KR20120029868A - Light emitting device, light emitting device package and lighting system - Google Patents

Light emitting device, light emitting device package and lighting system Download PDF

Info

Publication number
KR20120029868A
KR20120029868A KR1020100091968A KR20100091968A KR20120029868A KR 20120029868 A KR20120029868 A KR 20120029868A KR 1020100091968 A KR1020100091968 A KR 1020100091968A KR 20100091968 A KR20100091968 A KR 20100091968A KR 20120029868 A KR20120029868 A KR 20120029868A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting device
light
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020100091968A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김소정
정환희
최광기
송준오
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100091968A priority Critical patent/KR20120029868A/en
Publication of KR20120029868A publication Critical patent/KR20120029868A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Abstract

PURPOSE: A light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system are provided to improve luminous efficiency by forming a current blocking layer in contact with a second conductive semiconductor layer. CONSTITUTION: An active layer(120) is formed on the lower side of a first conductive semiconductor layer(110). A second conductive semiconductor layer is formed on the lower side of the active layer. A first protection layer(185) is formed on the sides of the active layer and the first and second conductive semiconductor layers. A second protection layer(187) is formed on the first protection layer. A metal layer(186) covers a part of the first protection layer.

Description

발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}

본 발명은 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device package and an illumination system.

Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체(group Ⅲ?Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.Group III-V nitride semiconductors have been spotlighted as core materials of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties. The III-V conductive semiconductors are usually made of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). .

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that transmits and receives signals by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of a compound semiconductor.

이러한 도전형 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.It is widely used in light emitting devices for obtaining light of LEDs or LDs using such conductive semiconductor materials, and has been applied to light sources of various products such as keypad light emitting units, electronic displays, and lighting devices of mobile phones.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예는 광추출 효율이 개선된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층의 하부에 형성되는 활성층; 상기 활성층의 하부에 형성되는 제2 도전형 반도체층; 상기 제1, 제2 도전형 반도체층 및 활성층의 측면에 형성되는 제1 보호막; 및 상기 제1 보호막의 일부를 덮도록 형성되는 메탈층;을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment may include a first conductivity type semiconductor layer; An active layer formed under the first conductive semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer formed under the active layer; A first passivation layer formed on side surfaces of the first and second conductivity-type semiconductor layers and the active layer; And a metal layer formed to cover a portion of the first passivation layer.

실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

실시예는 광추출 효율이 개선된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2 내지 도 16은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 17은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 18은 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
도 19는 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면
도 20은 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment
2 to 16 illustrate a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
17 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment;
18 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment
19 illustrates a backlight unit including a light emitting device package according to embodiments.
20 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device or a light emitting device package according to embodiments.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조층들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure layer is formed on or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as "to", "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a lighting system according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지부재(175), 상기 전도성 지지부재(175) 상에 형성되어 빛을 생성하며, 상면의 전 영역에 광추출패턴(112)이 형성된 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)과, 상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에 형성된 보호막(180)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 according to the embodiment is formed on the conductive support member 175 and the conductive support member 175 to generate light, and the light extraction pattern 112 is formed on the entire area of the upper surface. The light emitting structure layer 135 may be formed, an electrode 115 may be disposed on the light emitting structure layer 135, and a passivation layer 180 may be formed on upper and side surfaces of the light emitting structure layer 135.

또한, 상기 전도성 지지부재(175) 및 상기 발광 구조층(135) 사이에는 보호부재(140), 오믹층(150), 반사층(160), 접합층(170) 및 전류 차단층(145)이 형성될 수 있다.In addition, a protective member 140, an ohmic layer 150, a reflective layer 160, a bonding layer 170, and a current blocking layer 145 are formed between the conductive support member 175 and the light emitting structure layer 135. Can be.

상기 발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 포함하며, 상기 제1,2 도전형 반도체층(110,130)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(120)에서 재결합(Recombination)됨으로써 빛을 생성할 수 있다.The light emitting structure layer 135 includes a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, and a second conductive semiconductor layer 130, and is provided from the first and second conductive semiconductor layers 110 and 130. The electrons and holes may be recombined in the active layer 120 to generate light.

상기 전도성 지지부재(175)는 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 30μm 내지 500μm의 두께를 가질 수 있다.The conductive support member 175 may support the light emitting structure layer 135 and provide power to the light emitting structure layer 135 together with the electrode 115. The conductive support member 175 may include, for example, copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.) may be included. The thickness of the conductive support member 175 may vary depending on the design of the light emitting device 100, but may have, for example, a thickness of 30 μm to 500 μm.

