JP2010123723A - Laser processing method of wafer - Google Patents

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Kenji Furuta
健次 古田
Kiyoshi Osuga
浄 大須賀
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suitably irradiate a wafer with a laser beam along streets by preventing the influence of slight expansion of the wafer in a direction orthogonal to the streets irradiated with the laser beam in a processing method of forming modified layers by irradiating the wafer, provided continuously with a plurality of first streets and also provided discontinuously with a plurality of second streets formed in a direction orthogonal to the first streets, with the laser beam. <P>SOLUTION: The laser processing method includes: a first modified layer forming stage of forming the discontinuous modified layers in the wafer along the discontinuous second streets by irradiating the wafer along the discontinuous second streets with a laser beam having such a wavelength that the laser beam is transmitted through the wafer; and a second modified layer forming stage of forming continuous modified layers in the wafer along the first streets by irradiating the wafer having been subjected to the first modified layer forming stage with a laser beam having such a wavelength that the laser beam is transmitted through the wafer along the continuous first streets. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、チャックテーブルに保持されたウエーハの表面に形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer laser processing method for irradiating a laser beam along a street formed on the surface of a wafer held by a chuck table and forming a deteriorated layer along the street inside the wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and circuits such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in these partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region where the circuit is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

近年、半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３４０８８０５号公報 In recent years, as a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, a pulsed laser beam having transparency to the workpiece is used, and the focused laser beam is aligned with the inside of the region to be divided. Laser processing methods for irradiation have also been attempted. The dividing method using this laser processing method irradiates a pulse laser beam having a wavelength (for example, 1064 nm) having transparency with respect to the work piece by aligning the condensing point from one side of the work piece to the inside. The work piece is divided by continuously forming a deteriorated layer along the planned dividing line inside the work piece and applying an external force along the street whose strength is reduced by the formation of the deteriorated layer. Is. (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent No. 3408805

一方、ウエーハの表面に出来るだけ多くのデバイスを形成するために、一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１のストリートはそれぞれ連続して設けられ、この第１のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートが非連続に設けられた半導体ウエーハが実用化されている。   On the other hand, in order to form as many devices as possible on the surface of the wafer, a plurality of first streets formed in parallel with each other in one direction are provided in succession, and a direction orthogonal to the first streets. Semiconductor wafers in which a plurality of second streets formed in a discontinuous manner are provided in practical use.

而して、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成すると、ウエーハはレーザー光線が照射されたストリートと直交する方向に僅かに膨張する。この結果、レーザー光線の集光点とストリートとの位置関係が累積的にズレていくため、複数の第１のストリートと複数の第２のストリートを設定した制御マップに基づいてレーザー光線を照射すると、非連続のストリートに沿ってレーザー光線を照射する際に適正な照射位置からズレた位置にレーザー光線が照射される場合がある。   Thus, when a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is irradiated along the street and an altered layer is formed along the street inside the wafer, the wafer is orthogonal to the street irradiated with the laser beam. Swells slightly. As a result, the positional relationship between the condensing point of the laser beam and the street is cumulatively shifted. Therefore, when the laser beam is irradiated based on the control map in which the plurality of first streets and the plurality of second streets are set, When irradiating a laser beam along a continuous street, the laser beam may be irradiated at a position shifted from an appropriate irradiation position.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１のストリートがそれぞれ連続して設けられ、該第１のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートが非連続に設けられた半導体ウエーハであっても、複数の第１のストリートと複数の第２のストリートを設定した制御マップに従ってレーザー光線を照射することにより、複数の第１のストリートと複数の第２のストリートに沿って適正にレーザー光線を照射することができるウエーハのレーザー加工方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is that a plurality of first streets formed in parallel to each other in one direction are continuously provided, and the first streets are provided. Even if it is a semiconductor wafer in which a plurality of second streets formed in a direction perpendicular to the semiconductor wafer is provided in a discontinuous manner, the laser beam is irradiated according to a control map in which the plurality of first streets and the plurality of second streets are set. Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer laser processing method capable of appropriately irradiating a laser beam along a plurality of first streets and a plurality of second streets.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハ基板の表面に一方の方向に互いに平行に連続して形成された複数の第１のストリートと、該第１のストリートと直交する方向に非連続に形成された複数の第２のストリートと備えたウエーハに、該第１のストリートと該第２のストリートのX,Y座標値に基づいて該第１のストリートと該第２のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該第１のストリートと該第２のストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第２のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該第２のストリートに沿って非連続の変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第１のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該第１のストリートに沿って連続した変質層を形成する第２の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a plurality of first streets continuously formed in parallel to one direction on the surface of a wafer substrate, and a direction orthogonal to the first streets A plurality of second streets formed discontinuously on the first street and the second street based on the X and Y coordinate values of the first street and the second street. A laser beam processing method for forming a deteriorated layer along the first street and the second street inside the wafer,
A first deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam having a wavelength having transparency to the wafer along the second street to form a discontinuous deteriorated layer along the second street in the wafer. When,
Irradiation along the first street with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer on which the first deteriorated layer forming step has been performed, and continuous alteration along the first street inside the wafer. A second altered layer forming step of forming a layer,
A wafer laser processing method is provided.

上記第１の変質層形成工程は、第２のストリートにおける一方の最外側の第２のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の第２のストリートに沿って実施する第１の工程と、第２のストリートにおける他方の最外側の第２のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の第２ストリートに沿って実施する第２の工程とを含み、
上記第２の変質層形成工程は、第１のストリートにおける一方の最外側の第１のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の第１のストリートに沿って実施する第１の工程と、第１のストリートにおける他方の最外側の第１のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の第１のストリートに沿って実施する第２の工程とを含む。 The first deteriorated layer forming step is performed along a plurality of second streets formed in one half region of the wafer from one outermost second street in the second street sequentially toward the center. And a second step of performing along a plurality of second streets formed in the other half region of the wafer from the second outermost second street of the second street to the center sequentially. Including a process,
The second deteriorated layer forming step is performed along a plurality of first streets formed in one half region of the wafer sequentially from one outermost first street in the first street toward the center. And a second step performed along a plurality of first streets formed in the other half region of the wafer sequentially from the other outermost first street in the first street toward the center. These steps are included.

