JP6035127B2 - Laser processing method and laser processing apparatus - Google Patents

Laser processing method and laser processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP6035127B2
JP6035127B2 JP2012260984A JP2012260984A JP6035127B2 JP 6035127 B2 JP6035127 B2 JP 6035127B2 JP 2012260984 A JP2012260984 A JP 2012260984A JP 2012260984 A JP2012260984 A JP 2012260984A JP 6035127 B2 JP6035127 B2 JP 6035127B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
groove
processing
brittle material
material substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012260984A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014105147A (en
Inventor
健司 福原
健司 福原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP2012260984A priority Critical patent/JP6035127B2/en
Priority to TW102123572A priority patent/TWI587960B/en
Priority to KR1020130093914A priority patent/KR101866248B1/en
Priority to CN201310397953.1A priority patent/CN103846554B/en
Publication of JP2014105147A publication Critical patent/JP2014105147A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6035127B2 publication Critical patent/JP6035127B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

本発明は、レーザ加工方法及びレーザ加工装置、特に、脆性材料基板表面の交差する第1及び第2加工予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、脆性材料基板表面に複数の溝を形成するレーザ加工方法及びそれを実施するためのレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus, and in particular, a laser that irradiates a laser beam along first and second scheduled processing lines intersecting a brittle material substrate surface to form a plurality of grooves on the brittle material substrate surface. The present invention relates to a processing method and a laser processing apparatus for carrying out the processing method.

電子部品材料として使用される矩形ガラスは、母材としての1枚の大きな基板(ガラス板)を互いに直交する方向に分断することによって得られる。分断方法としては、カッターホイール等を圧接転動させて溝を形成した後、形成された溝に沿って基板に対して垂直方向から外力を加え、基板を分断する方法が広く行われている。   Rectangular glass used as an electronic component material is obtained by dividing a single large substrate (glass plate) as a base material in directions orthogonal to each other. As a dividing method, a method is widely used in which a cutter wheel or the like is pressed and rolled to form a groove, and then an external force is applied from the vertical direction to the substrate along the formed groove to divide the substrate.

また、特許文献1には、互いに直交する加工予定ラインに沿って基板表面にレーザ光を照射し、各加工予定ラインに沿って溝を形成した後、外力を基板に加えて分断する方法も提案されている。   Patent Document 1 also proposes a method of irradiating a substrate surface with laser light along processing lines orthogonal to each other, forming grooves along each processing line, and then applying an external force to the substrate to divide the substrate. Has been.

さらに特許文献2には、別のレーザ加工方法が示されている。この方法では、加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光が照射されることによって基板表面がアブレーション加工され、これと同時にアブレーション加工で形成された溝の表面が溶融されアブレーション加工によって生じるマイクロクラックを減少させている。このような方法によって、基板に溝が形成される。   Further, Patent Document 2 discloses another laser processing method. In this method, the substrate surface is ablated by irradiating a pulsed laser beam along the planned processing line, and at the same time, the surface of the groove formed by ablation is melted to reduce microcracks caused by the ablation. ing. By such a method, a groove is formed in the substrate.

特開2012−31035号公報JP 2012-31035 A 特開2010−274328号公報JP 2010-274328 A

特許文献1に示された方法では、2つの加工予定ラインが交差する部分の4つの角部のそれぞれに反射部材を設ける必要があり、加工工程が煩雑になる。   In the method disclosed in Patent Document 1, it is necessary to provide a reflecting member at each of the four corners where the two scheduled processing lines intersect, which complicates the processing process.

また、特許文献2に示された方法を用いて2つの直交する溝を形成する(以下、「クロススクライブ」と記す)ことも可能である。しかし、この場合は、第1方向の溝を形成した後、第2方向の溝を形成する場合に、溝が交差する部分の近傍で、加工不良が生じやすい。   It is also possible to form two orthogonal grooves (hereinafter referred to as “cross scribe”) using the method disclosed in Patent Document 2. However, in this case, when forming the groove in the second direction after forming the groove in the first direction, processing defects are likely to occur in the vicinity of the portion where the grooves intersect.

具体的には、第2方向の溝を形成する際に、レーザ光の照射による熱影響で、第1方向の溝にクラックが発生したり、交点部において基板(ガラス)が固着して分断不良が生じたりする場合がある。また、第2方向の溝の分断面の角部にソゲ(凹凸)が発生しやすくなる。   Specifically, when forming the groove in the second direction, cracks occur in the groove in the first direction due to the thermal effect of laser light irradiation, or the substrate (glass) adheres at the intersection, resulting in poor separation. May occur. In addition, sores (unevenness) are likely to occur at the corners of the sectional surface of the groove in the second direction.

このため、例えば、後工程である第2方向の溝形成時のレーザ光の出力を、第1方向の溝形成時に比較して低く設定する等の制御が必要になる。しかし、基板の種類によっては、欠陥や分断不良が生じない程度にレーザ光の出力を低下させると、分断ができなくなる等の問題がある。このため、クロススクライブする場合のレーザ光の条件設定が非常に困難である。   For this reason, for example, it is necessary to perform control such that the output of the laser beam when forming the groove in the second direction, which is a subsequent process, is set lower than that when forming the groove in the first direction. However, depending on the type of the substrate, there is a problem that, when the output of the laser beam is reduced to such an extent that no defect or division failure occurs, division is impossible. For this reason, it is very difficult to set the laser beam conditions when cross-scribing.

