KR20110106791A - Method for machining optical device wafer - Google Patents

Method for machining optical device wafer

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KR20110106791A
KR20110106791A KR1020110016104A KR20110016104A KR20110106791A KR 20110106791 A KR20110106791 A KR 20110106791A KR 1020110016104 A KR1020110016104 A KR 1020110016104A KR 20110016104 A KR20110016104 A KR 20110016104A KR 20110106791 A KR20110106791 A KR 20110106791A
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히토시 호시노
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 광 디바이스의 품질을 저하시키는 일 없이 개개의 광 디바이스로 분할할 수 있는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
기판의 표면에 광 디바이스층이 적층되고 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 광 디바이스로 분할하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 광 디바이스 웨이퍼의 기판에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하여, 기판의 표면 또는 이면에 파단 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 홈 형성 공정과, 기판에 형성된 레이저 가공 홈에 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 위치시키고, 절삭 블레이드를 회전시키면서 레이저 가공 홈의 벽면을 따라가면서 상대 이동시킴으로써, 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질을 제거하여 레이저 가공 홈의 벽면을 거친면으로 가공하는 변질 물질 제거 공정과, 광 디바이스 웨이퍼에 외력을 부여하여, 광 디바이스 웨이퍼를 변질 물질이 제거된 가공 홈을 따라 파단하여, 개개의 광 디바이스로 분할하는 웨이퍼 분할 공정을 포함한다.The present invention provides an optical device wafer processing method that can be divided into individual optical devices without degrading the quality of the optical device.
Optical device wafer processing method which divides the optical device wafer in which the optical device was formed in the several area | region partitioned by the some street formed by lattice | stacking and the optical device layer was laminated | stacked on the surface of a board | substrate into individual optical devices along the street. As a laser processing groove forming step of irradiating a laser beam having a wavelength having an absorbance with respect to a substrate of an optical device wafer along a street to form a laser processing groove serving as a break point on the surface or the back surface of the substrate, and a laser formed on the substrate By placing the cutting blades mainly composed of diamond abrasive grains in the processing grooves, and rotating the cutting blades along the walls of the laser processing grooves to move relative to each other, thereby removing the deterioration material generated during the formation of the laser processing grooves, thereby removing the wall surface of the laser processing grooves. Water processing to rough surface A vaginal removal step and a wafer division step of applying an external force to the optical device wafer, breaking the optical device wafer along the processing groove from which the deteriorated material is removed, and dividing the optical device wafer into individual optical devices.

Description

광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR MACHINING OPTICAL DEVICE WAFER}Processing method of optical device wafer {METHOD FOR MACHINING OPTICAL DEVICE WAFER}

본 발명은, 기판의 표면에 광 디바이스층이 적층되고, 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 광 디바이스로 분할하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.An optical device wafer in which an optical device layer is stacked on a surface of a substrate, and an optical device wafer is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice form is divided into individual optical devices along the street. A method of processing a device wafer.

광 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 사파이어 기판이나 탄화규소 기판의 표면에 질화갈륨계 화합물 반도체로 이루어지는 광 디바이스층이 적층되고, 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광 디바이스를 형성하여 광 디바이스 웨이퍼를 구성한다. 그리고, 광 디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단함으로써 광 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 광 디바이스를 제조하고 있다.In the optical device manufacturing process, an optical device layer made of a gallium nitride compound semiconductor is laminated on the surface of a substantially disk-shaped sapphire substrate or silicon carbide substrate, and emits light in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape. Optical devices such as diodes and laser diodes are formed to form optical device wafers. And the optical device wafer is cut | disconnected along the street, and the area | region in which the optical device was formed is divided | segmented, and individual optical devices are manufactured.

전술한 광 디바이스 웨이퍼의 스트리트를 따른 절단은, 통상, 다이서라고 불리고 있는 절삭 장치에 의해 행해지고 있다. 이 절삭 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 이 척 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하기 위한 절삭 수단과, 척 테이블과 절삭 수단을 상대적으로 이동하게 하는 절삭 이송 수단을 구비하고 있다. 절삭 수단은, 회전 스핀들과 이 회전 스핀들에 장착된 절삭 블레이드 및 회전 스핀들을 회전 구동시키는 구동 기구를 포함하고 있다. 절삭 블레이드는 원반형의 베이스와 이 베이스의 측면 외주부에 장착된 환형의 립으로 이루어져 있고, 립은 예컨대, 입자 직경 3 ㎛ 정도의 다이아몬드 지립을 전해 주조에 의해 베이스에 고정하며 두께 20 ㎛ 정도로 형성되어 있다.Cutting along the street of the optical device wafer mentioned above is normally performed by the cutting apparatus called a dicer. This cutting apparatus is provided with the chuck table which hold | maintains a to-be-processed object, the cutting means for cutting the workpiece hold | maintained by this chuck table, and the cutting feed means which makes the chuck table and cutting means move relatively. The cutting means includes a rotary spindle, a cutting blade mounted to the rotary spindle, and a drive mechanism for rotationally driving the rotary spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular lip mounted on the side outer periphery of the base, and the lip is formed by, for example, a diamond abrasive grain having a particle diameter of about 3 μm, fixed to the base by electrolytic casting, and having a thickness of about 20 μm. .

그런데, 광 디바이스 웨이퍼를 구성하는 사파이어 기판, 탄화규소 기판 등은 모스 경도가 높기 때문에, 상기 절삭 블레이드에 의한 절단이 반드시 용이하지는 않다. 따라서, 절삭 블레이드의 절삭 깊이를 크게 할 수 없으므로, 절삭 공정을 복수회 실시하여 광 디바이스 웨이퍼를 절단하기 때문에, 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.By the way, since the sapphire substrate, silicon carbide substrate, etc. which comprise an optical device wafer have a high Mohs hardness, the cutting by the said cutting blade is not necessarily easy. Therefore, since the cutting depth of a cutting blade cannot be enlarged, since an optical device wafer is cut | disconnected by performing a cutting process multiple times, there exists a problem that productivity is bad.

전술한 문제를 해소하기 위해, 광 디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사함으로써 파단의 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하고, 이 파단의 기점이 되는 레이저 가공 홈이 형성된 스트리트를 따라 외력을 부여함으로써 할단하는 방법이 제안되어 있다.(예컨대, 특허문헌 1 참조.)In order to solve the above-mentioned problem, as a method of dividing an optical device wafer along a street, a laser processing groove serving as a starting point of fracture is formed by irradiating a pulsed laser beam of wavelength having absorption to the wafer along the street. A method of cutting by applying an external force along a street on which a laser processing groove as a starting point of break is formed is proposed. (See Patent Document 1, for example.)

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-305420

그런데, 광 디바이스 웨이퍼를 구성하는 사파이어 기판의 표면에 형성된 스트리트를 따라 사파이어 기판에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공 홈을 형성하면, 발광 다이오드 등의 광 디바이스의 측벽면에 레이저 가공 시에 생성되는 변질 물질이 부착되어 광 디바이스의 휘도가 저하하고, 광 디바이스의 품질이 저하한다고 하는 문제가 있다.By the way, the laser processing grooves are formed by irradiating a laser beam of absorbing wavelength to the sapphire substrate along the street formed on the surface of the sapphire substrate constituting the optical device wafer. There is a problem that the denatured substance generated at the time of adhesion is attached and the luminance of the optical device is lowered and the quality of the optical device is lowered.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 광 디바이스의 품질을 저하시키는 일 없이 개개의 광 디바이스로 분할할 수 있는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the processing method of the optical device wafer which can be divided into individual optical devices, without degrading the quality of an optical device.