상기 전도성 지지부재(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사층(160)과 상기 보호부재(140) 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 외측면이 노출되며, 상기 반사층(160), 상기 오믹층(150)의 단부 및 상기 보호부재(140)에 접촉되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The bonding layer 170 may be formed on the conductive support member 175. The bonding layer 170 is a bonding layer, and is formed under the reflective layer 160 and the protective member 140. An outer surface of the bonding layer 170 may be exposed, and the bonding layer 170 may be in contact with the reflective layer 160, an end of the ohmic layer 150, and the protective member 140 to enhance adhesion between the layers.

상기 접합층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 170 may include a barrier metal or a bonding metal, and may include, for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta. .

상기 접합층(170) 상에는 상기 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)으로부터 입사되는 빛을 반사시켜 주어, 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The reflective layer 160 may be formed on the bonding layer 170. The reflective layer 160 may reflect light incident from the light emitting structure layer 135, thereby improving the light emitting efficiency of the light emitting device 100.

상기 반사층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층될 수 있다.The reflective layer 160 may be formed of, for example, a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, or Hf. Alternatively, the metal or alloy may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, and specifically, IZO / Ni, AZO / Ag, and IZO. / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like can be laminated.

상기 반사층(160) 상에는 상기 오믹층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹층(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등으로 구현될 수 있다.The ohmic layer 150 may be formed on the reflective layer 160. The ohmic layer 150 is in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 130 to smoothly supply power to the light emitting structure layer 135, and may include ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO or the like.

즉, 상기 오믹층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.That is, the ohmic layer 150 may selectively use a translucent conductive layer and a metal, and may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide (IZO). , Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni , Ag, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO can be implemented in a single layer or multiple layers.

상기 오믹층(150) 내에는 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 접촉하도록 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지부재(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.A current blocking layer (CBL) 145 may be formed in the ohmic layer 150 to contact the second conductive semiconductor layer 130. The current blocking layer 145 may be formed such that at least a portion of the current blocking layer 145 overlaps with the electrode 115 in a vertical direction, thereby concentrating current to the shortest distance between the electrode 115 and the conductive support member 175. The light emitting efficiency of the light emitting device 100 may be improved by alleviating the phenomenon.

상기 전류 차단층(145)은 전기 절연성을 갖는 재질, 상기 반사층(160) 또는 상기 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함한다. The current blocking layer 145 may be formed of a Schottky contact with a material having electrical insulation, a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 160 or the bonding layer 170, and the second conductive semiconductor layer 130. It may be formed using at least one of the materials, for example, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , At least one of Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, or Cr.

한편, 상기 전류 차단층(145)은 상기 오믹층(150)과 상기 제2 도전형 반도체층(130) 사이에 형성되거나, 상기 반사층(160)과 상기 오믹층(150) 사이에 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 145 may be formed between the ohmic layer 150 and the second conductive semiconductor layer 130, or may be formed between the reflective layer 160 and the ohmic layer 150. It does not limit to this.

상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에는 상기 보호부재(140)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있다.The protective member 140 may be formed in a circumferential region of the upper surface of the bonding layer 170. That is, the protection member 140 may be formed in the peripheral region between the light emitting structure layer 135 and the bonding layer 170.

상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135) 및 상기 접합층(170)과 상기 전도성 지지부재(175)가 전기적 쇼트를 일으키는 것을 최소화할 수 있으며, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 전도성 지지부재(175) 사이의 틈새로 수분 등이 침투되는 것을 방지할 수 있다.The protection member 140 may minimize the electrical short between the light emitting structure layer 135, the bonding layer 170, and the conductive support member 175. The light emitting structure layer 135 and the conductive Moisture or the like can be prevented from penetrating into the gap between the support members 175.

상기 보호부재(140)는 전기 절연성을 갖는 재질, 상기 반사층(160) 또는 상기 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The protection member 140 is a material having electrical insulation, a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 160 or the bonding layer 170, and a material forming a schottky contact with the second conductive semiconductor layer 130. It may be formed using at least one of, for example, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al It may include at least one of 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, or Cr.

상기 오믹층(150) 및 상기 보호부재(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed on the ohmic layer 150 and the protection member 140.

상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(110), 상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형 반도체층(130)을 포함할 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include a plurality of group III-V compound semiconductor layers. For example, the first conductive semiconductor layer 110 and the first conductive semiconductor layer 110 may be disposed under the light emitting structure layer 135. The second conductive semiconductor layer 130 may be included in the active layer 120 and under the active layer 120.

