JP5122378B2 - How to divide a plate - Google Patents

How to divide a plate Download PDF

Info

Publication number
JP5122378B2
JP5122378B2 JP2008150179A JP2008150179A JP5122378B2 JP 5122378 B2 JP5122378 B2 JP 5122378B2 JP 2008150179 A JP2008150179 A JP 2008150179A JP 2008150179 A JP2008150179 A JP 2008150179A JP 5122378 B2 JP5122378 B2 JP 5122378B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
laser processing
outer peripheral
groove
processing groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008150179A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009295899A (en
Inventor
俊一郎 廣沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2008150179A priority Critical patent/JP5122378B2/en
Publication of JP2009295899A publication Critical patent/JP2009295899A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5122378B2 publication Critical patent/JP5122378B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の板状物の分割方法に関する。   The present invention relates to a method for dividing a plate-like object such as a semiconductor wafer.

IC、LSI等のデバイスが表面に複数形成された半導体ウエーハ等の板状物は切削装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。   A plate-like object such as a semiconductor wafer on which a plurality of devices such as IC and LSI are formed on the surface is divided into individual devices by a cutting device, and the divided devices are widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers. .

切削装置としては被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードと、切削ブレードが装着されるスピンドルとを備えたダイサーと称される装置が広く使用されている。   As a cutting device, a device called a dicer having a chuck table for holding a workpiece, a cutting blade for cutting a workpiece held on the chuck table, and a spindle on which the cutting blade is mounted is widely used. Has been.

切削ブレードは、例えば粒径3μm程度のダイアモンド砥粒を電着固定した切刃を外周に有し、この切削ブレードがスピンドルによって20000〜60000rpm等の高速で回転させられつつ被加工物に切り込むことで切削が行われる。   The cutting blade has, for example, a cutting blade electrodeposited and fixed with diamond abrasive grains having a particle size of about 3 μm on the outer periphery, and the cutting blade cuts into the work piece while being rotated at a high speed of 20000 to 60000 rpm by the spindle. Cutting is performed.

また、ダイサーによる加工では、ヘアラインと呼ばれる装置に装着されたカメラの基準線と切削予定ラインとを合わせることで加工位置の設定を行っている。加工に際して事前にカメラの基準線と切削ブレードの中心線を合わせる作業(ヘアライン合わせ)を実施するが、加工に伴ってスピンドルには高速回転による熱膨張が生じるため、切削ブレードの位置には軸方向のずれが生じる。   In processing by a dicer, a processing position is set by matching a reference line of a camera mounted on a device called a hairline and a planned cutting line. Before machining, the camera reference line and the center line of the cutting blade are aligned (hairline alignment), but the spindle undergoes thermal expansion due to high-speed rotation during processing, so the cutting blade is positioned in the axial direction. Deviation occurs.

切削ブレードとカメラの基準線がずれた状態で切削を遂行すると、切削予定ラインからずれた領域を切削してデバイスを破損させてしまう恐れがある。そこで通常は、切削加工の途中に所定のタイミングでヘアライン合わせを実施する。具体的には、切削で形成した切削溝をカメラで撮像し、カメラの基準線と切削溝とのずれを検出して補正している。   If cutting is performed in a state where the cutting blade and the reference line of the camera are deviated from each other, there is a fear that the device is damaged by cutting the area deviated from the planned cutting line. Therefore, normally, hairline alignment is performed at a predetermined timing during the cutting process. Specifically, a cutting groove formed by cutting is imaged by a camera, and a deviation between the reference line of the camera and the cutting groove is detected and corrected.

一方、近年、IC、LSI等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にSiOF、BSG(SiOB)等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜(low−k膜)と、回路を形成する機能膜が積層された積層体によって半導体チップを形成した形態の半導体ウエーハが実用化されている。   On the other hand, in recent years, in order to improve the processing ability of semiconductor chips such as IC and LSI, inorganic films such as SiOF and BSG (SiOB) and polymer films such as polyimide and parylene are formed on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A semiconductor wafer having a form in which a semiconductor chip is formed by a laminate in which a low dielectric constant insulator film (low-k film) made of an organic film and a functional film for forming a circuit is laminated has been put into practical use. .

また、半導体ウエーハの分割予定ライン上にテストエレメントグループ(TEG)と呼ばれる金属パターンを部分的に配設し、デバイスへ分割する前に金属パターンを通して回路の機能をテストするように構成した半導体ウエーハも実用化されている。   Also, there is a semiconductor wafer configured such that a metal pattern called a test element group (TEG) is partially arranged on a division line of a semiconductor wafer, and the function of the circuit is tested through the metal pattern before dividing the device into devices. It has been put into practical use.

これらlow−k膜やTEGは半導体基板の材料と異なる材料で形成されているため、切削ブレードで半導体基板と同時に切削することは困難である。特にlow−k膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードで切削すると、切削した点を基点にlow−k膜が剥離してデバイスが損傷してしまうという問題がある。また、TEGは金属で形成されているため、切削ブレードで切削するとバリが発生するとともに、切削ブレードの寿命が短くなるという問題がある。   Since these low-k films and TEG are formed of a material different from that of the semiconductor substrate, it is difficult to cut the semiconductor substrate simultaneously with the cutting blade. In particular, since the low-k film is very brittle like mica, there is a problem that when the cutting is performed with a cutting blade, the low-k film is peeled off from the cut point and the device is damaged. Further, since TEG is made of metal, there is a problem that when cutting with a cutting blade, burrs are generated and the life of the cutting blade is shortened.