本発明の課題は、簡単な工程で、分断不良を生じさせることなく確実に基板を分断できるようにすることある。   An object of the present invention is to enable a substrate to be reliably cut by a simple process without causing a cutting failure.

本発明の第1側面に係るレーザ加工方法は、脆性材料基板表面の交差する第1及び第2加工予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、脆性材料基板表面に複数の溝を形成する方法であって、第1工程及び第2工程を含む。第1工程は、第1加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射して脆性材料基板に第1方向の溝を形成する。第2工程は、第2加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射するとともに、第1方向の溝と交差する部分ではパルスレーザ光の照射を停止して、脆性材料基板に第2方向の溝を形成する。   The laser processing method according to the first aspect of the present invention is a method of irradiating laser light along the first and second scheduled processing lines intersecting the brittle material substrate surface to form a plurality of grooves on the brittle material substrate surface. It includes a first step and a second step. In the first step, a groove in the first direction is formed in the brittle material substrate by irradiating a pulse laser beam along the first processing scheduled line. In the second step, the pulse laser beam is irradiated along the second processing scheduled line, and the irradiation of the pulse laser beam is stopped at a portion intersecting the first direction groove, so that the second direction groove is formed in the brittle material substrate. Form.

ここでは、第2方向の溝を形成する際に、先に形成された第1方向の溝と交差する部分においてパルスレーザ光の照射を停止している。このため、交差する部分及びその近傍に、熱影響によるクラックやソゲ等の欠陥が生じにくくなる。また、第1及び第2方向の溝を同じレーザ光の照射条件で加工でき、加工が容易になる。しかも適切な深さの溝を形成することができ、後工程で容易に基板を分断することができる。   Here, when the groove in the second direction is formed, the irradiation of the pulsed laser beam is stopped at a portion intersecting with the groove formed in the first direction. For this reason, it becomes difficult to produce defects, such as a crack by a thermal influence, and a soge, in the crossing part and its vicinity. Further, the grooves in the first and second directions can be processed under the same laser light irradiation conditions, which facilitates the processing. In addition, a groove having an appropriate depth can be formed, and the substrate can be easily divided in a subsequent process.

本発明の第2側面に係るレーザ加工方法は、第1側面の方法において、第2工程では、第1方向の溝幅内でパルスレーザ光の照射停止及び照射再開を実施する。   In the laser processing method according to the second aspect of the present invention, in the method of the first aspect, in the second step, irradiation of pulsed laser light is stopped and irradiation is resumed within the groove width in the first direction.

ここで、第2方向の溝を形成する際に、第1方向の溝が形成されていない未加工部分でパルスレーザ光の照射停止及び照射再開を行うと、パルスレーザ光の照射を停止した位置及び再開をした位置の近傍にクラックが生じやすく、製品の不良率が高くなる。   Here, when forming the groove in the second direction and stopping the irradiation of the pulse laser beam and restarting the irradiation in the unprocessed portion where the groove in the first direction is not formed, the position where the irradiation of the pulse laser beam is stopped In addition, cracks are likely to occur in the vicinity of the restarted position, resulting in a high product defect rate.

そこで、この第2側面の方法では、既に形成されている第1方向の溝幅内でパルスレーザ光の照射を停止及び再開するようにしている。これにより、製品部分にクラック等の欠陥が生じるのを抑えることができる。   Therefore, in the method according to the second aspect, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and restarted within the already formed groove width in the first direction. Thereby, it can suppress that defects, such as a crack, arise in a product part.

本発明の第3側面に係るレーザ加工方法は、第2側面の方法において、第2工程では、第1方向の溝の中心を挟んで第1方向の溝幅の62%以上94%以下の範囲内でレーザ光の照射を停止する。   In the laser processing method according to the third aspect of the present invention, in the method of the second aspect, in the second step, a range of 62% or more and 94% or less of the groove width in the first direction across the center of the groove in the first direction. The laser beam irradiation is stopped.

ここでは、両方向の溝の交差部分近傍における欠陥をより抑えることができる。   Here, defects near the intersection of grooves in both directions can be further suppressed.

本発明の第4側面に係るレーザ加工方法は、第1から第3側面のいずれかの方法において、第1工程及び第2工程では、パルスレーザ光により脆性材料基板をアブレーション加工すると同時に加工部を溶融して第1及び第2方向の溝を形成する。   The laser processing method according to the fourth aspect of the present invention is the method according to any one of the first to third aspects, wherein in the first step and the second step, the brittle material substrate is ablated by the pulse laser beam and simultaneously the processed portion is formed. Melting to form grooves in the first and second directions.

ここでは、パルスレーザ光により基板をアブレーション加工すると同時に加工部を溶融して基板表面に第1及び第2方向の溝が形成される。このような加工方法では、溝の近傍が加熱されるので、熱影響による欠陥が生じやすい。   Here, the substrate is ablated by pulsed laser light, and at the same time, the processed portion is melted to form grooves in the first and second directions on the substrate surface. In such a processing method, since the vicinity of the groove is heated, defects due to thermal effects are likely to occur.

