KR20120022091A - Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package and an illumination system.
Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체(group Ⅲ?Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ?Ⅴ족 도전형 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.Group III-V nitride semiconductors have been spotlighted as core materials of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties. The III-V conductive semiconductors are usually made of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). .
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor device that transmits and receives signals by converting electricity into infrared rays or light using characteristics of a compound semiconductor.
이러한 도전형 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.It is widely used in light emitting devices for obtaining light of LEDs or LDs using such conductive semiconductor materials, and has been applied to light sources of various products such as keypad light emitting units, electronic displays, and lighting devices of mobile phones.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.
실시예는 광추출 효율이 개선된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.
실시예에 따른 발광소자는 전도성 지지기판; 상기 전도성 지지기판 상에 오믹 접촉층; 상기 오믹 접촉층 상에 전류 차단층; 상기 오믹 접촉층 및 전류 차단층 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조층; 및, 상기 발광 구조층 상에 상기 전류 차단층과 수직방향으로 오버랩되는 전극;을 포함하고, 상기 전류 차단층의 폭은 상기 전극의 폭보다 크고, 상기 전류 차단층의 폭 방향의 중심은 상기 전극의 폭 방향의 중심과 동일 선상에서 정렬된다.The light emitting device according to the embodiment includes a conductive support substrate; An ohmic contact layer on the conductive support substrate; A current blocking layer on the ohmic contact layer; A light emitting structure disposed on the ohmic contact layer and the current blocking layer and including an active layer between a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer layer; And an electrode overlapping the current blocking layer in a vertical direction on the light emitting structure layer, wherein a width of the current blocking layer is greater than a width of the electrode, and a center of the width direction of the current blocking layer is the electrode. Are aligned on the same line as the center of the width direction.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 전도성 지지기판을 형성하는 단계; 상기 전도성 지지기판 상에 오믹 접촉층을 형성하는 단계; 상기 오믹 접촉층 상에 전류 차단층을 형성하는 단계; 상기 오믹 접촉층 및 전류 차단층 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 상기 전류 차단층과 수직방향으로 오버랩되는 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 전류 차단층의 폭은 상기 전극의 폭보다 크고, 상기 전류 차단층의 폭 방향의 중심은 상기 전극의 폭 방향의 중심과 동일 선상에서 정렬되도록 형성된다.The method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment includes forming a conductive support substrate; Forming an ohmic contact layer on the conductive support substrate; Forming a current blocking layer on the ohmic contact layer; A light emitting structure disposed on the ohmic contact layer and the current blocking layer and including an active layer between a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer Forming a layer; And forming an electrode overlapping the current blocking layer in the vertical direction on the light emitting structure layer, wherein the width of the current blocking layer is greater than the width of the electrode, and the center of the width direction of the current blocking layer is It is formed to align on the same line as the center of the width direction of the electrode.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device having a new structure, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.
실시예는 광추출 효율이 개선된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency, a method of manufacturing the same, a light emitting device package, and an illumination system.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2 내지 도 14는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 15는 실시예에 따른 발광 소자의 상면도
도 16은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
도 17은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment
2 to 14 illustrate a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
15 is a top view of a light emitting device according to the embodiment
16 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment
17 illustrates a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.
18 is a perspective view of a lighting unit including a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조층들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure layer is formed on or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as "to", "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device manufacturing method, a light emitting device package, and a lighting system according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지부재(175), 상기 전도성 지지부재(175) 상에 형성되어 빛을 생성하며, 상면의 전 영역에 광추출패턴(112)이 형성된 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)과, 상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에 형성된 보호막(180)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
또한, 상기 전도성 지지부재(175) 및 상기 발광 구조층(135) 사이에는 보호부재(140), 오믹층(150), 반사층(160), 접합층(170) 및 전류 차단층(145)이 형성될 수 있다.In addition, a
상기 발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 포함하며, 상기 제1,2 도전형 반도체층(110,130)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(120)에서 재결합(Recombination)됨으로써 빛을 생성할 수 있다.The light
상기 전도성 지지부재(175)는 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 30μm 내지 500μm의 두께를 가질 수 있다.The
상기 전도성 지지부재(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사층(160)과 상기 보호부재(140) 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 외측면이 노출되며, 상기 반사층(160), 상기 오믹층(150)의 단부 및 상기 보호부재(140)에 접촉되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The
상기 접합층(170)은 배리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 접합층(170) 상에는 상기 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 주어, 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The
상기 반사층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층될 수 있다.The
상기 반사층(160) 상에는 상기 오믹층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹층(150)은 상기 제2 도전형 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등으로 구현될 수 있다.The
즉, 상기 오믹층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.That is, the
상기 오믹층(150) 내에는 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 접촉하도록 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지부재(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.A current blocking layer (CBL) 145 may be formed in the
한편, 상기 전류 차단층(145)은 상기 오믹층(150)과 상기 제2 도전형 반도체층(130) 사이에 형성되거나, 상기 반사층(160)과 상기 오믹층(150) 사이에 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 전극(115)의 폭은 'd'로 나타내었고, 상기 전류 차단층(145)의 폭은 'D'로 나타내었다. 상기 전극(115)과 전류 차단층(145)은 같은 중심을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)으로부터 어느 한 방향으로 치우침없이 동등한 비율로 증가하도록 형성될 수 있으며, 상기 전류 차단층(145)의 폭이 작으면 전류확산 효과가 미비하고 폭이 과도하게 증가하면 동작전압(Vf)이 증가할 수 있으므로, 상기 전극(115)의 폭 대비 105% 내지 350%의 범위로 형성될 수 있고, 바람직하게는 200 내지 300%의 폭으로 형성될 수 있다.The width of the
상기 전류 차단층(145)은 20 내지 5000Å의 두께로 형성될 수 있다.The
상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에는 상기 보호부재(140)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있다.The
상기 보호부재(140)는 상기 발광 구조층(135) 및 상기 전도성 지지부재(175)가 전기적 쇼트를 일으키는 것을 최소화할 수 있으며, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 전도성 지지부재(175) 사이의 틈새로 수분 등이 침투되는 것을 방지할 수 있다.The
상기 보호부재(140)는 전기 절연성을 갖는 재질, 상기 반사층(160) 또는 상기 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 오믹층(150) 및 상기 보호부재(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.The light emitting
상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(110), 상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형 반도체층(130)을 포함할 수 있다.The light emitting
상기 제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first
상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The
상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer may be formed on or under the
상기 제2 도전형 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ?Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함할 수 있다.The second
한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형 반도체층(130) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(110)이 P형 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층(130)이 N형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 발광 구조층(135)의 측면은 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭에 의해 경사를 가질 수 있으며, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 보호부재(140)의 상면의 일부가 노출될 수 있다.The side surface of the light emitting
또한, 상기 발광 구조층(135)의 상면에는 전 영역에 걸쳐 상기 광추출패턴 (112)이 형성될 수 있다. 상기 광추출패턴(112)은 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the
한편, 실시예에서는 상기 광추출패턴(112)이 상기 보호막(180)의 아래에도 형성되게 된다. 즉, 상기 광추출패턴(112)과 상기 보호막(180)은 적어도 일부 영역이 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율이 극대화되는 한편, 상기 보호막(180)과 상기 제1 도전형 반도체층(110) 사이가 쉽게 박리되는 것이 방지되어 상기 발광 소자(100)의 신뢰성이 향상될 수 있다.Meanwhile, in the embodiment, the
상기 광추출패턴(112)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The
예를 들어, 상기 광추출패턴(112)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정(Photonic Crystal) 구조로 배열되어 형성될 수 있다. 상기 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.For example, the
또한, 상기 광추출패턴(112)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the
상기 발광 구조층(135)의 상면에는 상기 전극(115)이 형성될 수 있다. 상기 전극(115)은 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
이때, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 상기 광추출패턴(112)이 형성되므로, 제조 공정에 의해 상기 전극(115)의 상면에도 상기 광추출패턴(112)에 대응하는 패턴이 자연스럽게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In this case, since the
상기 전극(115)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면 즉, N-face 면에 접촉될 수 있다. 또한, 상기 전극(115)은 적어도 하나의 패드, 상기 패드에 연결된 적어도 한 가지 형상의 전극 패턴이 동일 또는 상이한 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 전극(115)과 상기 전류 차단층(145)은 중심(190)을 같이 하도록 형성된다.The
상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에는 상기 보호막(180)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 보호막(180)은 일단(184)이 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 배치되고, 상기 발광 구조층(135)의 측면을 따라 타단(182)이 상기 보호부재(140)의 상면에 배치되도록 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 보호막(180)은 상기 발광 구조층(135)이 외부 전극 등과 전기적 쇼트를 일으키는 것을 방지할 수 있으며, 전기 절연성 및 투광성을 갖는 재질, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.The
이상에서 살펴본 바와 같이, 상기 전류 차단층(145)이 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되고 상기 전극(115)보다 넓은 폭으로 형성되어 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지부재(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 효과적으로 완화하므로 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, at least a portion of the
이하, 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
도 2 내지 도 14는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.2 to 14 illustrate a method of manufacturing the
도 2를 참조하면, 성장기판(101) 상에 상기 발광 구조층(135)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting
상기 성장기판(101)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 구조층(135)은 상기 성장기판(101) 상에 상기 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 순차적으로 성장함으로써 형성될 수 있다.The light emitting
상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting
한편, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 성장기판(101) 사이에는 둘 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be formed between the light emitting
도 3을 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 칩 경계 영역을 따라 상기 보호부재(140)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the
상기 보호부재(140)는 패턴닝된 마스크를 이용하여 개별 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있으며, 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 보호부재(140)는 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The
도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 상기 전류 차단층(145)을 형성할 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 패터닝된 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the
상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성되어, 전류가 상기 발광 구조층(135) 내의 특정 영역으로 편중되는 현상을 완화할 수 있다.The
상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)으로부터 어느 한 방향으로 치우침없이 동등한 비율로 증가하도록 형성하기 위하여 노출된 상기 제2 도전형 반도체층(130)의 중앙에 형성될 수 있으며, 상기 전류 차단층(145)의 폭이 작으면 전류확산 효과가 미비하고 폭이 과도하게 증가하면 동작전압(Vf)이 증가할 수 있으므로, 상기 전극(115)의 폭(width) 대비 105% 내지 350%의 범위로 형성될 수 있고, 바람직하게는 200 내지 300%의 폭으로 형성될 수 있다.The
상기 전류 차단층(145)은 20 내지 5000Å의 두께로 형성될 수 있다.The
상기 전류 차단층(145)은 전기 절연성을 갖는 재질, 상기 반사층(160) 또는 상기 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 상기 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, SiNx, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 및 상기 전류 차단층(145) 상에 상기 오믹층(150)을 형성하고, 상기 오믹층(150) 상에 상기 반사층(160)을 형성할 수 있다.5 and 6, the
상기 오믹층(150) 및 상기 반사층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The
도 7을 참조하면, 상기 반사층(160) 및 상기 보호부재(140) 상에 상기 접합층(170)을 형성하고, 상기 접합층(170) 상에 상기 전도성 지지부재(175)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, the
상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹층(150)의 단부 및 상기 보호부재(140)에 접촉되어, 상기 층들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.The
상기 전도성 지지부재(175)는 별도의 시트(sheet)로 준비되어 상기 접합층(170) 상에 부착되는 본딩 방식에 의해 형성되거나, 도금 방식, 증착 방식 등에 의해 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 7의 발광 소자를 180도 뒤집은 후에, 상기 성장기판(101)을 제거할 수 있다.7 and 8, after inverting the light emitting device of FIG. 7 by 180 degrees, the
상기 성장기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 또는 에칭 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.The
상기 성장기판(101)을 제거함에 따라, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 표면이 노출될 수 있다.As the
도 9를 참조하면, 노출된 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상의 칩 경계 영역에 제1 마스크(148)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9, a
상기 제1 마스크(148)은 예를 들어, 포토 레지스트(Photo Resist) 또는 금속 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, the
도 10을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 상기 광추출패턴(112)을 형성한다. 이때, 상기 제1 마스크(148)에 의해 가려지는 제1 도전형 반도체층(110) 상면의 영역을 제외하고 상기 광추출패턴(112)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10, the
상기 광추출패턴(112)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The
랜덤한 형상을 갖는 광추출패턴(112)은, 상기 발광 구조층(135)의 상면에 웨트 에칭을 실시하거나, 표면을 연마하는 등의 물리적 방법을 통해 형성될 수 있다.The
원하는 형상 및 배열을 갖는 광추출패턴(112)은, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 원하는 상기 광추출패턴(112)의 형상에 대응하는 패턴을 포함하는 패턴 마스크를 형성하고, 상기 패턴 마스크를 따라 에칭 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.The
상기 광추출패턴(112)을 형성한 후에는, 상기 제1 마스크(148)를 제거할 수 있다.After the
도 11을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(110) 상면의 상기 광추출 패턴(112) 상에 제2 마스크(149)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 11, a
상기 제2 마스크(149)는 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분하기 위한 아이솔레이션(Isolation) 에칭을 실시하기 위해 형성될 수 있으며, 예를 들어, 상기 광추출패턴(112)의 전 영역 상에 형성되거나, 상기 광추출 패턴(112)이 형성된 영역 중 일부 둘레 영역을 제외하고 형성될 수 있다.The
상기 제2 마스크(149)는 예를 들어, 포토 레지스트(Photo Resist) 또는 금속 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, the
도 12를 참조하면, 상기 제2 마스크(149)를 사이로 상기 발광 구조층(135)의 칩 경계 영역(105)에 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수 개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분할 수 있다.Referring to FIG. 12, isolation etching may be performed on the
상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭 또는 KOH, H2SO4, H3PO4와 같은 에천트를 사용한 웨트 에칭을 사용하여 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The isolation etching may be performed using, for example, dry etching such as inductively coupled plasma (ICP) or wet etching using an etchant such as KOH, H 2 SO 4 , H 3 PO 4 , but is not limited thereto. Do not.
상기 발광 구조층(135)의 측면은 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 도시된 것처럼 경사진 측면을 가질 수 있다. 또한, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 보호부재(140)의 상면이 일부 노출될 수 있다.The side surface of the light emitting
도 13을 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 상기 전극(115)을 형성하고, 상기 발광 구조층(135)의 상면 및 측면에 상기 보호막(180)을 형성할 수 있다. 상기 전극(115)은 상기 전류 차단층(145)과 중심(190)을 같이 하도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 전극(115)은 상기 중심(190)을 기준으로 어느 한쪽으로 치우침 없이 균일한 길이로 형성되고, 상기 전류 차단층(145)도 상기 중심(190)을 기준으로 어느 한쪽으로 치우침 없이 균일한 길이로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, the
이때, 상기 보호막(180)의 일단(184)은 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 배치되고, 상기 발광 구조층(135)의 측면을 따라 타단(182)은 상기 보호부재(140)의 상면에 배치될 수 있다.In this case, one
도 14를 참조하면, 도 13의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 분리시키는 칩 분리 공정을 실시함으로써 실시예에 따른 발광 소자(100)를 제공할 수 있다.Referring to FIG. 14, a
상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade) 등을 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크리빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 에칭 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The chip separation process includes, for example, a breaking process of separating a chip by applying a physical force using a blade, a laser scrubbing process of separating a chip by irradiating a laser to a chip boundary, and a wet or dry etching process. An etching process may be included, but is not limited thereto.
도 15는 실시예에 따른 발광 소자의 상면도이다. 도시된 바와 같이, 상기 전극(115)이 형성된 영역의 하부에서 상기 전류 차단층(145)이 형성될 수 있고, 상기 전극(115)은 'd'의 폭으로 형성되고, 전류 차단층(145)은 'D'의 폭으로 형성될 수 있다. 상기 'd' 및 'D'는 D=d+n*d(식 1)의 값을 만족하며, 상기 n은 0.05<n<3.5의 값을 가질 수 있다.15 is a top view of a light emitting device according to the embodiment. As shown, the
도 16은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. 16 is a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.
도 16을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(20)와, 상기 몸체(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.Referring to FIG. 16, the light emitting device package according to the embodiment may be installed on the
상기 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.The
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 40 may surround the
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, an indicator device, a lamp, and a street lamp.
도 17은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 17의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.17 illustrates a backlight unit using a light emitting device package according to an embodiment. However, the
도 17을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 17, the
상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 모듈(1110)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.The
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.As shown, the
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.However, the
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.The
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. The
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.The
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film)일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.The
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. The
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 18은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 18의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.18 is a perspective view of a lighting unit using a light emitting device package according to the embodiments. However, the
도 18을 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 18, the
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.In addition, the
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 18에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the lighting system as described above, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light collecting sheet, a luminance rising sheet, and a fluorescent sheet may be disposed on a propagation path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함함으로써 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, the lighting system according to the embodiments may be improved reliability by including the light emitting device package according to the embodiments.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (10)
상기 전도성 지지기판 상에 오믹 접촉층;
상기 오믹 접촉층 상에 전류 차단층;
상기 오믹 접촉층 및 전류 차단층 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조층; 및,
상기 발광 구조층 상에 상기 전류 차단층과 수직방향으로 오버랩되는 전극;을 포함하고,
상기 전류 차단층의 폭은 상기 전극의 폭보다 크고,
상기 전류 차단층의 폭 방향의 중심은 상기 전극의 폭 방향의 중심과 동일 선상에서 정렬되는 발광 소자.Conductive support substrate;
An ohmic contact layer on the conductive support substrate;
A current blocking layer on the ohmic contact layer;
A light emitting structure disposed on the ohmic contact layer and the current blocking layer and including an active layer between a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer layer; And,
And an electrode overlapping the current blocking layer in a vertical direction on the light emitting structure layer.
The width of the current blocking layer is greater than the width of the electrode,
And a center of the width direction of the current blocking layer is aligned with the center of the width direction of the electrode.
상기 전류 차단층은 상기 전극 대비 폭(width)이 200 내지 300%의 범위로 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The current blocking layer is a light emitting device having a width (width) of 200 to 300% compared to the electrode.
상기 전류 차단층은 20 내지 5000Å의 두께로 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The current blocking layer is a light emitting device formed to a thickness of 20 to 5000 kHz.
상기 전류 차단층은 절연물질로 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The current blocking layer is a light emitting device formed of an insulating material.
상기 전류 차단층은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, SiNx , Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 발광 소자.The method of claim 1,
The current blocking layer is ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , SiN x , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , A light emitting device comprising at least one of TiO 2 , Ti, Al, or Cr.
상기 전극의 폭을 d라고 하고, 상기 전류 차단층의 폭을 D라고 하였을 때, 상기 d 및 D는 D=d+n*d의 값을 만족하며, 상기 n은 0.05<n<3.5의 값을 갖는 발광 소자.The method of claim 1,
When the width of the electrode is d and the width of the current blocking layer is D, the d and D satisfy a value of D = d + n * d, and n is a value of 0.05 <n <3.5. Having a light emitting device.
상기 전도성 지지기판 상에 오믹 접촉층을 형성하는 단계;
상기 오믹 접촉층 상에 전류 차단층을 형성하는 단계;
상기 오믹 접촉층 및 전류 차단층 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조층을 형성하는 단계;
상기 발광 구조층 상에 상기 전류 차단층과 수직방향으로 오버랩되는 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 전류 차단층의 폭은 상기 전극의 폭보다 크고, 상기 전류 차단층의 폭 방향의 중심은 상기 전극의 폭 방향의 중심과 동일 선상에서 정렬되도록 형성되는 발광 소자 제조방법.Forming a conductive support substrate;
Forming an ohmic contact layer on the conductive support substrate;
Forming a current blocking layer on the ohmic contact layer;
A light emitting structure disposed on the ohmic contact layer and the current blocking layer and including an active layer between a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer Forming a layer;
Forming an electrode overlapping the current blocking layer in a vertical direction on the light emitting structure layer;
The width of the current blocking layer is greater than the width of the electrode, the center of the width direction of the current blocking layer is formed to be aligned on the same line as the center of the width direction of the electrode.
상기 전류 차단층은 상기 전극 대비 폭이 200 내지 300%의 범위로 형성되는 발광 소자 제조방법.The method of claim 7, wherein
The current blocking layer is a light emitting device manufacturing method is formed in the range of 200 to 300% of the width of the electrode.
상기 패키지 몸체에 설치된 제1 도전층층 및 제2 도전층층; 및
상기 제1 도전층층 및 제2 도전층층에 전기적으로 연결된 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.Package body;
A first conductive layer layer and a second conductive layer layer provided on the package body; And
A light emitting device package comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 6 electrically connected to the first conductive layer layer and the second conductive layer layer.
상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
상기 발광 소자 패키지는 패키지 몸체와, 상기 패키지 몸체에 설치된 제1 도전층층 및 제2 도전층층과, 상기 제1 도전층층 및 제2 도전층층에 전기적으로 연결된 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 조명 시스템.In the lighting system,
The lighting system includes a light emitting module including a substrate and a light emitting device package installed on the substrate,
The light emitting device package may include a package body, a first conductive layer layer and a second conductive layer layer provided on the package body, and any one of claims 1 to 6 electrically connected to the first conductive layer layer and the second conductive layer layer. An illumination system comprising the light emitting element of claim.
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