금조를 사용하여 제2 Ni층을 형성하지 않으므로, 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 제2 Ni층에 수분이나 Ni 이외의 불순물이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 용접 시의 고열에 의해 가스화되는 것을 억제할 수 있으므로, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접할 때에 제2 Ni층과 용접에 사용되는 전극 등이 반응하는 것에 기인하여 제2 Ni층의 표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제1 Ni층 및 제2 Ni층을 리드재의 표면에 배치할 수 있으므로, 리드재의 표면에 Ni-Fe 합금 등을 배치하는 경우에 비하여, 리드용 클래드재의 내식성을 향상시킬 수 있다. 또한, Ni로만 이루어지는 리드재에 비하여, 리드용 클래드재는, Ni보다도 저렴한 철을 갖는 Fe층을 기재로 하고 있으므로, 저렴하게 리드재를 제작할 수 있다.
또한, 상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에서는, 제1 Ni층의 두께를 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하로 함으로써, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접할 때에, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있다. 또한, 제1 Ni층의 두께를 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하로 함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있는 것은, 본원 발명자가 예의 검토한 결과 발견한 것이다.
상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에 있어서, 바람직하게는 제1 Ni층의 두께는, 클래드재의 두께의 3.1% 이상 7.5% 이하이다. 이렇게 구성하면, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우에 비하여, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접했을 때의 접합 강도를 확실하게 확보할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에 있어서, 바람직하게는 제1 Ni층의 두께는 2.1㎛ 이상 20.5㎛ 이하이다. 이렇게 구성하면, 클래드재의 두께가 0.1mm 이상 0.25mm 이하인 경우에 있어서, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접할 때에, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에 있어서, 바람직하게는 제1 Ni층의 두께와 제2 Ni층의 두께는 대략 동등하다. 이렇게 구성하면, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접할 때에 제1 Ni층과 제2 Ni층을 구별할 필요가 없다. 이에 의해, 용이하게 리드용 클래드재를 전지의 단자에 용접할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에 있어서, 바람직하게는 제2 Ni층의 두께는, 클래드재의 두께의 1.3% 이상 8.4% 이하이다. 이렇게 구성하면, 보다 확실하게 제2 Ni층의 표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
상기 제1 국면에 의한 리드용 클래드재에 있어서, 바람직하게는 제1 Ni층은, Ni층을 포함하는 전지의 단자의 Ni층의 표면에 용접되도록 구성되어 있다. 이렇게 구성하면, 동일한 Ni 원소를 포함하는 리드재의 제1 Ni층과 전지의 단자의 Ni층을 용접할 수 있으므로, 다른 원소로 이루어지는 층끼리를 용접하는 경우에 비하여, 보다 접합 강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 용이하도록 용접할 수 있다.
본 발명의 제2 국면에 의한 리드용 클래드재의 용접 방법은, 제1 Ni층과, 제2 Ni층과, 제1 Ni층과 제2 Ni층에 끼워지도록 배치되는 Fe층을 포함하고, 제1 Ni층의 두께가 제1 Ni층, 제2 Ni층 및 Fe 층으로 이루어지는 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하인 클래드재를 전지의 단자에 저항 용접하는 리드용 클래드재의 용접 방법이며, 제1 Ni층이 전지의 단자측에 위치하도록, 클래드재를 전지의 단자에 배치하는 공정과, 전지의 단자가 위치하는 측과는 반대측의 제2 Ni층측에 저항 용접용의 전극을 배치한 상태에서 전극에 전기를 흘림으로써, 제1 Ni층을 전지의 단자에 저항 용접하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제2 국면에 의한 리드용 클래드재의 용접 방법에서는, 상기한 바와 같이 전지의 단자에 저항 용접하는 리드재로서 제1 Ni층과 제2 Ni층과 Fe층으로 이루어지는 클래드재를 사용함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용하는 경우와 달리, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 포함되는 Ni 도금조를 사용하여 제2 Ni층을 형성하지 않으므로, 저항 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 제2 Ni층에 수분이나 Ni 이외의 불순물이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 저항 용접 시의 고열에 의해 가스화되는 것을 억제할 수 있으므로, 리드용 클래드재를 전지의 단자에 저항 용접할 때에 제2 Ni층과 저항 용접용의 전극이 반응하는 것에 기인하여 제2 Ni층의 표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제1 Ni층 및 제2 Ni층을 리드재의 표면에 배치할 수 있으므로, 리드재의 표면에 Ni-Fe 합금 등을 배치하는 경우에 비하여, 리드용 클래드재의 내식성을 향상시킬 수 있다. 또한, Ni로만 이루어지는 리드재에 비하여, 리드용 클래드재는, Ni보다도 저렴한 철을 갖는 Fe층을 기재로 하고 있으므로, 저렴하게 리드재를 제작할 수 있다. 또한, 제1 Ni층의 두께를 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하로 함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있다.
