JP5722071B2 - Semiconductor device manufacturing method and laser processing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムを個々のデバイスに沿ってアブレーション加工することによって分割するためのレーザー加工装置に関する。   The present invention divides a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by streets formed in a lattice shape on the surface into individual devices along the streets, and bonds the die bonding to the back surface of each device. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method for mounting a film and a laser processing apparatus for dividing an adhesive film mounted on the back surface of a wafer by ablating along each device.

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体デバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般に切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体デバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, devices such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by division lines (streets) formed in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, Individual semiconductor devices are manufactured by dividing each region in which the devices are formed along the streets. As a dividing device for dividing a semiconductor wafer, a cutting device is generally used. This cutting device cuts a semiconductor wafer along a street with a cutting blade having a thickness of about 20 μm. The semiconductor devices divided in this way are packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

個々に分割された半導体デバイスは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと呼ばれるダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切断することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体デバイスを形成している。   Each of the divided semiconductor devices has a die bonding adhesive film called a die attach film having a thickness of 20 to 40 μm formed of a polyimide resin, an epoxy resin, an acrylic resin or the like on the back surface thereof. Bonding is performed by heating to a die bonding frame that supports the semiconductor device via an adhesive film. As a method of attaching the adhesive film for die bonding to the back surface of the semiconductor device, the adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is attached to the dicing tape through the adhesive film, and then the semiconductor wafer By cutting along with the adhesive film with a cutting blade along the street formed on the front surface, a semiconductor device having the adhesive film mounted on the back surface is formed.

近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体デバイスが要求されている。より薄く半導体デバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と呼ばれる分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着して半導体ウエーハの裏面を研削することにより裏面に分割溝を表出させ個々の半導体デバイスに分割する技術であり、半導体デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。   In recent years, electric devices such as mobile phones and personal computers are required to be lighter and smaller, and thinner semiconductor devices are required. As a technique for dividing a semiconductor device thinner, a dividing technique called a so-called pre-dicing method has been put into practical use. In this tip dicing method, a dividing groove having a predetermined depth (a depth corresponding to the finished thickness of the semiconductor device) is formed along the street from the surface of the semiconductor wafer, and then a protective tape is applied to the surface of the semiconductor wafer. Then, by grinding the back surface of the semiconductor wafer, a dividing groove is exposed on the back surface and the semiconductor device is divided into individual semiconductor devices. The thickness of the semiconductor device can be processed to 50 μm or less.

しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体デバイスに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着して裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって半導体デバイスを支持するダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。   However, when a semiconductor wafer is divided into individual semiconductor devices by the tip dicing method, a dividing groove having a predetermined depth is formed along the street from the surface of the semiconductor wafer, and then a protective tape is attached to the surface of the semiconductor wafer. Then, since the back surface is ground and the dividing grooves are exposed on the back surface, an adhesive film for die bonding cannot be mounted on the back surface of the semiconductor wafer in advance. Therefore, when bonding to the die bonding frame that supports the semiconductor device by the first dicing method, the bonding agent must be inserted between the semiconductor device and the die bonding frame, and the bonding operation is performed smoothly. There is a problem that can not be.

このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体デバイスをダイシングテープに貼着した後、各半導体デバイス間の間隙に露出された該接着フィルムの部分に、半導体デバイスの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体デバイスの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）   In order to solve such problems, an adhesive film for die bonding is attached to the back surface of the wafer divided into individual semiconductor devices by the prior dicing method, and the semiconductor device is attached to the dicing tape via the adhesive film. After that, the portion of the adhesive film exposed in the gap between the semiconductor devices is irradiated with a laser beam through the gap from the surface side of the semiconductor device, and the portion of the adhesive film exposed in the gap is removed. A method for manufacturing a semiconductor device has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)

特開２００２−１１８０８１号公報JP 2002-118081 A

上記特許文献１に開示された半導体デバイスの製造方法においては、切削溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着しウエーハの裏面を研削してウエーハを個々の半導体デバイスに分割すると、個々に分割された半導体デバイスが移動して切削溝が蛇行する。従って、個々に分割された半導体デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着した後に、各半導体デバイス間の間隙を通してレーザー光線を照射することが困難であり、レーザー光線が各半導体デバイス間の間隙から外れて半導体デバイスに照射され、半導体デバイスが損傷されるという問題がある。   In the method of manufacturing a semiconductor device disclosed in Patent Document 1, when a protective tape is attached to the surface of a wafer in which cutting grooves are formed and the back surface of the wafer is ground to divide the wafer into individual semiconductor devices, The semiconductor device divided into two moves and the cutting grooves meander. Therefore, it is difficult to irradiate a laser beam through the gap between each semiconductor device after attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of each semiconductor device divided, and the laser beam comes off from the gap between each semiconductor device. There is a problem that the semiconductor device is irradiated with the semiconductor device and damaged.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、先ダイシング法によって分割された個々のデバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムをデバイスの品質を低下させることなく装着することができる半導体デバイスの製造方法およびレーザー加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is to attach an adhesive film for die bonding to the back surface of each device divided by the prior dicing method without degrading the quality of the device. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a laser processing apparatus.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程と、
該接着フィルム装着工程を実施した後に、ウエーハの表面側から該分割溝に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って分割する接着フィルム分割工程と、を含み、
該接着フィルム分割工程は、分割溝における各デバイス間の検出領域における溝幅を検出する溝幅検出工程と、
該溝幅検出工程によって検出されたデバイス間の溝幅が許容範囲である場合には検出領域の溝幅の中心座標値を求めるとともに、溝幅が許容範囲の上限値を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求める中心座標検出工程と、
該中心座標検出工程によって求められた隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出してレーザー光線照射位置を求めるレーザー光線照射位置算出工程と、
該レーザー光線照射位置算出工程によって求められた一次関数からなるレーザー光線照射位置に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該レーザー光線照射位置に沿って分割するレーザー光線照射工程とを含んでいる、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape on the surface is divided into individual devices along the streets. And a method for manufacturing a semiconductor device in which an adhesive film for die bonding is attached to the back surface of each device,
A split groove forming step of forming a split groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device along the street from the surface side of the wafer;
A wafer dividing step of grinding the back surface of the wafer subjected to the dividing groove forming step to expose the dividing groove on the back surface, and dividing the wafer into individual devices;
An adhesive film attaching step of attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of the wafer subjected to the wafer dividing step and supporting the adhesive film side by a dicing tape attached to an annular frame;
An adhesive film dividing step of irradiating the adhesive film with a laser beam from the surface side of the wafer along the divided grooves after dividing the adhesive film, and dividing the adhesive film along the divided grooves. ,
The adhesive film dividing step includes a groove width detecting step of detecting a groove width in a detection region between each device in the divided groove;
When the groove width between the devices detected by the groove width detection step is within an allowable range, the center coordinate value of the groove width of the detection area is obtained, and when the groove width exceeds the upper limit value of the allowable range, the center coordinate is obtained. A center coordinate detection step for obtaining the center coordinate value of the groove width of the next detection region without obtaining a value;
A laser beam irradiation position calculating step for obtaining a laser beam irradiation position by calculating a linear function connecting adjacent center coordinate values determined by the center coordinate detection step;
A laser beam irradiation step of irradiating the adhesive film with a laser beam along a laser beam irradiation position consisting of a linear function obtained by the laser beam irradiation position calculating step, and dividing the adhesive film along the laser beam irradiation position. ,
A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

