JP2012109364A - Method of processing optical device unit - Google Patents

Method of processing optical device unit Download PDF

Info

Publication number
JP2012109364A
JP2012109364A JP2010256398A JP2010256398A JP2012109364A JP 2012109364 A JP2012109364 A JP 2012109364A JP 2010256398 A JP2010256398 A JP 2010256398A JP 2010256398 A JP2010256398 A JP 2010256398A JP 2012109364 A JP2012109364 A JP 2012109364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical device
device unit
laser beam
region
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010256398A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Tsuchiya
利夫 土屋
Ryugo Oba
龍吾 大庭
Kenji Asano
健司 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2010256398A priority Critical patent/JP2012109364A/en
Priority to TW100136342A priority patent/TW201241887A/en
Priority to CN2011103633093A priority patent/CN102528290A/en
Publication of JP2012109364A publication Critical patent/JP2012109364A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of processing an optical device unit without damaging the optical device.SOLUTION: An optical device unit having a semiconductor layer bonded to the surface of a metal support plate and having, on the semiconductor layer, a device region formed by sectioning a plurality of optical devices along scheduled division lines and a peripheral excessive region surrounding the device region is divided into individual optical devices by radiating a laser beam along the scheduled division lines and forming division grooves. The method of processing the optical device unit includes a division groove formation step for forming the division grooves by irradiating only the scheduled division lines formed in the device region of the optical device unit with a laser beam.

Description

本発明は、サファイア基板等の基板から半導体層がリフトオフにより剥離されて金属支持板に接合された光デバイスユニットを、個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法に関する。   The present invention relates to a method of processing an optical device unit in which an optical device unit in which a semiconductor layer is separated from a substrate such as a sapphire substrate by lift-off and bonded to a metal support plate is divided into individual optical devices.

サファイア基板、ＳｉＣ基板等のエピタキシー基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体層（エピタキシャル層）を形成し、該半導体層にＬＥＤ等の複数の光デバイスが格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画されて形成された光デバイスウエーハは、モース硬度が比較的高く切削ブレードによる分割が困難であることから、一般的にレーザビームの照射によって個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは照明器具、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される（例えば、特開平１０−３０５４２０号公報参照）。   A street in which a semiconductor layer (epitaxial layer) such as gallium nitride (GaN) is formed on the surface of an epitaxial substrate such as a sapphire substrate or SiC substrate, and a plurality of optical devices such as LEDs are formed in a lattice shape on the semiconductor layer (divided) Optical device wafers that are defined by a predetermined line are relatively high in Mohs hardness and difficult to cut with a cutting blade. Therefore, they are generally divided into individual optical devices by laser beam irradiation. The optical device is used in electrical equipment such as a lighting fixture, a cellular phone, and a personal computer (see, for example, JP-A-10-305420).

また最近では、サファイア基板、ＳｉＣ基板等のエピタキシー基板上に積層された半導体層をレーザリフトオフにより基板から剥離し、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等のヒートシンクとなる金属支持板に接合して複数の光デバイスが形成された半導体層を金属支持板に移し替え、その後、分割予定ラインにレーザビームを照射して金属支持板とともに個々の光デバイスに分割する技術が例えば特表２００５−５１６４１５号公報に開示されている。   Recently, a semiconductor layer laminated on an epitaxial substrate such as a sapphire substrate or SiC substrate is peeled off from the substrate by laser lift-off and bonded to a metal support plate serving as a heat sink such as molybdenum (Mo) or copper (Cu). A technique in which a semiconductor layer in which a plurality of optical devices are formed is transferred to a metal support plate, and then is divided into individual optical devices together with the metal support plate by irradiating a laser beam onto the planned division line is disclosed in, for example, Japanese Translation of PCT International Publication No. 2005-516415. It is disclosed in the publication.

このレーザリフトオフと称する技術によると、高価なサファイア基板、ＳｉＣ基板等を繰り返して使用することができ、更に光デバイスはヒートシンクとなる金属支持板に接合されているので放熱特性等に優れるという利点がある。   According to this technology called laser lift-off, an expensive sapphire substrate, SiC substrate, etc. can be used repeatedly, and the optical device is bonded to a metal support plate serving as a heat sink, so that it has the advantage of excellent heat dissipation characteristics and the like. is there.