상기 제2 국면에 의한 리드용 클래드재의 용접 방법에 있어서, 바람직하게는 제1 Ni층의 두께는, 클래드재의 두께의 3.1% 이상 7.5% 이하이다. 이렇게 구성하면, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우에 비하여, 접합 강도를 확실하게 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재가 휴대 전화기용의 이차 전지의 정극 단자 및 부극 단자에 용접되어 있는 상태를 도시한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재가 정극 단자 또는 부극 단자의 표면 상에 용접되어 있는 상태를 도시한 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재를 저항 용접에 의해 정극 단자 또는 부극 단자에 용접할 때의 상태를 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 접합 강도 평가 시험을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 접합 강도 평가 시험의 결과를 나타낸 표이다.
도 6은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 접합 강도 평가 시험의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 전극 용착 평가 시험의 결과를 나타낸 표이다.
도 8은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 시험재 3(실시예)의 전극 용착의 상태를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 시험재 8(비교예)의 전극 용착의 상태를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 내식성 평가 시험을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 내식성 평가 시험의 결과를 나타낸 표이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재가 노트북용의 이차 전지의 정극 단자 및 부극 단자에 용접되어 있는 상태를 도시한 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
우선, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재(1)의 구조에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재(1)의 적용예로서, 도 1에 도시한 바와 같이, 리드재(1)는, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)의 정극 단자(21) 및 부극 단자(22)에 저항 용접에 의해 용접되어 있다. 구체적으로는, 한 쌍의 리드재(1) 중 한쪽의 단부는, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)에 형성된 돌출 부분으로 이루어지는 정극 단자(21)에 저항 용접에 의해 용접되어 있는 동시에, 다른 쪽 단부는, 보호 회로(3)에 접속되어 있다. 또한, 한 쌍의 리드재(1) 중 다른 쪽의 한쪽 단부는, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)의 케이스 부분으로 이루어지는 부극 단자(22)에 저항 용접에 의해 용접되어 있는 동시에, 다른 쪽 단부는, 보호 회로(3)에 접속되어 있다. 또한, 리드재(1)는, 본 발명의 「리드용 클래드재」의 일례이다. 또한, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)는, 본 발명의 「전지」의 일례이며, 정극 단자(21) 및 부극 단자(22)는, 본 발명의 「단자」의 일례이다.
또한, 보호 회로(3)는, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)의 충방전을 제어하도록 구성되어 있고, 보호 회로(3)에 의해, 이차 전지(2)에의 과충전과 이차 전지(2)로부터 제어 회로부(도시하지 않음)에의 과방전이 억제되도록 구성되어 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 리드재(1)는, 도 2에 도시한 바와 같이 SPCD(딥 드로잉용의 냉간 압연 강판)로 이루어지는 Fe층(10)의 상면 및 하면의 양쪽 표면 상에, 각각, Ni로 이루어지는 용접측 Ni층(11)과, Ni로 이루어지는 비용접측 Ni층(12)이 압접에 의해 접합되어 형성되어 있다. 즉, 리드재(1)는, Fe층(10)을 기재로 하는 3층(Ni층/Fe층/Ni층)으로 이루어지는 클래드재로서 구성되어 있다. 또한, 용접측 Ni층(11)은, 도 1에 도시하는 정극 단자(21) 및 부극 단자(22)의 표면에 용접되는 측(Z1측)에 배치되어 있는 동시에, 비용접측 Ni층(12)은, 용접되는 측과는 반대측(Z2측)에 배치되어 있다. 또한, 용접측 Ni층(11)은, 본 발명의 「제1 Ni층」의 일례이며, 비용접측 Ni층(12)은, 본 발명의 「제2 Ni층」의 일례이다.
또한, 본 실시 형태에서는, 리드재(1)의 두께 t3은, 약 0.1mm 이상 약 0.25mm 이하로 되도록 구성되어 있는 동시에, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하로 되도록 구성되어 있다. 즉, 리드재(1)의 두께 t3이 약 0.1mm인 경우에는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 2.1㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1%) 이상 약 8.2㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 8.2%) 이하로 되도록 구성되어 있다. 여기서, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 3.1㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 3.1%) 이상 약 7.5㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 7.5%) 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 5.2㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 5.2%)인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 리드재(1)의 두께 t3이 약 0.1mm인 경우에는, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는, 약 2.1㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1%) 이상 약 8.2㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 8.2%) 이하로 되도록 구성되어 있다. 또한, Fe층(10)의 두께 t4는, 약 83.6㎛ 이상 약 95.8㎛ 이하로 되도록 구성되어 있다.
