KR20120022509A - 화상 표시 장치 및 그 보정 방법 - Google Patents

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Abstract

쇼트 불량의 유지 용량 소자가 수정된 발광 화소를 정상 휘도 및 정상 발광 타이밍으로 발광시키는 것이 가능한 화상 표시 장치 및 그 보정 방법을 제공한다. 발광층과 당해 발광층을 구동하기 위한 용량 소자를 갖는 구동 회로층이 적층된 복수의 발광 화소를 갖는 화상 표시 장치로서, 용량 소자를 구성하는 복수의 전극층의 일부를 떼어냄으로써 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소의 좌표 정보가 미리 저장된 리페어 화소 위치 메모리(40)와, 외부로부터 입력되는 영상 신호를 발광 화소로 변환하여 주사순으로 신호선 구동 회로에 출력하는 제어 회로(30)를 구비하고, 제어 회로(30)는, 리페어 화소 위치 메모리(40)로부터 좌표 정보만을 읽어들여, 영상 신호의 정보와 당해 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력시키는 증분 연산 회로를 구비한다.

Description

화상 표시 장치 및 그 보정 방법{IMAGE DISPLAY DEVICE AND CORRECTING METHOD THEREOF}
본 발명은, 화상 표시 장치 및 그 보정 방법에 관한 것으로, 특히 수정 가능한 화소 구조를 갖는 화상 표시 장치 및 그 보정 방법에 관한 것이다.
전류 구동형의 발광 소자를 이용한 화상 표시 장치로서, 유기 일렉트로 루미네선스 소자(이하, 유기 EL 소자라고 기재한다)를 이용한 유기 EL 디스플레이가 알려져 있다. 이 유기 EL 디스플레이는, 시야각 특성이 양호하고, 소비 전력이 적다는 이점을 가지므로, 차세대의 FPD(Flat Panal Display) 후보로서 주목받고 있다.
통상, 화소를 구성하는 유기 EL 소자는 매트릭스형상으로 배치된다. 예를 들면, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교점에 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)가 설치되고, 이 TFT에 유지 용량 소자(콘덴서) 및 구동 트랜지스터의 게이트가 접속되어 있다. 그리고, 선택한 주사선을 통해 이 TFT를 온시켜, 데이터선으로부터의 데이터 신호를 구동 트랜지스터 및 유지 용량 소자에 입력하고, 그 구동 트랜지스터 및 유지 용량 소자에 의해 유기 EL 소자의 발광 타이밍을 제어한다. 이 화소 구동 회로의 구성에 의해, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 다음의 주사(선택)까지 유기 EL 소자를 발광시키는 것이 가능하므로, 듀티비가 올라가도 디스플레이의 휘도 감소를 초래하는 일은 없다. 그러나, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이로 대표되는 바와 같이, 발광 화소의 구동 회로 구성이 복잡해질수록, 또, 발광 화소수가 증가할수록, 미세 가공을 필요로 하는 제조 공정에 있어서, 회로 소자나 배선의 단락이나 개방과 같은 전기적인 문제가 발생해 버린다.
특히, 유기 EL 패널에서는, 화소 구동 회로를 구성하는 유지 용량 소자의 소자 면적이 상대적으로 넓다. 따라서, 이 유지 용량 소자는, 전극간에 존재하는 파티클 등의 영향을 받기 쉬워, 쇼트 불량을 발생시킴으로써 화소 불량률을 높게 하는 요인이 되고 있다.
한편, 화소 구동 회로 소자나 배선의 형성 후에, 문제가 생긴 발광 화소를 수정하는 방법이 제안되어 있다. 특허문헌 1에서는, 회로 소자의 단락 등에 의해 항상 발광 상태가 되어 휘점화된 불량 발광 화소를 수정하기 위해, 모든 발광 화소 영역에, 다른 도전부 및 배선으로부터 이간되어 접속된 비중첩부가 설치되어 있다. 불량 발광 화소에 대해서는, 이 비중첩부에 레이저를 조사함으로써, 당해 비중첩부를 절단한다. 이에 의해, 불량 발광 화소는, 전기 신호의 전달이 차단되며, 또한, 레이저 조사에 의한 데미지를 받지 않고 멸점화(滅点化)된다.
또, 특허문헌 2에서는, 각 발광 화소의 발광 영역에 형성된 화소 전극이, 복수의 셀이 접속된 구성을 취함으로써, 그 접속 개소를 레이저로 절단하는 것에 의해, 불량의 발광 셀만을 전기 절연하여 멸점화하고 있다.
특허문헌 2 : 일본국 특허공개 2007-66904호 공보
그러나, 화소 불량률의 주요인인 유지 용량 소자의 쇼트에 대해, 특허문헌 2에 기재된 구성에 의해 전류 리크 개소를 레이저 등으로 수정하려고 하면, 레이저 가공에 의한 절연층의 변질 및 가공 주변부의 변형으로, 유지 용량 소자의 정상화가 곤란하다.
또, 특허문헌 1에 기재된 구성 및 방법에서는, 유지 용량 소자를 다른 회로 소자와 전기 절연화시켜 무기능화하는 것은 가능하지만, 불량 발광 화소가 멸점화되거나, 혹은, 발광 소자를 다른 정상 발광 화소와는 상이한 발광 타이밍으로 발광시켜 버린다. 따라서, 불량 발광 화소의 휘점화를 수정할 수 있어도, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍으로 발광시킴으로써 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것은 불가능하다.
또, 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 레이저 가공에 관계없이, 유지 용량 소자의 수정이 가능한 경우에는, 유지 용량 소자를 구성하는 전극층이나 절연층의 변화에 의해 정전 용량이 변화해 버린다. 이 경우에는, 수정된 유지 용량 소자가 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 정상 상태에서 유지하여 정상적인 발광 타이밍으로 발광 소자를 발광시키는 것은 가능해진다. 그러나, 정전 용량이 다르면 과도 상태에 있어서의 유지 용량 소자의 충방전 특성은 상이하며, 예를 들면, 화소 선택용의 박막 트랜지스터의 오프 리크 전류 등의 발생에 의해, 수정에 의해 정전 용량이 작아진 유지 용량 소자의 유지 전압의 감쇠는 빨라진다. 이 유지 전압의 감쇠도의 차이에 의해, 수정된 유지 용량 소자를 갖는 발광 화소와 무수정의 발광 화소의 사이에는, 발광 소자에 인가되는 신호 전압에 차이가 생겨, 동일한 신호 전압에 대해 완전히 휘도를 일치시킬 수 없다는 과제를 갖는다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 쇼트 불량의 유지 용량 소자가 수정된 발광 화소를 정상 휘도 및 정상 발광 타이밍으로 발광시키는 것이 가능한 화상 표시 장치 및 그 보정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 화상 표시 장치는, 발광층과, 당해 발광층을 구동하기 위한 용량 소자를 갖는 구동 회로층이 적층된 복수의 발광 화소가 2차원형상으로 배열된 발광 패널을 갖는 화상 표시 장치로서, 상기 용량 소자를 구성하는 전극층의 일부를 떼어냄으로써 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소에 대한 상기 발광 패널에 있어서의 좌표 정보가 미리 저장된 메모리와, 외부로부터 입력되는 영상 신호를, 상기 발광 화소의 발광을 결정하는 발광 화소 신호로 변환하여 주사순으로 구동 회로에 출력하는 제어 회로를 구비하고, 상기 제어 회로는, 상기 메모리로부터 상기 좌표 정보만을 읽어들여, 입력된 상기 영상 신호의 정보와 상기 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 증분 연산 회로를 구비하며, 상기 용량 소자는, 적층 방향에 있어서 대향하는 2장의 전극층을 갖고, 상기 2장의 전극층 중 한쪽의 전극층은, 면 방향에서 분할된 복수의 전극 블록층으로 이루어지고, 상기 복수의 전극 블록층은, 동일 면 내에서 1 이상의 도전선으로 접속되어 있으며, 상기 2장의 전극층 중 다른 쪽의 전극층은, 상기 도전선이 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에, 면 방향에서 공통된 1장의 평판형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 화상 표시 장치 및 그 보정 방법에 의하면, 전극층의 일부가 배제된 발광 소자를 갖는 수정 발광 화소를, 다른 정상 발광 화소와 동일한 발광 타이밍으로 발광시킬 수 있을 뿐만 아니라, 당해 정상 발광 화소와 동일한 휘도로 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치의 구성을 도시한 기능 블록도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 발광 화소의 주요한 회로 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 발광 화소의 구조 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 유지 용량 소자의 전극 구성도이다.
도 5A는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자에 레이저를 조사하여 소정의 전극 블록층을 절단하는 모양을 도시한 도면이다.
도 5B는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자의 등가 회로도이다.
도 5C는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자에 대해, 하면측으로부터 레이저 조사하는 경우를 설명하는 구조 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 제1 변형예를 도시한 유지 용량 소자의 전극 구성도이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 유지 용량 소자의 수정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
도 8A는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 제어 회로의 구성을 도시한 기능 블록도이다.
도 8B는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 리페어 화소 위치 메모리의 데이터 저장 방식을 설명하는 도면이다.
도 9는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치의 보정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
도 10A는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치가 갖는 제어 회로의 구성을 도시한 기능 블록도이다.
도 10B는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치가 갖는 리페어 화소 위치 메모리의 데이터 저장 방식을 설명하는 도면이다.
도 11은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치의 보정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
도 12는, 본 발명의 화상 표시 장치를 내장한 박형 플랫 TV의 외관도이다.
본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치는, 발광층과, 당해 발광층을 구동하기 위한 용량 소자를 갖는 구동 회로층이 적층된 복수의 발광 화소가 2차원형상으로 배열된 발광 패널을 갖는 화상 표시 장치로서, 상기 용량 소자를 구성하는 전극층의 일부를 떼어냄으로써 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소에 대한 상기 발광 패널에 있어서의 좌표 정보가 미리 저장된 메모리와, 외부로부터 입력되는 영상 신호를, 상기 발광 화소의 발광을 결정하는 발광 화소 신호로 변환하여 주사순으로 구동 회로에 출력하는 제어 회로를 구비하고, 상기 제어 회로는, 상기 메모리로부터 상기 좌표 정보만을 읽어들여, 입력된 상기 영상 신호의 정보와 상기 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 증분 연산 회로를 구비하며, 상기 용량 소자는, 적층 방향에 있어서 대향하는 2장의 전극층을 갖고, 상기 2장의 전극층 중 한쪽의 전극층은, 면 방향에서 분할된 복수의 전극 블록층으로 이루어지고, 상기 복수의 전극 블록층은, 동일 면 내에서 1 이상의 도전선으로 접속되어 있으며, 상기 2장의 전극층 중 다른 쪽의 전극층은, 상기 도전선이 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에, 면 방향에서 공통된 1장의 평판형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 제조 시에 쇼트 불량의 원인이 된 전극층의 일부가 배제된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소를, 당해 수정 발광 화소의 좌표 정보만을 보정 데이터로 함으로써 다른 정상 발광 화소와 동일한 발광 타이밍으로 발광시킬 수 있을 뿐만 아니라, 당해 정상 발광 화소와 동일한 휘도로 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 전극 블록층의 각각은, 상기 복수의 발광 화소에 있어서 동일한 형상이며, 제조 시에 있어서 상기 전극층의 일부가 도통하고 있는 경우에, 상기 복수의 전극 블록층 중 하나의 전극 블록층만이 떼어내어짐으로써, 수정 후의 용량 소자의 정전 용량이 설계치에 대해 소정의 비율로 감소하고 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 용량 소자를 구성하는 전극층 중 적어도 1층이, 복수의 전극 블록층이 도전선으로 면 방향에 접속된 구성을 취하고 있으므로, 불필요한 파티클 등이 발생한 전극 블록을, 도전선으로의 레이저 조사에 의해 용량 소자로부터 떼어내는 것이 가능해진다. 또한, 도전선이 존재하는 영역을 적층 방향으로 투영한 영역에는 다른 전극층이 형성되어 있지 않으므로, 도전선으로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 영역을 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 상기 용량 소자는, 절제된 전극 블록층의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍으로 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 증분 연산 회로는, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를, 모든 수정 발광 화소에서 동일한 증폭률로 할증하여 출력하는 것이 바람직하다.
통상의 화상 표시 장치에 있어서의 발광 화소의 불량률로부터 추정하여, 용량 소자를 요인으로 한 불량 발광 화소에 있어서는, 1개소만의 쇼트에 의한 경우가 지배적이다. 따라서, 불필요한 파티클 등이 발생한 불량의 전극 블록만을 제외함으로써, 용량 소자가 원인인 발광 화소 불량은 거의 해소된다. 따라서, 각 발광 화소가 갖는 복수의 전극 블록층이 동일한 구성으로 형성되어 있는 경우, 수정된 모든 발광 화소의 용량 소자는, 거의 동일한 정전 용량을 갖는 것이 가능해진다.
이에 의해, 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력할 때의 증폭률을 발광 화소에 관계없이 고정할 수 있으므로, 제어 회로의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 메모리에는, 상기 좌표 정보인 상기 수정 발광 화소의 좌표가 주사순으로 저장되어 있으며, 상기 증분 연산 회로는, 제1 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호가 출력된 후에, 상기 메모리에 저장된 상기 좌표 정보이며, 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표의 다음에 저장된 제2 수정 발광 화소의 좌표만을 읽어들이는 다음 리페어 위치 레지스터와, 상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 좌표를 비교하는 주사 좌표 비교기와, 상기 주사 좌표 비교기에서 비교된 상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와 상기 출력 대상 발광 화소의 좌표가 일치한 경우, 당해 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 출력 할증 연산기를 구비해도 된다.
이에 의해, 모든 발광 화소에 대한 보정 데이터를 저장하는 대용량 메모리를 확보할 필요가 없다. 또, 발광 화소 신호를 출력하려고 하고 있는 발광 화소의 좌표와 메모리에 저장되어 있는 수정 발광 화소의 좌표를 주사순으로 비교함으로써, 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 보정할 수 있으므로, 제어 회로의 프로세서 처리의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 메모리에는, 상기 좌표 정보이며 하나의 상기 수정 발광 화소로부터 당해 하나의 상기 수정 발광 화소의 다음에 주사되는 상기 수정 발광 화소까지의 상대적인 주사 화소수가, 주사순으로 저장되어 있으며, 상기 증분 연산 회로는, 제1 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호가 출력된 후에, 상기 메모리에 저장된 상기 좌표 정보이며, 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표로부터 다음에 주사되는 제2 수정 발광 화소까지의 주사 화소수만을 읽어들여, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호가 할증되지 않고 출력된 경우에, 상기 주사 화소수를 1 줄이는 다음 리페어 위치 계수(計數) 회로와, 상기 다음 리페어 위치 계수 회로에 있어서의 상기 주사 화소수가 1인 경우, 출력 대상인 발광 화소의 상기 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 출력 할증 연산기를 구비해도 된다.
이에 의해, 모든 발광 화소에 대한 보정 데이터를 저장하는 대용량 메모리를 확보할 필요가 없다. 또, 수정 발광 화소간의 주사 화소수를 1주사마다 감산하는 계수 회로에 의해, 단순한 로직 처리로 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 보정할 수 있으므로, 제어 회로의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 메모리는, 상기 좌표 정보 이외의 데이터를 저장하는 저장 영역을 주저장 영역으로서 가져도 된다.
제조 시에 전극간 쇼트에 의한 용량 소자를 갖는 발광 화소의 발생률은 낮으므로, 수정 발광 화소의 좌표 정보를 저장하는 메모리의 용량은 작아도 된다. 따라서, 이 때문에 메모리를 별도로 준비할 필요는 없으며, 화상 표시 장치로서 본래 구비되어 있는 불휘발성 메모리 등의 비어 있는 용량을 이용하면 본 발명의 메모리로서의 기능은 발휘된다. 이에 의해, 저비용화를 도모하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 한 양태에 따른 화상 표시 장치에 있어서, 상기 용량 소자는, 상기 발광 화소마다 부여된 상기 발광 화소 신호에 따른 전압을 유지 전압으로서 유지하는 유지 용량 소자이며, 상기 구동 회로층은, 게이트와 상기 용량 소자의 한쪽의 단자가 접속되고, 게이트에 상기 유지 전압이 인가됨으로써, 상기 유지 전압을 소스-드레인간 전류인 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터를 더 구비하고, 상기 발광층은, 상기 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자를 구비하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명은, 이러한 특징적인 수단을 구비하는 화상 표시 장치로서 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 화상 표시 장치에 포함되는 특징적인 수단을 단계로 하는 화상 표시 장치의 보정 방법으로서 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태 및 각 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 설명한다. 또, 이하에서는, 상면 발광 방식의 양극(애노드)을 하면으로, 또, 음극(캐소드)을 상면으로 하는 유기 EL 소자로 이루어지는 화상 표시 장치를 예로 설명하지만, 이것에 한정되지 않는다.
(실시 형태 1)
본 실시 형태에 있어서의 화상 표시 장치에 있어서, 발광층을 구동하는 구동 회로층은, 전극층의 일부가 떼어내어짐으로써 미리 수정된 용량 소자를 구비하고, 당해 화상 표시 장치는, 당해 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소의 발광 패널에 있어서의 좌표 정보를 저장하는 메모리와, 영상 신호를 발광 화소의 발광을 결정하는 발광 화소 신호로 변환하여 주사순으로 출력하는 제어 회로를 구비하며, 당해 제어 회로는 상기 메모리로부터 당해 좌표 정보만을 읽어들여, 영상 신호의 정보와 당해 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 증분 연산 회로를 구비한다. 이에 의해, 수정 발광 화소를, 당해 수정 발광 화소의 좌표 정보만을 보정 데이터로 함으로써 다른 정상 발광 화소와 동일한 발광 타이밍으로 발광시킬 수 있을 뿐만 아니라, 당해 정상 발광 화소와 동일한 휘도로 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치의 구성을 도시한 기능 블록도이다. 상기 도면에 있어서의 화상 표시 장치(1)는, 발광 패널(10)과, 제어 회로(30)와, 리페어 화소 위치 메모리(40)를 구비한다. 발광 패널(10)은, 복수의 발광 화소(11)와, 발광 화소열마다 배치된 복수의 신호선(12)과, 발광 화소행마다 배치된 복수의 주사선(13)과, 주사선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)를 구비한다.
제어 회로(30)는, 증분 연산 회로(301)를 구비한다.
발광 화소(11)는, 발광 패널(10) 상에 2차원형상으로 배치되어 있다.
주사선 구동 회로(14)는, 각 주사선(13)에 주사 신호를 출력함으로써, 발광 화소가 갖는 회로 소자를 소정의 구동 타이밍으로 구동한다.
신호선 구동 회로(15)는, 신호선(12)에, 발광 화소 신호 및 기준 신호를 출력함으로써, 영상 신호에 대응한 발광 화소의 발광을 실현한다.
제어 회로(30)는, 외부로부터 입력되는 영상 신호를 발광 화소의 발광을 결정하는 발광 화소 신호로 변환하여 주사순으로 신호선 구동 회로(15)에 출력한다. 또, 제어 회로(30)는, 신호선 구동 회로(15)로부터 출력되는 발광 화소 신호를 출력하는 타이밍, 및, 주사선 구동 회로(14)로부터 출력되는 주사 신호의 출력 타이밍을 제어한다.
또, 제어 회로(30)는, 후술하는 수법에 의해 수정한 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 신호선 구동 회로(15)에 출력한다. 구체적으로는, 증분 연산 회로(301)는, 상기 수정 발광 화소의 발광 패널(10)에 있어서의 화소 좌표 정보가 주사순으로 저장된 리페어 화소 위치 메모리(40)로부터 좌표 정보만을 읽어들여, 상기 영상 신호의 정보와 당해 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력한다. 증분 연산 회로(301)의 구성 및 동작에 대해서는, 또한 후술한다.
다음에, 발광 화소(11)의 구성 및 기능에 대해 설명한다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 발광 화소의 주요한 회로 구성도이다. 상기 도면에 기재된 발광 화소(11)는, 구동 회로층(11A) 및 발광층(11B)으로 구성되어 있다. 구동 회로층(11A)은, 예를 들면, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와, 유지 용량 소자(23)를 구비한다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(21)의 드레인 전극은 신호선(12)에, 스위칭 트랜지스터(21)의 게이트 전극은 주사선(13)에, 또한, 스위칭 트랜지스터(21)의 소스 전극은, 유지 용량 소자(23) 및 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 접속되어 있다. 또, 구동 트랜지스터(22)의 드레인 전극은 전원(Vdd)에 접속되고, 소스 전극은 발광층(11B)의 애노드에 접속되어 있다.
이 구성에 있어서, 주사선(13)에 주사 신호가 입력되고, 스위칭 트랜지스터(21)를 온 상태로 하면, 신호선(12)을 통해 공급된 신호 전압이 유지 용량 소자(23)에 기록된다. 그리고, 유지 용량 소자(23)에 기록된 유지 전압은, 1프레임 기간을 통해 유지되고, 이 유지 전압에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 컨덕턴스가 아날로그적으로 변화하여, 발광 계조에 대응한 구동 전류가 발광층(11B)의 애노드에 공급된다. 또한, 발광층(11B)의 애노드에 공급된 구동 전류는, 발광층(11B)의 유기 EL 소자(24) 및 캐소드에 흐른다. 이에 의해, 발광층(11B)의 유기 EL 소자(24)가 발광하여 화상으로서 표시된다.
또한, 구동 회로층(11A)은, 상술한 회로 구성에 한정되지 않는다. 요컨대, 스위칭 트랜지스터(21), 구동 트랜지스터(22) 및 유지 용량 소자(23)는, 신호 전압의 전압치에 따른 구동 전류를 발광층(11B)에 흐르게 하기 위해 필요한 회로 구성 요소이지만, 상술한 형태에 한정되지 않는다. 또, 상술한 회로 구성 요소에, 다른 회로 구성 요소가 부가되는 경우도, 본 발명에 따른 구동 회로층(11A)에 포함된다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 발광 화소의 구조 단면도이다. 상기 도면에 기재된 발광 화소(11)는, 기판(100)과, 구동 회로층(11A)과, 발광층(11B)과, 투명 시일링막(110)을 구비한다.
기판(100)은, 예를 들면, 유리 기판이다. 또, 기판(100)은, 수지로 이루어지는 플렉시블 기판을 이용하는 것도 가능하다. 기판(100)은, 구동 회로층(11A)과 함께, 박막 트랜지스터(TFT) 기판을 구성한다. 또한, 도 3에 기재된 바와 같은 탑 에미션 구조의 경우에는, 기판(100)은 투명할 필요는 없으므로, 비투명의 기판, 예를 들면, 실리콘 기판을 이용할 수도 있다.
구동 회로층(11A)은, 기판(100) 상에 형성된 구동 트랜지스터(22)와, 유지 용량 소자(23)와, 평탄화막(101 및 102)과, 도시 생략한 스위칭 트랜지스터(21)를 구비한다.
구동 트랜지스터(22)는, 기판(100) 상에 형성된 TFT이다. 구동 트랜지스터(22)는, 드레인 전극(220), 소스 전극(221), 소스 전극(221) 및 드레인 전극(220)에 접촉하여 형성된 반도체층(222), 반도체층(222) 상에 형성된 게이트 절연막(223), 및 게이트 절연막(223) 상에 형성된 게이트 전극(224)으로 구성된다.
유지 용량 소자(23)는, 적층 방향에 있어서 대향하는 전극층(231 및 232)의 사이에 끼워진 평행 평판형의 용량 소자이다. 전극층(231)은, 구동 회로층(11A) 내에서 게이트 전극(224)과 접속되어 있다. 또, 전극층(232)은 전원(Vdd)에 접속되어 있다. 전극층(231)의 재료로서는, 예를 들면, 볼리브덴(Mo)과 텅스텐(W)의 합금이며, 막두께는, 예를 들면, 150nm이다. 전극층(232)의 재료로서는, 예를 들면, Mo과 W의 합금/알루미늄(Al)/Mo과 W의 합금의 적층 구조이며, 합계 막두께는, 예를 들면, 150nm이다.
전극층(231 및 232)의 사이에는, 절연층(233)이 형성되어 있다. 절연층(233)으로서는, 예를 들면, 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiN) 등을 들 수 있다. 또, 절연층(233)의 막두께는, 예를 들면, 150nm이다. 또한, 절연층(233)은, 원하는 정전 용량을 확보하기 위해, 유전체 재료여도 된다.
또, 스위칭 트랜지스터(21)는, 본 구조 단면도에는 기재되어 있지 않지만, 구동 트랜지스터(22)와 동일한 구조로 구동 회로층 내에 형성되어 있다. 도 2의 회로 구성도를 실현하기 위해, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극(224)과 스위칭 트랜지스터(21)의 소스 전극은 도시 생략된 배선에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다.
기판(100) 상에는, 상술한 스위칭 트랜지스터(21), 구동 트랜지스터(22) 및 유지 용량 소자(23)를 덮도록 평탄화막(101 및 102)이 형성되어 있다.
구동 회로층(11A)은, 평탄화막(102)에 의해, 그 상면의 평탄성이 확보되어 있다. 또한, 평탄화막(101 및 102)의 재료로서는, 예를 들면, CVD법이나 스퍼터링법 등에 의한 실리콘 산화막이다. 이 형성된 실리콘 산화막의 표면을, 예를 들면, CMP(Chemical Mechanical Polishing)법 등에 의해 평탄화함으로써 평탄화막(101 및 102)이 형성된다.
발광층(11B)은, 양극(103)과, 정공 주입층(104)과, 정공 수송층(105)과, 유기 발광층(106)과, 뱅크층(107)과, 전자 주입층(108)과, 투명 음극(109)을 구비한다.
도 3에 기재된 발광 화소(11)는, 탑 에미션 구조를 갖고 있다. 요컨대, 발광층(11B)에 전압을 인가하면, 유기 발광층(106)에서 광이 발생하여, 투명 음극(109) 및 투명 시일링막(110)을 통해 광이 위쪽으로 출사한다. 또, 유기 발광층(106)에서 발생한 광 중 아래쪽으로 향한 것은, 양극(103)에서 반사되어, 투명 음극(109) 및 투명 시일링막(110)을 통해 광이 위쪽으로 출사한다.
양극(103)은, 구동 회로층(11A)의 평탄화막(102)의 표면 상에 적층되고, 투명 음극(109)에 대해 양의 전압을 발광층(11B)에 인가하는 전극이다. 양극(103)과 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극(221)은 구동 회로층(11A) 내에 형성된 비아로 접속되어 있다. 양극(103)을 구성하는 양극 재료로서는, 예를 들면, 반사율이 높은 금속인 Al, Ag, 또는 그들의 합금이 바람직하다. 또, 양극(103)의 두께는, 예를 들면, 100?300nm이다.
정공 주입층(104)은, 양극(103)의 표면 상에 형성되고, 정공을 안정적으로 또는 정공의 생성을 보조하여, 유기 발광층(106)에 정공을 주입하는 기능을 갖는다. 이에 의해, 발광층(11B)의 구동 전압이 저전압화되고, 정공 주입의 안정화에 의해 소자가 장수명화된다. 정공 주입층(104)의 재료로서는, 예를 들면 PEDOT(폴리에틸렌디옥시티오펜) 등을 이용할 수 있다. 또, 정공 주입층(104)에는, 정공 주입성 외에, 광투과성이 요구된다. 정공 주입층(104)의 막두께가 커질수록, 정공 주입층(104)의 반사율은 저하하므로, 정공 주입층(104)의 막두께는, 예를 들면, 10nm?100nm 정도로 하는 것이 바람직하다.
정공 수송층(105)은, 정공 주입층(104)의 표면 상에 형성되고, 정공 주입층(104)으로부터 주입된 정공을 유기 발광층(106) 내로 효율적으로 수송하여, 유기 발광층(106)과 정공 주입층(104)의 계면에서의 여기자의 실활(失活)을 방지하며, 또한 전자를 블록하는 기능을 갖는다. 정공 수송층(105)으로서는, 예를 들면, 발생한 정공을 분자간의 전하 이동 반응에 의해 전달하는 성질을 갖는 유기 고분자 재료이며, 예를 들면, 트리페닐아민, 폴리아닐린 등을 들 수 있다. 또, 정공 수송층(105)의 두께는, 예를 들면, 5?50nm 정도이다. 또, 상층인 유기 발광층(106)을 형성할 때에, 이것에 용출되기 어렵도록, 가교제를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 정공 수송층(105)은, 그 인접층인 정공 주입층(104)이나 유기 발광층(106)의 재료에 의해, 생략되는 경우가 있다.
유기 발광층(106)은, 정공 수송층(105)의 표면 상에 형성되고, 정공과 전자가 주입되어 재결합됨으로써 여기 상태가 생성되어 발광하는 기능을 갖는다.
유기 발광층(106)으로서는, 잉크젯이나 스핀코트와 같은 습식 제막법(製膜法)으로 제막할 수 있는 발광성의 유기 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 대화면의 기판에 대해, 간이하고 균일한 제막이 가능해진다. 이 재료로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 고분자 유기 재료가 바람직하다. 고분자 유기 재료의 특징으로서는, 디바이스 구조가 간단한 것, 막의 신뢰성이 우수하며, 저전압 구동의 디바이스인 것도 들 수 있다.
방향환 또는 축합환과 같은 공역계를 가진 고분자 혹은 π공역계 고분자는 형광성을 가지므로, 유기 발광층(106)을 구성하는 고분자 유기 재료로서 이용할 수 있다. 유기 발광층(106)을 구성하는 고분자 발광 재료로서는, 예를 들면, 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 또는 그 유도체(PPV 유도체), 폴리플루오렌(PFO) 또는 그 유도체(PFO 유도체), 폴리스피로플루오렌 유도체 등을 들 수 있다. 또, 폴리티오펜 또는 그 유도체를 이용하는 것도 가능하다.
뱅크층(107)은, 정공 주입층(104)의 표면 상에 형성되고, 습식 제막법을 이용하여 형성되는 정공 수송층(105) 및 유기 발광층(106)을 소정의 영역에 형성하는 뱅크로서의 기능을 갖는다. 뱅크층(107)에 이용되는 재료는, 무기물질 및 유기물질 중 어느 것이어도 되지만, 유기물질 쪽이, 일반적으로 발수성(撥水性)이 높으므로, 보다 바람직하게 이용할 수 있다. 이러한 재료의 예로서는, 폴리이미드, 폴리아크릴 등의 수지를 들 수 있다. 뱅크층(107)의 패터닝의 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 감광성의 재료를 이용한 포토리소그래피법을 적용하는 것이 바람직하다. 뱅크층(107)의 두께는, 예를 들면, 100?3000nm 정도이다.
전자 주입층(108)은, 유기 발광층(106) 상에 형성되고, 유기 발광층(106)으로의 전자 주입의 장벽을 저감하여 발광층(11B)의 구동 전압을 저전압화하는 것과, 여기자 실활을 억제하는 기능을 갖는다. 이에 의해, 전자 주입을 안정화하여 소자를 장수명화하는 것과, 투명 음극(109)과의 밀착을 강화하여 발광면의 균일성을 향상시켜 소자 결함을 감소시키는 것이 가능해진다. 전자 주입층(108)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 바륨, 알루미늄, 프탈로시아닌, 불화리튬, 또한, 바륨-알루미늄 적층체 등으로 이루어진다. 전자 주입층(108)의 두께는, 예를 들면, 2?50nm 정도이다.
투명 음극(109)은, 전자 주입층(108)의 표면 상에 적층되고, 양극(103)에 대해 음의 전압을 발광층(11B)에 인가하여, 전자를 소자 내(특히 유기 발광층(106))에 주입하는 기능을 갖는다. 투명 음극(109)으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 투과율이 높은 물질 및 구조를 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 효율이 높은 탑 에미션 유기 EL 소자를 실현할 수 있다. 투명 음극(109)의 구성으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 금속 산화물층이 이용된다. 이 금속 산화물층으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 인듐 주석 산화물(이하, ITO라고 기재한다), 혹은 인듐 아연 산화물(이하, IZO라고 기재한다)로 이루어지는 층이 이용된다. 또, 투명 음극(109)의 두께는, 예를 들면, 5?200nm 정도이다.
투명 시일링막(110)은, 투명 음극(109)의 표면 상에 형성되고, 수분으로부터 소자를 보호하는 기능을 갖는다. 또, 투명 시일링막(110)은 투명한 것이 요구된다. 투명 시일링막(110)은, 예를 들면, SiN, SiON, 또는 유기막으로 이루어진다. 또, 투명 시일링막(110)의 두께는, 예를 들면, 20?5000nm 정도이다.
이상 설명한 발광 화소(11)의 구조에 의해, 화상 표시 장치(1)는, 액티브 매트릭스형의 표시 장치로서의 기능을 갖는다.
다음에, 본 발명의 구성 요소인 유지 용량 소자(23)의 구조 및 기능에 대해 설명한다. 도 4는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 유지 용량 소자의 전극 구성도이다. 상기 도면에는, 적층 방향에 있어서 대향하는 전극층(231 및 232)의 상면도, 및 양 전극이 상하로 서로 겹쳐져 형성된 유지 용량 소자(23)의 상면 투시도가 기재되어 있다. 또한, 도시 생략하지만, 양 전극층(231 및 232)의 사이에는, 절연층(233)이 형성되어 있다.
상부에 형성된 전극층(232)은, 면 방향에서 분할된 4개의 전극 블록층(232A?232D)으로 이루어진다. 전극 블록층(232A?232D)은, 동일 면 내에서 도전선(234)으로 접속되어 있다.
한편, 하부에 형성된 전극층(231)은, 도전선(234)이 적층 방향으로 투영된 영역 R을 제외한 영역에 형성되어 있다. 요컨대, 도전선(234)과 대향하는 영역 R에는, 전극층(231)이 형성되어 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 영역 R은, 전극층(231)이 형성된 영역 내부에, 적극적으로 형성되어 있다. 또, 전극층(232)의 평면 상에 형성된 도전선(234)에 레이저 조사하였을 때, 당해 레이저가 전극층(231)의 평면 상에 도달하여, 전극층을 손상시키는 것이 상정되지만, 영역 R은, 전극층(231)의 평면 상에 당해 레이저가 도달하여 당해 평면을 손상시키는 영역을 포함하는 영역이다.
상술한 유지 용량 소자(23)의 구성에 의하면, 불필요한 파티클 등이 발생하여 전극간 쇼트의 원인이 되고 있는 전극 블록층을, 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해 용량 소자로부터 떼어내는 것이 가능해진다. 또, 도전선(234)과 대향하는 영역 R에는 전극층(231)이 형성되어 있지 않다. 따라서, 전극(232)의 면에 대해 대략 수직인 방향으로부터의 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해, 당해 레이저는 영역 R에는 도달할 가능성이 있지만, 용량 소자를 구성하는 영역, 요컨대 전극층(231)을 손상시키는 일은 없다.
또, 도 4의 상면 투시도에는, 전극층(232)과 다른 회로 소자를 접속하기 위한 인출 배선이 기재되어 있다. 이 인출 배선은, 도전선(234)을 통해 4개의 상기 전극 블록층(232A?232D)에 접속되어 있다.
통상의 화상 표시 장치에 있어서의 발광 화소의 불량률로부터 추정하여, 용량 소자를 요인으로 한 불량 발광 화소에 있어서는, 1개소만의 쇼트에 의한 경우가 지배적이다. 따라서, 불필요한 파티클 등이 발생한 하나의 전극 블록만을 제외함으로써, 용량 소자가 원인인 발광 화소 불량은 거의 해소된다. 따라서 상기 인출 배선의 접속에 의하면, 전극 블록층(232A?232D) 중 하나의 전극 블록만을 다른 전극 블록 및 인출 배선으로부터 전기 절연시키는 것이 가능해진다. 또, 전극 블록층(232A?232D) 중 하나의 전극 블록만을 전기적으로 절단해도, 인출 배선은 정상 기능을 갖는 용량 소자로부터 절단되는 일이 없다. 따라서 수정 후의 용량 소자는, 발광 화소의 정전 유지 용량으로서의 기능을 갖는다.
도 5A는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자에 레이저를 조사하여 소정의 전극 블록층을 절단하는 모양을 도시한 도면이다. 상기 도면에 기재된 바와 같이, 유지 용량 소자(23)는, C1?C4로 이루어지는 전극 블록으로 분할되어 있다. 여기에서, 예를 들면, 전극 블록 C4의 절연층에 도전성의 파티클 등이 상하 전극 블록층에 걸쳐 편재하여 전극 블록 C4가 쇼트 불량의 원인이 되고 있는 경우, 전극층(231 및 232)의 사이에 인가된 전압에 의해 유지 용량 소자(23)에 축적되어야 할 전하가, 전극 블록 C4에 형성된 전류 패스에 의해 유지되지 않는다.
도 5B는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자의 등가 회로도이다. 전극 블록 C4가 단락되어 있지 않은 경우에는, 유지 용량 소자(23)의 정전 용량은, 각 전극 블록의 정전 용량을 가산한 값이 된다. 여기에서, 상기 도면에 기재된 바와 같이, 전극 블록 C4의 양 전극 블록층이 단락되어 있는 경우에는, 용량 소자로서의 유지 용량 소자(23)로부터 전극 블록 C4를 전기적으로 무기능화시키는 것이 가능하다. 구체적으로는, 도 5A 하단에 도시된 유지 용량 소자(23)의 상면 투시도에 있어서, 전극 블록 C4에 접속된 2개소의 도전선(234L)에 대해, 막 면에 대해 대략 수직인 방향으로부터 레이저가 조사된다. 도 5A 상단에 있어서, L은 레이저 광선의 궤적을 나타내고, 도전선(234L)은 레이저광에 의해 절단되어 있다.
이에 의해, 위쪽의 전극층(232)에 있어서의 전극 블록 C4에 상당하는 영역인 전극 블록층(232D)은, 전극층(232)에 있어서의 다른 영역으로부터 전기 절연된다. 또, 이 때, 도전선(234L)이 적층 방향으로 투영된 영역(도 4 기재의 영역 R)에는, 용량 소자를 구성하는 전극이 형성되어 있지 않으므로, 용량 유지 기능에 관련된 전극층이나 절연층을 손상시키지 않다.
이 레이저 조사에 의해, 유지 용량 소자(23)는, 전극 블록 C1?C3이 병렬 접속된 용량 소자로서 정상적으로 기능하는 것이 가능해진다.
따라서, 유지 용량 소자(23)는, 절제된 전극 블록 C4의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하지만, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍으로 발광층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다.
또한, 여기에서는 상부에 형성된 전극층(232)을 가공하는 예를 들었지만, 전극층(231 및 232)의 패턴을 교체하여, 하부에 형성된 전극층(231)의 레이저 가공을 행해도 된다.
또, 레이저의 조사 방향은, 발광 패널(10)의 상면으로부터가 아니라, 기판(100)을 통한 하면으로부터여도 된다. 도 5C는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 유지 용량 소자에 대해, 하면측으로부터 레이저 조사하는 경우를 설명하는 구조 단면도이다. 도 5C에 기재된, 하면으로부터의 레이저 조사 방식은, 도 5A에 기재된, 상면으로부터의 레이저 조사 방식과 비교하여, 발광층(11B)이 구동 회로층(11A) 상에 형성된 후에 이루어지는 유지 용량 소자(23)의 수정에 있어서 유리하다. 왜냐하면, 하면으로부터의 레이저 조사 방식은, 발광층(11B)을 레이저가 통과하지 않는다는 점에서, 발광층(11B)을 레이저의 통과에 의해 손상시킬 가능성을 배제할 수 있기 때문이다.
다음에, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 화상 표시 장치(1)의 제조 방법은, 종래의 화상 표시 장치의 제조 방법과 비교하여, 유지 용량 소자(23)의 형성 공정만이 상이하다. 종래의 화상 표시 장치의 제조 방법과 동일한 점은 설명을 생략하고, 이하, 상이한 점만 설명한다.
우선, 구동 회로층(11A)의 1층으로서, 메탈마스크 제막, 리프트오프 및 에칭 등의 수법을 이용하여, 예를 들면, Mo과 W의 합금으로 이루어지는 전극층(231)을 소정의 위치에 형성한다. 이 때, 전극층(231)과 스위칭 트랜지스터(21)의 게이트 전극은, 금속 배선에 의해 접속되어 있다.
다음에, 전극층(231) 상에, 예를 들면, SiOx 또는 SiN 등으로 이루어지는 절연층(233)을, 전극층(231)을 덮도록 형성한다. 이 때, 필요에 따라, 절연층(233)의 표면을 평탄화하는 것이 바람직하다.
다음에, 절연층(233) 상에, 메탈마스크 제막, 리프트오프 및 에칭 등의 수법을 이용하여, 예를 들면, Mo과 W의 합금/Al/Mo과 W의 합금의 적층 구조로 이루어지는 전극층(232)을 소정의 위치에 형성한다. 이 때, 전극층(232)의 평면 패턴은, 분할된 복수의 전극 블록층 영역으로 이루어지고, 이들 전극 블록층 영역이, 동일 면 내에서 도전선으로 접속되어 있는 형상이다.
여기에서, 하부에 형성된 전극층(231)은, 도전선(234)이 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 요컨대, 전극층(231)의 형성 시에는, 도 4에 기재된 영역 R이 전극층(231)의 내부 영역에 포함되도록, 상기 패터닝 수법을 이용하여 전극층(231)이 형성된다.
상기 제조 방법에 의해, 유지 용량 소자(23)가 구동 회로층(11A) 내에 형성된다.
상술한 화상 표시 장치(1)의 제조 방법에 의하면, 불필요한 파티클 등이 발생한 전극 블록을, 도전선으로의 레이저 조사에 의해 용량 소자로부터 떼어내는 것이 가능해진다. 또한, 도전선(234)이 적층 방향으로 투영된 영역(도 4 기재의 영역 R)에는 용량 소자를 구성하는 전극이 형성되어 있지 않으므로, 도전선으로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 영역을 손상시키는 것을 회피할 수 있다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 제1 변형예를 도시한 유지 용량 소자의 전극 구성도이다. 상기 도면에는, 도 4와 동일하게, 적층 방향에 있어서 대향하는 전극층(231 및 232)의 상면도, 및 양 전극층이 상하로 서로 겹쳐져 형성된 유지 용량 소자(23)의 상면 투시도가 기재되어 있다. 또한, 도시 생략하지만, 양 전극층(231 및 232)의 사이에는, 절연층(233)이 형성되어 있다. 상기 도면에 기재된 유지 용량 소자(23)는, 도 4에 기재된 유지 용량 소자와 비교하여, 도전선(234)의 형성 위치가 상이하다. 이하, 도 4에 기재된 유지 용량 소자와 동일한 점은 설명을 생략하고, 상이한 점만 설명한다.
도전선(234)은, 전극층(232)의 영역 내이며, 당해 영역의 외주부에 배치되어, 각 전극 블록을 접속하고 있다.
하부에 형성된 전극층(231)은, 도전선(234)이 적층 방향으로 투영된 영역 R을 제외한 영역에 형성되어 있다. 요컨대, 도전선(234)과 대향하는 영역 R에는, 적극적으로 전극층(231)을 형성하고 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 전극층(231)이 형성된 영역 내이며 외주 가장자리부에, 영역 R이 형성되어 있다.
본 변형예의 유지 용량 소자(23)의 구성에 의하면, 불필요한 파티클 등이 발생한 전극 블록층을, 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해 용량 소자로부터 떼어내는 것이 가능해진다. 또한, 영역 R에는 전극이 형성되어 있지 않으므로, 전극층(232)의 면에 대해 대략 수직인 방향으로부터의 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 영역, 요컨대 전극층(231)을 손상시키는 것을 회피할 수 있다.
또, 본 변형예에서는, 전극층(232)과 다른 회로 소자를 접속하기 위한 인출 배선이 기재되어 있다. 이 인출 배선은, 도전선(234)을 통해 4개의 상기 전극 블록층(232A?232D)에 접속되어 있다. 따라서 상기 인출 배선의 접속에 의하면, 전극 블록층(232A?232D) 중 하나의 전극 블록만을 다른 전극 블록 및 인출 배선으로부터 전기 절연시키는 것이 가능해진다. 또, 전극 블록층(232A?232D) 중 하나의 전극 블록만을 전기적으로 절단해도, 인출 배선은 정상 기능을 갖는 용량 소자로부터 절단되는 일이 없다. 따라서 수정 후의 유지 용량 소자는, 발광 화소의 정전 유지 용량 소자로서의 기능을 갖는다.
본 변형예에 있어서도, 예를 들면 전극 블록 C4(도 6 기재의 상면 투시도에 있어서의 우측 상부의 전극 블록)가 쇼트 불량의 원인인 경우, 전극 블록 C4에 접속된 도전선(234L)으로의 레이저 조사에 의해, 유지 용량 소자(23)는, 전극 블록 C1?C3이 병렬 접속된 용량 소자로서 정상적으로 기능하는 것이 가능해진다.
따라서, 유지 용량 소자(23)는, 절제된 전극 블록 C4의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하지만, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍으로 발광층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다.
또, 본 변형예의 유지 용량 소자(23)의 구성은, 도 4에 기재된 유지 용량 소자와 비교하여, 확보해야 할 정전 용량의 면적 효율이 우수하다. 이하, 이 효과를 설명한다.
도 6에 기재된 유지 용량 소자의 상면 투시도에는, 영역 R과 도전선(234)이 서로 겹쳐진 부분의 확대도가 기재되어 있다. 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해 전극층(231)이 손상되지 않도록, 또, 영역 R과 도전선(234)이 서로 겹쳐지는 공정에 있어서의 패턴 마스크 어긋남을 고려하여, 전극층(231)의 좌우 양단에 배치된 영역 R은, 예를 들면, X=8μm, Y=12μm로 확보되어 있다. 한편, 전극층(231)의 상하 양단에 배치된 영역 R은, 예를 들면, X=12μm, Y=8μm로 확보되어 있다. 여기에서, 도전선(234)의 선폭을 4μm, 길이를 4μm로 가정하고 있다. 요컨대, 도전선(234)을 레이저 조사에 의해 절단하기 위해, 전극층(231)의 좌우 양단에 배치된 영역 R은, 도전선(234)의 선폭에 대응한 영역에 더하여, 영역 R7 및 R8을 포함하는 영역(X=4μm, Y=12μm)이 더 확보되고, 전극층(231)의 상하 양단에 배치된 영역 R은, 영역 R5 및 R6을 포함하는 영역(X=12μm, Y=4μm)이 더 확보되어 있다. 이 때, 도전선(234)이 아닌, 전극 블록의 구성 요소인 영역 R5?R8과 대향하는 영역은 영역 R로 되어 있으므로, 영역 R5?R8은 유지 용량으로서 기능하지 않는다.
한편, 도 4에 기재된 유지 용량 소자의 상면 투시도에서도, 영역 R과 도전선(234)이 서로 겹쳐진 부분의 확대도가 기재되어 있다. 도전선(234)으로의 레이저 조사에 의해 전극층(231)이 손상되지 않도록, 또, 영역 R과 도전선(234)이 서로 겹쳐지는 공정에 있어서의 패턴 마스크 어긋남을 고려하여, 전극층(231)의 좌우 방향에 배치된 영역 R은, 예를 들면, X=12μm, Y=12μm로 확보되어 있다. 한편, 전극층(231)의 상하 방향에 배치된 영역 R은, 예를 들면, X=12μm, Y=12μm로 확보되어 있다. 여기에서, 도전선(234)의 선폭을 4μm로 가정하고 있다. 요컨대, 도전선(234)을 레이저 조사에 의해 절단하기 위해, 전극층(231)의 좌우 방향에 배치된 영역 R은, 도전선(234)의 선폭에 더하여, 도전선(234)의 양측에, 각각, X=4μm, Y=12μm가 더 확보되고, 전극층(231)의 상하 방향에 배치된 영역 R은, 도전선(234)의 양측에, 각각, X=12μm, Y=4μm가 더 확보되어 있다. 이 때, 도전선(234)이 아닌, 전극 블록의 구성 요소인 영역 R1?R4의 대향하는 영역은 영역 R이 되고 있으므로, 영역 R1?R4는 유지 용량으로서 기능하지 않는다.
이상의 비교로부터, 도 6에 기재된 유지 용량 소자에 있어서 확보된 영역 R과 대향하는 영역 R5 및 R6은, 각각, 도 4에 기재된 유지 용량 소자에 있어서 확보된 영역 R과 대향하는 영역 R1 및 R2보다 작다. 또, 동일하게 하여, 영역 R7 및 R8은, 각각, 영역 R3 및 R4보다 작다. 이것으로부터, 도 6에 기재된 유지 용량 소자(23) 쪽이, 영역 R의 확보에 의해 침식되는 전극층 면적을 억제할 수 있으므로, 복수의 전극 블록층으로 구성되는 전극층(232)의 면적에 대해, 확보해야 할 정전 용량의 면적 효율이 높다.
요컨대, 도전선(234)은, 전극층(232)의 내부보다, 전극층(232)의 외부 가장자리부에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 도전선(234)의 배치에 대응하여, 레이저 조사에 의해 전극층(231)이 손상되지 않도록 형성되는 영역 R은, 전극층(231)의 외부 영역이 아니라, 전극층(231)의 외부 가장자리부 영역에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 변형예의 유지 용량 소자의 구성은, 도 4에 기재된 유지 용량 소자의 구성에 비해, 레이저 조사되는 도전선이, 전극층(232)의 외주부에 형성되어 있으므로, 인출 배선을 짧게 하는 것이 가능해진다. 따라서, 인출 배선에 의한 충방전의 지연이 억제되므로, 신호 전하의 충방전 특성을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 변형예에 있어서도, 상부에 형성된 전극층(232)을 가공하는 예를 들었지만, 전극층(231 및 232)의 패턴을 교체하여, 하부에 형성된 전극층(231)의 레이저 가공을 행해도 된다.
또, 레이저의 조사 방향은, 발광 패널(10)의 상면으로부터가 아니라, 기판(100)을 통한 하면으로부터여도 된다.
다음에, 화상 표시 장치(1)가 갖는 유지 용량 소자(23)의 수정 방법에 대해 설명한다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 유지 용량 소자의 수정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
우선, 처음에, 모든 발광 화소(11)에 대해, 유지 용량 소자(23)의 전기 특성을 검사하여, 단락 상태에 있는 유지 용량 소자(23)를 갖는 발광 화소(11)를 특정한다(S10). 구체적으로는, 예를 들면, 신호선(12)에 어레이 테스터(Agilent사 : HS100)를 접속하고, 신호선(12)을 통해 각 발광 화소(11)로 순차적으로 테스트 전압을 출력하여 유지 용량 소자(23)에 당해 전압을 기록한다. 그 후, 어레이 테스터는, 유지 용량 소자(23)에 기록된 전압을, 소정의 타이밍으로, 신호선(12)을 통해 읽어들인다. 이에 의해, 읽어들인 전압이 소정의 전압에 만족하지 않는 발광 화소(11)를 특정한다. 이에 의해, 비정상인 유지 용량 소자(23)를 갖는 발광 화소의 화소 한정 프로세스가 완료된다.
다음에, 특정한 발광 화소(11)의 유지 용량 소자(23)를 관찰하여, 이상 개소의 영역을 특정한다(S20). 구체적으로는, 예를 들면, 유지 용량 소자(23)가 형성된 영역의 표면 요철 형상을 현미경 관찰한다. 도전성 파티클이 편재된 영역은, 볼록형상으로 되는 경우가 많다. 이에 의해, 비정상인 유지 용량 소자(23)의 영역 한정 프로세스가 완료되고, 이상 전극 블록이 특정된다.
또한, 이 영역 한정 프로세스는, 검사원이 실행해도 되고, 또, 화상 인식 기능을 갖는 자동 측정으로 실행해도 된다.
다음에, 특정한 이상 개소를 포함하는 전극 블록층이 접속되어 있는 도전선(234)의 일부에 레이저를 조사하여, 당해 전극 블록층을 다른 전극 블록층으로부터 전기 절연시킨다(S30). 여기에서, 도전선(234)의 일부에 레이저를 조사함으로써 절단 가능한 형상이란, 사용되는 레이저의 사양과 밀접한 관계가 있으며, 예를 들면, YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저를 광원으로 한 레이저 발진기를 이용하여, 예를 들면, 파장 532nm, 펄스폭 10ns, 파워 0.5mW를 출력 파라미터로 한 레이저를 사용한 경우, 도전선(234)의 폭이 4μm, 막두께가 150nm이면, 다른 정상적인 전극 블록을 손상시키지 않고, 도전선(234)은 절단된다. 이 때, 도전선(234)의 재료로서는, 예를 들면, 전술한 Mo과 W의 합금/알루미늄(Al)/Mo과 W의 합금의 적층 구조를 들 수 있다.
마지막으로, 상술한 레이저 조사를 실시한 발광 화소(11)의 동작 확인을 행한다(S40).
이상의 동작에 의해, 유지 용량 소자 형성 시에는 비정상이었던 발광 화소는, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하는 것이 가능해져, 정상적인 발광 타이밍으로 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
또한, 도 7에 기재된 유지 용량 소자(23)의 수정 방법은, 화상 표시 장치(1)의 제조 공정 도중 또는 제조 공정 완료 후에 적용된다. 예를 들면, 도 3에 기재된 화상 표시 장치(1)에 있어서, 상부의 전극층(232)이 형성된 단계, 또는, 평탄화막(102)이 형성된 단계에서 실시되어도 되고, 또, 발광층(11B) 및 투명 시일링막(110)이 형성된 단계에서 실시되어도 된다.
이상의 구성에 의해, 유지 용량 소자(23)를 구성하는 전극층 중 1층이, 복수의 전극 블록층이 도전선으로 면 방향으로 접속된 구성을 취하고 있으므로, 불필요한 파티클 등이 발생한 전극 블록을, 도전선으로의 레이저 조사에 의해 용량 소자로부터 떼어내는 것이 가능해진다. 또한, 도전선이 존재하는 영역을 적층 방향으로 투영한 영역에는 다른 전극층이 형성되어 있지 않으므로, 도전선으로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 영역을 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 상기 용량 소자는, 절제된 전극 블록층의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍으로 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
그러나, 상술한, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍으로 발광시키는 것만으로는, 유지 용량 소자(23)를 구성하는 전극층을 상기 전극 블록층 단위로 절제하면, 그에 의해 정전 용량이 변화해 버린다. 요컨대, 수정된 발광 화소의 용량 소자의 정전 용량은 절제된 전극 블록층의 면적분만큼 감소해 버린다.
이에 의해, 신호선으로부터 공급되는 신호 전압에 대해 유지 용량 소자(23)에 유지되는 유지 전압은, 기본적으로는 정상 상태에서는 차이는 없지만, 화소 선택용의 박막 트랜지스터의 오프리크 전류 등의 발생에 의해, 정전 용량이 작은 유지 용량 소자의 유지 전압의 감쇠는 빨라진다. 이 유지 전압의 감쇠도의 차이에 의해, 수정된 발광 화소와 무수정의 발광 화소의 사이에 휘도의 차이가 생겨, 동일한 신호 전압에 대해 완전히 휘도를 일치시킬 수 없다는 과제를 갖는다.
본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치(1)는, 상기 과제를 해소하여 고정밀도의 휘도 보정을 실현하고 있다. 이하, 고정밀도의 휘도 보정을 실현하기 위한 구성 및 그 동작에 대해 설명한다.
도 8A는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 제어 회로의 구성을 도시한 기능 블록도이다. 상기 도면에 기재된 제어 회로(30)는, 전술한 바와 같이, 증분 연산 회로(301)를 구비한다. 증분 연산 회로(301)는, 수정 발광 화소의 발광 패널(10)에 있어서의 화소 좌표 정보가 주사순으로 저장된 리페어 화소 위치 메모리(40)로부터 좌표 정보만을 읽어들여, 입력된 영상 신호의 정보와 당해 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력시키는 기능을 갖는다.
또, 증분 연산 회로(301)는, 다음 리페어 위치 레지스터(301A)와, 주사 좌표 비교기(301B)와, 출력 할증 연산기(301C)를 구비한다.
다음 리페어 위치 레지스터(301A)는, 제1 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호가 출력 할증 연산기(301C)로부터 신호선 구동 회로(15)로 출력된 후에, 리페어 화소 위치 메모리(40)에 저장된 좌표 정보이며, 제1 수정 발광 화소의 좌표의 다음에 저장된 제2 수정 발광 화소의 좌표만을 읽어들인다.
여기에서, 리페어 화소 위치 메모리(40)에 대해 설명한다. 리페어 화소 위치 메모리(40)에는, 상술한 유지 용량 소자(23)의 수정이 행해진 후, 수정된 유지 용량 소자(23)를 갖는 수정 발광 화소의 발광 패널(10)에 있어서의 좌표 정보가 주사순으로 저장되어 있다.
도 8B는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치가 갖는 리페어 화소 위치 메모리의 데이터 저장 방식을 설명하는 도면이다. 리페어 화소 위치 메모리(40)는, 예를 들면, 불휘발성 메모리이며, 리페어 화소 위치 메모리(40)에는, 예를 들면, 수정 발광 화소의 좌표 정보인 서브 픽셀 어드레스 데이터가 주사순으로 저장되어 있다. 예를 들면, 발광 패널이 4k×2k의 서브 픽셀로 이루어지고, 유지 용량 소자가 수정된 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터가 (x1, y1) 및 (x2, y2)인 것으로 한다. 또, 발광 화소(x1, y1) 쪽이, 발광 화소(x2, y2)보다 먼저 주사되는 것으로 한다. 이 경우, 리페어 화소 위치 메모리(40)에는, 수정 발광 화소의 좌표 정보 데이터로서, (x1, y1) 및 (x2, y2)가 이 순서로 저장된다. 또, 데이터의 마지막에는, 수정 발광 화소의 좌표 정보 데이터가 종료한 것을 나타내는 데이터(End of Data)가 저장된다. 이 경우, 하나의 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 저장하는데 필요한 비트수는, x1을 저장하는데 필요한 비트수인 12비트와 y1을 저장하는데 필요한 비트수인 11비트의 합계인 23비트이다. 요컨대, 모든 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 저장하는 메모리 영역으로서는, (23비트×(수정 발광 화소수+1))비트이면 된다.
본 발명의 화상 표시 장치에 있어서, 수정되는 유지 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소의 발생률은, 그 불량이 되는 원인으로부터 추정하여 극히 작다. 따라서, 리페어 화소 위치 메모리(40)로서, 독립된 메모리 소자를 이용할 필요가 없으며, 화상 표시 장치로서 본래 구비되어 있는 불휘발성 메모리 등의 비어 있는 영역을 이용하는 것에 의해서도, 본 발명의 메모리로서의 기능은 발휘된다. 이에 의해, 저비용화를 도모하는 것이 가능해진다.
이에 의해, 모든 발광 화소에 대한 보정 데이터를 저장하는 대용량 메모리를 확보할 필요가 없다.
다시, 증분 연산 회로(301)의 구성 요소에 대해 설명한다.
주사 좌표 비교기(301B)는, 다음 리페어 위치 레지스터(301A)에 읽어들여진 제2 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 읽어들이고, 또, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 검출하여, 양쪽의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 비교한다.
또한, 출력 대상 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터는, 1프레임의 주사가 개시되는 시점으로부터 주사 화소수를 카운트하는 내장의 계수 회로 등에 의해 검출되어도 되고, 또, 제어 회로(30) 내의 구성 요소로부터 출력 대상 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터가 입력되어도 된다.
출력 할증 연산기(301C)는, 주사 좌표 비교기(301B)에서 비교된 상기 제2 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터와 상기 출력 대상 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터가 일치한 경우, 당해 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력한다.
다음에, 본 실시 형태에 따른 화상 표시 장치(1)가 갖는 제어 회로에 의한 보정 방법에 대해 설명한다.
도 9는, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치의 보정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
우선, 처음에, 제어 회로(30)는, 수정 발광 화소에 대한 발광 패널(10)에 있어서의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 주사순으로 리페어 화소 위치 메모리(40)에 저장한다(도시 생략한 S95).
또한, 상기 단계 S95는, 본 발명의 화상 표시 장치가 제품으로서 출하되기 전에 실행되는 동작이며, 제어 회로(30)가 실행하지 않아도 되고, 예를 들면, 유지 용량 소자를 수정한 작업자가, 상기 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 직접 리페어 화소 위치 메모리(40)에 기록해도 된다.
다음에, 다음 리페어 위치 레지스터(301A)는, 리페어 화소 위치 메모리(40)로부터, 그 선두에 저장되어 있는 최초의 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터만을 읽어들인다(S100).
다음에, 출력 할증 연산기(301C)는, 주사해야 할 선두의 발광 화소의 EL 구동 신호가 되는 발광 화소 신호 정보를 읽어들인다(S110).
다음에, 주사 좌표 비교기(301B)는, 다음 리페어 위치 레지스터(301A)에 읽어들여진 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터와, 출력 할증 연산기(301C)에 읽어들여진 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 비교한다(S120).
다음에, 단계 120 후, 주사 좌표 비교기(301B)로 상기 2개의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 비교한 결과(S130), 양자가 일치하고 있는 경우, 출력 할증 연산기(301C)는 읽어들여지고 있는 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증한 신호를 당해 발광 화소의 발광 화소 신호로 한다(S140). 또 이 때, 다음 리페어 위치 레지스터(301A)는, 리페어 화소 위치 메모리(40)로부터, 다음의 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터만을 읽어들인다(S150).
또, 단계 120 후, 주사 좌표 비교기(301B)로 상기 2개의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 비교한 결과(S130), 양자가 일치하고 있지 않은 경우, 출력 할증 연산기(301C)는, 읽어들여지고 있는 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하지 않고 그대로의 신호를 당해 발광 화소의 발광 화소 신호로 한다(S160).
다음에, 제어 회로(30)는, 출력 할증 연산기(301C)로 연산한 당해 발광 화소의 발광 화소 신호를 신호선 구동 회로(15)에 출력한다(S170).
다음에, 제어 회로(30)는, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료되었는지의 여부를 판정한다(S180).
단계 S180에 있어서, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료된 경우에는, 1프레임에 있어서의 발광 화소 신호의 보정을 종료한다.
단계 S180에 있어서, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료되고 있지 않는 경우에는, 출력 할증 연산기(301C)는, 주사해야 할 다음의 발광 화소의 EL 구동 신호가 되는 발광 화소 신호 정보를 읽어들인다(S190).
단계 S190 후, 단계 S120으로 되돌아와서, 이후, 단계 S120으로부터 단계 S180을 반복한다.
이상의 동작에 의해, 제조 시에 쇼트 불량의 원인이 된 전극층의 일부가 배제된 유지 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소를, 당해 수정 발광 화소의 좌표 정보만을 보정 데이터로 함으로써, 다른 정상 발광 화소와 동일한 발광 타이밍으로 발광시킬 수 있을 뿐만 아니라 당해 정상 발광 화소와 동일한 휘도로 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
또, 발광 화소 신호를 출력하려고 하고 있는 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터와 리페어 화소 위치 메모리(40)에 저장되어 있는 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 주사순으로 비교함으로써, 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 보정할 수 있다. 따라서, 제어 회로(30)의 프로세서 처리의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
또한, 수정된 유지 용량 소자의 정전 용량은, 예를 들면, 도 4에 기재된 구조를 갖는 모든 수정 발광 화소에 있어서, 설계치에 대해 동일한 비율로 감소하고 있다. 따라서, 단계 S140에 있어서, 발광 화소 신호의 출력을 할증하는 경우, 모든 수정 발광 화소에서 동일한 증폭률로 할증하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력할 때의 증폭률을 발광 화소에 관계없이 고정할 수 있으므로, 제어 회로의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
(실시 형태 2)
도 10A는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치가 갖는 제어 회로의 구성을 도시한 기능 블록도이다. 상기 도면에 기재된 제어 회로(31)는, 증분 연산 회로(311)를 구비한다.
본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치는, 실시 형태 1에 따른 화상 표시 장치(1)와 비교하여, 제어 회로 및 리페어 화소 위치 메모리의 구성과, 제어 회로의 보정 동작이 상이하다. 실시 형태 1과 동일한 점은 설명을 생략하고, 이하, 상이한 점만 설명한다.
증분 연산 회로(311)는, 수정 발광 화소의 발광 패널(10)에 있어서의 화소 좌표 정보가 주사순으로 저장된 리페어 화소 위치 메모리(41)로부터 좌표 정보를 읽어들여, 입력된 영상 신호의 정보와 당해 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력시키는 기능을 갖는다.
또, 증분 연산 회로(311)는, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)와, 출력 할증 연산기(311C)를 구비한다.
다음 리페어 위치 계수 회로(311A)는, 제1 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호가 출력 할증 연산기(311C)로부터 신호선 구동 회로(15)로 출력된 후에, 리페어 화소 위치 메모리(41)에 저장된 좌표 정보이며, 제1 수정 발광 화소의 좌표로부터 다음에 주사되는 제2 수정 발광 화소까지의 주사 화소수만을 읽어들인다. 또한, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)는, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호가 할증되지 않고 출력된 경우에, 상기 주사 화소수를 1 줄인다.
여기에서, 리페어 화소 위치 메모리(41)에 대해 설명한다. 리페어 화소 위치 메모리(41)에는, 실시 형태 1에서 설명한 유지 용량 소자(23)의 수정이 행해진 후, 수정된 유지 용량 소자(23)를 갖는 수정 발광 화소의 발광 패널(10)에 있어서의 좌표 정보가 주사순으로 저장되어 있다.
도 10B는, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치가 갖는 리페어 화소 위치 메모리의 데이터 저장 방식을 설명하는 도면이다. 리페어 화소 위치 메모리(41)는, 예를 들면, 불휘발성 메모리이며, 리페어 화소 위치 메모리(41)에는, 예를 들면, 수정 발광 화소의 좌표 정보인 런 렝스 데이터가 주사순으로 저장되어 있다. 런 렝스 데이터란, 하나의 수정 발광 화소로부터 당해 하나의 수정 발광 화소의 다음에 주사되는 수정 발광 화소까지의 상대적인 주사 화소수이다. 단, 최초의 수정 발광 화소의 좌표 정보인 런 렝스 데이터란, 주사의 선두를 0번째의 발광 화소로 한 경우, 당해 0번째의 발광 화소로부터의 주사 화소수이다. 예를 들면, 발광 패널이 4k×2k의 서브 픽셀로 이루어지고, 유지 용량 소자가 수정된 발광 화소의 런 렝스 데이터가 4 및 6146인 것으로 한다. 이 경우, 리페어 화소 위치 메모리(41)에는, 수정 발광 화소의 좌표 정보 데이터로서, 4 및 6146이 이 순서로 저장된다. 또, 데이터의 마지막에는, 수정 발광 화소의 좌표 정보 데이터가 종료한 것을 나타내는 데이터(End of Data)가 저장된다. 이 경우, 하나의 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터를 저장하는데 필요한 비트수는, 최대로 4k×2k를 나타내는데 필요한 비트수인 23비트이다. 요컨대, 모든 수정 발광 화소의 서브 픽셀 어드레스 데이터를 저장하는 메모리 영역으로서는, 최대로 (23비트×(수정 발광 화소수+1))비트이다.
본 발명의 화상 표시 장치에 있어서, 수정되는 유지 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소의 발생률은, 그 불량이 되는 원인으로부터 추정하여 극히 작다. 따라서, 리페어 화소 위치 메모리(41)로서, 독립된 메모리 소자를 이용할 필요가 없으며, 화상 표시 장치로서 본래 구비되어 있는 불휘발성 메모리 등의 비어 있는 영역을 이용하는 것에 의해서도, 본 발명의 메모리로서의 기능은 발휘된다. 이에 의해, 저비용화를 도모하는 것이 가능해진다.
이에 의해, 모든 발광 화소에 대한 보정 데이터를 저장하는 대용량 메모리를 확보할 필요가 없다.
다시, 증분 연산 회로(311)의 구성 요소에 대해 설명한다.
출력 할증 연산기(311C)는, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)에 있어서의 주사 화소수가 1인 경우, 출력 대상인 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력한다.
다음에, 본 실시 형태에 따른 화상 표시 장치가 갖는 제어 회로(31)에 의한 보정 방법에 대해 설명한다.
도 11은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 화상 표시 장치의 보정 방법을 도시한 동작 흐름도이다.
우선, 처음에, 제어 회로(31)는, 수정 발광 화소에 대한 발광 패널(10)에 있어서의 런 렝스 데이터를 주사순으로 리페어 화소 위치 메모리(41)에 저장한다(도시 생략한 S195).
또한, 상기 단계 S195는, 본 발명의 화상 표시 장치가 제품으로서 출하되기 전에 실행되는 동작이며, 제어 회로(31)가 실행하지 않아도 되고, 예를 들면, 유지 용량 소자를 수정한 작업자가, 상기 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터를 직접 리페어 화소 위치 메모리(41)에 기록해도 된다.
다음에, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)는, 리페어 화소 위치 메모리(41)로부터, 그 선두에 저장되어 있는 최초의 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터만을 카운트수로서 읽어들인다(S200).
다음에, 출력 할증 연산기(311C)는, 주사해야 할 선두의 발광 화소의 EL 구동 신호가 되는 발광 화소 신호 정보를 읽어들인다(S210).
다음에, 제어 회로(31)는, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)에 읽어들여진 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터가 1인지의 여부를 판정한다(S220).
단계 S220에 있어서, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)에 읽어들여진 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터가 1인 경우, 출력 할증 연산기(311C)는 읽어들여지고 있는 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증한 신호를 당해 발광 화소의 발광 화소 신호로 한다(S240). 또 이 때, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)는, 리페어 화소 위치 메모리(41)로부터, 다음의 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터만을 카운트수로서 읽어들인다(S250).
또, 단계 120에 있어서, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)에 읽어들여진 수정 발광 화소의 런 렝스 데이터가 1이 아닌 경우, 출력 할증 연산기(311C)는 읽어들여지고 있는 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하지 않고 그대로의 신호를 당해 발광 화소의 발광 화소 신호로 한다(S260). 또 이 때, 다음 리페어 위치 계수 회로(311A)는, 현재 읽어들여지고 있는 런 렝스 데이터를 1 줄인다(S270).
다음에, 제어 회로(31)는, 출력 할증 연산기(311C)로 연산한 당해 발광 화소의 발광 화소 신호를 신호선 구동 회로(15)에 출력한다(S280).
다음에, 제어 회로(31)는, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료되었는지의 여부를 판정한다(S290).
단계 S290에 있어서, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료된 경우에는, 1프레임에 있어서의 발광 화소 신호의 보정을 종료한다.
또, 단계 S290에 있어서, 1프레임분의 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호의 출력이 완료되고 있지 않은 경우에는, 출력 할증 연산기(311C)는, 주사해야 할 다음의 발광 화소의 EL 구동 신호가 되는 발광 화소 신호 정보를 읽어들인다(S300).
단계 S300 후, 단계 S220으로 되돌아와서, 이후, 단계 S220으로부터 단계 S290을 반복한다.
이상의 동작에 의해, 제조 시에 쇼트 불량의 원인이 된 전극층의 일부가 배제된 유지 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소를, 당해 수정 발광 화소의 좌표 정보만을 보정 데이터로 함으로써, 다른 정상 발광 화소와 동일한 발광 타이밍으로 발광시키는 것이 가능할 뿐만 아니라 당해 정상 발광 화소와 동일한 휘도로 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 발광 패널의 표시 품질이 향상된다.
또, 수정 발광 화소간의 주사 화소수를 1주사마다 감산하는 계수 회로에 의해, 단순한 로직 처리로 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 보정할 수 있으므로, 제어 회로(31)의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
또한, 수정된 유지 용량 소자의 정전 용량은, 예를 들면, 도 5에 기재된 구조를 갖는 모든 수정 발광 화소에 있어서, 설계치에 대해 동일한 비율로 감소하고 있다. 따라서, 단계 S240에 있어서, 발광 화소 신호의 출력을 할증하는 경우, 모든 수정 발광 화소에서 동일한 증폭률로 할증하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 수정 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력할 때의 증폭률을 발광 화소에 관계없이 고정할 수 있으므로, 제어 회로의 부담을 경감하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 화상 표시 장치 및 그 보정 방법에 대해, 실시 형태에 의거하여 설명해 왔지만, 본 발명에 따른 화상 표시 장치 및 그 보정 방법은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 실시 형태 1 및 2에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시 형태나, 실시 형태 1 및 2에 대해 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해낸 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 화상 표시 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 도 5에 기재된 유지 용량 소자(23)에 대해 도전선(234)의 접속 위치가 상이한 구조를 갖는 유지 용량 소자를 갖는 화상 표시 장치도 본 발명에 포함된다.
또, 실시 형태 1에서는, 유지 용량 소자(23)를 구성하는 전극층(232)을 4개의 전극 블록으로 분할한 예를 나타내었지만, 전극 블록의 분할수는, 발광 화소(11)의 불량률이나 필요해지는 정전 용량에 따라, 2 이상의 임의의 분할수이면 된다.
또, 실시 형태 1에서는, 유지 용량의 불량 요인으로서, 전극간에 편재하는 파티클 등에 의한 전극간 쇼트를 들었지만, 본 실시 형태에 있어서의 쇼트란, 완전히 단락에 한정되지 않는다. 예를 들면, 파티클들의 점접촉과 같이 미소한 저항치 및 용량치를 갖는 것도 쇼트에 포함된다.