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特表２００５−５１６４１５号公報JP 2005-516415 gazette

しかし、金属支持板の線膨張係数は比較的大きいためレーザビームの照射による熱によって又は溝の形状に起因して内部応力が開放されることによって伸縮し、一定の間隔で設定されている分割予定ラインの間隔が変化して一定の間隔で、即ち所定ピッチで割り出し送りしてレーザビームを照射すると、分割予定ラインからレーザビームが外れて光デバイスを損傷させるという問題がある。   However, since the linear expansion coefficient of the metal support plate is relatively large, the metal support plate expands and contracts due to heat generated by laser beam irradiation or due to the release of internal stress due to the groove shape, and is scheduled to be divided at regular intervals. If the laser beam is irradiated by indexing and feeding at a constant interval, that is, at a predetermined pitch, the line spacing changes, there is a problem that the laser beam is detached from the line to be divided and the optical device is damaged.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体層が基板からリフトオフされて金属支持板に接合された光デバイスユニット、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して光デバイスを損傷させることなく個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an optical device unit in which a semiconductor layer is lifted off from a substrate and bonded to a metal support plate, and a laser beam along a division line. The processing method of the optical device unit which divides | segments into an individual optical device, without irradiating, and damaging an optical device is provided.

本発明によると、金属支持板の表面に接合された半導体層を有し、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの該デバイス領域に形成された分割予定ラインにのみレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程を具備したことを特徴とする光デバイスユニットの加工方法が提供される。   According to the present invention, the semiconductor layer has a semiconductor layer bonded to the surface of the metal support plate, and a peripheral region that surrounds the device region formed by dividing a plurality of optical devices on the semiconductor layer by the division lines. An optical device unit having a region is irradiated with a laser beam along a predetermined division line to form a division groove to divide the optical device unit into individual optical devices, and the device region of the optical device unit There is provided a method of processing an optical device unit, comprising a split groove forming step of forming a split groove by irradiating a laser beam only to the planned split lines formed in (1).

本発明の光デバイスユニットの加工方法によると、デバイス領域に形成された分割予定ラインのみにレーザビームを照射して分割溝を形成するので、外周余剰領域の強度が維持されてデバイス領域の伸びを抑制することができる。   According to the processing method of the optical device unit of the present invention, the split grooves are formed by irradiating only the planned split lines formed in the device region with the laser beam, so that the strength of the outer peripheral surplus region is maintained and the device region is extended. Can be suppressed.

従って、レーザビームの照射により光デバイスユニットが加熱されても分割予定ラインの間隔が殆ど変化することがなく、分割予定ラインから外れて光デバイスにレーザビームが照射され光デバイスを損傷させてしまうという問題を解消できる。   Therefore, even if the optical device unit is heated by the laser beam irradiation, the interval between the planned division lines hardly changes, and the optical device is irradiated with the laser beam outside the planned division line, thereby damaging the optical device. The problem can be solved.

レーザビーム加工装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a laser beam processing apparatus. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. ダイシングテープを介して環状フレームに支持された光デバイスユニットの斜視図である。It is a perspective view of the optical device unit supported by the annular frame via the dicing tape. 分割溝形成工程を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining a division groove formation process. 分割溝形成工程を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining a division groove formation process.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の光デバイスユニットの分割方法を実施するのに適したレーザ加工装置２の概略構成図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus 2 suitable for carrying out the optical device unit dividing method of the present invention.

レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。   The laser processing apparatus 2 includes a first slide block 6 mounted on a stationary base 4 so as to be movable in the X-axis direction. The first slide block 6 is moved along the pair of guide rails 14 in the machining feed direction, that is, the X-axis direction, by the machining feed means 12 including the ball screw 8 and the pulse motor 10.

