KR20120010963A - 위치 제어 시스템, 리소그래피 장치, 및 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법 - Google Patents

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노르베르투스 요세푸스 마르티누스 반 덴 니우벨라르
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Abstract

이동가능한 대상물의 위치를 제어하기 위한 위치 제어 시스템은, 이동가능한 대상물의 실제 위치 관련 양을 결정하도록 구성되는 위치 측정 시스템; 상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 세트-포인트 신호를 제공하기 위한 세트-포인트 생성기; 상기 실제 위치 관련 양 및 상기 위치 관련 세트-포인트 신호의 비교를 토대로 오차 신호를 제공하기 위한 비교기; 상기 오차 신호를 토대로 제어 신호를 제공하기 위한 제어기; 상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하기 위한 피드-포워드 디바이스, 및 상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 상기 이동가능한 대상물에 작용하기 위한 액추에이터를 포함하며, 상기 피드-포워드 디바이스는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블을 포함한다.

Description

위치 제어 시스템, 리소그래피 장치, 및 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법{POSITION CONTROL SYSTEM, LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND METHOD TO CONTROL A POSITION OF A MOVABLE OBJECT}
본 발명은 위치 제어 시스템, 리소그래피 장치, 및 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 일부, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
종래의 리소그래피 장치는 기판 지지체 및 리소그래피 장치의 다른 이동가능한 대상물들의 위치를 제어하기 위한 위치 제어 시스템 또는 제어기를 포함한다. 이 위치 제어 시스템은 기판 지지체의 위치를 측정하도록 구성되는 위치 측정 시스템을 포함한다.
리소그래피 장치의 성능에 있어 중요한 인자들에는, 예를 들어 스루풋, 즉 특정 기간 내에 생산되는 웨이퍼들의 수, 및 오버레이(overlay), 즉 생산 품질이 있다. 업계에서는, 리소그래피 장치의 스루풋 및 오버레이를 향상시키려는 계속되는 요구가 존재한다.
종래의 리소그래피 장치에서, 6 자유도로 측정되며 오버레이에 대해 중요한 기판 스테이지의 정확도가 제어된다. 일반적으로, 보다 높은 스루풋을 위해 이용되는 보다 높은 가속도들이 스테이지들의 보다 큰 내부 동적 진동들(internal dynamic vibrations)(또는 변형들)을 야기하며 이는 기판 스테이지의 위치설정 정확도를 악화시키기 때문에, 보다 높은 스루풋과 보다 나은 오버레이 성능의 2 가지 요건들은 서로 상충된다.
또한, 리소그래피 공정 동안 기판 스테이지 상에 교란력(disturbance force)들이 가해질 수도 있다. 이들 교란력들은 위치설정 정확도 및/또는 설정 시간에 악영향을 미칠 수도 있다.
이러한 관점에서, 충분히 높은 속도 및 위치설정 정확도로 스테이지를 제어할 수 있는 위치 제어 시스템에 대한 필요성이 존재한다.
이동가능한 대상물의 위치 제어의 정확도 및/또는 속도를 증가시킬 수 있는 리소그래피 장치의 이동가능한 대상물에 대한 위치 제어 시스템을 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 이동가능한 대상물의 위치 제어의 정확도 및/또는 속도를 증가시킬 수 있는 리소그래피 장치의 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하기 위한 위치 제어 시스템이 제공되며, 이는: 이동가능한 대상물의 실제 위치 관련 양을 결정하도록 구성되는 위치 측정 시스템; 상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 세트-포인트(set-point) 신호를 제공하기 위한 세트-포인트 생성기(set-point generator); 상기 실제 위치 관련 양 및 상기 위치 관련 세트-포인트 신호의 비교를 토대로 오차 신호를 제공하기 위한 비교기(comparator); 상기 오차 신호를 토대로 제어 신호를 제공하기 위한 제어기; 상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하기 위한 피드-포워드 디바이스, 및 상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 상기 이동가능한 대상물에 작용하기 위한 액추에이터를 포함하며, 상기 피드-포워드 디바이스는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들(estimations)을 포함하는 교란력 보정 테이블(disturbance force correction table)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되며, 이는: 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템; 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 패터닝 디바이스 지지체; 기판을 잡아주도록 구성되는 기판 지지체; 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성되는 투영 시스템을 포함하며, 상기 리소그래피 장치는 상기 리소그래피 장치의 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하기 위한 위치 제어 시스템을 포함하며, 이는: 상기 이동가능한 대상물의 실제 위치 관련 양을 결정하도록 구성되는 위치 측정 시스템; 상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 세트-포인트 신호를 제공하기 위한 세트-포인트 생성기; 상기 실제 위치 관련 양 및 상기 위치 관련 세트-포인트 신호의 비교를 토대로 오차 신호를 제공하기 위한 비교기; 상기 오차 신호를 토대로 제어 신호를 제공하기 위한 제어기; 상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하기 위한 피드-포워드 디바이스, 및 상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 상기 이동가능한 대상물에 작용하기 위한 액추에이터를 포함하며, 상기 피드-포워드 디바이스는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하는 방법이 제공되며, 이는: 위치 측정 시스템을 이용하여 상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 결정하는 단계; 비교기를 이용하여 측정된 위치 관련 양과 세트-포인트 생성기에 의하여 제공되는 위치 관련 세트-포인트 신호를 비교하여 오차 신호를 획득하는 단계; 상기 오차 신호를 토대로 제어기에 의하여 제어 신호를 제공하는 단계; 상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 디바이스에 의하여 피드-포워드 신호를 제공하는 단계, 및 상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 액추에이터를 작동시키는 단계를 포함하며, 상기 피드-포워드 신호를 제공하는 단계는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블을 이용하는 단계를 포함한다.