そこで、このような加工方法において本発明の方法を採用することにより、熱影響による欠陥を効果的に抑えることができる。   Therefore, by adopting the method of the present invention in such a processing method, defects due to thermal influence can be effectively suppressed.

本発明の第6側面に係るレーザ加工装置は、脆性材料基板表面の交差する第1及び第2加工予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、脆性材料基板表面に複数の溝を形成する装置である。この加工装置は、レーザ光照射機構と、移動機構と、加工制御部と、を備えている。レーザ光照射機構はパルスレーザ光を発振するレーザ発振器及び発振されたパルスレーザ光を集光して照射する光学系を有する。移動機構はレーザ光照射機構を脆性材料基板表面の加工予定ラインに沿って相対的に移動させる。加工制御部は、レーザ光照射機構及び移動機構を制御して、脆性材料基板に交差する溝を形成する。また、加工制御部は第1機能と第2機能とを有している。第1機能は第1加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射して脆性材料基板に第1方向の溝を形成する。第2機能は、第2加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射するとともに、第1方向の溝と交差する部分ではパルスレーザ光の照射を停止して、脆性材料基板の第2方向の溝を形成する。   A laser processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is an apparatus that irradiates laser light along first and second scheduled processing lines intersecting a brittle material substrate surface to form a plurality of grooves on the brittle material substrate surface. is there. This processing apparatus includes a laser light irradiation mechanism, a moving mechanism, and a processing control unit. The laser light irradiation mechanism has a laser oscillator that oscillates pulsed laser light and an optical system that focuses and irradiates the oscillated pulsed laser light. The moving mechanism relatively moves the laser beam irradiation mechanism along a planned processing line on the surface of the brittle material substrate. The processing control unit controls the laser beam irradiation mechanism and the moving mechanism to form a groove that intersects the brittle material substrate. Further, the machining control unit has a first function and a second function. The first function is to irradiate a pulsed laser beam along the first planned processing line to form a groove in the first direction in the brittle material substrate. The second function is to irradiate the pulse laser beam along the second processing planned line and stop the irradiation of the pulse laser beam at the portion intersecting with the groove in the first direction, so that the groove in the second direction of the brittle material substrate. Form.

以上のように本発明では、簡単な工程で、分断不良を生じさせることなく確実に基板を分断することができる。   As described above, according to the present invention, the substrate can be surely divided by a simple process without causing a division failure.

本発明の加工方法を実施するためのレーザ加工装置の概略構成図。The schematic block diagram of the laser processing apparatus for enforcing the processing method of this invention. 本発明の一実施形態によるアブレーション加工を模式的に示す図。The figure which shows typically the ablation process by one Embodiment of this invention. パルスレーザ光の制御のタイミングチャート例を示す図。The figure which shows the timing chart example of control of a pulse laser beam. 従来のレーザ加工方法によりクロススクライブした場合の基板表面及び分断面を示す写真。The photograph which shows the board | substrate surface at the time of carrying out the cross scribe by the conventional laser processing method, and a cross section. 従来及び本発明の一実施形態によるレーザ加工方法によりクロススクライブした場合の基板表面を示す写真。The photograph which shows the board | substrate surface at the time of cross-scribing with the laser processing method by the past and one Embodiment of this invention. 従来及び本発明の一実施形態によるレーザ加工方法によりクロススクライブした場合の分断面を示す写真。The photograph which shows the cross section at the time of cross-scribing with the laser processing method by the past and one Embodiment of this invention. 最適条件でクロススクライブした場合の基板表面及び分断面を示す写真。A photograph showing a substrate surface and a cross-section when cross-scribing under optimum conditions. パルスレーザ光の制御例を示す模式図。The schematic diagram which shows the example of control of a pulsed laser beam.

[レーザ加工装置]
本発明の一実施形態によるレーザ加工装置を図1に示す。このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、ミラー機構2と、レンズ機構3と、XYステージ4と、を備えている。レーザ発振器1、ミラー機構2、及びレンズ機構3によりレーザ光照射機構が構成され、またXYステージにより移動機構が構成されている。また、このレーザ加工装置は、レーザ制御部11及び移動制御部12を含む制御部10を有している。レーザ制御部11は、レーザ光の照射及び出力等の加工条件を制御する。移動制御部12はXYステージ4の移動を制御する。
[Laser processing equipment]
A laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. This laser processing apparatus includes a laser oscillator 1, a mirror mechanism 2, a lens mechanism 3, and an XY stage 4. The laser oscillator 1, the mirror mechanism 2, and the lens mechanism 3 constitute a laser beam irradiation mechanism, and the XY stage constitutes a moving mechanism. The laser processing apparatus has a control unit 10 including a laser control unit 11 and a movement control unit 12. The laser control unit 11 controls processing conditions such as laser light irradiation and output. The movement control unit 12 controls the movement of the XY stage 4.

