KR20110092287A - 자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암 - Google Patents

자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암 Download PDF

Info

Publication number
KR20110092287A
KR20110092287A KR1020117012450A KR20117012450A KR20110092287A KR 20110092287 A KR20110092287 A KR 20110092287A KR 1020117012450 A KR1020117012450 A KR 1020117012450A KR 20117012450 A KR20117012450 A KR 20117012450A KR 20110092287 A KR20110092287 A KR 20110092287A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delivery
fluid
arm
slurry
delivery arm
Prior art date
Application number
KR1020117012450A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101615648B1 (ko
Inventor
제이미 에스. 레이튼
아브히지트 와이. 데사이
더글라스 알. 맥칼리스터
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20110092287A publication Critical patent/KR20110092287A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101615648B1 publication Critical patent/KR101615648B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 자체 세정할 수 있고 폴리싱 패드 위로 슬러리 작용제 및 세척제를 조정가능하게 전달할 수 있는 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 장치용 슬러리 전달 및 세척 시스템을 제공한다. 일 실시예에서, 유체 전달 시스템은 하나 이상의 매니폴드, 통상적으로 전달 아암의 하부면에 부착된 두 개 또는 세 개 이상의 매니폴드를 포함하는 분배된 슬러리 전달 아암(DSDA)을 가진다. 각각의 DSDA 매니폴드는 매니폴드의 길이를 따라 배치된 복수의 슬러리 노즐을 포함한다. 전달 아암은 또한 전달 아암의 하부면으로부터 연장하고 각각의 DSDA 매니폴드에 평행하게, 전달 아암의 길이를 따라 배치되는 복수의 고압 세척 노즐을 포함한다. 일 예에서, 전달 아암은 서로 팽행하게 배치된 두 개의 DSDA 매니폴드 및 매니폴드들 사이에 배치된 복수의 고압 세척 노즐을 포함한다.

Description

자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암 {SELF CLEANING AND ADJUSTABLE SLURRY DELIVERY ARM}
본 발명의 실시예는 기판의 폴리싱을 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 슬러리 분배기 및 세척(rinse) 아암 및 이에 대한 방법에 관한 것이다.
집적 회로는 통상적으로 전도성, 반-전도성, 또는 절연성 층의 증착에 의해 기판 상에 형성된다. 각각의 층이 증착된 후, 층은 회로 피쳐를 형성하기 위해 에칭된다. 일련의 층이 연속적으로 증착되고 에칭되기 때문에, 기판의 최상부에 배치된 표면은 비-평면형이 될 수 있어 평탄화가 요구된다. 이러한 비-평면형 표면은 기판 상에 형성된 층들의 두께가 그 위에 형성된 회로의 비균일한 지오메트리(geometry)의 결과로서 기판 표면에 걸쳐 변화될 때 발생된다. 다중 패턴화된 하부 층을 가지는 분야에서, 피크(peak)와 밸리(vally) 사이의 높이 차이가 심지어 더 심하게 되고, 수 미크론이 될 수 있다.
화학적 기계적 폴리싱(CMP)는 회전가능한 폴리싱 패드를 화학적 슬러리를 포함하는 연마 성분으로 적시는(wetting) 단계 및 적셔진 패드에 맞대고 기판의 전방면을 기계적으로 폴리싱하는 단계를 포함한다. 패드는 로터리 플래튼(platen)에 설치하고 회전가능한 기판 캐리어가 기판의 후방에 대하여 하방 압력을 인가하기 위해 이용된다. 폴리싱 슬러리는 폴리싱 동안 슬러리 분배 아암을 통하여 패드 상으로 분배된다. 캐리어 및 패드 사이의 힘 및 이들의 상대적인 회전은 슬러리의 기계적 및 화학적 영향과 조합하여 기판 표면을 폴리싱하는 기능을 한다.