또한, 리드재(1)의 두께 t3이 약 0.25mm인 경우에는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 5.3㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1%) 이상 약 20.5㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 8.2%) 이하로 되도록 구성되어 있다. 여기서, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 7.8㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 3.1%) 이상 약 18.8㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 7.5%) 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 약 13.0㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 5.2%)인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 리드재(1)의 두께 t3이 약 0.25mm인 경우에는, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는, 약 5.3㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1%) 이상 약 20.5㎛(리드재(1)의 두께 t3의 약 8.2%) 이하로 되도록 구성되어 있다. 또한, Fe층(10)의 두께 t4는, 약 159.0㎛ 이상 약 189.4㎛ 이하로 되도록 구성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는 대략 동등해지도록 구성되어 있다.
또한, 정극 단자(21) 및 부극 단자(22)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 각각, Al 또는 저탄소강으로 이루어지는 기재(21a 및 22a)와, 기재(21a 및 22a)가 용접되는 측(화살표 Z2 방향측)의 표면 상에 형성된 Ni층(21b 및 22b)을 포함한다. 이에 의해, 리드재(1)의 용접측 Ni층(11)은, 정극 단자(21)의 Ni층(21b)의 표면 및 부극 단자(22)의 Ni층(22b)의 표면에 용접되도록 구성되어 있다.
또한, 기재(21a(22a))가 Al로 이루어지는 경우에는, 기재(21a(22a))와 Ni층(21b(22b))이 접합된 클래드재로서 정극 단자(21)(부극 단자(22))가 구성되어 있다. 한편, 기재(21a(22a))가 저탄소강으로 이루어지는 경우에는, 기재(21a(22a))에 Ni층(21b(22b))이 도금된 Ni 도금재로서 정극 단자(21)(부극 단자(22))가 구성되어 있다.
이어서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 리드재(1)의 용접 방법에 대하여 설명한다.
우선, 두께가 약 2mm인 SPCD의 강판과, 두께가 약 43.8㎛ 이상 약 196.2㎛ 이하인 Ni로 이루어지는 Ni판을 준비한다. 또한, Ni판의 두께가 약 43.8㎛인 경우, Ni판의 두께는, SPCD의 강판의 두께와 한 쌍의 Ni판의 두께의 합계(약 2087.6㎛)의 약 2.1%로 되도록 설정되어 있다. 마찬가지로, Ni판의 두께가 약 196.2㎛인 경우, Ni판의 두께는, SPCD의 강판의 두께와 한 쌍의 Ni판의 두께의 합계(약 2392.4㎛)의 약 8.2%로 되도록 설정되어 있다.
그리고, SPCD의 양쪽 표면에 동일한 Ni판을 배치한 상태에서, 압연 전의 두께에 대한 압연 후의 두께의 비율이 약 60%로 되도록, SPCD의 강판과 한 쌍의 Ni판을 압접한다. 이에 의해, 약 0.84mm(Ni판의 두께가 합계 두께의 약 2.1%인 경우) 이상 약 0.96mm 이하(Ni판의 두께가 합계 두께의 약 8.2%인 경우)의 두께를 갖고, Fe층의 양쪽 표면 상에 Ni층이 접합된 Ni층/Fe층/Ni층의 클래드재를 제작한다.
그리고, 제작한 약 0.84mm 이상 약 0.96mm 이하의 두께를 갖는 Ni층/Fe층/Ni층의 클래드재를 약 1000℃의 환경 하에서 약 3분간 보유 지지함으로써, 확산 어닐링을 행한다. 그 후, 압연을 행함으로써, 약 0.1mm 이상 약 0.25mm 이하의 두께 t3을 갖는 리드재(1)를 제작한다. 이때, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1 및 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는, 모두 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하로 된다.
그리고, 도 3에 도시한 바와 같이, 리드재(1)의 용접측 Ni층(11)이 이차 전지(2)의 정극 단자(21)의 Ni층(21b)의 표면(부극 단자(22)의 Ni층(22b)의 표면)에 위치하도록, 리드재(1)를 정극 단자(21)(부극 단자(22))에 배치한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2가 대략 동일해지도록 구성하고 있으므로, 리드재(1)의 양쪽 표면 중 어느 한쪽을 Ni층(21b(22b))의 표면에 배치하면 된다. 즉, Ni층(21b(22b))의 표면에 배치된 측의 층이 용접측 Ni층(11)으로 되고, Ni층(21b(22b))의 표면에 배치된 측과 반대측의 층이 비용접측 Ni층(12)으로 된다. 그리고, 리드재(1)의 비용접측 Ni층(12)측의 표면 상에, 알루미나 분산 구리로 이루어지고, 약 1mm의 직경을 갖는 원기둥 형상의 저항 용접용의 전극(4a)을 한 쌍 배치한다. 이때, 한 쌍의 전극(4a)을, 거리 L1(약 4.5mm)을 이격하여 배치한다.