本発明によるウエーハのレーザー加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を非連続の第２のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に第２のストリートに沿って非連続の変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施した後に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を連続した第１のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に第１のストリートに沿って連続した変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施するので、第２の変質層形成工程を実施する際には第１の変質層形成工程を実施することによりウエーハは第２のストリートと直交する方向に僅かに膨張するが、第１のストリートと直交する方向には膨張しないので、予め設定された第１のストリートおよび第２のストリートに関する制御マップに従って適正な位置に第２の変質層形成工程を実施することができる。   The wafer laser processing method according to the present invention irradiates a laser beam having a wavelength transmissive to the wafer along the discontinuous second street, and discontinuously alters the inside of the wafer along the second street. After performing the first deteriorated layer forming step of forming a layer, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is irradiated along the continuous first street, and the wafer is along the first street. Since the second deteriorated layer forming step for forming the continuous deteriorated layer is performed, the second deteriorated layer forming step is performed. It expands slightly in the direction orthogonal to the street, but does not expand in the direction orthogonal to the first street, so it relates to the preset first street and second street. It can be performed second deteriorated layer forming step in the correct position according to the control map.

以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   Preferred embodiments of a wafer laser processing method according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。   FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus for carrying out a wafer laser processing method according to the present invention. A laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X and holds a workpiece. 3, a laser beam irradiation unit support mechanism 4 disposed on the stationary base 2 so as to be movable in an indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y perpendicular to the direction indicated by the arrow X, and the laser beam unit support mechanism 4 includes a laser beam irradiation unit 5 disposed so as to be movable in a direction indicated by an arrow Z (Z-axis direction).

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31, 31 arranged in parallel along the machining feed direction indicated by the arrow X on the stationary base 2, and the arrow X on the guide rails 31, 31. A first slide block 32 movably disposed in the processing feed direction; and a second slide block 33 disposed on the first slide block 32 movably in the index feed direction indicated by an arrow Y; A cover table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 formed of a porous material, and holds, for example, a disk-shaped semiconductor wafer, which is a workpiece, on the suction chuck 361 by suction means (not shown). . The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame described later.

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。   The first sliding block 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and in the index feed direction indicated by an arrow Y on the upper surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel with each other are provided. The first sliding block 32 configured in this way is processed by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. It is configured to be movable in the feed direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a machining feed means 37 for moving the first sliding block 32 in the machining feed direction (X-axis direction) indicated by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31. It has. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, when the male screw rod 371 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31, 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a processing feed amount detecting means 374 for detecting the processing feed amount of the chuck table 36. The processing feed amount detection means 374 includes a linear scale 374a disposed along the guide rail 31, and a read head disposed along the linear scale 374a along with the first sliding block 32 disposed along the first sliding block 32. 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the feed amount detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means to be described later detects the machining feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signals. When the pulse motor 372 is used as the drive source of the machining feed means 37, the machining feed amount of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 372. Can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the machining feed means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to a control means described later, and the pulse signal input by the control means. By counting, the machining feed amount of the chuck table 36 can also be detected.

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the indexing and feeding direction indicated by the arrow Y. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes an index feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y along the pair of guide rails 322 and 322 provided on the first slide block 32. The first index feeding means 38 for moving to the first position is provided. The first index feed means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. It is out. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, when the male screw rod 381 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段３８４を備えている。割り出し送り量検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。この送り量検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出する。なお、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes index feed amount detection means 384 for detecting the index processing feed amount of the second sliding block 33. The index feed amount detecting means 384 includes a linear scale 384a disposed along the guide rail 322 and a read head disposed along the linear scale 384a along with the second sliding block 33 disposed along the second sliding block 33. 384b. In the illustrated embodiment, the reading head 384b of the feed amount detection means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means described later detects the index feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signals. When the pulse motor 382 is used as the drive source of the first indexing and feeding means 38, the drive table of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 382. The index feed amount can also be detected. Further, when a servo motor is used as the drive source of the first index sending means 38, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs The index feed amount of the chuck table 36 can also be detected by counting the number of pulse signals.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41, 41 arranged in parallel along the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the stationary base 2, and the arrow Y on the guide rails 41, 41. The movable support base 42 is provided so as to be movable in the direction indicated by. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. The mounting portion 422 is provided with a pair of guide rails 423 and 423 extending in the direction indicated by the arrow Z on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 43 for moving the movable support base 42 along the pair of guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y. is doing. The second index feed means 43 includes a male screw rod 431 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, 41, and a drive source such as a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. It is out. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, when the male screw rod 431 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 432, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and laser beam irradiation means 52 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 is provided with a pair of guided grooves 511 and 511 that are slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 provided in the mounting portion 422. By being fitted to the guide rails 423 and 423, the guide rails 423 and 423 are supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a moving means 53 for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). The moving means 53 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423, and a drive source such as a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. By driving the male screw rod (not shown) in the forward and reverse directions by the motor 532, the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 52 are moved along the guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 52 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward, and the laser beam irradiation means 52 is moved downward by driving the pulse motor 532 in reverse. Yes.

上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１と、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１と、パルスレーザー光線発振手段６１が発振したパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器６２と、パルスレーザー光線発振手段６１と集光器６２との間に配設されパルスレーザー光線発振手段６１が発振したパルスレーザー光線を集光器６２とレーザー光線吸収手段６３に選択的に偏向する音響光学偏向手段６４を具備している。   The laser beam irradiation means 52 oscillates from a cylindrical casing 521 arranged substantially horizontally, a pulse laser beam oscillation means 61 arranged in the casing 521 as shown in FIG. 2, and a pulse laser beam oscillation means 61. A condenser 62 for condensing the pulse laser beam and irradiating the workpiece held on the chuck table 36, and a pulse laser beam oscillator 61 disposed between the pulse laser beam oscillator 61 and the condenser 62 are provided. Acousto-optic deflecting means 64 for selectively deflecting the oscillated pulse laser beam to the condenser 62 and the laser beam absorbing means 63 is provided.