도 1은 기판(38)의 중앙 축선을 중심으로 회전하는 캐리어 헤드(46)에 의해 홀딩되는 CMP 시스템(10)을 도시한다. 원형 폴리싱 패드(40)는 캐리어 헤드(46)에 의해 홀딩되는 회전 기판(38)의 바닥면과 접촉하면서 회전한다. 회전하는 기판(38)은 폴리싱 패드(40)의 중앙으로부터 떨어진 영역에서 회전하는 폴리싱 패드(40)와 접촉한다. 폴리싱 패드(40)의 표면 위에 위치되는 슬러리 전달 아암(15)은 예를 들면 연마재 및 하나 이상의 화학적 반응제를 포함하는 슬러리(17)를 공급 회로(14 및 16)에 의해 폴리싱 패드(40) 상에 분배한다. 슬러리(17)는 폴리싱 패드(40)의 중앙으로 전달되어 폴리싱되는 기판의 표면 상의 층에 화학적으로 부동태화되거나 산화되어 선택된 층을 연마식으로 제거하거나 폴리싱으로 제거하도록 한다. 슬러리 내의 반응제는 폴리싱을 용이하게 하도록 기판의 표면 상의 필름과 반응한다. 폴리싱 패드, 연마 입자, 및 반응제와 기판의 표면과의 상호 반응은 원하는 층의 제어된 폴리싱을 초래한다.
CMP에서 발생되는 하나의 문제점은 폴리싱 패드로 전달된 슬러리가 굳어질 수 있고, 기판으로부터 제거된 재료를 따라, 패드 상의 그루브 또는 다른 피쳐들이 막을 수 있어, 후속하는 폴리싱 단계의 효율을 감소시키고 조잡한 결함 성능 가능성이 증가된다. 따라서, 세척 아암(rinse arm)은 패드의 그루브로부터 굳어진 슬러리 및 다른 재료의 세척 작업를 용이하게 하도록 패드로 물 또는 세척 용액을 전달하도록 일부 CMP 시스템에 결합될 수 있다.
그러나, CMP 시스템은 수 개의 단점이 발생한다. 먼저, 슬러리 전달 라인은 종종 라인 내부에 응축된 슬러리에 의해 막히게 된다. 또한, 세척 아암은 보통 패드 상에 고정된 위치에 있어 한 번에 하나의 장소에만 분배할 수 있다. 또한, 세척 아암은 패드의 중앙 부분으로 세척제(rinse agent)를 전달하도록 패드의 중앙 위에 배치되어야 한다. 패드에 대한 기판 캐리어 헤드의 장소에 따라, 기판 캐리어 헤드가 패드로부터 이동하지 않아 폴리싱 패드가 중단되지 않은 경우 패드의 중앙 부분의 세척 작업이 수행될 수 없다.
따라서, 자체 세정할 수 있고, 전체 패드 위에 위치될 필요 없이 폴리싱 패드의 전체 표면 위에 슬러리 작용제 및 세척제를 조정가능하게 전달할 수 있는 슬러리 전달 및 세척 시스템을 제공하는 요구가 존재한다.
본 발명의 실시예들은 자체 세정되고 전체 패드 위에 위치하지 않고 폴리싱 패드의 전체 표면 위에 슬러리 작용제 및 세척제를 조정가능하게 전달할 수 있는 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 장치용 슬러리 전달 및 세척 시스템을 제공한다. 일 실시예에서, 베이스에 회전가능하게 연결되고 베이스로부터 방사상 방향으로 연장하는 전달 아암, 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하는 하나 이상의 슬러리 전달 라인, 전달 라인의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하는 하나 이상의 세척제 전달 라인, 및 전달 아암 상에 배치되는 힌지 조립체를 포함하는 유체를 전달하기 위한 장치가 제공된다.
