KR20120056237A - 반도체 테스트 소켓 - Google Patents

반도체 테스트 소켓 Download PDF

Info

Publication number
KR20120056237A
KR20120056237A KR1020120019503A KR20120019503A KR20120056237A KR 20120056237 A KR20120056237 A KR 20120056237A KR 1020120019503 A KR1020120019503 A KR 1020120019503A KR 20120019503 A KR20120019503 A KR 20120019503A KR 20120056237 A KR20120056237 A KR 20120056237A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
base structure
dimensional network
bidirectional
pattern
Prior art date
Application number
KR1020120019503A
Other languages
English (en)
Inventor
문해중
Original Assignee
에이케이이노텍주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이케이이노텍주식회사 filed Critical 에이케이이노텍주식회사
Priority to KR1020120019503A priority Critical patent/KR20120056237A/ko
Publication of KR20120056237A publication Critical patent/KR20120056237A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로서, 상하 방향으로 관통된 다수의 패턴 홀이 형성된 절연성 소켓 본체와, 상기 패턴 홀을 통해 상기 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 패턴 홀에 형성되는 도전 패턴부와, 상기 절연성 소켓 본체의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부착되어 상기 각 도전 패턴부를 개별적으로 커버하는 도전성 커버 시트를 포함하며; 상기 도전성 커버 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와, 도전성 분말이 포함되어 마련되며 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 양방향 도전성 시트가 압착된 상태로 단위 크기로 절단되어 형성을 특징으로 한다. 이에 따라, 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있다.

