JP2016107368A - Processing method for light emitting device wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a consumption amount of a cutting part and to increase speed of processing, while maintaining flatness of a translucent mold resin layer surface after turning at a high level, in the case where the translucent mold resin of an optical device wafer is turned.SOLUTION: A processing method of an optical device wafer 1 includes: a first turning step of performing a rough turning of a translucent mold resin 13 by allowing a tool 43a having a cutting part formed by a sintered body containing diamond to rotate and act on the translucent mold resin 13 of the optical device wafer 1; and a second turning step of finishing the translucent mold resin 13 to desired thickness by, following the first turning step, turning the translucent mold resin 13 by allowing a tool 43b having a diamond single crystal cutting part to rotate and act on the translucent mold resin.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、樹脂が被覆された光デバイスウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a method for processing an optical device wafer coated with a resin.

白色ＬＥＤ等を生産する場合には、光デバイスウエーハ上の発光層の表面に、光特性を向上させる蛍光材粒子等を含む透光性モールド樹脂のモールディングが行われる。その後、ＬＥＤ等の発色のばらつきを無くすために、透光性モールド樹脂層の旋削を行い、樹脂層表面の平坦化を行う必要がある。この旋削工程は、光デバイスウエーハに対してダイヤモンドの切削部を有するバイトを回転させながら作用させて、発光層表面上の透光性モールド樹脂を満遍なく旋削することで平坦化し、透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げるものである。そして、この旋削に用いられるバイトの切削部は、一般的に単結晶のダイヤモンドが用いられている（例えば、特許文献１参照）。   When producing a white LED or the like, a light-transmitting mold resin containing fluorescent material particles or the like for improving optical characteristics is molded on the surface of the light emitting layer on the optical device wafer. Thereafter, in order to eliminate variations in color development of the LED or the like, it is necessary to turn the translucent mold resin layer and flatten the resin layer surface. This turning process is performed by rotating a tool having a diamond cutting portion against an optical device wafer while turning the light-transmitting mold resin on the surface of the light-emitting layer evenly to flatten the light-transmitting mold resin. Is finished to a desired thickness. And the cutting part of the cutting tool used for this turning is generally made of single crystal diamond (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１２−１１４３６６号公報JP 2012-114366 A

透光性モールド樹脂の層は、平坦化のための旋削工程を行う必要があることから、モールディングの段階で、ある程度の厚み（一例では１ｍｍ程度）を持たせて形成される。そして、光デバイスウエーハ上の電極等を露出させるには、その厚い透光性モールド樹脂層を所定の厚さ（一例では約１００μｍ程度）にまで旋削する必要がある。しかし、この旋削には長時間を要し、また、旋削に用いられる切削部も旋削時間に伴って消耗するので、切削部を頻繁に交換する必要が生じる。したがって、単結晶ダイヤモンドのみを用いた切削部による旋削では、コスト高が問題となる。   Since it is necessary to perform a turning process for planarization, the translucent mold resin layer is formed with a certain thickness (in the example, about 1 mm) at the molding stage. And in order to expose the electrode etc. on an optical device wafer, it is necessary to turn the thick translucent mold resin layer to predetermined thickness (about 100 micrometers in an example). However, this turning takes a long time, and the cutting part used for turning is also consumed with the turning time, so that it is necessary to frequently replace the cutting part. Therefore, in the turning by the cutting part using only single crystal diamond, high cost becomes a problem.

そこで、本発明では、光デバイスウェーハの透光性モールド樹脂を旋削する場合において、旋削後のモールド樹脂層表面における平坦度等の加工品質を保ちつつ、旋削部の消耗量を抑えかつ加工の高速化も図ることを目的とする。   Therefore, in the present invention, when turning the translucent mold resin of the optical device wafer, while maintaining the processing quality such as flatness on the surface of the mold resin layer after the turning, the consumption amount of the turning portion is suppressed and the processing speed is high. It aims to make it easier.

上記の目的を達成するための本発明は、発光層に複数の光デバイスが形成され且つ該発光層の表面に光特性を向上させる透光性モールド樹脂が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にダイヤモンドを含む焼結体で形成された切削部を有するバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を旋削して該透光性モールド樹脂を粗旋削する第１の旋削工程と、該第１の旋削工程に次いで、光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にダイヤモンド単結晶の切削部を有するバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を旋削して該透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げる第２の旋削工程と、を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法である。   In order to achieve the above object, the present invention provides a method for processing an optical device wafer in which a plurality of optical devices are formed in a light emitting layer and the surface of the light emitting layer is coated with a translucent mold resin that improves optical characteristics. The translucent mold resin of the optical device wafer is caused to act by rotating a tool having a cutting part formed of a sintered body containing diamond to rotate the translucent mold resin. A first turning step for rough turning of the conductive mold resin, and subsequent to the first turning step, the translucent mold resin of the optical device wafer is made to act while rotating a cutting tool having a diamond single crystal cutting portion. And a second turning step of turning the translucent mold resin to finish the translucent mold resin to a desired thickness, and a method for processing an optical device wafer, comprising: .

前記ダイヤモンドには、ホウ素が添加されていると好ましい。   It is preferable that boron is added to the diamond.

本発明では、光デバイスウエーハの透光性モールド樹脂層を、まず、ダイヤモンドを含む焼結体で形成された切削部によって粗く旋削し（第１の旋削工程）、次いで、ダイヤモンド単結晶からなる切削部によって平坦度等を高めるための精密な旋削をすることで（第２の旋削工程）、透光性モールド樹脂層の表面を高精度に平坦化しつつ、単結晶ダイヤモンドの切削部を有するバイトの消耗量を抑制しコスト削減を可能とする。   In the present invention, the light-transmitting mold resin layer of the optical device wafer is first roughly turned by a cutting portion formed of a sintered body containing diamond (first turning step), and then cut made of a diamond single crystal. By performing precise turning to increase the flatness etc. by the part (second turning process), the surface of the translucent mold resin layer is flattened with high accuracy and the cutting tool having a cutting part of single crystal diamond is used. Reduces consumption and enables cost reduction.

また、ダイヤモンドにホウ素が添加されていることで、切削部に優れた固体潤滑性及び放熱性が付加される。これにより、第１の旋削工程及び／又は第２の旋削工程において透光性モールド樹脂層をより滑らかに旋削でき、旋削速度を向上させることができる。また、第１の旋削工程及び／又は第２の旋削工程で用いられるバイトの消耗も抑えることができる。   Moreover, the solid lubricity and heat dissipation excellent in the cutting part are added by adding boron to diamond. Thereby, the translucent mold resin layer can be turned more smoothly in the first turning process and / or the second turning process, and the turning speed can be improved. Further, it is possible to suppress wear of the cutting tool used in the first turning process and / or the second turning process.

光デバイスウエーハの表面側の斜視図である。It is a perspective view of the surface side of an optical device wafer. 旋削加工前の光デバイスウエーハの一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the optical device wafer before turning. 旋削加工に用いられる旋削装置の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment of the turning apparatus used for turning. バイトの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a cutting tool. 光デバイスウエーハを旋削する状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which turns an optical device wafer. 光デバイスウエーハを旋削する状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which turns an optical device wafer. 第１の旋削工程における光デバイスウエーハ及びバイトの一部拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the optical device wafer and a cutting tool in a 1st turning process. 第２の旋削工程における光デバイスウエーハ及びバイトの一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the optical device wafer and the cutting tool in the second turning process. 第２の旋削工程後の光デバイスウエーハの一部拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the optical device wafer after a 2nd turning process.

図１に示すように、光デバイスウエーハ１の表面側は、サファイア基板１０上に窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の発光層１１が積層されて構成されている。発光層１１には複数の光デバイス１２が形成され、光デバイス１２は、後に切削加工等によって分断されるストリートＳにより格子状に区画されて形成されている。   As shown in FIG. 1, the surface side of the optical device wafer 1 is configured by laminating a light emitting layer 11 such as gallium nitride or aluminum nitride on a sapphire substrate 10. A plurality of optical devices 12 are formed in the light emitting layer 11, and the optical devices 12 are formed in a lattice shape by streets S that are later cut by cutting or the like.

また、図１及び２に示すように、光デバイス１２は、サファイア基板１０上に積層されたｐ型半導体層１２０と、ｐ型半導体層１２０上に積層されたｎ型半導体層１２１と、ｐ型半導体層１２０から突出した正電極部を例えば金でめっきしたバンプ１２２と、ｎ型半導体層から突出した負電極部を例えば金でめっきしたバンプ１２３とを備えている。また、光デバイスウエーハ１の表面は、例えばエポキシ樹脂を主成分とするシリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料からなる透光性モールド樹脂１３により被覆されており、光デバイス１２も透光性モールド樹脂１３によってモールディングされている。透光性モールド樹脂１３中には、例えば白色を発光可能な緑、赤の蛍光を発光する蛍光材粒子１３０が含まれている。   1 and 2, the optical device 12 includes a p-type semiconductor layer 120 stacked on the sapphire substrate 10, an n-type semiconductor layer 121 stacked on the p-type semiconductor layer 120, and a p-type. A bump 122 is formed by plating the positive electrode portion protruding from the semiconductor layer 120 with, for example, gold, and a bump 123 is formed by plating the negative electrode portion protruding from the n-type semiconductor layer with, for example, gold. The surface of the optical device wafer 1 is covered with a translucent mold resin 13 made of a thermosetting molding material to which, for example, a silica filler mainly composed of an epoxy resin is added, and the optical device 12 is also translucent. Molding is performed with a conductive mold resin 13. The translucent mold resin 13 includes, for example, fluorescent material particles 130 that emit green and red fluorescence that can emit white light.

図１及び図２に示した光デバイスウェーハ１は、透光性モールド樹脂１３の上面を研削することにより所望の厚みに形成される。透光性モールド樹脂１３の上面の研削には、例えば図３に示す旋削装置２を用いる。この旋削装置２には、ベース３の上に配設され前後方向(Ｙ軸方向)に移動可能なチャックテーブル７と、ベース３の後部側に配設された旋削ユニット４と、旋削ユニット４をＺ軸方向に上下動させる切込み送り手段５とが備えられている。   The optical device wafer 1 shown in FIGS. 1 and 2 is formed to have a desired thickness by grinding the upper surface of the translucent mold resin 13. For grinding the upper surface of the translucent mold resin 13, for example, a turning device 2 shown in FIG. 3 is used. The turning device 2 includes a chuck table 7 disposed on the base 3 and movable in the front-rear direction (Y-axis direction), a turning unit 4 disposed on the rear side of the base 3, and a turning unit 4. Incision feeding means 5 that moves up and down in the Z-axis direction is provided.

切込み送り手段５は、Ｚ軸方向の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０と平行に配設され上下に伸びる一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０を回動させるモータ５２と、内部のナットがボールネジに螺合し底部がガイドレール５１に摺接する可動板５３とを備えている。切込み送り手段５は、モータ５２がボールネジ５０を回動させると、これに伴い可動板５３がガイドレール５１にガイドされてＺ軸方向に上下動する構成となっている。可動板５３には旋削ユニット４が取り付けられており、可動板５３の上下動に伴い旋削ユニット４がＺ軸方向に切込み送りされる。   The infeed means 5 includes a ball screw 50 having an axis in the Z-axis direction, a pair of guide rails 51 arranged in parallel with the ball screw 50 and extending vertically, a motor 52 for rotating the ball screw 50, and an internal nut. A movable plate 53 is provided which is screwed into the ball screw and whose bottom portion is in sliding contact with the guide rail 51. When the motor 52 rotates the ball screw 50, the cutting feed means 5 is configured to move up and down in the Z-axis direction by the movable plate 53 being guided by the guide rail 51 accordingly. The turning unit 4 is attached to the movable plate 53, and the turning unit 4 is cut and fed in the Z-axis direction as the movable plate 53 moves up and down.

旋削ユニット４は、スピンドル４０と、スピンドル４０を回転させる駆動機構４１と、スピンドル４０の底面に着脱可能に装着された円柱状のバイトホイール４２と、バイトホイール４２の底面に着脱可能に装着されているバイト４３とを備えている。旋削ユニット４は、ベース３の前部に配設されている操作部９７に入力された情報により制御される。   The turning unit 4 includes a spindle 40, a drive mechanism 41 that rotates the spindle 40, a cylindrical bite wheel 42 that is detachably attached to the bottom surface of the spindle 40, and a detachably attached to the bottom surface of the bite wheel 42. And a cutting tool 43. The turning unit 4 is controlled by information input to the operation unit 97 disposed in the front part of the base 3.

図４に示すように、バイト４３は、例えば、略直方体形状のシャンク４３０と、シャンク４３０に形成された凹部に着脱可能に取り付けられる、凹部に対応する形状を有する切削部４３１と、ネジ４３２と、ネジ４３２が螺合するネジ穴４３３とを備える。切削部４３１は、板状の基台４３４と、基台４３４の長手方向の一端部に錫銀メッキ等で溶接された切刃チップ４３５とからなる。また、基台４３４の長手方向の一端部にはネジ４３２を通す穴４３６が設けられており、基台の穴４３６を通したネジ４３２をシャンク４３０のネジ穴４３３に螺合させて、シャンク４３０の凹部に切削部４３１を固定する。バイト４３の種類は、後述する第１の旋削工程で用いられダイヤモンドの粉末と金属バインダー等を高温高圧合成法で焼き固めた焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップを備えるタイプと、後述する第２の旋削工程で用いられダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップを備えるタイプとがある。   As shown in FIG. 4, the cutting tool 43 includes, for example, a substantially rectangular parallelepiped shank 430, a cutting part 431 having a shape corresponding to the recess, and a screw 432 detachably attached to the recess formed in the shank 430. And a screw hole 433 into which the screw 432 is screwed. The cutting part 431 includes a plate-like base 434 and a cutting edge tip 435 welded to one end in the longitudinal direction of the base 434 by tin silver plating or the like. In addition, a hole 436 through which the screw 432 is passed is provided at one end in the longitudinal direction of the base 434, and the screw 432 that has passed through the base hole 436 is screwed into the screw hole 433 of the shank 430. The cutting part 431 is fixed to the recess. The type of the cutting tool 43 includes a type having a cutting edge tip made of a sintered diamond obtained by baking diamond powder and a metal binder or the like by a high-temperature high-pressure synthesis method used in a first turning process described later, and a second described later. There is a type provided with a cutting edge tip made of a single crystal of diamond used in the turning process.

また、焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ及び／又は単結晶ダイヤモンドからなる切刃チップについては、ダイヤモンドにホウ素を添加した、ホウ素添加ダイヤモンドであってよい。これにより、ホウ素を添加しないダイヤモンドからなるものに比べ、より優れた固体潤滑性及び放熱性を有するようになる。ホウ素を添加したダイヤモンドは、例えば、特表２００６−５０２９５５号公報に記載の公知の方法を用いて製造することができる。   Further, the cutting edge tip made of sintered diamond and / or the cutting edge tip made of single crystal diamond may be boron-added diamond obtained by adding boron to diamond. Thereby, compared with what consists of diamond which does not add a boron, it comes to have the more excellent solid lubricity and heat dissipation. The diamond to which boron is added can be produced using, for example, a known method described in JP-T-2006-502955.

図３に示すように、旋削装置２のベース３の前部には、旋削加工前のウエーハが収容される第一のウエーハカセット９２と、旋削加工後のウエーハが収容される第二のウエーハカセット９３と、第一のウエーハカセット９２から旋削加工前のウエーハを搬出するとともに旋削加工後のウエーハを第二のウエーハカセットに搬入するロボット９０と、旋削加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段９１と、第一のウエーハカセット９２から搬出されたウエーハを所定の位置に位置決めする位置決め機構９４と、ウエーハを位置決め機構９４からチャックテーブル７に搬送するローディングアーム９５と、旋削加工後のウエーハをチャックテーブル７から洗浄手段９１に搬送するアンローディングアーム９６とが配設されている。   As shown in FIG. 3, at the front part of the base 3 of the turning device 2, a first wafer cassette 92 that accommodates a wafer before turning and a second wafer cassette that accommodates a wafer after turning. 93, a robot 90 for unloading the wafer from the first wafer cassette 92 and loading the wafer after the turning into the second wafer cassette, and a cleaning means 91 for cleaning the wafer after the turning, A positioning mechanism 94 for positioning the wafer unloaded from the first wafer cassette 92 at a predetermined position, a loading arm 95 for transporting the wafer from the positioning mechanism 94 to the chuck table 7, and a wafer after turning from the chuck table 7. An unloading arm 96 that conveys the cleaning means 91 is provided.

以下に、図３及び図５〜９を用いて、図１及び２で示した光デバイスウエーハ１の加工方法について説明する。なお、図５及び６では、図３及び４に示した装置等を簡略化して示してある。旋削装置２では、まず、図３に示すロボット９０が第一のウエーハカセット９２から一枚の光デバイスウエーハ１（図１及び図２参照）を搬出し、光デバイスウエーハ１を位置合わせ機構９４に移動させる。次いで、位置合わせ機構９４において光デバイスウエーハ１が所定の位置に位置決めされた後、ローディングアーム９５が、位置合わせ機構９４上の光デバイスウエーハ１をチャックテーブル７に載置させる。そして、光デバイスウエーハ１は、チャックテーブル７によって吸引保持される。   Below, the processing method of the optical device wafer 1 shown in FIG. 1 and 2 is demonstrated using FIG.3 and FIG.5-9. 5 and 6 show the apparatus shown in FIGS. 3 and 4 in a simplified manner. In the turning apparatus 2, first, the robot 90 shown in FIG. 3 carries out one optical device wafer 1 (see FIGS. 1 and 2) from the first wafer cassette 92, and the optical device wafer 1 is moved to the alignment mechanism 94. Move. Next, after the optical device wafer 1 is positioned at a predetermined position in the alignment mechanism 94, the loading arm 95 places the optical device wafer 1 on the alignment mechanism 94 on the chuck table 7. The optical device wafer 1 is sucked and held by the chuck table 7.

光デバイスウエーハ１がチャックテーブル７に保持されてから、第１の旋削工程が開始される。第１の旋削工程においては、切込み送り手段５によりバイト４３ａを備えた旋削ユニット４が所定の高さにセットされる。バイト４３ａは、ダイヤモンドの粉末と金属バインダー等を高温高圧合成法で焼き固めた焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ４３５ａを備えるタイプのものである。また、ここにいう所定の高さとは、図７に示すように、焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ４３５ａの下端のＺ軸方向の位置Ｚ１がバンプ１２２の上端よりも上方にある場合における旋削ユニット４の高さである。なお、ダイヤモンドにホウ素を添加したホウ素添加ダイヤモンドの焼結体で形成された切刃チップ４３５ａは、ホウ素を添加していない場合と比べて、より優れた固体潤滑性及び放熱性を有する。そのため、第１の旋削工程における旋削速度を向上させることができ、焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ４３５ａの消耗量をさらに抑えることができる。   After the optical device wafer 1 is held on the chuck table 7, the first turning process is started. In the first turning process, the turning unit 4 provided with the cutting tool 43a is set to a predetermined height by the cutting feed means 5. The cutting tool 43a is of a type provided with a cutting edge tip 435a made of sintered diamond obtained by baking and hardening diamond powder and a metal binder or the like by a high-temperature and high-pressure synthesis method. In addition, the predetermined height referred to here is turning when the position Z1 in the Z-axis direction of the lower end of the cutting edge tip 435a made of sintered diamond is above the upper end of the bump 122, as shown in FIG. This is the height of the unit 4. Note that the cutting edge tip 435a formed of a sintered body of boron-added diamond obtained by adding boron to diamond has better solid lubricity and heat dissipation than the case where boron is not added. Therefore, the turning speed in the first turning process can be improved, and the amount of wear of the cutting edge tip 435a made of sintered diamond can be further suppressed.

この状態で、駆動機構４１がスピンドル４０を回転させる。次いで、図５〜７に示すように、旋削ユニット４に向けてチャックテーブル７をＹ軸方向の往方向１００に移動させ、蛍光材粒子１３０を含む透光性モールド樹脂１３に対してバイト４３ａを切り込ませ粗旋削する。旋削は、バンプ１２２及び１２３が露出しない位置Ｚ１まで行われる。なお、スピンドル４０の回転数は１５００ｒｐｍから２５００ｒｐｍの範囲で選択してよく、バイト４３ａの切り込み量は１μｍから１００μｍの範囲で選択してよく、チャックテーブル７のＹ軸方向への送り速度は３ｍｍ／秒から１０ｍｍ／秒の範囲で選択してよい。   In this state, the drive mechanism 41 rotates the spindle 40. Next, as shown in FIGS. 5 to 7, the chuck table 7 is moved in the forward direction 100 in the Y-axis direction toward the turning unit 4, and the cutting tool 43 a is attached to the translucent mold resin 13 including the fluorescent material particles 130. Cutting and rough turning. Turning is performed up to a position Z1 where the bumps 122 and 123 are not exposed. The rotation speed of the spindle 40 may be selected in the range of 1500 rpm to 2500 rpm, the cutting amount of the cutting tool 43a may be selected in the range of 1 μm to 100 μm, and the feed speed of the chuck table 7 in the Y-axis direction is 3 mm / You may select in the range of a second to 10 mm / sec.

図８に示す第１の旋削工程終了後の透光性モールド樹脂１３の表面は、図７に示す旋削加工前の透光性モールド樹脂１３の表面に比べ、表面の凹凸がより小さくなっている。   The surface of the translucent mold resin 13 after completion of the first turning process shown in FIG. 8 has smaller surface irregularities than the surface of the translucent mold resin 13 before the turning process shown in FIG. .

第１の旋削工程が終了した後、スピンドル４０の回転を一度停止させ、図３に示す切込み送り手段５により旋削ユニット４を光デバイスウエーハ１から離間させる。また、チャックテーブル７を復方向１０１に移動させて元の位置に戻す。次いで、作業者が、バイト４３ａを、バイト４３ｂへと交換する。バイト４３ｂは、ダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップ４３５ｂを備えるタイプのものである。   After the first turning process is completed, the rotation of the spindle 40 is once stopped, and the turning unit 4 is separated from the optical device wafer 1 by the cutting feed means 5 shown in FIG. Further, the chuck table 7 is moved in the backward direction 101 to return to the original position. Next, the operator replaces the byte 43a with the byte 43b. The cutting tool 43b is of a type having a cutting edge tip 435b made of a single crystal of diamond.

バイト４３ａからバイト４３ｂへの交換が済んだ後に、第２の旋削工程が開始される。第２の旋削工程においては、切込み送り手段５によりバイト４３ｂを備えた旋削ユニット４が所定の高さにセットされる。ここにいう所定の高さとは、図８に示すように、ダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップ４３５ｂの下端のＺ軸方向の位置Ｚ２がバンプ１２３の上端よりも下方にある場合における旋削ユニット４の高さである。   After the replacement from the cutting tool 43a to the cutting tool 43b, the second turning process is started. In the second turning process, the turning unit 4 provided with the cutting tool 43b is set to a predetermined height by the cutting feed means 5. The predetermined height referred to here is the turning unit 4 when the position Z2 in the Z-axis direction of the lower end of the cutting edge tip 435b made of a single crystal of diamond is below the upper end of the bump 123, as shown in FIG. Of height.

この状態で、図５に示すように、駆動機構４１がスピンドル４０を回転させる。次いで図５、６及び８に示すようにチャックテーブル７をＹ軸方向の往方向１００に移動させながら、蛍光材粒子１３０を含む透光性モールド樹脂１３に対してバイト４３ｂを切り込ませて位置Ｚ２まで旋削する。この際に、バンプ１２２及び１２３も共に旋削される。なお、スピンドル４０の回転数は１５００ｒｐｍから２５００ｒｐｍの範囲で選択してよく、バイト４３ｂの切り込み距離は１μｍから１００μｍの範囲で選択してよく、チャックテーブル７のＹ軸方向への送り速度は３ｍｍ／秒から１０ｍｍ／秒の範囲で選択してよい。   In this state, the drive mechanism 41 rotates the spindle 40 as shown in FIG. Next, as shown in FIGS. 5, 6, and 8, while moving the chuck table 7 in the forward direction 100 in the Y-axis direction, the cutting tool 43 b is cut into the translucent mold resin 13 including the fluorescent material particles 130 and positioned. Turn to Z2. At this time, both the bumps 122 and 123 are also turned. The rotational speed of the spindle 40 may be selected in the range of 1500 rpm to 2500 rpm, the cutting distance of the cutting tool 43b may be selected in the range of 1 μm to 100 μm, and the feed speed of the chuck table 7 in the Y-axis direction is 3 mm / You may select in the range of a second to 10 mm / sec.

図９に示す第２の旋削工程終了後の透光性モールド樹脂１３の表面は、第１の旋削工程終了後の透光性モールド樹脂１３の表面に比べ、表面の凹凸がより少なくなっておりかつバンプ１２２及び１２３の頂部も露出している。また、第２の旋削工程では、ダイヤモンド単結晶からなる切刃チップ４３５ｂを使用したため、終了後の透光性モールド樹脂１３の表面の平坦度は１μｍ以下となる。   The surface of translucent mold resin 13 after the end of the second turning process shown in FIG. 9 has less surface irregularities than the surface of translucent mold resin 13 after the end of the first turning process. The tops of the bumps 122 and 123 are also exposed. Further, in the second turning process, since the cutting edge tip 435b made of a diamond single crystal is used, the flatness of the surface of the translucent mold resin 13 after the end becomes 1 μm or less.

ダイヤモンド粉末と金属バインダー等を高温高圧合成法で焼き固めダイヤモンドが均一に分散した焼結体ダイヤモンドと比べて、単結晶ダイヤモンドはその単価は高いものの結合材等の影響がないことから硬度や耐熱性には優れる。そのため、旋削加工において、ダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップ４３５ｂを有するバイト４３ｂを使用した場合と、焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ４３５ａを有するバイト４３ａを使用した場合とでは、前者の方が透光性モールド樹脂層１３表面の平坦度をより高めることができる。そして、上記に示したように透光性モールド樹脂層１３を、第１の旋削工程でバイト４３ａによって粗旋削し、次いで、第２の旋削工程でバイト４３ｂにより精密な旋削をしたことで、透光性モールド樹脂層１３の表面を最終的に高精度に平坦化しつつ、ダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップ４３５ｂの消耗量を抑制しコストの削減につなげている。   Compared to sintered diamond, in which diamond powder and metal binder are baked and hardened by a high-temperature and high-pressure synthesis method and diamond is uniformly dispersed, single-crystal diamond is expensive, but its hardness and heat resistance are not affected by binders. Excellent. Therefore, in the turning process, the former is used when the cutting tool 43b having a cutting edge tip 435b made of a single crystal of diamond is used and when the cutting tool 43a having a cutting edge tip 435a made of a sintered diamond is used. However, the flatness of the surface of the translucent mold resin layer 13 can be further increased. Then, as shown above, the translucent mold resin layer 13 was coarsely turned by the cutting tool 43a in the first turning process, and then precisely turned by the cutting tool 43b in the second turning process. While the surface of the optical mold resin layer 13 is finally flattened with high accuracy, the consumption of the cutting edge tip 435b made of a single crystal of diamond is suppressed, leading to cost reduction.