상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 기판의 표면에 광 디바이스층이 적층되고 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 광 디바이스로 분할하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서,In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, an optical device wafer having an optical device formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by lattice and having an optical device layer laminated on a surface of a substrate is provided. As a method of processing an optical device wafer to be divided into individual optical devices,

광 디바이스 웨이퍼의 기판에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하여, 기판의 표면 또는 이면에 파단 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 홈 형성 공정과,A laser processing groove forming step of irradiating a laser beam having a wavelength having absorption to the substrate of the optical device wafer along a street to form a laser processing groove serving as a break point on the surface or the rear surface of the substrate;

기판에 형성된 레이저 가공 홈에 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 위치시키고, 상기 절삭 블레이드를 회전시키면서 레이저 가공 홈의 벽면을 따라가면서 상대 이동시킴으로써, 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질을 제거하며 레이저 가공 홈의 벽면을 거친면으로 가공하는 변질 물질 제거 공정과,By placing the cutting blades mainly composed of diamond abrasive grains in the laser processing grooves formed on the substrate, and rotating the cutting blades and moving relative to the wall along the wall of the laser processing grooves, thereby removing the deterioration material generated during the laser processing groove formation. Deterioration material removal process of processing the wall surface of the laser processing groove into a rough surface,

광 디바이스 웨이퍼에 외력을 가하고, 광 디바이스 웨이퍼를 변질 물질이 제거된 가공 홈을 따라 파단하여, 개개의 광 디바이스로 분할하는 웨이퍼 분할 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다. There is provided a method of processing an optical device wafer, comprising a wafer dividing step of applying an external force to the optical device wafer, breaking the optical device wafer along the processing groove from which the deteriorated material has been removed, and dividing the optical device wafer into individual optical devices. .

상기 레이저 가공 홈 형성 공정은, 기판의 이면측으로부터 스트리트를 따라 레이저 광선을 조사하여, 기판의 이면에 레이저 가공 홈을 형성한다. The said laser processing groove formation process irradiates a laser beam along the street from the back surface side of a board | substrate, and forms a laser processing groove on the back surface of a board | substrate.

또한, 기판의 이면에 레이저 가공 홈이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 광 디바이스층을, 스트리트를 따라 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 이용하여 절삭하여, 광 디바이스층을 스트리트를 따라 분리하는 광 디바이스층 분리 공정을 실시하는 것이 바람직하다. In addition, the optical device layer of the optical device wafer in which the laser processing groove is formed on the back surface of the substrate is cut using a cutting blade composed mainly of diamond grains along the street, and the optical device layer is separated to separate the optical device layer along the street. It is preferable to perform a process.

본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서는, 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시하고, 광 디바이스 웨이퍼의 기판에 형성된 레이저 가공 홈에 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 위치시키고, 절삭 블레이드를 회전시키면서 레이저 가공 홈의 벽면을 따라가면서 상대 이동시킴으로써, 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질을 제거하고 레이저 가공 홈의 벽면을 거친면으로 가공하는 변질 물질 제거 공정을 실시하기 때문에, 개개로 분할된 광 디바이스는, 기판의 측벽면이 광을 흡수하여 휘도의 저하를 초래하는 변질 물질이 제거되는 것에 더하여, 거친면으로 가공되어 있기 때문에, 광이 효과적으로 방출되고 휘도가 향상된다.In the method for processing an optical device wafer according to the present invention, a laser processing groove forming step is performed, and a cutting blade mainly containing diamond abrasive grains is placed in a laser processing groove formed on a substrate of the optical device wafer while rotating the cutting blade. Relative movement along the wall surface of the laser processing groove removes the deteriorated material generated at the time of forming the laser processing groove and performs the deterioration material removal process of processing the wall surface of the laser processing groove into the rough surface. The device is processed into a rough surface in addition to removing the deterioration material which absorbs light and causes a decrease in brightness, so that the light is effectively emitted and the brightness is improved.

도 1은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 따라 가공되는 광 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도 및 주요부의 확대 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 보호 부재 점착 공정의 설명도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 주요부의 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 레이저 가공 홈 형성 공정의 설명도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 변질 물질 제거 공정을 실시하기 위한 절삭 장치의 주요부의 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 변질 물질 제거 공정의 설명도이다.
도 7은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 웨이퍼 지지 공정의 설명도이다.
도 8은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 광 디바이스층 분리 공정의 설명도이다.
도 9는 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 광 디바이스층 분리 공정의 설명도이다.
도 10은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 웨이퍼 분할 공정을 실시하기 위한 테이프 확장 장치의 사시도이다.
도 11은 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 있어서의 웨이퍼 분할 공정의 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a perspective view showing an optical device wafer processed according to a method for processing an optical device wafer according to the present invention, and an enlarged cross-sectional view of an essential part thereof.
It is explanatory drawing of the protective member adhesion process in the processing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
It is a perspective view of the principal part of the laser processing apparatus for implementing the laser processing groove formation process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
It is explanatory drawing of the laser processing groove formation process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
It is a perspective view of the principal part of the cutting apparatus for implementing the quality substance removal process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
It is explanatory drawing of the quality substance removal process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
It is explanatory drawing of the wafer support process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
8 is an explanatory diagram of an optical device layer separation process in the optical device wafer processing method according to the present invention.
It is explanatory drawing of the optical device layer separation process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.
10 is a perspective view of a tape expanding apparatus for performing a wafer dividing step in the optical device wafer processing method according to the present invention.
It is explanatory drawing of the wafer dividing process in the manufacturing method of the optical device wafer which concerns on this invention.

이하, 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the processing method of the optical device wafer which concerns on this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1의 (a) 및 (b)에는, 본 발명에 따른 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 따라 가공되는 광 디바이스 웨이퍼의 사시도 및 주요부를 확대하여 나타내는 단면도가 도시되어 있다. 도 1의 (a) 및 (b)에 나타내는 광 디바이스 웨이퍼(2)는, 예컨대 두께가 100 ㎛인 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에 질화물 반도체로 이루어지는 광 디바이스층으로서의 발광층(에피택셜층)(21)이 5 ㎛의 두께로 적층되어 있다. 그리고, 발광층(에피택셜층)(21)이 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(22)에 의해 구획된 복수의 영역에 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광 디바이스(23)가 형성되어 있다. 이하, 이러한 광 디바이스 웨이퍼(2)를 스트리트(22)를 따라 개개의 광 디바이스(23)로 분할하는 가공 방법에 대해서 설명한다.1 (a) and (b) show a perspective view and an enlarged cross-sectional view of an optical device wafer processed according to an optical device wafer processing method according to the present invention. The optical device wafer 2 shown to Fig.1 (a) and (b) is a light emitting layer (epitaxial layer) as an optical device layer which consists of nitride semiconductors on the surface 20a of the sapphire substrate 20 of thickness 100micrometer, for example. ) 21 is laminated to a thickness of 5 mu m. An optical device 23 such as a light emitting diode, a laser diode, or the like is formed in a plurality of areas partitioned by a plurality of streets 22 in which the light emitting layer (epitaxial layer) 21 is formed in a lattice shape. Hereinafter, the processing method of dividing such an optical device wafer 2 into individual optical devices 23 along the street 22 is demonstrated.

우선, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에 형성된 광 디바이스(23)를 보호하기 위해, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 보호 부재를 점착하는 보호 부재 점착 공정을 실시한다. 즉, 도 2에 나타내는 바와 같이 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 보호 부재로서의 보호 테이프(3)를 점착한다. 또한, 보호 테이프(3)는, 도시된 실시형태에 있어서는 두께가 100 ㎛인 폴리염화비닐(PVC)로 이루어지는 시트 기재의 표면에 아크릴 수지계의 풀이 두께 5 ㎛ 정도 도포되어 있다.First, in order to protect the optical device 23 formed on the surface 20a of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2, a protective member is attached to the surface 2a of the optical device wafer 2. A protective member adhesion process is performed. That is, as shown in FIG. 2, the protective tape 3 as a protective member is stuck to the surface 2a of the optical device wafer 2. As shown in FIG. In addition, in the illustrated embodiment, the protective tape 3 is coated with an acrylic resin paste on the surface of a sheet base material made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of about 100 μm and having a thickness of about 5 μm.