上記パルスレーザー光線発振手段６１は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器６１１は、繰り返し周波数設定手段６１２によって設定された所定周波数のパルスレーザー光線(LB)を発振する。繰り返し周波数設定手段６１２は、パルスレーザー光線発振器６１１が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する。   The pulse laser beam oscillation means 61 is composed of a pulse laser beam oscillator 611 composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 612 attached thereto. The pulse laser beam oscillator 611 oscillates a pulse laser beam (LB) having a predetermined frequency set by the repetition frequency setting means 612. The repetition frequency setting means 612 sets the repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator 611.

上記音響光学偏向手段６４は、レーザー光線発振手段６１が発振したレーザー光線(LB)の光軸を集光器６２とレーザー光線吸収手段６３に選択的に偏向する音響光学素子６４１と、該音響光学素子６４１に印加するRF（radio frequency）を生成するRF発振器６４２と、該RF発振器６４２によって生成されたRFのパワーを増幅して音響光学素子６４１に印加するRFアンプ６４３と、RF発振器６４２によって生成されるRFの周波数を調整する偏向角度調整手段６４４と、RF発振器６４２によって生成されるRFの振幅を調整する出力調整手段６４５を具備している。上記音響光学素子６４１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記偏向角度調整手段６４４および出力調整手段６４５は、後述する制御手段によって制御される。   The acoustooptic deflecting means 64 includes an acoustooptic element 641 that selectively deflects the optical axis of the laser beam (LB) oscillated by the laser beam oscillator 61 to the condenser 62 and the laser beam absorber 63, and the acoustooptic element 641. An RF oscillator 642 that generates RF (radio frequency) to be applied, an RF amplifier 643 that amplifies the RF power generated by the RF oscillator 642 and applies it to the acoustooptic device 641, and an RF generated by the RF oscillator 642 Deflection angle adjusting means 644 for adjusting the frequency of the output, and output adjusting means 645 for adjusting the amplitude of the RF generated by the RF oscillator 642. The acoustooptic device 641 can adjust the angle of deflecting the optical axis of the laser beam in accordance with the frequency of the applied RF, and adjust the output of the laser beam in accordance with the amplitude of the applied RF. Can do. The deflection angle adjusting unit 644 and the output adjusting unit 645 are controlled by a control unit described later.

上記集光器６２はケーシング５２１の先端に装着されており、上記音響光学偏向手段６４によって偏向されたパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー６２１と、該方向変換ミラー６２１によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ６２２を具備している。   The condenser 62 is attached to the tip of the casing 521, and changes the direction of the pulse laser beam deflected by the acousto-optic deflecting means 64 downward, and the direction conversion mirror 621 changes the direction. And a condensing lens 622 for condensing the laser beam.

図示の実施形態におけるパルスレーザー照射装置５２は以上のように構成されており、以下その作用について図２を参照して説明する。
音響光学偏向手段６４の偏向角度調整手段６４４に後述する制御手段から光軸偏向信号が印加されない場合には、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれる。一方、偏向角度調整手段６４４に後述する制御手段から例えば５Vの電圧が印加され、音響光学素子６４１に５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段６３に導かれる。 The pulse laser irradiation device 52 in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below with reference to FIG.
When the optical axis deflection signal is not applied to the deflection angle adjusting means 644 of the acousto-optic deflection means 64 from the control means described later, the optical axis of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means 61 is a solid line in FIG. As shown, it is led to a condenser 62. On the other hand, when a voltage of, for example, 5V is applied to the deflection angle adjusting unit 644 from a control unit described later, and an RF having a frequency corresponding to 5V is applied to the acoustooptic device 641, the pulse laser beam oscillation unit 61 oscillates. The pulsed laser beam is guided to the laser beam absorbing means 63 as its optical axis is indicated by a broken line in FIG.

図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部には、レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を制御手段８に送る。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. At the front end portion of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52, an imaging means 7 for detecting a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation means 52 is disposed. The imaging means 7 includes an infrared illumination means for irradiating a workpiece with infrared rays, an optical system for capturing infrared rays emitted by the infrared illumination means, in addition to a normal imaging device (CCD) for imaging with visible light, An image pickup device (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared ray captured by the optical system is used, and the picked-up image signal is sent to the control means 8.

制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、カウンター８４と、入力インターフェース８５および出力インターフェース８６とを備えている。制御手段８の入力インターフェース８５には、上記加工送り量検出手段３７４、割り出し送り量検出手段３８４および撮像手段７等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２および表示手段８０等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３は、後述する検出値のデータや加工条件のデータを記憶する記憶領域を備えている。   The control means 8 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, and a design value of a workpiece to be described later. A readable / writable random access memory (RAM) 83 that stores data, calculation results, and the like, a counter 84, an input interface 85, and an output interface 86 are provided. Detection signals from the machining feed amount detection means 374, the index feed amount detection means 384, the imaging means 7 and the like are input to the input interface 85 of the control means 8. A control signal is output from the output interface 86 of the control means 8 to the pulse motor 372, pulse motor 382, pulse motor 432, pulse motor 532, laser beam irradiation means 52, display means 80, and the like. The random access memory (RAM) 83 includes a storage area for storing detection value data and processing condition data, which will be described later.

次に、上述したレーザー加工装置１によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハについて、図３を参照して説明する。図３に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、ウエーハ基板１００の表面１００ａには第１の方向に複数の第１のストリート１０１が平行に連続して形成されているとともに、該第１のストリート１０１と直交する第２の方向に複数の第２のストリート１０２が平行に非連続に形成されている。このように、複数の第１のストリート１０１と複数の第２のストリート１０２によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０３が形成されている。   Next, a semiconductor wafer as a wafer processed by the laser processing apparatus 1 described above will be described with reference to FIG. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 3 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 100 μm, and a plurality of first streets 101 are continuously formed in parallel in a first direction on the surface 100a of the wafer substrate 100. In addition, a plurality of second streets 102 are formed in parallel and discontinuously in a second direction orthogonal to the first street 101. In this manner, devices 103 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of first streets 101 and a plurality of second streets 102, respectively.

