KR20110108194A - 플렉서블한 전극용 집전체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 음극 - Google Patents

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Abstract

플렉서블한 전극용 집전체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 음극에 관한 것으로, 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재, 상기 고분자 기재 상에 형성된 가교 결합이 가능한 고분자층 및 상기 가교 결합이 가능한 고분자층 상에 형성된 금속층을 포함하고, 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면은 복수의 산(height) 및 골(groove)로 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체 및 이의 제조방법을 제공한다.

Description

플렉서블한 전극용 집전체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 음극{FLEXIBLE COLLECTOR FOR ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTUIRNG THEREOF AND NEGATIVE ELECTRODE USING THEREOF}
플렉서블한 전극용 집전체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 음극에 관한 것이다.
최근 들어 휴대 전화, 노트북, PDA, 전자종이 등 휴대기기의 소형화, 박형화 추세에 따라 이들 휴대기기의 에너지원으로 사용되는 리튬 이차전지의 소형화 및 휴대성에 대한 연구 필요성이 높아지고 있다.
리튬 이차전지는 양극으로 리튬 코발드 산화물 등의 층상 구조를 갖는 리튬 전이금속 복합산화물, 음극으로는 흑연계 탄소소재, 산화 규소계 복합 재료, 실리콘, 주석합금, 리튬 이나 바나듐 산화물 등을 이용하고 비수계 액체 및 폴리머 전해질을 사용하며 리튬 이온의 활물질 내부로 삽입/탈리 반응에서 발생하는 높은 기전력 및 전기용량을 활용하는 전지이다.
전극은 일반적으로 집전체인 구리판(copper foil) 위에 활물질로 사용하는 분말 재료를 유기 폴리머(binder)로 고착시켜 만들며, 주로 집전체로 구리판을 사용하고 있다.
구리판을 집전체로 사용할 때 전극 합체와 집전체 사이의 접착력을 높이기 위해 압착 공정을 진행하는 데, 압착 공정 이후 분진 등이 발생하고 전지가 충방전을 진행하는 동안 집전체 표면에 붙어있는 음극 활물질이 떨어지는 경향이 나타난다.
이러한 음극 활물질과 구리 집전체 사이의 접착력 저하 및 이로 인한 활물질 박리 현상은 전지 내부 저항을 증가시키므로 전지의 출력 특성을 저하시키고, 전지의 용량 감소에도 영향을 주는 등 전지 성능을 크게 감소시키는 문제가 있다.
또한, 플렉서블한 리튬 이차 전지에서는 집전체 전체가 휘거나 변형이 되며 부분적인 박리현상도 발생한다. 그 결과 전지의 충ㆍ방전 사이클 특성이 저하하고 전지의 수명이 단축된다.
플렉서블한 전극용 집전체를 제공하여, 플렉서블한 전지의 특성 감소 문제를 해결하는 것이다.
본 발명의 일 측면에서는, 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재, 상기 고분자 기재 상에 형성된 가교 결합이 가능한 고분자층 및 상기 가교 결합이 가능한 고분자층 상에 형성된 금속층을 포함하고, 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면은 복수의 산(height) 및 골(groove)로 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체를 제공한다.
상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 가교 결합이 가능한 고분자층은 에폭시계, 폴리이미드계, 폴리우레탄계, 폴리아세틸렌계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인리스 강(stainless steel), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 산의 높이는 5nm 내지 5μm 일 수 있다.
상기 산 및 골은, 상기 산 및 상기 골을 하나의 반복 단위로 포함하며, 상기 반복 단위가 20nm 내지 10μm 마다 형성되어 있는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에서는, (a) 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재를 준비하는 단계, (b) 상기 고분자 기재 상에 가교 결합이 가능한 고분자층을 형성하는 단계, (c) 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면에 복수의 산 및 골을 형성하는 단계 및 (d) 상기 복수의 산 및 골이 형성된 고분자층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법을 제공한다.
