KR20120072801A - 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120072801A
KR20120072801A KR1020100134697A KR20100134697A KR20120072801A KR 20120072801 A KR20120072801 A KR 20120072801A KR 1020100134697 A KR1020100134697 A KR 1020100134697A KR 20100134697 A KR20100134697 A KR 20100134697A KR 20120072801 A KR20120072801 A KR 20120072801A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal core
insulating layer
layer
forming
high heat
Prior art date
Application number
KR1020100134697A
Other languages
English (en)
Inventor
신상현
이영기
허철호
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020100134697A priority Critical patent/KR20120072801A/ko
Priority to US13/067,052 priority patent/US20120160546A1/en
Priority to JP2011105897A priority patent/JP2012138558A/ja
Publication of KR20120072801A publication Critical patent/KR20120072801A/ko
Priority to JP2013025266A priority patent/JP2013127122A/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/20—Electrolytic after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/30—Anodisation of magnesium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/04—Electrophoretic coating characterised by the process with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/20—Pretreatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 고방열기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아노다이징에 의한 제1 절연층을 형성하고, 전착도장하여 제2 절연층을 형성하여 회로를 형성한 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법은, 금속 코어를 준비하는 단계와 상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계와 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계 및 회로층를 형성하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 아노다이징에 의해 제1 절연층이 형성되고, 전착도장에 의해 제2 절연층이 형성됨으로써 열전도성이 높아지고, 그에 따라 방열 효과가 좋아진다.

Description

전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법{Board for radiating heat using electro-deposition coating and method for manufacturing the same}
본 발명은 고방열기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아노다이징에 의한 제1 절연층을 형성하고, 전착도장하여 제2 절연층을 형성하여 회로를 형성한 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
LED 세계 시장의 규모는 약 37억 달러로 고휘도 LED 기술발전에 의해 응용 시장이 활발하게 성장세를 이어가고 있어, LED 활용 영역은 향후 점차 확대될 것으로 예상된다.
이 중에서 1W급 이상의 고출력 LED인 파워 LED는 전력이 비교적 많이 소모되며 전류량이 매우 커 발광효율은 높지만 LED 칩의 발열량은 아직 높은 수준이다. 따라서 방열대책을 마련하지 않으면 LED 칩의 온도가 너무 높아져 칩 자체 또는 패키징 수지가 열화하게 된다. 이러한 현상이 발생하면 조도가 떨어져서 발광효율이 저하되고, 칩의 수명이 단축되는 문제가 있다.
한편, LED의 응용분야가 LCD TV 백라이트뿐만 아니라 점차적으로 조명에도 확대되고 있다. 조명에는 크게 실내 조명과 실외 조명으로 구분되는데 특히 실외 조명의 경우 실내 조명과 달리 인가되는 전압 또는 전류값이 크고 LED 패키징 자체도 일반적으로 1W급 이상의 고전력 패키징을 배열시켜 적용한다.
LED는 구동시 일반 램프와 달리 빛과 열을 발산하게 되는데 빛은 약 20~30%, 열은 70~80%를 차지하게 된다. 특히 구동시 발생되는 열을 빠르게 방열시켜야 광효율도 좋아지게 되는데 이러한 발열을 효과적으로 전달시키기 위해서는 일반적으로 금속회로기판을 사용한다.
도 1a는 종래 PCB 제작공정을 도시한 것으로, MCCL PCB의 제작 공정이다. 금속회로기판을 제조하는 대표적인 방식 중 하나인 MCCL 방식은 도전회로 하부에 절연층을 만들기 위해서 두꺼운 절연층을 가압 방식으로 붙이기 때문에 내열성이 약하며 경우에 따라서 Delamination이 발생하는 문제점이 있다.