상기 제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 is a first conductive type dopant is doped Ⅲ? A compound semiconductor of group elements Ⅴ formula is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. When the first conductivity type semiconductor layer 110 is an N type semiconductor layer, the first conductivity type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 120 is formed under the first conductivity type semiconductor layer 110 and may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. The active layer 120 may be formed using a compound semiconductor material of a group III-V element in a cycle of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer. .

상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer may be formed on or under the active layer 120, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

상기 제2 도전형 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체로 화학식은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함할 수 있다.The second conductive type semiconductor layer 130 is formed under the active layer 120, the second conductive dopant is doped Ⅲ? A compound semiconductor of group elements Ⅴ formula is In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), for example, in GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. Can be selected. When the second conductivity type semiconductor layer 130 is a P type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include a P type dopant such as Mg and Zn.

한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형 반도체층(130) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 P형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 N형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(130) 상에 상기 제 2도전형 반도체층과 극성이 다른 제 3도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting structure layer 135 may include an N-type semiconductor layer under the second conductivity-type semiconductor layer 130. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 110 may be a P type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 130 may be implemented as an N type semiconductor layer. A third conductive semiconductor layer different in polarity from the second conductive semiconductor layer may be formed on the second conductive semiconductor layer 130. Accordingly, the light emitting structure layer 135 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, or a P-N-P junction structure.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭에 의해 경사를 가질 수 있으며, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 보호부재(140)의 상면의 일부가 노출될 수 있다.The side surface of the light emitting structure layer 135 may be inclined by an isolation etching for dividing a plurality of chips into individual chip units, and a part of the upper surface of the protective member 140 is exposed by the isolation etching. Can be.

또한, 상기 발광 구조층(135)의 상면에는 상기 광추출패턴 (112)이 형성될 수 있다. 상기 광추출패턴(112)은 상기 발광 구조층(135)의 상면 전체 영역에 형성될 수도 있다. 상기 광추출패턴(112)은 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the light extraction pattern 112 may be formed on an upper surface of the light emitting structure layer 135. The light extraction pattern 112 may be formed on the entire upper surface of the light emitting structure layer 135. The light extraction pattern 112 may improve the light extraction efficiency of the light emitting device 100 by minimizing the amount of light totally reflected from the surface.

한편, 실시예에서는 상기 광추출패턴(112)이 상기 보호막(180)의 아래에도 형성되게 된다. 즉, 상기 광추출패턴(112)과 상기 보호막(180)은 적어도 일부 영역이 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율이 극대화되는 한편, 상기 보호막(180)과 상기 제1 도전형 반도체층(110) 사이가 쉽게 박리되는 것이 방지되어 상기 발광 소자(100)의 신뢰성이 향상될 수 있다.Meanwhile, in the embodiment, the light extraction pattern 112 is formed below the passivation layer 180. That is, at least some regions of the light extraction pattern 112 and the passivation layer 180 may overlap each other in the vertical direction. Accordingly, the light extraction efficiency of the light emitting device 100 is maximized, and the separation between the passivation layer 180 and the first conductive semiconductor layer 110 is prevented from being easily peeled off. This can be improved.

상기 광추출패턴(112)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The light extraction pattern 112 may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a desired shape and arrangement.

예를 들어, 상기 광추출패턴(112)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정(Photonic Crystal) 구조로 배열되어 형성될 수 있다. 상기 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.For example, the light extraction pattern 112 may be formed by being arranged in a photonic crystal structure having a period of 50nm to 3000nm. The photonic crystal structure can efficiently extract light of a specific wavelength region to the outside by an interference effect or the like.

또한, 상기 광추출패턴(112)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the light extraction pattern 112 may be formed to have a variety of shapes, such as a cylinder, a polygonal pillar, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, but is not limited thereto.

상기 발광 구조층(135)의 상면에는 상기 전극(115)이 형성될 수 있다. 상기 전극(115)은 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The electrode 115 may be formed on an upper surface of the light emitting structure layer 135. The electrode 115 may be branched in a predetermined pattern shape, but is not limited thereto.

이때, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 상기 광추출패턴(112)이 형성되므로, 제조 공정에 의해 상기 전극(115)의 상면에도 상기 광추출패턴(112)에 대응하는 패턴이 자연스럽게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In this case, since the light extraction pattern 112 is formed on the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 110, a pattern corresponding to the light extraction pattern 112 is also formed on the top surface of the electrode 115 by a manufacturing process. It may be formed naturally, but is not limited thereto.