이 한 쌍의 전극(4a)은, 직류 전류를 교류 전류로 변환하여 한 쌍의 전극(4a)에 공급하는 전원 장치(4b)에 접속되어 있고, 한 쌍의 전극(4a)과 전원 장치(4b)에 의해 직류 인버터식 저항 용접기(4)가 구성되어 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 한 쌍의 전극(4a)을 리드재(1)의 비용접측 Ni층(12)에 약 78.5N의 힘으로 가압하면서, 전극(4a)에 약 3.5kA의 전류를 약 0.004초(4m초) 흘린다. 이에 의해, 한 쌍의 전극(4a) 부근의 리드재(1)와 이차 전지(2)의 정극 단자(21)(부극 단자(22))에 전류가 흐를 때에, 리드재(1)와 정극 단자(21)(부극 단자(22))는, 각각이 갖는 전기 저항에 의해 발열한다. 이 결과, 용접측 Ni층(11)과 Ni층(21b(22b))이 용융함으로써, 리드재(1)와 정극 단자(21)(부극 단자(22))가 용접된다.
그리고, 전극(4a)를 리드재(1)의 비용접측 Ni층(12)으로부터 이격함으로써, 리드재(1)의 정극 단자(21)(부극 단자(22))에의 용접이 종료된다.
본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 리드재(1)로서, 용접측 Ni층(11)과 비용접측 Ni층(12)과 Fe층(10)으로 이루어지는 3층(Ni층/Fe층/Ni층)의 클래드재를 사용함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용하는 경우와 달리, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 포함되는 Ni 도금조를 사용하여 비용접측 Ni층(12)을 형성하지 않으므로, 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 비용접측 Ni층(12)에 수분이나 Ni 이외의 불순물이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수분이나 Ni 이외의 불순물이 용접 시의 고열에 의해 가스화되는 것을 억제할 수 있으므로, 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접할 때에 비용접측 Ni층(12)과 용접에 사용되는 한 쌍의 전극(4a)이 반응하는 것에 기인하여 비용접측 Ni층(12)에 이물질이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 용접측 Ni층(11) 및 비용접측 Ni층(12)을 리드재(1)로서 사용하는 클래드재의 표면에 배치할 수 있으므로, 리드재(1)의 표면에 Ni-Fe 합금 등을 배치하는 경우에 비하여, 리드재(1)의 내식성을 향상시킬 수 있다. 또한, Ni로만 이루어지는 리드재에 비하여, 리드재(1)는, Ni보다도 저렴한 철을 갖는 Fe층(10)을 기재로 하고 있으므로, 저렴하게 리드재(1)를 제작할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 용접측 Ni층(11)의 두께 t1을 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하로 함으로써, 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접할 때에 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 용접측 Ni층(11)의 두께 t1을 리드재(1)의 두께 t3의 약 3.1% 이상 약 7.5% 이하로 함으로써, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우에 비하여, 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접했을 때의 접합 강도를 확실하게 확보할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 용접측 Ni층(11)의 두께 t1을, 2.1㎛ 이상 20.5㎛ 이하로 함으로써, 리드재(1)의 두께 t3이 0.1mm 이상 0.25mm 이하인 경우에 있어서, 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접할 때에, 리드재로서 Ni가 도금된 재료를 사용한 경우와 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2를 대략 동등하게 함으로써, 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접할 때에 용접측 Ni층(11)과 비용접측 Ni층(12)을 구별할 필요가 없다. 이에 의해, 용이하게 리드재(1)를 정극 단자(21) 또는 부극 단자(22)에 용접할 수 있다.
또한, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2를 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하로 함으로써, 보다 확실하게, 비용접측 Ni층(12)에 이물질이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상기한 바와 같이 용접측 Ni층(11)의 두께 t1을, 정극 단자(21)의 Ni층(21b)의 표면(부극 단자(22)의 Ni층(22b)의 표면)에 용접함으로써, 동일한 Ni 원소를 포함하는 용접측 Ni층(11)과 Ni층(21b(22b))을 용접할 수 있으므로, 서로 다른 원소로 이루어지는 층끼리를 용접하는 경우에 비하여, 보다 접합 강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 용이하게 용접할 수 있다.
(본 실시 형태의 변형예)
상기 실시 형태에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2를 대략 동등하게 한 예를 나타냈지만, 상기 실시 형태의 변형예로서, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2를 상이하게 해도 좋다. 이 경우, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1은, 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하인 한편, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는, 리드재(1)의 두께 t3의 약 2.1%미만이어도 좋고, 리드재(1)의 두께 t3의 약 8.2%보다 커도 좋다. 여기서, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2는, 비용접측 Ni층(12)의 표면 상에 이물질이 잔존하는 것을 보다 확실하게 억제하기 위해, 리드재(1)의 두께 t3의 약 1.3% 이상 약 8.4% 이하인 것이 보다 바람직하다.