Description

반도체 테스트 소켓{SEMICONDUCTOR TEST SOCKET}
본 발명은 반도체 테스트 소켓에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 양불을 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 반도체 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사 회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 간격도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고(Pogo) 타입의 반도체 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 반도체 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.
이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합하도록 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 실리콘 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 방법이 널리 사용되고 있다.
그러나, 실리콘 타입의 반도체 테스트 소켓의 도전 패턴과 반도체 소자의 단자, 예를 들어 BGA(Ball Grid Array)가 테스트 과정에서 지속적으로 접촉하게 되어, 도전 패턴을 형성하는 도전성 분말이 도전 패턴으로부터 이탈되거나 마모되어 반도체 소자의 단자와 전기적 접촉을 이루지 못하는 경우가 발생하는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점은 반도체 테스트 소켓의 수명을 단축시키는 원인이 되어, 결과적으로 반도체 테스트 소켓의 잦은 교체로 인한 제조 단가를 증가시키는 문제를 야기하게 된다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 반도체 테스트 소켓에 있어서, 상하 방향으로 관통된 다수의 패턴 홀이 형성된 절연성 소켓 본체와, 상기 패턴 홀을 통해 상기 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 패턴 홀에 형성되는 도전 패턴부와, 상기 절연성 소켓 본체의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부착되어 상기 각 도전 패턴부를 개별적으로 커버하는 도전성 커버 시트를 포함하며; 상기 도전성 커버 시트는 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와, 도전성 분말이 포함되어 마련되며 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 양방향 도전성 시트가 압착된 상태로 단위 크기로 절단되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 양방향 도전성 시트는 상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 도전성 분말이 포함되어 형성되는 도전성 탄성층을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련될 수 있다.
그리고, 상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련될 수 있다.
그리고, 상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련될 수 있다.
상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 도전 패턴 사이의 간격을 미세화하고, 도전성 분말의 이탈을 억제하여 도전 패턴의 도전성이 상실되는 것을 방지할 수 있는 반도체 테스트 소켓이 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치의 사시도이고,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치의 단면도이고,
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓의 도전성 커버 시트의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 5 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 양방향 도전성 시트의 베이스 구조부의 예를 도시한 도면이고,
도 10 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 양방향 도전성 시트의 구성을 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반도체 테스트 장치(1)는 지지 플레이트(30)와 반도체 테스트 소켓(10)을 포함한다.
지지 플레이트(30)는 반도체 테스트 소켓(10)이 상하 방향으로 이동 가능하도록 반도체 테스트 소켓(10)을 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀이 상호 이격되게 형성된다. 그리고, 반도체 테스트 소켓(10)은 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.
본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 절연성 소켓 본체(11)와, 도전 패턴부(12) 및 도전성 커버 시트(100')를 포함한다.
절연성 소켓 본체(11)에는 상하 방향으로 관통 형성된 다수의 패턴 홀이 형성되며, 각 패턴 홀에 도전 패턴부(12)가 형성됨으로써, 절연성 소켓 본체(11)가 상하 방향으로 전기적으로 도통된다. 여기서, 절연성 소켓 본체(11)는 절연성 재질의 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 하며, 이외에도 일정 탄성을 갖는 절연성 재질, 예를 들어 플라스틱 재질 등으로도 마련될 수 있다.
도전 패턴부(12)는 패턴 홀을 통해 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 각 패턴 홀에 형성된다. 여기서, 도전 패턴부(12)는 도전성 분말, 예를 들어 니켈 입자에 금(Au)이 코팅된 도전성 분말을 포함하여 형성됨으로써, 전기적인 도전체 성질을 갖는다. 이외에도, 도전성 분말은 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.
여기서, 도전 패턴부(12)는 패턴 홀에 도전성 분말을 충진하는 방법이나, 한국공개특허공보 제2004-0084202호에 개시된 액체 실리콘과 도전성 분말이 혼합된 혼합 실리콘의 상하에 자석을 배치하고, 자석의 자력선 방향으로 도전성 분말이 결집하게 하는 방법을 통해 형성될 수 있다.
도전성 커버 시트(100')는 절연성 소켓 본체(11)의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부탁되어 각 도전 패턴부(12)를 개별적으로 커버한다. 본 발명에서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(3)와 접촉되는 절연성 소켓 본체(11)의 상부만 도전성 커버 시트(100')가 부착되는 것을 예로 하고 있으나, 하부에도 부착 가능함은 물론이다.
여기서, 도전성 커버 시트(100')는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상호간에는 전기적으로 절연되도록 상호 이격된 상태로 절연성 소켓 본체(11)에 부착되며, 각각 도전 패턴부(12)를 커버 가능하도록 도전 패턴부(12)의 크기보다 크게 마련된다.
상기와 같은 구성에 따라, 본 발명에 따른 반도체 테스트 소켓(10)을 이용하여 반도체 소자(3)를 테스트하는 경우, 반도체 소자(3)의 단자(3a)는 반도체 테스트 소켓(10)의 도전성 커버 시트(100')와의 접촉을 통해 도전 패턴부(12)와 전기적으로 연결됨으로써, 도전 패턴부(12)를 형성하는 도전성 분말이 반도체 소자(3)의 단자(3a)와 직접 접촉하는 것을 차단할 수 있어 도전성 분말의 이탈을 방지할 수 있게 된다. 따라서, 반도체 테스트 소켓(10)의 교체 주기를 증가시킴으로써, 전체 제조 단가를 낮출 수 있게 된다.
도 2의 미설명 참조번호 5는 반도체 소자(3)의 검사를 위한 검사회로기판이고, 참조번호 5a는 검사회로기판(5)에 마련되어 도전 패턴부(12)와 접촉하는 단자이다.