상기 전극(115)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면 즉, N-face 면에 접촉될 수 있다. 또한, 상기 전극(115)은 적어도 하나의 패드, 상기 패드에 연결된 적어도 한 가지 형상의 전극 패턴이 동일 또는 상이한 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The electrode 115 may be in contact with an upper surface of the first conductive semiconductor layer 110, that is, an N-face surface. In addition, the electrode 115 may have at least one pad and an electrode pattern having at least one shape connected to the pad in the same or different stacked structure, but is not limited thereto.

상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에는 상기 보호막(180)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 보호막(180)은 일단(184)이 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 배치되고, 상기 발광 구조층(135)의 측면을 따라 타단(182)이 상기 보호부재(140)의 상면에 배치되도록 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The passivation layer 180 may be formed on the top and side surfaces of the light emitting structure layer 135. In detail, one end 184 of the passivation layer 180 is disposed on the top surface of the first conductivity-type semiconductor layer 110, and the other end 182 is formed along the side surface of the light emitting structure layer 135. It may be formed to be disposed on the upper surface of 140, but is not limited thereto.

상기 보호막(180)은 발광 구조층(135)의 측면과 접하도록 형성되는 제1 보호막(185), 상기 제1 보호막(185)의 일부를 덮도록 형성하는 메탈층(186), 상기 메탈층(186)의 일부를 덮도록 형성하는 제2 보호막(187)을 포함할 수 있다. 제2 보호막(187)은 선택적으로 형성될 수 있으며, 상기 제1 보호막(185)과 메탈층(186)의 사이에 메탈의 확산을 방지하기 위한 배리어(도 17에서 188)를 형성할 수도 있다.The passivation layer 180 may include a first passivation layer 185 formed to contact the side surface of the light emitting structure layer 135, a metal layer 186 formed to cover a portion of the first passivation layer 185, and the metal layer ( The second protective layer 187 may be formed to cover a portion of the 186. The second passivation layer 187 may be selectively formed, and a barrier (188 in FIG. 17) may be formed between the first passivation layer 185 and the metal layer 186 to prevent diffusion of metal.

상기 제1, 제2 보호막(185, 187)은 상기 발광 구조층(135)이 외부 전극 등과 전기적 쇼트를 일으키는 것을 방지할 수 있으며, 전기 절연성 및 투광성을 갖는 재질, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The first and second passivation layers 185 and 187 may prevent the light emitting structure layer 135 from causing an electrical short such as an external electrode, and have a material having electrical insulation and light transmittance, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 To be formed Can be.

종래 발광소자 구조에서 활성층에서 생성된 빛이 패키지 공정시 형광체에 의해 칩으로 되돌아오는 경우, 보호막에 의해 흡수되어 외부로 방출되지 못하고 소멸한다. 본 발명에서는 상기 제1 보호막(185)의 일부를 덮도록 형성되는 메탈층(186)에 의해, 형광체에 의해 칩으로 되돌아오는 빛을 반사시켜 빛이 보호막에 의해 흡수되는 현상을 개선하는 효과가 있다.In the conventional light emitting device structure, when the light generated in the active layer is returned to the chip by the phosphor during the package process, the light is absorbed by the protective film and disappears without being emitted to the outside. In the present invention, the metal layer 186 formed to cover a portion of the first passivation layer 185 reflects the light returned to the chip by the phosphor, thereby improving the phenomenon that light is absorbed by the passivation layer. .

이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the embodiment will be described in detail. However, the description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.

도 2 내지 도 16은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.2 to 16 illustrate a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the embodiment.

도 2를 참조하면, 성장기판(101) 상에 상기 발광 구조층(135)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting structure layer 135 may be formed on the growth substrate 101.

상기 성장기판(101)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The growth substrate 101 may be formed of at least one of, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, or Ge, but is not limited thereto.

상기 발광 구조층(135)은 상기 성장기판(101) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 순차적으로 성장함으로써 형성될 수 있다.The light emitting structure layer 135 may be formed by sequentially growing the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 on the growth substrate 101. .

상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer 135 may include, for example, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like may be formed using, but are not limited thereto.

한편, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 성장기판(101) 사이에는 둘 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be formed between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 101 to alleviate the lattice constant difference between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 101.

도 3을 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 칩 경계 영역을 따라 상기 보호부재(140)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the protection member 140 may be formed on the light emitting structure layer 135 along a chip boundary region.

상기 보호부재(140)는 패터닝된 마스크를 이용하여 개별 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있으며, 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호부재(140)는 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The protection member 140 may be formed around the individual chip area by using a patterned mask, and may be formed in a ring shape, a loop shape, a frame shape, or the like. The protective member 140 may be formed using, for example, a method such as electron beam (E-beam) deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or the like.