レーザ発振器1はパルスレーザ光を発振する。このレーザ発振器1は、YAGレーザ、IRレーザ等の周知のパルスレーザ光の発振器であれば、特に限定されるものではない。加工される脆性材料基板(以下、単に「基板」と記す)5の材質に応じて、アブレーション加工が可能な波長のレーザを適宜選択すればよい。   The laser oscillator 1 oscillates pulsed laser light. The laser oscillator 1 is not particularly limited as long as it is a known pulse laser oscillator such as a YAG laser or an IR laser. What is necessary is just to select suitably the laser of the wavelength which can be ablated according to the material of the brittle material board | substrate (henceforth a "board | substrate") 5 processed.

ミラー機構2は、レンズ機構3とともに集光光学機構を形成し、基板5に略鉛直方向からパルスレーザ光を照射できるように、パルスレーザ光の進行方向を変更する。ミラー機構2として、1又は複数の鏡面を用いてもよいし、プリズム、回折格子等を利用してもよい。   The mirror mechanism 2 forms a condensing optical mechanism together with the lens mechanism 3, and changes the traveling direction of the pulse laser light so that the substrate 5 can be irradiated with the pulse laser light from a substantially vertical direction. As the mirror mechanism 2, one or a plurality of mirror surfaces may be used, or a prism, a diffraction grating, or the like may be used.

レンズ機構3はパルスレーザ光を集光するものである。より詳細には、このレンズ機構3は、基板5の厚みに応じて、パルスレーザ光を集光する位置である焦点位置の上下方向の位置を調整する。この焦点位置の調整は、レンズ機構3のレンズを交換することにより調整してもよいし、レンズ機構3の上下方向の位置を図示しないアクチュエータにより変更して調整してもよい。   The lens mechanism 3 collects pulsed laser light. More specifically, the lens mechanism 3 adjusts the vertical position of the focal position, which is the position where the pulse laser beam is condensed, according to the thickness of the substrate 5. The focal position may be adjusted by exchanging the lens of the lens mechanism 3 or may be adjusted by changing the vertical position of the lens mechanism 3 with an actuator (not shown).

XYステージ4は、分断の対象となるガラス基板等の加工すべき基板5を載置するテーブルであり、互いに直交するX方向及びY方向に移動可能である。このXYステージ4を移動制御部12により制御し、X方向及びY方向に所定の速度で移動させることにより、XYステージ4に載置された基板5とパルスレーザ光との相対位置を自在に変更することができる。通常は、XYステージ4を移動させて、基板5の表面に形成されるスクライブ溝6の加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を移動させる。また、加工時のXYステージ4の移動速度は移動制御部12により制御される。   The XY stage 4 is a table on which a substrate 5 to be processed such as a glass substrate to be divided is placed, and is movable in the X direction and the Y direction orthogonal to each other. The relative position between the substrate 5 placed on the XY stage 4 and the pulse laser beam can be freely changed by controlling the XY stage 4 by the movement control unit 12 and moving it at a predetermined speed in the X and Y directions. can do. Usually, the XY stage 4 is moved, and the pulse laser beam is moved along the processing line of the scribe groove 6 formed on the surface of the substrate 5. Further, the movement speed of the XY stage 4 during processing is controlled by the movement control unit 12.

[アブレーション加工について]
図2は、パルスレーザ光によるアブレーション加工の一例を示したものである。この図に示されるように、レーザ発振器1から出射されたパルスレーザ光は、レンズ機構3により基板5の上面近傍にて集光される。パルスレーザ光が吸収される場合、図2(a)に示すように、基板5の焦点位置近傍が加熱される。
[About ablation processing]
FIG. 2 shows an example of ablation processing using pulsed laser light. As shown in this figure, the pulsed laser light emitted from the laser oscillator 1 is condensed near the upper surface of the substrate 5 by the lens mechanism 3. When the pulsed laser beam is absorbed, the vicinity of the focal position of the substrate 5 is heated as shown in FIG.

基板5の焦点位置近傍の温度が、基板5の沸点を超えた場合、図2(b)に示すように、沸点を超える部分については成分が蒸散する。一方、焦点位置から少し離れた部分では、基板5の沸点には到達しないが融点を超える部分が存在する。この部分は、図2(c)に示すように表面が溶融し、その後放熱により温度が低下すると、図2(d)に示すように固着することにより溶融痕が形成される。   When the temperature in the vicinity of the focal position of the substrate 5 exceeds the boiling point of the substrate 5, as shown in FIG. On the other hand, in a portion slightly away from the focal position, there is a portion that does not reach the boiling point of the substrate 5 but exceeds the melting point. When the surface melts as shown in FIG. 2 (c) and the temperature is lowered by heat dissipation thereafter, the portion is fixed as shown in FIG. 2 (d) to form a melt mark.

以上のような加工方法によってスクライブ溝を形成する場合、スクライブ溝に溶融痕が形成されない条件、すなわち熱影響を抑えた条件でパルスレーザ光を用いてアブレーション加工すると、スクライブ溝に沿って欠陥が生じやすい。また、溶融過多となった場合には、スクライブ溝からクラックが生じる。したがって、パルスレーザ光の出力や走査速度等の適切な条件を設定して加工を行う必要がある。   When forming a scribe groove by the above processing method, if ablation processing is performed using a pulsed laser beam under a condition in which a melt mark is not formed in the scribe groove, that is, a condition in which a thermal influence is suppressed, a defect is generated along the scribe groove. Cheap. Moreover, when it becomes overmelting, a crack arises from a scribe groove | channel. Therefore, it is necessary to perform processing by setting appropriate conditions such as the output of the pulse laser beam and the scanning speed.