第２の旋削工程が終了した後、図３に示す切込み送り手段５により旋削ユニット４を光デバイスウエーハ１から離間させる。また、チャックテーブル７を復方向１０１に移動させて元の位置に戻す。その後、アンローディングアーム９６が、加工後の光デバイスウエーハ１をチャックテーブル７から洗浄手段９１に移動させる。そして、洗浄手段９１において光デバイスウエーハ１が洗浄された後、ロボット９０が、加工後の光デバイスウエーハ１を第二のウエーハカセット９３に収納する。   After the second turning process is completed, the turning unit 4 is separated from the optical device wafer 1 by the cutting feed means 5 shown in FIG. Further, the chuck table 7 is moved in the backward direction 101 to return to the original position. Thereafter, the unloading arm 96 moves the processed optical device wafer 1 from the chuck table 7 to the cleaning means 91. Then, after the optical device wafer 1 is cleaned in the cleaning unit 91, the robot 90 stores the processed optical device wafer 1 in the second wafer cassette 93.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第一のウエーハカセット９２に収納されたすべての光デバイスウエーハ１に対して第１の旋削工程を行っていずれかのウエーハカセットに収納した後、再度当該いずれかのウエーハカセットから光デバイスウエーハ１を取り出しかつバイト４３ａからバイト４３ｂへの交換を行い、第２の旋削工程を行ってもよい。
また、ダイヤモンド焼結体からなる切刃チップを備える粗旋削ユニットと、単結晶ダイヤモンドからなる切刃チップを備える仕上げ旋削ユニットとを備えた１台の旋削装置を用いてもよい。この場合は、チャックテーブルに光デバイスウエーハを保持し、粗旋削ユニットを構成する切刃チップを用いて第１の旋削工程を実施した後、装置内においてチャックテーブルを移動させてから、仕上げ旋削ユニットを構成する切刃チップを用いて第２の旋削工程を実施する。
さらに、ダイヤモンド焼結体からなる切刃チップを備える粗旋削用の装置と、単結晶ダイヤモンドからなる切刃チップを備える仕上げ旋削用の装置とが別々にあり、粗旋削用の装置を用いて第１の旋削工程を実施し、第１の旋削工程が終了した光デバイスウエーハをウエーハカセットに収容するなどして仕上げ旋削用の装置に搬送してから、第２の旋削工程を実施するようにしてもよい。 The present invention is not limited to the above embodiment. For example, after the first turning process is performed on all the optical device wafers 1 stored in the first wafer cassette 92 and the wafers are stored in any one of the wafer cassettes, the optical device wafer is again transferred from any one of the wafer cassettes. 1 may be taken out and exchanged from the cutting tool 43a to the cutting tool 43b, and the second turning process may be performed.
Moreover, you may use one turning apparatus provided with the rough turning unit provided with the cutting-edge chip | tip made from a diamond sintered compact, and the finishing turning unit provided with the cutting-edge chip | tip made from a single crystal diamond. In this case, after holding the optical device wafer on the chuck table and performing the first turning process using the cutting edge chip constituting the rough turning unit, the chuck table is moved in the apparatus, and then the finishing turning unit The second turning process is carried out using the cutting edge tip that constitutes.
Furthermore, there is a separate device for rough turning with a cutting edge tip made of a diamond sintered body and a device for finishing turning with a cutting edge tip made of single crystal diamond. The first turning process is performed, and after the first turning process is completed, the optical device wafer is accommodated in a wafer cassette and transported to an apparatus for finishing turning, and then the second turning process is performed. Also good.