상기 장치는 전달 아암 상에서 하방으로 배치되고 하나 이상의 세척제 전달 라인으로 연결되는 하나 이상의 노즐을 더 포함할 수 있다. 하나 이상의 노즐은 전달 아암의 수평면으로부터 수직한 각도로 설치될 수 있다. 각각의 노즐의 팁은 전달 아암의 수평면에 대해 약 30°내지 약 60°의 범위 내의 각도를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 노즐의 팁은 약 45°의 각도를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 매니폴드 및/또는 노즐은 포플루오로알콕시(PFA), 불소화 에틸렌 프로필렌(FEP), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 또는 이들의 유도체와 같은 불소-함유 폴리메릭 재료로 제조되거나 이 재료들을 함유할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 일 단부의 베이스에 지지되는 유체 전달 아암의 고정 부분, 유체 전달 아암의 길이의 적어도 일 부분을 따라 배치된 하나 이상의 세척제 전달 라인, 유체 전달 아암의 길이의 일 부분을 따라 적어도 부분적으로 배치된 하나 이상의 슬러리 전달 라인, 및 힌지에 의해 고정 부분으로 연결되는 유체 전달 아암의 조정가능한 부분을 포함하는 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치가 제공된다. 힌지는 전달 아암의 미리결정된 위치를 고정하도록 플런저, 전달 아암의 과 회전을 방지하기 위한 스토퍼, 및 전달 아암의 고정 부분의 힌지 블록으로 전달 아암의 조정가능한 부분의 고정 블록을 연결하기 위한 힌지 핀을 더 포함할 수 있다. 선택적으로, 힌지는 조정가능한 부분으로 연결되는 고정 블록, 고정 부분으로 여녈되는 힌지 블록, 및 힌지 핀을 더 포함할 수 있으며, 힌지 핀은 조정가능한 부분의 고정 블록을 고정 부분의 힌지 블록으로 연결한다. 힌지는 전달 아암을 특별한 위치로 고정하도록, 클램프와 같은, 록킹 메카니즘을 가질 수 있다. 고정 부분은 베이스에 부착된 회전가능한 샤프트, 고정 부분의 길이를 연장하도록 하나 이상의 스페이서 블록, 하나 이상의 세척제 전달 라인으로 이용하기 위한 하나 이상의 제 1 밸브, 및 하나 이상의 제 1 밸브를 덮는 제 1 커버를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 힌지의 조정가능한 부분은 하나 이상의 슬러리 전달 라인으로부터 슬러리를 수용하기 위한 하나 이상의 제 2 밸브, 고정 부분에서 하나 이상의 제 1 밸브로부터 하나 이상의 세척제 전달 라인을 통하여 세척제를 수용하기 위한 세척 포트, 하나 이상의 제 2 밸브로부터 습기를 수집하기 위한 제 2 커버, 전달 아암의 하부면에 장착된 하나 이상의 노즐, 하나 이상의 슬러리 작용제 전달 라인을 위한 하나 이상의 전달 채널, 및 하나 이상의 세척제 전달 라인을 위한 하나 이상의 개구를 포함한다. 일 예에서, 하나 이상의 제 1 밸브는 솔레노이드이고 하나 이상의 제 2 밸브는 솔레노이드 또는 T-조인트 밸브이다. 습기는 제 2 커버의 구부러진 상부면에 의해 함유될 수 있다. 슬러리 전달 라인이 전달 채널을 경유하여 각각의 노즐로 연결되는 예들이 제공된다. 일 예에서, 전달 채널은 전달 채널의 일 단부에 배치된 차단 스터드를 포함할 수 있다. 이러한 다수의 상술된 부분은 다양한 플라스틱으로 제조되거나 함유할 수 있다. 예를 들면, 차단 스터드는 폴리에테르에틸케톤을 포함할 수 있고, 회전가능한 샤프트는 폴리프로필렌을 포함할 수 있고, 고정된 블록은 폴리프로필렌을 포함할 수 있고, 힌지 블록은 폴리에테르에틸케톤을 포함할 수 있고, 스페이서 블록은 폴리프로필렌을 포함할 수 있다.
본 발명의 상술된 특징이 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간단히 요약된 본 발명의 더욱 특별한 설명이 실시예를 참조할 것이며 이 실시예들 중 일부는 첨부된 도면에 도시된다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 통상적인 실시예를 도시하며 따라서 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것을 고려되지 않으며, 이는 본 발명이 다른 균등 효과의 실시예가 인정될 수 있기 때문이다.
도 1은 본 기술분야에 공지된 화학적 기계적 폴리싱 장치의 측면도를 도시하며;
도 2는 본 발명의 일 실시예에서 설명된 바와 같이, 유체 전달 시스템을 포함하는 화학적 기계적 폴리싱 시스템을 도시하며;
도 3a 내지 도 3c는 여기서 설명된 실시예들에 따른 전달 아암의 개략도이며;
도 4a 내지 도 4b는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 전달 아암의 하부면에 배치된 일련의 노즐을 도시하며;
도 5a 내지 도 5b는 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 매니폴드 상의 노즐들의 단면도를 도시하며;
도 6a 내지 도 6b는 본 명세서에서 설명된 또 다른 실시예에 따른 힌지를 포함하는 전달 아암의 개략도를 도시하며;
도 7은 본 명세서에서 설명된 일 실시예에 따른 다중-패드 시스템을 도시한다.