한편, 본 발명에 따른 도전성 커버 시트(100')는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 양방향 도전성 시트(100)가 압착된 상태(100")로 단위 크기로 절단되어 형성된다. 도 3의 (a)는 본 발명에 따른 도전성 커버 시트(100')의 형성을 위한 양방향 도전성 시트(100)를 도시한 도면이고, 도 3의 (b)는 양방향 도전성 시트(100")가 압착된 상태를 도시한 도면이다.
여기서, 압착된 양방향 도전성 시트(100")를 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 단위 크기로 절단하여 도전성 커버 시트(100')를 형성한 후 절연성 소켓의 본체에 부착하는 방법으로, 도 1에 도시된 바와 같은 반도체 테스트 소켓(10)을 형성할 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 도 3의 (b)에 도시된 압착된 양방향 도전성 시트(100")를 절연성 소켓 본체(11)에 부착한 후, 레이저 절단기(300)를 이용하여 절단함으로써 도전성 커버 시트(100')를 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 도전성 커버 시트(100')를 형성하기 위한 양방향 도전성 시트(100)의 양방향 도전성 시트(100)들을, 도 5 내지 도 13을 참조하여 설명한다. 여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)의 실시예들을 설명하는데 있어, 동일한 실시예에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하며, 필요에 따라 그 설명은 생략할 수 있다.
제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 절연성 탄성부(140)를 포함한다.
베이스 구조부(110)는 3차원의 망상 구조를 갖는다. 여기서, 3차원의 망상 구조는 규칙적 또는 불규칙적으로 내부에 구멍 또는 공간이 형성되어 있는 형태를 말하며, 구멍 또는 공간은 베이스 구조부(110)의 외부까지 연장되어 형성된다.
그리고, 3차원의 망상 구조의 내부 구멍 또는 공간은 서로 규칙적 또는 불규칙적으로 연결된다. 즉, 베이스 구조부(110)의 상부와 하부는 공간적으로 연통된 상태를 갖게 된다.
본 발명에 따른 베이스 구조부(110)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 빈 공간인 다수의 오픈 셀(140a)(Open cell)이 형성되어 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 한다. 여기서, 도 3에서는 베이스 구조부(110)의 단면을 도시하고 있어, 오픈 셀(140a)이 상호 연결되지 않은 형태로 도시되어 있으나, 실제 입체적으로 접근하는 경우, 오픈 셀(140a)들이 상호 연통되어 있다.
따라서, 후술할 도전성 금속부(130)가 베이스 구조부(110) 전체 표면, 즉 오픈 셀(140a)을 형성하는 내부 표면을 포함하는 전체 표면이 도전성 금속부(130)로 코팅되는 경우, 상하 방향, 즉 두께 방향으로 전기적으로 도통될 수 있다. 본 명세서에서 표현되는 '전체 표면'은 베이스 구조부(110) 외부 표면만을 의미하지 않고, 내부의 3차원 망상 구조를 형상하는 내부 표면을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
도전성 금속부(130)는 베이스 구조부(110)의 3차원 망상 구조의 전체 표면을 도포한다. 여기서, 도전성 금속부(130)가 베이스 구조부(110)의 전체 표면을 도포함으로써, 베이스 구조부(110)에 도전성이 부여된다. 즉, 상술한 바와 같이 베이스 구조부(110)에 형성되는 3차원의 망상 구조 상의 내부 공간은 베이스 구조부(110)의 상부와 하부가 공간적으로 연통되도록 형성되는 바, 그 전체 표면에 도전성 금속부(130)를 형성하게 되면, 베이스 구조부(110) 전체가 전기적인 도전체를 형성하게 된다.
여기서, 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)는 베이스 구조부(110)의 전체 표면에 코팅되어 베이스 구조부(110)의 전체 표면과 도전성 금속부(130) 사이에 형성되는 금속 재질의 보강부(130)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서는 보강부(130)는 니켈 또는 구리 재질의 도금을 통해 형성되는 것을 예로 하며, 보강부(130)의 도금 후에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130)를 형성하는 것을 예로 한다.
한편, 절연성 탄성부(140)는 전기적인 절연 재질로 마련되며, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 채운다. 여기서, 절연성 탄성부(140)는 전기적인 절연 재질인 실리콘 고무 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 스펀지 형태의 베이스 구조부(110)가 일정 정도의 힘을 유지하면서 탄성을 갖는 시트 형태를 유지할 수 있게 된다.
이하에서는, 상기와 같은 구성을 갖는 양방향 도전성 시트(100)의 제조 과정을 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 6에 도시된 바와 같이 3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부(110)를 형성한다. 그런 다음, 베이스 구조부(110)의 전체 표면, 즉 3차원의 망상 구조 내부 표면을 포함하는 전체 표면에 도전성 금속부(130)를 형성한다.
여기서, 본 발명에서는 도 7에 도시된 바와 같이, 도전성 금속부(130)의 형성 전에 베이스 구조부(110)의 전체 표면을 금속 재질로 코팅하여 보강부(130)를 형성한다. 그리고, 보강부(130)는 니켈 또는 구리를 이용한 도금을 통해 형성된다.
그런 다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 보강부(130)의 표면에 금 도금을 통해 도전성 금속부(130)를 형성하게 된다. 이와 같이, 베이스 구조부(110)에 형성된 3차원의 망상 구조의 전체 표면이 도전체인 금으로 도금되어 베이스 구조부(110) 전체가 전기가 도통되는 도전체가 된다.
상기와 같이 베이스 구조부(110)에 보강부(130)와 도전성 금속부(130)를 순차적으로 형성한 후, 3차원의 망상 구조의 빈 공간을 전기적인 절연 재질로 충전하여 절연성 탄성부(140)를 형성함으로서, 도 5에 도시된 바와 같은 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 완료된다.
여기서, 절연성 탄성부(140)는 3차원 망상 구조의 빈 공간을 채움으로서 양방향 도전성 시트(100)의 전기 전도성에는 영향을 미치지 않고, 절연성 탄성부(140)가 갖는 탄성의 정도에 따라 양방향 도전성 시트(100)의 탄성의 정도를 결정할 수 있게 된다.
전술한 실시예에서는 본 발명에 따른 양방향 도전성 시트(100)의 베이스 구조부(110)가, 도 5에 도시된 바와 같이, 3차원 망상 구조가 형성된 스펀지 형태로 마련되는 것을 예로 하여 설명하였다. 이외에도 베이스 구조부(110)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 3차원 망상 구조를 형성하도록 마련될 수 있다. 도 9의 (a)는 미세 와이어가 엉켜 형성된 3차원 망상 구조를 확대 촬영한 도면이고, 도 9의 (b)는 (a)를 보다 높은 배율로 확대 촬영한 도면이다.
여기서, 미세 와이어의 재질은 우레탄, 폴리 우레탄과 같은 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르와 같은 플라스틱 재질이나, 스테인리스 재질, 또는 구리 재질 등과 같이, 미세 와이어의 형성이 가능한 다양한 재질로 마련될 수 있다.
그리고, 미세 와이어에 의해 베이스 구조부(110)가 형성되면, 상술한 바와 같은 보강부(130) 및 도전성 금속부(130)이 순차적으로 도금되어 형성되는 경우 양방향 전기 전도성을 갖게 되며, 미세 와이어 간의 공간에 절연성 탄성층이 형성됨으로써, 양방향 도전성 시트(100)의 제작이 가능하게 된다.
상기와 같은 과정을 통해 형성된 양방향 도전성 시트(100)를 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 일정 두께로 압착하더라도 도전성을 상실하지 않게 되며, 탄성을 갖는 베이스 구조부(110)와, 베이스 구조부(110)의 내부에 충진되는 실리콘 고무 또한 탄성을 가지고 있어, 압착된 양방향 도전성 시트(100") 또한 일정 크기의 탄성을 지니게 된다.
따라서, 압착된 양방향 도전성 시트(100")에 의해 형성되는 도전성 커버 시트(100')는 일전 크기의 탄성을 유지하면서 도전 패턴부(12)로부터 도전성 분말의 이탈을 방지하게 되며, 탄성으로 인해 반도체 소자(3)의 단자(3a)의 손상 또한 방지 가능하게 된다.