전술한 보호 부재 점착 공정을 실시함으로써 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 보호 테이프(3)를 점착하였으면, 광 디바이스 웨이퍼의 기판에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하여, 파단 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시한다. 이 레이저 가공 홈 형성 공정을, 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(4)를 이용하여 실시한다. 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(4)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(41)과, 상기 척 테이블(41) 상에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(42)과, 척 테이블(41) 상에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(43)을 구비하고 있다. 척 테이블(41)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않는 가공 이송 수단에 의해 도 3에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동하게 되며, 도시하지 않는 인덱싱 이송 수단에 의해 도 3에 있어서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동하도록 되어 있다.When the protective tape 3 is adhered to the surface 2a of the optical device wafer 2 by performing the above-mentioned protective member adhesion process, a laser beam having a wavelength having absorption to the substrate of the optical device wafer is irradiated along the street. And a laser processing groove forming step of forming a laser processing groove to be a break origin. This laser processing groove formation process is performed using the laser processing apparatus 4 shown in FIG. The laser processing apparatus 4 shown in FIG. 3 includes a chuck table 41 holding a workpiece, laser beam irradiation means 42 for irradiating a laser beam to a workpiece held on the chuck table 41. And imaging means 43 for imaging the workpiece held on the chuck table 41. The chuck table 41 is configured to suck and hold the workpiece, and is moved in the machining feed direction indicated by the arrow X in FIG. 3 by a machining conveying means (not shown). It moves so that it may move to the indexing conveyance direction shown by arrow Y in 3.

상기 레이저 광선 조사 수단(42)은, 실질적으로 수평으로 설치된 원통 형상의 케이싱(421)을 포함하고 있다. 케이싱(421) 내에는 도시하지 않는 펄스 레이저 광선 발진기나 반복 주파수 설정 수단을 구비한 펄스 레이저 광선 발진 수단이 설치되어 있다. 상기 케이싱(421)의 선단부에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하기 위한 집광기(422)가 장착되어 있다. 또한, 레이저 광선 조사 수단(42)은, 집광기(422)에 의해 집광되는 펄스 레이저 광선의 집광점 위치를 조정하기 위한 집광점 위치 조정 수단(도시하지 않음)을 구비하고 있다.The laser beam irradiation means 42 includes a cylindrical casing 421 provided substantially horizontally. The casing 421 is provided with the pulse laser beam oscillator which is not shown, and the pulse laser beam oscillation means provided with the repetition frequency setting means. At the distal end of the casing 421, a condenser 422 for condensing the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillation means is mounted. Moreover, the laser beam irradiation means 42 is provided with condensing point position adjusting means (not shown) for adjusting the condensing point position of the pulsed laser beam condensed by the condenser 422.

상기 레이저 광선 조사 수단(42)을 구성하는 케이싱(421)의 선단부에 장착된 촬상 수단(43)은, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 이 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.The imaging means 43 attached to the distal end of the casing 421 constituting the laser beam irradiation means 42 includes illumination means for illuminating a workpiece, an optical system for capturing an area illuminated by the illumination means, An imaging element (CCD) etc. which image an image captured by the said optical system is provided, and an image signal imaged is sent to the control means which is not shown in figure.

전술한 레이저 가공 장치(4)를 이용하여, 상기 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)에 대해서 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하여, 파단 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 홈 형성 공정에 대해서, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.Using the laser processing apparatus 4 mentioned above, the laser beam of a wavelength which has absorptivity is irradiated along the street with respect to the sapphire substrate 20 which comprises the said optical device wafer 2, and the laser processing groove used as a breaking starting point The laser processing groove forming step of forming the film will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

우선, 전술한 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(4)의 척 테이블(41) 상에 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면에 점착된 보호 테이프(3)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동함으로써, 보호 테이프(3)를 사이에 두고 광 디바이스 웨이퍼(2)를 척 테이블(41) 상에 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(41)에 유지된 광 디바이스 웨이퍼(2)는, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)이 상측이 된다. 이와 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(41)은, 도시하지 않는 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치된다.First, the protective tape 3 side adhered to the surface of the optical device wafer 2 is arrange | positioned on the chuck table 41 of the laser processing apparatus 4 shown above in FIG. Then, by operating the suction means (not shown), the optical device wafer 2 is held on the chuck table 41 with the protective tape 3 therebetween (wafer holding step). Therefore, as for the optical device wafer 2 hold | maintained by the chuck table 41, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 becomes an upper side. In this way, the chuck table 41 which sucks and holds the optical device wafer 2 is located directly under the imaging means 43 by a processing conveyance means (not shown).

척 테이블(41)이 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 광 디바이스 웨이퍼(2)의 레이저 가공해야 하는 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 소정 방향으로 형성되어 있는 스트리트(22)와, 이 스트리트(22)를 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(42)의 집광기(422) 사이의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다(얼라인먼트 공정). 또한, 광 디바이스 웨이퍼(2)에 상기 소정 방향과 직교하는 방향으로 형성된 스트리트(22)에 대해서도 마찬가지로, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 수행된다. 이때, 광 디바이스 웨이퍼(2)에 있어서의 스트리트(22)가 형성되어 있는 발광층(에피택셜층)(21)의 표면은 하측에 위치하고 있지만, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)은 투명체이기 때문에, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)측으로부터 스트리트(22)를 촬상할 수 있다.When the chuck table 41 is located directly under the imaging means 43, the alignment operation for detecting the machining area of the optical device wafer 2 to be laser processed by the imaging means 43 and a control means (not shown) is performed. Run That is, the imaging means 43 and the control means which are not shown are the laser beam irradiation means which irradiates the laser beam along the street 22 formed in the predetermined direction of the optical device wafer 2, and this street 22. Image processing such as pattern matching to perform alignment between the light collectors 422 of 42 is performed to perform alignment of the laser beam irradiation position (alignment process). Similarly, alignment of the laser beam irradiation position is performed on the street 22 formed in the optical device wafer 2 in the direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, although the surface of the light emitting layer (epitaxial layer) 21 in which the street 22 in the optical device wafer 2 is formed is located below, the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is formed. Since it is a transparent body, the street 22 can be imaged from the back surface 20b side of the sapphire substrate 20.

이상과 같이 하여 척 테이블(41) 상에 유지된 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 발광층(에피택셜층)(21)의 표면에 형성되어 있는 스트리트(22)를 검출하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 행해졌으면, 도 4의 (a)에서 나타내는 바와 같이 척 테이블(41)을 레이저 광선 조사 수단(42)의 집광기(422)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시키고, 소정의 스트리트(22)의 일단[도 4의 (a)에 있어서 좌단]을 레이저 광선 조사 수단(42)의 집광기(422)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 집광기(422)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)(상면)에 맞춘다. 다음에, 집광기(422)로부터 사파이어 기판(20)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(41)을 도 4의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 4의 (b)에서 나타내는 바와 같이 레이저 광선 조사 수단(42)의 집광기(422)의 조사 위치가 스트리트(22)의 타단[도 4의 (b)에 있어서 우단]의 위치에 도달하면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하고 척 테이블(41)의 이동을 정지시킨다. 이 결과, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)에는, 도 4의 (b) 및 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이 스트리트(22)를 따라 연속하는 레이저 가공 홈(201)이 형성된다(레이저 가공 홈 형성 공정). 또한, 레이저 가공 홈(201)의 벽면에는, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이 상기 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질(202)이 부착되어 있다.The street 22 formed on the surface of the light emitting layer (epitaxial layer) 21 constituting the optical device wafer 2 held on the chuck table 41 as described above is detected, and the laser beam irradiation position is When the alignment is performed, as shown in Fig. 4A, the chuck table 41 is moved to the laser beam irradiation area in which the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 is located, and the predetermined street 22 is shown. One end (the left end in FIG. 4A) of is placed directly below the light collector 422 of the laser beam irradiation means 42. And the light converging point P of the pulsed laser beam irradiated from the condenser 422 is matched with the back surface 20b (upper surface) of the sapphire substrate 20 which comprises the optical device wafer 2. Next, the chuck table 41 is subjected to predetermined processing transfer in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 4A while irradiating the sapphire substrate 20 with the absorbing pulsed laser beam from the light collector 422. Move at speed. And as shown in FIG.4 (b), when the irradiation position of the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 reaches the position of the other end (right end in FIG.4 (b)) of the street 22, The irradiation of the pulsed laser beam is stopped and the movement of the chuck table 41 is stopped. As a result, a laser continuous along the street 22 on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in FIGS. 4B and 4C. The processing groove 201 is formed (laser processing groove forming step). In addition, as shown in FIG. 4C, a deteriorated substance 202 generated at the time of forming the laser processing groove is attached to the wall surface of the laser processing groove 201.