図３に示す半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１のストリート１０１と第２のストリート１０２の設計値であるX,Y座標値が、上記制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納される。なお、図示の実施形態においては、図４の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の裏面１００bからみた第１のストリート１０１と第２のストリート１０２のX,Y座標値が制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納される。なお、図４の(a)に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第２のストリート１０２がX座標と平行に位置付けられた状態を示しており、図４の(b)に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第１のストリート１０１がX座標と平行に位置付けられた状態を示している。   The X and Y coordinate values which are the design values of the first street 101 and the second street 102 formed on the surface 100a of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 shown in FIG. RAM) 83. In the illustrated embodiment, as shown in FIGS. 4A and 4B, X and Y of the first street 101 and the second street 102 viewed from the back surface 100b of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 are shown. The coordinate value is stored in a random access memory (RAM) 83 of the control means 8. The control map shown in FIG. 4A shows a state in which the second street 102 formed on the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 is positioned parallel to the X coordinate, and FIG. The control map shown in FIG. 6 shows a state in which the first street 101 formed on the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 is positioned in parallel with the X coordinate.

次に、上述した半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１のストリート１０１と第２のストリート１０２に沿ってレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１のストリート１１および第２のストリート１２に沿って変質層を形成するレーザー加工方法について説明する。
先ず、上述した半導体ウエーハ１０は、図５に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTに表面１００ａ側を貼着する。従って、半導体ウエーハ１０は、裏面１００bが上側となる。 Next, a laser beam is irradiated along the first street 101 and the second street 102 formed on the surface 100a of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 described above, and the first street 11 and the inside of the semiconductor wafer 10 and A laser processing method for forming a deteriorated layer along the second street 12 will be described.
First, the above-described semiconductor wafer 10 has the surface 100a side stuck to a protective tape T made of a synthetic resin sheet made of polyolefin or the like attached to an annular frame F as shown in FIG. Accordingly, the back surface 100b of the semiconductor wafer 10 is on the upper side.

図５に示すように、環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ１０は、保護テープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ３６２によって固定される。このようにしてチャックテーブル３６上に吸引保持された半導体ウエーハ１０は、図４の(a)に示す座標値に位置付けられたことになる。   As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 10 supported by the annular frame F via the protective tape T places the protective tape T side on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. Then, by operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the protective tape T. The annular frame F is fixed by a clamp 362. The semiconductor wafer 10 sucked and held on the chuck table 36 in this way is positioned at the coordinate values shown in FIG.

上述したようにチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２のストリート１０２に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第２のストリート１０２に沿って非連続の変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施する。
即ち、上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および制御手段８によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および制御手段８は、半導体ウエーハ１０の第１の方向に形成されている第２のストリート１０２と、第２のストリート１０２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器６２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメント工程を遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている第１のストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０の第２のストリート１０２および第１のストリート１０１が形成されている表面１００ａは下側に位置しているが、撮像手段７が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１００ｂから透かして第２のストリート１０２および第１のストリート１０１を撮像することができる。 As described above, when the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 10 is irradiated along the second street 102, and the semiconductor wafer 10 is irradiated inside the semiconductor wafer 10. A first deteriorated layer forming step of forming a discontinuous deteriorated layer along the second street 102 is performed.
That is, as described above, the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the imaging unit 7 by the processing feed unit 37. When the chuck table 36 is positioned directly below the image pickup means 7, the image pickup means 7 and the control means 8 execute an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the semiconductor wafer 10. That is, the imaging means 7 and the control means 8 are the second street 102 formed in the first direction of the semiconductor wafer 10, and the condensing of the laser beam irradiation means 52 that irradiates the laser beam along the second street 102. Image processing such as pattern matching for alignment with the device 62 is performed, and an alignment process of the laser beam irradiation position is performed. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the first street 101 formed on the semiconductor wafer 10. At this time, the surface 100a on which the second street 102 and the first street 101 of the semiconductor wafer 10 are formed is positioned on the lower side, but the imaging means 7 captures infrared rays and infrared rays as described above. Since the image pickup device is configured with an optical system and an image pickup device (infrared CCD) that outputs an electric signal corresponding to infrared rays, the second street 102 and the first street 101 are picked up through the back surface 100b. be able to.

上述したアライメント工程を実施したならば、チャックテーブル３６に吸引保持されている半導体ウエーハ１０に形成された第２のストリート１０２を加工送り方向Xと平行に位置付けるウエーハ位置付け工程を実施する。もし、第２のストリート１０２と加工送り方向Xが平行でない場合には、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６を回動して第２のストリート１０２が加工送り方向Xと平行になるように位置付ける。   If the alignment process described above is performed, a wafer positioning process is performed in which the second street 102 formed on the semiconductor wafer 10 sucked and held by the chuck table 36 is positioned parallel to the machining feed direction X. If the second street 102 and the machining feed direction X are not parallel, the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is rotated so that the second street 102 is parallel to the machining feed direction X. Position.

上述したウエーハ位置付け工程を実施したならば、図６に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける一方(図６において上方)の最外側の第２のストリート１０２を集光器６２の直下に位置付け、該第２のストリート１０２の一端を（図６において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。次に、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御し、図７の（ａ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器６２からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７を作動してチャックテーブル３６を矢印X1で示す加工送り方向に所定の送り速度で移動する。そして、第１のストリート１０１との交点が集光器６２の直下に達したら、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４に５Vの電圧を印加するように制御し、音響光学素子６４１に５Vに対応する周波数のRFを印加する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段６３に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０には照射されない。そして、次の第１のストリート１０１との交点が集光器６２の直下に達したら、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射される。このように非連続の第２のストリート１０２に沿ってパルスレーザー光線を照射する（第１の変質層形成工程）。なお、この第１の変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ１０の内部に合わせる。そして、図７の（b）に示すように第２のストリート１０２の他端が集光器６２の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図７の（b）および(c)に示すように半導体ウエーハ１０の内部には非連続の第２のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される。   When the wafer positioning step described above is performed, as shown in FIG. 6, one outermost second street 102 (upward in FIG. 6) in the indexing feed direction Y of the semiconductor wafer 10 is placed directly below the condenser 62. Positioning, one end of the second street 102 (left end in FIG. 6) is positioned directly below the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52. Next, the control means 8 controls to stop the application of voltage to the deflection angle adjusting means 644 of the laser beam irradiation means 52, and from the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52 as shown in FIG. While irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength having transparency, the machining feed means 37 is operated to move the chuck table 36 in the machining feed direction indicated by the arrow X1 at a predetermined feed speed. Then, when the intersection with the first street 101 reaches just below the condenser 62, the control means 8 controls to apply a voltage of 5V to the deflection angle adjustment means 644 of the laser beam irradiation means 52, and the acoustooptic device RF having a frequency corresponding to 5V is applied to 641. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 61 is guided to the laser beam absorbing means 63 as shown by the broken line in FIG. . When the next intersection with the first street 101 reaches just below the condenser 62, the control means 8 controls to stop the application of voltage to the deflection angle adjustment means 644 of the laser beam irradiation means 52. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 61 is guided to the condenser 62 with its optical axis as shown by a solid line in FIG. 2, and irradiated to the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. . In this way, the pulse laser beam is irradiated along the discontinuous second street 102 (first deteriorated layer forming step). In the first deteriorated layer forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the inside of the semiconductor wafer 10. Then, as shown in FIG. 7B, when the other end of the second street 102 reaches just below the condenser 62, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 36 is stopped. As a result, as shown in FIGS. 7B and 7C, the altered layer 120 is formed in the semiconductor wafer 10 along the discontinuous second street 102.