[실시예]
이어서, 도 2 내지 도 11을 참조하여, 본 실시 형태에 의한 효과를 확인하기 위하여 행한 접합 강도 평가 시험, 전극 용착 평가 시험 및 내식성 평가 시험에 관한 확인 실험에 대하여 설명한다.
이하에 설명하는 접합 강도 평가 시험 및 전극 용착 평가 시험에서는, 본 실시 형태의 리드재(1)에 대응하는 시험재 1 내지 7로서, 상기한 본 실시 형태의 리드재(1)의 용접 방법을 사용하여, 0.1mm의 두께 t3(도 2 참조)을 갖는 동시에, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2: 도 2 참조)을 상이하게 한 리드재(1)를 복수 제작했다. 이때, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1과 비용접측 Ni층(12)의 두께 t2가 동일해지도록 각각의 리드재(1)를 제작했다.
구체적으로는, 도 5 및 도 7에 도시한 바와 같이, 시험재 1의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 1.3㎛(리드재(1)의 두께 t3(0.1mm)의 1.3%)로 했다. 또한, 시험재 2의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 2.1㎛(리드재(1)의 두께 t3의 2.1%)로 했다.
또한, 시험재 3의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 3.1㎛(리드재(1)의 두께 t3의 3.1%)로 했다. 또한, 시험재 4의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 5.2㎛(리드재(1)의 두께 t3의 5.2%)로 했다.
또한, 시험재 5의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 7.5㎛(리드재(1)의 두께 t3의 7.5%)로 했다. 또한, 시험재 6의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 8.2㎛(리드재(1)의 두께 t3의 8.2%)로 했다.
또한, 시험재 7의 리드재(1)에서는, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1(비용접측 Ni층(12)의 두께 t2)을 8.4㎛(리드재(1)의 두께 t3의 8.4%)로 했다.
한편, 본 실시 형태의 Ni층/Fe층/Ni층의 클래드재로 이루어지는 리드재(1)와 비교하기 위한 시험재 8로서, Fe층(10)의 양쪽 표면 상에 형성되는 용접측 Ni층(111) 및 비용접측 Ni층(112)(도 4 참조)이 Ni의 도금층인 리드재(101)(도 4 참조)를 제작했다. 즉, 리드재(101)는 Ni 도금재로 이루어진다. 이때, 리드재(101)의 두께를 0.1mm로 하는 동시에, 용접측 Ni층(111) 및 비용접측 Ni층(112)의 두께를 2.5㎛로 했다.
그리고, 리드재(1(101))의 용접측 Ni층(11(111))이 저탄소강으로 이루어지는 용접 모재(5)(도 4 참조)의 표면에 위치하도록, 리드재(1)를 용접 모재(5)에 배치한 상태에서, 전극(4a)(도 3 참조)을 리드재(1(101))의 비용접측 Ni층(12(112))에 78.5N의 힘으로 가압하면서, 전극(4a)에 3.5kA의 전류를 0.004초 흘렸다. 이에 의해, 제작한 시험재 1 내지 8의 리드재(1(101))를, 각각, 용접 모재(5)에 저항 용접에 의해 용접했다.
또한, 본 평가 시험(접합 강도 평가 시험 및 전극 용착 평가 시험)에서는, 상기 실시 형태에 있어서의 정극 단자(21) 및 부극 단자(22) 대신에 접합 강도를 향상시키기 위한 Ni층(21b 및 22b)(도 2 참조)을 갖지 않는 용접 모재(5)를 사용하여 평가 시험을 행했다. 이것은, 본 평가 시험에 있어서, 접합 강도가 향상하는 Ni층(21b 및 22b)을 형성하지 않은 상태에서 후술하는 기준 강도 이상의 접합 강도를 얻는 조건을 요구하기 위해서이다.
(접합 강도 평가 시험)
이어서, 접합 강도 평가 시험에 대하여 설명한다. 이 접합 강도 평가 시험에서는, 도 4에 도시한 바와 같이 저항 용접된 시험재 1 내지 8의 리드재(1(101))와 용접 모재(5)를, 서로 반대 방향으로 10mm/분의 속도로 인장하여, 용접 개소가 파단되었을 때의 인장 강도를 접합 강도로서 구했다.
또한, 접합 강도 평가 시험에 있어서는, 시험재 2 내지 6이 본 실시 형태의 실시예에 대응하는 한편, 시험재 1, 7 및 8이 비교예에 대응하고 있다.