상기 레이저 가공 홈 형성 공정에 있어서의 가공 조건은, 예컨대, 다음과 같이 설정되어 있다.The processing conditions in the laser processing groove forming step are set as follows, for example.

광원: 반도체 여기 고체 레이저(Nd:YAG)Light source: semiconductor excited solid state laser (Nd: YAG)

파장: 355 ㎚Wavelength: 355 nm

펄스 에너지: 35 μJPulse energy: 35 μJ

펄스 폭: 180 ㎱Pulse width: 180 kHz

반복 주파수: 100 ㎑Repetition frequency: 100 Hz

집광 스폿 직경: Φ 10 ㎛Condensing spot diameter: Φ 10 μm

가공 이송 속도: 60 ㎜/초Feedrate: 60 mm / sec

홈 깊이: 15 ㎛Groove Depth: 15 μm

이상과 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 소정 방향으로 연장되는 모든 스트리트(22)를 따라 상기 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시하였으면, 척 테이블(41)을 90도 회전시켜, 상기 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성된 각 스트리트(22)를 따라 상기 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시한다.As described above, when the laser processing groove forming step is performed along all the streets 22 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2, the chuck table 41 is rotated 90 degrees to the predetermined direction. The laser processing groove forming step is performed along each street 22 formed in the direction orthogonal to each other.

전술한 레이저 가공 홈 형성 공정을 실시하였으면, 기판에 형성된 레이저 가공 홈에 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 위치시키고, 절삭 블레이드를 회전시키면서 레이저 가공 홈의 벽면을 따라가면서 상대 이동시킴으로써, 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질을 제거하고 레이저 가공 홈의 벽면을 거친면으로 가공하는 변질 물질 제거 공정을 실시한다. 이 변질 물질 제거 공정은, 도시된 실시형태에 있어서는 도 5에 나타내는 절삭 장치(5)를 이용하여 실시한다. 도 5에 나타내는 절삭 장치(5)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(51)과, 상기 척 테이블(51)에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 수단(52)과, 상기 척 테이블(51)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(53)을 구비하고 있다. 척 테이블(51)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않는 절삭 이송 수단에 의해 도 5에 있어서 화살표 X로 나타내는 절삭 이송 방향으로 이동하게 되며, 도시하지 않는 인덱싱 이송 수단에 의해 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동하도록 되어 있다.If the above-described laser processing groove forming step is carried out, the laser processing groove is placed by placing a cutting blade mainly composed of diamond abrasive grains in the laser processing groove formed on the substrate, and moving relatively along the wall surface of the laser processing groove while rotating the cutting blade. The altered substance removal process of removing the altered substance produced | generated at the time of formation, and processing the wall surface of a laser processing groove into a rough surface is implemented. This deterioration substance removal process is implemented using the cutting device 5 shown in FIG. 5 in embodiment shown. The cutting device 5 shown in FIG. 5 includes a chuck table 51 for holding a workpiece, cutting means 52 for cutting a workpiece held in the chuck table 51, and the chuck table 51. The imaging means 53 which captures the to-be-processed object hold | maintained at the inside is provided. The chuck table 51 is configured to suck and hold the workpiece, and is moved in the cutting feed direction indicated by the arrow X in FIG. 5 by the cutting feed means (not shown), and by the indexing feed means not shown. It is made to move in the indexing feed direction shown by Y.

상기 절삭 수단(52)은, 실질적으로 수평으로 설치된 스핀들 하우징(521)과, 상기 스핀들 하우징(521)에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들(522)과, 상기 회전 스핀들(522)의 선단부에 장착된 절삭 블레이드(523)를 포함하고 있고, 회전 스핀들(522)이 스핀들 하우징(521) 내에 설치된 도시하지 않는 서보 모터에 의해 화살표 523a로 나타내는 방향으로 회전하게 되도록 되어 있다. 또한, 절삭 블레이드(523)는, 도시된 실시형태에 있어서는 입자 직경 3 ㎛의 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고착시킨 전해 주조 블레이드로 이루어져 있고, 두께가 20 ㎛로 형성되어 있다. 상기 촬상 수단(53)은, 스핀들 하우징(521)의 선단부에 장착되어 있으며, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 상기 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 상기 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.The cutting means 52 includes a spindle housing 521 which is installed substantially horizontally, a rotating spindle 522 rotatably supported by the spindle housing 521, and a tip of the rotating spindle 522. The cutting blade 523 is included, and the rotary spindle 522 is rotated in the direction indicated by the arrow 523a by a servo motor (not shown) provided in the spindle housing 521. In addition, in the illustrated embodiment, the cutting blade 523 is composed of an electrolytically cast blade in which diamond grains having a particle diameter of 3 µm are fixed by nickel plating, and the thickness is formed to have a thickness of 20 µm. The imaging means 53 is attached to the distal end of the spindle housing 521, is provided with illumination means for illuminating a workpiece, an optical system for capturing an area illuminated by the illumination means, and an image captured by the optical system. An imaging device (CCD) or the like for imaging an image is provided, and the captured image signal is sent to a control means (not shown).

전술한 절삭 장치(5)를 이용하여 변질 물질 제거 공정을 실시하기 위해서는, 도 5에 나타내는 바와 같이 척 테이블(51) 상에 상기 레이저 가공 홈 형성 공정이 실시된 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면에 점착된 보호 테이프(3)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동함으로써, 보호 테이프(3)를 사이에 두고 광 디바이스 웨이퍼(2)를 척 테이블(51) 상에 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(51)에 유지된 광 디바이스 웨이퍼(2)는, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)이 상측으로 된다. 이와 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(51)은, 도시하지 않는 절삭 이송 수단에 의해 촬상 수단(53)의 바로 아래에 위치된다.In order to perform the deterioration material removal process using the cutting device 5 mentioned above, as shown in FIG. 5, the surface of the optical device wafer 2 in which the said laser processing groove formation process was performed on the chuck table 51 was performed. The adhesive tape 3 side which was stuck is arrange | positioned. Then, by operating the suction means (not shown), the optical device wafer 2 is held on the chuck table 51 with the protective tape 3 therebetween (wafer holding step). Therefore, as for the optical device wafer 2 hold | maintained by the chuck table 51, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 turns to the upper side. In this way, the chuck table 51 which sucks and holds the optical device wafer 2 is located directly under the imaging means 53 by cutting and conveying means (not shown).

척 테이블(51)이 촬상 수단(53)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공해야 하는 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)에 소정 방향으로 형성되어 있는 레이저 가공 홈(201)과 절삭 블레이드(523)의 위치 맞춤을 행하기 위한 얼라인먼트를 수행한다(얼라인먼트 공정). 또한, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)에 상기 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성된 레이저 가공 홈(201)에 대해서도, 마찬가지로 가공 영역의 얼라인먼트가 수행된다.When the chuck table 51 is located directly under the imaging means 53, the alignment operation for detecting the region to be processed of the optical device wafer 2 is executed by the imaging means 53 and a control means (not shown). . That is, the imaging means 53 and the control means which are not shown are the laser processing groove 201 and the cutting blade which are formed in the predetermined direction in the back surface 20b of the sapphire substrate 20 which comprises the optical device wafer 2. Alignment is performed to perform alignment of 523 (alignment process). The alignment of the processing region is similarly performed on the laser processing groove 201 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2.