[レーザ加工方法]
基板5に対して、互いに直交するX方向及びY方向に沿ってスクライブ溝を形成する場合は、まず、パルスレーザ光を集光して基板5の表面に照射する。そして、このパルスレーザ光をX方向の加工予定ラインに沿って走査する(以下、この工程を「1stスクライブ」と記す)。これにより、X方向の加工予定ラインに沿って、スクライブ溝が形成される。次に、X方向の加工と同様の条件で、Y方向の加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を走査する(以下、この工程を「2ndスクライブ」と記す)。このとき、X方向のスクライブ溝が形成された溝幅内で、パルスレーザ光の照射を所定期間だけ停止する。このパルスレーザ光の一時的な照射停止を、図3のタイミングチャートで示すように、両方向の溝の交点部分ごとに行う。図3において、(a)はパルスレーザ光の駆動用信号の波形であり、「H」がパルスレーザ光のオフ(照射停止)、「L」がパルスレーザ光のオン(照射)を示している。また、(b)は交点ごとにレーザ出力が所定期間「0」であることを示している。
[Laser processing method]
In the case where scribe grooves are formed on the substrate 5 along the X direction and the Y direction orthogonal to each other, first, the pulse laser beam is condensed and irradiated onto the surface of the substrate 5. Then, this pulsed laser beam is scanned along a planned processing line in the X direction (hereinafter, this process is referred to as “1st scribe”). Thereby, a scribe groove is formed along the planned processing line in the X direction. Next, a pulsed laser beam is scanned along the processing line in the Y direction under the same conditions as the processing in the X direction (hereinafter, this process is referred to as “2nd scribe”). At this time, the irradiation of the pulse laser beam is stopped for a predetermined period within the groove width in which the scribe groove in the X direction is formed. As shown in the timing chart of FIG. 3, the temporary irradiation stop of the pulse laser beam is performed for each intersection portion of the grooves in both directions. In FIG. 3, (a) is a waveform of a pulse laser beam driving signal, “H” indicates that the pulse laser beam is off (irradiation stopped), and “L” indicates that the pulse laser beam is on (irradiation). . Further, (b) indicates that the laser output is “0” for a predetermined period for each intersection.

なお、X方向及びY方向の溝加工を行う場合は、基板5に対してパルスレーザ光を用いたアブレーション加工を行うと同時に基板5に熱影響を与えて加工部を溶融させ、溝を形成する。   When performing groove processing in the X direction and the Y direction, the substrate 5 is subjected to ablation processing using pulsed laser light, and at the same time, the substrate 5 is thermally affected to melt the processed portion to form a groove. .

[実験例]
−実験1−
図4にパルスレーザ光の制御(照射停止及び再開)を行わずにクロススクライブを行った場合の基板表面及び分断面の様子を示している。パルスレーザ光は、波長が266nm、平均出力が7Wであり、基板は厚みが0.3mmのOA−10(日本電気硝子社製)である。また、図の2nd側から加工を行い、加工幅は34μm、加工深さは44μmである。
[Experimental example]
-Experiment 1
FIG. 4 shows the state of the substrate surface and the sectional surface when the cross scribing is performed without controlling the pulsed laser beam (irradiation stop and restart). The pulse laser beam has a wavelength of 266 nm, an average output of 7 W, and the substrate is OA-10 (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 0.3 mm. Further, the processing is performed from the 2nd side in the figure, the processing width is 34 μm, and the processing depth is 44 μm.

図4(a)は分断前の基板表面、(b)は分断後の基板表面、(c)は1stスクライブ側の分断面、(d)は2ndスクライブ側の分断面を、それぞれ示している。   4A shows the substrate surface before dividing, FIG. 4B shows the substrate surface after dividing, FIG. 4C shows the divided section on the 1st scribe side, and FIG. 4D shows the divided section on the 2nd scribe side.

この実験1から、パルスレーザ光の制御を行わない場合は以下のような結果になることがわかった。   From Experiment 1, it was found that the following results were obtained when the pulse laser beam was not controlled.

・1st側の溝(スクライブライン)にクラックが発生する。   ・ A crack occurs in the groove (scribe line) on the 1st side.

・交点部で基板(ガラス)が固着し、分断不良が発生する場合がある。   ・ Substrate (glass) may be fixed at the intersection, resulting in poor separation.

・2ndスクライブ側の分断面の角において、ソゲが発生する。   -Sedge is generated at the corner of the sectional surface on the 2nd scribe side.

−実験2−
図5は、パルスレーザ光の一時的な照射停止の制御(以下、単に「制御」と記す)を行わない場合(a)と制御を行った場合(b)の基板表面の加工状態を示している。ここでは、1stスクライブ側から加工を行い、2ndスクライブ時に交点部でパルスレーザ光の制御を行った。パルスレーザ光の条件、基板、加工幅及び深さについては、実験1と同様である。
-Experiment 2-
FIG. 5 shows the processing state of the substrate surface when (a) and when (b) when the control (hereinafter simply referred to as “control”) is not performed. Yes. Here, processing was performed from the 1st scribe side, and pulse laser light was controlled at the intersection at the time of 2nd scribe. The conditions of the pulse laser beam, the substrate, the processing width, and the depth are the same as in Experiment 1.