도 1b는 종래 AMS 기판 제작공정을 도시한 것으로, 금속회로기판을 제조하는 대표적인 또 다른 방식인, AMS 방식은 양극산화 피막면에 도금을 하기 위해서 Seed 층을 형성한 후 도금을 하는데, 이때 Seed 층을 형성하기 위한 방법으로 습식, 건식 방법이 사용된다. 특히 습식법에서는 공정환경에 따라 양극산화 피막이 에칭되는 불량이 발생되어 제품의 특정을 저하시키기도 한다. 즉, AMS 방식을 이용할 때에도 양극산화 피막 표면에 도금 형성 공정이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 아노다이징에 의해 제1 절연층을 형성하고, 전착도장에 의해 제2 절연층을 형성하여 열전도성을 높인 고방열기판 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법은, 금속 코어를 준비하는 단계와 상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계와 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계 및 회로층를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기의 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법은 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 코어는 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계는, 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 또 다른 방법은 금속 코어를 준비하는 단계와 상기 금속 코어에 홀을 가공하는 단계와 상기 홀이 가공된 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계와 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계 및 회로층를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기의 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 또 다른 방법은 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 코어는 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계는 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 또 다른 방법은 금속 코어를 준비하는 단계와 상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제 1 절연층을 형성하는 단계와 상기 제 1 절연층이 형성된 금속 코어에 홀을 가공하는 단계와 상기 홀이 가공된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제 2 절연층을 형성하는 단계 및 회로층를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기의 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 또 다른 방법은 상기 제 2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 코어는 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제 1 절연층을 형성하는 단계는 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판은 금속 코어와 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층과 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층과 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer)과 상기 씨드층 위에 형성된 도금층 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층을 포함한다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 전착도장을 이용한 고방열기판은 홀이 가공된 금속 코어와 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층과 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층과 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer)과 상기 씨드층 위에 형성된 도금층 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층을 포함한다.
한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또 다른 전착도장을 이용한 고방열기판은 금속 코어와 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층과 상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 가공된 홀과 상기 홀이 가공된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층과 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer)과 상기 씨드층 위에 형성된 도금층 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층을 포함한다.
본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법에 의하면,
첫째, 아노다이징에 의해 제1 절연층을 형성하고, 전착도장에 의해 제2 절연층을 형성함으로써 열전도성이 높아지고, 그에 따라 방열 효과가 좋아진다.
둘째, 아노다이징에 의해 제1 절연층을 형성하고, 전착도장을 통해 제2 절연층을 형성함으로써 원가를 절감하게 되어 경제적이다.
셋째, 열전도성이 우수하여 고출력 LED의 기판으로 사용시 발광효율을 높이고 LED 칩의 수명이 오래 유지되도록 할 수 있다.
넷째, 인쇄회로기판의 제조방법에도 적용가능하여 활용 영역이 넓다.
도 1a는 종래 PCB 제작공정을 도시한 것이다
도 1b는 종래 AMS 기판 제작공정을 도시한 것이다.
도 2는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 1 실시예의 흐름도이다.
도 3a 및 도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전착도장된 고방열기판의 단면도이다.
도 3b 및 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 회로형성된 고방열기판의 단면도이다.
도 5는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예의 흐름도이다.
도 6은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예에 따른 단면도를 도시한 것이다.
도 7은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예의 흐름도이다.
도 8은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예에 따른 단면도를 도시한 것이다.
도 9는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예에 따른 고방열기판의 단면도를 도시한 것이다.
도 10은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예에 따른 고방열기판의 단면도를 도시한 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명은 아노다이징에 의한 제1 절연층을 형성하고, 전착도장하여 제2 절연층을 형성하여 회로를 형성한 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
<제 1 실시예>
도 2는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 1 실시예의 흐름도로, 상기 도 2를 참조하여 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
금속 코어를 준비하는데(S110), 상기 금속 코어의 모양은 판형, 원형, 사각형, 다각형 등 다양할 수 있으며, 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정하지 않고 절연층 형성이 가능한 금속이면 금속 코어로 구성될 수 있음은 물론이다.
상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는데(S120), 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다. 아노다이징은 상기 금속 코어를 황산 등의 특정 용액 내에서 양극으로 작용하게 하여 금속 코어의 표면에 산화 작용을 촉진시켜 균일한 두께로 인위적인 산화막이 생성되도록 하여 절연층을 형성한다.
상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장하여 제2 절연층을 형성하고(S130), 회로층를 형성하여(S140) 고방열기판을 제조한다. 이때, 상기 회로층은 노광, 현상 및 에칭 등의 과정을 통해 형성될 수 있으며, 본 실시예에 적용될 수 있는 회로층 형성 공정에 대해서는 공지된 회로층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 자세한 설명은 생략한다.