이상과 같이 하여 척 테이블(51) 상에 유지되어 있는 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트를 행하였으면, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(51)을 절삭 블레이드(523)의 하측인 가공 영역의 가공 개시 위치로 이동시킨다. 그리고, 도 6의 (a)에서 나타내는 바와 같이 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공해야 하는 레이저 가공 홈(201)의 일단[도 6의 (a)에 있어서 좌단]이 절삭 블레이드(523)의 바로 아래보다 소정량 우측에 위치하도록 위치시킨다(가공 이송 개시 위치의 위치 결정 공정). 이와 같이 하여 광 디바이스 웨이퍼(2)를 가공 영역의 가공 개시 위치에 위치시켰으면, 절삭 블레이드(523)를 화살표 523a로 나타내는 방향으로 회전시키면서 도 6의 (a)에 있어서 2점 쇄선으로 나타내는 대기 위치로부터 하측으로 절입 이송하고, 도 6의 (a)에 있어서 실선으로 나타내는 바와 같이 소정의 절입 이송 위치에 위치시킨다. 이 절입 이송 위치는, 절삭 블레이드(523)의 외측 둘레 가장자리의 하단이 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)(상면)으로부터, 예컨대 20 ㎛ 하측의 위치에 설정되어 있다. When the alignment for detecting the processing area of the optical device wafer 2 held on the chuck table 51 is performed as described above, the chuck table 51 which sucks and holds the optical device wafer 2 is cut by a cutting blade ( It moves to the process start position of the process area | region below 523). As shown in FIG. 6A, one end (left end in FIG. 6A) of the laser processing groove 201 to be processed in the optical device wafer 2 is immediately below the cutting blade 523. It is positioned so as to be located to the right of the predetermined amount more (positioning step of the processing feed start position). In this way, when the optical device wafer 2 is positioned at the processing start position of the processing region, the standby position indicated by the dashed-dotted line in FIG. 6A while rotating the cutting blade 523 in the direction indicated by the arrow 523a. Infeed is carried out from the lower side, and it is positioned at a predetermined infeed position as shown by the solid line in FIG. This cut-in feed position is set in the position below 20 micrometers from the back surface 20b (upper surface) of the sapphire substrate 20 in which the lower end of the outer peripheral edge of the cutting blade 523 comprises the optical device wafer 2, for example. It is.

다음에, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이 절삭 블레이드(523)를 화살표 523a로 나타내는 방향으로 회전시키면서 소정의 회전 속도(예컨대 20000 rpm)로 회전시키고, 척 테이블(51), 즉 광 디바이스 웨이퍼(2)를 도 6의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 가공 이송한다(변질 물질 제거 공정). 이 변질 물질 제거 공정에서는, 절삭 블레이드(523)가 레이저 가공 홈(201)을 따라가면서 상대 이동한다. 이 결과, 절삭 블레이드(523)의 두께(20 ㎛)는 레이저 가공 홈(201)(집광 스폿 직경이 Φ10 ㎛인 펄스 레이저 광선에 의해 형성되어 있음)의 폭보다 두껍게 설정되어 있기 때문에, 상기 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이 레이저 가공 홈(201)의 벽면에 부착되어 있는 변질 물질(202)이 제거되며, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이 벽면이 거친면으로 가공된 가공 홈(203)이 형성된다. 이 변질 물질 제거 공정에서는, 절삭 블레이드(523)가 레이저 가공 홈(201)의 벽면에 부착되어 있는 변질 물질(202)을 따라가면서 가공하기 때문에, 변질 물질(202)을 용이하게 제거할 수 있으며, 레이저 가공 홈(201)의 벽면을 용이하게 거친면으로 형성할 수 있다. 또한, 척 테이블(51), 즉 광 디바이스 웨이퍼(2)의 타단[도 6의 (b)에 있어서 우단]이 절삭 블레이드(523)의 바로 아래보다 소정량 좌측에 위치하면, 척 테이블(51)의 이동을 정지시킨다. 그리고, 절삭 블레이드(523)를 상승시켜 2점 쇄선으로 나타내는 후퇴 위치에 위치시킨다. Next, as shown in Fig. 6A, the cutting blade 523 is rotated at a predetermined rotational speed (for example, 20000 rpm) while rotating in the direction indicated by the arrow 523a, and the chuck table 51, that is, the optical device wafer. 6 is processed and conveyed at a predetermined | prescribed process feed speed in the direction shown by arrow X1 in FIG. 6A (denatured substance removal process). In this altered material removal process, the cutting blade 523 is relatively moved along the laser processing groove 201. As a result, since the thickness (20 micrometers) of the cutting blade 523 is set thicker than the width | variety of the laser processing groove 201 (formed by the pulsed laser beam of condensation spot diameter of (phi) 10micrometer), it is the said FIG. As shown in (c) of FIG. 6, the altered material 202 attached to the wall surface of the laser processing groove 201 is removed, and the processing groove 203 whose wall surface is processed into a rough surface as shown in FIG. ) Is formed. In this deterioration substance removal process, since the cutting blade 523 processes along the deterioration substance 202 attached to the wall surface of the laser processing groove 201, the deterioration substance 202 can be removed easily, The wall surface of the laser processing groove 201 can be easily formed into a rough surface. In addition, when the other end (right end in FIG. 6 (b)) of the chuck table 51, ie, the optical device wafer 2, is located to the left of the predetermined amount rather than directly below the cutting blade 523, the chuck table 51 Stop movement of And the cutting blade 523 is raised and it is located in the retreat position shown by the dashed-dotted line.

상기 변질 물질 제거 공정에서의 가공 조건은, 예컨대, 다음과 같이 설정되어 있다.The processing conditions in the altered matter removal process are set as follows, for example.

절삭 블레이드: 두께가 20 ㎛인 다이아몬드 지립의 전해 주조 블레이드Cutting blades: electrolytically cast blades of diamond abrasive grains with a thickness of 20 μm

절삭 깊이: 20 ㎛Cutting depth: 20 μm

가공 이송 속도: 60 ㎜/초Feedrate: 60 mm / sec

이상과 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 소정 방향으로 연장되는 모든 스트리트(22)를 따라 상기 변질 물질 제거 공정을 실시하였으면, 척 테이블(51)을 90도 회전시켜, 상기 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성된 각 레이저 가공 홈(201)을 따라 상기 변질 물질 제거 공정을 실시한다.As described above, when the deterioration material removal step is performed along all the streets 22 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2, the chuck table 51 is rotated 90 degrees to be orthogonal to the predetermined direction. The deterioration material removal process is performed along each laser processing groove 201 formed in the direction.

전술한 바와 같이 변질 물질 제거 공정을 실시하였으면, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)을 환형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착하며 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면에 점착되어 있는 보호 부재를 박리하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 즉, 도 7의 (a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 환형의 프레임(6)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 부착된 다이싱 테이프(7)의 표면에 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)을 점착한다. 그리고, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 점착되어 있는 보호 테이프(3)를 박리한다.When the deterioration material removal process is performed as described above, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is adhered to the surface of the dicing tape attached to the annular frame and the optical device wafer ( The wafer support process of peeling the protective member adhering to the surface of 2) is performed. That is, as shown to Fig.7 (a) and (b), the optical device wafer 2 is comprised in the surface of the dicing tape 7 with an outer peripheral part attached so that the inner opening part of the annular frame 6 may be covered. The back surface 20b of the sapphire substrate 20 is adhered. And the protective tape 3 adhering to the surface 2a of the optical device wafer 2 is peeled off.

