KR20120048838A - Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system - Google Patents

Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system Download PDF

Info

Publication number
KR20120048838A
KR20120048838A KR1020100110236A KR20100110236A KR20120048838A KR 20120048838 A KR20120048838 A KR 20120048838A KR 1020100110236 A KR1020100110236 A KR 1020100110236A KR 20100110236 A KR20100110236 A KR 20100110236A KR 20120048838 A KR20120048838 A KR 20120048838A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
conductive
semiconductor layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020100110236A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101693869B1 (en
Inventor
배정혁
김현주
임우식
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100110236A priority Critical patent/KR101693869B1/en
Publication of KR20120048838A publication Critical patent/KR20120048838A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101693869B1 publication Critical patent/KR101693869B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Abstract

PURPOSE: A light emitting device, a fabricating method thereof, a light emitting device package, and a lighting system are provided to prevent an ohmic layer and a reflecting layer of a light emitting unit and an ohmic layer and a reflecting layer of a conductive unit from being shorted by forming a protective layer on the side of a second recess formed between the light emitting unit and the conductive unit. CONSTITUTION: A light emitting structure layer(135) includes a first conductive semiconductor layer(110), an active layer(120), and a second conductive semiconductor layer(130). An ohmic contact layer(150) is formed on a lower portion of the second conductive semiconductor layer. A reflecting layer(160) is formed on a lower portion of the ohmic contact layer. A first protective layer(140), a second protective layer(195), and a third protective layer(196) are formed on the inner side of the light emitting structure layer. The first protective film is formed between a light emitting unit(101) and a static electricity protection unit(103). A conductive supporting member(190) supports the static electricity protection unit and a conductive unit(104).

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}

본 발명은 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package and an illumination system.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 소자로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 소자는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that converts electrical energy into light. The light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, many studies have been conducted to replace the existing light source with a light emitting device, and the light emitting device has been increasingly used as a light source for lighting devices such as various lamps, liquid crystal display devices, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure.

실시예는 수직형 발광 소자에 정전 보호 소자를 내장할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of embedding an electrostatic protection device in a vertical light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예에 따른 발광 소자는 언도프트 영역, 상기 언도프트 영역의 내측에 형성되는 제1 도전영역 및 상기 언도프트 영역의 외측에 형성되는 제2 도전영역을 포함하는 전도성 지지부재; 상기 전도성 지지부재 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층이 상기 전도성 지지부재와 전기적으로 연결되는 발광부; 상기 발광부 상에 상기 제1 도전형 반도체층과 연결되는 제1 전극; 상기 전도성 지지부재 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 발광부와 이격되는 정전기 보호부; 및, 일단이 상기 정전기 보호부의 제1 도전형 반도체층과 접하고 타단이 상기 전도성 지지부재의 제1 도전영역과 접하는 제2 전극;을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a conductive support member including an undoped region, a first conductive region formed inside the undoped region, and a second conductive region formed outside the undoped region; A light emitting unit including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on the conductive support member, wherein the second conductive semiconductor layer is electrically connected to the conductive support member; A first electrode connected to the first conductivity type semiconductor layer on the light emitting part; An electrostatic protection unit including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on the conductive support member and spaced apart from the light emitting part; And a second electrode, one end of which is in contact with the first conductive semiconductor layer of the electrostatic protection unit and the other end of which is in contact with the first conductive region of the conductive support member.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure.

실시예는 수직형 발광 소자에 정전 보호 소자를 내장할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of embedding an electrostatic protection device in a vertical light emitting device, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도
도 2 내지 도 8은 실시 예에 따른 발광소자 제조과정을 나타낸 도면
도 9는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
도 10은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 유닛의 사시도.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment
2 to 8 are views illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment
9 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment
10 illustrates a backlight unit including a light emitting device according to an embodiment.
11 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer, region, pattern, or structure is formed “on” or “under” of a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. In the case described as "on" and "under" includes both "directly" or "indirectly" formed. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 발광부(101), 정전기 보호부(103), 도전부(104), 상기 발광부(101), 정전기 보호부(103) 및 도전부(104)를 지지하는 전도성 지지부재(190)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 includes a light emitting unit 101, an electrostatic protection unit 103, a conductive unit 104, the light emitting unit 101, an electrostatic protection unit 103, and a conductive unit 104. It includes a conductive support member 190 for supporting.

상기 발광부(101)는 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제2 도전형 반도체층(130), 오믹 접촉층(150), 제1 전극(115)을 포함한다.The light emitting unit 101 includes a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, a second conductive semiconductor layer 130, an ohmic contact layer 150, and a first electrode 115.

발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제2 도전형 반도체층(130)을 포함할 수 있고 상기 발광 구조층(135)의 내측면에는 제1 보호막(140), 제2 보호막(195) 및 제3 보호막(196)이 형성되어 상기 발광부(101) 및 정전기 보호부(103)를 전기적으로 분리한다. 상기 제1,2,3 보호막(140, 195, 196)은 SiO2, Si3N4, Al2O3 또는 TiO2 중 적어도 하나의 절연 물질로 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, and a second conductive semiconductor layer 130, and a first passivation layer may be formed on an inner surface of the light emitting structure layer 135. 140, a second passivation layer 195, and a third passivation layer 196 are formed to electrically separate the light emitting unit 101 and the electrostatic protection unit 103. The first, second , and third passivation layers 140, 195, and 196 may be formed of at least one insulating material of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3, or TiO 2 .