제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 10을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 도전성 메쉬층(150)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)는 보강부(130)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100a)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 보강부(130)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
도전성 메쉬층(150)은 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성된다. 도 10에서는 도전성 메쉬층(150)이 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 양측에 형성되는 것을 예로 하고 있다.
도전성 메쉬층(150)은 2차원의 망상 구조, 예를 들어 그물망 형태로 마련되고, 그 표면이 도전성 물질로 코팅됨으로써, 도전성을 갖도록 마련될 수 있다. 여기서, 도전성 메쉬층(150)의 형성 방법은, 도금된 메쉬를 도 5에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)의 양측 표면에 부착하는 방법으로 형성할 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 베이스 구조부(110)의 상태에서 양방향에 메쉬를 부착한 후, 도 7 및 도 8에 도시된 과정, 즉 보강부(130) 및 도전성 금속부(130)를 형성하는 과정을 거침으로써, 메쉬에 도전성을 부가하여 형성할 수 있다.
여기서, 도전성 메쉬층(150)에 형성된 2차원 망상 구조의 공간 사이즈는 0.01mm ~ 0.4mm인 것을 예로 한다.
상기와 같이, 베이스 구조부(110)의 양측에 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층(150)을 형성하여, 양방향 도전성 시트(100a)의 양측 표면을 보강하는 효과를 제공할 수 있게 된다.
제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 11을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 도전성 탄성층(151)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)는 보강부(130)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100b)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130), 절연성 탄성부(140) 및 보강부(130)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
도전성 탄성층(151)은 베이스 구조부(110)의 상부 표면가 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성된다. 도 11에서는 도전성 탄성층(151)이 베이스 구조부(110)의 상부 표면과 하부 표면 양측에 형성되는 것을 예로 하고 있다.
여기서, 도전성 탄성층(151)은 도전성 분말이 포함되어 형성되어 도전성을 갖게 된다. 본 발명에서는 도전성 분말로 금(Au)이 코팅된 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 자체, 니켈 분말, 구리 분말 등과 같이 도전성이 우수한 다양한 형태의 분말이 하나 또는 그 이상이 섞여서 사용될 수 있다.
그리고, 도전성 탄성층(151)은 도전성 분말과 실리콘 고무가 혼합된 혼합 실리콘을 베이스 구조부(110)의 양측에 일정 두께로 코팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 이외에도 도전성 탄성층(151)의 형성 방법은 당업자가 다양한 방법을 통해 적용할 수 있음은 물론이다.
상기와 같이, 베이스 구조부(110)의 도전성 탄성층(151)을 형성하여, 양방향 도전성 시트(100b)의 양측 표면을 보강하면서도 일정 크기의 탄성을 제공할 수 있게 된다.
제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 12를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 도전성 충진부(141)를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)는 보강부(130)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)의 베이스 구조부(110), 도전성 금속부(130) 및 보강부(130)의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)는, 제1 실시예와 달리, 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 공간의 빈 공간에 비도전성의 절연성 탄성부(140)가 형성되지 않고, 도전성 충진부(141)가 형성된다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에서는 도전성 분말을 포함하는 도전성 충진부(141)가 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워져 형성됨으로써, 도전성 충진부(141) 자체가 도전체로서의 기능을 수행하게 된다.
따라서, 베이스 구조부(110)의 전체 표면, 즉 3차원 망상 구조의 전체 표면에 도금된 도전성 금속부(130)에 의해 베이스 구조부(110)에 도전성이 형성되는 것에 더하여, 베이스 구조부(110)의 3차원 망상 구조 내부를 채우는 도전성 충진부(141)에 의해서도 도전성이 형성됨으로써, 양방향 도전성 시트(100c)의 도전성을 높일 수 있게 된다.
또한, 도전성 충진부(141)를 도전성 분말과 실리콘 고무를 혼합하여 사용함으로써, 실리콘 고무에 의한 탄성의 부가가 가능하게 되어 제1 실시예에 따른 절연성 탄성부(140)가 제공하는 탄성적 성질도 가질 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100c)에는, 도 10에 도시된 바와 같은 도전성 메쉬층(150)이 추가적으로 형성되거나, 도 11에 도시된 도전성 탄성층(151)이 추가적으로 형성될 수 있음은 물론이다.
제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트
이하에서는 도 13을 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는 제4 실시예의 변형된 실시 형태이다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 베이스 구조부(110) 도전성 충진부(141)를 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)는 제4 실시예에서의 도전성 금속부(130) 및 보강부(130)가 제거된 상태, 즉 베이스 구조부(110) 상태에서 도전성 충진부(141)가 형성되는 것을 예로 하고 있다.
따라서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에서는 베이스 구조부(110)의 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 채워지는 도전성 충진부(141)가 양방향 도전성 시트(100d) 전체에 도전성을 부가하도록 마련된다. 여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)의 도전성 충진부(141)의 구성은 제4 실시예에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 제5 실시예에 따른 양방향 도전성 시트(100d)에는, 도 10에 도시된 바와 같은 도전성 메쉬층(150)이 추가적으로 형성되거나, 도 11에 도시된 도전성 탄성층(151)이 추가적으로 형성될 수 있음은 물론이다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
1 : 반도체 테스트 장치 10 : 반도체 테스트 소켓
11 : 절연성 지지체 12 : 도전 패턴부
100' : 도전성 커버 시트 100 : 양방향 도전성 시트
110 : 베이스 구조체 120 : 보강부
130 : 도전성 금속부 140 : 절연성 탄성부
150 : 도전성 메쉬층 151 : 도전성 탄성층