これらの問題を解決するために、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってパルスレーザービームを照射することで分割予定ライン上のlow−k膜やTEGを除去し、除去した領域に切削ブレードを位置付けて切削するための加工装置が提案されている(特開2003−320466号参照)。
特開2003−320466号公報
In order to solve these problems, the low-k film and TEG on the planned division line are removed by irradiating a pulsed laser beam along the planned division line of the semiconductor wafer, and a cutting blade is positioned in the removed area. A processing apparatus for cutting has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-320466).
JP 2003-320466 A

ところが、レーザービームの照射によってlow−k膜やTEGが除去されてレーザー加工溝が形成された領域を切削ブレードで切削する際には、ヘアライン合わせを実施しようとしても切削による切削溝はレーザー加工溝の底部に形成されるため、被加工物の上面からはカメラで切削溝が検出しづらいという問題が生じる。   However, when cutting a region where a low-k film or TEG has been removed by laser beam irradiation and a laser processing groove is formed with a cutting blade, the cutting groove by cutting is a laser processing groove. Therefore, there is a problem that it is difficult to detect the cutting groove with the camera from the upper surface of the workpiece.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザービーム照射によって加工溝を形成した領域を切削ブレードで切削する場合であっても、切削溝の検出を確実に容易に行うことができ、レーザー加工溝と切削溝とを合致させることが可能な板状物の分割方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and the object of the present invention is to detect the cutting groove even when the region where the processing groove is formed by laser beam irradiation is cut with a cutting blade. It is an object of the present invention to provide a method for dividing a plate-like object that can be surely and easily performed and can match a laser-machined groove and a cutting groove.

本発明によると、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する板状物を個々のデバイスに分割する板状物の分割方法であって、該外周余剰領域の外周部分を除いて、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してレーザー加工溝を形成するレーザービーム照射工程と、該レーザービーム照射工程によって形成された該レーザー加工溝に沿って該レーザー加工溝の底部及び該外周余剰領域の前記外周部分を切削ブレードで切削して、該レーザー加工溝より溝幅の狭い切削溝を形成する切削工程と、該レーザービーム照射工程で形成された前記レーザー加工溝と該外周余剰領域の前記外周部分に形成された前記切削溝との位置ずれを検出して、該レーザー加工溝に該切削ブレードを合致させる位置合わせ工程と、を具備したことを特徴とする板状物の分割方法が提供される。
好ましくは、前記位置合わせ工程は、該外周余剰領域の前記外周部分に形成された前記切削溝を切削ブレードの位置合わせ用基準線が形成された光学系を備えた撮像手段で撮像し、該基準線と該切削溝との位置ずれを検出して補正値を算出し、該レーザー加工溝に該基準線を位置合わせするとともに、該切削ブレードの位置データに該補正値を加算して該切削ブレードと該レーザー加工溝とを合致させる、各工程から構成される。
According to the present invention, a plurality of division lines are formed in a lattice shape on the surface, and a device area in which a device is formed in each of a plurality of areas partitioned by the plurality of division lines and surrounding the device area A plate-like object dividing method for dividing a plate-like object having an outer peripheral surplus area into individual devices, and irradiating a laser beam along the planned division line except for an outer peripheral part of the outer peripheral surplus area. A laser beam irradiation step for forming a laser processing groove, and a cutting blade is used to cut the bottom portion of the laser processing groove and the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region along the laser processing groove formed by the laser beam irradiation step. A cutting step of forming a cutting groove having a narrower groove width than the laser processing groove, and the laser processing groove formed in the laser beam irradiation step, A plate-like object comprising: an alignment step of detecting a positional deviation of the outer peripheral surplus region from the cutting groove formed in the outer peripheral portion and aligning the cutting blade with the laser processing groove. Are provided.
Preferably, in the alignment step, the cutting groove formed in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus area is imaged by an imaging unit including an optical system in which a reference line for alignment of a cutting blade is formed, and the reference A correction value is calculated by detecting a positional deviation between the line and the cutting groove, the reference line is aligned with the laser processing groove, and the correction value is added to the position data of the cutting blade. And each laser processing groove are made to correspond to each step.

本発明によると、レーザー加工溝の形成時に外周余剰領域の外周部分にレーザー加工溝の未形成領域が残存するため、切削ブレードで切削する際にはこのレーザー加工溝未形成領域でヘアライン合わせを実施することが可能となり、レーザー加工溝に切削溝を合致させることが可能となる。更に、レーザー加工溝未形成領域はデバイスが形成されていない外周余剰領域の外周部分に形成されるため、一枚のウエーハからデバイスの取り量を減らすことがない。   According to the present invention, when the laser processing groove is formed, an unformed region of the laser processed groove remains in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region. Therefore, when cutting with a cutting blade, hairline alignment is performed in the laser processed groove non-formed region This makes it possible to match the cutting groove with the laser processing groove. Further, since the laser processed groove non-formed region is formed in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region where the device is not formed, the amount of device taken from one wafer is not reduced.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の板状物の分割方法を実施するのに適したレーザー加工装置の概略構成図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus suitable for carrying out the plate-like object dividing method of the present invention.

