KR20130121718A - Laser machining apparatus and laser machining method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method for performing laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.
IC, LSI, LED 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등의 웨이퍼는 가공 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 디바이스는 휴대 전화, PC 등의 각종 전자 기기에 널리 이용되고 있다. A plurality of devices such as ICs, LSIs, LEDs, etc. are partitioned by lines to be divided, and wafers such as silicon wafers and sapphire wafers formed on the surface are divided into individual devices by a processing apparatus, and the divided devices are divided into mobile phones, PCs, and the like. It is widely used in various electronic devices.
웨이퍼의 분할에는, 다이서라고 불리는 절삭 장치를 이용한 다이싱 방법이 널리 채택되고 있다. 다이싱 방법에서는, 다이아몬드 등의 지립을 금속이나 수지로 굳혀 두께 30 ㎛ 정도로 한 절삭 블레이드를, 30000 rpm 정도의 고속으로 회전시키면서 웨이퍼를 커팅하게 함으로써 웨이퍼를 절삭하여, 개개의 디바이스 칩으로 분할한다. For dividing the wafer, a dicing method using a cutting device called a dicer is widely adopted. In the dicing method, a wafer is cut by dividing a grain such as diamond into metal or resin and cutting the wafer while rotating the cutting blade having a thickness of about 30 μm at a high speed of about 30000 rpm to cut the wafer into individual device chips.
한편, 최근에는, 레이저 빔을 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이 개발되어 실용화되고 있다. 레이저 빔을 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법으로서, 이하에 설명하는 제1 및 제2 가공 방법이 알려져 있다. On the other hand, in recent years, a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser beam has been developed and put into practical use. As a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser beam, first and second processing methods described below are known.
제1 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1064 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜, 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 그 후 분할 장치에 의해 웨이퍼에 외력을 부여하여 웨이퍼를 개질층을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 제3408805호 참조). In a first processing method, a light converging point of a laser beam having a transmittance with respect to a wafer (for example, 1064 nm) is positioned inside a wafer corresponding to a dividing scheduled line, and the laser beam is irradiated along the dividing scheduled line, thereby A modified layer is formed on the substrate, and then, an external force is applied to the wafer by a dividing apparatus, and the wafer is divided into individual device chips with the modified layer as the starting point of division (see Japanese Patent No. 3408805, for example).
제2 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대 355 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 영역에 조사하여 어블레이션 가공에 의해 가공 홈을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 웨이퍼를 가공 홈을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 공개 평10-305420호 참조). The second processing method irradiates a region corresponding to a division scheduled line with a light-converging point of a laser beam having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptance with respect to a wafer to form a processing groove by ablation processing, and then applies external force. It is a method of dividing a wafer into individual device chips by making a process groove into a division origin (for example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 10-305420).
레이저 빔을 이용하는 가공 방법은, 다이서에 의한 다이싱 방법에 비해 가공 속도를 빠르게 할 수 있고, 사파이어나 SiC 등의 경도가 높은 소재로 이루어진 웨이퍼라 하더라도 비교적 용이하게 가공할 수 있다. The processing method using a laser beam can make processing speed faster than the dicing method by a dicer, and can process it easily even with the wafer which consists of materials with high hardness, such as sapphire and SiC.
또, 개질층 또는 가공 홈을 예컨대 10 ㎛ 이하 등의 좁은 폭으로 할 수 있기 때문에, 다이싱 방법으로 가공하는 경우에 비해 웨이퍼 1장당 디바이스를 취할 수 있는 양을 늘릴 수 있다고 하는 이점을 갖고 있다. Moreover, since a modified layer or a process groove can be made into narrow width, such as 10 micrometers or less, it has the advantage that the quantity which can take a device per wafer can be increased compared with the case of processing by the dicing method.
그런데, 연삭 장치에 의한 이면 연삭을 실시하기 전의 반도체 웨이퍼의 이면에는 산화막이나 질화막이 잔존해 있다. 또, 표면에 Low-k막이 형성된 반도체 웨이퍼나 이면에 금속막이 형성된 웨이퍼도 있다. By the way, an oxide film and a nitride film remain | survive on the back surface of the semiconductor wafer before back surface grinding by a grinding apparatus. There are also semiconductor wafers in which a low-k film is formed on the surface and a wafer on which a metal film is formed on the back surface.
이러한 막이 있는 피가공물에 레이저 빔을 조사하여 레이저 가공을 실시하면, 막에 의해 조사된 레이저 빔의 일부가 반사된다. 반사율은 막의 종류나 두께 등에 따라 상이하여, 피가공물마다 반사율이 상이한 것, 또는 하나의 피가공물 내에서도 반사율이 불균일한 것도 있다. When a laser beam is irradiated to the workpiece | work which has such a film | membrane, a part of the laser beam irradiated by the film | membrane will be reflected. The reflectance is different depending on the kind, thickness, etc. of the film, and the reflectance is different for each workpiece, or the reflectance is uneven even in one workpiece.