なお、上記第１の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ4レーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
集光スポット径 ：φ１μｍ
集光点のピークパワー密度：３．２×１０１０Ｗ／cm2
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the first deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 laser Wavelength: 1064 nm pulse laser Focus spot diameter: φ1 μm
Peak power density at the focal point: 3.2 × 10 10 W / cm 2
Repetition frequency: 100 kHz
Processing feed rate: 100 mm / sec

上述したように非連続の第２のストリート１０２に沿って第１の変質層形成工程を実施したならば、第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに従って第２のストリート１０２の間隔分だけ割り出し送り方向（図６に示す実施形態においては上方に）に移動し、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０における上記第１の変質層形成工程が実施された第２のストリート１０２に隣接する第２のストリート１０２を図６において２点差線で示す集光器６２の直下に位置付ける割り出し送り工程を実施する。そして、上述した第１の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ１０の内部には一方の半分領域に形成された非連続の複数の第２のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される（第１の工程）。   If the first deteriorated layer forming step is performed along the discontinuous second street 102 as described above, the first indexing and feeding means 38 is operated to make the chuck table 36 the random access memory of the control means 8. According to the control map shown in FIG. 4A stored in the (RAM) 83, it moves in the index feed direction (upward in the embodiment shown in FIG. 6) by the interval of the second street 102, and the chuck table The second street 102 adjacent to the second street 102 on which the first deteriorated layer forming step is performed in the semiconductor wafer 10 held by 36 is directly below the condenser 62 indicated by a two-dot chain line in FIG. Perform the indexing and feeding process for positioning. Then, by sequentially performing the first deteriorated layer forming step and the index feeding step described above, a plurality of discontinuous second layers formed in one half region inside the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The altered layer 120 is formed along the second street 102 (first step).

上述した第１の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１２０が形成された第２のストリート１０２と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張する。この結果、保護テープWに貼着されている半導体ウエーハ１０は矢印Y方向に変位するが、面積が相対的に小さい側に変位するので、第１の変質層形成工程の第１の工程においては面積が最も大きい中央領域の第２のストリート１０２に沿った第１の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第２のストリート１０２との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに基づいて上記第１の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、第１の変質層形成工程の第１の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。   By performing the first step of the first deteriorated layer forming step described above, the semiconductor wafer 10 is in a direction perpendicular to the second street 102 where the deteriorated layer 120 is formed (arrow Y direction) as shown in FIG. ) Slightly expand. As a result, the semiconductor wafer 10 adhered to the protective tape W is displaced in the direction of the arrow Y, but the area is displaced to a relatively small side. Therefore, in the first step of the first deteriorated layer forming step, Since the first deteriorated layer forming step along the second street 102 in the central area having the largest area is the last, the positional relationship between the condensing point of the laser beam and the second street 102 is cumulatively shifted. Absent. Therefore, by performing the first step of the first deteriorated layer forming step based on the control map shown in FIG. 4A stored in the random access memory (RAM) 83 of the control means 8, Productivity can be improved because there is no need to correct displacement caused by wafer expansion due to laser beam irradiation during the first step of the first deteriorated layer forming step.

上述した第１の変質層形成工程の第１の工程を実施したならば、図９に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける他方(図９において下方)の最外側の第２のストリート１０２を集光器６２の直下に位置付け、該第２のストリート１０２の一端を（図９において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。そして、上述した第１の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１０に示すように半導体ウエーハ１０の内部には他方の半分領域に形成された非連続の複数の第２のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される（第２の工程）。   If the first step of the first deteriorated layer forming step described above is performed, the second outermost street on the other side (downward in FIG. 9) in the indexing feed direction Y of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. 102 is positioned immediately below the condenser 62, and one end of the second street 102 (left end in FIG. 9) is positioned immediately below the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52. Then, by sequentially performing the first deteriorated layer forming step and the index feeding step described above, a plurality of discontinuous second layers formed in the other half region are formed inside the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The altered layer 120 is formed along the second street 102 (second step).

この第１の変質層形成工程の第２の工程においても、図１０に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１２０が形成された第２のストリート１０２と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張するが、面積が最も大きい中央領域の第２のストリート１０２に沿った第１の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第２のストリート１０２との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに基づいて上記第１の変質層形成工程の第２の工程を実施することにより、第１の変質層形成工程の第２の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。   Also in the second step of the first deteriorated layer forming step, as shown in FIG. 10, the semiconductor wafer 10 is slightly in the direction (arrow Y direction) perpendicular to the second street 102 where the deteriorated layer 120 is formed. Although the first deteriorated layer forming step along the second street 102 in the central region having the largest area is expanded, the positional relationship between the focal point of the laser beam and the second street 102 is cumulative. There is no deviation. Therefore, by performing the second step of the first deteriorated layer forming step based on the control map shown in FIG. 4A stored in the random access memory (RAM) 83 of the control means 8, Productivity can be improved because there is no need to correct displacement caused by wafer expansion caused by laser beam irradiation during the second step of the first deteriorated layer forming step.