또한, 상기 전착도장(Electro-deposition Coating)은 전착용 수용성 도료 용액 중에 피도물을 양극 또는 음극으로 하여 침적시키고, 피도물과 그 대극 사이에 직류 전류를 통하여 피도물 표면에 전기적으로 도막을 석출시키는 도장방법으로서, 전기영동도장?전영도장?ED도장이라고도 하며, Electro Coating, Electro-phorectic Coating, Electrophoretic-deposition Coating 등으로도 불리워진다.
즉, 전착도장은 전착도료 용액 중에 양극 또는 음극으로 침적한 피도물과 그 대극 사이에 직류 전류를 통하면 전기분해, 전기영동, 전기석출, 전기침투 현상이 동시에 일어나면서 피도물 표면에 전기적으로 도료가 전착하게 된다. 본 실시예에 적용될 수 있는 전착도장 공정에 대해서는 공지된 전착도장 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 여기서 전착도장 공정 및 방식에 관한 자세한 설명은 생략한다.
또한, 정전도장은 전착도장처럼 액에 기판을 담그어 공정을 진행하는 것이 아니라 스프레이 형태로 뿌려서 도장하는 방식으로 본 발명에서 전착도장은 정전도장일 수 있으며, 하기에서 전착도장에 대해서만 설명하더라도, 정전도장 방식이 똑같이 적용될 수 있다.
도 3a 및 도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전착도장된 고방열기판의 단면도로, 도시된 바와 같이 금속 코어(100)에 아노다이징에 의한 제1 절연층(200)을 형성하면 표면에 다수의 기공(pore)가 만들어진다. 이때, 전착도장을 수행하면 도 3a와 같이 기공의 일부를 채울 수 있으며, 기공을 완전히 채울 수 있다. 또는 도 4a와 같이 기공의 내부를 채우고 추가적으로 아노다이징된 금속 코어(100)의 표면에도 코팅을 할 수도 있다.
도 3b 및 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 회로형성된 고방열기판의 단면도로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 도 3a처럼 전착도장을 수행하여 기공의 일부를 채운 후, 회로층(400)을 형성하여 고방열기판을 제조할 수 있으며, 도 4b에 도시된 바와 같이, 도4a처럼 전착도장을 수행하여 기공의 내부를 채우고 추가적으로 아노다이징된 금속 코어(100)의 표면에 코팅을 한 후, 회로층(400)을 형성하여 고방열기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면 별도의 비아홀(via hole) 가공없이 고방열기판을 제조할 수 있다. 즉, 절연층을 에칭하여 금속 코어의 일면 또는 양면에 전기적 연결이 가능한 배선을 형성함으로써, 금속 코어의 절연층 상면에 별도의 전기적 연결을 위한 비아홀 가공 없이도 자체적으로 독립적인 기판으로 사용 가능하다.
한편, 도시하지는 않았지만 제 1 실시예는 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)를 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 제 1 실시예에 적용될 수 있는 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정에 대해서는 공지된 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 여기서 그에 대한 공정 및 방식에 관한 자세한 설명은 생략한다.
한편, 본 발명은 상기의 제 1 실시예에 의해 제작된 고방열기판을 포함한다. 즉, 본 발명에 따른 고방열기판은 금속 코어(100), 상기 금속 코어(100)의 일면 또는 양면에 아노다이징에 의해 형성된 제1 절연층(200), 상기 절연층(200)이 형성된 금속 코어(100)에 전착도장하여 형성된 제2 절연층(300), 상기 제2 절연층 위에 습식볍 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(미도시), 상기 씨드층 위에 형성된 도금층(미도시) 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층(400)을 포함한다.
<제 2 실시예>
도 5는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예의 흐름도로, 도 5를 참조하여 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법을 설명한다.
금속 코어를 준비하는데(S210), 상술한 바와 같이 상기 금속 코어의 모양은 판형, 원형, 사각형, 다각형 등 다양할 수 있으며, 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정하지 않고 절연층 형성이 가능한 금속이면 금속 코어로 구성될 수 있음은 물론이다.