なお、各図において、「指令値」とは、制御部10において指令されるパルスレーザ光の照射を停止する距離である。この指令値に対する実際の照射停止距離は、照射停止位置及び照射開始位置のそれぞれでパルス集光径の1/2だけ短くなり、結局、指令値より概略パルスの集光径分だけ短くなる。   In each figure, the “command value” is a distance at which the irradiation of the pulsed laser light commanded by the control unit 10 is stopped. The actual irradiation stop distance with respect to this command value is shortened by a half of the pulse focused diameter at each of the irradiation stop position and the irradiation start position, and eventually becomes shorter than the command value by the approximate pulse focused diameter.

図5(b)から、パルスレーザ光の制御を行うことにより、1stスクライブラインにクラックは発生しないことがわかる。また、指令値50μm以上、すなわち1stスクライブで溝が形成されていない未加工領域でパルスレーザ光の照射停止及び再開を行うと、加工ラインが途切れ、2ndスクライブ側にチッピング発生している。   From FIG. 5B, it can be seen that no crack is generated in the first scribe line by controlling the pulse laser beam. In addition, when the irradiation of the pulse laser beam is stopped and restarted in the unprocessed region where the groove is not formed by the first scribe, that is, the command value is 50 μm or more, the processing line is interrupted and chipping occurs on the 2nd scribe side.

以上から、溝の加工幅が34μmの場合は、指令値としては40μm(実際の距離は32μm(実測))以下にする必要があることがわかる。   From the above, it is understood that when the groove processing width is 34 μm, the command value needs to be 40 μm (actual distance is 32 μm (actual measurement)) or less.

また、図6は、実験2における、パルスレーザ光の制御を行わない場合(a)と制御を行った場合(b)の分断面の加工状態を示している。ここでは、2ndスクライブ側の分断面を比較して示している。   Further, FIG. 6 shows a processing state of the sectional surface in the experiment 2 when the control of the pulse laser beam is not performed (a) and when the control is performed (b). Here, the cross sections on the 2nd scribe side are shown in comparison.

図6(b)から、パルスレーザ光の制御を行った場合、指令値20μm以下で加工した場合は、2ndスクライブ側分断面の角部にソゲが発生している。   As shown in FIG. 6B, when the pulse laser beam is controlled, when processing is performed with a command value of 20 μm or less, sores are generated at the corners of the 2nd scribe side cross section.

以上から、溝の加工幅が34μmの場合は、指令値としては30μm(実際の距離は21μm(実測))以上にする必要があることがわかる。   From the above, it is understood that when the groove processing width is 34 μm, the command value needs to be 30 μm (the actual distance is 21 μm (actual measurement)) or more.

−実験3−
図7に最適条件でパルスレーザ光の制御を実行して加工を行った場合を示している。
-Experiment 3-
FIG. 7 shows a case where processing is performed by executing control of pulsed laser light under optimum conditions.

パルスレーザ光は、波長が266nm、平均出力が7Wであり、パルスレーザ光の制御指令値(照射停止距離)は40μm(実際の距離は32μm)である。基板は厚みが0.3mmのOA−10(日本電気硝子社製)である。また、図の1st側から加工を行い、加工幅は34μm、加工深さは44μmである。   The pulse laser beam has a wavelength of 266 nm and an average output of 7 W, and the control command value (irradiation stop distance) of the pulse laser beam is 40 μm (the actual distance is 32 μm). The substrate is OA-10 (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 0.3 mm. Further, processing is performed from the 1st side in the figure, the processing width is 34 μm, and the processing depth is 44 μm.

図7(a)は分断前の基板表面、(b)は分断後の基板表面、(c)は1stスクライブ側の分断面、(d)は2ndスクライブ側の分断面を、それぞれ示している。   7A shows the substrate surface before dividing, FIG. 7B shows the substrate surface after dividing, FIG. 7C shows the divided section on the 1st scribe side, and FIG. 7D shows the divided section on the 2nd scribe side.

これらの図から明らかなように、基板(ガラス)の固着や熱影響による欠陥は見受けられない。   As is apparent from these figures, no defects due to sticking of the substrate (glass) or thermal effects are observed.

[まとめ]
以上の実験結果をまとめると、以下のことがわかる。
[Summary]
The following can be understood by summarizing the above experimental results.

(1)加工されたスクライブ溝以外の部分(未加工部分)でパルスレーザ光の照射を停止又は再開すると、クラックが発生する。   (1) When the irradiation of the pulsed laser beam is stopped or restarted at a portion (unprocessed portion) other than the processed scribe groove, a crack is generated.

(2)指令値50μm(実際の距離45μm)以上では、基板表面にチッピングが発生する。また、指令値20μm(実際の距離9μm)以下では、分断面の角部にソゲが発生する。したがって、1stスクライブの加工幅(溝幅)が34μmの場合は、2ndスクライブ側交点部のパルスオフの指令値を30以上40μm以下(実際の距離では21以上32μm以下)に設定する必要がある。   (2) When the command value is 50 μm (actual distance 45 μm) or more, chipping occurs on the substrate surface. In addition, when the command value is 20 μm (actual distance 9 μm) or less, sores are generated at the corners of the dividing plane. Therefore, when the processing width (groove width) of the 1st scribe is 34 μm, it is necessary to set the pulse-off command value at the 2nd scribe side intersection to 30 to 40 μm (21 to 32 μm in actual distance).