レーザー加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。   The laser processing apparatus 2 includes a first slide block 6 mounted on a stationary base 4 so as to be movable in the X-axis direction. The first slide block 6 is moved along the pair of guide rails 14 in the machining feed direction, that is, the X-axis direction, by the machining feed means 12 including the ball screw 8 and the pulse motor 10.

第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。   A second slide block 16 is mounted on the first slide block 6 so as to be movable in the Y-axis direction. That is, the second slide block 16 is moved in the indexing direction, that is, the Y-axis direction along the pair of guide rails 24 by the indexing feeding means 22 constituted by the ball screw 18 and the pulse motor 20.

第2スライドブロック10上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持されたLEDウエーハ等のワークをクランプするクランパ30が設けられている。   A chuck table 28 is mounted on the second slide block 10 via a cylindrical support member 26, and the chuck table 28 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the processing feed means 12 and the index feed means 22. . The chuck table 28 is provided with a clamper 30 for clamping a work such as an LED wafer sucked and held by the chuck table 28.

静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザービーム発振手段34を収容したケーシング35が取り付けられている。レーザービーム発振手段34は、後で詳細に説明するように、加工用レーザービーム発振手段とワークのエッジ検出用レーザービーム発振手段を含んでいる。   A column 32 is erected on the stationary base 4, and a casing 35 accommodating a laser beam oscillation means 34 is attached to the column 32. The laser beam oscillation means 34 includes a processing laser beam oscillation means and a workpiece edge detection laser beam oscillation means, as will be described in detail later.

これらのレーザービーム発振手段から発振された加工用及びエッジ検出用レーザービームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36の対物レンズによって集光されてチャックテーブル28に保持されているLEDウエーハ等のワークに照射される。   The laser beam for processing and edge detection oscillated from these laser beam oscillating means is condensed by the objective lens of the condenser 36 attached to the tip of the casing 35 and held on the chuck table 28. Irradiate the workpiece.

ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列して加工用レーザービーム照射手段によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。   At the tip of the casing 35, an image pickup means 38 is arranged which is aligned with the condenser 36 in the X-axis direction and detects a processing region to be laser processed by the processing laser beam irradiation means.

撮像手段38は、可視光によって撮像する通常のCCD等の撮像素子の他に、ワークに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号は後述するコントローラ(制御手段)40に送信される。   The image pickup means 38 includes, in addition to an image pickup device such as a normal CCD that picks up an image with visible light, an infrared irradiation means for irradiating the work with infrared rays, an optical system for capturing the infrared rays irradiated by the infrared irradiation means, Infrared imaging means including an infrared imaging element such as an infrared CCD that outputs an electrical signal corresponding to the captured infrared light is included, and the captured image signal is transmitted to a controller (control means) 40 described later.

コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。   The controller 40 includes a central processing unit (CPU) 42 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 44 that stores a control program, and a random read / write that stores arithmetic results. An access memory (RAM) 46, a counter 48, an input interface 50, and an output interface 52 are provided.

56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。   Reference numeral 56 denotes a processing feed amount detection means comprising a linear scale 54 disposed along the guide rail 14 and a read head (not shown) disposed on the first slide block 6. Is input to the input interface 50 of the controller 40.

60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。   Reference numeral 60 denotes index feed amount detection means comprising a linear scale 58 disposed along the guide rail 24 and a read head (not shown) disposed on the second slide block 16. The detection signal is input to the input interface 50 of the controller 40.

撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザービーム照射手段34等に制御信号が出力される。   An image signal picked up by the image pickup means 38 is also input to the input interface 50 of the controller 40. On the other hand, a control signal is output from the output interface 52 of the controller 40 to the pulse motor 10, the pulse motor 20, the laser beam irradiation means 34, and the like.

次に図2を参照すると、本発明の板状物の分割方法を実施するのに適した切削装置(ダイシング装置)62の外観斜視図が示されている。   Next, referring to FIG. 2, there is shown an external perspective view of a cutting device (dicing device) 62 suitable for carrying out the plate-like material dividing method of the present invention.

切削装置62の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段64が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段66が設けられている。   On the front side of the cutting device 62, operating means 64 is provided for an operator to input instructions to the device such as machining conditions. In the upper part of the apparatus, there is provided display means 66 such as a CRT on which a guide screen for the operator and an image taken by an imaging means described later are displayed.

本発明の方法を適用するのに適した板状物の一種であるウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。   A wafer W which is a kind of plate-like material suitable for applying the method of the present invention is attached to a dicing tape T which is an adhesive tape, and an outer peripheral edge portion of the dicing tape T is attached to an annular frame F. .

これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図2に示したウエーハカセット68中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット68は上下動可能なカセットエレベータ69上に載置される。   As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the wafer cassette 68 shown in FIG. The wafer cassette 68 is placed on a cassette elevator 69 that can move up and down.

ウエーハカセット68の後方には、ウエーハカセット68から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット68に搬入する搬出入手段70が配設されている。   Behind the wafer cassette 68 is disposed a loading / unloading means 70 for unloading the wafer W before cutting from the wafer cassette 68 and loading the wafer after cutting into the wafer cassette 68.

ウエーハカセット68と搬出入手段70との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域72が設けられており、仮置き領域72には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段74が配設されている。   Between the wafer cassette 68 and the carry-in / out means 70, a temporary placement area 72, which is an area on which a wafer to be carried in / out, is temporarily placed, is provided. Positioning means 74 for positioning at a fixed position is provided.

仮置き領域72の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段76が配設されており、仮置き領域72に搬出されたウエーハWは、搬送手段76により吸着されてチャックテーブル78上に搬送され、このチャックテーブル78に吸引されるとともに、複数の固定手段79によりフレームFが固定されることでチャックテーブル78上に保持される。   In the vicinity of the temporary placement area 72, a transport means 76 having a swivel arm that sucks and transports the frame F integrated with the wafer W is disposed, and the wafer W carried to the temporary placement area 72 is It is sucked by the transport means 76 and transported onto the chuck table 78 and is sucked by the chuck table 78, and is held on the chuck table 78 by fixing the frame F by a plurality of fixing means 79.

チャックテーブル78は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル78のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段80が配設されている。   The chuck table 78 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 78 in the X-axis direction, an alignment unit 80 that detects a street to be cut of the wafer W is provided. It is arranged.

アライメント手段80は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段82を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段82によって取得された画像は、表示手段6に表示される。撮像手段82は、切削ブレードの位置合わせを基準線が形成された光学系を備えている。   The alignment unit 80 includes an imaging unit 82 that images the surface of the wafer W, and can detect a street to be cut by a process such as pattern matching based on an image acquired by imaging. The image acquired by the imaging unit 82 is displayed on the display unit 6. The imaging unit 82 includes an optical system in which a reference line is formed for positioning of the cutting blade.

アライメント手段80の左側には、チャックテーブル78に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段84が配設されている。切削手段84はアライメント手段80と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。   On the left side of the alignment means 80, a cutting means 84 for cutting the wafer W held on the chuck table 78 is disposed. The cutting means 84 is configured integrally with the alignment means 80, and both move in conjunction with each other in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

切削手段84は、回転可能なスピンドル86の先端に切削ブレード(ハブブレード)88が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード88は撮像手段82のX軸方向の延長線上に位置している。   The cutting means 84 is configured by attaching a cutting blade (hub blade) 88 to the tip of a rotatable spindle 86 and is movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction. The cutting blade 88 is located on the extended line of the image pickup means 82 in the X-axis direction.

図3に示すように、分割対象の半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された複数の領域にそれぞれデバイス(半導体チップ)Dが形成されている。   As shown in FIG. 3, on the surface of the semiconductor wafer W to be divided, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A device (semiconductor chip) D is formed in each of a plurality of regions partitioned by.

本発明の分割方法で分割するのに適した半導体ウエーハWは、低誘電率絶縁体被膜(low−k膜)と回路を形成する機能膜が積層された積層体によって半導体チップ(デバイス)を形成した半導体ウエーハであるか、或いはウエーハの分割予定ライン(ストリート)上にテストエレメントグループ(TEG)と呼ばれる金属パターンを部分的に配設した半導体ウエーハである。   The semiconductor wafer W suitable for dividing by the dividing method of the present invention forms a semiconductor chip (device) by a laminated body in which a low dielectric constant insulating film (low-k film) and a functional film for forming a circuit are laminated. Or a semiconductor wafer in which a metal pattern called a test element group (TEG) is partially arranged on a division line (street) of the wafer.

このような種類の半導体ウエーハは、切削ブレードを装着した切削装置で切削すると、背景技術の欄で説明したような問題があるため、レーザー加工装置によるレーザー加工溝の形成と、レーザー加工溝中に切削装置による切削溝の形成との二段階の方法によりウエーハを個々のデバイスに分割するのが好ましい。本発明の分割方法は、この二段階分割方法を採用したものである。   When this type of semiconductor wafer is cut by a cutting machine equipped with a cutting blade, there is a problem as described in the background art section. It is preferable to divide the wafer into individual devices by a two-stage method of forming a cutting groove with a cutting device. The division method of the present invention employs this two-stage division method.

本発明の分割方法による加工に先立って、図4に示すように、半導体ウエーハWはその外周縁部が環状フレームFに貼着された粘着テープであるダイシングテープTに貼着される。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となる。   Prior to processing by the dividing method of the present invention, as shown in FIG. 4, the semiconductor wafer W is attached to a dicing tape T which is an adhesive tape having an outer peripheral edge attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T.

本発明の分割方法を実施するにはまず、図1に示したレーザー加工装置2のクランパ30により環状フレームFをクランプすることにより、チャックテーブル28上にウエーハWを支持固定する。ついで、加工送り手段12及び割り出し送り手段22を駆動してウエーハWをアライメント手段を構成する撮像手段38の直下に位置付ける。   In order to carry out the dividing method of the present invention, first, the wafer W is supported and fixed on the chuck table 28 by clamping the annular frame F by the clamper 30 of the laser processing apparatus 2 shown in FIG. Next, the processing feed means 12 and the index feed means 22 are driven to position the wafer W directly below the imaging means 38 constituting the alignment means.