上述したように半導体ウエーハ１０の第１の方向に形成された非連続の複数の第２のストリート１０２に沿って第１の変質層形成工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０の内部に非連続の複数の第２のストリート１０２に沿って変質層１２０を形成したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１のストリート１０１に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１のストリート１０１に沿って連続した変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施する。
即ち、上記第１の変質層形成工程が終了した状態からチャックテーブル３６を９０度回動しチャックテーブル３６に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめて、上記第２のストリート１０２に対して直交する方向に形成された第１のストリート１０１を加工送り方向Xと平行になるように位置付けるウエーハ位置付け工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０は、図４の(b)に示す座標値に位置付けられたことになる。 As described above, by performing the first deteriorated layer forming process along the plurality of non-continuous second streets 102 formed in the first direction of the semiconductor wafer 10, the semiconductor wafer 10 is discontinuous inside. If the altered layer 120 is formed along the plurality of second streets 102, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 10 is irradiated along the first street 101, and the inside of the semiconductor wafer 10 is A second deteriorated layer forming step for forming a continuous deteriorated layer along the first street 101 is performed.
That is, the chuck table 36 is rotated 90 degrees from the state where the first deteriorated layer forming step is completed, and the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is rotated 90 degrees, so that the second street 102 is formed. A wafer positioning step for positioning the first street 101 formed in a direction orthogonal to the processing feed direction X is performed. As a result, the semiconductor wafer 10 is positioned at the coordinate values shown in FIG.

そして、図１１に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける一方(図１１において上方)の最外側の第１のストリート１０１を集光器６２の直下に位置付け、該第１のストリート１０１の一端を（図１１において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。次に、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御し、図１２の（ａ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器６２からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７を作動してチャックテーブル３６を矢印X1で示す加工送り方向に所定の送り速度で移動する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射される。また、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ１０の内部に合わせる。そして、図１２の（b）に示すように第１のストリート１０１の他端が集光器６２の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図１２の（b）および(c)に示すように半導体ウエーハ１０の内部には連続した第２のストリート１０２に沿って変質層１１０が形成される。なお、第２の変質層形成工程の加工条件は、上記第１の変質層形成工程の加工条件と同一でよい。   Then, as shown in FIG. 11, one outermost first street 101 (upward in FIG. 11) in the indexing feed direction Y of the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the condenser 62, and the first street 101 One end (left end in FIG. 11) is positioned directly below the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52. Next, the control means 8 controls to stop the application of voltage to the deflection angle adjustment means 644 of the laser beam irradiation means 52, and from the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52 as shown in FIG. While irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength having transparency, the machining feed means 37 is operated to move the chuck table 36 in the machining feed direction indicated by the arrow X1 at a predetermined feed speed. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 61 is guided to the condenser 62 with its optical axis as shown by a solid line in FIG. 2, and irradiated to the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. . Further, the condensing point P of the pulsed laser beam is adjusted to the inside of the semiconductor wafer 10. Then, as shown in FIG. 12B, when the other end of the first street 101 reaches just below the condenser 62, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 36 is stopped. As a result, as shown in FIGS. 12B and 12C, the altered layer 110 is formed along the continuous second street 102 inside the semiconductor wafer 10. Note that the processing conditions of the second deteriorated layer forming step may be the same as the processing conditions of the first deteriorated layer forming step.

上述したように連続した第１のストリート１０１に沿って第２の変質層形成工程を実施したならば、第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を第２のストリート１０２の間隔分だけ割り出し送り方向（図１１に示す実施形態においては上方に）に移動し、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０における上記第２の変質層形成工程が実施された第１のストリート１０１に隣接する第１のストリート１０１を図１１において２点差線で示す集光器６２の直下に位置付ける割り出し送り工程を実施する。そして、上述した第２の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１３に示すように半導体ウエーハ１０の内部には一方の半分領域に形成された連続した複数の第１のストリート１０１に沿って変質層１１０が形成される（第１の工程）。この第２の変質層形成工程の第１の工程を実施する際には、上記第１の変質層形成工程を実施することにより半導体ウエーハ１０は第２のストリート１０２と直交する方向に僅かに膨張するが、第１のストリート１０１と直交する方向には膨張しないので、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(b)に示す制御マップに従って第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することができる。   If the second deteriorated layer forming step is performed along the continuous first street 101 as described above, the first index feeding means 38 is operated to move the chuck table 36 to the interval of the second street 102. Only in the indexing and feeding direction (upward in the embodiment shown in FIG. 11), adjacent to the first street 101 where the second deteriorated layer forming step in the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is performed. An index feeding step is performed in which the first street 101 is positioned immediately below the condenser 62 indicated by a two-dotted line in FIG. Then, by sequentially performing the above-described second deteriorated layer forming step and the index feeding step, a plurality of first continuous layers formed in one half region inside the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The altered layer 110 is formed along the street 101 (first step). When the first step of the second deteriorated layer forming step is performed, the semiconductor wafer 10 is slightly expanded in the direction orthogonal to the second street 102 by performing the first deteriorated layer forming step. However, since it does not expand in the direction orthogonal to the first street 101, the second altered layer is stored according to the control map shown in FIG. 4B stored in the random access memory (RAM) 83 of the control means 8. The first step of the forming step can be performed.

上述した第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、図１３に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１１０が形成された第１のストリート１０１と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張する。この結果、保護テープWに貼着されている半導体ウエーハ１０は矢印Y方向に変位するが、面積が相対的に小さい側に変位するので、第２の変質層形成工程の第１の工程においては面積が最も大きい中央領域の第１のストリート１０１に沿った第２の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第１のストリート１０１との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(b)に示す制御マップに基づいて上記第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、第２の変質層形成工程の第１の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。   By performing the first step of the second deteriorated layer forming step described above, the semiconductor wafer 10 is in a direction (arrow Y direction) orthogonal to the first street 101 where the deteriorated layer 110 is formed as shown in FIG. ) Slightly expand. As a result, the semiconductor wafer 10 adhered to the protective tape W is displaced in the direction of the arrow Y, but the area is displaced to a relatively small side. Therefore, in the first step of the second deteriorated layer forming step, Since the second deteriorated layer forming step along the first street 101 in the central region having the largest area is the last, the positional relationship between the condensing point of the laser beam and the first street 101 is not cumulatively shifted. Absent. Therefore, by performing the first step of the second deteriorated layer forming step based on the control map shown in FIG. 4B stored in the random access memory (RAM) 83 of the control means 8, Productivity can be improved because there is no need to correct displacement caused by wafer expansion due to laser beam irradiation during the first step of the second deteriorated layer forming step.

上述した第２の変質層形成工程を実施したならば、図１４に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける他方(図１４において下方)の最外側の第２のストリート１０２を集光器６２の直下に位置付け、該第１のストリート１０１の一端を（図１４において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。そして、上述した第２の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１５に示すように半導体ウエーハ１０の内部には他方の半分領域に形成された連続した複数の第１のストリート１０１に沿って変質層１１０が形成される（第２の工程）。   If the above-mentioned second deteriorated layer forming step is carried out, the other outermost second street 102 (downward in FIG. 14) in the indexing feed direction Y of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The first street 101 is positioned immediately below the condenser 62 of the laser beam irradiation means 52 (the left end in FIG. 14). Then, by sequentially performing the second deteriorated layer forming step and the index feeding step described above, a plurality of first continuous layers formed in the other half region inside the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The altered layer 110 is formed along the street 101 (second step).

この第２の変質層形成工程の第２の工程においても、図１５に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１１０が形成された第１のストリート１０１と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張するが、面積が最も大きい中央領域の第１のストリート１０１に沿った第２の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第１のストリート１０１との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(b)に示す制御マップに基づいて上記第２の変質層形成工程の第２の工程を実施することにより、第２の変質層形成工程の第２の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。   Also in the second step of the second deteriorated layer forming step, as shown in FIG. 15, the semiconductor wafer 10 is slightly in a direction (arrow Y direction) perpendicular to the first street 101 where the deteriorated layer 110 is formed. Although the second deteriorated layer forming step along the first street 101 of the central region having the largest area is expanded last, the positional relationship between the condensing point of the laser beam and the first street 101 is cumulative. There is no deviation. Therefore, by performing the second step of the second deteriorated layer forming step based on the control map shown in FIG. 4B stored in the random access memory (RAM) 83 of the control means 8, Productivity can be improved because there is no need to correct displacement caused by wafer expansion due to laser beam irradiation during the second step of the second deteriorated layer forming step.

以上のようにして、連続した第１のストリート１０１に沿って連続した変質層１１０が形成されるとともに、非連続の第２のストリート１０２に沿って非連続の変質層１２０が形成された半導体ウエーハ１０は、次工程である分割工程に送られる。この分割工程においては、連続した変質層１１０が形成された第１のストリート１０１および非連続の変質層１２０が形成された第２のストリート１０２に沿って外力を付与することにより、半導体ウエーハ１０を第１のストリート１０１および第２のストリート１０２に沿って破断し、個々のデバイスに分割する。   As described above, the semiconductor wafer in which the continuous deteriorated layer 110 is formed along the continuous first street 101 and the discontinuous deteriorated layer 120 is formed along the discontinuous second street 102 is formed. 10 is sent to the division step which is the next step. In this dividing step, an external force is applied along the first street 101 where the continuous deteriorated layer 110 is formed and the second street 102 where the discontinuous deteriorated layer 120 is formed. Break along first street 101 and second street 102 and split into individual devices.

本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus for enforcing the laser processing method of the wafer by this invention. 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。The block diagram which shows simply the structure of the laser beam irradiation means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。The perspective view which shows the semiconductor wafer as a wafer processed by the laser processing method of the wafer by this invention. 図３に示す導体ウエーハに形成された第１のストリートと第２のストリートのX,Y座標を示す制御マップ。FIG. 4 is a control map showing X and Y coordinates of a first street and a second street formed on the conductor wafer shown in FIG. 3. 図３に示す半導体ウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 3 on the protective tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における一方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which positioned the outermost street of one side in the index sending direction of a wafer in the 1st process step of the 1st deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程の説明図。Explanatory drawing of the 1st process process of the 1st deteriorated layer formation process of the laser beam processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程が実施され内部に第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。The top view of the semiconductor wafer by which the 1st process process of the 1st deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention was implemented, and the deteriorated layer was formed along the 2nd street inside. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における他方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the other outermost street in the indexing | feeding direction of the wafer in the 1st process step of the 1st deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention directly under the light collector. 半導体ウエーハに形成された第２のストリートに沿って本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程および第２の工程が実施され内部に第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。The first processing step and the second step of the first deteriorated layer forming step of the wafer laser processing method according to the present invention are performed along the second street formed on the semiconductor wafer, and the second street is formed inside. FIG. 2 is a plan view of a semiconductor wafer on which an altered layer is formed. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における一方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which positioned the one outermost street in the index sending direction of the wafer in the 1st process step of the 2nd deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention directly under the condensing device. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程の説明図。Explanatory drawing of the 1st processing process of the 2nd deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程が実施され内部に第１のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。The top view of the semiconductor wafer by which the 1st process process of the 2nd deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention was implemented, and the deteriorated layer was formed along the 1st street inside. 本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第２の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における他方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which positioned the other outermost street in the indexing | feeding direction of the wafer in the 2nd process step of the 2nd deteriorated layer formation process of the laser processing method of the wafer by this invention directly under the light collector. 半導体ウエーハに形成された第１のストリートおよび第２のストリートに沿って本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施され内部に第１のストリートおよび第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。A first altered layer forming step and a second altered layer forming step of the wafer laser processing method according to the present invention are performed along the first street and the second street formed on the semiconductor wafer, and the first street is formed inside. FIG. 5 is a plan view of a semiconductor wafer in which a deteriorated layer is formed along a second street.

符号の説明Explanation of symbols

１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２の割り出し送り手段
５：レーザー光線照射ユニット
５２：レーザー光線照射手段
６１：パルスレーザー光線発振手段
６２：集光器
６３：レーザー光線吸収手段
６４：音響光学偏向手段
７：撮像手段
８：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１１：第１のストリート
１２：第２のストリート
１３：デバイス
W：環状のフレーム
T：保護テープ 1: laser processing device 2: stationary base 3: chuck table mechanism 36: chuck table 37: processing feed means 38: first index feed means 4: laser beam irradiation unit support mechanism 43: second index feed means 5: laser beam Irradiation unit 52: Laser beam irradiation means 61: Pulse laser beam oscillation means 62: Condenser 63: Laser beam absorption means 64: Acousto-optic deflection means 7: Imaging means 8: Control means 10: Semiconductor wafer 11: First street 12: First Street 2 13: Device
W: Ring frame
T: Protective tape

Claims (2)

ウエーハ基板の表面に一方の方向に互いに平行に連続して形成された複数の第１のストリートと、該第１のストリートと直交する方向に非連続に形成された複数の第２のストリートと備えたウエーハに、該第１のストリートと該第２のストリートのX,Y座標値に基づいて該第１のストリートと該第２のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該第１のストリートと該第２のストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第２のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該第２のストリートに沿って非連続の変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第１のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該第１のストリートに沿って連続した変質層を形成する第２の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。 A plurality of first streets formed continuously in parallel in one direction on the surface of the wafer substrate, and a plurality of second streets formed discontinuously in a direction orthogonal to the first street. A wafer is irradiated with a laser beam along the first street and the second street based on the X and Y coordinate values of the first street and the second street. A wafer laser processing method for forming an altered layer along the second street and the second street,
A first deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam having a wavelength having transparency to the wafer along the second street to form a discontinuous deteriorated layer along the second street in the wafer. When,
Irradiation along the first street with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer on which the first deteriorated layer forming step has been performed, and continuous alteration along the first street inside the wafer. A second altered layer forming step of forming a layer,
A wafer laser processing method characterized by the above. 該第１の変質層形成工程は、該第２のストリートにおける一方の最外側の第２のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の第２のストリートに沿って実施する第１の工程と、該第２のストリートにおける他方の最外側の第２のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の第２ストリートに沿って実施する第２の工程とを含み、
該第２の変質層形成工程は、該第１のストリートにおける一方の最外側の第１のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の第１のストリートに沿って実施する第１の工程と、該第１のストリートにおける他方の最外側の第１のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の第１のストリートに沿って実施する第２の工程とを含む、請求項１記載のウエーハのレーザー加工方法。 The first deteriorated layer forming step is performed along a plurality of second streets formed in one half region of the wafer sequentially from one outermost second street in the second street toward the center. A first step to be performed, and a second step performed along a plurality of second streets formed in the other half region of the wafer from the second outermost second street of the second street to the center in order. 2 processes,
The second deteriorated layer forming step is performed along a plurality of first streets formed in one half region of the wafer sequentially from the one outermost first street in the first street toward the center. A first step to be performed and a plurality of first streets formed in the other half region of the wafer from the other outermost first street in the first street toward the center in order. The wafer laser processing method according to claim 1, comprising a second step.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012125781A (en) * 2010-12-14 2012-07-05 Disco Corp Machining method
JP2015020177A (en) * 2013-07-17 2015-02-02 株式会社ディスコ Laser machining apparatus
KR20160031410A (en) 2014-09-12 2016-03-22 가부시기가이샤 디스코 Laser machining apparatus
JP2016157872A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 Generation method of semiconductor chip
KR20160119718A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2017050305A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2017050377A (en) * 2015-09-01 2017-03-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2017059687A (en) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ディスコ Wafer processing method
KR20170053113A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
KR20170053112A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
KR20170053111A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
JP2018049904A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2018049905A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社ディスコ Wafer processing method
US10580670B2 (en) 2016-03-09 2020-03-03 Disco Corporation Laser processing apparatus
JP2021022708A (en) * 2019-07-30 2021-02-18 株式会社ディスコ Chip manufacturing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173428A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp Substrate machining method, and element manufacturing method
JP2008060164A (en) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method for wafer
JP2008087026A (en) * 2006-10-02 2008-04-17 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method and laser beam machining apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173428A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp Substrate machining method, and element manufacturing method
JP2008060164A (en) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method for wafer
JP2008087026A (en) * 2006-10-02 2008-04-17 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method and laser beam machining apparatus

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012125781A (en) * 2010-12-14 2012-07-05 Disco Corp Machining method
JP2015020177A (en) * 2013-07-17 2015-02-02 株式会社ディスコ Laser machining apparatus
US9925618B2 (en) 2014-09-12 2018-03-27 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20160031410A (en) 2014-09-12 2016-03-22 가부시기가이샤 디스코 Laser machining apparatus
JP2016157872A (en) * 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 Generation method of semiconductor chip
KR20160119718A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2016197700A (en) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ Wafer producing method
KR102354665B1 (en) 2015-04-06 2022-01-25 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2017050305A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2017050377A (en) * 2015-09-01 2017-03-09 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2017059687A (en) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ディスコ Wafer processing method
KR20170053113A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
KR20170053112A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
KR20170053111A (en) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 Wafer processing method
US10580670B2 (en) 2016-03-09 2020-03-03 Disco Corporation Laser processing apparatus
CN107863293A (en) * 2016-09-21 2018-03-30 株式会社迪思科 The processing method of chip
CN107863315A (en) * 2016-09-21 2018-03-30 株式会社迪思科 The processing method of chip
JP2018049905A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社ディスコ Wafer processing method
KR20180032179A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 가부시기가이샤 디스코 Processing method of a wafer
TWI730158B (en) * 2016-09-21 2021-06-11 日商迪思科股份有限公司 Wafer processing method
KR102294251B1 (en) * 2016-09-21 2021-08-25 가부시기가이샤 디스코 Processing method of a wafer
JP2018049904A (en) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN107863293B (en) * 2016-09-21 2023-03-28 株式会社迪思科 Method for processing wafer
CN107863315B (en) * 2016-09-21 2023-04-14 株式会社迪思科 Method for processing wafer
JP2021022708A (en) * 2019-07-30 2021-02-18 株式会社ディスコ Chip manufacturing method
JP7349841B2 (en) 2019-07-30 2023-09-25 株式会社ディスコ Chip manufacturing method

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