피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장을 이용하여 피가공물 내부에 개질층을 형성하는 제1 가공 방법 및 피가공물에 대하여 흡수성을 갖는 파장을 이용하여 피가공물에 어블레이션 가공을 실시하는 제2 가공 방법의 경우에도, 피가공물의 반사율이 크면 투과 또는 흡수되는 레이저 빔의 광량이 감소하기 때문에, 원하는 레이저 가공을 실시하기 위해서는 조사하는 레이저 빔의 출력을 높일 필요가 있다.A first processing method for forming a modified layer inside a workpiece by using a wavelength having a transmittance with respect to the workpiece and a second processing method for ablating the workpiece with a wavelength having absorption with the workpiece. Even in this case, when the reflectance of the workpiece is large, the amount of light of the laser beam that is transmitted or absorbed is reduced. Therefore, in order to perform desired laser processing, it is necessary to increase the output of the irradiated laser beam.
피가공물마다 반사율이 상이한 경우, 단일의 가공 조건으로 복수의 피가공물에 레이저 가공을 실시하면, 피가공물 사이에서 레이저 빔의 조사에 의해 형성되는 레이저 가공 홈의 깊이가 불균일해지거나, 레이저 빔의 조사에 의해 형성되는 개질층에 불균일이 생긴다고 하는 문제가 있다. When the reflectance is different for each workpiece, when a plurality of workpieces are subjected to laser processing under a single processing condition, the depth of the laser processing groove formed by the irradiation of the laser beam between the workpieces becomes uneven or the laser beam is irradiated. There exists a problem that a nonuniformity arises in the modified layer formed by this.
또, 하나의 피가공물 내에서 반사율이 불균일한 것에서는, 단일의 가공 조건으로 레이저 가공을 실시하면, 영역에 따라 레이저 빔의 조사에 의해 형성되는 레이저 가공 홈의 깊이가 불균일해지거나, 레이저 빔의 조사에 의해 형성되는 개질층에 불균일이 생긴다고 하는 문제가 있다. Moreover, in the case where the reflectance is nonuniform in one workpiece, when the laser processing is performed under a single processing condition, the depth of the laser processing groove formed by the irradiation of the laser beam depending on the area becomes uneven or the laser beam There exists a problem that a nonuniformity arises in the modified layer formed by irradiation.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 피가공물의 레이저 조사면 상태에 상관없이 균일한 레이저 가공을 실시하는 것이 가능한 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of such a point, Comprising: It aims at providing the laser processing apparatus and laser processing method which can perform uniform laser processing irrespective of the state of the laser irradiation surface of a to-be-processed object.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 장치로서, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 레이저 발진기와, 상기 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 집광하는 집광 렌즈를 갖는 가공 헤드를 포함하는 레이저 빔 조사 수단과, 상기 레이저 빔 조사 수단으로부터 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 조사된 레이저 빔의 반사 광량을 검출하는 반사 광량 검출 수단과, 상기 반사 광량 검출 수단에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 상기 레이저 빔 조사 수단에서 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출하는 단수 산출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다. According to the invention of claim 1, there is provided a laser processing apparatus for performing laser processing on a workpiece, which has a chuck table for holding the workpiece, a laser oscillator, and a condenser lens for condensing the laser beam oscillated from the laser oscillator. Laser beam irradiation means including a head, reflected light amount detection means for detecting the reflected light amount of the laser beam irradiated from the laser beam irradiation means to the workpiece held on the chuck table, and the reflection detected by the reflected light amount detection means On the basis of the amount of light, the laser processing apparatus is provided with the number calculating means which calculates the number of stages which perform a plurality of steps of laser processing in the thickness direction of a to-be-processed object by the said laser beam irradiation means.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 방법으로서, 피가공물을 척 테이블에 유지하는 유지 단계와, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔 조사 수단으로부터 제1 조건으로 레이저 빔을 조사하는 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계와, 상기 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계에서 피가공물에 조사된 레이저 빔이 피가공물 상면(上面)에서 반사된 반사광의 광량을 검출하는 반사 광량 검출 단계와, 상기 반사 광량 검출 단계에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출하는 단수 산출 단계와, 상기 단수 산출 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 상기 레이저 빔 조사 수단으로부터 제2 조건으로 레이저 빔을 조사하여 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 상기 단수 산출 단계에서 산출된 단수의 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법이 제공된다.According to the invention of claim 2, there is provided a laser processing method for performing laser processing on a workpiece, comprising: a holding step of holding the workpiece on a chuck table, and a first condition from a laser beam irradiation means on the workpiece held on the chuck table; A laser beam irradiation step of detecting a reflected light amount to irradiate a laser beam and a reflection of detecting a light amount of reflected light reflected from an upper surface of the workpiece by a laser beam irradiated to the workpiece in the reflected beam amount detecting laser beam irradiation step After the step of calculating the number of steps for performing the laser processing of a plurality of stages over the thickness direction of the workpiece based on the amount of light detection step and the reflected light amount detected in the reflected light amount detection step, and after the step And a laser beam under the second condition from the laser beam irradiation means to the workpiece held on the chuck table. There is provided a laser processing method comprising a laser processing step of irradiating and performing a single laser processing calculated in the above-mentioned stage calculation step over the thickness direction of the workpiece.