상기 제1 보호막(140)은 상기 발광부(101) 및 정전기 보호부(103)의 사이에 형성되고, 정전기 보호부(103) 및 도전부(104)의 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 보호막(140)은 상기 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제2 도전형 반도체층(130)이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.The first passivation layer 140 may be formed between the light emitting unit 101 and the electrostatic protection unit 103, and may be formed between the electrostatic protection unit 103 and the conductive unit 104. The first passivation layer 140 may prevent the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 from shorting.

상기 발광부(101) 및 정전기 보호부(103)의 사이에 형성되는 제1 보호막(140)은 홀(109)에 의해 분리될 수 있다. 상기 홀(109)에는 제1 보호막(140)이 형성되고, 상기 제1 보호막(140)의 외측에 제3 보호막(196)이 형성될 수 있다. 또한 상기 정전기 보호부(103) 측에 형성되는 제3 보호막(196)의 외측영역에는 제2 전극(131)이 형성되어 상기 정전기 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)과 상기 발광부(101)의 제2 도전형 반도체층(130)을 전기적으로 연결할 수 있다.The first passivation layer 140 formed between the light emitting unit 101 and the static electricity protection unit 103 may be separated by a hole 109. A first passivation layer 140 may be formed in the hole 109, and a third passivation layer 196 may be formed outside the first passivation layer 140. In addition, a second electrode 131 is formed at an outer region of the third passivation layer 196 formed at the side of the electrostatic protection unit 103, so that the first conductive semiconductor layer 110 of the electrostatic protection unit 103 and the The second conductive semiconductor layer 130 of the light emitting unit 101 may be electrically connected.

상기 발광부(101) 및 도전부(104)의 사이에 형성되는 제1 보호막(140)은 분리되지 않고 연결될 수 있다. 상기 도전부(104)는 제1 도전형 반도체층(110)이 노출되도록 상기 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)이 식각되어 형성될 수 있다.The first passivation layer 140 formed between the light emitting unit 101 and the conductive unit 104 may be connected without being separated. The conductive part 104 may be formed by etching the active layer 120 and the second conductive semiconductor layer 130 to expose the first conductive semiconductor layer 110.

상기 제2 보호막(195)은 상기 발광부(103) 및 도전부(104)의 사이에 형성된 제2 리세스(108)의 측면에 형성될 수 있다. 상기 제2 보호막(195)에 의해 상기 발광부(103)의 오믹층(150) 및 반사층(160)과 상기 도전부(104)의 오믹층(150) 및 반사층(160)이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.The second passivation layer 195 may be formed on a side surface of the second recess 108 formed between the light emitting unit 103 and the conductive unit 104. The second protective layer 195 prevents the ohmic layer 150 and the reflective layer 160 of the light emitting part 103 and the ohmic layer 150 and the reflective layer 160 of the conductive part 104 from being shorted. Can be.

상기 제3 보호막(196)은 상기 홀(109)이 형성된 상기 발광 구조층(135)의 내측면과 오믹층(150) 및 반사층(160)이 쇼트되는 것을 방지하며, 상기 발광부(101) 및 보호부(103)를 전기적으로 분리시킬 수 있다.The third passivation layer 196 may prevent the inner surface of the light emitting structure layer 135 in which the hole 109 is formed, the ohmic layer 150, and the reflective layer 160 from shorting, and the light emitting unit 101 and The protection part 103 may be electrically separated.

상기 제3 보호막(196)과 상기 전도성 지지부재(190)가 접하는 영역에 언도프트 영역(180)이 포함되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 언도프트 영역(180)은 상기 제3 보호막(196)과 전도성 지지부재(190)가 접하는 영역의 내부에서 정전기 보호부(103)측에 형성된 상기 제3 보호막(196)과 접하도록 형성될 수 있고, 상기 제2 보호막(195)과 전도성 지지부재(190)가 접하는 영역의 내부에서 도전부(104)측에 형성된 상기 제2 보호막(195)과 접하도록 형성될 수 있다.The undoped region 180 may be included in an area where the third passivation layer 196 and the conductive support member 190 contact each other. That is, the undoped region 180 is formed to be in contact with the third passivation layer 196 formed at the side of the static electricity protection unit 103 in an area where the third passivation layer 196 and the conductive support member 190 contact each other. The second protective layer 195 may be formed to be in contact with the second protective layer 195 formed at the conductive part 104 side in an area where the second protective layer 195 and the conductive support member 190 contact each other.

상기 제2 도전형 반도체층(130) 아래에는 오믹 접촉층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 한다.An ohmic contact layer 150 may be formed under the second conductive semiconductor layer 130. The ohmic contact layer 150 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 130 to smoothly supply power to the light emitting structure layer 135.

상기 오믹 접촉층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Pt, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.The ohmic contact layer 150 may selectively use a translucent conductive layer and a metal, and may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni, At least one of Ag, Pt, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO may be used to implement a single layer or multiple layers.

상기 오믹 접촉층(150) 아래에는 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)으로부터 입사되는 빛을 반사시켜 주어, 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The reflective layer 160 may be formed under the ohmic contact layer 150. The reflective layer 160 may reflect light incident from the light emitting structure layer 135, thereby improving the light emitting efficiency of the light emitting device 100.