상기 금속 코어에 홀을 가공하는데(S220), 상기 홀은 전기적 연결을 위한 비아홀(via hole) 또는 연결홀을 포함한 일체의 홀을 일컫는다. 상기 홀의 가공은 일반적인 기계적인 드릴을 사용하거나 화학적 식각의 방식으로 형성할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정하지 않고, 여러 가지 방법으로 홀을 형성할 수 있다.
상기 홀이 가공된 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는데(S230), 상술한 바와 같이 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다. 아노다이징에 의한 제1 절연층을 형성하는 과정은 상술한 바와 동일하다.
상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장하여 제2 절연층을 형성하고(S240), 회로층를 형성하여(S250) 고방열기판을 제조한다. 이때, 상기 회로층은 상술한 바와 같이 노광, 현상 및 에칭 등의 과정을 공지된 회로층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 자세한 설명은 생략한다. 전착도장에 대해서도 상술한 바와 동일하다.
한편, 도시하지는 않았지만 제 2 실시예는 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)를 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 제 2 실시예에 적용될 수 있는 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정에 대해서는 공지된 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 여기서 그에 대한 공정 및 방식에 관한 자세한 설명은 생략한다.
도 6은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예에 따른 단면도를 도시한 것으로, 이에 대해서는 하기에 설명할 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예와 비교하여 다시 설명하도록 한다.
한편, 본 발명은 상기의 제 2 실시예에 의해 제작된 고방열기판을 포함한다. 즉, 본 발명에 따른 고방열기판은 홀이 가공된 금속 코어(100), 상기 금속 코어(100)의 일면 또는 양면에 아노다이징에 의해 형성된 제1 절연층(200), 상기 제1 절연층(200)이 형성된 금속 코어(100)에 전착도장하여 형성된 제2 절연층(300), 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(미도시), 상기 씨드층 위에 형성된 도금층(미도시) 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층(400)을 포함한다.
<제 3 실시예>
도 7은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예의 흐름도로, 도 7을 참조하여 전착도장을 이용할 고방열기판을 제조하는 방법을 설명한다.
금속 코어를 준비하는데(S310), 상술한 바와 같이 상기 금속 코어의 모양은 판형, 원형, 사각형, 다각형 등 다양할 수 있으며, 알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정하지 않고 절연층 형성이 가능한 금속이면 금속 코어로 구성될 수 있음은 물론이다.
상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는데(S320), 상술한 바와 같이 상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성할 수 있다. 아노다이징에 의한 제1 절연층을 형성하는 과정은 상술한 바와 동일하다.
상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 홀을 가공하는데(S330), 상기 홀은 상술한 바와 같이 전기적 연결을 위한 비아홀(via hole) 또는 연결홀을 포함한 일체의 홀을 일컫는다. 또한, 상기 홀은 금속 코어를 관통하도록 형성될 수 있으며, 상기 홀의 가공은 일반적인 기계적인 드릴을 사용하거나 화학적 식각 방식을 사용하는 등 여러 가지 방법으로 형성할 수 있다.
상기 홀이 가공된 금속 코어에 전착도장하여 제2 절연층을 형성하고(S340), 회로층를 형성하여(S350) 고방열기판을 제조한다. 이때, 상기 회로층은 상술한 바와 같이 노광, 현상 및 에칭 등의 과정을 공지된 회로층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 자세한 설명은 생략한다. 전착도장에 대해서도 상술한 바와 동일하다.
한편, 도시하지는 않았지만 제 3 실시예는 상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)를 형성하는 단계 및 상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 제 3 실시예에 적용될 수 있는 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정에 대해서는 공지된 씨드층 형성 공정 및 도금층 형성 공정을 사용하여 수행하면 되므로, 여기서 그에 대한 공정 및 방식에 관한 자세한 설명은 생략한다.
도 8은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예에 따른 단면도를 도시한 것으로, 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예를 더욱 자세히 설명한다.
금속 코어(100)를 준비하는데, 도 8에서는 판형의 금속 코어(100)를 실시예로서 설명한다. 상기 금속 코어(100)에 아노다이징에 의해 제1 절연층(200)을 형성하는데, 제1 절연층(200)은 일면 또는 양면에 형성될 수 있으나, 도 8에서는 양면에 형성된 제1 절연층(200)을 실시예로 들어 설명한다.