第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。   A second slide block 16 is mounted on the first slide block 6 so as to be movable in the Y-axis direction. That is, the second slide block 16 is moved in the indexing direction, that is, the Y-axis direction along the pair of guide rails 24 by the indexing feeding means 22 constituted by the ball screw 18 and the pulse motor 20.

第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８は、ダイシングテープを介してフレームに支持されたウエーハを保持する保持面を有すると共に、チャックテーブル２８にはフレームをクランプするクランパ３０が設けられている。   A chuck table 28 is mounted on the second slide block 16 via a cylindrical support member 26, and the chuck table 28 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the processing feed means 12 and the index feed means 22. . The chuck table 28 has a holding surface for holding a wafer supported by the frame via a dicing tape, and the chuck table 28 is provided with a clamper 30 for clamping the frame.

静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。   A column 32 is erected on the stationary base 4, and a casing 35 for accommodating the laser beam irradiation unit 34 is attached to the column 32. As shown in FIG. 2, the laser beam irradiation unit 34 includes a laser oscillator 62 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting unit 64, a pulse width adjustment unit 66, and a power adjustment unit 68. .

レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている光デバイスユニット１１に照射される。   The pulse laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 68 of the laser beam irradiation unit 34 is reflected by the mirror 70 of the condenser 36 attached to the tip of the casing 35 and further collected by the condenser objective lens 72. The light is applied to the optical device unit 11 held on the chuck table 28.

ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。撮像手段３８は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。   At the tip of the casing 35, an image pickup means 38 for detecting a processing region to be laser processed aligned with the condenser 36 in the X-axis direction is disposed. The image pickup means 38 includes an image pickup element such as a normal CCD that picks up an image of a processing region of a semiconductor wafer with visible light.

撮像手段３８は更に、光デバイスユニット１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。   The imaging unit 38 further outputs an infrared irradiation unit that irradiates the optical device unit 11 with infrared rays, an optical system that captures infrared rays irradiated by the infrared irradiation unit, and an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system. Infrared imaging means including an infrared imaging device such as an infrared CCD is included, and the captured image signal is transmitted to a controller (control means) 40.

コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。   The controller 40 includes a central processing unit (CPU) 42 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 44 that stores a control program, and a random read / write that stores arithmetic results. An access memory (RAM) 46, a counter 48, an input interface 50, and an output interface 52 are provided.

５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 56 denotes a processing feed amount detection means comprising a linear scale 54 disposed along the guide rail 14 and a read head (not shown) disposed on the first slide block 6. Is input to the input interface 50 of the controller 40.

６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。   Reference numeral 60 denotes index feed amount detection means comprising a linear scale 58 disposed along the guide rail 24 and a read head (not shown) disposed on the second slide block 16. The detection signal is input to the input interface 50 of the controller 40.

撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。   An image signal picked up by the image pickup means 38 is also input to the input interface 50 of the controller 40. On the other hand, a control signal is output from the output interface 52 of the controller 40 to the pulse motor 10, the pulse motor 20, the laser beam irradiation unit 34, and the like.

次に図３を参照して、レーザ加工装置２による加工対象であるウエーハ形状の光デバイスユニット１１の構成について説明する。光デバイスユニット１１は、光デバイスウエーハからレーザリフトオフにより窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体層１５をサファイア基板から剥離し、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等のヒートシンクとなる金属支持板１３に半田付け等により接合して構成されている。   Next, the configuration of the wafer-shaped optical device unit 11 to be processed by the laser processing apparatus 2 will be described with reference to FIG. The optical device unit 11 peels the semiconductor layer 15 such as gallium nitride (GaN) from the sapphire substrate by laser lift-off from the optical device wafer, and solders it to the metal support plate 13 serving as a heat sink such as molybdenum (Mo) or copper (Cu). It is configured to be joined by attaching or the like.

このようなレーザリフトオフによる金属支持板１３に接合された半導体層１５を有する光デバイスユニット１１の製造は、高価なサファイア基板又はＳｉＣ基板等のエピタキシー基板を再利用できるという点で優れている。更に、半導体層１５は金属支持板１３に接合されているため、光デバイスユニット１１から分割された光デバイス１９は放熱特性等の点において優れている。   The manufacture of the optical device unit 11 having the semiconductor layer 15 bonded to the metal support plate 13 by laser lift-off is excellent in that an epitaxy substrate such as an expensive sapphire substrate or SiC substrate can be reused. Furthermore, since the semiconductor layer 15 is bonded to the metal support plate 13, the optical device 19 divided from the optical device unit 11 is excellent in terms of heat dissipation characteristics.

半導体層１５のレーザリフトオフには、例えばＹＡＧレーザの第３高調波である波長３５５ｎｍのレーザビームを使用する。サファイア基板はこの波長のレーザビームに対して透明である。   For laser lift-off of the semiconductor layer 15, for example, a laser beam having a wavelength of 355 nm, which is the third harmonic of a YAG laser, is used. The sapphire substrate is transparent to the laser beam of this wavelength.

レーザビームは基板側から照射され、放射エネルギーはサファイア基板とＧａＮ半導体層との間の境界層において吸収され、この境界層が例えば８５０℃以上の高温に加熱される。ＧａＮ境界層はこの温度では窒素の発生下で分解され、半導体層と基板との結合が分離される。   The laser beam is irradiated from the substrate side, and the radiant energy is absorbed in the boundary layer between the sapphire substrate and the GaN semiconductor layer, and this boundary layer is heated to a high temperature of, for example, 850 ° C. or higher. The GaN boundary layer is decomposed under generation of nitrogen at this temperature, and the bond between the semiconductor layer and the substrate is separated.

分離された半導体層は、半田付け又は接着剤等で金属支持板１３に接合され、ウエーハ形状の光デバイスユニット１１が製造される。光デバイスユニット１１の表面においては、格子状に形成された複数の分割予定ライン（ストリート）１７によって区画された各領域にＬＥＤ（発光ダイオード）、ＬＤ（レーザダイオード）等の光デバイス１９が形成されている。   The separated semiconductor layer is joined to the metal support plate 13 by soldering or adhesive, and the wafer-shaped optical device unit 11 is manufactured. On the surface of the optical device unit 11, an optical device 19 such as an LED (light emitting diode) or an LD (laser diode) is formed in each region partitioned by a plurality of division lines (streets) 17 formed in a lattice pattern. ing.

このように構成された光デバイスユニット１１は、複数の光デバイス１９が形成されているデバイス領域２１と、デバイス領域２１を囲繞する外周余剰領域２３をその表面に備えている。   The optical device unit 11 configured as described above includes a device region 21 in which a plurality of optical devices 19 are formed and an outer peripheral surplus region 23 surrounding the device region 21 on its surface.

光デバイスユニット１１では、サファイア基板から半導体層１５を剥離し、金属支持板１３に接合しているため、金属支持板１３上にはｐ型半導体層及びｎ型半導体層の順に積層された複数の光デバイス１９が形成されている。   In the optical device unit 11, since the semiconductor layer 15 is peeled from the sapphire substrate and bonded to the metal support plate 13, a plurality of layers in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are stacked in this order on the metal support plate 13. An optical device 19 is formed.

光デバイスユニット１１の個々の光デバイス１９への分割には、光デバイスユニット１１が金属支持板１３を有しているため、切削ブレードによる切削は困難であり、レーザ加工装置を使用するのが好ましい。   Since the optical device unit 11 has the metal support plate 13 for dividing the optical device unit 11 into the individual optical devices 19, cutting with a cutting blade is difficult, and it is preferable to use a laser processing apparatus. .

光デバイスユニット１１の個々の光デバイス１９への分割に先立って、光デバイスユニット１１は粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着される。これにより、光デバイスユニット１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦにより支持される。   Prior to the division of the optical device unit 11 into the individual optical devices 19, the optical device unit 11 is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer periphery of the dicing tape T is attached to an annular frame F. Accordingly, the optical device unit 11 is supported by the annular frame F via the dicing tape T.