이하, 대응되는 참조 부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 세부요소를 나타낸 도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위치 제어 시스템의 제어 체계를 나타낸 도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 침지-타입 리소그래피 장치의 일부의 개략적인 단면도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드-포워드 디바이스의 대안적인 실시예를 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여타 적합한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 특정 파라미터들에 따라 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 특정 파라미터들에 따라 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 포함한다. 또한, 상기 장치는 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 더 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 그들의 여하한 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는, 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서에서 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동이어로서 간주될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 패턴이 위상 시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우, 기판 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 대응되지 않을 수도 있다는 데 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 그들의 여하한의 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 포함하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 "투영 렌즈"라는 용어의 사용은 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로서 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같은 타입의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 채택하거나 또는 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테비블 또는 "기판 지지체"(및/또는 2 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들 또는 지지체들이 병행하여 사용되거나, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 지지체 상에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위하여 기판의 적어도 일 부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물로 덮일 수 있는 타입으로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체(immersion liquid)는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 데 이용될 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야 한다는 것을 의미하기 보다는 노광 동안 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 전달된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면이 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 가질 수 있도록, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 가로지른 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 상기 투영 시스템은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에는 명확히 도시되어 있지 않음)는, 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"는 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시의 (비-스캐닝 방향으로의) 타겟부의 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 또는 "마스크 지지체"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"가 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 용도의 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(2)을 지지하는 기판 지지체(1)를 갖는 리소그래피 장치의 세부요소를 나타내고 있다. 위치 제어 시스템(3)이 제공되어 기판 지지체(2)의 위치를 제어함으로써 순차적으로 투영 시스템(4)에 대해 기판(2)의 상이한 타겟부들(C)을 위치시킨다. 이 실시예에서, 기판 지지체(1)는 다수의 자유도, 통상적으로 (기판과 평행한 평면에서) 3 공면 자유도(three coplanar degrees of freedom) 또는 모두 6 자유도로 이동가능하다.
위치 제어 시스템(3)은 적정한 수의 자유도로 기판 지지체의 위치를 측정하도록 구성되는 위치 측정 시스템(8, 9), 적어도 위치 측정 시스템에 의하여 측정되는 위치를 토대로 제어 신호들을 제공하도록 구성되는 제어기(CD), 및 기판 지지체(1)를 원하는 방향으로 작동시키도록 구성되는 1 이상의 액추에이터(7)를 포함한다.
액추에이터(7)는 원하는 방향으로 기판 지지체(1)를 이동시킬 수 있는 여하한의 액추에이터일 수 있다. 액추에이터들(7)은 1 이상의 자유도로 기판 지지체(1)를 작동시키도록 구성될 수 있다. 상이한 자유도의 작동을 위해 또는 기판 지지체(1) 상의 상이한 위치들에서의 작동을 위해 2 이상의 액추에이터들이 제공될 수 있다. 이러한 액추에이터들 및 액추에이터 배치들이 업계에 알려져 있다.
위치 측정 시스템(8, 9)은 기판 지지체(1)의 위치를 측정하기 위해 제공되며, 높은 정확도(나노미터의 정확도)로 기판 지지체의 위치를 측정하기에 적합한 여하한의 위치 측정 시스템, 예를 들어 간섭계 시스템 또는 인코더-타입 측정 시스템일 수 있다. 도 2에는, 기판 지지체(1) 상에 장착되는 다수의 인코더-타입 센서들(8) 및 메트로-프레임(metro-frame)으로도 불리는 실질적으로 정지된 프레임(10) 상에 장착되는 다수의 격자 플레이트들(grid plates; 9)을 포함하는 인코더-타입 측정 시스템이 도시되어 있다. 대안적인 실시예에서, 센서들(8)은 메트로-프레임(10) 상에 장착되는 한편, 1 이상의 격자 플레이트들(9)은 기판 지지체(1) 상에 장착된다.
위치 제어 시스템(3)은 비교기(CM)를 포함하며, 기판 지지체(2)의 실제 위치는, 예를 들어 세트-포인트 생성기(set-point generator: SG)에 의하여 주어지는 원하는 위치 또는 세트-포인트 위치로부터 차감된다. 흔히, 서보 오차(servo error)라 언급되는 결과적(resulting) 신호는 제어기 유닛의 입력을 토대로 제어 신호를 제공하는 제어기(CD)로 공급된다. 제어기(CD)는 비례, 미분, 및 적분 제어기 부분을 포함하는 PID 제어기를 포함할 수 있다.
도 2의 리소그래피 장치는 상술된 바와 같이 침지-타입 리소그래피 장치이다. 이 리소그래피 장치에서는, 투영 시스템(4)과, 기판 지지체(1) 및 기판(2) 중 하나 또는 그 둘 모두 사이에서 침지 액체(12)의 양을 유지시키기 위해 침지 후드(11)가 제공된다. 투영 시스템(4)과 기판(2) 사이의 침지 액체(12)의 제공은 리소그래피 공정에 유익한 효과, 예를 들어 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 효과를 가질 수 있다.
하지만, 침지 액체(12)의 존재는 기판 지지체(2)에 가해지는 교란력들의 원인이 될 수 있다. 이들 교란력들은, 특히 침지 후드(12)가 기판(2)의 에지를 지날 때 발생될 수 있다. 또한, 기판 지지체(1)에 다른 교란력들이 가해질 수도 있다. 이들 교란력들은 위치 제어 시스템(3)의 위치 정확도 및/또는 위치설정 속도를 악화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 위치 제어 시스템(3)은 세트-포인트 위치를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하도록 구성되는 피드-포워드 디바이스(FF)를 포함한다. 피드-포워드 디바이스(FF)는 기판 지지체(1)의 위치에 의존하는, 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블(DFCT)을 포함한다. 교란력의 상당한 부분은 재생성가능하다(reproducible), 즉 동일한 파라미터 세팅들(parameter settings)로 동일한 경로가 이어지는 경우 동일한 교란력들이 발생될 수 있다. 재생성가능한 교란력들의 추정 및 피드-포워드 디바이스의 교란력 보정 테이블(DFCT) 내에 이들 교란력들을 부가함으로써, 교란력들이 보상될 수 있다. 결과적으로, 오차 신호가 감소되고, 따라서 위치설정의 정확도가 증가된다.
위치 제어 시스템(3)에서, 세트-포인트 신호는 교란력 보정 테이블(DFCT)을 이용하여 피드-포워드 유닛(FF)으로 공급된다. 피드-포워드 디바이스는 세트 포인트 위치 또는 그 미분을 토대로 피드-포워드 신호를 제공한다. 제어 신호 및 피드-포워드 신호는 합산 디바이스(addition device: ADD)에서 합쳐지며, 이에 의해 피드-포워드 신호의 방향은 실제 교란력들에 대해 반대 방향으로 이루어진다. 제어 신호 및 피드-포워드 신호가 합쳐지는 것은 기판 지지체(1)를 원하는 위치, 즉 세트-포인트 위치로 작동시키기 위해 1 이상의 액추에이터들(7)로 공급된다.
도 3은 본 발명의 피드-포워드 디바이스(FF)를 포함하는 제어 체계를 나타내고 있다. 세트 포인트 생성기(SG)는 세트-포인트 신호(sp)를 제공하며, 이 세트-포인트 신호는 위치 측정 시스템(MS)에 의하여 얻어지는 기판 지지체(2)의 실제 위치와 비교된다. 결과적 오차 신호(e)는 제어기(CD)로 공급되어 제어 신호(c)를 제공한다. 또한, 세트-포인트 신호는 피드-포워드 디바이스(FF)로 공급된다. 피드-포워드 디바이스(FF)는 교란력 보정 테이블(DFCT)을 포함한다. 피드-포워드 디바이스는 피드-포워드 신호(ff)를 제공한다. 피드-포워드 신호(ff) 및 제어 신호(c)가 합쳐져서 액추에이터 신호(a)를 형성하며, 이는 1 이상의 액추에이터(7)를 통해 프로세스 미케닉스(process mechanics: M)로 공급된다.