以上を一般化すると、図8に模式的に示すように、2nd側のパルスレーザ光の照射を停止する領域は、1st側のスクライブ溝の溝幅内で、溝の中心を挟んで、1st側の加工幅(溝幅)の62以上94%以下にするのが最適である。   When the above is generalized, as schematically shown in FIG. 8, the region where the irradiation of the pulse laser beam on the 2nd side is stopped is within the groove width of the scribe groove on the 1st side, with the center of the groove interposed therebetween. It is optimal that the machining width (groove width) is 62 to 94%.

[他の実施形態]
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes or modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

対象となる基板は、実験例で示した基板に限定されるものではなく、種々のガラス基板や他の脆性材料基板に対して本発明を適用可能である。   The target substrate is not limited to the substrate shown in the experimental example, and the present invention can be applied to various glass substrates and other brittle material substrates.

1 レーザ発振器
2 ミラー機構
3 レンズ機構
4 XYステージ
5 基板
10 制御部
11 レーザ制御部
12 移動制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser oscillator 2 Mirror mechanism 3 Lens mechanism 4 XY stage 5 Substrate 10 Control part 11 Laser control part 12 Movement control part

Claims (3)

脆性材料基板表面の交差する第1及び第2加工予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、脆性材料基板表面に複数の溝を形成するレーザ加工方法であって、
前記第1加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射して脆性材料基板に第1方向の溝を形成する第1工程と、
前記第2加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射するとともに、前記第1方向の溝と交差する部分では、前記第1方向の溝幅内でパルスレーザ光の照射停止及び照射再開を実施して、脆性材料基板に第2方向の溝を形成する第2工程と、
を含み、
前記第2工程では、前記第1方向の溝の中心を挟んで前記第1方向の溝幅の62%以上94%以下の範囲内でレーザ光の照射を停止する、
レーザ加工方法。
A laser processing method for irradiating laser light along first and second scheduled processing lines intersecting a brittle material substrate surface to form a plurality of grooves on the brittle material substrate surface,
A first step of forming a groove in a first direction in the brittle material substrate by irradiating a pulsed laser beam along the first processing line;
The pulse laser beam is irradiated along the second planned processing line, and the pulse laser beam irradiation is stopped and restarted within the groove width in the first direction at a portion intersecting the groove in the first direction. A second step of forming a groove in the second direction in the brittle material substrate;
Only including,
In the second step, the laser beam irradiation is stopped within a range of 62% or more and 94% or less of the groove width in the first direction across the center of the groove in the first direction.
Laser processing method.
前記第1工程及び前記第2工程では、パルスレーザ光により脆性材料基板をアブレーション加工すると同時に加工部を溶融して前記第1及び第2方向の溝を形成する、請求項に記載のレーザ加工方法。 In the first step and the second step, the brittle material substrate by melting the same time processing unit when ablation to form a groove of said first and second directions by a pulse laser beam, the laser processing according to claim 1 Method. 脆性材料基板表面の交差する第1及び第2加工予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、脆性材料基板表面に複数の溝を形成するレーザ加工装置であって、
パルスレーザ光を発振するレーザ発振器及び発振されたパルスレーザ光を集光して照射する光学系を有するレーザ光照射機構と、
前記レーザ光照射機構を脆性材料基板表面の加工予定ラインに沿って相対的に移動させるための移動機構と、
前記レーザ光照射機構及び前記移動機構を制御して、前記脆性材料基板に交差する溝を形成する加工制御部と、
を備え、
前記加工制御部は、
前記第1加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射して脆性材料基板に第1方向の溝を形成する第1機能と、
前記第2加工予定ラインに沿ってパルスレーザ光を照射するとともに、前記第1方向の溝と交差する部分では、前記第1方向の溝幅内でパルスレーザ光の照射停止及び照射再開を実施して、脆性材料基板の第2方向の溝を形成する第2機能と、
を有し、
前記第2機能では、前記第1方向の溝の中心を挟んで前記第1方向の溝幅の62%以上94%以下の範囲内でレーザ光の照射を停止する、
レーザ加工装置。
A laser processing apparatus for irradiating a laser beam along first and second scheduled processing lines intersecting a brittle material substrate surface to form a plurality of grooves on the brittle material substrate surface,
A laser oscillator that oscillates a pulsed laser beam and a laser beam irradiation mechanism that has an optical system that collects and irradiates the oscillated pulsed laser beam;
A moving mechanism for relatively moving the laser light irradiation mechanism along the processing line on the brittle material substrate surface;
A processing control unit that controls the laser beam irradiation mechanism and the moving mechanism to form a groove that intersects the brittle material substrate;
With
The processing control unit
A first function of forming a groove in the first direction in the brittle material substrate by irradiating a pulsed laser beam along the first processing line;
The pulse laser beam is irradiated along the second planned processing line, and the pulse laser beam irradiation is stopped and restarted within the groove width in the first direction at a portion intersecting the groove in the first direction. A second function of forming a groove in the second direction of the brittle material substrate;
I have a,
In the second function, the irradiation of the laser beam is stopped within a range of 62% or more and 94% or less of the groove width in the first direction across the center of the groove in the first direction.
Laser processing equipment.
JP2012260984A 2012-11-29 2012-11-29 Laser processing method and laser processing apparatus Expired - Fee Related JP6035127B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012260984A JP6035127B2 (en) 2012-11-29 2012-11-29 Laser processing method and laser processing apparatus
TW102123572A TWI587960B (en) 2012-11-29 2013-07-02 Laser processing method and laser processing device
KR1020130093914A KR101866248B1 (en) 2012-11-29 2013-08-08 Laser processing method and laser processing apparatus
CN201310397953.1A CN103846554B (en) 2012-11-29 2013-09-04 Laser processing and laser processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012260984A JP6035127B2 (en) 2012-11-29 2012-11-29 Laser processing method and laser processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014105147A JP2014105147A (en) 2014-06-09
JP6035127B2 true JP6035127B2 (en) 2016-11-30