アライメント手段がレーザー加工すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、レーザー加工する前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWが撮像手段38の直下に位置付けられると、撮像手段38はウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を図示しない表示手段に表示させる。   An image used for pattern matching at the time of alignment in which the alignment means detects a street to be laser processed must be acquired in advance before laser processing. Therefore, when the wafer W is positioned immediately below the imaging means 38, the imaging means 38 images the surface of the wafer W and displays the captured image on a display means (not shown).

レーザー加工装置2のオペレータはパターンマッチングのターゲットとなるキーパターンを探索し、オペレータがキーパターンを決定すると、このキーパターンを含む画像がレーザー加工装置2のコントローラ40に備えたメモリ46に記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1、S2の中心線との距離を座標値等によって求め、その値もメモリ46に記憶させておく。   When the operator of the laser processing apparatus 2 searches for a key pattern to be a pattern matching target and the operator determines the key pattern, an image including the key pattern is stored in a memory 46 provided in the controller 40 of the laser processing apparatus 2. . Further, the distance between the key pattern and the center line of the streets S 1 and S 2 is obtained by a coordinate value or the like, and the value is also stored in the memory 46.

さらに、撮像手段38を移動させることにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標軸等によって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラ40のメモリ46に記憶させておく。   Further, by moving the image pickup means 38, an interval between the adjacent streets (street pitch) is obtained by a coordinate axis or the like, and the street pitch value is also stored in the memory 46 of the controller 40.

ウエーハWのストリートに沿ったレーザー加工溝の形成の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段38により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングを図示しないアライメント手段にて行う。このパターンマッチングは同一のストリートに沿った少なくとも2箇所で行う。   When forming the laser processing groove along the street of the wafer W, pattern matching between the image of the stored key pattern and the image actually acquired by the imaging unit 38 is performed by an alignment unit (not shown). This pattern matching is performed in at least two places along the same street.

そして、パターンがマッチングしたときは、チャックテーブル28をθ回転して角度を補正するとともに、割り出し送り手段22を駆動して、キーパターンとストリートの中心線との距離分だけチャックテーブル28をY軸方向に移動させることにより、レーザー加工溝を形成しようとするストリートと集光器36との位置合わせを行う。   When the patterns are matched, the chuck table 28 is rotated by θ to correct the angle, and the index feed means 22 is driven to move the chuck table 28 to the Y axis by the distance between the key pattern and the center line of the street. By moving in the direction, the street where the laser processing groove is to be formed and the condenser 36 are aligned.

レーザー加工溝を形成しようとするストリートと集光器36との位置合わせが行われた状態で、レーザービーム発振手段34を駆動してレーザービームを発振し、このレーザービームを集光器36により位置合わせされたストリートに集光して、加工送り手段12を駆動してチャックテーブル28をX軸方向に移動させる。   In a state where the street where the laser processing groove is to be formed and the condenser 36 are aligned, the laser beam oscillation means 34 is driven to oscillate the laser beam, and the laser beam is positioned by the condenser 36. The light is condensed on the aligned streets, and the machining feed means 12 is driven to move the chuck table 28 in the X-axis direction.

これにより、位置合わせされたストリートにレーザー加工溝が形成される。一般的に、ビームスポットのサイズはストリートの幅に比べて小さいので、ストリートに沿って複数状のレーザー加工溝を形成するのが好ましい。   Thereby, a laser processing groove is formed in the aligned street. In general, since the size of the beam spot is smaller than the width of the street, it is preferable to form a plurality of laser processing grooves along the street.

メモリ46に記憶されたストリートピッチずつ割り出し送り手段22によりチャックテーブル28をインデックス送りしながらレーザービームの照射を行うことにより、図5に示すように同方向の全てのストリートS1にレーザー加工溝94が形成される。更に、チャックテーブル28を90度回転させてから、上記と同様な操作を遂行すると、全てのストリートS2にもレーザー加工溝94が形成される。   By irradiating a laser beam while indexing the chuck table 28 by the index feed means 22 for each street pitch stored in the memory 46, the laser processing grooves 94 are formed in all the streets S1 in the same direction as shown in FIG. It is formed. Further, when the chuck table 28 is rotated 90 degrees and the same operation as described above is performed, the laser processing grooves 94 are formed in all the streets S2.

本発明の分割方法で重要なのは、レーザー加工溝94をウエーハWの外周余剰領域92の外周部分96を除いた領域に形成することである。よって、外周余剰領域92の外周部分96はレーザー加工溝未形成領域となる。このように、レーザービームの照射によってウエーハWのストリートにレーザー加工溝94が形成されると、low−k膜やTEGが除去される。   What is important in the dividing method of the present invention is that the laser processed groove 94 is formed in a region excluding the outer peripheral portion 96 of the outer peripheral surplus region 92 of the wafer W. Accordingly, the outer peripheral portion 96 of the outer peripheral surplus region 92 becomes a laser processed groove non-formed region. As described above, when the laser processing groove 94 is formed on the street of the wafer W by the laser beam irradiation, the low-k film and the TEG are removed.