상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 홀(500)을 가공한다. 따라서 도 8에서는 홀(500)의 형성으로 금속 코어(100)가 노출되는 부분(B)이 발생한다. 하지만 상술한 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예에서는, 도 6에 도시된 바와 같이 금속 코어(100)에 홀(500)을 가공한 뒤에 아노다이징에 의해 제1 절연층(200)을 형성함으로써, 금속 코어(100)가 노출되지 않고 홀(500)에 의해 관통하는 부분(A)에도 제1 절연층(200)이 형성된다.
도 9는 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 2 실시예에 따른 고방열기판의 단면도를 도시한 것이고, 도 10은 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법의 제 3 실시예에 따른 고방열기판의 단면도를 도시한 것으로, 상기 도 9와 도 10을 비교하면 상술한 제 2 실시예와 제 3 실시예의 차이점을 더 분명하게 확인할 수 있다.
상기 홀(500)이 가공된 금속 코어(100)에 전착도장하여 제2 절연층(300)을 형성한다. 상기 제2 절연층(300) 위에 형성되는 씨드층 및 도금층은 금속 코어(100)의 상면과 하면에 배치되어 회로 패턴을 형성할 뿐만 아니라, 홀의 내부에도 배치되어 상면과 하면에 배치된 회로 패턴 사이를 전기적으로 연결하는 기능을 수행한다. 도금층이 형성되면 노광, 현상 및 에칭 등의 공지된 회로 형성 공정을 거쳐 회로층(400)을 형성한다.
한편, 본 발명은 상기의 제 3 실시예에 의해 제작된 고방열기판을 포함한다. 즉, 본 발명에 따른 고방열기판은 금속 코어(100), 상기 금속 코어(100)의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층(200), 상기 제1 절연층(200)이 형성된 금속 코어(100)에 가공된 홀(500), 상기 홀(500)이 가공된 금속 코어(100)에 전착도장하여 형성된 제2 절연층(300), 상기 제2 절연층(300) 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(미도시), 상기 씨드층 위에 형성된 도금층(미도시) 및 상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층(400)을 포함한다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
100 금속 코어 200 제1 절연층
300 제2 절연층 400 회로층
500 홀

Claims (15)

  1. 금속 코어를 준비하는 단계;
    상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계; 및
    회로층를 형성하는 단계;를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계; 및
    상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코어는,
    알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열 기판을 제조하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  5. 금속 코어를 준비하는 단계;
    상기 금속 코어에 홀을 가공하는 단계;
    상기 홀이 가공된 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계; 및
    회로층를 형성하는 단계;를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계; 및
    상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속 코어는,
    알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열 기판을 제조하는 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  9. 금속 코어를 준비하는 단계;
    상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 홀을 가공하는 단계;
    상기 홀이 가공된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 제2 절연층을 형성하는 단계; 및
    회로층를 형성하는 단계;를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의한 씨드층(Seed layer)을 형성하는 단계; 및
    상기 씨드층 위에 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 코어는,
    알루미늄, 마그네슘 또는 티타늄의 금속 재질 중 어느 하나를 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열 기판을 제조하는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 코어에 아노다이징(anodizing)에 의한 제1 절연층을 형성하는 단계는,
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 대해서 형성하는, 전착도장을 이용한 고방열기판을 제조하는 방법.
  13. 금속 코어;
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층;
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer);
    상기 씨드층 위에 형성된 도금층; 및
    상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층;을 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판.
  14. 홀이 가공된 금속 코어;
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층;
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer);
    상기 씨드층 위에 형성된 도금층; 및
    상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층;을 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판.
  15. 금속 코어;
    상기 금속 코어의 일면 또는 양면에 아노다이징(anodizing)에 의해 형성된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층이 형성된 금속 코어에 가공된 홀;
    상기 홀이 가공된 금속 코어에 전착도장(Electro-deposition Coating)하여 형성된 제2 절연층 ;
    상기 제2 절연층 위에 습식법 또는 건식법에 의해 형성된 씨드층(Seed layer);
    상기 씨드층 위에 형성된 도금층; 및
    상기 도금층을 이용하여 형성된 회로층;을 포함하는, 전착도장을 이용한 고방열기판.
KR1020100134697A 2010-12-24 2010-12-24 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법 KR20120072801A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134697A KR20120072801A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법
US13/067,052 US20120160546A1 (en) 2010-12-24 2011-05-04 Heat radiation board formed using electro-deposition coating and method of manufacturing the same
JP2011105897A JP2012138558A (ja) 2010-12-24 2011-05-11 電着塗装を用いる高放熱基板及びその製造方法
JP2013025266A JP2013127122A (ja) 2010-12-24 2013-02-13 電着塗装を用いる高放熱基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100134697A KR20120072801A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120072801A true KR20120072801A (ko) 2012-07-04

Family

ID=46315303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100134697A KR20120072801A (ko) 2010-12-24 2010-12-24 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120160546A1 (ko)
JP (2) JP2012138558A (ko)
KR (1) KR20120072801A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071313A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지이노텍 주식회사 방열 플레이트 및 이를 포함하는 차량용 제어장치
KR20170077511A (ko) * 2015-12-28 2017-07-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 광원 모듈

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103635012A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 三星电机株式会社 印刷电路板以及用于制造该印刷电路板的方法
CN107570688B (zh) * 2017-07-23 2019-03-19 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） 制备微波固态电路耐蚀液冷冷板的方法
KR20240147692A (ko) * 2022-02-16 2024-10-08 닛토덴코 가부시키가이샤 배선 회로 기판 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5230945B2 (ko) * 1972-10-03 1977-08-11
JPS5519853A (en) * 1978-07-29 1980-02-12 Akai Electric Method of manufacturing circuit board
JPS5828759B2 (ja) * 1979-08-22 1983-06-17 富士通株式会社 多層プリント板
JPS58148497A (ja) * 1982-02-27 1983-09-03 イビデン株式会社 プリント配線基板の製造方法
JPH01181597A (ja) * 1988-01-12 1989-07-19 Canon Inc 印刷配線板の製造方法
US7743494B2 (en) * 2008-01-11 2010-06-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Process of fabricating a circuit board

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071313A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 엘지이노텍 주식회사 방열 플레이트 및 이를 포함하는 차량용 제어장치
KR20170077511A (ko) * 2015-12-28 2017-07-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 광원 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012138558A (ja) 2012-07-19
US20120160546A1 (en) 2012-06-28
JP2013127122A (ja) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2640658A1 (en) Anodised aluminium, dielectric, and method
KR20120072801A (ko) 전착도장을 이용한 고방열기판 및 이의 제조방법
JP2009044087A (ja) 発光装置
CN102299126A (zh) 散热基底以及制造该散热基底的方法
KR101332032B1 (ko) 방열기판 및 방열기판의 제조방법
KR20160121506A (ko) 절연된 비아들을 갖는 금속 기판
CN102325431B (zh) 在电路板上制作铜柱的方法和具有表面铜柱的电路板
CN102469753A (zh) 散热基板
KR20130134757A (ko) 패키지 기판 및 패키지 기판 제조 방법
KR101027422B1 (ko) 엘이디 어레이 기판
EP1592059A2 (en) Heat sink and method for processing surfaces thereof
KR100981052B1 (ko) Led 방열용 회로 기판 및 그 제조 방법
CN105098049A (zh) 高导热led铝基板及其制造工艺
CN109673101A (zh) 电路基板的制作方法及电路基板
KR101220118B1 (ko) 방열 인쇄회로 기판 및 그 제조방법
KR101088410B1 (ko) 메탈 ｐｃｂ 기판의 열 방출 향상을 위한 표면처리방법
KR100937776B1 (ko) 발광다이오드 실장용 인쇄회로기판의 제조방법
CN104333981A (zh) 一种led散热基板的制作方法及使用该基板的led模组
KR20160085617A (ko) Led용 고방열 금속 pcb 형성 기술 개발
CN103429009A (zh) 一种含金属铝层的印刷电路板制作方法
KR102603297B1 (ko) 고방열, 고기능성, 고집적 led조명을 위한 양면 방열기판및 이를 제조하는 방법
JP2011171687A (ja) 絶縁基板、その製造方法および配線の形成方法
CN201893327U (zh) 一种散热装置
KR101037168B1 (ko) 절연 및 방열성능이 향상된 방열피씨비 및 이의 제조방법
KR102657028B1 (ko) Led조명에 적용되는 고방열, 고기능성, 고집적 방열기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application