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 상기 전류 차단층(145)을 형성할 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 패터닝된 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the current blocking layer 145 may be formed on the second conductive semiconductor layer 130. The current blocking layer 145 may be formed using a patterned mask.

상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성되어, 전류가 상기 발광 구조층(135) 내의 특정 영역으로 편중되는 현상을 완화할 수 있다.The current blocking layer 145 may be formed at a position overlapping at least a portion of the electrode 115 in the vertical direction, thereby alleviating a phenomenon in which the current is biased to a specific region in the light emitting structure layer 135.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 및 상기 전류 차단층(145) 상에 상기 오믹층(150)을 형성하고, 상기 오믹층(150) 상에 상기 반사층(160)을 형성할 수 있다.5 and 6, the ohmic layer 150 is formed on the second conductivity-type semiconductor layer 130 and the current blocking layer 145, and the reflective layer is formed on the ohmic layer 150. 160).

상기 오믹층(150) 및 상기 반사층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다. The ohmic layer 150 and the reflective layer 160 may be formed by, for example, any one of an electron beam (E-beam) deposition, sputtering, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

도 7을 참조하면, 상기 반사층(160) 및 상기 보호부재(140) 상에 상기 접합층(170)을 형성하고, 상기 접합층(170) 상에 상기 전도성 지지부재(175)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, the bonding layer 170 may be formed on the reflective layer 160 and the protection member 140, and the conductive support member 175 may be formed on the bonding layer 170. .

상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹층(150)의 단부 및 상기 보호부재(140)에 접촉되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The bonding layer 170 may be in contact with the reflective layer 160, the end of the ohmic layer 150, and the protective member 140 to strengthen the adhesive force between the layers.

상기 전도성 지지부재(175)는 별도의 시트(sheet)로 준비되어 상기 접합층(170) 상에 부착되는 본딩 방식에 의해 형성되거나, 도금 방식, 증착 방식 등에 의해 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The conductive support member 175 may be formed by a bonding method attached to the bonding layer 170 by preparing a separate sheet, or may be formed by a plating method, a deposition method, or the like, but is not limited thereto. Do not.

도 7 및 도 8을 참조하면, 도 7의 발광 소자를 180도 뒤집은 후에, 상기 성장기판(101)을 제거할 수 있다.7 and 8, after inverting the light emitting device of FIG. 7 by 180 degrees, the growth substrate 101 may be removed.

상기 성장기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 또는 에칭 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.The growth substrate 101 may be removed by at least one of laser lift off or etching.

상기 성장기판(101)을 제거함에 따라, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 표면이 노출될 수 있다.As the growth substrate 101 is removed, the surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 may be exposed.

도 9를 참조하면, 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상의 칩 경계 영역에 제1 마스크(148)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9, a first mask 148 may be formed in a chip boundary region on the exposed first conductive semiconductor layer 110.

상기 제1 마스크(148)은 예를 들어, 포토 레지스트(Photo Resist) 또는 금속 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, the first mask 148 may be formed of any one of a photo resist and a metal material, but is not limited thereto.

도 10을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 상기 광추출패턴(112)을 형성한다. 이때, 상기 제1 마스크(148)에 의해 가려지는 제1 도전형 반도체층(110) 상면의 영역을 제외하고 상기 광추출패턴(112)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10, the light extraction pattern 112 is formed on the top surface of the first conductivity type semiconductor layer 110. In this case, the light extraction pattern 112 may be formed except for an area of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 110 covered by the first mask 148.

상기 광추출패턴(112)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The light extraction pattern 112 may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a desired shape and arrangement.

랜덤한 형상을 갖는 광추출패턴(112)은, 상기 발광 구조층(135)의 상면에 웨트 에칭을 실시하거나, 표면을 연마하는 등의 물리적 방법을 통해 형성될 수 있다.The light extraction pattern 112 having a random shape may be formed through a physical method such as performing wet etching on the upper surface of the light emitting structure layer 135 or polishing the surface.

원하는 형상 및 배열을 갖는 광추출패턴(112)은, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 원하는 상기 광추출패턴(112)의 형상에 대응하는 패턴을 포함하는 패턴 마스크를 형성하고, 상기 패턴 마스크를 따라 에칭 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.The light extraction pattern 112 having a desired shape and arrangement forms a pattern mask including a pattern corresponding to the desired shape of the light extraction pattern 112 on an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110, It may be formed by performing an etching process along the pattern mask.