본 발명의 레이저 가공 장치는, 피가공물 상면에서 반사된 반사광의 광량을 검출하는 반사 광량 검출 수단과, 검출된 반사 광량에 기초하여 레이저 가공을 실시하는 최적의 단수를 산출하는 단수 산출 수단을 갖기 때문에, 피가공물의 레이저 조사면 상태에 상관없이 균일한 레이저 가공을 실시하는 것이 가능해진다. Since the laser processing apparatus of the present invention has a reflected light amount detecting means for detecting the light amount of the reflected light reflected from the upper surface of the workpiece, and a singular calculating means for calculating the optimum number of steps for laser processing based on the detected reflected light amount. It becomes possible to perform uniform laser processing irrespective of the state of the laser irradiation surface of a to-be-processed object.
본 발명의 레이저 가공 방법은, 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계와, 반사 광량을 검출하는 반사 광량 검출 단계와, 반사 광량 검출 단계에서 검출된 반사 광량에 기초하여 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출하는 단수 산출 단계를 포함하기 때문에, 피가공물의 레이저 조사면 상태에 상관없이 균일한 레이저 가공을 피가공물에 실시할 수 있다.The laser processing method of the present invention comprises a plurality of stages over the thickness direction of the workpiece based on the laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount, the reflected light amount detecting step for detecting the reflected light amount, and the reflected light amount detected in the reflected light amount detecting step. Since it includes the stage calculating step of calculating the stage which performs the laser processing of the workpiece | work, a uniform laser processing can be performed to a to-be-processed object irrespective of the state of the laser irradiation surface of a to-be-processed object.
도 1은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 레이저 빔 조사 유닛의 광학계의 블록도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 4는 반도체 웨이퍼의 표면측을, 외측 둘레부가 환형 프레임에 장착된 점착 테이프에 접착하는 양태를 나타내는 분해 사시도이다.
도 5는 유지 단계를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 6은 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 7은 피가공물의 반사율과 적절한 펄스 에너지 간의 상관 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공 단계를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 9는 레이저 가공의 단수를 설명하는 단면도이다.
도 10은 웨이퍼의 표면측에 실시하는 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 11은 반사 광량을 검출하면서 레이저 가공을 실시하는 실시형태를 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 12는 이면 연삭 단계를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view of a laser processing apparatus.
2 is a block diagram of an optical system of a laser beam irradiation unit.
3 is a perspective view of the surface side of a semiconductor wafer.
It is an exploded perspective view which shows the aspect which adhere | attaches the surface side of a semiconductor wafer to the adhesive tape with which the outer peripheral part was attached to the annular frame.
5 is a partial cross-sectional side view showing the holding step.
6 is a partial cross-sectional side view showing the laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount.
7 is a diagram showing a correlation between reflectance of a workpiece and an appropriate pulse energy.
8 is a partial cross-sectional side view illustrating a laser processing step of forming a modified layer inside a wafer.
9 is a cross-sectional view illustrating the number of stages of laser processing.
10 is a partial cross-sectional side view showing a laser beam irradiation step for detecting a reflected light amount on a surface side of a wafer.
It is a partial cross-sectional side view which shows embodiment which performs laser processing, detecting the amount of reflected light.
12 is a perspective view illustrating the back grinding step.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 외관 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(2)는 정지 베이스(4) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 탑재된 제1 슬라이드 블록(6)을 포함한다.DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1, there is shown an external perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The laser processing apparatus 2 includes the first slide block 6 mounted on the stationary base 4 so as to be movable in the X-axis direction.
제1 슬라이드 블록(6)은 볼나사(8) 및 펄스 모터(10)로 구성되는 가공 이송 수단(가공 이송 유닛)(12)에 의해 한 쌍의 가이드 레일(14)을 따라서 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동한다. The first slide block 6 is processed along a pair of
제1 슬라이드 블록(6) 상에는 제2 슬라이드 블록(16)이 Y축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다. 즉, 제2 슬라이드 블록(16)은 볼나사(18) 및 펄스 모터(20)로 구성되는 인덱싱 이송 수단(인덱싱 이송 유닛)(22)에 의해 한 쌍의 가이드 레일(24)을 따라서 인덱싱 방향, 즉 Y축 방향으로 이동한다. The
제2 슬라이드 블록(16) 상에는 원통 지지 부재(26)를 통해 척 테이블(28)이 탑재되어 있고, 척 테이블(28)은 가공 이송 수단(12) 및 인덱싱 이송 수단(22)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능하다. 척 테이블(28)에는, 척 테이블(28)에 흡인 유지된 반도체 웨이퍼를 클램프하는 클램프(30)가 설치되어 있다. The chuck table 28 is mounted on the
정지 베이스(4)에는 칼럼(32)이 세워져 설치되어 있고, 이 칼럼(32)에 레이저 빔 조사 유닛(34)이 부착되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛(34)은 케이싱(35) 내에 수용된 도 2에 도시하는 레이저 발진 유닛(62)과, 케이싱(35)의 선단에 부착된 가공 헤드(36)를 포함한다.A
레이저 발진 유닛(62)은 도 2에 도시하는 바와 같이, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저를 발진시키는 레이저 발진기(64)와, 반복 주파수 설정 유닛(66)을 포함한다. 특별히 도시하지는 않지만, 레이저 발진기(64)는 브루스터 창을 갖고 있고, 레이저 발진기(64)로부터 출사되는 레이저 빔은 직선 편광의 레이저 빔이다. As shown in FIG. 2, the
케이싱(35)의 선단부에는, 가공 헤드(36)와 X축 방향으로 정렬하여 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 촬상 유닛(38)이 배치되어 있다. 촬상 유닛(38)은 가시광에 의해 반도체 웨이퍼의 가공 영역을 촬상하는 통상의 CCD 등의 촬상 소자를 포함한다.At the distal end of the
촬상 유닛(38)은 반도체 웨이퍼에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 적외선 CCD 등의 적외선 촬상 소자로 구성되는 적외선 촬상 수단을 더 포함하고, 촬상된 화상 신호는 컨트롤러(제어 수단)(40)에 송신된다. The
컨트롤러(40)는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(42)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)(44)와, 연산 결과 등을 저장하는 기록·판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(46)와, 카운터(48)와, 입력 인터페이스(50)와, 출력 인터페이스(52)를 구비한다.The
도면부호 56은 가이드 레일(14)을 따라서 배치된 리니어 스케일(54)과, 제1 슬라이드 블록(6)에 배치된 도시하지 않은 판독 헤드로 구성되는 가공 이송량 검출 수단이며, 가공 이송량 검출 수단(56)의 검출 신호는 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다.
도면부호 60은 가이드 레일(24)을 따라서 배치된 리니어 스케일(58)과 제2 슬라이드 블록(16)에 배치된 도시하지 않은 판독 헤드로 구성되는 인덱싱 이송량 검출 수단이며, 인덱싱 이송량 검출 수단(60)의 검출 신호는 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다.
촬상 유닛(38)으로 촬상된 화상 신호도 컨트롤러(40)의 입력 인터페이스(50)에 입력된다. 한편, 컨트롤러(40)의 출력 인터페이스(52)로부터는 펄스 모터(10), 펄스 모터(20), 레이저 빔 조사 유닛(34) 등에 제어 신호가 출력된다. The image signal picked up by the
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 빔 조사 유닛(34)의 광학계가 도시되어 있다. 가공 헤드(36)의 케이싱(70) 내에는 반사 미러(76)와 집광 렌즈(74)가 수용되어 있다. 또한, 반사 미러(72)와 집광 렌즈(74) 사이에는 하프 미러(빔 스플리터)(76)가 배치되어 있다. 2, an optical system of a laser
레이저 빔 발진 유닛(62)으로부터 발진되고 또한 출력 조정 유닛(68)에서 정해진 파워로 조정된 레이저 빔(69)은 가공 헤드(36)의 반사 미러(72)에서 반사되고, 그 일부는 하프 미러(76)를 투과하여 집광 렌즈(74)에 의해 피가공물인 웨이퍼(11)에 조사된다. The
웨이퍼(11) 상면에서 반사된 반사광(71)은 집광 렌즈(74)에서 집광되고, 그 일부는 하프 미러(76)에서 반사되어, 포토다이오드 등의 수광 소자를 포함하는 반사 광량 검출기(78)로 반사 광량이 검출된다. The reflected light 71 reflected from the upper surface of the
이 반사 광량에 기초하여, 단수 산출 유닛(80)에서 피가공물(웨이퍼)의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출한다. 단수 산출 유닛(80)은 가공 이송 유닛(12), 인덱싱 이송 유닛(22) 및 집광점 위치 변경 유닛(81)에 접속되어 있고, 산출된 단수에 따라서 컨트롤러(40)가 가공 이송 유닛(12), 인덱싱 이송 유닛(22) 및 집광점 위치 변경 유닛(81)을 제어한다. Based on this reflected light quantity, the number of stages which perform a laser processing of multiple stages in the thickness direction of a to-be-processed object (wafer) in the
하프 미러(76)는 집광 렌즈(74)와 피가공물(웨이퍼)(11)의 사이에 배치되어도 좋지만, 집광 렌즈(74)보다 상류측에 하프 미러(76)를 배치하는 편이, 웨이퍼(11)의 상면에서 반사된 반사광만을 집광 렌즈(74)로 집광하여 하프 미러(76)에 입사시킬 수 있기 때문에, 반사 광량의 검출에는 이러한 배치가 바람직하다. Although the
도 3을 참조하면, 본 발명의 레이저 가공 방법의 피가공물의 하나인 반도체 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 반도체 웨이퍼(11)는, 예컨대 두께 700 ㎛의 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 분할 예정 라인(13)이 격자형으로 형성되어 있으며, 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(11)의 이면(11b)에는, 도 4에 도시하는 바와 같이, SiO2로 이루어진 산화막(17)이 형성되어 있다. Referring to Fig. 3, there is shown a perspective view of the surface side of a
본 발명의 레이저 가공 방법에서는, 피가공물이 도 3에 도시하는 반도체 웨이퍼(11)에 한정되는 것은 아니며, 표면 또는 이면에 산화막, 질화막, 금속막, Low-k막 등의 막을 갖는 피가공물을 포함하는 것이다. In the laser processing method of the present invention, the workpiece is not limited to the
본 발명의 레이저 가공 방법을 실시함에 있어서, 반도체 웨이퍼(11)의 표면(11a)측이, 도 4에 도시하는 바와 같이, 외측 둘레부가 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)에 접착되고, 그 이면(11b)이 상측이 된다. In performing the laser processing method of this invention, as shown in FIG. 4, the
그리고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 레이저 가공 장치(2)의 척 테이블(28)에 반도체 웨이퍼(11)가 점착 테이프(T)를 통해 흡인 유지되고, 환형 프레임(F)이 클램프(30)에 의해 클램프되어 고정된다. As shown in FIG. 5, the
이어서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(28)에 유지된 웨이퍼(11)에 레이저 빔 조사 유닛(34)의 가공 헤드(36)로부터 제1 조건으로 레이저 빔(69)을 조사하는 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계를 실시한다. 6, the reflection which irradiates the
이 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계를 실시하기 전에, 레이저 가공해야 할 분할 예정 라인(13)을 검출하는 얼라인먼트를 실시한다. 즉, 촬상 유닛(38)의 적외선 카메라로 웨이퍼(11)를 이면(11b)측으로부터 촬상하고, 잘 알려져 있는 패턴 매칭 등의 화상 처리를 이용하여, 제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13) 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)을 검출한다. Before performing the laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount, alignment is performed to detect the division scheduled
다른 실시형태로서, 척 테이블(28)의 유지면을 투명 부재로 형성하고, 척 테이블(28)의 아래에 배치된 카메라로 웨이퍼(11)를 촬상하여, 얼라인먼트를 실시하도록 해도 좋다. As another embodiment, the holding surface of the chuck table 28 may be formed of a transparent member, and the
또한, 본 발명에서는, 웨이퍼(11)의 반사 광량을 검출하기 전에, 미리 기지의 반사율을 갖는 하나 또는 복수의 기준 워크를 준비하고, 기준 워크에서 반사 광량을 검출하여, 그 때의 반사 광량을 기준 데이터로서 컨트롤러(40)의 RAM(46)에 기억시켜 둔다. In the present invention, before detecting the amount of reflected light of the
이 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(28)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서, 가공 헤드(36)로부터 산화막(17)이 형성된 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 레이저 빔(69)을 조사하여, 이 반사광(71)을 반사 광량 검출기(78)로 검출한다. In this laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount, as illustrated in FIG. 6, the
예컨대, 웨이퍼(11)의 임의의 분할 예정 라인(13), 복수의 분할 예정 라인(13), 또는 모든 분할 예정 라인(13)에 반사 광량 검출용 레이저 빔을 조사하여 반사 광량을 검출한다. For example, the reflected light amount detection laser beam is irradiated to an arbitrary division scheduled
레이저 빔(69)의 조사에 의해, 웨이퍼(11)의 내부에 개질층을 형성하는 경우의 반사 광량 검출용 레이저 빔의 조사 조건은, 예컨대 이하에 나타낸 바와 같다. Irradiation conditions of the laser beam for detecting the reflected light amount when the modified layer is formed inside the
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd:YVO4 펄스 레이저 Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulse laser
파장 : 1064 ㎚ Wavelength: 1064 nm
반복 주파수 : 100 ㎑ Repetition frequency: 100 ㎑
평균 출력 : 0.1 W Average power: 0.1 W
가공 이송 속도 : 400 ㎜/sMachining feed rate: 400 mm / s
반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계에서 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 레이저 빔(69)을 조사하면, 산화막(17)이 형성된 이면(11b)에서 반사된 반사광(71)이 도 2에 도시하는 집광 렌즈(74)에서 집광되고, 그 일부가 하프 미러(76)에서 반사되어 수광 소자를 포함하는 반사 광량 검출기(78)에 입사하고, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에서 반사된 반사 광량이 검출된다. 검출된 반사 광량과 RAM(46)에 저장되어 있는 반사율이 기지인 기준 워크의 반사 광량으로부터 웨이퍼(11)의 이면(11b)의 반사율을 산출한다. When the
컨트롤러(40)의 ROM(44)에는, 예컨대 피가공물의 종류마다 또는 가공 조건마다 피가공물의 반사율과 적절한 가공 단수 간의 상관 관계(73)를 나타내는, 도 7에 나타낸 바와 같은 상관도를 복수개 저장해 둔다. 본 발명에서는, 출력 조정 유닛(68)에서 조정되는 레이저 발진기(64)가 발진시키는 레이저 빔의 파워가 1회의 레이저 가공으로는 충분한 가공이 이루어질 수 없는 경우를 상정하고 있다. The
반사 광량 검출 단계를 실시한 후, 반사 광량 검출 단계에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 단수 산출 유닛(80)이 가공 단수를 산출하고, 척 테이블(28)에 유지된 웨이퍼(11)에 레이저 빔 조사 유닛(34)의 가공 헤드(36)로부터 제2 조건으로 레이저 빔을 조사하여, 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(19)을 형성하는 레이저 가공 단계를 실시한다. After performing the reflected light amount detection step, based on the reflected light amount detected in the reflected light amount detection step, the
이 레이저 가공 단계에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(28)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서, 레이저 빔 조사 유닛(34)의 가공 헤드(36)로부터 제2 조건으로 레이저 빔(69)을 조사하여, 웨이퍼(11) 내부에 개질층(19)을 형성한다. In this laser machining step, as shown in FIG. 8, the
척 테이블(28)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)의 내부에 동일한 개질층(19)을 차례차례 형성한다. 이어서, 척 테이블(28)을 90도 회전하고 나서, 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인(13)을 따라서 동일한 개질층(19)을 형성한다. While indexing and conveying the chuck table 28 in the Y-axis direction, the same reformed
단수 산출 유닛(80)에서 산출된 가공 단수가 2단인 경우에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 집광점 위치 변경 유닛(81)에 의해 집광점의 위치를 바꾸면서, 제1 개질층(19a) 및 제2 개질층(19b)을 웨이퍼 내부에 형성한다. In the case where the number of processing stages calculated by the
이 개질층 형성 단계에서의 레이저 가공 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정된다. The laser processing conditions in this modified layer forming step are set as follows, for example.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd:YVO4 펄스 레이저 Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulse laser
파장 : 1064 ㎚Wavelength: 1064 nm
반복 주파수 : 100 ㎑Repetition frequency: 100 ㎑
평균 출력 : 2.0 WAverage power: 2.0 W
가공 이송 속도 : 400 ㎜/sMachining feed rate: 400 mm / s
도 10을 참조하면, 웨이퍼(11)에 어블레이션 가공을 실시하는 경우에, 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계를 설명하는 일부 단면 측면도가 도시되어 있다. 예컨대, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 형성된 Low-k막에 어블레이션 가공을 실시하는 경우에는, 레이저 빔(69)은 웨이퍼(11)의 표면(11a)측에 입사된다. 그리고, 표면(11a)에서 반사된 반사광(71)의 광량을 반사 광량 검출기(78)로 검출한다. Referring to FIG. 10, a partial cross-sectional side view for explaining the laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount when ablating the
어블레이션 가공의 경우에도 전술한 개질층 형성 가공과 마찬가지로, 웨이퍼(11)의 임의의 분할 예정 라인(13), 복수의 분할 예정 라인(13), 또는 모든 분할 예정 라인(13)에 반사 광량 검출용 레이저 빔을 조사하여 반사 광량을 검출한다. In the case of ablation processing, the amount of reflected light is detected on any of the scheduled division lines 13, the plurality of scheduled division lines 13, or all the scheduled division lines 13 of the
어블레이션 가공의 경우에 레이저 빔 조사 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정된다. In the case of ablation processing, laser beam irradiation conditions are set as follows, for example.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd:YVO4 펄스 레이저Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulse laser
파장 : 355 ㎚(YVO4 펄스 레이저의 제3 고조파)Wavelength: 355 nm (third harmonic of the YVO4 pulsed laser)
반복 주파수 : 200 ㎑Repetition frequency: 200 ㎑
평균 출력 : 0.1 WAverage power: 0.1 W
가공 이송 속도 : 200 ㎜/sMachining feed rate: 200 mm / s
어블레이션 가공에서는, 반사 광량 검출 단계를 실시한 후, 반사 광량 검출 단계에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 단수 산출 유닛(80)이 가공 단수를 산출하고, 척 테이블(28)에 유지된 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 레이저 빔 조사 유닛(34)의 가공 헤드(36)로부터 제2 조건으로 레이저 빔을 조사해서, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)에 어블레이션 가공을 실시하여 레이저 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 단계를 실시한다. In the ablation processing, after the reflected light amount detection step is performed, the number of
이 어블레이션 가공에서의 레이저 가공 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정된다. The laser processing conditions in this ablation processing are set as follows, for example.
광원 : LD 여기 Q 스위치 Nd:YVO4 펄스 레이저Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 pulse laser
파장 : 355 ㎚(YVO4 펄스 레이저의 제3 고조파)Wavelength: 355 nm (third harmonic of the YVO4 pulsed laser)
반복 주파수 : 200 ㎑Repetition frequency: 200 ㎑
평균 출력 : 1 WAverage power: 1 W
가공 이송 속도 : 200 ㎜/sMachining feed rate: 200 mm / s
단수 산출 유닛(80)에서 산출된 가공 단수가 2단인 경우에는, 1회째의 레이저 가공의 경우는 집광점 위치를 웨이퍼(11)의 표면(11a) 상에 설정하고, 2회째의 레이저 가공의 경우는 1회째의 어블레이션 가공에 의해 형성된 레이저 가공 홈의 바닥면 근방에 집광점 위치를 설정한다. In the case of the first laser processing, in the case of the first laser processing, the focusing point position is set on the
본 발명의 레이저 가공 방법의 제2 실시형태에서는, 반사 광량 검출 단계를 실시하면서 레이저 가공 단계를 실시하도록 해도 좋다. 즉, 도 11에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(28)을 화살표 X1 방향으로 가공 이송하면서 레이저 빔 조사 유닛(34)의 가공 헤드(36)로부터 레이저 빔(69)을 조사하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에서 반사된 반사광(71)의 반사 광량을 반사 광량 검출기(78)로 검출한다. In the second embodiment of the laser processing method of the present invention, the laser processing step may be performed while the reflected light amount detection step is performed. That is, as shown in FIG. 11, the
이 반사 광량에 기초하여, 단수 산출 유닛(80)이 필요로 하는 가공 단수를 산출하고, 웨이퍼(11)의 내부에 산출된 단수의 개질층(19)을 형성한다. 어블레이션 가공의 경우에도, 반사 광량에 따라서 단수 산출 유닛(80)이 필요로 하는 가공 단수를 산출하고, 산출된 단수의 어블레이션 가공을 실시한다. 웨이퍼(11)에 개질층(19)이나 레이저 가공 홈을 형성한 후, 웨이퍼(11)에 외력을 부여하여 개개의 칩으로 분할하는 분할 단계를 실시한다. Based on this reflected light amount, the number of stages of processing required by the
본 실시형태에서는, 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)의 내부에 개질층(19)을 형성한 후, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하는 이면 연삭 단계를 실시한다. 이 이면 연삭 단계에서는, 도 12에 도시하는 바와 같이, 연삭 장치의 척 테이블(96)에 유지된 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭 지석(94)으로 연삭하고, 연삭중의 압박력으로 웨이퍼(11)를 개개의 칩으로 분할한다. In this embodiment, after the modified
도 12에서, 연삭 유닛(82)은 스핀들(84)과, 스핀들(84)의 선단에 고정된 휠 마운트(86)와, 휠 마운트(86)에 복수의 나사(90)로 착탈 가능하게 장착된 연삭 휠(88)로 구성된다. 연삭 휠(88)은 환형 베이스(92)의 하단부 외측 둘레에 복수의 연삭 지석(94)을 고착하여 구성된다. In FIG. 12, the grinding
이 이면 연삭 단계에서는, 척 테이블(96)은 화살표 a 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시키고, 연삭 휠(88)은 화살표 b 방향으로 예컨대 6000 rpm으로 회전시키면서 연삭 유닛 이송 기구를 작동하여 연삭 지석(94)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시킨다.In this back grinding step, the chuck table 96 is rotated at, for example, 300 rpm in the direction of arrow a, and the
그리고, 연삭 휠(88)을 정해진 연삭 이송 속도로 아래쪽으로 연삭 이송하면서, 웨이퍼(11)의 이면(11b)의 연삭을 실시한다. 접촉식 또는 비접촉식의 두께 측정 게이지로 웨이퍼(11)의 두께를 측정하면서, 웨이퍼(11)를 원하는 두께, 예컨대 50 ㎛로 마무리한다. And the grinding | polishing
이 연삭 도중에, 웨이퍼(11)의 내부에는 분할 예정 라인(13)을 따라서 개질층(19)이 형성되어 있기 때문에, 연삭중의 압박력으로 개질층(19)을 분할 기점으로 하여 웨이퍼(11)가 개개의 칩으로 분할된다. During this grinding process, since the modified
여기서, 분할성이 낮은 피가공물인 경우에는, 이면 연삭을 실시하기 전에 피가공물에 외력을 부여하여 분할하는 분할 단계를 실시한다. 또는, 이면 연삭 실시후에, 피가공물에 외력을 부여하여 분할하는 분할 단계를 실시한다. Here, in the case of a workpiece having a low dividing property, a division step of dividing the workpiece by applying an external force to the workpiece before back grinding is performed. Or after a back grinding operation, the division | segmentation step of applying and dividing an external force to a to-be-processed object is implemented.
전술한 실시형태에서는, 두께가 두꺼운(700 ㎛) 웨이퍼에 개질층(19)을 형성한 후, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하여 웨이퍼를 박화하는 것과 동시에 연삭 시의 압박력에 의해 개질층(19)을 분할 기점으로 하여 개개의 칩으로 분할하고 있지만, 미리 이면(11b)을 연삭하여 박화된 웨이퍼(11)에 개질층(19)이나 레이저 가공 홈을 형성하도록 해도 좋다. In the above-described embodiment, after the modified
11 : 반도체 웨이퍼 13 : 분할 예정 라인
15 : 디바이스 17 : 산화막
19, 19a, 19b : 개질층 28 : 척 테이블
34 : 레이저 빔 조사 유닛 36 : 가공 헤드
38 : 촬상 유닛 62 : 레이저 발진 유닛
64 : 레이저 발진기 66 : 반복 주파수 설정 유닛
68 : 출력 조정 유닛 69 : 레이저 빔
71 : 반사광 74 : 집광 렌즈
76 : 하프 미러 78 : 반사 광량 검출기
80 : 단수 산출 유닛11: semiconductor wafer 13: line to be divided
15
19, 19a, 19b: modified layer 28: chuck table
34 laser
38: imaging unit 62: laser oscillation unit
64: laser oscillator 66: repetition frequency setting unit
68: output adjustment unit 69: laser beam
71: reflected light 74: condensing lens
76: half mirror 78: reflected light amount detector
80: singular calculation unit
Claims (2)
피가공물을 유지하는 척 테이블과,
레이저 발진기와, 상기 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 집광하는 집광 렌즈를 갖는 가공 헤드를 포함하는 레이저 빔 조사 수단과,
상기 레이저 빔 조사 수단으로부터 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 조사된 레이저 빔의 반사 광량을 검출하는 반사 광량 검출 수단과,
상기 반사 광량 검출 수단에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 상기 레이저 빔 조사 수단에서 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출하는 단수 산출 수단
을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치. In the laser processing apparatus which performs a laser processing on a to-be-processed object,
A chuck table for holding the workpiece,
Laser beam irradiation means comprising a laser oscillator and a processing head having a condenser lens for condensing the laser beam oscillated from the laser oscillator;
Reflected light amount detecting means for detecting the reflected light amount of the laser beam irradiated from the laser beam irradiation means to the workpiece held on the chuck table;
Number of stages calculating means for calculating the number of stages of laser processing of a plurality of stages in the thickness direction of a workpiece by the said laser beam irradiation means based on the amount of reflected light detected by the said reflected light quantity detection means.