또한, 접합 강도 평가 시험에서는, 종래부터 사용되고 있는 시험재 8(비교예)의 접합 강도를 기준 강도로서 판단했다. 즉, 시험재 8의 접합 강도(도 5에 도시하는 126.5N) 이상의 접합 강도를 갖는 경우에는, 충분한 접합 강도가 있다(○ 판정)고 판단하는 한편, 시험재 8의 접합 강도 미만의 접합 강도를 갖는 경우에는, 충분한 접합 강도가 아니라고(× 판정) 판단했다. 또한, 시험재 8의 접합 강도(126.5N)보다도 50N 큰 176.5N 이상의 접합 강도를 갖는 경우에는, 보다 바람직한 접합 강도(◎ 판정)라고 판단했다.
도 5 및 도 6에 도시된 접합 강도 평가 시험의 결과로서는, 시험재 1(비교예)에서는, 접합 강도는 69.6N으로 되는 동시에, 시험재 7(비교예)에서는, 접합 강도는 121.6N으로 되고, 시험재 8의 접합 강도(126.5N) 미만의 접합 강도로 되었다. 한편, 시험재 2 내지 6(실시예)에서는, 접합 강도는 128.5N(시험재 2) 이상 221.6N 이하(시험재 6)로 되고, 시험재 8의 접합 강도(126.5N) 이상의 접합 강도로 되었다. 이에 의해, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 리드재(1)의 두께 t3의 2.1%(시험재 2) 이상 8.2%(시험재 6) 이하인 경우에는, 시험재 8(비교예)과 동일 정도 이상의 접합 강도를 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 시험재 3 내지 5(실시예)에서는, 접합 강도는 176.5N(시험재 3) 이상 221.6N 이하(시험재 4)로 되고, 176.5N 이상의 접합 강도로 되었다. 이에 의해, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 리드재(1)의 두께 t3의 3.1%(시험재 3) 이상 7.5%(시험재 5) 이하인 경우에는, 시험재 8(비교예)보다도 50N 이상 큰 접합 강도가 얻어지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 시험재 4(실시예)에 있어서, 접합 강도가 극대(221.6N)가 되었다. 이에 의해, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 리드재(1)의 두께 t3의 5.2%인 경우에는, 가장 접합 강도가 커지는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 시험재 4(용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 5.2㎛)에 있어서 접합 강도가 극대해진 것은, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 5.2㎛보다도 작은 경우(시험재 1 내지 3)에는, 용접에 기여하는 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 작아 용접에 기여하는 Ni의 양이 적기 때문에, 시험재 4에 비하여, 접합 강도가 작아졌다고 생각된다. 또한, 용접측 Ni층(11)의 Ni는, Fe층(10)에 비하여, 전기 저항률이 작은 동시에, 열전도율이 크다. 따라서, 용접측 Ni층(11)의 두께 t1이 5.2㎛보다도 큰 경우(시험재 5 내지 7)에는, 저항 용접 시에, 흐르는 전류에 기인하는 발열이 작은 동시에, 발생한 열이 용접측 Ni층(11)의 전체에 전해지기 쉽다고 생각되어진다. 이로 인해, 시험재 5 내지 7에서는, 시험재 4에 비하여, 저항 용접에 사용되는 열량이 작아짐으로써, 용접에 의한 접합 강도가 작아졌다고 생각된다.
(전극 용착 평가 시험)
이어서, 전극 용착 평가 시험에 대하여 설명한다. 이 전극 용착 평가 시험에서는, 저항 용접에 의한 용접 후에 있어서, 도 4에 도시하는 전극(4a)(도 3 참조)이 배치되어 있던 시험재 1 내지 8의 전극 배치 위치(6)에 있어서의 비용접측 Ni층(12(112))의 표면 상을 전자선 마이크로애널라이저(EPMA)에 의해 분석하여, 전극(4a)에 포함되는 Cu의 용착의 유무를 확인했다. 구체적으로는, 시험재 1 내지 8의 전극 배치 위치(6) 내의 임의의 직선 상에 있어서의 비용접측 Ni층(12(112))의 표면 상의 Cu의 농도를 분석하여, Cu의 농도가 73.5% 이상인 측정 위치가 존재하는 경우에는 Cu의 용착이 있다(있음 판정)고 판단했다. 한편, Cu의 농도가 73.5% 이상인 측정 위치가 존재하지 않는 경우에는 Cu의 용착이 없다(없음 판정)고 판단했다.
또한, 전극 용착 평가 시험에 있어서는, 시험재 1 내지 7이 본 실시 형태의 실시예에 대응하는 한편, 시험재 8이 비교예에 대응하고 있다.