상기 반사층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.The reflective layer 160 may be formed of, for example, a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf. Alternatively, the metal or alloy may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, and specifically, IZO / Ni, AZO / Ag, and IZO. / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, Ag / Pd / Cu and the like can be laminated.

상기 반사층(160) 아래에는 확산 방지막(DBL:Diffusion Blocking Layer)(170) 및 웨이퍼 본딩층(WBL:Wafer Bonding Layer)(175)이 형성될 수 있다. 웨이퍼 본딩시 발생하는 확산현상에 의해 금속이 반사층(160) 및 발광 구조층(135)에 도달하는 경우, 반사도 저하로 인하여 광도가 감소될 수 있고, 소자의 신뢰성이 저하할 수 있으므로 상기 확산 방지막(170)에 의하여 이를 방지할 수 있고 상기 확산 방지막(170)은 Ni, Nb, Pt, W 등의 물질로 형성될 수 있다.A diffusion blocking layer (DBL) 170 and a wafer bonding layer (WBL) 175 may be formed under the reflective layer 160. When the metal reaches the reflective layer 160 and the light emitting structure layer 135 due to the diffusion phenomenon generated during wafer bonding, the luminous intensity may be reduced due to the decrease in reflectivity and the reliability of the device may be lowered. 170 may be prevented and the diffusion barrier layer 170 may be formed of Ni, Nb, Pt, W, or the like.

그리고 웨이퍼 본딩층(175)은 상기 확산 방지막(170) 및 전도성 지지부재(190)에 접촉되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.In addition, the wafer bonding layer 175 may be in contact with the diffusion barrier layer 170 and the conductive support member 190 to enhance the adhesion between the layers.

상기 웨이퍼 본딩층(175)은 배리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Au/Sn, Pd/In, Pd/Sn, Ag/In, Ni/Sn, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The wafer bonding layer 175 may include a barrier metal or a bonding metal, for example, Au / Sn, Pd / In, Pd / Sn, Ag / In, Ni / Sn, Ti, Au, Sn, Ni, It may include at least one of Cr, Ga, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag or Ta.

상기 확산 방지막(170) 및 웨이퍼 본딩층(175) 아래에는 전도성 지지부재(190)가 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(190)는 상기 발광 구조층(135)을 지지할 수 있다.A conductive support member 190 may be formed below the diffusion barrier 170 and the wafer bonding layer 175. The conductive support member 190 may support the light emitting structure layer 135.

상기 전도성 지지부재(190)는 내부에 언도프트 영역(180)을 형성할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(190)는, 예를 들어 언도프트 기판상에 제2 도전형 도펀트를 선택적으로 주입하여 제1 도전영역(191)과 제2 도전영역(192)을 형성하고 상기 제2 도전형 도펀트가 도핑되지 않은 영역에 언도프트 영역(180)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 언도프트 기판상에 제2 도전형 도펀트를 주입하여 제1 도전영역(191)과 제2 도전영역(192)을 형성하였으나 제1 도전형 도펀트를 주입하여 제1 도전영역(191)과 제2 도전영역(192)을 형성할 수도 있다.The conductive support member 190 may form an undoped region 180 therein. For example, the conductive support member 190 may selectively inject a second conductivity type dopant on an undoped substrate to form a first conductive region 191 and a second conductive region 192, and may form the second conductive type. The undoped region 180 may be formed in the region where the dopant is not doped. In the present exemplary embodiment, the first conductive region 191 and the second conductive region 192 are formed by implanting a second conductivity type dopant on the undoped substrate, but the first conductive region 191 is implanted by implanting the first conductivity type dopant. And the second conductive region 192 may be formed.

상기 도전부(104)의 제2 도전형 반도체층(130) 및 활성층(120)이 식각되므로, 상기 도전부(104)의 제1 도전형 반도체층(110)이 상기 전도성 지지부재(190)의 제2 도전영역(192)을 통해 상기 정전기 보호부(103)의 제2 도전형 반도체층(130)과 전기적으로 연결될 수 있다.Since the second conductive semiconductor layer 130 and the active layer 120 of the conductive portion 104 are etched, the first conductive semiconductor layer 110 of the conductive portion 104 is formed of the conductive support member 190. The second conductive region 192 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 130 of the static electricity protection unit 103.

상기 반도체 발광소자(100)에는 크게 발광부(101)와 정전기 보호부(103)로 분리되어 형성됨으로써, ESD로부터 발광부(101)를 보호할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(115)과 상기 제2 전극(131)을 통해 순방향 바이어스를 공급하면, 반도체 발광소자(100)는 LED 영역에서 동작하게 된다. 또한 ESD 전압이 인가되면 상기 정전기 보호부(103)가 동작하여 발광부(101)를 보호하게 된다.The semiconductor light emitting device 100 may be largely divided into a light emitting unit 101 and an electrostatic protection unit 103, thereby protecting the light emitting unit 101 from ESD. That is, when the forward bias is supplied through the first electrode 115 and the second electrode 131, the semiconductor light emitting device 100 operates in the LED region. In addition, when the ESD voltage is applied, the electrostatic protection unit 103 operates to protect the light emitting unit 101.

상기 전도성 지지부재(190)는 예를 들어, Cu, Au, W, Al, Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO 또는 SiC 중 적어도 하나를 포함할 수 있고 본 실시예에서는 Si를 예로 들어 설명한다. 상기 전도성 지지부재(190)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 30μm 내지 500μm의 두께를 가질 수 있다.The conductive support member 190 may include, for example, at least one of Cu, Au, W, Al, Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO, or SiC. In this embodiment, Si is described as an example. do. The thickness of the conductive support member 190 may vary depending on the design of the light emitting device 100, but may have, for example, a thickness of 30 μm to 500 μm.