Family

ID=50854932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012260984A Expired - Fee Related JP6035127B2 (en) 2012-11-29 2012-11-29 Laser processing method and laser processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6035127B2 (en)
KR (1) KR101866248B1 (en)
CN (1) CN103846554B (en)
TW (1) TWI587960B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022831B (en) * 2016-11-03 2021-06-04 无锡华润上华科技有限公司 Groove preparation method and semiconductor device preparation method
JP2019177410A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 Dgshape株式会社 Processing method, processing system and processing program
CN114096488A (en) * 2019-07-16 2022-02-25 日东电工株式会社 Method for dividing composite material

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3370310B2 (en) * 1999-06-18 2003-01-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribe method using laser
JP4634089B2 (en) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
US8604383B2 (en) * 2004-08-06 2013-12-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
WO2006070825A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-06 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for cutting brittle material substrate and substrate cutting system
CN100536108C (en) * 2005-11-16 2009-09-02 株式会社电装 Semiconductor device and dicing method for semiconductor substrate
JP2008153420A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Seiko Epson Corp Dividing method of base, manufacturing method of drop discharge head, manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of substrate and manufacturing method of electro-optical device
US8598490B2 (en) * 2008-03-31 2013-12-03 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for laser processing a workpiece using a plurality of tailored laser pulse shapes
JP5495511B2 (en) * 2008-05-27 2014-05-21 株式会社ディスコ Wafer division method
JP5122378B2 (en) * 2008-06-09 2013-01-16 株式会社ディスコ How to divide a plate
JP5155030B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-27 株式会社ディスコ Method for dividing optical device wafer
JP5395411B2 (en) * 2008-11-20 2014-01-22 株式会社ディスコ Wafer laser processing method
JP2010274328A (en) * 2009-04-30 2010-12-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd Laser beam machining method and laser beam machining device
JP2011233641A (en) * 2010-04-26 2011-11-17 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method for plate-like object
JP5554158B2 (en) * 2010-06-28 2014-07-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 Cleaving method of brittle material substrate
JP5597051B2 (en) * 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP5444158B2 (en) 2010-08-02 2014-03-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 Cleaving method of brittle material substrate
JP2012109364A (en) * 2010-11-17 2012-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing optical device unit
JP5536713B2 (en) * 2011-05-19 2014-07-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 Processing method of brittle material substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN103846554A (en) 2014-06-11
TWI587960B (en) 2017-06-21
JP2014105147A (en) 2014-06-09
TW201420249A (en) 2014-06-01
KR20140071220A (en) 2014-06-11
CN103846554B (en) 2018-02-09
KR101866248B1 (en) 2018-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102172826B1 (en) Method and device for separating a flat workpiece into a plurality of sections
JP5432285B2 (en) Method of laser processing glass into a shape with chamfered edges
TWI543833B (en) Method of radiatively grooving a semiconductor substrate
WO2010116917A1 (en) Laser machining device and laser machining method
JP5050099B2 (en) Processing method of brittle material substrate
TWI647187B (en) Method of separating a glass sheet from a carrier
WO2012011446A1 (en) Laser processing method
WO2011071886A1 (en) Laser machining and scribing systems and methods
KR101184259B1 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP2008087027A (en) Laser beam machining apparatus
WO2013039012A1 (en) Laser machining method and laser machining device
WO2008004395A1 (en) Laser processing method
JP6035127B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP6050002B2 (en) Laser processing method
JP2010201479A (en) Apparatus and method of laser beam machining
JP2010138046A (en) Method and device for working material to be cut
JP2010099708A (en) Method and apparatus for processing cut surface of cut material
JP5536713B2 (en) Processing method of brittle material substrate
KR101312284B1 (en) Laser processing method
JP5560096B2 (en) Laser processing method
JP2013147380A (en) Method for laser beam machining
JP2012246151A (en) Laser machining method
TWI394630B (en) Laser processing method and laser processing device
JP2015048253A (en) Method and apparatus for processing glass substrate with laser beam

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160421

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6035127

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees