KR100938912B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 246
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 54
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005316 response function Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 27
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706839—Modelling, e.g. modelling scattering or solving inverse problems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706847—Production of measurement radiation, e.g. synchrotron, free-electron laser, plasma source or higher harmonic generation [HHG]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/404—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for compensation, e.g. for backlash, overshoot, tool offset, tool wear, temperature, machine construction errors, load, inertia
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- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/49—Nc machine tool, till multiple
- G05B2219/49189—Bending of driven table, lag between real and commanded position
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (24)
- 리소그래피 장치에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스;기판을 유지하도록 구성된 기판 지지체;상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및상기 기판의 타겟부의 위치를 제어하도록 구성된 위치 제어 시스템을 포함하고, 상기 위치 제어 시스템은상기 기판 지지체 상의 센서 또는 센서 타겟의 위치를 결정하도록 구성된 위치 측정 시스템,상기 타겟부의 원하는 위치 및 상기 결정된 위치에 기초한 제어 신호를 제공하도록 구성된 제어기, 및상기 기판 지지체에 작용하도록 구성된 1 이상의 액추에이터(actuator)를 포함하며,상기 위치 제어 시스템은 상기 기판 지지체의 강성도 보상 모델(stiffness compensation model)을 포함하고, 상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체 상에 가해진 힘과 상기 타겟부의 결과적인 위치 오차 간의 관계를 포함하며, 상기 위치 제어 시스템은 적어도 상기 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 동안 상기 강성도 보상 모델을 이용하여 상기 타겟부의 위치를 실질적으로 보정하도록 구성되며, 상기 타겟부의 복수의 위치들은 2 자유도로 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체의 복수의 위치들에 대한 1 이상의 보상 이득을 포함하고, 각각의 보상 이득은 힘 신호와 상기 타겟부의 결과적인 위치 오차 간의 관계에 의존하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 각각의 보상 이득들은 상기 타겟부의 결과적인 위치 오차에 대한 힘 신호의 전달 함수(transfer function)에 기초하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체 상에 가해진 힘과, 상기 타겟부의 위치 오차 및 상기 센서 또는 센서 타겟의 위치 오차 간의 결과적인 차이 간의 관계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체의 복수의 위치들에 대한 1 이상의 보상 이득을 포함하고, 각각의 보상 이득은 힘 신호와, 상기 타겟부의 위치 오차 및 상기 센서 또는 센서 타겟의 위치 오차 간의 결과적인 차이 간의 관계에 의존하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 각각의 보상 이득들은 상기 타겟부의 위치 오차와 상기 센서 또는 센서 타겟의 위치 오차 간의 결과적인 차이에 대한 힘 신호의 전달 함수에 기초하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 2 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체의 복수의 위치들 각각에 대한 6 자유도로의 상기 타겟부의 결과적인 위치 변화들에 대한 6 자유도로의 힘 신호들에 기초한 보상 이득들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,상기 제어기는 피드-포워드 디바이스(feed-forward device)를 포함하고, 상기 강성도 보상 모델은 상기 피드-포워드 디바이스의 일부분이며, 상기 피드-포워드 디바이스는 상기 강성도 보상 모델에 힘 신호 또는 그 등가물을 입력(feed)시킴으로써 피드-포워드 신호를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 제어기의 피드백 루프(feedback loop) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 제어기의 피드-포워드 및 피드백 루프의 조합 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체의 복수의 위치들 사이에 있는 상기 기판 지지체의 위치들에 대한 보상 이득들을 계산하도록 구성된 계산 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,1 이상의 힘들은 침지 디바이스에 의해 상기 기판 테이블 또는 기판 상에 가해진 힘을 나타내는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 위치 제어 시스템은 상기 힘 신호를 상기 강성도 보상 모델로 입력시키기 이전에 상기 힘 신호의 필요한 주파수 용량(content)을 얻도록 필터 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 유한 요소 모델링(finite element modeling)을 이용하여 결정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 이동가능한 대상물 상의 위치를 제어하도록 구성된 위치 제어 시스템에 있어서:상기 이동가능한 대상물 상의 센서 또는 센서 타겟의 위치를 결정하도록 구성된 위치 측정 시스템;상기 이동가능한 대상물 상의 위치의 원하는 위치 및 상기 결정된 위치에 기초한 제어 신호를 제공하도록 구성된 제어기;상기 이동가능한 대상물에 작용하도록 구성된 1 이상의 액추에이터; 및상기 이동가능한 대상물의 강성도 보상 모델을 포함하고, 상기 강성도 보상 모델은 상기 이동가능한 대상물 상에 가해진 힘과 상기 이동가능한 대상물 상의 위치의 결과적인 위치 오차 간의 관계를 포함하며, 상기 위치 제어 시스템은 상기 강성도 보상 모델을 이용하여 상기 위치의 위치를 보정하도록 구성되며, 상기 이동가능한 대상물 상의 복수의 위치들은 2 자유도로 연장되는 것을 특징으로 하는 위치 제어 시스템.
- 리소그래피 장치에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 패터닝 디바이스 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및상기 패터닝 디바이스의 패턴 위치를 제어하도록 구성된 위치 제어 시스템을 포함하고, 상기 위치 제어 시스템은상기 패터닝 디바이스 지지체 상의 센서 또는 센서 타겟의 위치를 결정하도록 구성된 위치 측정 시스템,상기 패턴 위치의 원하는 위치 및 상기 결정된 위치에 기초한 제어 신호를 제공하도록 구성된 제어기, 및상기 패터닝 디바이스 지지체에 작용하도록 구성된 1 이상의 액추에이터를 포함하며,상기 위치 제어 시스템은 상기 패터닝 디바이스 지지체의 강성도 보상 모델을 포함하고, 상기 강성도 보상 모델은 상기 패터닝 디바이스 지지체 상에 가해진 힘과 상기 패턴 위치의 결과적인 위치 오차 간의 관계를 포함하며, 상기 위치 제어 시스템은 적어도 상기 방사선 빔에 패턴을 부여하는 동안 상기 강성도 보상 모델을 이용하여 상기 패턴 위치의 위치를 실질적으로 보정하도록 구성되며, 상기 패턴의 복수의 위치들은 2 자유도로 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 강성도 보상 모델은 상기 패터닝 디바이스 지지체의 복수의 위치들에 대한 1 이상의 보상 이득을 포함하고, 각각의 보상 이득은 힘 신호와 상기 패턴 위치의 결과적인 위치 오차 간의 관계에 의존하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 각각의 보상 이득들은 상기 패턴 위치의 결과적인 위치 오차에 대한 힘 신호의 전달 함수에 기초하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 기판 지지체 상에 지지된 기판의 타겟부의 위치를 제어하는 방법에 있어서:상기 타겟부는 패터닝된 방사선 빔으로 조명될 것이며, 상기 방법은 상기 타겟부의 위치 오차들을 보정하는 단계-상기 타겟부의 복수의 위치들은 2 자유도로 연장됨- 를 포함하고, 상기 보정하는 단계는상기 기판 지지체 및/또는 상기 기판 상에 가해진 힘들을 나타내는 힘 신호들을 결정하는 단계,상기 기판 지지체의 강성도 보상 모델- 이는 상기 기판 지지체 상에 가해진 힘과 상기 타겟부의 결과적인 위치 오차 간의 관계를 포함함 -에 힘 신호들을 입력시키는 단계, 및상기 타겟부의 위치 오차들을 보정하기 위해 상기 강성도 보상 모델의 출력을 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위치 제어 방법.
- 리소그래피 장치에서 기판 지지체의 강성도 보상 모델을 결정하는 캘리브레이션(calibration) 방법에 있어서:상기 기판 지지체는 타겟부를 포함하는 기판을 유지하도록 구성되고, 상기 강성도 보상 모델은 상기 기판 지지체 상에 가해진 힘과 상기 타겟부의 결과적인 위치 오차 간의 관계를 포함하며, 상기 방법은상기 기판 지지체의 복수의 위치들 각각에 대해서 상기 기판 지지체 상에 복수의 외란력(disturbance force)들을 가하는 단계,상기 외란력들과 상기 타겟부의 결과적인 위치 변화 간의 주파수 응답 함수 를 결정하는 단계, 및상기 복수의 위치들 각각에 대해 보상 이득 매트릭스를 발생시키는 단계를 포함하고, 각각의 보상 이득 매트릭스는 상기 기판 지지체의 위치에 의존하는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 방법.
- 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 22 항에 있어서,상기 발생시키는 단계는 빠진(missing) 위치 신호들에 대해 전달 함수를 맞춤(fit)으로써 상기 빠진 위치 신호들을 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 방법.
- 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 22 항에 있어서,상기 방법은 보간(interpolation)에 의해 상기 기판 지지체의 복수의 위치들 사이에서 상기 기판 지지체의 위치들에 대한 보상 이득 매트릭스들을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캘리브레이션 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/783,115 US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2007-04-05 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/783,115 | 2007-04-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080091020A KR20080091020A (ko) | 2008-10-09 |
KR100938912B1 true KR100938912B1 (ko) | 2010-01-27 |
Family
ID=39628437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080031547A KR100938912B1 (ko) | 2007-04-05 | 2008-04-04 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7710540B2 (ko) |
EP (1) | EP1978409A1 (ko) |
JP (1) | JP5203008B2 (ko) |
KR (1) | KR100938912B1 (ko) |
CN (1) | CN101320223B (ko) |
SG (1) | SG146597A1 (ko) |
TW (1) | TWI388944B (ko) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992770A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140110 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150109 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160108 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170106 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180112 Year of fee payment: 9 |