また、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成され複数のストリートに沿って分割溝が形成されたウエーハの裏面に装着されたダイボンディング用の接着フィルムを該分割溝に沿って分割するためのレーザー加工装置であって、
ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを該加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工すべき領域を撮像するための撮像手段と、該撮像手段によって撮像された撮像信号に基づいて該レーザー光線照射手段と該加工送り手段と割り出し送り手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該撮像手段を作動して各分割溝における各デバイス間の検出領域における溝幅を検出する溝幅検出工程と、
該溝幅検出工程によって検出されたデバイス間の溝幅が許容範囲である場合には検出領域の溝幅の中心座標値を求めるとともに、溝幅が許容範囲の上限値を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求める中心座標検出工程と、
該中心座標検出工程によって求められた隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出してレーザー光線照射位置を求めるレーザー光線照射位置算出工程と、
該レーザー光線照射位置算出工程によって求められた一次関数からなるレーザー光線照射位置に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該レーザー光線照射位置に沿って分割するレーザー光線照射工程と、を実行する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。 Further, according to the present invention, the device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape on the surface, and is mounted on the back surface of the wafer in which the division grooves are formed along the plurality of streets. A laser processing apparatus for dividing an adhesive film for die bonding along the dividing groove,
A chuck table having a holding surface for holding a wafer, laser beam irradiation means for irradiating a wafer held on the chuck table with a laser beam, and processing and feeding the chuck table and the laser beam irradiation means relative to each other in the processing feed direction. Process feed means, index feed means for indexing and feeding the chuck table and the laser beam irradiation means in an index feed direction orthogonal to the process feed direction, and a region to be processed of the wafer held by the chuck table Image pickup means for picking up images, and control means for controlling the laser beam irradiation means, the processing feed means, and the index feed means based on an image signal picked up by the image pickup means,
The control means operates the imaging means to detect a groove width in a detection region between each device in each divided groove;
When the groove width between the devices detected by the groove width detection step is within an allowable range, the center coordinate value of the groove width of the detection area is obtained, and when the groove width exceeds the upper limit value of the allowable range, the center coordinate is obtained. A center coordinate detection step for obtaining the center coordinate value of the groove width of the next detection region without obtaining a value;
A laser beam irradiation position calculating step for obtaining a laser beam irradiation position by calculating a linear function connecting adjacent center coordinate values determined by the center coordinate detection step;
Performing a laser beam irradiation step of irradiating the adhesive film with a laser beam along a laser beam irradiation position consisting of a linear function obtained by the laser beam irradiation position calculating step, and dividing the adhesive film along the laser beam irradiation position. ,
A laser processing apparatus is provided.

上記制御手段は、上記溝幅検出工程によって検出された各デバイス間の溝幅が許容範囲の下限値より小さい場合には、表示手段にエラー表示する。   The control means displays an error on the display means when the groove width between the devices detected by the groove width detection step is smaller than the lower limit value of the allowable range.

本発明による半導体デバイスの製造方法およびレーザー加工装置における接着フィルム分割工程は、分割溝における各デバイス間の検出領域にける溝幅を検出する溝幅検出工程と、該溝幅検出工程によって検出されたデバイス間の溝幅が許容範囲である場合には検出領域の溝幅の中心座標値を求めるとともに、溝幅が許容範囲の上限値を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求める中心座標検出工程と、該中心座標検出工程によって求められた隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出してレーザー光線照射位置を求めるレーザー光線照射位置算出工程と、該レーザー光線照射位置算出工程によって求められた一次関数からなるレーザー光線照射位置に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、接着フィルムを該レーザー光線照射位置に沿って分割するレーザー光線照射工程とを含んでいるので、接着フィルムは、分割溝の幅方向中心に沿って分割される。そして、分割溝におけるデバイス間の溝幅が許容範囲を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求め、隣接する中心座標値を結ぶ一次関数からなるレーザー光線照射位置を設定しているので、例えばデバイスに欠けが発生してデバイス間の溝幅が大きくなった場合に一次関数に異常な勾配が生ずることが無い。従って、デバイスに欠けが発生してデバイス間の溝幅が大きくなった場合に、その中心座標値を結ぶ一次関数の勾配が大きくなることにより、デバイスにレーザー光線が照射されることによってデバイスが損傷するという問題を解消することができる。   The adhesive film dividing step in the semiconductor device manufacturing method and the laser processing apparatus according to the present invention was detected by the groove width detecting step for detecting the groove width in the detection region between the devices in the dividing groove, and the groove width detecting step. If the groove width between devices is within the allowable range, the center coordinate value of the groove width of the detection area is obtained. A center coordinate detection step for obtaining a center coordinate value of the groove width of the laser beam, a laser beam irradiation position calculation step for calculating a laser beam irradiation position by calculating a linear function connecting adjacent center coordinate values obtained by the center coordinate detection step, and The adhesive film is irradiated with a laser beam along a laser beam irradiation position consisting of a linear function obtained in the laser beam irradiation position calculation step. Since the adhesive film and a laser beam application step of dividing along the laser beam application position, the adhesive film is divided along the width direction center of the dividing groove. When the groove width between devices in the divided groove exceeds the allowable range, the center coordinate value of the groove width of the next detection area is obtained without obtaining the center coordinate value, and consists of a linear function that connects adjacent center coordinate values. Since the laser beam irradiation position is set, for example, when a chip occurs in the device and the groove width between the devices becomes large, an abnormal gradient does not occur in the linear function. Therefore, when chipping occurs in the device and the groove width between the devices increases, the gradient of the linear function connecting the center coordinate values increases, and the device is damaged by being irradiated with the laser beam. Can be solved.

ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。The perspective view which shows the semiconductor wafer as a wafer. 本発明によるデバイスの製造方法における分割溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the division | segmentation groove | channel formation process in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法における保護テープ貼着工程の説明図。Explanatory drawing of the masking tape sticking process in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ分割工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer division | segmentation process in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の説明図。Explanatory drawing of the adhesive film mounting process in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の他の実施形態を示す説明図。Explanatory drawing which shows other embodiment of the adhesive film mounting process in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分割工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus for implementing the adhesive film division | segmentation process in the manufacturing method of the device by this invention. 図７に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 7 is equipped. 図４に示すウエーハ分割工程によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハに形成された分割溝の状態を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state of divided grooves formed in a semiconductor wafer divided into individual devices by the wafer dividing step shown in FIG. 4. 本発明によるデバイスの製造方法において設定されるレーザー光線照射位置の説明図。Explanatory drawing of the laser beam irradiation position set in the manufacturing method of the device by this invention. 図７に示すレーザー加工装置に装備される制御手段が実行するレーザー光線照射位置検出工程のフローチャート。 本発明によるデバイスの製造方法において設定されるレーザー光線照射位置の説明図。The flowchart of the laser beam irradiation position detection process which the control means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 7 is equipped performs. Explanatory drawing of the laser beam irradiation position set in the manufacturing method of the device by this invention. 本発明によるデバイスの製造方法においてレーザー光線照射工程の説明図。Explanatory drawing of a laser beam irradiation process in the manufacturing method of the device by this invention.

以下、本発明による半導体デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a semiconductor device manufacturing method according to the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数のストリート２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割する手順について説明する。   FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer. The semiconductor wafer 2 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 600 μm, and a plurality of streets 21 are formed in a lattice shape on the surface 2a. On the surface 2 a of the semiconductor wafer 2, devices 22 such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 21 formed in a lattice shape. A procedure for dividing the semiconductor wafer 2 into individual semiconductor devices by the prior dicing method will be described.

半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々の半導体デバイスに分割するには、先ず半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図示の実施形態においては図２の(ａ)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(ａ)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り機構によって図２の(ａ)において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   In order to divide the semiconductor wafer 2 into individual semiconductor devices by the dicing method, first, a predetermined depth (a depth corresponding to the finished thickness of each device) along the street 21 formed on the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is obtained. Are formed (divided groove forming step). In the illustrated embodiment, this dividing groove forming step is performed using a cutting device 3 shown in FIG. The cutting device 3 shown in FIG. 2A is held by the chuck table 31 that holds the workpiece, the cutting means 32 that cuts the workpiece held by the chuck table 31, and the chuck table 31. An image pickup means 33 for picking up an image of the workpiece is provided. The chuck table 31 is configured to suck and hold a workpiece, and is moved in a cutting feed direction indicated by an arrow X in FIG. 2A by an unillustrated cutting feed mechanism, and an unillustrated indexing feed mechanism. Can be moved in the index feed direction indicated by the arrow Y.