다음에, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에 적층되어 형성된 광 디바이스층으로서의 발광층(에피택셜층)(21)을 스트리트(22)를 따라 분리하는 광 디바이스층 분리 공정을 실시한다. 이 광 디바이스층 분리 공정은, 상기 도 5에 나타내는 절삭 장치(5)를 이용하여 실시할 수 있다.Next, the optical device which separates along the street 22 the light emitting layer (epitaxial layer) 21 as an optical device layer formed by being laminated on the surface 20a of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2. A layer separation process is carried out. This optical device layer separation process can be performed using the cutting device 5 shown in the said FIG.

전술한 절삭 장치(5)를 이용하여 광 디바이스층 분리 공정을 실시하기 위해서는, 도 8에 나타내는 바와 같이 척 테이블(51) 상에 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)이 점착된 다이싱 테이프(7)측을 배치하고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동하여 척 테이블(51) 상에 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(51) 상에 유지된 광 디바이스 웨이퍼(2)는, 표면(2a)이 상측으로 된다. 또한, 도 8에 있어서는, 다이싱 테이프(7)가 부착된 환형의 프레임(6)을 생략하여 도시하고 있지만, 환형의 프레임(6)은 척 테이블(51)에 설치된 클램프 기구에 의해 고정되어 있다. 이와 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(51)은, 도시하지 않는 절삭 이송 수단에 의해 촬상 수단(53)의 바로 아래에 위치된다.In order to perform the optical device layer separation process using the above-mentioned cutting apparatus 5, as shown in FIG. 8, the back surface of the sapphire substrate 20 which comprises the optical device wafer 2 on the chuck table 51 ( 20b) is placed on the side of the dicing tape 7 adhered thereto, and suction means (not shown) is sucked to hold and hold the optical device wafer 2 on the chuck table 51 (wafer holding step). Therefore, the surface 2a of the optical device wafer 2 held on the chuck table 51 becomes upper side. In addition, in FIG. 8, although the annular frame 6 with the dicing tape 7 was abbreviate | omitted and shown, the annular frame 6 is being fixed by the clamp mechanism provided in the chuck table 51. As shown in FIG. . In this way, the chuck table 51 which sucks and holds the optical device wafer 2 is located directly under the imaging means 53 by cutting and conveying means (not shown).

척 테이블(51)이 촬상 수단(53)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공해야 하는 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 소정 방향으로 형성되어 있는 스트리트(22)와 절삭 블레이드(523)의 위치 맞춤을 행하기 위한 얼라인먼트를 수행한다(얼라인먼트 공정). 또한, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 상기 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성된 스트리트(22)에 대해서도, 마찬가지로 가공 영역의 얼라인먼트가 수행된다.When the chuck table 51 is located directly under the imaging means 53, the alignment operation for detecting the region to be processed of the optical device wafer 2 is executed by the imaging means 53 and a control means (not shown). . That is, the imaging means 53 and the control means which are not shown in figure are used for aligning the street 22 and the cutting blade 523 which are formed in the predetermined direction on the surface 2a of the optical device wafer 2. Alignment is performed (alignment process). In addition, alignment of the processing area is similarly performed on the street 22 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction on the surface 2a of the optical device wafer 2.

이상과 같이 하여 척 테이블(51) 상에 유지되어 있는 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트가 행해졌으면, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(51)을 절삭 블레이드(523)의 하측인 가공 영역의 가공 개시 위치로 이동시킨다. 그리고, 도 9의 (a)에서 나타내는 바와 같이 광 디바이스 웨이퍼(2)의 가공해야 하는 스트리트(22)의 일단[도 9의 (a)에 있어서 좌단]이 절삭 블레이드(523)의 바로 아래보다 소정량 우측에 위치하도록 위치시킨다(가공 이송 개시 위치의 위치 결정 공정). 이와 같이 하여 광 디바이스 웨이퍼(2)를 가공 영역의 가공 개시 위치에 위치시켰으면, 절삭 블레이드(523)를 화살표 523a로 나타내는 방향으로 회전시키면서 도 9의 (a)에 있어서 2점 쇄선으로 나타내는 대기 위치로부터 하측으로 절입 이송하고, 도 9의 (a)에 있어서 실선으로 나타내는 바와 같이 소정의 결정된 절입 이송 위치에 위치시킨다. 이 절입 이송 위치는, 절삭 블레이드(523)의 외측 둘레 가장자리의 하단이 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)(상면)으로부터 예컨대 8 ㎛ 하측의 위치로 설정되어 있다.When the alignment for detecting the processing area of the optical device wafer 2 held on the chuck table 51 is performed as described above, the chuck table 51 which sucks and holds the optical device wafer 2 is cut by a cutting blade ( It moves to the process start position of the process area | region below 523). As shown in FIG. 9A, one end of the street 22 to be processed (the left end in FIG. 9A) of the optical device wafer 2 is smaller than immediately below the cutting blade 523. It is positioned so as to be located on the right side of the fixed amount (positioning process of the starting position for processing feed). In this way, when the optical device wafer 2 is positioned at the processing start position of the processing region, the standby blade is indicated by the dashed-dotted line in FIG. 9A while rotating the cutting blade 523 in the direction indicated by the arrow 523a. Infeed is carried out from the lower side, and it is located in the predetermined determined infeed position as shown by the solid line in FIG.9 (a). In this infeed-transfer position, the lower end of the outer peripheral edge of the cutting blade 523 is set to the position below 8 micrometers from the surface 2a (upper surface) of the optical device wafer 2, for example.

다음에, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이 절삭 블레이드(523)를 화살표 523a로 나타내는 방향으로 회전시키면서 소정의 회전 속도(예컨대 20000 rpm)로 회전시키고, 척 테이블(51), 즉 광 디바이스 웨이퍼(2)를 도 9의 (a)에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 가공 이송한다(광 디바이스층 분리 공정). 이 결과, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에는 도 9의 (b) 및 (c)에 나타내는 바와 같이 스트리트(22)를 따라서 절삭 홈(204)이 형성되고, 광 디바이스층으로서의 발광층(에피택셜층)(21)이 스트리트(22)를 따라 분리되며, 사파이어 기판(20)의 표면에 스트리트(22)를 따라 절삭흔(205)이 형성된다. 이 광 디바이스층 분리 공정에서는, 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에 적층되어 형성된 광 디바이스층으로서의 발광층(에피택셜층)(21)을 절삭하기 때문에, 절삭 블레이드(523)에 의해 용이하게 절삭할 수 있다. 또한, 척 테이블(51), 즉 광 디바이스 웨이퍼(2)의 타단[도 9의 (b)에 있어서 우단]이 절삭 블레이드(523)의 바로 아래보다 소정량 좌측에 위치하면, 척 테이블(51)의 이동을 정지시킨다. 그리고, 절삭 블레이드(523)를 상승시켜 2점 쇄선으로 나타내는 후퇴 위치에 위치시킨다.Next, as shown in Fig. 9A, the cutting blade 523 is rotated at a predetermined rotational speed (for example, 20000 rpm) while rotating in the direction indicated by the arrow 523a, and the chuck table 51, that is, the optical device wafer. 9 is processed and conveyed at a predetermined | prescribed process feed rate in the direction shown by arrow X1 in FIG. 9A (optical device layer separation process). As a result, the cutting groove 204 is formed in the surface 2a of the optical device wafer 2 along the street 22, as shown to FIG. 9 (b) and (c), and the light emitting layer as an optical device layer ( The epitaxial layer 21 is separated along the street 22, and cutting marks 205 are formed along the street 22 on the surface of the sapphire substrate 20. In this optical device layer separation step, the light emitting layer (epitaxial layer) 21 serving as the optical device layer formed by being laminated on the surface 20a of the sapphire substrate 20 is cut, and thus easily cut by the cutting blade 523. can do. In addition, when the other end (the right end in FIG. 9 (b)) of the chuck table 51, ie, the optical device wafer 2, is located to the left of the predetermined amount rather than directly below the cutting blade 523, the chuck table 51 Stop movement of And the cutting blade 523 is raised and it is located in the retreat position shown by the dashed-dotted line.