상기 제1 도전형 반도체층(110) 위에는 제1 전극(115)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(115)은 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 115 may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 110. The first electrode 115 may be branched in a predetermined pattern shape, but is not limited thereto.

또한, 상기 제1 전극(115)은 적어도 하나의 패드, 상기 패드에 연결된 적어도 한 가지 형상의 전극 패턴이 동일 또는 상이한 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the first electrode 115 may have at least one pad and an electrode pattern having at least one shape connected to the pads having the same or different stacked structure, but is not limited thereto.

제2 전극(131)은 일단이 정전기 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)에 연결되며, 타단이 제2 도전형 도펀트로 일부영역이 도핑된 전도성 지지부재(190)의 제1 도전영역(191)을 통하여 발광부(101)의 제2 도전형 반도체층(130)과 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.One end of the second electrode 131 is connected to the first conductivity type semiconductor layer 110 of the static electricity protection unit 103, and the other end of the second electrode 131 is formed of the conductive support member 190 doped with a portion of the second conductivity type dopant. The first conductive region 191 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 130 of the light emitting unit 101.

상기 정전기 보호부(103)는 상기 발광부(101)의 50% 미만의 면적으로 형성될 수 있고, 상기 활성층(120)의 면적을 확보하기 위하여 바람직하게는 10~20%의 면적으로 형성될 수 있다.The electrostatic protection unit 103 may be formed of less than 50% of the area of the light emitting unit 101, preferably in an area of 10 to 20% to secure the area of the active layer 120. have.

상기 구성에 의하여 상기 발광부(101)와 정전기 보호부(103)는 발광 소자(100)의 내부에서 상기 제2전극(131)과 전도성 지지부재(190)의 제1 도전영역(191)을 통해 정전기 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)과 발광부(101)의 제2 도전형 반도체층(130)이 전기적으로 연결되고, 상기 언도프트 영역(180)의 외측에 형성된 제2 도전영역(192)을 통해 발광부(101)의 제1 도전형 반도체층(110)과 정전기 보호부(103)의 제2 도전형 반도체층(130)이 전기적으로 연결되어 ESD 전압은 상기 정전기 보호부(103)로 통과하게 되므로, 상기 발광부(101)를 보호할 수 있게 되어 발광 소자(100)의 신뢰성이 향상될 수 있고 언도프트 영역(180)을 포함하여 선택적으로 도핑된 상기 전도성 지지부재(190)가 발광 구조층(135)과 연결되므로 전도성 지지부재(190)의 접착과정에서 정전기 보호부(103)를 형성할 수 있으므로 공정이 단순화될 수 있다.By the above configuration, the light emitting unit 101 and the electrostatic protection unit 103 may be formed in the light emitting device 100 through the first conductive region 191 of the second electrode 131 and the conductive support member 190. The first conductive semiconductor layer 110 of the electrostatic protection unit 103 and the second conductive semiconductor layer 130 of the light emitting unit 101 are electrically connected to each other and are formed outside the undoped region 180. The first conductive semiconductor layer 110 of the light emitting unit 101 and the second conductive semiconductor layer 130 of the electrostatic protection unit 103 are electrically connected to each other through the second conductive region 192. Since it passes through the protection unit 103, the light emitting unit 101 can be protected, so that the reliability of the light emitting device 100 can be improved, and the doped conductive support, including the undoped region 180, is selectively doped. Since the member 190 is connected to the light emitting structure layer 135, the electrostatic protection unit 103 is formed during the bonding process of the conductive support member 190. This can simplify the process.

도 2 내지 도 8은 실시예에 따른 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.2 to 8 are views showing a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.

도 2를 참조하면, 성장 기판(105) 상에 발광 구조층(135)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting structure layer 135 may be formed on the growth substrate 105.

상기 성장 기판(105)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 본 실시예에서는 Si을 예를 들어 설명한다.The growth substrate 105 may be formed of, for example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, but is not limited thereto. In this embodiment, Si is described as an example.

상기 발광 구조층(135)은 상기 성장 기판(105) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 순차적으로 성장함으로써 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed by sequentially growing the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 on the growth substrate 105. .

상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer 135 may include, for example, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like may be formed using, but are not limited thereto.

한편, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 성장 기판(105) 사이에는 둘 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be formed between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 105 to alleviate the lattice constant difference between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 105.

상기 제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?ⅤⅢ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 또는 AlGaInP 중 적어도 하나로 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 is a first conductive type dopant is doped Ⅲ? ⅤⅢ? Formula of a compound semiconductor of group elements Ⅴ is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤≤x≤1 , 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, or AlGaInP. have. When the first conductivity type semiconductor layer 110 is an N type semiconductor layer, the first conductivity type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a-bN (0≤a≤1, 0 ≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 120 is formed on the first conductive semiconductor layer 110 and may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum line structure. For example, when the active layer 120 has a quantum well structure, a well layer having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) And In a Al b Ga 1 -ab N (0 ≦ a ≦ 1 , 0 ≦ b ≦ 1 , 0 ≦ a + b ≦ 1), and may have a single or quantum well structure having a barrier layer having a compositional formula. The well layer may be formed of a material having a lower band gap than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on or under the active layer 120, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

상기 활성층(120) 위에는 제2 도전형 반도체층(130)이 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(130)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Be, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함할 수 있다.A second conductive semiconductor layer 130 is formed on the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 is a compound semiconductor of a group III-V element doped with a second conductivity type dopant. x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) , and, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs , GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. When the second conductivity type semiconductor layer 130 is a P type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include a P type dopant such as Mg, Be, or Zn.