피드-포워드 디바이스(FF)로부터의 신호들 및 힘들의 방향은 기판 지지체(1)에 가해지는 실제 교란력들의 방향과 반대방향이어야 함을 이해하여야 한다. 그러므로, 제어 신호(c) 및 피드-포워드 신호(ff)가 합쳐지는 것은 제어 신호(c)로부터의 피드-포워드 신호(ff)의 차감일 수도 있다. 교란력 보정 테이블(DFCT)은 1 자유도, 예를 들어 수직방향이나 z-방향, 또는 복수의 자유도, 예컨대 3 공면 또는 6 자유도의 교란력에 관한 정보를 포함할 수 있다.
교란력들의 추정치들은, 예를 들어 피드-포워드 디바이스(FF)를 이용하지 않고 기판 지지체(1)를 이동시키고, 비교기(CM)에 의해 얻어진 오차 신호(e)를 측정하며, 오차 신호(e)를 보상하는 데 필요한 교란력들을 계산함으로써 얻어질 수 있다. 대안으로서, 교란력들의 추정치들은 셋-업(set-up) 동안 일반적인 보정 데이터를 모으고, 일반적인 보정 데이터를 토대로 교란력들을 유도함으로써 얻어질 수도 있다. 교란력 보정 테이블(DFCT)의 데이터 값들은 복수의 캘리브레이션들의 평균을 결정함으로써 얻어질 수도 있다.
교란력들의 추정치들을 얻기 위한 여하한의 다른 방법이 이용될 수도 있다. 예를 들어, 교란력들은 기판 지지체(1)의 동적 모델(dynamic model)을 토대로 추정될 수 있다.
또한, 교란력들을 보상하기 위해 피드-포워드 디바이스(FF)를 이용하는 동안, 오차 신호가 모니터링될 수 있다. 이 오차 신호는 교란력 보정 테이블(DFCT)의 데이터를 갱신하는 데 이용될 수 있다. 다시 말해, 제어 시스템은 교란력들의 추정치들을 갱신하기 위해 교란력 보정 테이블에 오차 신호를 제공하도록 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 위치 제어 시스템의 이용 동안 오차 신호가 최소화되도록 추정이 최적화될 수 있다. 이는, 위치 제어 시스템에 의하여 제어되는 대상물 변화들의 보정을 도울 수 있다. 예를 들어, 기판 지지체(1)는 이동 동안 가열될 수도 있다. 이는, 센서들(8)이 시간에 걸쳐 밀린(drift) 위치를 측정하도록 할 수 있다. 이는 점신적으로 커지는 오차 신호를 유도할 수 있다. 교란력 보정 테이블(DFCT)의 추정치들을 갱신함으로써, 밀림현상(drift)이 보상될 수 있다.
기판 지지체(1)에 가해지는 교란력들은 기판 지지체의 위치뿐만 아니라, 기판 지지체의 속도, 이동 방향 등과 같은 다른 파라미터들에도 의존적이다. 위치들 및 다른 파라미터 세팅들의 모든 가능한 조합들에 대한 교란력 보정 테이블(DFCT)은 매우 많은 수의 캘리브레이션 단계들을 필요로 할 수 있으며, 모든 이러한 파라미터 세팅들을 갖는 매우 큰 테이블을 유도할 수 있다.
일 실시예에서, 교란력 보정 테이블(DFCT)은 제한된 수의 기판 지지체(1)의 루트들(routes)에 대한 교란력들의 추정치들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 흔히 기판 지지체(1)를 따르는 루트들이 교란력 보정 테이블(DFCT)에 대한 토대로서 이용될 수 있다. 리소그래피 장치의 기판 지지체(1)는 흔히 리소그래피 공정 동안 동일한 스캐닝 루트를 따른다.
도 4는 다수의 타겟부들(C)을 갖는 기판(2)의 평면도이다. 실제로는, 기판(2) 상에 보다 많은 타겟부들(C)이 존재할 수 있다. 점선과 파선의 조합으로, 리소그래피 공정 동안의 기판(2)에 대한 투영 시스템(4) 이동의 스캐닝 루트(50)가 도시되어 있다. 이 스캐닝 루트(50)에서, 제 1 타겟부(C)는 일정한 이동 동안 스캐닝된다. 이후, 스캐닝 방향이 변하고 또 다른 인접한 타겟부(C)가 스캐닝된다. 그 다음, 다시 스캐닝 방향이 변하고 타겟부(C)가 스캐닝된다. 이 스캐닝 루트(50)는 스캐닝 공정 동안 뒤따를 가능한 루트의 예시에 불과하다. 실제로, 여러 대안적인 루트들이 알려져 있다. 하지만, 리소그래피 공정에 대하여 흔히 동일한 루트들이 따른다.