도 7에 도시한 전극 용착 평가 시험의 결과로서는, Ni층/Fe층/Ni층의 클래드재로 이루어지는 리드재(1)의 시험재 1 내지 7(실시예)의 어떤 경우든, Cu의 용착은 확인되지 않았다. 예를 들어, 도 8에 도시하는 시험재 3(비용접측 Ni층(12)의 두께 t1이 3.1㎛)의 전극 배치 위치(6)에 있어서의 비용접측 Ni층(12)의 표면 상에 있어서는, 최대라고 해도 10% 정도인 농도의 Cu의 용착밖에 확인할 수 없고, Cu의 농도가 73.5% 이상인 측정 위치는 존재하지 않았다. 이에 의해, 비용접측 Ni층(12)의 두께 t1이 리드재(1)의 두께 t3의 1.3%(시험재 1) 이상 8.4%(시험재 7) 이하인 경우에는 전극(4a)의 용착이 없는 것을 확인할 수 있었다.
한편, 비용접측 Ni층(112)이 Ni의 도금층으로 이루어지는 리드재(101)의 시험재 8(비교예)에서는, 도 9에 도시한 바와 같이, 전극 배치 위치(6)에 있어서의 비용접측 Ni층(112)의 표면 상의 1.1mm로부터 1.5mm 사이의 측정 위치에 있어서, 90% 정도의 농도의 Cu의 용착이 확인되었다. 이에 의해, Cu의 농도가 73.5% 이상인 측정 위치가 존재하기 때문에, 비용접측 Ni층(112)이 Ni의 도금층으로 이루어지는 리드재(101)에서는, 전극(4a)의 용착이 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 이에 의해, Ni층/Fe층/Ni층의 클래드재로 이루어지는 리드재(1)를 사용함으로써, 저항 용접할 때에 리드재(1)의 비용접측 Ni층(12)과, 알루미나 분산 구리로 이루어지는 저항 용접용의 전극(4a)이 반응하는 것을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
(내식성 평가 시험)
마지막으로, 확인 실험으로서 행한 내식성 평가 시험에 대하여 설명한다. 이 확인 실험에서는, Ni로 이루어지는 판재와, Ni-Fe 합금으로 이루어지는 판재의 내식성의 평가를 행했다. 구체적으로는, Ni로 이루어지는 판재, 50%의 Fe를 포함하는 Ni-50Fe 합금으로 이루어지는 판재, 58%의 Fe를 포함하는 Ni-58Fe 합금으로 이루어지는 판재, 62%의 Fe를 포함하는 Ni-62Fe 합금으로 이루어지는 판재 및 64%의 Fe를 포함하는 Ni-64Fe 합금으로 이루어지는 판재를 시험재로서 사용하여 내식성 평가 시험을 행했다. 내식성 평가 시험은, JISZ2371의 「염수 분무 시험 방법」에 준하여, 35℃의 온도 조건 하에서, 5%(50g/L)NaCl 수용액을 24시간 연속적으로 시험재에 분무함으로써 행했다. 그리고 시험 후의 시험재의 부식 상태를 관찰함으로써 시험재의 내식성을 평가했다. 또한, 부식 상태는, 도 10에 도시하는 부식 면적 비율의 판단 기준(JIS 레이팅 넘버)을 참조하여, 일정 면적에 대한 부식 면적의 비율을 기준으로 판단했다.
도 11에 도시한 내식성 평가 시험의 결과로서는, Ni로 이루어지는 판재에서는, 부식 면적 비율이 0.02%로 되어, 그다지 부식되지 않은 것이 확인되었다. 한편, Ni-50Fe 합금으로 이루어지는 판재, Ni-58Fe 합금으로 이루어지는 판재 및 Ni-62Fe 합금으로 이루어지는 판재에서는, 부식 면적 비율이 0.5%로 되는 동시에, Ni-64Fe 합금으로 이루어지는 판재에서는, 부식 면적 비율이 0.25%이었다. 이 결과, Ni-50Fe 합금, Ni-58Fe 합금, Ni-62Fe 합금 및 Ni-64 합금으로 이루어지는 판재는, Ni로 이루어지는 판재에 비하여, 적어도 10배 이상 부식되기 쉬운 것을 확인할 수 있었다. 이에 의해, 도 2에 도시한 바와 같이, Ni로 이루어지는 용접측 Ni층(11) 및 Ni로 이루어지는 비용접측 Ni층(12)을 리드재(1)의 표면에 배치함으로써, 리드재의 표면에 Ni-Fe 합금이 배치되는 경우에 비하여, 내식성을 향상시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 금회 개시된 실시 형태 및 실시예는, 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는, 상기한 실시 형태 및 실시예의 설명이 아니라 특허 청구 범위에 의해 나타나고, 또한 특허 청구 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함된다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 리드재(1)를, 휴대 전화기용의 이차 전지(2)의 정극 단자(21) 및 부극 단자(22)에 저항 용접에 의해 용접하는 리드재에 적용한 예에 대하여 기재했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 리드재(1)(본 발명의 리드용 클래드재)를, 노트북용의 이차 전지(7)를 구성하는 3개의 이차 전지(8)의 정극 단자(81)와 부극 단자(82)에 저항 용접에 의해 용접하는 리드재에 적용해도 좋다. 