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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物に切削加工やレーザー加工を施すための切削装置やレーザー加工装置等の加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus such as a cutting apparatus or a laser processing apparatus for performing cutting or laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . Then, by cutting the semiconductor wafer along the planned dividing line, the region where the device is formed is divided to manufacture individual devices. In addition, an optical device wafer in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is laminated on the surface of a sapphire substrate or a silicon carbide substrate is also divided into optical devices such as individual light-emitting diodes and laser diodes by cutting along the planned dividing line. Widely used in electrical equipment.
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ30μm程度に形成されている(例えば、特許文献1参照)。 Cutting along the division lines such as the above-described semiconductor wafers and optical device wafers is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer or an optical device wafer, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a chuck table and the cutting means. And a cutting feed means for moving it. The cutting means includes a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism that rotationally drives the rotary spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is fixed to the base by electroforming, for example, diamond abrasive grains having a particle size of about 3 μm. The thickness is about 30 μm (see, for example, Patent Document 1).
しかるに、切削ブレードは30μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要となる。このため、例えば大きさが1mm×1mm程度のデバイスの場合には、分割予定ラインの占める面積比率が多くなり、生産性が悪いという問題がある。また、ウエーハを切削ブレードによって切断すると、切断面の下面側に欠けが生じてデバイスの品質を低下させるという問題がある。 However, since the cutting blade has a thickness of about 30 μm, a line to be divided that divides the device needs to have a width of about 50 μm. For this reason, for example, in the case of a device having a size of about 1 mm × 1 mm, there is a problem that the area ratio occupied by the planned division line increases and the productivity is poor. Further, when the wafer is cut with a cutting blade, there is a problem in that chipping occurs on the lower surface side of the cut surface and the quality of the device is lowered.
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの一方の面側から分割予定ラインに対応する内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割する技術で、分割予定ラインに幅を最小に抑えることが可能となる(例えば、特許文献2参照)。 On the other hand, in recent years, as a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, a pulsed laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is used, and the focused laser beam is aligned with the inside of the region to be divided. Laser processing methods for irradiation have been attempted. In this dividing method using the laser processing method, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is positioned from one surface side of the wafer to the inside of the line corresponding to the line to be divided, along the line to be divided. Irradiation is performed to continuously form a modified layer along the planned dividing line inside the wafer, and by applying an external force along the planned dividing line whose strength is reduced by the formation of the modified layer, Is divided into individual devices, and the width of the planned division line can be minimized (see, for example, Patent Document 2).
また、分割予定ラインの幅を最小に抑えることが可能なウエーハ分割技術として本出願人は、ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードを位置付け、分割予定ラインに対応する領域に表面に至らない所定の厚みを残して切削溝を形成し、その後、切削溝が形成されたウエーハに外力を付与することによりウエーハを切削溝が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する技術を特願2012−198217号として提案した。 In addition, as a wafer dividing technique capable of minimizing the width of the planned dividing line, the applicant positions the cutting blade along the planned dividing line from the back side of the wafer, and places the cutting blade on the surface in the region corresponding to the planned dividing line. A cutting groove is formed while leaving a predetermined thickness that is not reached, and then an external force is applied to the wafer in which the cutting groove is formed to divide the wafer into individual devices along the planned dividing line in which the cutting groove is formed. The technology was proposed as Japanese Patent Application No. 2012-198217.
而して、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルの保持面には僅かなウネリがあり、ウエーハはウネリに倣って保持面に保持されることから、上述したウエーハ分割技術を実施すると次のような問題がある。
上記レーザー加工方法を用いたウエーハ分割技術においては、ウエーハの裏面からレーザー光線を照射してレーザー光線の集光点をウエーハの表面から所望の位置に位置付けたつもりでも、改質層の位置がウエーハの表面に近過ぎたり遠過ぎたりして不均一になり、ウエーハに外力を付与して分割する際に、割れ方が不均一になってデバイスの品質が安定しないという問題がある。
また、上記切削溝を形成するウエーハ分割技術においては、ウエーハの裏面から分割予定ラインに沿って切削する際に、切削ブレードをウエーハの表面から所望の位置(例えば15μm)に位置付けたつもりでも、切削溝の底がウエーハの表面に近過ぎたり遠過ぎたりして不均一になり、ウエーハに外力を付与して分割する際に、割れ方が不均一になってデバイスの品質が安定しないという問題がある。
Thus, the holding surface of the chuck table having the holding surface for holding the workpiece has a slight amount of undulation, and the wafer is held on the holding surface following the undulation. There are the following problems.