上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２aで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の厚みは、図示の実施形態においては２０μｍに設定されている。上記撮像手段３３は、スピンドルハウジング３２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   The cutting means 32 includes a spindle housing 321 arranged substantially horizontally, a rotary spindle 322 rotatably supported by the spindle housing 321, and a cutting blade 323 mounted on the tip of the rotary spindle 322. The rotary spindle 322 is rotated in the direction indicated by the arrow 322a by a servo motor (not shown) disposed in the spindle housing 321. The thickness of the cutting blade 323 is set to 20 μm in the illustrated embodiment. The imaging means 33 is attached to the tip of the spindle housing 321 and illuminates the workpiece, an optical system that captures an area illuminated by the illumination means, and an image captured by the optical system. An image pickup device (CCD) or the like for picking up images is provided, and the picked-up image signal is sent to a control means (not shown).

上述した切削装置３を用いて分割溝形成工程を実施するには、図２の(ａ)に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。   In order to perform the dividing groove forming process using the cutting device 3 described above, the back surface 2b side of the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 31 as shown in FIG. By operating, the semiconductor wafer 2 is held on the chuck table 31. Therefore, the surface 2a of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 31 is on the upper side. In this way, the chuck table 31 that sucks and holds the semiconductor wafer 2 is positioned directly below the imaging means 33 by a cutting feed mechanism (not shown).

チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。   When the chuck table 31 is positioned immediately below the image pickup means 33, an alignment operation for detecting a cutting region in which the division grooves are to be formed along the streets 21 of the semiconductor wafer 2 is executed by the image pickup means 33 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 33 and a control unit (not shown) execute image processing such as pattern matching for aligning the street 21 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 and the cutting blade 323, and cutting region Alignment is performed (alignment process). In addition, the alignment of the cutting area is similarly performed on the street 21 formed on the semiconductor wafer 2 and extending at right angles to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード３２３を図２の(ａ)において矢印３２２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２３の外周縁が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、５０μｍ）に設定されている。このようにして、切削ブレード３２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２３を回転しつつチャックテーブル３１を図２の(ａ)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、図２の（ｂ）に示すようにストリート２１に沿って幅が２０μｍでデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、５０μｍ）の分割溝２１０が形成される（分割溝形成工程）。   When the alignment for detecting the cutting area of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 31 is performed as described above, the chuck table 31 holding the semiconductor wafer 2 is moved to the cutting start position of the cutting area. . Then, the cutting blade 323 is moved downward while rotating in the direction indicated by the arrow 322a in FIG. The cutting feed position is set such that the outer peripheral edge of the cutting blade 323 is a depth position (for example, 50 μm) corresponding to the finished thickness of the device from the surface of the semiconductor wafer 2. When the cutting blade 323 is cut and fed in this way, the chuck table 31 is cut and fed in the direction indicated by the arrow X in FIG. As shown in FIG. 5B, a dividing groove 210 having a width (20 μm) and a depth (for example, 50 μm) corresponding to the finished thickness of the device is formed along the street 21 (dividing groove forming step).

上述した分割溝形成工程を実施することにより半導体ウエーハ２の表面２ａにストリート２１に沿って所定深さの分割溝２１０を形成したら、図３の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス２２が形成されている面）に、保護テープ４を貼着する（保護テープ貼着工程）。   When the divided groove 210 having a predetermined depth is formed along the street 21 on the surface 2a of the semiconductor wafer 2 by performing the above-described divided groove forming step, the semiconductor wafer is formed as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). The protective tape 4 is stuck on the surface 2a of 2 (the surface on which the device 22 is formed) (protective tape sticking step).

次に、保護テープ４が貼着された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２１０を裏面２ｂに表出させて半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図４の（ａ）に示す研削装置5を用いて実施する。図４の（ａ）に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している。この研削装置５を用いて上記ウエーハ分割工程を実施するには、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の保護テープ４側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。従って、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにして、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削し、図４の（ｂ）に示すように分割溝２１０が裏面２ｂに表出するまで研削する。このように分割溝２１０が表出するまで研削することによって、図４の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は個々のデバイス２２に分割される。なお、分割された複数のデバイス２２は、その表面に保護テープ４が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。   Next, a wafer dividing step is performed in which the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 to which the protective tape 4 is attached is ground, the dividing grooves 210 are exposed on the back surface 2b, and the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices 22. This wafer dividing step is performed using a grinding apparatus 5 shown in FIG. 4A includes a chuck table 51 that holds a workpiece, and a grinding unit 53 that includes a grinding wheel 52 for grinding the workpiece held on the chuck table 51. It has. In order to perform the wafer dividing step using the grinding apparatus 5, the protective tape 4 side of the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 51, and the suction means (not shown) is operated to bring the semiconductor wafer 2 into the chuck table. Hold on 51. Therefore, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 51 is on the upper side. If the semiconductor wafer 2 is held on the chuck table 51 in this way, the grinding wheel 52 of the grinding means 53 is moved in the direction indicated by the arrow 52a while the chuck table 51 is rotated in the direction indicated by the arrow 51a, for example, at 300 rpm. For example, while rotating at 6000 rpm, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is brought into contact with the surface and ground, and grinding is performed until the dividing groove 210 appears on the back surface 2b as shown in FIG. By grinding until the dividing grooves 210 are exposed in this way, the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices 22 as shown in FIG. In addition, since the protective tape 4 is stuck on the surface of the plurality of divided devices 22, the form of the semiconductor wafer 2 is maintained without being separated.

上述したウエーハ分割工程を実施したならば、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程を実施する。即ち、図５の（ａ）および（ｂ）に示すように個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム６を装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、接着フィルム６は、エポキシ系樹脂で形成されており、厚さが２０μｍのフィルム材からなっている。このようにして半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム６を装着したならば、図５の（ｃ）に示すように接着フィルム６が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム６側を環状のフレームFに装着された伸張可能なダイシングテープTに貼着する。従って、半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護テープ４は上側となる。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４を剥離する。   When the wafer dividing step described above is performed, a dicing tape in which an adhesive film for die bonding is attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into individual devices 22 and the adhesive film side is attached to an annular frame. The adhesive film mounting process to support by is implemented. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, the adhesive film 6 is mounted on the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into the individual devices 22. At this time, the adhesive film 6 is pressed and attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 while being heated at a temperature of 80 to 200 ° C. The adhesive film 6 is formed of an epoxy resin and is made of a film material having a thickness of 20 μm. When the adhesive film 6 is attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 in this way, the adhesive film 6 side of the semiconductor wafer 2 to which the adhesive film 6 is attached is connected to the annular frame F as shown in FIG. Affix to the dicing tape T that can be stretched. Accordingly, the protective tape 4 attached to the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is on the upper side. Then, the protective tape 4 attached to the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is peeled off.