本発明の分割方法によると、このように全てのストリートにレーザー加工溝94が形成されたウエーハWに対して、図2に示したような切削装置62を使用してレーザー加工溝94の底部に切削溝を形成し、ウエーハWを個々のデバイスDに分割する。   According to the dividing method of the present invention, the wafer W in which the laser processing grooves 94 are formed in all the streets in this way is formed on the bottom of the laser processing grooves 94 using the cutting device 62 as shown in FIG. Cutting grooves are formed, and the wafer W is divided into individual devices D.

まず、切削装置62のチャックテーブル78に図5に示したように全てのストリートにレーザー加工溝94が形成されたウエーハWを吸引保持する。ついで、チャックテーブル78をX軸方向に移動してウエーハWをアライメント手段80の撮像手段82の直下に位置付ける。ついで、撮像手段82でレーザー加工溝94周辺を撮像して、レーザー加工装置2で説明したのと同様なパターンマッチング等によるアライメントを実施する。   First, the wafer W in which the laser processing grooves 94 are formed in all the streets as shown in FIG. 5 is sucked and held on the chuck table 78 of the cutting device 62. Next, the chuck table 78 is moved in the X-axis direction so that the wafer W is positioned immediately below the imaging means 82 of the alignment means 80. Next, the periphery of the laser processing groove 94 is imaged by the imaging means 82, and alignment by pattern matching or the like similar to that described in the laser processing apparatus 2 is performed.

そして、パターンがマッチングしたときは、チャックテーブル78をθ回転して角度を補正するとともに、キーパターンとレーザー加工溝94の中心線との距離分だけ切削手段84をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするレーザー加工溝94と切削ブレード88との位置合わせを行う。   When the patterns are matched, the chuck table 78 is rotated by θ to correct the angle, and the cutting means 84 is moved in the Y-axis direction by the distance between the key pattern and the center line of the laser processing groove 94. Then, the laser processing groove 94 to be cut and the cutting blade 88 are aligned.

切削しようとするレーザー加工溝94と切削ブレード88との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル78をX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード88を高速回転させながら切削手段84を下降させると、位置合わせされたレーザー加工溝94が切削される。   When the laser processing groove 94 to be cut and the cutting blade 88 are aligned, the chuck table 78 is moved in the X-axis direction, and the cutting means 84 is lowered while the cutting blade 88 is rotated at a high speed. The aligned laser processing groove 94 is cut.

メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段84をY軸方向にインデックス送りしながら切削を行うことにより、所定方向のレーザー加工溝94が全て切削される。更に、チャックテーブル78を90度回転させてから、上記と同様の切削を行うと、所定方向に直交するレーザー加工溝94も全て切削され、ウエーハWは個々のデバイスDに分割される。   By performing cutting while indexing the cutting means 84 in the Y-axis direction by street pitches stored in the memory, all the laser processing grooves 94 in a predetermined direction are cut. Further, when the same cutting as described above is performed after the chuck table 78 is rotated by 90 degrees, all the laser processing grooves 94 orthogonal to the predetermined direction are also cut, and the wafer W is divided into the individual devices D.

切削装置62によるウエーハWの切削では、切削加工に伴ってスピンドル86には高速回転による熱膨張が生じるため、切削ブレード88の位置にはY軸方向のずれが発生する。よって、本発明の分割方法では、切削加工の途中の所定のタイミングでレーザー加工溝94と切削ブレード88を合致させる位置合わせを実施する。   In the cutting of the wafer W by the cutting device 62, thermal expansion due to high-speed rotation occurs in the spindle 86 along with the cutting, so that the position of the cutting blade 88 is displaced in the Y-axis direction. Therefore, in the dividing method of the present invention, alignment is performed so that the laser processing groove 94 and the cutting blade 88 are matched at a predetermined timing during the cutting process.

レーザー加工溝94と切削ブレード88を合致させる位置合わせ工程は、図6に示すようにレーザー加工溝未形成領域96に形成された切削溝98とレーザー加工溝94との位置ずれを検出して実施する。   The alignment process for aligning the laser processing groove 94 and the cutting blade 88 is performed by detecting a positional deviation between the cutting groove 98 formed in the laser processing groove non-formed region 96 and the laser processing groove 94 as shown in FIG. To do.

具体的には、この位置合わせ工程では、レーザー加工溝未形成領域96に形成された切削溝98を切削ブレード88の位置合わせ用基準線が形成された光学系を備えた撮像手段82で撮像し、切削ブレード88と基準線との位置ずれを検出して補正値を算出する。   Specifically, in this alignment step, the cutting groove 98 formed in the laser processing groove non-forming region 96 is imaged by the imaging means 82 having an optical system in which the alignment reference line of the cutting blade 88 is formed. Then, a positional deviation between the cutting blade 88 and the reference line is detected to calculate a correction value.