次に、レーザ加工装置２を使用した本発明の光デバイスユニットの分割方法について詳細に説明する。まず、レーザ加工装置２のチャックテーブル２８で、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦで支持された光デバイスユニット１１を吸引保持し、クランパ３０で環状フレームＦをクランプする。   Next, the method for dividing the optical device unit of the present invention using the laser processing apparatus 2 will be described in detail. First, the optical device unit 11 supported by the annular frame F is sucked and held by the chuck table 28 of the laser processing apparatus 2 via the dicing tape T, and the annular frame F is clamped by the clamper 30.

次いで、チャックテーブル２８をＸ軸方向に移動して光デバイスユニット１１を撮像手段３８の直下に位置づける。撮像手段３８で光デバイスユニット１１の加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット３４の集光器３６と分割予定ライン１７との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。   Next, the chuck table 28 is moved in the X-axis direction so that the optical device unit 11 is positioned directly below the imaging means 38. Image processing such as pattern matching for aligning the condenser 36 of the laser beam irradiation unit 34 that irradiates the laser beam and the scheduled division line 17 by imaging the processing region of the optical device unit 11 with the imaging unit 38. Is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed.

第１の方向に伸長する分割予定ライン１７のアライメントが終了したならば、チャックテーブル２８を９０度回転して、第１の方向に伸長する分割予定ライン１７に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１７についても同様にアライメントを遂行する。   When the alignment of the division line 17 extending in the first direction is completed, the chuck table 28 is rotated 90 degrees to extend in the second direction orthogonal to the division line 17 extending in the first direction. The alignment is performed in the same manner for the division line 17.

本発明の光デバイスユニットの加工方法では、デバイス領域２１の分割予定ライン１７にのみレーザビームを照射することを特徴とする。即ち、アライメント工程終了後、図４に示すように、レーザビーム照射ユニット３４の集光器３６からデバイス領域２１の分割予定ライン１７にのみレーザビームを照射して分割溝２５を形成する。外周余剰領域２３にはレーザビームを照射しないことが重要である。   The processing method of the optical device unit of the present invention is characterized in that the laser beam is irradiated only to the division lines 17 in the device region 21. That is, after the alignment step is finished, as shown in FIG. 4, the division grooves 25 are formed by irradiating only the division lines 17 in the device region 21 from the condenser 36 of the laser beam irradiation unit 34. It is important not to irradiate the outer peripheral surplus region 23 with a laser beam.

この分割溝形成工程は、デバイス領域２１の第１の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って実施した後、チャックテーブル２８を９０度回転し、デバイス領域２１の第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って実施する。デバイス領域２１における第１及び第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１７に沿って分割溝２５を形成した状態の斜視図が図５に示されている。   The dividing groove forming step is performed along all the planned dividing lines 17 extending in the first direction of the device region 21, and then the chuck table 28 is rotated 90 degrees to extend in the second direction of the device region 21. This is performed along all the planned division lines 17 to be performed. FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the dividing grooves 25 are formed along all the dividing lines 17 extending in the first and second directions in the device region 21.

この分割溝形成工程のレーザ加工条件は例えば以下のように設定されている。   The laser processing conditions for this divided groove forming step are set as follows, for example.

光源 ：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力 ：７．０Ｗ
スポット形状 ：短軸１０μｍ、長軸１０〜２００μｍの楕円
送り速度 ：１００ｍｍ／ｓ Light source: LD excitation Q switch Nd: YAG pulse laser Wavelength: 355 nm (third harmonic of YAG laser)
Output: 7.0W
Spot shape: Ellipse with short axis 10 μm and long axis 10-200 μm Feed rate: 100 mm / s

分割溝形成工程を一回実施しただけでは、浅い分割溝２５が形成されるだけで、光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割することはできない。よって、本発明の加工方法では、分割溝形成工程を複数回（本実施形態では６回）実施して光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割する。   The optical device unit 11 cannot be divided into the individual optical devices 19 only by forming the shallow dividing grooves 25 by performing the dividing groove forming process only once. Therefore, in the processing method of the present invention, the division groove forming step is performed a plurality of times (in this embodiment, six times) to divide the optical device unit 11 into individual optical devices 19.