上述した接着フィルム装着工程の他の実施形態について、図6を参照して説明する。
図6に示す実施形態は、ダイシングテープTの表面に予め接着フィルム６が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する。即ち、図6の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム6に、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。なお、上記ダイシングテープTは、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートかならっている。このように接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、ダイシングテープTの表面に貼着された接着フィルム6に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着することにより、接着フィルム6が装着された半導体ウエーハ２が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTによって支持される。そして、図6の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着されている保護テープ４を剥離する。 Another embodiment of the above-described adhesive film mounting step will be described with reference to FIG.
The embodiment shown in FIG. 6 uses a dicing tape with an adhesive film in which an adhesive film 6 is previously attached to the surface of the dicing tape T. That is, as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the adhesive film 6 attached to the surface of the dicing tape T having the outer peripheral portion attached so as to cover the inner opening of the annular frame F is individually applied. The rear surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into the devices 22 is mounted. At this time, the adhesive film 6 is pressed and attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 while being heated at a temperature of 80 to 200 ° C. The dicing tape T is made of a polyolefin sheet having a thickness of 95 μm in the illustrated embodiment. When a dicing tape with an adhesive film is used in this way, the semiconductor with the adhesive film 6 attached by attaching the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 to the adhesive film 6 adhered to the front surface of the dicing tape T. The wafer 2 is supported by a dicing tape T mounted on an annular frame F. Then, as shown in FIG. 6B, the protective tape 4 adhered to the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is peeled off.

上述した接着フィルム装着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２a側から分割溝２１０に沿って接着フィルム６にレーザー光線を照射し、接着フィルム６を分割溝２１０に沿って分割する接着フィルム分割工程を実施する。この接着フィルム分割工程は、図７に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図７に示すレーザー加工装置７は、静止基台７０と、該静止基台７０に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物であるウエーハを保持するチャックテーブル機構８と、静止基台７０に上記Ｘ軸方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構９と、該レーザー光線照射ユニット支持機構９に矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット１０とを具備している。   When the above-described adhesive film mounting step is performed, the adhesive film dividing is performed by irradiating the adhesive film 6 with the laser beam along the dividing groove 210 from the surface 2a side of the semiconductor wafer 2 and dividing the adhesive film 6 along the dividing groove 210. Perform the process. This adhesive film dividing step is performed using a laser processing apparatus shown in FIG. A laser processing apparatus 7 shown in FIG. 7 holds a wafer that is a workpiece, which is disposed on a stationary base 70 and is movable on the stationary base 70 in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X. A chuck table mechanism 8, a laser beam irradiation unit support mechanism 9 disposed on the stationary base 70 so as to be movable in an indexing feed direction (Y axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the X axis direction, and the laser beam irradiation unit The support mechanism 9 is provided with a laser beam irradiation unit 10 disposed so as to be movable in a condensing point position adjustment direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z.

上記チャックテーブル機構８は、静止基台７０上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール８１、８１と、該案内レール８１、８１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック８２と、該第１の滑動ブロック８２上にY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック８３と、該第２の滑動ブロック８３上に円筒部材８４によって支持された支持テーブル８５と、チャックテーブル８６を具備している。このチャックテーブル８６は多孔性材料から形成された吸着チャック８６１を具備しており、吸着チャック８６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル８６は、円筒部材８４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル８６には、上記環状のフレームFを固定するためのクランプ８６２が配設されている。   The chuck table mechanism 8 is disposed on a stationary base 70 in parallel along the X-axis direction and a pair of guide rails 81, 81, and is arranged on the guide rails 81, 81 so as to be movable in the X-axis direction. A first sliding block 82 provided, a second sliding block 83 movably disposed on the first sliding block 82 in the Y-axis direction, and a cylindrical member on the second sliding block 83 A support table 85 supported by 84 and a chuck table 86 are provided. The chuck table 86 includes a suction chuck 861 formed of a porous material, and holds, for example, a circular semiconductor wafer as a workpiece on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 861 by suction means (not shown). It is supposed to be. The chuck table 86 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 84. The chuck table 86 is provided with a clamp 862 for fixing the annular frame F.

上記第１の滑動ブロック８２は、その下面に上記一対の案内レール８１、８１と嵌合する一対の被案内溝８２１、８２１が設けられているとともに、その上面にＸ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール８２２、８２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック８２は、被案内溝８２１、８２１が一対の案内レール８１、８１に嵌合することにより、一対の案内レール８１、８１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構８は、第１の滑動ブロック８２を一対の案内レール８１、８１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段８７を具備している。加工送り手段８７は、上記一対の案内レール８１と８１の間に平行に配設された雄ネジロッド８７１と、該雄ネジロッド８７１を回転駆動するためのパルスモータ８７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド８７１は、その一端が上記静止基台７０に固定された軸受ブロック８７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ８７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド８７１は、第１の滑動ブロック８２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ８７２によって雄ネジロッド８７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック８２は案内レール８１、８１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。   The first sliding block 82 is provided with a pair of guided grooves 821 and 821 fitted to the pair of guide rails 81 and 81 on the lower surface thereof, and parallel to the upper surface along the X-axis direction. A pair of formed guide rails 822 and 822 are provided. The first sliding block 82 configured in this manner moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 81 and 81 by the guided grooves 821 and 821 fitting into the pair of guide rails 81 and 81. Configured to be possible. The chuck table mechanism 8 in the illustrated embodiment includes processing feed means 87 for moving the first sliding block 82 along the pair of guide rails 81 and 81 in the X-axis direction. The processing feed means 87 includes a male screw rod 871 disposed in parallel between the pair of guide rails 81 and 81, and a drive source such as a pulse motor 872 for rotationally driving the male screw rod 871. One end of the male screw rod 871 is rotatably supported by a bearing block 873 fixed to the stationary base 70, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 872. The male screw rod 871 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the center portion of the first sliding block 82. Therefore, the first slide block 82 is moved in the X-axis direction along the guide rails 81 and 81 by driving the male screw rod 871 forward and backward by the pulse motor 872.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置７は、上記チャックテーブル８６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段８７４を備えている。加工送り量検出手段８７４は、案内レール８１に沿って配設されたリニアスケール８７４aと、第１の滑動ブロック８２に配設され第１の滑動ブロック８２とともにリニアスケール８７４aに沿って移動する読み取りヘッド８７４bとからなっている。この加工送り量検出手段８７４の読み取りヘッド８７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル８６の加工送り量を検出する。   The laser processing apparatus 7 in the illustrated embodiment includes processing feed amount detection means 874 for detecting the processing feed amount of the chuck table 86. The processing feed amount detecting means 874 includes a linear scale 874a disposed along the guide rail 81 and a read head disposed along the linear scale 874a together with the first sliding block 82 and disposed along the first sliding block 82. 874b. In the illustrated embodiment, the reading head 874b of the processing feed amount detecting means 874 sends a pulse signal of 1 pulse to the control means to be described later every 1 μm. Then, the control means to be described later detects the machining feed amount of the chuck table 86 by counting the input pulse signals.

上記第２の滑動ブロック８３は、その下面に上記第１の滑動ブロック８２の上面に設けられた一対の案内レール８２２、８２２と嵌合する一対の被案内溝８３１、８３１が設けられており、この被案内溝８３１、８３１を一対の案内レール８２２、８２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構８は、第２の滑動ブロック８３を第１の滑動ブロック８２に設けられた一対の案内レール８２２、８２２に沿ってY軸方向に移動させるための第１の割り出し送り手段８８を具備している。第１の割り出し送り手段８８は、上記一対の案内レール８２２と８２２の間に平行に配設された雄ネジロッド８８１と、該雄ネジロッド８８１を回転駆動するためのパルスモータ８８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド８８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック８２の上面に固定された軸受ブロック８８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ８８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド８８１は、第２の滑動ブロック８３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ８８２によって雄ネジロッド８８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック８３は案内レール８２２、８２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。   The second sliding block 83 is provided with a pair of guided grooves 831 and 831 which are fitted to a pair of guide rails 822 and 822 provided on the upper surface of the first sliding block 82 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 831 and 831 to the pair of guide rails 822 and 822, the guided grooves 831 and 831 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 8 in the illustrated embodiment includes a first index for moving the second slide block 83 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 822 and 822 provided on the first slide block 82. A feeding means 88 is provided. The first index feed means 88 includes a male screw rod 881 disposed in parallel between the pair of guide rails 822 and 822, and a drive source such as a pulse motor 882 for driving the male screw rod 881 to rotate. It is out. One end of the male screw rod 881 is rotatably supported by a bearing block 883 fixed to the upper surface of the first slide block 82, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 882. The male screw rod 881 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the center portion of the second sliding block 83. Therefore, the second slide block 83 is moved in the Y-axis direction along the guide rails 822 and 822 by driving the male screw rod 881 forward and backward by the pulse motor 882.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置７は、上記第２の滑動ブロック８３の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段８８４を備えている。割り出し送り量検出手段８８４は、案内レール８２２に沿って配設されたリニアスケール８８４aと、第２の滑動ブロック８３に配設され第２の滑動ブロック８３とともにリニアスケール８８４aに沿って移動する読み取りヘッド８８４bとからなっている。この割り出し送り量検出手段８８４の読み取りヘッド８８４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル８６の割り出し送り量を検出する。   The laser processing apparatus 7 in the illustrated embodiment includes index feed amount detection means 884 for detecting the index processing feed amount of the second sliding block 83. The index feed amount detection means 884 includes a linear scale 884a disposed along the guide rail 822 and a read head disposed along the linear scale 884a along with the second sliding block 83 disposed along the second sliding block 83. 884b. In the illustrated embodiment, the reading head 884b of the index feed amount detection means 884 sends a pulse signal of 1 pulse to the control means described later for every 1 μm. Then, the control means described later detects the index feed amount of the chuck table 86 by counting the input pulse signals.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構９は、静止基台７０上にY軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール９１、９１と、該案内レール９１、９１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台９２を具備している。この可動支持基台９２は、案内レール９１、９１上に移動可能に配設された移動支持部９２１と、該移動支持部９２１に取り付けられた装着部９２２とからなっている。装着部９２２は、一側面にZ軸方向に延びる一対の案内レール９２３、９２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構９は、可動支持基台９２を一対の案内レール９１、９１に沿ってY軸方向に移動させるための第２の割り出し送り手段９３を具備している。第２の割り出し送り手段９３は、上記一対の案内レール９１、９１の間に平行に配設された雄ネジロッド９３１と、該雄ネジロッド９３１を回転駆動するためのパルスモータ９３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド９３１は、その一端が上記静止基台７０に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ９３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド９３１は、可動支持基台９２を構成する移動支持部９２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ９３２によって雄ネジロッド９３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台９２は案内レール９１、９１に沿ってY軸方向に移動せしめられる。   The laser beam irradiation unit support mechanism 9 includes a pair of guide rails 91 and 91 disposed in parallel along the Y-axis direction on the stationary base 70, and a direction indicated by an arrow Y on the guide rails 91 and 91. A movable support base 92 is provided so as to be movable. The movable support base 92 includes a moving support portion 921 that is movably disposed on the guide rails 91 and 91, and a mounting portion 922 that is attached to the moving support portion 921. The mounting portion 922 is provided with a pair of guide rails 923 and 923 extending in the Z-axis direction on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 9 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 93 for moving the movable support base 92 along the pair of guide rails 91 and 91 in the Y-axis direction. The second index feeding means 93 includes a male screw rod 931 disposed in parallel between the pair of guide rails 91, 91, and a drive source such as a pulse motor 932 for rotationally driving the male screw rod 931. It is out. One end of the male screw rod 931 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 70, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 932 by transmission. The male screw rod 931 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 921 constituting the movable support base 92. Therefore, the movable support base 92 is moved in the Y-axis direction along the guide rails 91 and 91 by driving the male screw rod 931 forward and backward by the pulse motor 932.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット１０は、ユニットホルダ１０１と、該ユニットホルダ１０１に取り付けられたレーザー光線照射手段１０２を具備しており、ユニットホルダ１０１が上記可動支持基台９２の装着部９２２に一対の案内レール９２３、９２３に沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動可能に支持される。レーザー光線照射手段１０２は、ユニットホルダ１０１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング１０３と、該ケーシング１０３内に配設されたＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器等のレーザー光線発振手段（図示せず）と、ケーシング１０３の先端に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル８６に保持された被加工物に照射する集光器１０４を具備している。   The laser beam irradiation unit 10 in the illustrated embodiment includes a unit holder 101 and laser beam irradiation means 102 attached to the unit holder 101, and the unit holder 101 is paired with the mounting portion 922 of the movable support base 92. Are supported so as to be movable in the condensing point position adjustment direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z along the guide rails 923, 923. The laser beam irradiation means 102 is a cylindrical casing 103 fixed to the unit holder 101 and extending substantially horizontally, and a laser beam oscillation means (not shown) such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator disposed in the casing 103. And a condenser 104 for condensing the pulse laser beam oscillated from the laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held on the chuck table 86.

上記レーザー光線照射手段１０２を構成するケーシング１０３の前端部には、上記レーザー光線照射手段１０２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段１０５が配設されている。この撮像手段１０５は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。   An imaging means 105 for detecting a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation means 102 is disposed at the front end portion of the casing 103 constituting the laser beam irradiation means 102. The imaging unit 105 includes an illuminating unit that illuminates the workpiece, an optical system that captures an area illuminated by the illuminating unit, an imaging device (CCD) that captures an image captured by the optical system, and the like. The captured image signal is sent to the control means described later.

図７に基づいて説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置７は、ユニットホルダ１０１を可動支持基台９２の装着部９２２に設けられた一対の案内レール９２３、９２３に沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）即ちチャックテーブル８６の保持面に対して垂直な方向に移動させるための集光点位置調整手段１０６を具備している。集光点位置調整手段１０６は、一対の案内レール９２３、９２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ１０６a等の駆動源を含んでおり、パルスモータ１０６aによって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、上記レーザー光線照射ユニット１０を案内レール９２３、９２３に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ１０６aを正転駆動することによりレーザー光線照射ユニット１０を上方に移動し、パルスモータ１０６aを逆転駆動することによりレーザー光線照射ユニット１０を下方に移動するようになっている。   Continuing the description with reference to FIG. 7, the laser processing apparatus 7 in the illustrated embodiment includes the unit holder 101 along the pair of guide rails 923 and 923 provided on the mounting portion 922 of the movable support base 92. The condensing point position adjusting means 106 for moving in the condensing point position adjusting direction (Z-axis direction) shown in FIG. The condensing point position adjusting means 106 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 923 and 923, and a driving source such as a pulse motor 106a for rotationally driving the male screw rod. Thus, the laser beam irradiation unit 10 is moved along the guide rails 923 and 923 in the Z-axis direction by driving the male screw rod (not shown) in the forward and reverse directions by the pulse motor 106a. In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation unit 10 is moved upward by driving the pulse motor 106a forward, and the laser beam irradiation unit 10 is moved downward by driving the pulse motor 106a in reverse. Yes.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置７は、図８に示す制御手段１１を具備している。制御手段１１はマイクロコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１１１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１１２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１１３と、入力インターフェース１１４および出力インターフェース１１５とを備えている。このように構成された制御手段１１の入力インターフェース１１４には、加工送り量検出手段８７４、割り出し送り量検出手段８８４、撮像手段１０５等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース１１５からは、上記加工送り手段８７のパルスモータ８７２、第１の割り出し送り手段８８のパルスモータ８８２、第２の割り出し送り手段９３のパルスモータ９３２、レーザー光線照射手段１０２、集光点位置調整手段１０６のパルスモータ１０６a、表示手段１１６等に制御信号を出力する。   The laser processing apparatus 7 in the illustrated embodiment includes a control means 11 shown in FIG. The control means 11 is constituted by a microcomputer, and a central processing unit (CPU) 111 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 112 that stores a control program and the like, and a read / write that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 113, an input interface 114, and an output interface 115. Detection signals from the machining feed amount detection means 874, the index feed amount detection means 884, the imaging means 105, and the like are input to the input interface 114 of the control means 11 configured as described above. From the output interface 115, the pulse motor 872 of the machining feed means 87, the pulse motor 882 of the first index feed means 88, the pulse motor 932 of the second index feed means 93, the laser beam irradiation means 102, the condensing point. A control signal is output to the pulse motor 106a of the position adjusting means 106, the display means 116, and the like.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置７は以上のように構成されており、以下、レーザー加工装置７を用いて実施する半導体ウエーハ２の表面２a側から分割溝２１０に沿って接着フィルム６にレーザー光線を照射し、接着フィルム６を分割溝２１０に沿って分割する接着フィルム分割工程について説明する。
接着フィルム分割工程を実施するには、上記図５および図６に示すように環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持された半導体ウエーハ２（個々のデバイス２２に分割されているとともに裏面２ｂに接着フィルム６が装着されている）は、図７に示すレーザー加工装置７のチャックテーブル８６上にダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２は、ダイシングテープTを介してチャックテーブル８６上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ８６２によって固定される。 The laser processing apparatus 7 in the illustrated embodiment is configured as described above. Hereinafter, a laser beam is applied to the adhesive film 6 along the dividing groove 210 from the surface 2a side of the semiconductor wafer 2 to be implemented using the laser processing apparatus 7. An adhesive film dividing step of irradiating and dividing the adhesive film 6 along the dividing groove 210 will be described.
In order to perform the adhesive film dividing step, as shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor wafer 2 (divided into individual devices 22 and back surface 2b supported on an annular frame F via a dicing tape T is used. The adhesive film 6 is mounted on the dicing tape T side on the chuck table 86 of the laser processing apparatus 7 shown in FIG. Then, the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 86 via the dicing tape T by operating a suction means (not shown). The annular frame F is fixed by a clamp 862.

上述したようにチャックテーブル８６上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、加工送り手段８７を作動してチャックテーブル８６を撮像手段１０５の直下の撮像領域に位置付ける。そして、チャックテーブル８６に保持された半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６のレーザー加工すべきレーザー光線照射位置を検出するレーザー光線照射位置検出工程を実施する。   As described above, when the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 86, the processing feed unit 87 is operated to position the chuck table 86 in the imaging region immediately below the imaging unit 105. Then, a laser beam irradiation position detecting step for detecting a laser beam irradiation position to be laser processed of the adhesive film 6 mounted on the back surface of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 86 is performed.

ここで、チャックテーブル８６上にダイシングテープTを介して保持された半導体ウエーハ２の個々に分割されたデバイス２２の配列について説明する。
上記図２に示す分割溝形成工程において半導体ウエーハ２の表面側に形成された分割溝２１０はストリート２１に沿って正確に形成されているが、上記図４に示すウエーハ分割工程において半導体ウエーハ２の裏面を研削して半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割すると、図９に示すようにデバイス２２がズレて分割溝２１０が蛇行したり、一部のデバイス２２に欠け２２aが発生している場合がある。 Here, the arrangement of the individually divided devices 22 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 86 via the dicing tape T will be described.
The dividing groove 210 formed on the surface side of the semiconductor wafer 2 in the dividing groove forming step shown in FIG. 2 is accurately formed along the street 21. In the wafer dividing step shown in FIG. When the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices 22 by grinding the back surface, the devices 22 are displaced as shown in FIG. 9, and the dividing grooves 210 meander, or some devices 22 have chippings 22a. There is.

図９に示す半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム６のレーザー加工すべきレーザー光線照射位置を検出するレーザー光線照射位置検出工程は、図１０に示すように分割溝２１０における各デバイス２２間を撮像手段１０５の撮像領域に順次位置付けて実施する。即ち、図１０においてNo.1〜No.６の検出領域を順次撮像手段１０５の撮像領域に位置付ける。そして、撮像手段１０５は、各検出領域においてデバイス２２間を含む撮像領域を撮像し、撮像信号を制御手段１１に送る。この撮像手段１０５からの撮像信号に基づいて制御手段１１が実行するレーザー光線照射位置の検出手順について、図１１に示すフローチャートに基づいて説明する。制御手段１１は、ステップS1において撮像手段１０５からの撮像信号を入力する。次に制御手段１１はステップS2に進んで、撮像手段１０５からの撮像信号に基づいてデバイス２２間の溝幅(B)を検出し、この溝幅(B)が許容範囲の下限値（A1：たとえば１０μｍ）以下であるか否かをチェックする。溝幅(B)が下限値（A1：たとえば１０μｍ）以下である場合には、制御手段１１は溝幅(B)が狭く、溝幅(B)を通してレーザー光線を照射することが難しく、デバイス２２を損傷させる虞があると判断し、ステップS３に進んで表示手段１１６にエラー表示してこのルーチンを終了する。このようにエラー表示された半導体ウエーハ２は、レーザー加工による接着フィルム６の分割が困難であるため、チャックテーブル８６から除去し、次の半導体ウエーハ２をチャックテーブル８６に保持してレーザー光線照射位置検出工程を実施する。   The laser beam irradiation position detecting step for detecting the laser beam irradiation position to be laser-processed of the adhesive film 6 mounted on the back surface of the semiconductor wafer 2 shown in FIG. 9 images between the devices 22 in the dividing groove 210 as shown in FIG. This is performed by sequentially positioning in the imaging area of the means 105. That is, the detection areas No. 1 to No. 6 in FIG. Then, the imaging unit 105 images an imaging region including between the devices 22 in each detection region, and sends an imaging signal to the control unit 11. The detection procedure of the laser beam irradiation position performed by the control unit 11 based on the imaging signal from the imaging unit 105 will be described based on the flowchart shown in FIG. The control means 11 inputs an image pickup signal from the image pickup means 105 in step S1. Next, the control means 11 proceeds to step S2, detects the groove width (B) between the devices 22 based on the imaging signal from the imaging means 105, and this groove width (B) is the lower limit value (A1: For example, it is checked whether it is 10 μm or less. When the groove width (B) is not more than the lower limit (A1: 10 μm, for example), the control means 11 has a narrow groove width (B), and it is difficult to irradiate a laser beam through the groove width (B). It is determined that there is a risk of damage, the process proceeds to step S3, an error is displayed on the display means 116, and this routine is terminated. Since the semiconductor wafer 2 thus displayed in error is difficult to divide the adhesive film 6 by laser processing, it is removed from the chuck table 86, and the next semiconductor wafer 2 is held on the chuck table 86 to detect the laser beam irradiation position. Perform the process.

上記ステップS2において溝幅(B)が下限値（A1：たとえば１０μｍ）より大きい場合には、制御手段１１はステップS４に進んで溝幅(B)が許容範囲の上限値（A2：たとえば５０μｍ）以下であるか否かをチェックする。溝幅(B)が許容範囲の上限値（A2：たとえば５０μｍ）より大きい場合は、制御手段１１はデバイス２２の単なるズレではなく図１０におけるNo.４の検出位置のようにデバイス２２に欠け２２ａが発生していると判断し、ステップS6に進む。ステップS4において溝幅(B)が許容範囲の上限値（A2：たとえば５０μｍ）以下の場合には、制御手段１１はステップS５に進んで図１０に示すように溝幅(B)の中心座標値（ｘ、ｙ）を求め、この座標値をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１１３に格納する。なお、上記ステップS４において溝幅(B)が許容範囲の上限値（A2：たとえば５０μｍ）より大きい場合（図１０においてNo.4の検出位置）には、溝幅(B)の中心座標値（ｘ、ｙ）を求めずに、この検出位置を飛ばして次の検出位置における溝幅を検出するためにステップS6に進む。   When the groove width (B) is larger than the lower limit value (A1: 10 μm) in step S2, the control means 11 proceeds to step S4, and the groove width (B) is the upper limit value (A2: 50 μm) of the allowable range. Check if it is: When the groove width (B) is larger than the upper limit of the allowable range (A2: 50 μm, for example), the control means 11 is not a simple displacement of the device 22, but is missing from the device 22 as in the detection position No. 4 in FIG. Is determined to have occurred, and the process proceeds to step S6. In step S4, if the groove width (B) is less than or equal to the upper limit of the allowable range (A2: 50 μm, for example), the control means 11 proceeds to step S5 and the center coordinate value of the groove width (B) as shown in FIG. (X, y) is obtained, and this coordinate value is stored in the random access memory (RAM) 113. When the groove width (B) is larger than the upper limit (A2: 50 μm, for example) of the allowable range in step S4 (No. 4 detection position in FIG. 10), the center coordinate value of the groove width (B) ( Without obtaining x, y), the process proceeds to step S6 in order to skip this detection position and detect the groove width at the next detection position.

次に、制御手段１１はステップS６に進んで次の検出位置があるか否かをチェックし、次の検出位置がある場合には、制御手段１１はステップS７に進んで次の検出領域を撮像手段１０５の撮像領域に位置付けて、上記ステップS１に戻る。一方、ステップS6において次の検出位置が無い場合には、制御手段１１はステップS8に進んで、隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出し、この一次関数を連結することによってレーザー光線照射位置２１１を求め、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１１３に格納する。なお、上記溝幅(B)の中心座標値（ｘ、ｙ）はデバイス２２のＸ軸方向における中間位置を検出しているので、レーザー光線照射位置２１１の両端である始点と終点は溝幅(B)の両端の中心座標値（ｘ、ｙ）をY軸と平行に結んだ位置とする。   Next, the control means 11 proceeds to step S6 and checks whether or not there is a next detection position. If there is a next detection position, the control means 11 proceeds to step S7 and images the next detection area. Positioning in the imaging area of the means 105, the process returns to step S1. On the other hand, if there is no next detection position in step S6, the control means 11 proceeds to step S8, calculates a linear function connecting adjacent central coordinate values, and connects the linear functions to thereby combine the laser beam irradiation position 211. And stored in a random access memory (RAM) 113. Since the center coordinate value (x, y) of the groove width (B) detects the intermediate position of the device 22 in the X-axis direction, the start point and the end point at both ends of the laser beam irradiation position 211 are the groove width (B ) Are the positions where the center coordinate values (x, y) at both ends are connected in parallel with the Y axis.

次に、上述したレーザー光線照射位置検出工程によって求められたレーザー光線照射位置２１１に沿ってレーザー光線を照射し接着フィルム６を分割するレーザー光線照射工程を実施する。
レーザー光線照射工程は、先ずチャックテーブル８６をレーザー光線照射手段１０２の集光器１０４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図１２の(a)に示すように所定の分割溝２１０に沿って求めた上記レーザー光線照射位置２１１の一端（図１２の(a)において左端）をレーザー光線照射手段１０２の集光器１０４の直下に位置付ける。そして、レーザー光線照射手段１０２を作動して集光器１０４から接着フィルム６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LBを照射しつつチャックテーブル８６を図１２の(a)において矢印X1で示す方向に移動せしめる。このとき、制御手段１１は、加工送り手段８７および第１の割り出し送り手段８８を制御して上記レーザー光線照射位置２１１に沿ってチャックテーブル８６を移動する。そして、図１２の(b)に示すように分割溝２１０の他端（図１２の(b)において右端）が集光器１０４の照射位置に達したら、レーザー光線照射手段１０２の作動を停止するとともに加工送り手段８７および第１の割り出し送り手段８８の作動を停止する。この結果、接着フィルム６は、図１２の(c)に示すように分割溝２１０の幅方向中心に沿って分割され分断溝６０が形成される。なお、上記図１０におけるNo.4の検出位置のように分割溝２１０におけるデバイス２２間の溝幅(B)が上限値を超える場合には中心座標値は検出せず、次の検出位置の中心座標値を検出して隣接する中心座標値を結ぶ一次関数からなるレーザー光線照射位置２１１を設定しているので、一次関数に異常な勾配が生ずることが無い。従って、デバイス２２に欠けが発生してデバイス２２間の溝幅(B)が大きくなった場合に、その中心座標値を結ぶ一次関数の勾配が大きくなることにより、デバイス２２にレーザー光線が照射されることによってデバイス２２が損傷するという問題を解消することができる。 Next, a laser beam irradiation step of dividing the adhesive film 6 by irradiating the laser beam along the laser beam irradiation position 211 obtained by the laser beam irradiation position detecting step described above is performed.
In the laser beam irradiation step, first, the chuck table 86 is moved to a laser beam irradiation region where the condenser 104 of the laser beam irradiation means 102 is located, and the above-mentioned obtained along the predetermined dividing groove 210 as shown in FIG. One end of the laser beam irradiation position 211 (left end in FIG. 12A) is positioned immediately below the condenser 104 of the laser beam irradiation means 102. Then, the chuck table 86 is moved in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 12 (a) while the laser beam irradiation means 102 is operated to irradiate the adhesive film 6 with the laser beam LB having an absorptive wavelength. Move it. At this time, the control means 11 controls the machining feed means 87 and the first index feed means 88 to move the chuck table 86 along the laser beam irradiation position 211. Then, when the other end of the dividing groove 210 (the right end in FIG. 12B) reaches the irradiation position of the condenser 104 as shown in FIG. 12B, the operation of the laser beam irradiation means 102 is stopped. The operations of the machining feed means 87 and the first index feed means 88 are stopped. As a result, the adhesive film 6 is divided along the center of the dividing groove 210 in the width direction as shown in FIG. When the groove width (B) between the devices 22 in the dividing groove 210 exceeds the upper limit as in the detection position No. 4 in FIG. 10 described above, the center coordinate value is not detected and the center of the next detection position is detected. Since the laser beam irradiation position 211 consisting of a linear function that connects coordinate values and detects adjacent central coordinate values is set, an abnormal gradient does not occur in the linear function. Therefore, when chipping occurs in the device 22 and the groove width (B) between the devices 22 increases, the gradient of the linear function connecting the center coordinate values increases, and the device 22 is irradiated with the laser beam. As a result, the problem that the device 22 is damaged can be solved.

なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー光線の種類 ：固体レーザー（ＹＶＯ４レーザー、ＹＡＧレーザー）
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．５Ｗ
集光スポット径 ：φ５μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／秒 In addition, the processing conditions in the said laser beam irradiation process are set as follows, for example.
Laser beam type: Solid laser (YVO4 laser, YAG laser)
Wavelength: 355nm
Repetition frequency: 50 kHz
Average output: 0.5W
Condensing spot diameter: φ5μm
Processing feed rate: 200 mm / sec

上記レーザー光線照射工程を半導体ウエーハ２の所定方向に形成された全ての分割溝２１０に沿って実施する。次に、チャックテーブル８６を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割溝２１０に沿って上記第１の接着フィルム分割工程および第２の接着フィルム分割工程を交互に実行することにより、半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム２６は分割溝２１０によって分割されたデバイス２２毎に切断され分割される。   The laser beam irradiation process is performed along all the divided grooves 210 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2. Next, the chuck table 86 is rotated 90 degrees, and the first adhesive film dividing step and the second adhesive film dividing step are performed along the dividing groove 210 formed in a direction orthogonal to the predetermined direction. By executing alternately, the adhesive film 26 mounted on the back surface of the semiconductor wafer 2 is cut and divided for each device 22 divided by the dividing groove 210.