Claims (6)

  1. 반도체 테스트 소켓에 있어서,
    상하 방향으로 관통된 다수의 패턴 홀이 형성된 절연성 소켓 본체와,
    상기 패턴 홀을 통해 상기 소켓 본체가 상하 방향으로 전기적으로 도통되도록 상기 패턴 홀에 형성되는 도전 패턴부와,
    상기 절연성 소켓 본체의 상부 및 하부 중 적어도 어느 일측 표면에 부착되어 상기 각 도전 패턴부를 개별적으로 커버하는 도전성 커버 시트를 포함하며;
    상기 도전성 커버 시트는,
    3차원의 망상 구조를 갖는 베이스 구조부와, 상기 베이스 구조부의 상기 3차원 망상 구조의 표면을 도포하는 도전성 금속부와, 도전성 분말이 포함되어 마련되며 상기 3차원의 망상 구조의 빈 공간에 충진되는 도전성 충진부를 포함하는 양방향 도전성 시트가 압착된 상태로 단위 크기로 절단되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양방향 도전성 시트는,
    상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 2차원의 망상 구조를 갖는 도전성 메쉬층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 구조부의 상부 표면과 하부 표면 중 어느 하나 또는 양측에 형성되며, 도전성 분말이 포함되어 형성되는 도전성 탄성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 다수의 오픈 셀이 형성되어 상기 3차원 망상 구조를 형성하는 스펀지 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 내부 공간이 형성되도록 다수의 미세 와이어가 엉켜 상기 3차원 망상 구조를 형성하여 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 양방향 도전성 시트의 상기 베이스 구조부는 합성수지 재질, 실리콘, 폴리에스테르, 플라스틱 재질, 스테인리스 재질 또는 구리 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
KR1020120019503A 2012-02-27 2012-02-27 반도체 테스트 소켓 KR20120056237A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120019503A KR20120056237A (ko) 2012-02-27 2012-02-27 반도체 테스트 소켓

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120019503A KR20120056237A (ko) 2012-02-27 2012-02-27 반도체 테스트 소켓

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100117223A Division KR20120055815A (ko) 2010-10-27 2010-11-24 반도체 테스트 소켓

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120056237A true KR20120056237A (ko) 2012-06-01

Family

ID=46608463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120019503A KR20120056237A (ko) 2012-02-27 2012-02-27 반도체 테스트 소켓

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120056237A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462968B1 (ko) * 2013-12-19 2014-11-20 에이케이이노텍주식회사 반도체 테스트 소켓
KR20160134311A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 주식회사 아이에스시 이방 도전성 시트

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462968B1 (ko) * 2013-12-19 2014-11-20 에이케이이노텍주식회사 반도체 테스트 소켓
KR20160134311A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 주식회사 아이에스시 이방 도전성 시트

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9488675B2 (en) Test socket having high-density conductive unit, and method for manufacturing same
JP5319843B2 (ja) 両方向導電性シート及びその製造方法、両方向導電性多層シート、半導体検査ソケット
US6906541B2 (en) Electric resistance measuring connector and measuring device and measuring method for circuit board electric resistance
KR101573450B1 (ko) 테스트용 소켓
KR101823006B1 (ko) 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법
KR101366171B1 (ko) 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
KR101624689B1 (ko) 접속용 커넥터
KR101489186B1 (ko) 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법
KR101151880B1 (ko) 시트형 접속체, 그 시트형 접속체의 제조방법 및 테스트 소켓
KR101162175B1 (ko) 반도체 테스트 소켓
KR101262012B1 (ko) 반도체 테스트용 도전성 콘택터 및 그 제조방법
KR20100099598A (ko) 실리콘 콘택터 및 그 표면 처리 방법
KR20120056237A (ko) 반도체 테스트 소켓
KR101096586B1 (ko) 반도체 테스트 소켓의 제조방법, 양방향 도전성 다층 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓
KR101462968B1 (ko) 반도체 테스트 소켓
KR20120056238A (ko) 반도체 테스트 소켓
TWI542086B (zh) 異方性導電連接器及其製造方法
KR20120056235A (ko) 반도체 테스트 소켓
KR20120056236A (ko) 반도체 테스트 소켓
KR20120055815A (ko) 반도체 테스트 소켓
KR101096589B1 (ko) 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법
KR101747652B1 (ko) 양방향 도전성 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓, 양방향 도전성 시트의 제조방법
KR101142829B1 (ko) 양방향 도전성 시트, 이를 이용한 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법
KR101683010B1 (ko) 비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 탄성 컨택시트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 테스트 소켓
KR102734676B1 (ko) 전기적 검사를 위한 도전성 입자, 검사용 커넥터 및 도전성 입자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20120227

Patent event code: PA01071R01D

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120510

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20121128

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20120510

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I