Laser processing apparatus comprising a.
피가공물을 척 테이블에 유지하는 유지 단계와,
상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔 조사 수단으로부터 제1 조건으로 레이저 빔을 조사하는 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계와,
상기 반사 광량 검출용 레이저 빔 조사 단계에서 피가공물에 조사된 레이저 빔이 피가공물 상면(上面)에서 반사된 반사광의 광량을 검출하는 반사 광량 검출 단계와,
상기 반사 광량 검출 단계에서 검출된 반사 광량에 기초하여, 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 복수단의 레이저 가공을 실시하는 단수를 산출하는 단수 산출 단계와,
상기 단수 산출 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 상기 레이저 빔 조사 수단으로부터 제2 조건으로 레이저 빔을 조사하여, 피가공물의 두께 방향에 걸쳐 상기 단수 산출 단계에서 산출된 단수의 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.In the laser processing method which performs a laser processing on a to-be-processed object,
A holding step of holding the workpiece on the chuck table;
A laser beam irradiation step for detecting a reflected light amount for irradiating a workpiece held on the chuck table to a workpiece under a first condition from a laser beam irradiation means;
A reflected light amount detecting step of detecting a light amount of reflected light reflected from the upper surface of the workpiece by the laser beam irradiated to the workpiece in the laser beam irradiation step for detecting the reflected light amount;
A stage calculating step of calculating a stage for performing a plurality of stages of laser processing over the thickness direction of the workpiece, based on the amount of reflected light detected in the reflected light amount detecting step;
After performing the number calculating step, the laser beam is irradiated to the workpiece held on the chuck table under a second condition from the laser beam irradiation means, and the number of lasers calculated in the number calculating step in the thickness direction of the workpiece is Laser processing step to perform processing
Wherein the laser processing method comprises the steps of:
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017138684A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | (주)이오테크닉스 | Laser processing system |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9663095B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-05-30 | Suzuki Motor Corporation | Traction control device |
JP2015145926A (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 日本電産コパル株式会社 | laser exposure apparatus |
DE102014108259A1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Scanlab Ag | Device for laser material processing |
JP6367048B2 (en) * | 2014-08-28 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
JP2016157880A (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
JP2017006930A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社ディスコ | Laser processing device |
JP6342949B2 (en) * | 2016-05-17 | 2018-06-13 | ファナック株式会社 | Laser processing apparatus and laser processing method for performing laser processing while suppressing reflected light |
JP6906837B2 (en) * | 2017-02-13 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
JP6994852B2 (en) * | 2017-06-30 | 2022-01-14 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment and laser processing method |
CN107378258B (en) * | 2017-07-14 | 2019-02-12 | 中国科学院微电子研究所 | A kind of method and system laser machining wafer |
CN107378232B (en) * | 2017-07-14 | 2019-03-15 | 中国科学院微电子研究所 | A kind of method and system laser machining wafer |
JP7043124B2 (en) * | 2017-09-22 | 2022-03-29 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
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Family Cites Families (15)
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---|---|---|---|---|
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JP4349075B2 (en) * | 2003-10-28 | 2009-10-21 | パナソニック電工株式会社 | Laser processing method and processing state judgment method |
JP3708104B2 (en) * | 2004-01-13 | 2005-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method and laser processing apparatus |
KR100676252B1 (en) * | 2005-05-17 | 2007-02-01 | 삼성전자주식회사 | A layer count method of multi-layer disk |
JP2007095952A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing equipment and laser dicing method |
JP2007206550A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toshiba Corp | Defective pixel correcting device for liquid crystal panel |
JP2007284288A (en) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | Scribing method and scribing device for substrate |
JP2008012542A (en) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser beam machining method |
JP5122773B2 (en) * | 2006-08-04 | 2013-01-16 | 株式会社ディスコ | Laser processing machine |
JP2009140958A (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Laser dicing device and dicing method |
EP2210696A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Excico France | Method and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy |
JP2010183014A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of processing wafer |
KR20120019649A (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-07 | 삼성엘이디 주식회사 | Apprartus and method for laser scribing |
JP5721377B2 (en) * | 2010-09-09 | 2015-05-20 | 株式会社ディスコ | Split method |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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