２回目以降の分割溝形成工程では、図５に示すように、集光器３６からデバイス領域２１に形成された分割溝２５に沿ってレーザビームを照射して、２回目以降の分割溝２５を形成する。   In the second and subsequent divided groove forming steps, as shown in FIG. 5, a laser beam is irradiated from the condenser 36 along the divided grooves 25 formed in the device region 21 to form the second and subsequent divided grooves 25. Form.

本実施形態では、分割溝形成工程を６回繰り返すことにより、光デバイスユニット１１を個々の光デバイス１９に分割できるとともに、外周余剰領域２３を各光デバイス１９から分離することができる。   In the present embodiment, by repeating the dividing groove forming step six times, the optical device unit 11 can be divided into individual optical devices 19 and the outer peripheral surplus region 23 can be separated from each optical device 19.

本発明の光デバイスユニットの加工方法では、光デバイスユニット１１の外周余剰領域２３にはレーザビームを照射しないので、外周余剰領域２３の強度が維持されてデバイス領域２１の伸びを抑制することができる。   In the processing method of the optical device unit of the present invention, the outer peripheral surplus region 23 of the optical device unit 11 is not irradiated with the laser beam, so that the strength of the outer peripheral surplus region 23 is maintained and the extension of the device region 21 can be suppressed. .

従って、レーザビームの照射によって光デバイスユニット１１のデバイス領域２１の温度が上昇されても、外周余剰領域２３によりデバイス領域２１の伸びを抑制できるため、分割予定ライン１７の間隔の変化を抑制することができ、分割予定ライン１７から外れて光デバイス１９にレーザビームが照射されて光デバイス１９を損傷させるという問題を回避することができる。   Therefore, even if the temperature of the device region 21 of the optical device unit 11 is increased by the irradiation of the laser beam, since the extension of the device region 21 can be suppressed by the outer peripheral surplus region 23, the change in the interval between the division lines 17 is suppressed. Therefore, it is possible to avoid the problem that the optical device 19 is irradiated with the laser beam by being off the division line 17 and is damaged.

２ レーザ加工装置
１１ 光デバイスユニット
１３ 金属支持板
１５ 半導体層
１７ 分割予定ライン
１９ 光デバイス
２１ デバイス領域
２３ 外周余剰領域
２５ 分割溝
２８ チャックテーブル
３４ レーザビーム照射ユニット
３６ 集光器
３８ 撮像手段 2 Laser processing apparatus 11 Optical device unit 13 Metal support plate 15 Semiconductor layer 17 Scheduled division line 19 Optical device 21 Device region 23 Peripheral surplus region 25 Divided groove 28 Chuck table 34 Laser beam irradiation unit 36 Condenser 38 Imaging means

Claims (1)

金属支持板の表面に接合された半導体層を有し、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、
光デバイスユニットの該デバイス領域に形成された分割予定ラインにのみレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程を具備したことを特徴とする光デバイスユニットの加工方法。 Light having a semiconductor layer bonded to the surface of a metal support plate, and having a device region formed by dividing a plurality of optical devices by division-scheduled lines on the semiconductor layer and an outer peripheral surplus region surrounding the device region A method of processing an optical device unit that divides a device unit into individual optical devices by irradiating a laser beam along a planned division line to form a division groove,
A method of processing an optical device unit, comprising: a split groove forming step of forming a split groove by irradiating only a predetermined split line formed in the device region of the optical device unit with a laser beam.
JP2010256398A 2010-11-17 2010-11-17 Method of processing optical device unit Pending JP2012109364A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010256398A JP2012109364A (en) 2010-11-17 2010-11-17 Method of processing optical device unit
TW100136342A TW201241887A (en) 2010-11-17 2011-10-06 Processing method of optical device unit
CN2011103633093A CN102528290A (en) 2010-11-17 2011-11-16 Method for processing optical device unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010256398A JP2012109364A (en) 2010-11-17 2010-11-17 Method of processing optical device unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012109364A true JP2012109364A (en) 2012-06-07