또한 상기 제2 도전형 반도체층(130) 위에는 제3 도전형 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 여기서 제 3도전형 반도체층은 제2 도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우 p형 반도체층으로 형성되며, p형 반도체층인 경우 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 발광부(101)는 np 접합, pn 접합, npn 접합, 또는 pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, a third conductive semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductive semiconductor layer 130. In addition, the first conductive semiconductor layer 110 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 130 may be implemented as an n-type semiconductor layer. The third conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer when the second conductive semiconductor layer is an n-type semiconductor layer, and may be implemented as an n-type semiconductor layer when the p-type semiconductor layer is a p-type semiconductor layer. The light emitting unit 101 may include at least one of an np junction, a pn junction, an npn junction, or a pnp junction structure.

도 3을 참고하면, 상기 발광 구조층(135)의 일부가 식각되어 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 일부가 노출되도록, 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)를 복수의 영역에 형성할 수 있다. 상기 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)에 의해 발광부(101), 정전기 보호부(103) 및 도전부(104)가 형성되는 영역으로 분리될 수 있다. 상기 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)는 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭 또는 KOH, H2SO4, H3PO4와 같은 에천트를 사용한 웨트 에칭을 사용하여 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 3, a portion of the light emitting structure layer 135 is etched to expose a portion of the first conductivity type semiconductor layer 110 to expose the first recess 107 and the second recess 108. It can form in several area | regions. The light emitting portion 101, the static electricity protection portion 103, and the conductive portion 104 may be separated by the first recess 107 and the second recess 108. The first and second recesses 107 and 108 may be formed using a dry etch such as an inductively coupled plasma (ICP) or wet etch using an etchant such as KOH, H 2 SO 4 , H 3 PO 4. It may be practiced, but not limited thereto.

상기 제1 리세스(107)는 둘레의 활성층(120)이 식각되지 않도록 형성하고, 상기 제2 리세스(108)는 제2 리세스(108)를 기준으로 상기 제1 리세스(107) 맞은편의 제1 도전형 반도체층(110) 및 활성층(120)이 식각되어 제1 도전형 반도체층(110)이 노출되도록 형성할 수 있다.The first recess 107 is formed to prevent the circumference of the active layer 120 from being etched, and the second recess 108 is formed to face the first recess 107 based on the second recess 108. The first conductive semiconductor layer 110 and the active layer 120 may be etched to expose the first conductive semiconductor layer 110.

도 3에서 상기 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)를 형성하는 발광 구조층(135)의 측면은 상기 발광 구조층(135)의 주면에 대하여 수직하게 형성되었으나 상기 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)의 폭이 상기 제2 도전형 반도체층(130)으로부터 상기 제1 도전형 반도체층(110)에 인접할수록 증가하거나 또는 감소하도록 사다리꼴 형상으로 형성될 수도 있다.In FIG. 3, the side surface of the light emitting structure layer 135 forming the first recess 107 and the second recess 108 is formed perpendicular to the main surface of the light emitting structure layer 135. The width of the recesses 107 and the second recesses 108 may be formed in a trapezoidal shape so as to increase or decrease from the second conductive semiconductor layer 130 to the first conductive semiconductor layer 110. have.

도 4를 참조하면, 상기 제1 리세스(107) 및 제2 리세스(108)를 형성하는 발광 구조층(135)의 내측면에 제1 보호막(140)이 형성된다. 제1 리세스(107)에 형성되는 상기 제1 보호막(140)은 발광 구조층(135)의 내측면과 제2 도전형 반도체층(130) 상에 형성될 수 있고, 상기 제2 리세스(108)에 형성되는 제1 보호막(140)은 일단이 제2 도전형 반도체층(130) 및 발광 구조층(135)의 내측면에 형성되고 제1 도전형 반도체층(110)을 통해 타단이 제1 도전형 반도체층(110)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a first passivation layer 140 is formed on an inner surface of the light emitting structure layer 135 forming the first recess 107 and the second recess 108. The first passivation layer 140 formed in the first recess 107 may be formed on the inner surface of the light emitting structure layer 135 and the second conductive semiconductor layer 130. One end of the first passivation layer 140 formed on the 108 may be formed on the inner surfaces of the second conductive semiconductor layer 130 and the light emitting structure layer 135, and the other end may be formed through the first conductive semiconductor layer 110. It may be formed to cover a portion of the first conductivity type semiconductor layer 110.

상기 제1 보호막(140)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있으나 이에 대해 한정하지 않는다. 상기 제1 보호막(140)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 등의 절연 물질 중에서 형성될 수 있고, 상기 발광 구조층(135)이 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.The first passivation layer 140 may be formed using a method such as electron beam (E-beam) deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), but is not limited thereto. The first passivation layer 140 may be formed of an insulating material such as SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , and may prevent the light emitting structure layer 135 from being electrically shorted. .