상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 가교 결합이 가능한 고분자층은 고분자, 폴리이미드계, 폴리우레탄계, 폴리아세틸렌계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인리스 강(stainless steel), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 산의 높이는 5nm 내지 5μm 일 수 있다.
상기 산 및 골은, 상기 산 및 상기 골을 하나의 반복 단위로 포함하며, 상기 반복 단위가 20nm 내지 10μm 마다 형성되어 있는 것일 수 있다.
상기 (b) 단계의 고분자층은 스핀 코팅에 의해 형성되는 것일 수 있다.
상기 스핀 코팅은 500 내지 10000rpm으로 수행되는 것일 수 있다.
상기 (b) 단계의 고분자층을 형성 후 형성된 고분자층을 건조하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 미스컷 사파이어를 이용하는 것일 수 있다.
상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 상기 산 및 골 형 상에 대응되는 형상이 표면에 형성되어 있는 폴리디메틸실록산(ploydimethylsiloxane, PDMS)을 이용하는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에서는, 음극 활물질, 도전재 및 바인더가 전술한 플렉서블한 전극용 집전체 상에 코팅된 음극을 제공한다.
플렉서블한 전극용 집전체를 제공할 수 있으며, 이를 이용하여 용량 특성이 우수함과 동시에 전극을 구부릴 경우에도 음극 활물질의 박리를 막아주어 용량 유지율이 우수한 리튬 이차 전지를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법을 나타낸 순서도.
도 2는 산 및 골의 형상을 고분자층에 형성시킨 후의 AFM 사진.
도 3은 상기 산 및 골의 형상이 형성된 고분자층을 자외선 및 열처리를 한 후의 AFM 사진.
도 4는 구리를 상기 고분자층에 증착 시킨 후의 AFM 사진.
도 5는 산 및 골이 형성된 상기 실시예 1의 고분자층의 표면 사진.
도 6은 상기 고분자층 상에 구리가 증착된 상태의 표면 사진.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예에서는, 플렉서블(flexible)한 특징을 가지는 고분자 기재, 상기 고분자 기재 상에 형성된 가교 결합(cross-linked)이 가능한 고분자층 및 상기 가교 결합이 가능한 고분자층 상에 형성된 금속층을 포함하고, 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면은 복수의 산(height) 및 골(groove)로 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체를 제공한다.
상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있으며, 플렉서블한 특징을 가지고 있는 고분자라면 이에 제한되지 않는다.
구체적인 예로, 하기 화학식 1과 같은 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 하기 화학식 2와 같은 폴리부틸렌테레프탈레이트가 이용될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 가교 결합이 가능한 고분자층은 에폭시계, 폴리이미드계, 폴리우레탄계, 폴리아세틸렌계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용할 수 있다.
구체적인 에폭시계 고분자의 예로는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 가교 결합이 가능한 고분자층는 상기 기재 및 상기 금속층과의 결합력이 우수하다. 또한, 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면은 복수의 산(height) 및 골(groove)로 형성되어 있는 것일 수 있다.
표면에 산 및 골이 형성되어 있다는 의미는 표면에 거칠기(roughness)가 형성되어 표면적이 크다는 의미이다. 산이라는 것은 거칠기가 형성된 표면 중 돌출된 부분을 의미하며, 골이라는 것은 거칠기가 형성된 표면 중 함몰된 부분을 의미한다.
상기 거칠기는 일정한 패턴을 가질 수 있다. 즉, 표면에 일정한 산 또는 골의 패턴이 존재한다는 것이다.
이러한 산 및 골의 존재로 인해, 평평한 표면의 집전체보다 표면적이 넓어지게 되며, 넓은 표면적에 보다 많은 음극 활물질 등을 포함할 수 있어 전지의 특성이 우수해 질 수 있다. 또한, 형성된 산 및 골로 인해 집전체가 구부러지는 것과 같은 형상이 되어도 음극 활물질의 박리를 막을 수 있다.
상기 산의 높이는 5nm 내지 5μm 일 수 있다. 상기 범위를 만족하여야, 충분한 표면적 확보 및 음극 활물질 박리 방지에 효과적이다.
상기 산 및 골은, 상기 산 및 상기 골을 하나의 반복 단위로 포함하며, 상기 반복 단위가 20nm 내지 10μm 마다 형성될 수 있다. 상기 범위를 만족하여야 충분한 양의 음극 활물질을 포함할 수 있으며, 이의 박리를 방지할 수 있다.
상기 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인리스 강(stainless steel), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것일 수 있다. 일반적으로 쓰이는 집전체는 Cu로 이루어진 것이 많으나, Al 등 전술한 종류의 금속이 집전체에 이용될 수 있음은 당업자에게 자명한 사실이다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, (a) 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재를 준비하는 단계, (b) 상기 고분자 기재 상에 가교 결합이 가능한 고분자층을 형성하는 단계, (c) 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면에 복수의 산 및 골을 형성하는 단계 및 (d) 상기 복수의 산 및 골이 형성된 고분자층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법을 제공한다.
상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재, 상기 가교 결합이 가능한 고분자층, 상기 금속층, 상기 산 및 상기 골에 대한 설명은 전술한 본 발명의 일 구현예와 동일하기 때문에 생략하도록 한다.
상기 (a) 단계의 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재를 준비하는 단계는 상기 고분자 기재를 유기 용매에 및 증류수로 세척하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 사용되는 유기 용매는 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 톨루엔 (Toluene), N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide) 등이 있다.
상기 (b) 단계의 고분자층은 스핀 코팅에 의해 형성될 수 있다. 상기 스핀 코팅은 500 내지 10000rpm으로 수행될 수 있으며, 약 60초 내지 2분 동안 수행될 수 있다. 상기 범위를 만족하여야 균일한 고분자 필름을 얻을 수 있는 장점이 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
상기 (b) 단계의 고분자층을 형성 후 형성된 고분자층을 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이는 상기 기재와 상기 고분자층의 결합력을 향상시키기 위해서이다. 보다 구체적으로 상기 고분자층을 40 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 오븐 내에서 건조시킬 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 미스컷 사파이어(miscut sappire)를 이용할 수 있다. 상기 방법은 먼저 미스컷 사파이어에 상기 산 및 골에 대응되는 형상을 얻게 한다. 이후 상기 고분자층에 열 및 압력을 이용하여 상기 미스컷 사파이어의 형상을 전사시키는 방법이다.
미스컷 사파이어에 상기 형상을 얻게 하는 방법은 1100 내지 1600℃에서 6 내지 24시간 동안 열처리를 하는 것이다. 이에 의해 형성된 산의 높이는 약 5 내지 30nm 일 수 있다. 또한, 산 및 골의 반복 단위는 20 내지 200nm 마다 나타날 수 있다.
상기 미스컷 사파이어의 형상을 상기 고분자층에 전사시키는 방법은 직접 전사이며, 50 내지 180℃에서 10분 내지 2 시간 동안 0.1 내지 10Mpa 압력 조건으로 수행될 수 있다.
상기 미스컷 사파이어 상에 형성된 산 및 골의 형상에 유기 실란 화합물 또는 테프론(Telflon) 등을 코팅한 후, 상기와 같은 과정으로 고분자층에 상기 형상을 전사할 수도 있다. 상기 코팅 과정에 의해 유기 실란 화합물이 코팅된 미스컷 사파이어를 제작할 경우, 상기 고분자층에 형상을 전사한 후 쉽게 미스컷 사파이어를 떼어낼 수 있는 장점이 있고, 표면에너지가 매우 낮은 테프론 필름을 코팅한 경우 실란 화합물의 예와 같이 패턴을 플라스틱에 전사한 후 쉽게 미스컷 사파이어를 떼어낼 수 있는 장점이 있다.
상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 상기 산 및 골 형 상에 대응되는 형상이 표면에 형성되어 있는 폴리디메틸실록산(ploydimethylsiloxane, PDMS)을 이용할 수 있다.
상기 방법은 폴리디메틸실록산에 상기 산 및 골에 대응되는 형상을 형성시킨 뒤, 상기 형성된 형상을 상기 고분자 기재에 전사시키는 방법이다.
상기 폴리디메틸실록산에 상기 산 및 골에 대응되는 형상을 형성시키는 방법은 광식각 방법(photolithography)을 이용할 수 있다.
상기 광식각 방법에 의해 산 및 골을 형성하게 되면, 산의 높이는 100nm 내지 5μm일 수 있으며, 산 및 골의 반복 단위는 200nm 내지 10μm 마다 나타날 수 있다.
또한, 상기 폴리디메틸실록산에 상기 산 및 골에 대응되는 형상을 형성시키는 방법은 홀로그래피 방법(holographic lithography)을 이용할 수 있다.
상기 홀로그래피 방법에 의해 산 및 골을 형성하게 되면, 산의 높이는 100nm 내지 5μm일 수 있으며, 산 및 골의 반복 단위는 200nm 내지 10μm 마다 나타날 수 있다.
상기 산 및 골이 형성된 폴리디메틸실록산을 이용하여 상기 고분자 기재에 산 및 골의 형상을 형성시킬 수 있다. 반응 조건은 50 내지 100℃에서 30분 내지 2시간 동안 0.1 내지 10MPa 압력일 수 있다.
이후, 선택적으로 산 및 골이 형성된 고분자층을 UV 조사를 통해 경화시킬 수 있다. 상기 경화는 고분자층 내의 고분자의 가교 결합이 강화됨에 따른 것이다. 이용되는 UV 파장은 254 내지 365nm 일 수 있으며, 조사 시간은 1분 내지 6시간일 수 있다.
또한 선택적으로 산 및 골이 형성된 고분자층을 80 내지 120℃, 질소 또는 아르곤 분위기에서 30분 내지 6시간 동안 추가로 열처리를 할 수 있다. 상기 열처리 단계 역시 산 및 골이 형성된 고분자층의 경화를 위해서이다.
이후, 상기 산 및 골이 형성된 고분자층 상에 금속층을 형성할 수 있다. 금속층에 대한 설명은 전술한 본 발명의 일 구현예와 동일하기 때문에 생략하도록 한다. 또한, 금속층을 형성하기 위한 증착 등의 방법은 당업자에게 자명한 방법이면 모두 가능하다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 음극 활물질, 도전재 및 바인더가 전술한 플렉서블한 전극용 집전체 상에 코팅된 음극을 제공한다.
상기 음극 활물질로는 리튬 이온을 가역적으로 인터칼레이션/디인터칼레이션할 수 있는 물질, 리튬 금속, 리튬 금속의 합금, 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질, 또는 전이 금속 산화물을 포함한다.
상기 리튬 이온을 가역적으로 인터칼레이션/디인터칼레이션할 수 있는 물질로는 탄소 물질로서, 리튬 이온 이차 전지에서 일반적으로 사용되는 탄소계 음극 활물질은 어떠한 것도 사용할 수 있으며, 그 대표적인 예로는 결정질 탄소, 비정질 탄소 또는 이들을 함께 사용할 수 있다. 상기 결정질 탄소의 예로는 무정형, 판상, 린편상(flake), 구형 또는 섬유형의 천연 흑연 또는 인조 흑연과 같은 흑연을 들 수 있고, 상기 비정질 탄소의 예로는 소프트 카본(soft carbon: 저온 소성 탄소) 또는 하드 카본(hard carbon), 메조페이스 피치 탄화물, 소성된 코크스 등을 들 수 있다.
상기 리튬 금속의 합금으로는 리튬과 Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sr, Si, Sb, Pb, In, Zn, Ba, Ra, Ge, Al 및 Sn으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 합금이 사용될 수 있다.
상기 리튬을 도프 및 탈도프할 수 있는 물질로는 Si, SiOx(0 < x < 2), Si-Y 합금(상기 Y는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 13족 원소, 14족 원소, 전이금속, 희토류 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 원소이며, Si은 아님), Sn, SnO2, Sn-Y(상기 Y는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 13족 원소, 14족 원소, 전이금속, 희토류 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 원소이며, Sn은 아님) 등을 들 수 있고, 또한 이들 중 적어도 하나와 SiO2를 혼합하여 사용할 수도 있다. 상기 원소 Y로는 Mg, Ca, Sr, Ba, Ra, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, Rf, V, Nb, Ta, Db, Cr, Mo, W, Sg, Tc, Re, Bh, Fe, Pb, Ru, Os, Hs, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, B, Al, Ga, Sn, In, Ti, Ge, P, As, Sb, Bi, S, Se, Te, Po, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 전이 금속 산화물로는 바나듐 산화물, 리튬 바나듐 산화물 등을 들 수 있다.
상기 음극 활물질 층은 또한 바인더를 포함하며, 선택적으로 도전재를 더욱 포함할 수도 있다.
상기 바인더는 음극 활물질 입자들을 서로 잘 부착시키고, 또한 음극 활물질을 전류 집전체에 잘 부착시키는 역할을 하며, 그 대표적인 예로 폴리비닐알콜, 카르복시메틸셀룰로즈, 히드록시프로필셀룰로즈, 폴리비닐클로라이드, 카르복실화된 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐플루오라이드, 에틸렌 옥사이드를 포함하는 폴리머, 폴리비닐피롤리돈, 폴리우레탄, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 스티렌-부타디엔 러버, 아크릴레이티드 스티렌-부타디엔 러버, 에폭시 수지, 나일론 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도전재는 전극에 도전성을 부여하기 위해 사용되는 것으로서, 구성되는 전지에 있어서, 화학변화를 야기하지 않고 전자 전도성 재료이면 어떠한 것도 사용가능하며, 그 예로 천연 흑연, 인조 흑연, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸블랙, 탄소섬유 등의 탄소계 물질; 구리, 니켈, 알루미늄, 은 등의 금속 분말 또는 금속 섬유 등의 금속계 물질; 폴리페닐렌 유도체 등의 도전성 폴리머; 또는 이들의 혼합물을 포함하는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 일 구현예인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법을 나타낸 순서도이다. 도 1 중 (a) 및 (b)의 차이점은 고분자층 표면의 형상(즉, 산 및 골의 형상)이다. 이를 제외하고는 양 제조방법은 동일하다. 이의 구체적인 예는 다음과 같다.
고분자 기재로 통상의 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용하였다. 상기 고분자 기재를 테트라하이드로퓨란에 1시간 동안 침전시킨 후 증류수로 세척하였다.
세척한 폴리에틸렌테레프탈레이트 고분자 기재 상에 가교 결합이 가능한 에폭시 계열 고분자인 SU-8을 3000 rpm으로 약 1분간 스핀코팅하였다.
코팅 후 폴리에틸렌테레프탈레이트 고분자 기재와 스핀 코팅된 고분자층과의 결합력을 향상시키기 위해 80℃에서 1시간 동안 오븐 내에 건조시켰다.
그리고 80℃ 로 맞춰진 평평한 판 위에 상기 고분자층이 형성된 고분자 기재를 고정하였다.
산 및 골의 형상을 포함하는(예를 들어, 톱니바퀴(Sawtooth) 또는 트렌치 패턴(Trench pattern) 형상) 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS)을 준비하여 상기 고분자층에 접촉시킨 후 형상을 전사시켰다.
보다 원활한 전사를 위해 폴리디메틸실록산 위에 1kg 이상의 무게로 눌러 주었고, 130℃로 승온하였으며, 이 조건을 1시간 정도 유지 시켰다.
위에 올려진 폴리디메틸실록산을 제거하고, 고분자층의 형상을 더 단단하게 만들기 위해 대기 상태에서 UV(365nm)에 약 5 분 정도 노출시켰으며, 이후 110℃ 에서 10분 그리고 120℃ 에서 10 분 이상 열처리를 하였다..
이후, 열증착(thermal evaporation) 방법을 이용하여 구리를 상기 고분자층 상에 증착시켰다.
실험예
원자 주사 현미경 사진( Atomic force Microscope , AFM )
도 2는 산 및 골의 형상을 고분자층에 형성시킨 후의 AFM 사진이다.
도 3은 상기 산 및 골의 형상이 형성된 고분자층을 자외선 및 열처리를 한 후의 AFM 사진이다.
도 4는 구리를 상기 고분자층에 증착 시킨 후의 AFM 사진이다.
도 2, 3 및 4 를 보면 고분자층에 산 및 골을 형성시킨 후 자외선 및 열처리 과정을 거치고, 고분자층 상에 구리를 증착시키는 과정을 거쳐도 산 및 골의 형상이 변하지 않는 것을 알 수 있다.
일반 사진
도 5는 산 및 골이 형성된 상기 실시예 1의 고분자층의 표면 사진이다.
도 6은 상기 고분자층 상에 구리가 증착된 상태의 표면 사진이다.
이로부터 톱니바퀴 형상의 표면을 가지는 고분차층 위에 구리를 증착한 후에도 톱니바튀 형상이 유지되는 것을 알 수 있다. 이는 집전체의 표면적을 증가시켜 배터리 용량을 높일 수 있을 것으로 기대된다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (18)

  1. 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재;
    상기 고분자 기재 상에 형성된 가교 결합이 가능한 고분자층; 및
    상기 가교 결합이 가능한 고분자층 상에 형성된 금속층;
    을 포함하고,
    상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면은 복수의 산(height) 및 골(groove)로 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가교 결합이 가능한 고분자층은 에폭시계, 폴리이미드계, 폴리우레탄계, 폴리아세틸렌계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인리스 강(stainless steel), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산의 높이는 5nm 내지 5μm 인 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 산 및 골은, 상기 산 및 상기 골을 하나의 반복 단위로 포함하며, 상기 반복 단위가 20nm 내지 10μm 마다 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체.
  7. (a) 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재를 준비하는 단계;
    (b) 상기 고분자 기재 상에 가교 결합이 가능한 고분자층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 가교 결합이 가능한 고분자층의 표면에 복수의 산 및 골을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 복수의 산 및 골이 형성된 고분자층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플렉서블한 특징을 가지는 고분자 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 가교 결합이 가능한 고분자층은 에폭시계, 폴리이미드계, 폴리우레탄계, 폴리아세틸렌계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 스테인리스 강(stainless steel), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 산의 높이는 5nm 내지 5μm 인 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 산 및 골은, 상기 산 및 상기 골을 하나의 반복 단위로 포함하며, 상기 반복 단위가 20nm 내지 10μm 마다 형성되어 있는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 고분자층은 스핀 코팅에 의해 형성되는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 스핀 코팅은 500 내지 10000rpm으로 수행되는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 고분자층을 형성 후 형성된 고분자층을 건조하는 단계를 더 포함하는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 미스컷 사파이어를 이용하는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  17. 제 7 항에 있어서,
    상기 (c) 단계의 산 및 골을 형성하는 방법은, 상기 산 및 골 형 상에 대응되는 형상이 표면에 형성되어 있는 폴리디메틸실록산(ploydimethylsiloxane, PDMS)을 이용하는 것인 플렉서블한 전극용 집전체의 제조방법.
  18. 음극 활물질, 도전재 및 바인더가 상기 제 1 항에 따른 플렉서블한 전극용 집전체 상에 코팅된 음극.
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