そして、切削手段84をY軸方向に移動してレーザー加工溝94に基準線を位置合わせするとともに、切削ブレード88のY座標に補正値を加算して切削ブレード88とレーザー加工溝94とを合致させる。   Then, the cutting means 84 is moved in the Y-axis direction so that the reference line is aligned with the laser processing groove 94, and the correction value is added to the Y coordinate of the cutting blade 88 to match the cutting blade 88 and the laser processing groove 94. Let

このようにレーザー加工溝未形成領域96に形成された切削溝98を利用したヘアライン合わせにより、切削溝98をレーザー加工溝94の中心に形成するように補正することができる。   Thus, the hair groove alignment using the cutting groove 98 formed in the laser processing groove non-forming region 96 can be corrected so that the cutting groove 98 is formed at the center of the laser processing groove 94.

上述した本発明の実施形態によると、ヘアライン合わせをレーザー加工溝未形成領域96に形成した切削溝98を利用して実施するため、撮像手段82で切削溝98を確実に検出することができる。更に、レーザー加工溝未形成領域96はデバイスが形成されていない外周余剰領域92の外周部分に形成されるため、デバイスの取り量を減らすことがない。   According to the embodiment of the present invention described above, since the hairline alignment is performed using the cutting groove 98 formed in the laser processing groove non-forming region 96, the cutting groove 98 can be reliably detected by the imaging means 82. Further, since the laser processed groove non-formed region 96 is formed in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region 92 where no device is formed, the amount of device taken is not reduced.

上述した実施形態では、加工途中のヘアライン合わせをレーザー加工溝未形成領域96に形成した切削溝98を利用して行っているが、レーザー加工溝未形成領域96に切削溝を形成せずに切削痕を付け、その切削痕を元に撮像手段82の基準線と切削ブレード88を合わせるようにしても良い。   In the embodiment described above, hairline alignment in the middle of processing is performed using the cutting groove 98 formed in the laser processing groove non-forming region 96, but cutting is performed without forming the cutting groove in the laser processing groove non-forming region 96. A mark may be provided, and the reference line of the imaging unit 82 and the cutting blade 88 may be matched based on the cut mark.

或いは、その切削痕とレーザー加工溝94を撮像手段82で撮像してずれ量を算出し、このずれ量を加味してレーザー加工溝94に切削ブレード88を位置付けるようにしても良い。   Alternatively, the cutting trace and the laser processing groove 94 may be imaged by the imaging unit 82 to calculate a deviation amount, and the cutting blade 88 may be positioned in the laser processing groove 94 in consideration of the deviation amount.

本発明の分割方法を実施するのに適したレーザー加工装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the laser processing apparatus suitable for implementing the division | segmentation method of this invention. 本発明の分割方法を実施するのに適した切削装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the cutting device suitable for implementing the division | segmentation method of this invention. 加工対象となるウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of the wafer used as processing object. ウエーハがダイシングテープを介して環状フレームに装着された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state with which the wafer was mounted | worn with the annular frame via the dicing tape. 全てのストリートにレーザー加工溝が形成された状態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a wafer showing the state where a laser processing groove was formed in all the streets. 全てのレーザー加工溝に沿って切削溝を形成した状態を示すウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a wafer showing the state where a cutting groove was formed along all the laser processing grooves.

符号の説明Explanation of symbols

2 レーザー加工装置
28 チャックテーブル
34 レーザービーム照射手段
36 集光器
38 撮像手段
40 コントローラ
62 切削装置
78 チャックテーブル
80 アライメント手段
82 撮像手段
84 切削手段
86 スピンドル
88 切削ブレード
90 デバイス領域
92 外周余剰領域
94 レーザー加工溝
96 レーザー加工溝未形成領域
98 切削溝
2 Laser processing apparatus 28 Chuck table 34 Laser beam irradiation means 36 Condenser 38 Imaging means 40 Controller 62 Cutting apparatus 78 Chuck table 80 Alignment means 82 Imaging means 84 Cutting means 86 Spindle 88 Cutting blade 90 Device area 92 Outer peripheral area 94 Laser Machining groove 96 Laser machining groove non-formed area 98 Cutting groove

Claims (3)