상기 광 디바이스층 분리 공정에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.Processing conditions in the optical device layer separation step are set as follows, for example.

절삭 블레이드: 두께가 20 ㎛인 다이아몬드 지립의 전해 주조 블레이드Cutting blades: electrolytically cast blades of diamond abrasive grains with a thickness of 20 μm

절삭 깊이: 8 ㎛Cutting depth: 8 μm

가공 이송 속도: 50 ㎜/초Feed rate: 50 mm / sec

이상과 같이 하여, 광 디바이스 웨이퍼(2)의 소정 방향으로 연장되는 모든 스트리트(22)를 따라 상기 광 디바이스층 분리 공정을 실시하였으면, 척 테이블(51)을 90도 회전시켜, 상기 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성된 각 스트리트(22)를 따라 상기 광 디바이스층 분리 공정을 실시한다.As described above, when the optical device layer separation process is performed along all the streets 22 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2, the chuck table 51 is rotated 90 degrees to the predetermined direction. The optical device layer separation process is performed along each street 22 formed in the direction orthogonal to each other.

다음에, 광 디바이스 웨이퍼(2)에 외력을 가하여 광 디바이스 웨이퍼(2)를 변질 물질이 제거된 가공 홈(203)을 따라 파단하여, 개개의 광 디바이스(23)로 분할하는 웨이퍼 분할 공정을 실시한다. 웨이퍼 분할 공정은, 도 10에 나타내는 테이프 확장 장치(8)를 이용하여 실시한다. 도 10에 나타내는 테이프 확장 장치(8)는, 상기 환형의 프레임(6)을 유지하는 프레임 유지 수단(81)과, 상기 프레임 유지 수단(81)에 유지된 환형의 프레임(6)에 장착된 다이싱 테이프(7)를 확장하는 테이프 확장 수단(82)과, 픽업 콜릿(83)을 구비하고 있다. 프레임 유지 수단(81)은, 환형의 프레임 유지 부재(811)와, 상기 프레임 유지 부재(811)의 외주에 설치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(812)로 이루어져 있다. 프레임 유지 부재(811)의 상면은 환형의 프레임(6)을 배치하는 배치면(811a)을 형성하고 있고, 이 배치면(811a) 상에 환형의 프레임(6)이 배치된다. 그리고, 배치면(811a) 상에 배치된 환형의 프레임(6)은, 클램프(812)에 의해 프레임 유지 부재(811)에 고정된다. 이와 같이 구성된 프레임 유지 수단(81)은, 테이프 확장 수단(82)에 의해 상하 방향으로 진퇴 가능하게 지지되어 있다. Next, an external force is applied to the optical device wafer 2 so that the optical device wafer 2 is broken along the processing groove 203 from which the deteriorated material is removed, and the wafer dividing step is performed to divide the optical device wafer 2 into individual optical devices 23. do. The wafer dividing step is performed using the tape expanding apparatus 8 shown in FIG. 10. The tape extension device 8 shown in FIG. 10 is a die | dye attached to the frame holding means 81 holding the said annular frame 6, and the annular frame 6 hold | maintained by the said frame holding means 81. FIG. Tape expansion means 82 and a pickup collet 83 for expanding the sing tape 7 are provided. The frame holding means 81 is composed of an annular frame holding member 811 and a plurality of clamps 812 as fixing means provided on the outer circumference of the frame holding member 811. The upper surface of the frame holding member 811 forms an arrangement surface 811a for arranging the annular frame 6, and the annular frame 6 is disposed on the arrangement surface 811a. And the annular frame 6 arrange | positioned on the mounting surface 811a is fixed to the frame holding member 811 by the clamp 812. As shown in FIG. The frame holding means 81 configured as described above is supported by the tape expansion means 82 so as to be able to move forward and backward.

테이프 확장 수단(82)은, 상기 환형의 프레임 유지 부재(811)의 내측에 설치되는 확장 드럼(821)을 구비하고 있다. 이 확장 드럼(821)은, 환형의 프레임(6)의 내직경보다 작고 상기 환형의 프레임(6)에 장착된 다이싱 테이프(7)에 점착되는 광 디바이스 웨이퍼(2)의 외직경보다 큰 내직경 및 외직경을 갖는다. 또한, 확장 드럼(821)은, 하단에 지지 플랜지(822)를 구비하고 있다. 도시된 실시형태에 있어서의 테이프 확장 수단(82)은, 상기 환형의 프레임 유지 부재(811)를 상하 방향으로 진퇴시킬 수 있는 지지 수단(823)을 구비하고 있다. 이 지지 수단(823)은, 상기 지지 플랜지(822) 상에 설치된 복수의 에어 실린더(823a)로 이루어지고, 그 피스톤 로드(823b)가 상기 환형의 프레임 유지 부재(811)의 하면에 연결된다. 이와 같이 복수의 에어 실린더(823a)로 이루어지는 지지 수단(823)은, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이 환형의 프레임 유지 부재(811)를, 배치면(811a)이 확장 드럼(821)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 확장 드럼(821)의 상단보다 소정량 하측에 있는 확장 위치의 사이에서 상하 방향으로 이동시킨다. The tape expansion means 82 is provided with an expansion drum 821 provided inside the annular frame holding member 811. The expansion drum 821 is smaller than the inner diameter of the annular frame 6 and is larger than the outer diameter of the optical device wafer 2 adhered to the dicing tape 7 attached to the annular frame 6. It has a diameter and an outer diameter. In addition, the expansion drum 821 is provided with the support flange 822 at the lower end. The tape expansion means 82 in the illustrated embodiment is provided with support means 823 capable of advancing the annular frame holding member 811 in the vertical direction. The support means 823 is made up of a plurality of air cylinders 823a provided on the support flange 822, and the piston rod 823b is connected to the lower surface of the annular frame holding member 811. Thus, the support means 823 which consists of a some air cylinder 823a, as shown in FIG.11 (a), has the annular frame holding member 811, and the arrangement surface 811a of the expansion drum 821 is carried out. It moves to an up-down direction between the reference position which becomes substantially the same height as an upper end, and the expansion position which is predetermined amount lower than the upper end of the expansion drum 821, as shown in FIG.11 (b).