상기 광추출패턴(112)을 형성한 후에는, 상기 제1 마스크(148)를 제거할 수 있다.After the light extraction pattern 112 is formed, the first mask 148 may be removed.

도 11을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면의 상기 광추출패턴(112) 상에 제2 마스크(149)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 11, a second mask 149 may be formed on the light extraction pattern 112 on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110.

상기 제2 마스크(149)는 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분하기 위한 아이솔레이션(Isolation) 에칭을 실시하기 위해 형성될 수 있으며, 예를 들어, 상기 광추출패턴(112)의 전 영역 상에 형성되거나, 상기 광추출패턴(112)이 형성된 영역 중 일부 둘레 영역을 제외하고 형성될 수 있다.The second mask 149 may be formed to perform isolation etching for dividing the plurality of light emitting devices into individual light emitting device units. For example, the second mask 149 may be formed on the entire area of the light extraction pattern 112. The light extraction pattern 112 may be formed at or partially except a peripheral region.

상기 제2 마스크(149)는 예를 들어, 포토 레지스트(Photo Resist) 또는 금속 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, the second mask 149 may be formed of any one of a photo resist and a metal material, but is not limited thereto.

도 12를 참조하면, 상기 제2 마스크(149)를 사이로 상기 발광 구조층(135)의 칩 경계 영역(105)에 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분할 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭 후 상기 제2 마스크(149)는 제거된다.Referring to FIG. 12, isolation etching may be performed on the chip boundary region 105 of the light emitting structure layer 135 through the second mask 149 to divide a plurality of light emitting devices into individual light emitting device units. The second mask 149 is removed after the isolation etch.

상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭 또는 KOH, H2SO4, H3PO4와 같은 에천트를 사용한 웨트 에칭을 사용하여 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The isolation etching may be performed using, for example, dry etching such as inductively coupled plasma (ICP) or wet etching using an etchant such as KOH, H 2 SO 4 , H 3 PO 4 , but is not limited thereto. Do not.

상기 발광 구조층(135)의 측면은 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 도시된 것처럼 경사진 측면을 가질 수 있다. 또한, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 보호부재(140)의 상면이 일부 노출될 수 있다.The side surface of the light emitting structure layer 135 may have an inclined side surface as shown by the isolation etching. In addition, the upper surface of the protective member 140 may be partially exposed by the isolation etching.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 상기 전극(115)을 형성하고, 상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에 제1 보호막(185), 메탈층(186), 제2 보호막(187)을 형성할 수 있다.13 to 15, the electrode 115 is formed on the light emitting structure layer 135, and the first passivation layer 185 and the metal layer 186 are formed on the top and side surfaces of the light emitting structure layer 135. ), A second passivation layer 187 may be formed.

이때, 상기 제1 보호막(185)의 일단(184)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 배치되고, 상기 발광 구조층(135)의 측면을 따라 타단(182)은 상기 보호부재(140)의 상면에 배치될 수 있다.In this case, one end 184 of the first passivation layer 185 is disposed on an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110, and the other end 182 is formed along the side surface of the light emitting structure layer 135. It may be disposed on an upper surface of the 140.

상기 제1 보호막(185)은 상기 발광 구조물(135)이 외부 전극 등과 전기적 쇼트를 일으키는 것을 방지할 수 있으며, 2000 내지 3000Å의 두께로 형성될 수 있고, 전기 절연성 및 투광성을 갖는 재질, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The first passivation layer 185 may prevent the light emitting structure 135 from causing an electrical short such as an external electrode, may be formed to a thickness of 2000 to 3000Å, and has a material having electrical insulation and light transmission, for example. , SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 And the like.

다음으로, 상기 제1 보호막(185) 외측의 일부를 덮도록 메탈층(186)을 형성한다. 상기 메탈층(186)은 도시된 바와 같이 상기 제1 보호막(185)의 측면과 제1 도전형 반도체층(110) 상면에 형성되는 제1 보호막(185) 위의 일부에 형성될 수 있다.Next, the metal layer 186 is formed to cover a portion of the outside of the first passivation layer 185. As illustrated, the metal layer 186 may be formed on a portion of the side surface of the first passivation layer 185 and the first passivation layer 185 formed on the top surface of the first conductive semiconductor layer 110.

상기 메탈층(186)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 메탈층(186)은 반사율이 뛰어난 재질로 형성되며 Ag, Al 중 적어도 하나를 포함하고 1000 내지 2000Å의 두께로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지 않는다.The metal layer 186 may be formed using a method such as electron beam deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or the like. The metal layer 186 may be formed of a material having excellent reflectance, and may include at least one of Ag and Al, and may be formed to a thickness of 1000 to 2000 μs, but is not limited thereto.