스캐닝 루트(50)는 다수의 스캐닝 이동들(512)을 포함하며, 타겟부(C)는 일정한 움직임으로 스캐닝되고, 2 가지 순차적인 스캐닝 움직임 사이에 복수의 전사 움직임들(transfering movements; 52)이 있다. 스캐닝 움직임(51)은, 통상적으로 실제 타켓부(C) 전에 개시되고 실제 타겟부 후에 끝난다.
일 실시예에서, 교란력 보정 테이블(DFCT)은 제한된 수의 루트들, 또는 루트의 부분들에 대한 교란력들의 추정치들을 포함한다. 이러한 실시예에서, 교란력들의 추정치들은 피드-포워드 디바이스(FF)를 이용하지 않고 제한된 수의 루트들을 따라 기판 지지체(1)를 이동시키고, 비교기(CM)에 의하여 얻어진 오차 신호(e)를 측정하며, 오차 신호(e)를 보상하는 데 필요한 교란력들을 계산함으로써 얻어질 수 있다. 대안으로서, 교란력들의 추정치들은 셋-업 동안 일반적인 보정 데이터를 모으고, 일반적인 보정 데이터를 토대로 제한된 수의 루트들에 대한 교란력들을 유도함으로써 얻어질 수도 있다. 여하한의 다른 방법, 예를 들어 기판 지지체 거동의 동적 모델을 토대로 하는 방법이 이용될 수도 있다.
교란력 보정 테이블(DFCT)은 기판 지지체(1)의 적어도 하나의 알려진 루트 내의 다수의 위치들에 대한 교란력들의 추정치들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 위치들 중 하나에서의 교란력의 각각의 추정치는 공칭(nominal) 파라미터 세팅들을 토대로 한다. 이들 공칭 파라미터 세팅들은 공칭 속도와 같은 스캐닝 루트 동안 통상적으로 이용되는 파라미터 세팅들이다. 공칭 속도 및 다른 공칭 파라미터 세팅들은 기판 지지체(1)의 상이한 위치들에 대해 다를 수 있다.
실제 스캐닝 루트 동안, 실제 속도 또는 다른 파라미터 세팅들이 공칭 속도 또는 공칭 파라미터 세팅들과 상이한 것일 수 있다. 피드-포워드 디바이스(FF)는 기판 지지체(1) 각각의 위치에서의 실제 파라미터들과 공칭 파라미터 세팅들 간의 차이에 대한 교란력 보정 테이블의 값들을 보정하기 위하여 파라미터 보정 디바이스(PCD)를 포함한다. 이러한 파라미터 보정 디바이스(PCD)에서, 교란력 보정 테이블(DFCT)의 공칭 속도에 대해 추정된 교란력은, 예를 들어 실제 속도가 공칭 속도보다 느릴 경우 감소될 수도 있다.
상술된 바와 같이, 스캐닝 루트(50)는 복수의 스캐닝 움직임들(51) 및 전사 움직임들(52)을 포함한다. 이미지가 기판(2) 상에 실제로 투영되는 스캐닝 움직임들(51) 동안에는, 기판 지지체(1)의 위치설정이 정확한 것이 바람직하다. 전사 움직임들(52) 동안에는, 이들 움직임 동안 이미지가 투영되지 않기 때문에 정확도는 덜 중요하다. 스캐닝 움직임들(51)과 전사 움직임들(52) 간의 차이의 관점에서, 일 실시예에서 교란력 보정 테이블(DFCT)을 이용하는 교란력의 보상이 스캐닝 움직임들(51) 동안에만 이용될 수도 있다. 이러한 방식으로, 전사 움직임(52)에서의 피드-포워드 디바이스(FF)의 보상이 후속하는 스캐닝 움직임(51) 동안 정확도의 감소를 초래하는 것을 피할 수 있다. 또한, 교란력 보정 테이블(DFCT) 내에 데이터가 덜 요구되어 덜 복잡한 시스템을 유도할 수 있다.