도 5를 참조하면, 상기 제1,2 도전형 반도체층(110, 130)과 상기 제1 보호막(140) 상에 오믹 접촉층(150), 반사층(160), 확산 방지막(170) 및 웨이퍼 본딩층(175)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, an ohmic contact layer 150, a reflective layer 160, a diffusion barrier 170, and a wafer bonding are formed on the first and second conductivity-type semiconductor layers 110 and 130 and the first passivation layer 140. Layer 175 may be formed.

상기 오믹 접촉층(150), 반사층(160), 확산 방지막(170) 및 웨이퍼 본딩층(175)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 150, the reflective layer 160, the diffusion barrier 170, and the wafer bonding layer 175 may be, for example, electron beam (E-beam) deposition, sputtering, or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). It can be formed by any one of the method).

상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)으로부터 입사되는 빛을 반사할 수 있으며, 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층될 수 있다.The reflective layer 160 may reflect light incident from the light emitting structure layer 135 and may be, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or It may be formed of a metal or an alloy containing at least one of Hf. Alternatively, the metal or alloy may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, and specifically, IZO / Ni, AZO / Ag, and IZO. / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like can be laminated.

다음으로, 상기 반사층(160) 위에 확산 방지막(170) 및 웨이퍼 본딩층(175)을 형성할 수 있다.Next, the diffusion barrier 170 and the wafer bonding layer 175 may be formed on the reflective layer 160.

다음으로, 제2 리세스(108)를 형성하는 발광 구조층(135)의 내측면에 제2 보호막(195)을 형성할 수 있다. 상기 제2 보호막(195)은 상기 제2 리세스(108)의 측면 및 웨이퍼 본딩층(175) 상의 일부에 형성될 수 있고 상기 제2 리세스(108)를 전부 메우도록 형성할 수도 있다.Next, a second passivation layer 195 may be formed on the inner surface of the light emitting structure layer 135 forming the second recess 108. The second passivation layer 195 may be formed on a side surface of the second recess 108 and a portion of the wafer bonding layer 175 and may be formed to completely fill the second recess 108.

상기 제2 보호막(195)은 제1 보호막(140)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.The second passivation layer 195 may be formed in the same manner as the first passivation layer 140.

도 6을 참조하면, 상기 확산 방지막(170) 및 웨이퍼 본딩층(175) 위에 전도성 지지부재(190)를 형성할 수 있다. 본 실시예에서 상기 전도성 지지부재(190)는 도핑되지 않은 실리콘(Si) 기판상에 제2 도전형 도펀트를 선택적으로 주입(implantation)하여 제2 도전형 도펀트로 도핑된 영역을 선택적으로 형성하여 제1 도전영역(191), 언도프트 영역(180) 및 제2 도전영역(192)을 포함하도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a conductive support member 190 may be formed on the diffusion barrier 170 and the wafer bonding layer 175. In this embodiment, the conductive support member 190 selectively implants a second conductivity type dopant on an undoped silicon (Si) substrate to selectively form a region doped with the second conductivity type dopant. It may be formed to include the first conductive region 191, the undoped region 180, and the second conductive region 192.

상기 언도프트 영역(180)에 의하여 제1 도전영역(191)과 제2 도전영역(192)이 전기적으로 분리될 수 있다.The first conductive region 191 and the second conductive region 192 may be electrically separated by the undoped region 180.

본 실시예에서 상기 언도프트 영역(180)은 단면이 'ㄷ'자 형상으로 형성되었으나 상기 언도프트 영역(180)의 외측에 형성되는 제2 도전영역(192)을 통하여 정전기 보호부(103)의 제2 도전형 반도체층(130)과 발광부(101)의 제1 도전형 반도체층(110)이 전기적으로 연결되고, 제1 도전영역(191)에 의하여 상기 발광부(101)의 제2 도전형 반도체층(130)과 정전기 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)이 절연되는 구조로 형성되면 족하고 특정한 형상으로 한정되지 않는다.In the present exemplary embodiment, the undoped region 180 has a cross-sectional shape having a 'c' shape, but the second conductive region 192 is formed outside the undoped region 180 so that the undoped region 180 may be formed. The second conductive semiconductor layer 130 and the first conductive semiconductor layer 110 of the light emitting unit 101 are electrically connected, and the second conductive layer of the light emitting unit 101 is formed by the first conductive region 191. If the semiconductor layer 130 and the first conductivity-type semiconductor layer 110 of the static electricity protection unit 103 is formed in an insulating structure, it is not limited to a specific shape.

도 7을 참고하면, 도 6의 발광 소자에서 성장 기판(105)을 제거할 수 있다. 상기 성장기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 또는 에칭 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있고, 상기 성장기판(101)을 제거함에 따라, 제1 도전형 반도체층(110)의 표면이 노출된다.Referring to FIG. 7, the growth substrate 105 may be removed from the light emitting device of FIG. 6. The growth substrate 101 may be removed by at least one method of laser lift off or etching. As the growth substrate 101 is removed, the growth substrate 101 may be removed. The surface is exposed.

다음으로 제1 리세스(107)가 형성된 제1 도전형 반도체층(110)의 일부를 식각하여 홀(109)을 형성한다. 상기 홀(109)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 홀(109)의 형상에 대응하는 패턴을 포함하는 패턴 마스크를 형성하고, 상기 패턴 마스크를 따라 에칭 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.Next, a portion of the first conductive semiconductor layer 110 in which the first recess 107 is formed is etched to form a hole 109. The hole 109 is formed by forming a pattern mask including a pattern corresponding to the shape of the hole 109 on the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 and performing an etching process along the pattern mask. Can be.