이 적용예에서는, 리드재(1)는, 3개의 이차 전지(8)의 정극 단자(81)와 부극 단자(82)를 서로 접속하도록 용접되어 있는 동시에, 노트북용의 이차 전지(7)와 보호 회로(3)를 접속하도록 용접되어 있다. 또한, 이차 전지(8)는, 본 발명의 「전지」의 일례이며, 정극 단자(81) 및 부극 단자(82)는, 본 발명의 「단자」의 일례이다. 또한, 상기한 적용예 이외의 적용예로서, 본 발명의 리드용 클래드재를, 일차 전지의 단자에 용접하는 리드재에 적용해도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 리드재(1)의 두께 t3이 약 0.1mm 이상 약 0.25mm 이하인 예를 기재했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는, 리드재의 두께는, 약 0.1mm미만이어도 좋고, 약 0.25mm보다 커도 좋다. 이 경우에 있어서도, 용접측 Ni층(제1 Ni층)의 두께는, 리드용 클래드재의 두께의 약 2.1% 이상 약 8.2% 이하일 필요가 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 리드재(1)를, Fe층(10)의 양쪽 표면 상에, 각각, 용접측 Ni층(11)과 비용접측 Ni층(12)을 접합함으로써 형성한 예를 기재했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는, 리드재가 용접되는 부근에만, 용접측 Ni층과 비용접측 Ni층을 접합함으로써, 용접되는 부근에만 3층의 클래드재로 이루어지도록 리드재를 구성해도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 리드재(1)의 Fe층(10)으로서 SPCD(딥 드로잉용의 냉간 압연 강판)를 사용한 예를 기재했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에서는, Fe층으로서 SPCC(일반용의 냉간 압연 강판)나 열간 압연 강판 등의 다른 Fe 재료를 사용해도 좋다.

Claims (8)

  1. 전지(2)의 단자(21, 22)에 용접되는 리드용 클래드재(1)이며,
    상기 전지의 단자에 대하여 용접되는 측에 배치되는 제1 Ni층(11)과,
    상기 용접되는 측과는 반대측에 배치되는 제2 Ni층(12)과,
    상기 제1 Ni층과 상기 제2 Ni층에 끼워지도록 배치되는 Fe층(10)을 구비하고,
    상기 제1 Ni층의 두께는, 상기 제1 Ni층, 상기 제2 Ni층 및 상기 Fe 층으로 이루어지는 상기 클래드재의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하인, 리드용 클래드재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 Ni층의 두께는, 상기 클래드재의 두께의 3.1% 이상 7.5% 이하인, 리드용 클래드재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 Ni층의 두께는, 2.1㎛ 이상 20.5㎛ 이하인, 리드용 클래드재.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 Ni층의 두께와 상기 제2 Ni층의 두께는 대략 동등한, 리드용 클래드재.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 Ni층의 두께는, 상기 클래드재의 두께의 1.3% 이상 8.4% 이하인, 리드용 클래드재.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 Ni층은, Ni층을 포함하는 상기 전지의 단자의 상기 Ni층(21b, 22b)의 표면에 용접되도록 구성되어 있는, 리드용 클래드재.
  7. 제1 Ni층(11)과, 제2 Ni층(12)과, 상기 제1 Ni층과 상기 제2 Ni층에 끼워지도록 배치되는 Fe층(10)을 포함하고, 상기 제1 Ni층의 두께가 상기 제1 Ni층, 상기 제2 Ni층 및 상기 Fe 층으로 이루어지는 클래드재(1)의 두께의 2.1% 이상 8.2% 이하인 상기 클래드재를 전지(2)의 단자(21, 22)에 저항 용접하는 리드용 클래드재의 용접 방법이며,
    상기 제1 Ni층이 상기 전지의 단자측에 위치하도록, 상기 클래드재를 상기 전지의 단자에 배치하는 공정과,
    상기 전지의 단자가 위치하는 측과는 반대측의 상기 제2 Ni층측에 저항 용접용의 전극(4a)을 배치한 상태에서, 상기 전극에 전기를 흘림으로써, 상기 제1 Ni층을 상기 전지의 단자에 저항 용접하는 공정을 구비하는, 리드용 클래드재의 용접 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 Ni층의 두께는, 상기 클래드재의 두께의 3.1% 이상 7.5% 이하인, 리드용 클래드재의 용접 방법.
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