이상과 같이 구성된 테이프 확장 장치(8)를 이용하여 실시하는 웨이퍼 분할 공정에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 즉, 광 디바이스 웨이퍼(2)가 점착되어 있는 다이싱 테이프(7)가 부착된 환형의 프레임(6)을, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이 프레임 유지 수단(81)을 구성하는 프레임 유지 부재(811)의 배치면(811a) 상에 배치하고, 클램프(812)에 의해 프레임 유지 부재(811)에 고정한다(프레임 유지 공정). 이때, 프레임 유지 부재(811)는 도 11의 (a)에 나타내는 기준 위치에 위치되어 있다. 다음에, 테이프 확장 수단(82)을 구성하는 지지 수단(823)으로서의 복수의 에어 실린더(823a)를 작동하여, 환형의 프레임 유지 부재(811)를 도 11의 (b)에 나타내는 확장 위치로 하강시킨다. 이에 따라, 프레임 유지 부재(811)의 배치면(811a) 상에 고정되어 있는 환형의 프레임(6)도 하강하기 때문에, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이 환형의 프레임(6)에 부착된 다이싱 테이프(7)는 확장 드럼(821)의 상단 가장자리에 접하여 확장하게 된다(테이프 확장 공정). 이 결과, 다이싱 테이프(7)에 점착되어 있는 광 디바이스 웨이퍼(2)에는 방사형으로 인장력이 작용한다. 이와 같이 광 디바이스 웨이퍼(2)에 방사형으로 인장력이 작용하면, 광 디바이스 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 이면(20b)에는 스트리트(22)를 따라 가공 홈(203)이 형성되어 있고, 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에는 스트리트(22)를 따라 절삭흔(204)이 형성되어 있기 때문에, 광 디바이스 웨이퍼(2)는 가공 홈(203) 및 절삭흔(204)이 파단의 기점이 되어 스트리트(22)를 따라 파단되고, 광 디바이스 웨이퍼(2)는 개개의 광 디바이스(23)로 분할된다(웨이퍼 분할 공정). 이와 같이 개개로 분할된 광 디바이스(23) 사이에는 간극(S)이 형성된다.The wafer dividing process performed using the tape expansion apparatus 8 comprised as mentioned above is demonstrated with reference to FIG. That is, the frame holding | maintenance which comprises the frame holding means 81 for the annular frame 6 with the dicing tape 7 with which the optical device wafer 2 was stuck is shown in FIG. It arrange | positions on the mounting surface 811a of the member 811, and is fixed to the frame holding member 811 by the clamp 812 (frame holding process). At this time, the frame holding member 811 is located at the reference position shown in Fig. 11A. Next, a plurality of air cylinders 823a as the support means 823 constituting the tape expansion means 82 are operated to lower the annular frame holding member 811 to the extended position shown in Fig. 11B. Let's do it. Thereby, since the annular frame 6 fixed on the mounting surface 811a of the frame holding member 811 also descends, it is attached to the annular frame 6 as shown in FIG. The dicing tape 7 extends in contact with the upper edge of the expansion drum 821 (tape expansion process). As a result, a tensile force acts radially to the optical device wafer 2 adhering to the dicing tape 7. When the tensile force acts radially on the optical device wafer 2 as described above, a processing groove 203 is formed along the street 22 on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2. Since the cutting trace 204 is formed along the street 22 on the surface 20a of the sapphire substrate 20, the processing groove 203 and the cutting trace 204 are broken in the optical device wafer 2. Is broken along the street 22, and the optical device wafer 2 is divided into individual optical devices 23 (wafer dividing step). The gap S is formed between the optical devices 23 divided in this manner.

다음에, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이 픽업 콜릿(83)을 작동하여 광 디바이스(23)를 흡착하고, 다이싱 테이프(7)로부터 박리하여 픽업한다(픽업 공정). 또한, 픽업 공정에서는, 전술한 바와 같이 다이싱 테이프(7)에 점착되어 있는 개개의 광 디바이스(23) 사이에 간극(S)이 형성되어 있기 때문에, 인접하는 광 디바이스(23)와 접촉하는 일 없이 용이하게 픽업할 수 있다. 이와 같이 하여 분할된 광 디바이스(23)는. 사파이어 기판(20)의 측벽면에 대해 상기 변질 물질 제거 공정을 실시함으로써 광을 흡수하여 휘도의 저하를 초래하는 변질 물질이 제거되는 것에 더하여, 거친면으로 가공되어 있기 때문에, 광이 효과적으로 방출되며 휘도가 향상된다.Next, as shown in FIG.11 (c), the pick-up collet 83 is operated, the optical device 23 is adsorbed, it peels off from the dicing tape 7, and it picks up (pick-up process). Moreover, in the pick-up process, since the clearance gap S is formed between the individual optical devices 23 adhering to the dicing tape 7, as mentioned above, the contact with the adjacent optical devices 23 is carried out. It can be easily picked up without. The optical device 23 divided in this manner. By performing the above-described deterioration material removal process on the sidewall surface of the sapphire substrate 20, in addition to removing the deterioration material which absorbs the light and causes the deterioration of the brightness, since the rough surface is processed, the light is effectively emitted and the brightness Is improved.

또한, 전술한 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 분할 공정을 실시하기 전에 광 디바이스층 분리 공정을 실시하는 예를 나타내었지만, 광 디바이스층 분리 공정을 실시하는 일 없이, 변질 물질 제거 공정을 실시한 후에 웨이퍼 파단 공정을 실시하여도 좋다.In addition, in the above-described embodiment, the example in which the optical device layer separation step is performed before the wafer dividing step is shown, but the wafer breaking step after the deterioration material removal step is performed without performing the optical device layer separation step. May be performed.

2: 광 디바이스 웨이퍼
20: 사파이어 기판
21: 광 디바이스층으로서의 발광층(에피택셜층)
3: 보호 테이프
4: 레이저 가공 장치
41: 레이저 가공 장치의 척 테이블
42: 레이저 광선 조사 수단
422: 집광기
5: 절삭 장치
51: 절삭 장치의 척 테이블
52: 절삭 수단
523: 절삭 블레이드
6: 환형의 프레임
7: 다이싱 테이프
8: 테이프 확장 장치
81: 프레임 유지 수단
82: 테이프 확장 수단
83: 픽업 콜릿2: optical device wafer
20: sapphire substrate
21: Light emitting layer (epitaxial layer) as an optical device layer
3: protection tape
4: laser processing device
41: Chuck Table of Laser Processing Equipment
42: laser beam irradiation means
422: condenser
5: cutting device
51: chuck table of cutting device
52: cutting means
523: cutting blade
6: annular frame
7: dicing tape
8: tape expansion unit
81: frame holding means
82: tape extension means
83: pickup collet

Claims (3)

기판의 표면에 광 디바이스층이 적층되고 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 광 디바이스로 분할하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서,
광 디바이스 웨이퍼의 기판에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하여, 기판의 표면 또는 이면에 파단 기점이 되는 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 홈 형성 공정과,
기판에 형성된 레이저 가공 홈에 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 위치시키고, 상기 절삭 블레이드를 회전시키면서 레이저 가공 홈의 벽면을 따라가면서 상대 이동시킴으로써, 레이저 가공 홈 형성 시에 생성된 변질 물질을 제거하여 레이저 가공 홈의 벽면을 거친면으로 가공하는 변질 물질 제거 공정과,
광 디바이스 웨이퍼에 외력을 가하여, 광 디바이스 웨이퍼를 변질 물질이 제거된 가공 홈을 따라 파단하여, 개개의 광 디바이스로 분할하는 웨이퍼 분할 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법.Optical device wafer processing method which divides the optical device wafer in which the optical device was formed in the several area | region partitioned by the some street formed by lattice | stacking and the optical device layer was laminated | stacked on the surface of a board | substrate into individual optical devices along the street. As
A laser processing groove forming step of irradiating a laser beam having a wavelength having absorption to the substrate of the optical device wafer along a street to form a laser processing groove serving as a break point on the surface or the rear surface of the substrate;
By placing the cutting blades mainly composed of diamond abrasive grains in the laser processing grooves formed on the substrate, and moving the cutting blades relative to each other along the wall surface of the laser processing grooves, thereby removing the deteriorated material generated during the formation of the laser processing grooves. Deterioration material removal process of processing the wall surface of the laser processing groove into a rough surface,
A wafer division process in which an external force is applied to the optical device wafer, the optical device wafer is broken along the processing groove from which the deteriorated material is removed, and divided into individual optical devices.
Process for processing an optical device wafer comprising a. 제1항에 있어서, 상기 레이저 가공 홈 형성 공정은, 기판의 이면측으로부터 스트리트를 따라 레이저 광선을 조사하여, 기판의 이면에 레이저 가공 홈을 형성하는 것인 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법.The processing method of the optical device wafer according to claim 1, wherein the laser processing groove forming step irradiates a laser beam along a street from the back surface side of the substrate to form a laser processing groove on the back surface of the substrate. 제2항에 있어서, 기판의 이면에 레이저 가공 홈이 형성된 광 디바이스 웨이퍼의 광 디바이스층을 스트리트를 따라 다이아몬드 지립을 주성분으로 하는 절삭 블레이드를 이용하여 절삭하여, 광 디바이스층을 스트리트를 따라 분리하는 광 디바이스층 분리 공정을 포함하는 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법.The optical device according to claim 2, wherein the optical device layer of the optical device wafer, in which the laser processing groove is formed on the back surface of the substrate, is cut along the street using a cutting blade composed mainly of diamond abrasive grains, thereby separating the optical device layer along the street. An optical device wafer processing method comprising a device layer separation process.
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