表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する板状物を個々のデバイスに分割する板状物の分割方法であって、
該外周余剰領域の外周部分を除いて、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してレーザー加工溝を形成するレーザービーム照射工程と、
該レーザービーム照射工程によって形成された該レーザー加工溝に沿って該レーザー加工溝の底部及び該外周余剰領域の前記外周部分を切削ブレードで切削して、該レーザー加工溝より溝幅の狭い切削溝を形成する切削工程と、
該レーザービーム照射工程で形成された前記レーザー加工溝と該外周余剰領域の前記外周部分に形成された前記切削溝との位置ずれを検出して、該レーザー加工溝に該切削ブレードを合致させる位置合わせ工程と、
を具備したことを特徴とする板状物の分割方法。
A plurality of division lines are formed in a lattice pattern on the surface, and a device area in which devices are formed in a plurality of areas partitioned by the plurality of division lines, and an outer peripheral surplus area surrounding the device area, A plate-like material dividing method for dividing a plate-like material having an individual device,
Excluding the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region, a laser beam irradiation step of forming a laser processing groove by irradiating a laser beam along the division planned line;
A cutting groove having a groove width narrower than that of the laser processing groove by cutting the bottom portion of the laser processing groove and the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region along the laser processing groove formed by the laser beam irradiation step. Cutting process to form,
Position where the laser processing groove formed in the laser beam irradiation step and the cutting groove formed in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus region are misaligned and the cutting blade is aligned with the laser processing groove Combining process,
A method for dividing a plate-like object, comprising:
前記位置合わせ工程は、該外周余剰領域の前記外周部分に形成された前記切削溝を切削ブレードの位置合わせ用基準線が形成された光学系を備えた撮像手段で撮像し、
該基準線と該切削溝との位置ずれを検出して補正値を算出し、
該レーザー加工溝に該基準線を位置合わせするとともに、該切削ブレードの位置データに該補正値を加算して該切削ブレードと該レーザー加工溝とを合致させる、
各工程を含むことを特徴とする請求項1記載の板状物の分割方法。
In the alignment step, the cutting groove formed in the outer peripheral portion of the outer peripheral surplus area is imaged by an imaging unit including an optical system in which a reference line for alignment of a cutting blade is formed,
Detecting a positional deviation between the reference line and the cutting groove to calculate a correction value;
Aligning the reference line with the laser processing groove, and adding the correction value to the position data of the cutting blade to match the cutting blade with the laser processing groove;
The method for dividing a plate-like object according to claim 1, comprising each step.
前記レーザービーム照射工程は前記分割予定ラインに沿って複数条のレーザー加工溝を形成する請求項1又は2記載の板状物の分割方法。   The plate-like product dividing method according to claim 1 or 2, wherein the laser beam irradiation step forms a plurality of laser-processed grooves along the planned dividing line.
JP2008150179A 2008-06-09 2008-06-09 How to divide a plate Active JP5122378B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008150179A JP5122378B2 (en) 2008-06-09 2008-06-09 How to divide a plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008150179A JP5122378B2 (en) 2008-06-09 2008-06-09 How to divide a plate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009295899A JP2009295899A (en) 2009-12-17
JP5122378B2 true JP5122378B2 (en) 2013-01-16

Family

ID=41543801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008150179A Active JP5122378B2 (en) 2008-06-09 2008-06-09 How to divide a plate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5122378B2 (en)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011187479A (en) * 2010-03-04 2011-09-22 Disco Corp Wafer processing method
JP5495876B2 (en) * 2010-03-23 2014-05-21 株式会社ディスコ Processing method of optical device wafer
JP5645585B2 (en) * 2010-10-12 2014-12-24 株式会社ディスコ Division method of optical device unit
JP5608521B2 (en) * 2010-11-26 2014-10-15 新光電気工業株式会社 Semiconductor wafer dividing method, semiconductor chip and semiconductor device
JP5839383B2 (en) * 2011-03-18 2016-01-06 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6037780B2 (en) * 2012-11-01 2016-12-07 株式会社ディスコ Processing method
JP6035127B2 (en) * 2012-11-29 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
JP6143336B2 (en) * 2013-04-01 2017-06-07 株式会社ディスコ Key pattern detection method
JP6143337B2 (en) * 2013-04-01 2017-06-07 株式会社ディスコ Key pattern detection method and alignment method
JP6283531B2 (en) * 2014-02-25 2018-02-21 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6228044B2 (en) * 2014-03-10 2017-11-08 株式会社ディスコ Processing method of plate
JP6282194B2 (en) * 2014-07-30 2018-02-21 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6478801B2 (en) * 2015-05-19 2019-03-06 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6824582B2 (en) * 2017-04-04 2021-02-03 株式会社ディスコ Processing method
JP6890885B2 (en) * 2017-04-04 2021-06-18 株式会社ディスコ Processing method
JP7062449B2 (en) * 2018-01-23 2022-05-06 株式会社ディスコ How to cut the workpiece
JP7323304B2 (en) * 2019-03-07 2023-08-08 株式会社ディスコ Workpiece division method
DE102019204457B4 (en) 2019-03-29 2024-01-25 Disco Corporation Substrate processing methods

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009295899A (en) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5122378B2 (en) How to divide a plate
JP5065637B2 (en) Wafer processing method
CN105321880B (en) Method for processing wafer
JP5060762B2 (en) Laser processing equipment
JP4694845B2 (en) Wafer division method
JP5395411B2 (en) Wafer laser processing method
JP4875532B2 (en) Cutting device
JP5122880B2 (en) Alignment method for laser processing equipment
JP4813985B2 (en) Wafer processing conditions setting method
JP2009184002A (en) Laser beam machining method
JP2010123723A (en) Laser processing method of wafer
JP2007007668A (en) Laser beam machining apparatus
JP2016219492A (en) Laser processing device
JP5722071B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and laser processing apparatus
JP2014130910A (en) Laser processing method of wafer and laser processing device
JP2008060164A (en) Laser processing method for wafer
JP2018190856A (en) Laser processing method
TWI431677B (en) Segmentation method of packaging substrate
JP5495869B2 (en) How to check laser processing groove
JP2012146831A (en) Processing position adjustment method and processing device
JP6955975B2 (en) Wafer processing method
JP4436641B2 (en) Alignment method in cutting equipment
JP2011049454A (en) Laser processing method of wafer
JP5441111B2 (en) Processing method of plate
JP2015103752A (en) Dicing device and cutting method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110518

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121017

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121023

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121024

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5122378

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250