Family

ID=46336995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010256398A Pending JP2012109364A (en) 2010-11-17 2010-11-17 Method of processing optical device unit

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2012109364A (en)
CN (1) CN102528290A (en)
TW (1) TW201241887A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253140A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
CN105345211A (en) * 2015-12-04 2016-02-24 苏州索力旺新能源科技有限公司 Tin paste brushing rotary device
CN105345207A (en) * 2015-12-04 2016-02-24 苏州索力旺新能源科技有限公司 Tin paste brushing equipment

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6035127B2 (en) * 2012-11-29 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
CN104377275A (en) * 2013-08-16 2015-02-25 刘艳 Method for segmenting flip-chip LED chip of sapphire substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146487A (en) * 2002-10-23 2004-05-20 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device
JP2006263754A (en) * 2005-03-22 2006-10-05 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2006286727A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Denso Corp Semiconductor wafer provided with plurality of semiconductor devices and its dicing method
JP2010114374A (en) * 2008-11-10 2010-05-20 Stanley Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor element

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08213347A (en) * 1995-02-01 1996-08-20 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
KR20010082405A (en) * 2001-05-11 2001-08-30 김양태 Plasma dicing method and apparatus
JP4018088B2 (en) * 2004-08-02 2007-12-05 松下電器産業株式会社 Semiconductor wafer dividing method and semiconductor element manufacturing method
JP2006173428A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp Substrate machining method, and element manufacturing method
JP4471852B2 (en) * 2005-01-21 2010-06-02 パナソニック株式会社 Semiconductor wafer, manufacturing method using the same, and semiconductor device
JP4684697B2 (en) * 2005-03-22 2011-05-18 株式会社ディスコ Wafer breaking method
JP2008178886A (en) * 2007-01-23 2008-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd Marking method of product information
JP2009224454A (en) * 2008-03-14 2009-10-01 Disco Abrasive Syst Ltd Method of manufacturing optical device
JP5323441B2 (en) * 2008-10-16 2013-10-23 株式会社ディスコ Split method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146487A (en) * 2002-10-23 2004-05-20 Renesas Technology Corp Method for manufacturing semiconductor device
JP2006263754A (en) * 2005-03-22 2006-10-05 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2006286727A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Denso Corp Semiconductor wafer provided with plurality of semiconductor devices and its dicing method
JP2010114374A (en) * 2008-11-10 2010-05-20 Stanley Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor element

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253140A (en) * 2011-06-01 2012-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
CN105345211A (en) * 2015-12-04 2016-02-24 苏州索力旺新能源科技有限公司 Tin paste brushing rotary device
CN105345207A (en) * 2015-12-04 2016-02-24 苏州索力旺新能源科技有限公司 Tin paste brushing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
CN102528290A (en) 2012-07-04
TW201241887A (en) 2012-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI687560B (en) Wafer generation method
KR101999411B1 (en) Wafer machining method
KR101752016B1 (en) Method for dividing optical device wafer
JP2013152986A (en) Method for processing wafer
KR102341597B1 (en) Wafer producing method
KR102341594B1 (en) Wafer producing method
TW201641206A (en) Thin plate separating method
JP2012109364A (en) Method of processing optical device unit
JP5946308B2 (en) Wafer division method
JP5846765B2 (en) Wafer processing method
JP2006289388A (en) Apparatus for laser beam machining
US8759195B2 (en) Optical device wafer processing method
JP5846764B2 (en) Wafer processing method
JP2013152987A (en) Method for processing wafer
JP6008565B2 (en) Processing method of optical device wafer
JP5946307B2 (en) Wafer division method
JP5441111B2 (en) Processing method of plate
JP5868193B2 (en) Wafer processing method
US20190061060A1 (en) Laser processing apparatus
JP2013152995A (en) Method for processing wafer
JP5645585B2 (en) Division method of optical device unit
JP2012106251A (en) Machining method of optical device unit and laser beam machining device
JP2013152990A (en) Method for processing wafer
JP5868194B2 (en) Wafer processing method
JP2013152989A (en) Method for processing wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131011

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140924

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150210