In the wafer splitting technique using the laser processing method described above, even though the laser beam is irradiated from the back surface of the wafer and the focal point of the laser beam is positioned at a desired position from the wafer surface, the position of the modified layer is the surface of the wafer. When the wafer is divided by applying an external force to the wafer, the cracks are not uniform and the quality of the device is not stable.
Further, in the wafer dividing technique for forming the above-mentioned cutting groove, even if the cutting blade is intended to be positioned at a desired position (for example, 15 μm) from the front surface of the wafer when cutting along the scheduled dividing line from the back surface of the wafer, When the bottom of the groove is too close or too far to the surface of the wafer, it becomes non-uniform, and when the wafer is divided by applying external force, the cracks become non-uniform and the device quality is not stable. is there.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、チャックテーブルに保持された被加工物の下面から所望の位置に均一な加工を施すことができる加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is to provide a processing apparatus capable of performing uniform processing at a desired position from the lower surface of the workpiece held on the chuck table. There is.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段と、該チャックテーブルと該加工手段とを相対的にX軸方向に移動するX軸移動手段と、該チャックテーブルと該加工手段とを相対的にX軸方向と直交するY軸方向に移動するY軸移動手段と、該加工手段をX軸方向およびY軸方向と直交するZ軸方向に移動するZ軸移動手段と、該X軸移動手段による該チャックテーブル移動位置を検出するX軸方向位置検出手段と、該Y軸移動手段による該チャックテーブル移動位置を検出するY軸方向位置検出手段と、Z軸移動手段による該加工手段のZ軸方向位置を検出するZ軸方向位置検出手段と、を具備する加工装置であって、
該加工手段に隣接して配設され該チャックテーブルの保持面のZ軸方向の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、
該高さ位置検出手段と該加工手段による加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を格納する第1の記憶領域と、該高さ位置検出手段によって検出された該チャックテーブルの保持面における各XY座標値に対するZ座標値を格納する第2の記憶領域を備えたメモリを具備する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該メモリの第2の記憶領域に格納されたXY座標値に該メモリの第1の記憶領域に格納された高さ位置検出手段と該加工手段によるによる加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を加算して該加工手段による加工部と対応したXY座標値に対するZ座標値に変換し、変換したXY座標値に対するZ座標値に基づいてZ軸移動手段を制御する、
ことを特徴とする加工装置。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a processing means for processing the workpiece held on the holding surface of the chuck table, X-axis moving means for relatively moving the chuck table and the processing means in the X-axis direction, and Y-axis movement for relatively moving the chuck table and the processing means in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction Means, Z-axis moving means for moving the processing means in the Z-axis direction orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction, and an X-axis direction position detecting means for detecting the chuck table moving position by the X-axis moving means Y-axis direction position detecting means for detecting the chuck table moving position by the Y-axis moving means, and Z-axis direction position detecting means for detecting the Z-axis direction position of the processing means by the Z-axis moving means. A processing device,
A height position detecting means arranged adjacent to the processing means for detecting the height position of the holding surface of the chuck table in the Z-axis direction;
A first storage area for storing an interval in the X-axis direction and the Y-axis direction between the height position detecting means and a processing portion by the processing means; and a holding surface of the chuck table detected by the height position detecting means A control means comprising a memory having a second storage area for storing a Z coordinate value for each XY coordinate value in
The control means converts the XY coordinate values stored in the second storage area of the memory into the first storage area of the memory based on the detection signals from the X-axis direction position detection means and the Y-axis direction position detection means. The stored height position detection means and the distance between the machining part by the machining means and the X-axis direction and the Y-axis direction are added to convert the Z coordinate value to the XY coordinate value corresponding to the machining part by the machining means. , Controlling the Z-axis moving means based on the Z coordinate value for the converted XY coordinate value,
A processing apparatus characterized by that.
本発明による加工装置は、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段に隣接して配設されチャックテーブルの保持面のZ軸方向の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、高さ位置検出手段と加工手段による加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を格納する第1の記憶領域と、高さ位置検出手段によって検出されたチャックテーブルの保持面における各XY座標値に対するZ座標値を格納する第2の記憶領域を備えたメモリを具備する制御手段とを具備し、制御手段は、X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいてメモリの第2の記憶領域に格納されたXY座標値にメモリの第1の記憶領域に格納された高さ位置検出手段と加工手段によるによる加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を加算して該加工手段による加工部と対応したXY座標値に対するZ座標値に変換し、変換したXY座標値に対するZ座標値に基づいてZ軸移動手段を制御するので、チャックテーブルの上面である保持面に僅かなウネリがあり、被加工物がウネリに倣って保持面に保持されても、被加工物の下面から所望の位置に加工を施すことができる。
従って、本発明をウエーハを切削する切削装置に適用すると、チャックテーブルの上面である保持面に僅かなウネリがあり、ウエーハの表面がウネリに倣って保持面に保持されても、ウエーハの裏面から切削する加工手段としての切削ブレードをウエーハの表面から所望の位置に位置付けることが可能となり、切削溝の底の位置が表面に近づき過ぎたり遠過ぎたりすることがない。このため、次工程であるウエーハ分割工程において、ウエーハに外力を付与して切削溝に沿って分割する際に、各切削溝に沿った分割が均一となりデバイスの品質が安定する。
また、本発明をレーザー加工装置に適用することにより、チャックテーブルの上面である保持面に僅かなウネリがあり、ウエーハの表面がウネリに倣って保持面に保持されても、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射する際にレーザー光線の集光点をウエーハの表面から所望の位置に位置付けて改質層を形成することが可能となり、改質層の位置が表面に近づき過ぎたり遠過ぎたりすることがない。従って、次工程であるウエーハ分割工程において、ウエーハに外力を付与して改質層に沿って分割する際に、各改質層に沿った分割が均一となりデバイスの品質が安定する。
A processing apparatus according to the present invention is provided adjacent to a processing means for processing a workpiece held on a holding surface of a chuck table having a holding surface for holding the workpiece, and is in the Z-axis direction of the holding surface of the chuck table. Height position detecting means for detecting the height position of the first position, a first storage area for storing the distance between the height position detecting means and the processing portion by the processing means in the X-axis direction and the Y-axis direction, and height position detection Control means comprising a memory having a second storage area for storing the Z coordinate value for each XY coordinate value on the holding surface of the chuck table detected by the means, and the control means detects the position in the X-axis direction. Based on the detection signal from the means and the Y-axis direction position detection means, the XY coordinate value stored in the second storage area of the memory is changed to the height position detection means and processing means stored in the first storage area of the memory. And processed parts by The intervals in the X-axis direction and the Y-axis direction are added and converted into a Z-coordinate value corresponding to the XY coordinate value corresponding to the processing portion by the processing means, and the Z-axis moving means is converted based on the Z-coordinate value corresponding to the converted XY coordinate value. Since the holding surface, which is the upper surface of the chuck table, has a slight undulation, even if the workpiece is held on the holding surface following the undulation, the workpiece can be processed from the lower surface of the workpiece to a desired position. it can.
Therefore, when the present invention is applied to a cutting device for cutting a wafer, even if the holding surface, which is the upper surface of the chuck table, has slight undulations, even if the wafer surface is held by the holding surface following the undulations, A cutting blade as a processing means for cutting can be positioned at a desired position from the surface of the wafer, and the position of the bottom of the cutting groove is not too close or too far from the surface. For this reason, in the wafer dividing step, which is the next step, when an external force is applied to the wafer and the wafer is divided along the cutting grooves, the division along each cutting groove becomes uniform and the quality of the device is stabilized.
In addition, by applying the present invention to a laser processing apparatus, even if the holding surface, which is the upper surface of the chuck table, has a slight amount of undulation, even if the surface of the wafer is held by the holding surface following the undulation, from the back side of the wafer When irradiating a laser beam, it becomes possible to position the condensing point of the laser beam at a desired position from the surface of the wafer to form a modified layer, and the position of the modified layer may be too close or too far from the surface. Absent. Therefore, in the next wafer dividing step, when an external force is applied to the wafer and the wafer is divided along the modified layer, the division along each modified layer becomes uniform and the device quality is stabilized.
以下、本発明に従って構成された加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a processing apparatus configured according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
図1には、本発明に従って構成された加工装置としての切削装置の斜視図が示されている。
図1に示された切削装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示すX軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2にX軸方向と直交する矢印Yで示すY軸方向に移動可能に配設されたスピンドル支持機構4と、該スピンドル支持機構4にX軸方向およびY軸方向と直交する矢印Zで示すZ軸方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動可能に配設された加工手段である切削手段としてのスピンドルユニット5が配設されている。
FIG. 1 is a perspective view of a cutting device as a processing device configured according to the present invention.
The cutting apparatus shown in FIG. 1 includes a
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上にX軸方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上にY軸方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の上面である保持面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設されたパルスモータ340によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
The
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸移動手段37を具備している。X軸移動手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
The first sliding
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、チャックテーブル36のX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段374を具備している。X軸方向位置検出手段374は、上記案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。このX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させるための第1のY軸移動手段38を具備している。第1のY軸移動手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
The second sliding
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、上記第2の滑動ブロック33(チャックテーブル36)のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段384を備えている。Y軸方向位置検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。このY軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
上記スピンドル支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示すY軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上にY軸方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面にチャックテーブル36の被加工物保持面に対して垂直な矢印Zで示す切り込み送り方向であるZ軸方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるスピンドル支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動させるための第2のY軸移動手段43を具備している。第2のY軸移動手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ネジロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
The spindle support mechanism 4 includes a pair of
図示の実施形態のおけるスピンドルユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたスピンドルハウジング52と、該スピンドルハウジング52に回転可能に支持された回転スピンドル53を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、チャックテーブル36の保持面に対して垂直な切り込み送り方向であるZ軸方向に移動可能に支持される。上記回転スピンドル53はスピンドルハウジング52の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル53の先端部に切削ブレード6が装着されている。なお、切削ブレード6を装着した回転スピンドル53は、サーボモータ54等の駆動源によって回転駆動せしめられる。
The
図示の実施形態におけるスピンドルユニット5は、ホルダ51を2本の案内レール423、423に沿ってZ軸方向に移動させるためのZ軸移動手段55を具備している。Z軸移動手段55は、上記X軸移動手段37や第1のY軸移動手段38および第2のY軸移動手段43と同様に案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ552等の駆動源を含んでおり、パルスモータ552によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51とスピンドルハウジング52および回転スピンドル53を案内レール423、423に沿ってZ軸方向に移動せしめる。
The
図示の実施形態におけるスピンドルユニット5は、切削ブレード6のZ軸方向位置(切り込み送り位置)を検出するためのZ軸方向位置検出手段56を具備している。Z軸方向位置検出手段56は、上記案内レール423、423と平行に配設されたリニアスケール56aと、上記ユニットホルダ51に取り付けられユニットホルダ51とともにリニアスケール56aに沿って移動する読み取りヘッド56bとからなっている。このZ軸方向位置検出手段56の読み取りヘッド56bは、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
図示の実施形態における切削装置は、上記スピンドルハウジング52の前端部に配設された撮像手段7を備えている。この撮像手段7は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。このように構成された撮像手段7は、撮像領域の中心が上記切削ブレード6とX軸方向の同一線上に配設されている。
The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes an imaging means 7 disposed at the front end portion of the
また、上記スピンドルハウジング52の前端部には、上記切削ブレード6および撮像手段7とX軸方向の同一線上に配設されチャックテーブル36の保持面のZ軸方向の高さ位置を検出する高さ位置検出手段8を具備している。この高さ位置検出手段8は、切削ブレード6による加工部とX軸方向およびY軸方向にそれぞれ所定の間隔(図示の実施形態においてはX軸方向に200mm、Y軸方向に0mm)をもって配設されている。このように配設された高さ位置検出手段8は、検出した高さ位置信号を後述する制御手段に送る。なお、高さ位置検出手段8としては、背圧センサー、干渉式センサー、音波センサー、レーザーセンサー等を用いることができる。
The front end of the
図示の実施形態における切削装置は、図2に示すように制御手段9を具備している。制御手段9はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)91と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)92と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)93と、入力インターフェース94および出力インターフェース95とを備えている。このように構成された制御手段9の入力インターフェース94には、図2に示すX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374b、Y軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384b、Z軸方向位置検出手段56の読み取りヘッド56b、撮像手段7、高さ位置検出手段8等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース95からは上記チャックテーブル36を回転するパルスモータ340、X軸移動手段37のパルスモータ372、第1のY軸移動手段38のパルスモータ382、第2のY軸移動手段43のパルスモータ432、Z軸移動手段55のパルスモータ552等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)93は、高さ位置検出手段8と切削ブレード6による加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔(図示の実施形態においてはX軸方向に200mm、Y軸方向に0mm)を格納する第1の記憶領域93aと、高さ位置検出手段8によって検出されたチャックテーブル36の保持面における各XY座標値に対するZ座標値を格納する第2の記憶領域93bと、その他の記憶領域を備えている。
The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 9 as shown in FIG. The control means 9 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 91 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 92 that stores control programs and the like, and a readable and writable memory that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 93, an
図示の実施形態における切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上述した切削装置が組み立てられた際またはチャックテーブル36が交換された際に、チャックテーブル36を構成する吸着チャック361の上面である保持面のZ軸方向の高さ位置を検出する高さ位置検出工程を実施する。
高さ位置検出工程は、先ずX軸移動手段37および第1のY軸移動手段38を作動してチャックテーブル36を高さ位置検出手段8による検出領域に位置付ける。図3は、チャックテーブル36を構成する吸着チャック361が所定の位置に位置付けられた状態を示している。なお、チャックテーブル36を構成する吸着チャック361の外周のXY座標値は、吸着チャック361の設計値の値がランダムアクセスメモリ(RAM)93に格納されている。即ち、図示の実施形態においては、Y軸方向の検出位置が1mm間隔で設定されており、図3の状態における吸着チャック361の外周おける検出開始位置座標値(A1,A2,A3・・・An)と検出終了位置座標値(B1,B2,B3・・・Bn)は、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)93に格納されている。
The cutting apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
Height position detection for detecting the height position in the Z-axis direction of the holding surface which is the upper surface of the
In the height position detecting step, first, the
次に制御手段9は、X軸移動手段37および第1のY軸移動手段38を作動して吸着チャック361の検出開始位置座標値(A1)を高さ位置検出手段8の直下に位置付ける。そして制御手段9は、高さ位置検出手段8を作動するとともにX軸移動手段37を作動してチャックテーブル36を検出終了位置座標値(B1)まで移動する(高さ位置検出工程)。この高さ位置検出工程においては、X軸方向位置検出手段374からの信号に基づいて1mm毎に吸着チャック361のXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置を検出する。高さ位置検出手段8は検出したZ軸方向の高さ位置を制御手段9に送り、制御手段9は高さ位置検出手段8から送られたZ軸方向の高さ位置を吸着チャック361の検出開始位置座標値(A1)から検出終了位置座標値(B1)までのX軸方向に1mm毎のXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置としてランダムアクセスメモリ(RAM)93の第2の記憶領域93bに格納する。以後、チャックテーブル36の吸着チャック361における検出開始位置座標値(A2,A3・・・An)から検出終了位置座標値(B2,B3・・・Bn)までのそれぞれについて上記高さ位置検出工程を実施し、各XY座標値におけるZ軸方向の高さ位置をランダムアクセスメモリ(RAM)93の第2の記憶領域93bに格納する。そして、次にチャックテーブル36を90度回転して前記と同様にX軸方向およびY軸方向にそれぞれ1mm毎のXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置を検出し、この検出したXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置をランダムアクセスメモリ(RAM)93の第2の記憶領域93bに格納する。このようにして、すべての検出開始位置座標値(A1,A2,A3・・・An)から検出終了位置座標値(B1,B2,B3・・・Bn)までの各XY座標値におけるZ軸方向の高さ位置、およびチャックテーブル36を90度回転した状態におけるXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置を検出することにより、チャックテーブル36を構成する吸着チャック361の上面である保持面のウネリの状態を求めることができる。
Next, the control unit 9 operates the
図示の実施形態における切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図4には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図4に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚みが150μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aには格子状に形成された複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ10は、図5に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる例えば厚みが100μmの保護テープTに表面10a側を貼着する(ウエーハ貼着工程)。従って、保護テープTに貼着された半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。
The cutting apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
FIG. 4 shows a perspective view of a semiconductor wafer as a workpiece. A
上述したウエーハ貼着工程を実施したならば、図1に示す切削装置のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10の保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープTを介して半導体ウエーハ10をチャックテーブル36上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10は、裏面100bが上側となる。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
If the wafer sticking step described above is performed, the protective tape T side of the
上述したように半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、X軸移動手段37によって撮像手段の直下に位置付けられる。このようにしてチャックテーブル36が撮像手段の直下に位置付けられると、撮像手段および制御手段9によって半導体ウエーハ10の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段7および制御手段9は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101と、該分割予定ライン101に沿って切削加工する切削ブレード6との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削加工位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記分割予定ライン101に対して直交する方向に延びる分割予定ライン101に対しても、同様に切削加工位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10の分割予定ライン110が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段7が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、半導体ウエーハ10の裏面10bから透かして分割予定ライン101を撮像することができる。
As described above, the chuck table 36 that sucks and holds the
以上のようにしてチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハ10の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル51を切削作業領域に移動し、図6の(a)に示すように所定の分割予定ライン101の一端を切削ブレード6の直下より図6の(a)において僅かに右側に位置付ける。次に、切削ブレード6を矢印6aで示す方向に回転するとともに、Z軸移動手段55を作動して切削ブレード6を2点鎖線で示す退避位置から矢印Z1で示す方向に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切削ブレード6の外周縁が半導体ウエーハ10の表面10a(下面)から例えば10〜15μm上側の位置に設定されている。なお、図示の実施形態においては半導体ウエーハ2は厚みが100μmの保護テープTを介してチャックテーブル36を構成する吸着チャック361の上面である保持面に保持されているので、切り込み送り位置は吸着チャック361の上面から110〜115μm上側の位置となる。このようにして、切削ブレード6の切り込み送りを実施したならば切削ブレード6を矢印6aで示す方向に回転しつつチャックテーブル36を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度(例えば50mm/秒)で移動し、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10の他端が図6の(b)に示すように切削ブレード6の直下より僅かに左側に達したら、チャックテーブル36の移動を停止するとともに、切削ブレード6を矢印Z2で示す方向に2点鎖線で示す退避位置まで上昇せしめる。この結果、半導体ウエーハ10は図6の(c)に示すように所定の分割予定ライン101に沿って表面10aに至らない所定の厚みt(図示の実施形態においては10〜15μm)を残して切削溝110が形成される(切削溝形成工程)。
When the alignment for detecting the cutting area of the
上述した切削溝形成工程においては、チャックテーブル36を構成する吸着チャック361の上面である保持面のウネリがあると、吸着チャック361上に保護テープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ10はウネリに倣って保持されることから、切削ブレード6を半導体ウエーハ10の表面10a(下面)から所望の位置(図示の実施形態においては10〜15μm)に位置付けたつもりでも、切削溝110の底が半導体ウエーハ10の表面10aに近過ぎたり遠過ぎたりして不均一となる。しかるに、図示の実施形態における切削装置においては、上述したようにチャックテーブル36を構成する吸着チャック361の上面である保持面のXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置がX軸方向およびY軸方向にそれぞれ1mm間隔で検出され、検出された各XY座標値におけるZ軸方向の高さ位置がランダムアクセスメモリ(RAM)93の第2の記憶領域93bに格納されているので、このXY座標値におけるZ軸方向の高さ位置に対応してZ軸移動手段55を作動し、切削ブレード6をZ軸方向に移動せしめる。即ち、制御手段9は、X軸方向位置検出手段374およびY軸方向位置検出手段384からの検出信号に基づいてランダムアクセスメモリ(RAM)93の第2の記憶領域93bに格納されたXY座標値に、図示の実施形態においてはランダムアクセスメモリ(RAM)93の第1の記憶領域93aに格納された高さ位置検出手段8と切削ブレード6による加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔(図示の実施形態においてはX軸方向に200mm、Y軸方向に0mm)を加算して切削ブレード6による加工部と対応したXY座標値に対するZ座標値に変換する。そして、制御手段9は、変換したXY座標値に対するZ座標値に基づいてZ軸移動手段55を作動して切削ブレード6をZ軸方向に移動せしめる。この結果、半導体ウエーハ10には、分割予定ライン101に沿って表面10aに至らない所定の厚みt(図示の実施形態においては10〜15μm)を均一に残して切削溝110が形成される。
In the above-described cutting groove forming step, if there is a undulation on the holding surface, which is the upper surface of the chucking
上述した切削溝形成工程を半導体ウエーハ10の所定方向に形成された全ての分割予定ライン101に沿って実施したならば、チャックテーブル36を90度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン101に対して直交する方向に延びる分割予定ライン101に沿って上記切削溝形成工程を実行する。
If the above-described cutting groove forming step is performed along all the
以上のようにして半導体ウエーハ10に形成された全ての分割予定ライン101に沿って上述した切削溝形成工程を実施することにより、半導体ウエーハ10には全ての分割予定ライン101に沿って表面10aに至らない所定の厚みt(図示の実施形態においては10〜15μm)を均一に残して切削溝110が形成される。従って、次工程であるウエーハ分割工程において、半導体ウエーハ10に外力を付与して切削溝110に沿って分割する際に、各切削溝110に沿った分割が均一となりデバイスの品質が安定する。
By performing the above-described cutting groove forming step along all the division lines 101 formed in the
以上、本発明を切削装置に実施した例を示したが、本発明はレーザー加工装置のようにウエーハを保持するチャックテーブルの上面である保持面の高さ位置を検出して加工する加工装置に適用することができる。レーザー加工装置に本発明を適用することにより、チャックテーブルの上面である保持面に僅かなウネリがあり、ウエーハの表面がウネリに倣って保持面に保持されても、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射する際にレーザー光線の集光点をウエーハの表面から所望の位置に位置付けて改質層を形成することが可能となり、改質層の位置が表面に近づき過ぎたり遠過ぎたりすることがない。従って、次工程であるウエーハ分割工程において、ウエーハに外力を付与して改質層に沿って分割する際に、各改質層に沿った分割が均一となりデバイスの品質が安定する。 As mentioned above, although the example which implemented this invention to the cutting device was shown, this invention is a processing device which detects and processes the height position of the holding surface which is the upper surface of the chuck table holding a wafer like a laser processing device. Can be applied. By applying the present invention to the laser processing apparatus, even if the holding surface, which is the upper surface of the chuck table, has a slight amount of undulation and the wafer surface is held by the holding surface following the undulation, the laser beam is emitted from the back side of the wafer. When irradiating, it becomes possible to form the modified layer by positioning the condensing point of the laser beam at a desired position from the surface of the wafer, and the position of the modified layer is not too close or too far from the surface. Therefore, in the next wafer dividing step, when an external force is applied to the wafer and the wafer is divided along the modified layer, the division along each modified layer becomes uniform and the device quality is stabilized.
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
32:第1の滑動ブロック
33:第2の滑動ブロック
36:チャックテーブル
37:X軸移動手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1のY軸移動手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:スピンドル支持機構
43:第2のY軸移動手段
5:スピンドルユニット
51:ユニットホルダ
52:スピンドルハウジング
53:回転スピンドル
55:Z軸移動手段
56:Z軸方向位置検出手段
6:切削ブレード
7:撮像手段
8:高さ位置検出手段
9:制御手段
10:半導体ウエーハ
2: stationary base 3: chuck table mechanism 32: first sliding block 33: second sliding block 36: chuck table 37: X-axis moving means 374: X-axis direction position detecting means 38: first Y-axis moving Means 384: Y-axis direction position detecting means 4: Spindle support mechanism 43: Second Y-axis moving means 5: Spindle unit 51: Unit holder 52: Spindle housing 53: Rotating spindle 55: Z-axis moving means 56: Z-axis direction Position detection means 6: Cutting blade 7: Imaging means 8: Height position detection means 9: Control means 10: Semiconductor wafer
Claims (1)
該加工手段に隣接して配設され該チャックテーブルの保持面のZ軸方向の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、
該高さ位置検出手段と該加工手段による加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を格納する第1の記憶領域と、該高さ位置検出手段によって検出された該チャックテーブルの保持面における各XY座標値に対するZ座標値を格納する第2の記憶領域を備えたメモリを具備する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、X軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該メモリの第2の記憶領域に格納されたXY座標値に該メモリの第1の記憶領域に格納された高さ位置検出手段と該加工手段によるによる加工部とのX軸方向およびY軸方向の間隔を加算して該加工手段による加工部と対応したXY座標値に対するZ座標値に変換し、変換したXY座標値に対するZ座標値に基づいてZ軸移動手段を制御する、
ことを特徴とする加工装置。 A chuck table having a holding surface for holding the workpiece, a processing means for processing the workpiece held on the holding surface of the chuck table, and the chuck table and the processing means relatively in the X-axis direction. An X-axis moving means that moves, a Y-axis moving means that moves the chuck table and the processing means in a Y-axis direction relatively perpendicular to the X-axis direction, and the processing means that are in the X-axis direction and the Y-axis direction. Z-axis moving means for moving in the orthogonal Z-axis direction, X-axis direction position detecting means for detecting the chuck table moving position by the X-axis moving means, and detecting the chuck table moving position by the Y-axis moving means A processing apparatus comprising: a Y-axis direction position detection means; and a Z-axis direction position detection means for detecting a Z-axis direction position of the processing means by a Z-axis movement means,
A height position detecting means arranged adjacent to the processing means for detecting the height position of the holding surface of the chuck table in the Z-axis direction;
A first storage area for storing an interval in the X-axis direction and the Y-axis direction between the height position detecting means and a processing portion by the processing means; and a holding surface of the chuck table detected by the height position detecting means A control means comprising a memory having a second storage area for storing a Z coordinate value for each XY coordinate value in
The control means converts the XY coordinate values stored in the second storage area of the memory into the first storage area of the memory based on the detection signals from the X-axis direction position detection means and the Y-axis direction position detection means. The stored height position detection means and the distance between the machining part by the machining means and the X-axis direction and the Y-axis direction are added to convert the Z coordinate value to the XY coordinate value corresponding to the machining part by the machining means. , Controlling the Z-axis moving means based on the Z coordinate value for the converted XY coordinate value,
A processing apparatus characterized by that.
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