１：光デバイスウエーハ １０：サファイア基板 １１：発光層 １２：光デバイス
Ｓ：ストリート
１２０：ｐ型半導体層 １２１：ｎ型半導体層 １２２：バンプ １２３：バンプ
１３：透光性モールド樹脂 １３０：蛍光材粒子
２：旋削装置 ３：ベース
４：旋削ユニット
４０：スピンドル ４１：駆動機構 ４２：バイトホイール
４３：バイト ４３ａ：バイト ４３ｂ：バイト
４３０：シャンク ４３１：切削部 ４３２：ネジ ４３３：ネジ穴 ４３４：基台
４３５：切刃チップ
４３５ａ：焼結体ダイヤモンドからなる切刃チップ
４３５ｂ：ダイヤモンドの単結晶からなる切刃チップ 穴：４３６
５：切込み送り手段
５０：ボールネジ ５１：ガイドレール ５２：モータ ５３：可動板
７：チャックテーブル
９０：ロボット ９１：洗浄手段 ９２：ウエーハカセット ９３：ウエーハカセット ９４：位置決め機構 ９５：ローディングアーム ９６：アンローディングアーム
９７：操作部
１００：往方向 １０１：復方向
Ｔ：テープ Ｆ：環状フレーム Ｚ１：位置 Ｚ２：位置 1: Optical device wafer 10: Sapphire substrate 11: Light emitting layer 12: Optical device
S: Street 120: p-type semiconductor layer 121: n-type semiconductor layer 122: bump 123: bump
13: Translucent mold resin 130: Fluorescent material particle 2: Turning device 3: Base 4: Turning unit 40: Spindle 41: Drive mechanism 42: Tool wheel 43: Tool tool 43a: Tool tool 43b: Tool tool 430: Shank 431: Cutting part 432: Screw 433: Screw hole 434: Base
435: Cutting edge tip 435a: Cutting edge tip 435b made of sintered diamond: Cutting edge tip made of a single crystal of diamond Hole: 436
5: Cutting feed means 50: Ball screw 51: Guide rail 52: Motor 53: Movable plate
7: Chuck table
90: Robot 91: Cleaning means 92: Wafer cassette 93: Wafer cassette 94: Positioning mechanism 95: Loading arm 96: Unloading arm
97: Operation unit 100: Forward direction 101: Reverse direction T: Tape F: Ring frame Z1: Position Z2: Position

Claims (2)

発光層に複数の光デバイスが形成され且つ該発光層の表面に光特性を向上させる透光性モールド樹脂が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にダイヤモンドを含む焼結体で形成された切削部を有するバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を旋削して該透光性モールド樹脂を粗旋削する第１の旋削工程と、
該第１の旋削工程に次いで、光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にダイヤモンド単結晶の切削部を有するバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を旋削して該透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げる第２の旋削工程と、を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 A method of processing an optical device wafer in which a plurality of optical devices are formed in a light emitting layer and the surface of the light emitting layer is coated with a translucent mold resin for improving optical characteristics,
The translucent mold resin of the optical device wafer is caused to act by rotating a tool having a cutting part formed of a sintered body containing diamond to rotate the translucent mold resin. A first turning process for rough turning,
Subsequent to the first turning step, the translucent mold resin of the optical device wafer is allowed to act on the translucent mold resin while rotating a cutting tool having a diamond single crystal cutting portion to rotate the translucent mold resin. And a second turning step of finishing the mold resin to a desired thickness. An optical device wafer processing method comprising: 前記ダイヤモンドには、ホウ素が添加されていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスウエーハの加工方法。   The method for processing an optical device wafer according to claim 1, wherein boron is added to the diamond.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019077019A (en) * 2017-10-27 2019-05-23 株式会社ディスコ Method for processing work-piece
JP2019077018A (en) * 2017-10-27 2019-05-23 株式会社ディスコ Method for processing work-piece

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03228504A (en) * 1989-06-15 1991-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Diamond tool
JP2001322012A (en) * 2000-05-18 2001-11-20 Canon Inc Mounting holder for cutting tool and position adjusting device for cutting tool
JP2006245493A (en) * 2005-03-07 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing electrode of semiconductor wafer
JP2007038333A (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Ricoh Co Ltd Manufacturing device and method for rotor, polygon scanner and laser scan unit
JP2012114366A (en) * 2010-11-26 2012-06-14 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing optical device wafer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5133332A (en) * 1989-06-15 1992-07-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond tool
US7306975B2 (en) * 2005-07-01 2007-12-11 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer cutting blade and method
JP5495876B2 (en) * 2010-03-23 2014-05-21 株式会社ディスコ Processing method of optical device wafer
JP2012056012A (en) * 2010-09-08 2012-03-22 Disco Corp Cutting grinding wheel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03228504A (en) * 1989-06-15 1991-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Diamond tool
JP2001322012A (en) * 2000-05-18 2001-11-20 Canon Inc Mounting holder for cutting tool and position adjusting device for cutting tool
JP2006245493A (en) * 2005-03-07 2006-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing electrode of semiconductor wafer
JP2007038333A (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Ricoh Co Ltd Manufacturing device and method for rotor, polygon scanner and laser scan unit
JP2012114366A (en) * 2010-11-26 2012-06-14 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing optical device wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019077019A (en) * 2017-10-27 2019-05-23 株式会社ディスコ Method for processing work-piece
JP2019077018A (en) * 2017-10-27 2019-05-23 株式会社ディスコ Method for processing work-piece

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