２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２１０：分割溝
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：保護テープ
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５３：研削手段
６：接着フィルム
７：レーザー加工装置
８：チャックテーブル機構
８６：チャックテーブル
８７：加工送り手段
８７４：加工送り量検出手段
８８：第１の割り出し送り手段
８８４：割り出し送り量検出手段
９：レーザー光線照射ユニット支持機構
１０：レーザー光線照射ユニット
１０２：レーザー光線照射手段
１０４：集光器
１０５：撮像手段
１０６：集光点位置調整手段
１１：制御手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ 2: Semiconductor wafer 21: Street 210: Dividing groove 3: Cutting device 31: Chuck table 32 of cutting device: Cutting means 323: Cutting blade 4: Protection tape 5: Grinding device 51: Chuck table 53 of grinding device 53: Grinding means 6 : Adhesive film 7: Laser processing device 8: Chuck table mechanism 86: Chuck table 87: Work feed means 874: Work feed amount detection means 88: First index feed means 884: Index feed amount detection means 9: Laser beam irradiation unit support Mechanism 10: Laser beam irradiation unit 102: Laser beam irradiation means 104: Condenser 105: Imaging means 106: Condensing point position adjusting means 11: Control means
F: Ring frame
T: Dicing tape

Claims (3)

表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体デバイスの製造方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝形成工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該分割溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するとともに接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープによって支持せしめる接着フィルム装着工程と、
該接着フィルム装着工程を実施した後に、ウエーハの表面側から該分割溝に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って分割する接着フィルム分割工程と、を含み、
該接着フィルム分割工程は、分割溝における各デバイス間の検出領域にける溝幅を検出する溝幅検出工程と、
該溝幅検出工程によって検出されたデバイス間の溝幅が許容範囲である場合には検出領域の溝幅の中心座標値を求めるとともに、溝幅が許容範囲の上限値を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求める中心座標検出工程と、
該中心座標検出工程によって求められた隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出してレーザー光線照射位置を求めるレーザー光線照射位置算出工程と、
該レーザー光線照射位置算出工程によって求められた一次関数からなるレーザー光線照射位置に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該レーザー光線照射位置に沿って分割するレーザー光線照射工程とを含んでいる、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 A wafer having devices formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice pattern on the front surface is divided into individual devices along the streets, and an adhesive film for die bonding is provided on the back surface of each device. A method of manufacturing a semiconductor device to be mounted,
A split groove forming step of forming a split groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device along the street from the surface side of the wafer;
A wafer dividing step of grinding the back surface of the wafer subjected to the dividing groove forming step to expose the dividing groove on the back surface, and dividing the wafer into individual devices;
An adhesive film attaching step of attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of the wafer subjected to the wafer dividing step and supporting the adhesive film side by a dicing tape attached to an annular frame;
An adhesive film dividing step of irradiating the adhesive film with a laser beam from the surface side of the wafer along the divided grooves after dividing the adhesive film, and dividing the adhesive film along the divided grooves. ,
The adhesive film dividing step includes a groove width detecting step of detecting a groove width in a detection region between each device in the divided groove;
When the groove width between the devices detected by the groove width detection step is within an allowable range, the center coordinate value of the groove width of the detection area is obtained, and when the groove width exceeds the upper limit value of the allowable range, the center coordinate is obtained. A center coordinate detection step for obtaining the center coordinate value of the groove width of the next detection region without obtaining a value;
A laser beam irradiation position calculating step for obtaining a laser beam irradiation position by calculating a linear function connecting adjacent center coordinate values determined by the center coordinate detection step;
A laser beam irradiation step of irradiating the adhesive film with a laser beam along a laser beam irradiation position consisting of a linear function obtained by the laser beam irradiation position calculating step, and dividing the adhesive film along the laser beam irradiation position. ,
A method for manufacturing a semiconductor device. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成され複数のストリートに沿って分割溝が形成されたウエーハの裏面に装着されたダイボンディング用の接着フィルムを該分割溝に沿って分割するためのレーザー加工装置であって、
ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを該加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの加工すべき領域を撮像するための撮像手段と、該撮像手段によって撮像された撮像信号に基づいて該レーザー光線照射手段と該加工送り手段と割り出し送り手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該撮像手段を作動して各分割溝における各デバイス間の検出領域にける溝幅を検出する溝幅検出工程と、
該溝幅検出工程によって検出されたデバイス間の溝幅が許容範囲である場合には検出領域の溝幅の中心座標値を求めるとともに、溝幅が許容範囲の上限値を超える場合には中心座標値を求めることなく次の検出領域の溝幅の中心座標値を求める中心座標検出工程と、
該中心座標検出工程によって求められた隣接する中心座標値を結ぶ一次関数を算出してレーザー光線照射位置を求めるレーザー光線照射位置算出工程と、
該レーザー光線照射位置算出工程によって求められた一次関数からなるレーザー光線照射位置に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該レーザー光線照射位置に沿って分割するレーザー光線照射工程と、を実行する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 A die bonding adhesive film mounted on the back surface of a wafer in which a device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape on the surface and division grooves are formed along the plurality of streets. A laser processing apparatus for dividing along a dividing groove,
A chuck table having a holding surface for holding a wafer, laser beam irradiation means for irradiating a wafer held on the chuck table with a laser beam, and processing and feeding the chuck table and the laser beam irradiation means relative to each other in the processing feed direction. Process feed means, index feed means for indexing and feeding the chuck table and the laser beam irradiation means in an index feed direction orthogonal to the process feed direction, and a region to be processed of the wafer held by the chuck table Image pickup means for picking up images, and control means for controlling the laser beam irradiation means, the processing feed means, and the index feed means based on an image signal picked up by the image pickup means,
The control means operates the imaging means to detect a groove width in a detection region between each device in each divided groove;
When the groove width between the devices detected by the groove width detection step is within an allowable range, the center coordinate value of the groove width of the detection area is obtained, and when the groove width exceeds the upper limit value of the allowable range, the center coordinate is obtained. A center coordinate detection step for obtaining the center coordinate value of the groove width of the next detection region without obtaining a value;
A laser beam irradiation position calculating step for obtaining a laser beam irradiation position by calculating a linear function connecting adjacent center coordinate values determined by the center coordinate detection step;
Performing a laser beam irradiation step of irradiating the adhesive film with a laser beam along a laser beam irradiation position consisting of a linear function obtained by the laser beam irradiation position calculating step, and dividing the adhesive film along the laser beam irradiation position. ,
Laser processing equipment characterized by that. 該制御手段は、該溝幅検出工程によって検出された各デバイス間の溝幅が許容範囲の下限値より小さい場合には、表示手段にエラー表示する、請求項２記載のレーザー加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the control means displays an error on the display means when the groove width between the devices detected by the groove width detection step is smaller than the lower limit value of the allowable range.
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JP6912267B2 (en) * 2017-05-09 2021-08-04 株式会社ディスコ Laser processing method
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JP7138297B2 (en) * 2018-03-26 2022-09-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Element chip manufacturing method
JP7478945B2 (en) * 2020-01-17 2024-05-08 株式会社東京精密 Wafer processing system and wafer processing method
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4109823B2 (en) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
JP4478053B2 (en) * 2005-03-29 2010-06-09 株式会社ディスコ Semiconductor wafer processing method
JP4694900B2 (en) * 2005-06-28 2011-06-08 株式会社ディスコ Laser processing method
JP2009208136A (en) * 2008-03-06 2009-09-17 Panasonic Corp Method for manufacturing semiconductor chip
JP2010027857A (en) * 2008-07-18 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd Semiconductor device manufacturing method
JP2010206044A (en) * 2009-03-05 2010-09-16 Toshiba Corp Method of manufacturing semiconductor device

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