도 8을 참고하면, 상기 홀(109)이 형성된 발광 구조층(135), 오믹 접촉층(150), 반사층(160), 확산 방지막 및 웨이퍼 본딩층(170)의 측면에 제3 보호막(196)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8, the third passivation layer 196 may be disposed on side surfaces of the light emitting structure layer 135, the ohmic contact layer 150, the reflective layer 160, the diffusion barrier layer, and the wafer bonding layer 170 on which the holes 109 are formed. Can be formed.

다음으로, 발광부(101)의 제1 도전형 반도체층(110) 위에 제1 전극(115)이 형성되고, 제2 전극(131)이 일단은 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)에 접하고 타단은 제1 도전영역(191)에 접하도록 형성되어 보호부(103)의 제1 도전형 반도체층(110)과 발광부(101)의 제2 도전형 반도체층(130)이 전기적으로 연결될 수 있다.Next, a first electrode 115 is formed on the first conductive semiconductor layer 110 of the light emitting unit 101, and one end of the second electrode 131 is the first conductive semiconductor layer of the protection unit 103. The first conductive semiconductor layer 110 of the protection unit 103 and the second conductive semiconductor layer 130 of the light emitting unit 101 are formed to be in contact with the 110 and the other end thereof is in contact with the first conductive region 191. This can be electrically connected.

상기 도전부(104)의 제1 도전형 반도체층(110)과 정전기 보호부(103)의 제2 도전형 반도체층(130)이 상기 제2 도전영역(192)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 110 of the conductive part 104 and the second conductive semiconductor layer 130 of the electrostatic protection part 103 may be electrically connected through the second conductive region 192.

상기 제1 전극(115) 및 제2 전극(131)은 전기 전도성이 좋은 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Ti, Ni, Cr, Au, 또는 Cu 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지 않는다.The first electrode 115 and the second electrode 131 may be formed of a material having good electrical conductivity. For example, the first electrode 115 and the second electrode 131 may be formed of at least one of Ti, Ni, Cr, Au, or Cu. It does not limit to this.

도 9를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(30)와, 상기 패키지 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 패키지 몸체(30)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the light emitting device package according to the embodiment may include a package body 30, a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 installed on the package body 30, and the package body 30. The light emitting device 100 is installed at and electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32, and a molding member 40 surrounding the light emitting device 100.

상기 패키지 몸체(30)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 측면이 경사면으로 형성된 캐비티를 가질 수 있다.The package body 30 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and may have a cavity having an inclined side surface.

상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, and externally generate heat generated from the light emitting device 100. May also act as a drain.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체(30) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be installed on the package body 30 or on the first electrode layer 31 or the second electrode layer 32.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제1 전극층(31)과 와이어(50)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제2 전극층(32)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method. In the exemplary embodiment, the light emitting device 100 is electrically connected to the first electrode layer 31 through the wire 50 and directly connected to the second electrode layer 32.

상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 40 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.

도 10은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 10의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.10 is a diagram illustrating a backlight unit including a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment. However, the backlight unit 1100 of FIG. 10 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 10을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 10, the backlight unit 1100 may include a bottom frame 1140, an optical guide member 1120 disposed in the bottom frame 1140, and at least one side or bottom surface of the optical guide member 1120. It may include a light emitting module 1110 disposed in. In addition, a reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120.

상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom frame 1140 may be formed by forming a box having an upper surface open to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1110, and the reflective sheet 1130. Or it may be formed of a resin material but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.The light emitting module 1110 may include a substrate 300 and a light emitting device package 200 according to a plurality of embodiments mounted on the substrate. The plurality of light emitting device packages 200 may provide light to the light guide member 1120.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom frame 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120. can do.

다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting module 1110 may be disposed under the bottom frame 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120, which is according to the design of the backlight unit 1100. Since various modifications are possible, the present invention is not limited thereto.

상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom frame 1140. The light guide member 1120 may guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel by surface light source.

상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guide plate may be formed of, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC, and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.The optical sheet 1150 may be disposed above the light guide member 1120.

상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by stacking the diffusion sheet, the light collecting sheet, the luminance increasing sheet, and the fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 may evenly diffuse the light emitted from the light emitting module 1110, and the diffused light may be focused onto a display panel (not shown) by the light collecting sheet. In this case, the light emitted from the light collecting sheet is randomly polarized light, and the luminance increasing sheet may increase the degree of polarization of the light emitted from the light collecting sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and vertical prism sheet. In addition, the luminance increase sheet may be, for example, a roughness enhancement film. In addition, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film containing a phosphor.

상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may reflect light emitted through the bottom surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120.

상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1130 may be formed of a resin material having good reflectance, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

도 11은 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 11의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.11 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments. However, the lighting unit 1200 of FIG. 11 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 11을 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the lighting unit 1200 is installed in the case body 1210, the light emitting module 1230 installed in the case body 1210, and the case body 1210, and provides power from an external power source. It may include a receiving connection terminal 1220.

상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having good heat dissipation characteristics, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting module 1230 may include a substrate 300 and a light emitting device package 200 according to at least one embodiment mounted on the substrate 300.