또한, 실시 형태 1 및 2에 기재된 화상 표시 장치에서는, 수정된 유지 용량 소자의 정전 용량은, 설계치에 대해 감소함으로써, 발광 화소 신호를 증폭하여 보정하는 예를 들었지만 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 구동 회로층의 회로 구성에 의해, 수정된 유지 용량 소자의 정전 용량이 설계치에 대해 감소하고 있는 경우, 발광 화소 신호를 감소시켜 보정하는 경우가 있다. 따라서, 본 발명의 화상 표시 장치가 갖는 출력 할증 연산기가 실행하는 「할증」또는「증폭」이란, 감소시키는 것을 포함하는 것으로 한다.
또, 예를 들면, 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 도 12에 기재된 바와 같은 박형 플랫 TV에 내장된다. 이에 의해, 정상 발광 타이밍으로 발광하지 않는 발광 화소가 수정되어, 표시 패널의 품질이 향상된 박형 플랫 TV가 실현된다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명의 화상 표시 장치 및 그 보정 방법은, 대화면 및 고해상도가 요망되는 박형 TV 및 퍼스널 컴퓨터의 디스플레이 등의 기술 분야에 유용하다.
1 : 화상 표시 장치
10 : 발광 패널
11 : 발광 화소
11A : 구동 회로층
11B : 발광층
12 : 신호선
13 : 주사선
14 : 주사선 구동 회로
15 : 신호선 구동 회로
21 : 스위칭 트랜지스터
22 : 구동 트랜지스터
23 : 유지 용량 소자
24 : 유기 EL 소자
30, 31 : 제어 회로
40, 41 : 리페어 화소 위치 메모리
100 : 기판
101, 102 : 평탄화막
103 : 양극
104 : 정공 주입층
105 : 정공 수송층
106 : 유기 발광층
107 : 뱅크층
108 : 전자 주입층
109 : 투명 음극
110 : 투명 시일링막
220 : 드레인 전극
221 : 소스 전극
222 : 반도체층
223 : 게이트 절연막
224 : 게이트 전극
231, 232 : 전극층
232A, 232B, 232C, 232D : 전극 블록층
233 : 절연층
234, 234L : 도전선
301, 311 : 증분 연산 회로
301A : 다음 리페어 위치 레지스터
301B : 주사 좌표 비교기
301C, 311C : 출력 할증 연산기
311A : 다음 리페어 위치 계수 회로

Claims (11)

  1. 발광층과, 당해 발광층을 구동하기 위한 용량 소자를 갖는 구동 회로층이 적층된 복수의 발광 화소가 2차원형상으로 배열된 발광 패널을 갖는 화상 표시 장치로서,
    상기 용량 소자를 구성하는 전극층의 일부를 떼어냄으로써 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소에 대한 상기 발광 패널에 있어서의 좌표 정보가 미리 저장된 메모리와,
    외부로부터 입력되는 영상 신호를, 상기 발광 화소의 발광을 결정하는 발광 화소 신호로 변환하여 주사순으로 구동 회로에 출력하는 제어 회로를 구비하고,
    상기 제어 회로는,
    상기 메모리로부터 상기 좌표 정보만을 읽어들여, 입력된 상기 영상 신호의 정보와 상기 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 증분 연산 회로를 구비하며, 상기 용량 소자는, 적층 방향에 있어서 대향하는 2장의 전극층을 갖고,
    상기 2장의 전극층 중 한쪽의 전극층은, 면 방향에서 분할된 복수의 전극 블록층으로 이루어지고,
    상기 복수의 전극 블록층은, 동일 면 내에서 1 이상의 도전선으로 접속되어 있으며,
    상기 2장의 전극층 중 다른 쪽의 전극층은, 상기 도전선이 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에, 면 방향에서 공통된 1장의 평판형상으로 형성되어 있는 화상 표시 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 전극 블록층의 각각은, 상기 복수의 발광 화소에 있어서 동일한 형상이며,
    제조 시에 있어서 상기 전극층의 일부가 도통하고 있는 경우에, 상기 복수의 전극 블록층 중 하나의 전극 블록층만이 떼어내어짐으로써, 수정 후의 용량 소자의 정전 용량이 설계치에 대해 소정의 비율로 감소하고 있는 화상 표시 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 증분 연산 회로는, 상기 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를, 모든 수정 발광 화소에서 동일한 증폭률로 할증하여 출력하는 화상 표시 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리에는, 상기 좌표 정보인 상기 수정 발광 화소의 좌표가 주사순으로 저장되어 있으며,
    상기 증분 연산 회로는,
    제1 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호가 출력된 후에, 상기 메모리에 저장된 상기 좌표 정보이며, 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표의 다음에 저장된 제2 수정 발광 화소의 좌표만을 읽어들이는 다음 리페어 위치 레지스터와,
    상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 좌표를 비교하는 주사 좌표 비교기와,
    상기 주사 좌표 비교기에서 비교된 상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와 상기 출력 대상 발광 화소의 좌표가 일치한 경우, 당해 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 출력 할증 연산기를 구비하는 화상 표시 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리에는, 상기 좌표 정보이며 하나의 상기 수정 발광 화소로부터 당해 하나의 상기 수정 발광 화소의 다음에 주사되는 상기 수정 발광 화소까지의 상대적인 주사 화소수가, 주사순으로 저장되어 있으며,
    상기 증분 연산 회로는,
    제1 수정 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호가 출력된 후에, 상기 메모리에 저장된 상기 좌표 정보이며, 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표로부터 다음에 주사되는 제2 수정 발광 화소까지의 주사 화소수만을 읽어들여, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호가 할증되지 않고 출력된 경우에, 상기 주사 화소수를 1 줄이는 다음 리페어 위치 계수(計數) 회로와,
    상기 다음 리페어 위치 계수 회로에 있어서의 상기 주사 화소수가 1인 경우, 출력 대상인 발광 화소의 상기 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 출력 할증 연산기를 구비하는 화상 표시 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리는, 상기 좌표 정보 이외의 데이터를 저장하는 저장 영역을 주저장 영역으로서 갖는 화상 표시 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용량 소자는, 상기 발광 화소마다 부여된 상기 발광 화소 신호에 따른 전압을 유지 전압으로서 유지하는 유지 용량 소자이며,
    상기 구동 회로층은,
    게이트와 상기 용량 소자의 한쪽의 단자가 접속되고, 게이트에 상기 유지 전압이 인가됨으로써, 상기 유지 전압을 소스-드레인간 전류인 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터를 더 구비하고,
    상기 발광층은,
    상기 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자를 구비하는 화상 표시 장치.
  8. 발광층과, 당해 발광층을 구동하기 위한 용량 소자를 갖는 구동 회로층이 적층된 복수의 발광 화소가 2차원형상으로 배열된 발광 패널을 갖는 화상 표시 장치의 보정 방법으로서,
    상기 용량 소자를 구성하는 복수의 전극층의 일부를 떼어냄으로써 수정된 용량 소자를 갖는 수정 발광 화소에 대한 상기 발광 패널에 있어서의 좌표 정보를 메모리에 저장하는 수정 화소 정보 저장 단계와,
    외부로부터 입력된 영상 신호로부터 각 발광 화소에 대응한 발광 화소 신호를 신호선 구동 회로에 출력하는 경우에, 상기 메모리로부터 상기 좌표 정보만을 읽어들여, 상기 영상 신호의 정보와 상기 좌표 정보를 주사순으로 비교함으로써, 상기 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호를 할증하여 상기 신호선 구동 회로에 출력하는 출력 할증 단계를 포함하며,
    상기 용량 소자는, 적층 방향에 있어서 대향하는 2장의 전극층을 갖고,
    상기 2장의 전극층 중 한쪽의 전극층은, 면 방향에서 분할된 복수의 전극 블록층으로 이루어지고,
    상기 복수의 전극 블록층은, 동일 면 내에서 1 이상의 도전선으로 접속되어 있으며,
    상기 2장의 전극층 중 다른 쪽의 전극층은, 상기 도전선이 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에, 면 방향에서 공통된 1장의 평판형상으로 형성되어 있는 화상 표시 장치의 보정 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 복수의 전극층의 일부가 떼어내어져 수정된 상기 용량 소자의 정전 용량은, 모든 수정 발광 화소에 있어서, 설계치에 대해 동일한 비율로 감소하고 있으며,
    상기 출력 할증 단계에서는,
    상기 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호를, 모든 수정 발광 화소에서 동일한 증폭률로 할증하여 상기 신호선 구동 회로에 출력하는 화상 표시 장치의 보정 방법.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 수정 화소 정보 저장 단계에서는,
    상기 메모리에는, 상기 좌표 정보인 상기 수정 발광 화소의 좌표가 주사순으로 저장되어 있으며,
    상기 출력 할증 단계는,
    제1 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 제1 수정 화소 출력 단계와,
    상기 제1 수정 화소 출력 단계 후, 상기 메모리에 있어서 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표의 다음에 저장되어 있는 제2 수정 발광 화소의 좌표를 다음 리페어 위치 레지스터에 읽어들이는 제2 수정 화소 읽어들임 단계와,
    상기 제2 수정 화소 읽어들임 단계 후, 상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 좌표를 주사 좌표 비교기에 비교시키는 주사 좌표 비교 단계와,
    상기 주사 좌표 비교기에서 비교된 상기 제2 수정 발광 화소의 좌표와 상기 출력 대상 발광 화소의 좌표가 일치한 경우, 당해 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 제2 수정 화소 출력 단계를 포함하는 화상 표시 장치의 보정 방법.
  11. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 수정 화소 정보 저장 단계에서는,
    상기 메모리에는, 상기 좌표 정보이며 하나의 상기 수정 발광 화소로부터 당해 하나의 상기 수정 발광 화소의 다음에 주사되는 상기 수정 발광 화소까지의 상대적인 주사 화소수가, 주사순으로 저장되어 있으며,
    상기 출력 할증 단계는,
    제1 수정 발광 화소에 대응한 상기 발광 화소 신호를 할증하여 출력하는 제1 수정 화소 출력 단계와,
    상기 제1 수정 화소 출력 단계 후, 상기 메모리에서 저장된, 상기 제1 수정 발광 화소의 좌표로부터 다음에 주사되는 제2 수정 발광 화소까지의 주사 화소수를 다음 리페어 위치 계수 회로에 읽어들이는 제2 수정 화소 읽어들임 단계와,
    상기 다음 리페어 위치 계수 회로에 있어서의 상기 주사 화소수가 1인 경우, 현재의 발광 화소 신호의 출력 대상인 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하여 출력하고, 상기 다음 리페어 위치 계수 회로에 있어서의 상기 주사 화소수가 1보다 큰 경우, 상기 출력 대상 발광 화소의 발광 화소 신호를 할증하지 않고 출력하여 상기 다음 리페어 위치 계수 회로가 유지하는 상기 주사 화소수를 1 줄이는 계수 출력 단계를 포함하는 화상 표시 장치의 보정 방법.
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