대안으로서, 피드-포워드 디바이스(FF)는, 전사 움직임(52) 동안 이전의 스캐닝 움직임(51)의 최종 위치와 관련된 값에서 다음 스캐닝 움직임(51)의 최초 위치와 관련된 값으로 피드-포워드 디바이스(FF)의 출력 신호를 점진적으로 변화시키기 위해 전사 움직임 보상 디바이스(transfer movement compensation device: TMCD)를 포함한다. 이러한 전사 움직임 보상 디바이스(TMCD)를 제공함으로써, 스캐닝 움직임(52)에서 다음 스캐닝 움직임으로의 원활한 이행이 얻어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 위치 제어 시스템의 일반적인 응용에서는, 교란력 보정 테이블 내에 알려진 위치와 관련된 값에서 교란력 보정 테이블에서 알려진 다음 위치와 관련된 값으로 피드-포워드 디바이스의 출력 신호를 점진적으로 변화시키기 위해 전사 움직임 보상 디바이스(TMCD)가 제공된다. 이러한 전사 움직임 보상 디바이스(TMCD)는, 교란력 보정 테이블(DFCT) 내에 이동가능한 대상물 모든 위치들에 대한 데이터가 존재하지 않을 때, 예를 들어 위치설정의 정확도가 덜 중요한 위치들에 대해 유용하게 이용될 수 있다.
도 5는 교란력 보정 테이블(DFCT)을 포함하는 피드-포워드 디바이스, 파라미터 보정 디바이스(PCD), 및 전사 움직임 보상 디바이스(TMCD)를 포함하는 피드-포워드 디바이스의 일 실시예를 나타내고 있다.
앞에서는, 기판 지지체의 위치 제어를 위한 위치 제어 시스템에 대해 기술되었다. 리소그래피 장치의 다른 이동가능한 대상물들을 제어하기 위해 유사한 위치 제어 시스템들이 이용될 수도 있다.
위의 위치 제어 시스템은 1 자유도에 대해 기술되었다. 실제로, 위치 제어 시스템은 다수의 자유도, 통상적으로는 3 공면 자유도 또는 6 자유도로 기판 지지체의 위치를 제어하도록 구성될 것이다. 이러한 이유로, 위치 제어 시스템(3)은 원하는 수의 자유도로 기판 지지체의 위치를 측정하도록 구성되는 1차원 또는 다차원 센서들로 이루어진 배열체뿐만 아니라, 가능한 모든 원하는 자유도로 기판 지지체의 위치설정을 수행하기 위한 1차원 또는 다차원 액추에이터들로 이루어진 배열체를 포함할 수 있다.
또한, 상술된 바와 같은 위치 제어 시스템(3)은 기판 지지체의 위치를 제어하기 위해 제어 시스템에서 지시된다. 속도 또는 가속도와 같은 위치 관련 세트-포인트 신호에 대해 기판 지지체의 여타 적절한 위치 관련 양을 제어하거나, 또는 리소그래피 장치의 다른 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하는 데 유사한 시스템들이 제공될 수 있다.
위에서는 제어기들의 실시예들이 기술되었다. 이들 제어기들은 별개의 제어기 유닛들일 수 있으나, 또한 처리 유닛, 예를 들어 전용 제어 처리 유닛에 관한 소프트웨어나 또는 리소그래피 장치의 중앙 처리 유닛의 일부로서 통합될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에 기술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
광학 리소그래피와 관련된 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 상술하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로만 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트를 벗어나 이동하며, 레지스트가 경화된 후에는 그 안에 패턴이 남게 된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔들 또는 전자 빔들과 같은 입자 빔들뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그들의 조합으로 언급될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명은 상술된 바와 같은 방법을 기재한 기계-판독가능한 명령어들(machine-readable instructions)의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 내부에 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장된 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상술된 설명들은 예시에 지나지 않으며, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 후술되는 청구 범위를 벗어나지 않는, 기술된 바와 같은 본 발명에 대한 변경들이 가해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하기 위한 위치 제어 시스템에 있어서, 상기 위치 제어 시스템은:
    상기 이동가능한 대상물의 실제 위치 관련 양을 결정하도록 구성되는 위치 측정 시스템;
    상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 세트-포인트 신호(position related set-point signal)를 제공하도록 구성되는 세트-포인트 생성기(set-point generator);
    상기 실제 위치 관련 양과 상기 위치 관련 세트-포인트 신호의 비교를 토대로 오차 신호를 제공하도록 구성되는 비교기(comparator);
    상기 오차 신호를 토대로 제어 신호를 제공하도록 구성되는 제어기;
    상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하도록 구성되는 피드-포워드 디바이스(feed-forward device); 및
    상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 상기 이동가능한 대상물에 작용하도록 구성되는 액추에이터를 포함하며,
    상기 피드-포워드 디바이스는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들(disturbance forces)의 추정치들(estimations)을 포함하는 교란력 보정 테이블(disturbance force correction table)을 포함하는 위치 제어 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 시스템은 교란력의 추정치들을 갱신하기 위하여 상기 교란력 보정 테이블에 상기 오차 신호를 제공하도록 배치되는 위치 제어 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 교란력 보정 테이블은 상기 이동가능한 대상물 루트(route)의 교란력들의 추정치들을 포함하는 위치 제어 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 교란력 보정 테이블은 상기 루트 내의 다수의 위치들에 대한 교란력들의 추정치들을 포함하며,