다음으로, 상기 메탈층(186) 외측의 일부를 덮도록 제2 보호막(187)을 형성할 수 있다. 상기 제2 보호막(187)은 제1 보호막(185)과 동일 또는 상이한 재질 및 두께로 형성될 수 있으며, 상기 메탈층(186) 둘러싸도록 상기 제1 도전형 반도체층(110) 위에서 상기 제1 보호막(185)과 접하도록 형성할 수도 있다.Next, the second passivation layer 187 may be formed to cover a portion of the outside of the metal layer 186. The second passivation layer 187 may be formed of the same or different material and thickness as that of the first passivation layer 185. The first passivation layer may be formed on the first conductive semiconductor layer 110 to surround the metal layer 186. It may be formed to contact with (185).

도 16을 참조하면, 도 15의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리시키는 칩 분리 공정을 실시함으로써 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.Referring to FIG. 16, the light emitting device 100 according to the embodiment may be provided by performing a chip separation process of separating the light emitting devices of FIG. 15 into individual light emitting device units.

상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade) 등을 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크리빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 에칭 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The chip separation process includes, for example, a breaking process of separating a chip by applying a physical force using a blade, a laser scrubbing process of separating a chip by irradiating a laser to a chip boundary, and a wet or dry etching process. An etching process may be included, but is not limited thereto.

도 17은 다른 실시예에 따른 발광 소자(100B)의 측단면도이다. 상기 발광 소자(100B)에 대한 설명에 있어서, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.17 is a side cross-sectional view of a light emitting device 100B according to another embodiment. In the description of the light emitting device 100B, the content overlapping with the above description will be omitted or briefly described.

도 17을 참조하면, 상기 발광 소자(100B)는 도 1의 발광 소자(100)에 비해 상기 제2 보호막(187)이 형성되지 않고, 상기 제1 보호막(185)과 메탈층(186) 사이에 배리어(188)가 형성되는 점이 상이하다. 상기 배리어(188)는 Ti, Ni 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있고 상기 메탈층(186) 내부 물질의 확산을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 17, the second passivation layer 187 is not formed as compared to the light emitting element 100 of FIG. 1, and the light emitting element 100B is disposed between the first passivation layer 185 and the metal layer 186. The barrier 188 is different. The barrier 188 may include at least one of Ti and Ni, and may prevent diffusion of an internal material of the metal layer 186.

도 18은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. 18 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.

도 18을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.Referring to FIG. 18, the light emitting device package according to the embodiment includes a body 20, a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 installed on the body 20, and the body 20. The light emitting device 100 according to the embodiment electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32, and a molding member 40 surrounding the light emitting device 100.

상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 20 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100. In addition, the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100, and externally generate heat generated from the light emitting device 100. May also act as a drain.

상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be installed on the body 20 or on the first electrode layer 31 or the second electrode layer 32.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method.

상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 40 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 100.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.

도 19는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 19의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.19 is a diagram illustrating a backlight unit using a light emitting device package according to an embodiment. However, the backlight unit 1100 of FIG. 19 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 19를 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 19, the backlight unit 1100 may include a bottom frame 1140, an optical guide member 1120 disposed in the bottom frame 1140, and at least one side or a bottom surface of the optical guide member 1120. It may include a light emitting module 1110 disposed in. In addition, a reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120.

상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom frame 1140 may be formed by forming a box having an upper surface open to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1110, and the reflective sheet 1130. Or it may be formed of a resin material but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1110)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.The light emitting module 1110 may include a substrate and a light emitting device package according to a plurality of embodiments mounted on the substrate. The plurality of light emitting device packages may provide light to the light guide member 1120.

도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom frame 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120. can do.

다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the light emitting module 1110 may be disposed under the bottom frame 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120, which is according to the design of the backlight unit 1100. Since various modifications are possible, the present invention is not limited thereto.

상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom frame 1140. The light guide member 1120 may guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel by surface light source.

상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guide plate may be formed of, for example, one of an acrylic resin series such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), COC, and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.The optical sheet 1150 may be disposed above the light guide member 1120.

상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film)일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by stacking the diffusion sheet, the light collecting sheet, the luminance increasing sheet, and the fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 may evenly diffuse the light emitted from the light emitting module 1110, and the diffused light may be focused onto a display panel (not shown) by the light collecting sheet. In this case, the light emitted from the light collecting sheet is randomly polarized light, and the luminance increasing sheet may increase the degree of polarization of the light emitted from the light collecting sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and vertical prism sheet. In addition, the luminance increase sheet may be, for example, a roughness enhancement film. In addition, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film containing a phosphor.