상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.The substrate 300 may have a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 300 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the at least one embodiment may be mounted on the substrate 300. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have a combination of various light emitting diodes in order to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI). In addition, a fluorescent sheet may be further disposed on a path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 finally passes white light through the fluorescent sheet. Will be shown.

상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 11에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. According to FIG. 11, the connection terminal 1220 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the lighting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet may be disposed on a propagation path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함함으로써 광 효율이 향상될 수 있다.As described above, the lighting system according to the embodiments may improve the light efficiency by including the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (8)

언도프트 영역, 상기 언도프트 영역의 내측에 형성되는 제1 도전영역 및 상기 언도프트 영역의 외측에 형성되는 제2 도전영역을 포함하는 전도성 지지부재;
상기 전도성 지지부재 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층이 상기 전도성 지지부재와 전기적으로 연결되는 발광부;
상기 발광부 상에 상기 제1 도전형 반도체층과 연결되는 제1 전극;
상기 전도성 지지부재 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 발광부와 이격되는 정전기 보호부; 및,
일단이 상기 정전기 보호부의 제1 도전형 반도체층과 접하고 타단이 상기 전도성 지지부재의 제1 도전영역과 접하는 제2 전극;을 포함하는 발광 소자.A conductive support member including an undoped region, a first conductive region formed inside the undoped region, and a second conductive region formed outside the undoped region;
A light emitting unit including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on the conductive support member, wherein the second conductive semiconductor layer is electrically connected to the conductive support member;
A first electrode connected to the first conductivity type semiconductor layer on the light emitting part;
An electrostatic protection unit including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer on the conductive support member and spaced apart from the light emitting part; And,
And a second electrode having one end contacting the first conductive semiconductor layer of the electrostatic protection unit and the other end contacting the first conductive region of the conductive support member. 제 1항에 있어서,
상기 정전기 보호부의 제2 도전형 반도체층과 상기 발광부의 제1 도전형 반도체층은 상기 제2 도전영역에 의해 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The second conductive semiconductor layer of the electrostatic protection unit and the first conductive semiconductor layer of the light emitting unit are formed by the second conductive region. 제 1항에 있어서,
상기 전도성 지지부재와 제2 도전형 반도체층 사이에 반사층을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting device further comprises a reflective layer between the conductive support member and the second conductive semiconductor layer. 제 1항에 있어서,
상기 정전기 보호부 및 발광부의 사이에 형성되는 제1 리세스 및 상기 발광부의 내부에 형성되는 제2 리세스를 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The light emitting device further comprises a first recess formed between the electrostatic protection unit and the light emitting unit, and a second recess formed inside the light emitting unit. 제 4항에 있어서,
상기 제1,2 리세스의 측면에 형성되는 보호막을 더 포함하는 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The light emitting device further comprises a passivation layer formed on side surfaces of the first and second recesses. 제 1항에 있어서,
상기 발광부 및 정전기 보호부 상의 일부 영역과 측면에 형성되는 보호막을 형성하는 발광 소자.The method of claim 1,
A light emitting device for forming a protective film formed on the side and the partial region on the light emitting portion and the electrostatic protection. 제1항에 있어서,
상기 제1 도전영역 및 제2 도전영역은 상기 언도프트 영역에 의해 전기적으로 절연되는 발광 소자.The method of claim 1,
The first conductive region and the second conductive region are electrically insulated by the undoped region. 제1항에 있어서,
상기 전도성 지지부재는 Cu, Au, W, Al, Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO 또는 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The conductive support member includes at least one of Cu, Au, W, Al, Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO or SiC.
KR1020100110236A 2010-11-08 2010-11-08 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system KR101693869B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100110236A KR101693869B1 (en) 2010-11-08 2010-11-08 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100110236A KR101693869B1 (en) 2010-11-08 2010-11-08 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120048838A true KR20120048838A (en) 2012-05-16
KR101693869B1 KR101693869B1 (en) 2017-01-06

Family

ID=46266936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100110236A KR101693869B1 (en) 2010-11-08 2010-11-08 Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101693869B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100011116A (en) * 2008-07-24 2010-02-03 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
KR20100042987A (en) * 2008-10-17 2010-04-27 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof, light emitting apparatus having the same
KR20100067441A (en) * 2008-12-11 2010-06-21 삼성엘이디 주식회사 Vertical semiconductor light emitting device with esd protection

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100011116A (en) * 2008-07-24 2010-02-03 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
KR20100042987A (en) * 2008-10-17 2010-04-27 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof, light emitting apparatus having the same
KR20100067441A (en) * 2008-12-11 2010-06-21 삼성엘이디 주식회사 Vertical semiconductor light emitting device with esd protection

Also Published As

Publication number Publication date
KR101693869B1 (en) 2017-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114191B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device
KR101154709B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
US8994001B2 (en) Light emitting device for improving a light emission efficiency
KR101034144B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120020061A (en) Light emitting device, light emitting device package, light unit
KR101803569B1 (en) Light emitting device
KR20120039412A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120048413A (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20110115384A (en) Light emitting device and method for manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
KR102075151B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20120014972A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20130009040A (en) Light emitting device, method of fabricating light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20120006257A (en) Electrode, light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR20110118333A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120019750A (en) Light emitting device
KR101776302B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20120042516A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20130031674A (en) Light emitting device, light emitting device package, light unit, and method for fabricating light emitting device
KR101683901B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101693869B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101664501B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101765912B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101873590B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR20120029868A (en) Light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101724708B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191209

Year of fee payment: 4