    상기 위치들 중 하나에서의 교란력의 각각의 추정치는 공칭 파라미터 세팅들(nominal parameter settings)을 토대로 하는 위치 제어 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 피드-포워드 디바이스는 상기 루트의 위치들 중 하나에서의 실제 파라미터들과 공칭 파라미터 세팅들 간의 차이에 대해 상기 교란력 보정 테이블의 값들을 보정하도록 구성되는 파라미터 보정 값을 포함하는 위치 제어 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 이동가능한 대상물은 리소그래피 장치의 기판 지지체이며,
    상기 루트는 상기 기판 지지체의 스캐닝 루트인 위치 제어 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 스캐닝 루트는 복수의 스캐닝 움직임 및 2 개의 후속하는 스캐닝 움직임들 사이에서 이루어질 적어도 하나의 전사 움직임(transfering movement)을 포함하며,
    상기 교란력 보정 테이블은 상기 스캐닝 움직임들에서의 교란력들의 추정치들을 위주로 포함하는 위치 제어 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 피드-포워드 디바이스는, 전사 움직임 동안 이전의 스캐닝 움직임의 최종 위치와 관련된 값에서 다음 스캐닝 움직임의 최초 위치와 관련된 값으로 피드-포워드 디바이스의 출력 신호를 점진적으로 변화시키도록 구성되는 전사 움직임 보상 디바이스(transfer movement compensation device)를 포함하는 위치 제어 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 피드-포워드 디바이스는, 교란력 보정 테이블 내에 알려진 위치와 관련된 값에서 상기 교란력 보정 테이블에서 알려진 다음 위치와 관련된 값으로 상기 피드-포워드 디바이스의 출력 신호를 점진적으로 변화시키도록 구성되는 전사 움직임 보상 디바이스를 포함하는 위치 제어 시스템.
  10. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위하여, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 패터닝 디바이스 지지체;
    기판을 유지하도록 구성되는 기판 지지체;
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및
    상기 리소그래피 장치의 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 제어하도록 구성되는 위치 제어 시스템을 포함하며, 상기 위치 제어 시스템은:
    상기 이동가능한 대상물의 실제 위치 관련 양을 결정하도록 구성되는 위치 측정 시스템;
    상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 세트-포인트 신호를 제공하도록 구성되는 세트-포인트 생성기;
    상기 실제 위치 관련 양과 상기 위치 관련 세트-포인트 신호의 비교를 토대로 오차 신호를 제공하도록 구성되는 비교기;
    상기 오차 신호를 토대로 제어 신호를 제공하도록 구성되는 제어기;
    상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 신호를 제공하도록 구성되는 피드-포워드 디바이스; 및
    상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 상기 이동가능한 대상물에 작용하는 1 이상의 액추에이터를 포함하며,
    상기 피드-포워드 디바이스는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블을 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법에 있어서,
    위치 측정 시스템을 이용하여 상기 이동가능한 대상물의 위치 관련 양을 결정하는 단계;
    비교기를 이용하여 측정된 위치 관련 양과 세트-포인트 생성기에 의하여 제공되는 위치 관련 세트-포인트 신호를 비교하여 오차 신호를 획득하는 단계;
    상기 오차 신호를 토대로 제어기에 의하여 제어 신호를 제공하는 단계;
    상기 위치 관련 세트-포인트 신호를 토대로 피드-포워드 디바이스에 의하여 피드-포워드 신호를 제공하는 단계; 및
    상기 제어 신호 및 상기 피드-포워드 신호를 토대로 액추에이터를 작동시키는 단계를 포함하며,
    상기 피드-포워드 신호를 제공하는 단계는 상기 이동가능한 대상물의 위치에 의존하여 상기 이동가능한 대상물에 가해지는 교란력들의 추정치들을 포함하는 교란력 보정 테이블을 이용하는 단계를 포함하는 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 교란력 보정 테이블은 상기 이동가능한 대상물 루트의 교란력들의 추정치들을 포함하는 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 피드-포워드 디바이스를 이용하지 않고 상기 적어도 하나의 루트를 따라 상기 이동가능한 대상물을 이동시키고, 상기 비교기에 의하여 얻어진 상기 오차 신호를 측정하며, 상기 오차 신호를 보상하는 데 필요한 교란력들을 계산함으로써 교란력들의 추정치들을 획득하는 단계를 포함하는 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 방법은 셋-업 동안 일반적인 캘리브레이션 데이터를 모으는 단계, 및 상기 일반적인 캘리브레이션 데이터를 토대로 상기 적어도 하나의 루트에 대한 교란력들을 유도하는 단계를 포함하는 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 이동가능한 대상물은 리소그래피 장치의 기판 지지체이며,
    상기 루트는 상기 기판 지지체의 스캐닝 루트인 이동가능한 대상물의 위치 제어 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008183A (en) 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method.