상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The reflective sheet 1130 may be disposed under the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may reflect light emitted through the bottom surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120.

상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 1130 may be formed of a resin material having good reflectance, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

도 20은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 20의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.20 is a perspective view of a lighting unit using a light emitting device package according to the embodiments. However, the lighting unit 1200 of FIG. 20 is an example of a lighting system, but is not limited thereto.

도 20을 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 20, the lighting unit 1200 is installed in the case body 1210, the light emitting module 1230 installed in the case body 1210, and the case body 1210, and provides power from an external power source. It may include a receiving connection terminal 1220.

상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having good heat dissipation characteristics, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting module 1230 may include a substrate 300 and a light emitting device package 200 according to at least one embodiment mounted on the substrate 300.

상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 300 may have a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate 300 may be formed of a material that reflects light efficiently, or the surface may be formed of a color that reflects light efficiently, for example, white, silver, or the like.

상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the at least one embodiment may be mounted on the substrate 300. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting diodes may include colored light emitting diodes emitting red, green, blue, or white colored light, and UV light emitting diodes emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have a combination of various light emitting diodes in order to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI). In addition, a fluorescent sheet may be further disposed on a path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 finally passes white light through the fluorescent sheet. Will be shown.

상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 20에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. According to FIG. 20, the connection terminal 1220 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the lighting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet may be disposed on a propagation path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함함으로써 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, the lighting system according to the embodiments may be improved reliability by including the light emitting device package according to the embodiments.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (7)

제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층의 하부에 형성되는 활성층;
상기 활성층의 하부에 형성되는 제2 도전형 반도체층;
상기 제1, 제2 도전형 반도체층 및 활성층의 측면에 형성되는 제1 보호막; 그리고
상기 제1 보호막의 일부를 덮도록 형성되는 메탈층;을 포함하는 발광 소자.A first conductive semiconductor layer;
An active layer formed under the first conductive semiconductor layer;
A second conductivity type semiconductor layer formed under the active layer;
A first passivation layer formed on side surfaces of the first and second conductivity-type semiconductor layers and the active layer; And
And a metal layer formed to cover a portion of the first passivation layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 보호막 상에 제2 보호막을 포함하고, 상기 메탈층은 상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막 사이에 배치되는 발광 소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a second passivation layer on the first passivation layer, wherein the metal layer is disposed between the first passivation layer and the second passivation layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 보호막은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The first protective layer is SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 Light emitting device comprising at least one of. 제1항에 있어서,
상기 메탈층은 1000 내지 2000Å의 두께로 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The metal layer is a light emitting device formed to a thickness of 1000 to 2000Å. 제1항에 있어서,
상기 메탈층은 Ag, 또는 Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
The metal layer includes at least one of Ag or Al. 제1항에 있어서,
상기 제1 보호막과 상기 메탈층의 사이에 배리어막을 포함하는 발광 소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a barrier film between the first passivation film and the metal layer. 제6항에 있어서,
상기 배리어막은 Ti, 또는 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.The method of claim 6,
The barrier layer includes at least one of Ti and Ni.
KR1020100091968A 2010-09-17 2010-09-17 Light emitting device, light emitting device package and lighting system KR20120029868A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100091968A KR20120029868A (en) 2010-09-17 2010-09-17 Light emitting device, light emitting device package and lighting system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100091968A KR20120029868A (en) 2010-09-17 2010-09-17 Light emitting device, light emitting device package and lighting system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120029868A true KR20120029868A (en) 2012-03-27

Family

ID=46134182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100091968A KR20120029868A (en) 2010-09-17 2010-09-17 Light emitting device, light emitting device package and lighting system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120029868A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140012466A (en) * 2012-07-20 2014-02-03 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package, and light unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140012466A (en) * 2012-07-20 2014-02-03 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package, and light unit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114191B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device
KR101028277B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting unit
KR101014071B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101154709B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
US8835972B2 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101795053B1 (en) Light emitting device, light emitting device package, light unit
KR101034144B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101734550B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
EP2390934A2 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101064064B1 (en) Light emitting device
KR20120014972A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20110118333A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101776302B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101744971B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR20120042516A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120045635A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101683901B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101648810B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120029868A (en) Light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR20120022091A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101664501B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101724708B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101683906B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101786073B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system
KR101765912B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application