KR101689237B1 (ko) 2012-11-06 2016-12-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US9097645B2 (en) * 2013-08-23 2015-08-04 Kla-Tencor Corporation Method and system for high speed height control of a substrate surface within a wafer inspection system
CN105706001B (zh) * 2013-10-30 2017-10-03 Asml荷兰有限公司 在光刻术中的物体定位
JP6492994B2 (ja) * 2015-06-12 2019-04-03 東芝ライテック株式会社 光配向用偏光光照射装置
US10423661B2 (en) * 2016-08-08 2019-09-24 Google Llc Methods, systems, and media for providing a media consumption history annotated with social context
EP3376289A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Stage system and metrology tool

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08241126A (ja) 1995-03-02 1996-09-17 Canon Inc 同期位置制御方法および装置
JP3387715B2 (ja) 1995-11-24 2003-03-17 キヤノン株式会社 多相リニアモータ制御装置
KR100226599B1 (ko) 1995-09-04 1999-10-15 미따라이 하지메 구동제어장치 및 방법
JP3320276B2 (ja) 1995-09-04 2002-09-03 キヤノン株式会社 精密制御装置
KR100585465B1 (ko) 2001-06-13 2006-06-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치, 디바이스제조방법, 이것에 의하여제조된 디바이스 및 측정방법
JP2004164029A (ja) 2002-11-08 2004-06-10 Canon Inc 弾性振動の制御装置
US7209219B2 (en) * 2003-03-06 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. System for controlling a position of a mass
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
US7289858B2 (en) 2004-05-25 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic motion control system and method
US7265813B2 (en) 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060170382A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Nikon Corporation Linear motor force ripple identification and compensation with iterative learning control
US7366642B2 (en) 2005-04-26 2008-04-29 Nikon Corporation Minimum force output control method for counter-mass with cable
JP2007088040A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Canon Inc 露光装置
US7446854B2 (en) 2006-02-07 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7630059B2 (en) 2006-07-24 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE502006008851D1 (de) 2006-11-08 2011-03-17 Integrated Dynamics Eng Gmbh Kombiniertes Motion-Control-System
JP2008166497A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Canon Inc 露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法
US8014881B2 (en) 2007-02-15 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009088018A (ja) 2007-09-27 2009-04-23 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP5279299B2 (ja) 2008-02-29 2013-09-04 キヤノン株式会社 反復学習制御回路を備える位置制御装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8279401B2 (en) 2008-04-25 2012-10-02 Asml Netherlands B.V. Position control system, a lithographic apparatus and a method for controlling a position of a movable object
CN100565352C (zh) 2008-07-29 2009-12-02 浙江大学 用于光刻机浸没控制装置
JP2010039003A (ja) 2008-07-31 2010-02-18 Yokohama National Univ ステージ装置、露光装置、及びステージ制御方法
JP5151852B2 (ja) 2008-09-22 2013-02-27 株式会社ニコン 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20100302526A1 (en) 2008-11-13 2010-12-02 Nikon Corporation Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus
NL2003772A (en) 2008-12-11 2010-06-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus.

Also Published As

Publication number Publication date
KR101321781B1 (ko) 2013-10-28
US20120019801A1 (en) 2012-01-26
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NL2006981A (en) 2012-01-30
CN102346492B (zh) 2016-01-20
US8825182B2 (en) 2014-09-02
TW201217911A (en) 2012-05-01
CN102346492A (zh) 2012-02-08
JP2012028784A (ja) 2012-02-09
JP5355637B2 (ja) 2013-11-27

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