본 발명의 실시예는 자체 세정할 수 있고, 전체 패드 위에 위치되지 않고 폴리싱 패드의 전체 표면 위에 슬러리 작용제 및 세척제를 조정가능하게 전달할 수 있는 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 장치를 위한 슬러리 전달 및 세척 시스템을 제공한다. 일 실시예에서, 유체 전달 시스템은 전달 아암의 하부면에 부착된 하나 이상의 매니폴드, 통상적으로 두 개 또는 세 개 이상의 매니폴드를 포함하는, 분배된 슬러리 전달 아암(DSDA)을 가진다. 각각의 DSDA 매니폴드는 전달 아암 및 매니폴드의 길이를 따라 배치되는 복수의 슬러리 노즐을 포함한다. 전달 아암은 또한 전달 아암의 하부면으로부터 연장하고 각각의 DSDA 매니폴드에 대해 평행한, 전달 아암의 길이를 따라 배치되는 복수의 고압 세척 노즐을 포함한다. 일 예에서, 전달 아암은 서로에 대해 평행하게 배치된 두 개의 DSDA 매니폴드 및 매니폴드들 사이에 배치되는 복수의 고압 세척 노즐을 포함한다.
또 다른 실시예에서, DSDA 매니폴드는 폴리싱 공정 동안 매니폴드로부터 연장하는 슬러리 노즐로부터 패드 또는 기판으로 슬러리를 분배한다. 물 또는 또 다른 세척제는 세척 공정 동안 고압 세척 노즐로부터 패드로 전달될 수 있다. 후속적으로, 물 또는 세척제는 밸브에 의해 전환될 수 있고, 고압 세척 노즐을 통과하는 대신, 물 또는 다른 세척제는 슬러리 노즐을 통과할 수 있다. 일 예에서, 물 또는 세척제는 세척제 전달 라인, 슬러리 전달 라인, 및 세척제의 소스 사이에 결합된 T-조인트 피팅의 일 단부에 배치된 일-방 밸브 또는 역류 방지 밸브(non-return valve)에 의해 전환된다. 선택적으로, 3방 밸브는 역류 방지 밸브 및 T-조인트 피팅의 이용일 수 있다. 물 또는 다른 세척제는 DSDA 매니폴드 및 슬러리 노즐 내의 잔류물, 미립자, 또는 다른 오염물을 제거한다.
다른 실시예에서, 조정가능한 전달 아암은 표면에 인접하게 회전가능하게 장착되며 조정가능한 전달 아암은 이 표면으로 세척제 및/또는 슬러리를 전달하는 것이 의도된다. 이러한 위치는 교체 및 다른 수리를 위해 표면으로의 용이한 접근을 제공한다. 부가적으로, 스위핑 노즐이 유체 전달 시스템, 특히 전달 아암 상에 배치될 수 있다. 스위핑 노즐은 세정되는 표면의 에지를 향하여 그리고 이 에지로부터 세척제 및 부스러기를 지향시키기 위해 이용된다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 설명된 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 시스템의 평면도이다. 예시적인 CMP 시스템(100)은 일반적으로 팩터리 인터페이스(factory interface), 로딩 로봇(104), 및 폴리싱 모듈(106)을 포함한다. 로딩 로봇(104)은 팩터리 인터페이스 및 폴리싱 모듈(106) 근처에 배치되어 그 사이의 기판(122)의 이송을 용이하게 한다.
제어기(108)는 시스템(100)의 모듈의 제어 및 통합을 용이하게 하기 위해 제공된다. 제어기(108)는 중앙 처리 유닛(CPU; 110), 메모리(112), 및 지지 회로(114)를 포함한다. 제어기(108)는 예를 들면 폴리싱, 세정, 및 이송 공정의 제어를 용이하게 하도록 CMP 시스템(100)의 다양한 부품으로 결합된다.
폴리싱 모듈(106)은 주변이 제어된 엔클로저(188) 내에 배치되는, 적어도 제 1 CMP 스테이션(128)을 포함한다. 본 명세서에서 설명된, 유체 전달 시스템은 미국 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 입수가능한 미라(MIRRA)(등록상표) CMP 시스템, 미라 메사(MESA)(등록상표) CMP 시스템, 미라(등록상표) 트랙 CMP 시스템, 및 미라(등록상표) DNS CMP 시스템과 같은, CMP 시스템에서 이용될 수 있다. 폴리싱 패드, 폴리싱 웨브, 또는 이들의 조합물을 이용하는 모듈 및 회전, 선형 또는 다른 평면 운동에서 폴리싱 패드에 대해 기판을 이동시키는 모듈을 포함하는 폴리싱 패드(106)는 또한 본 발명으로부터 유익하게 적용될 수 있다.
도 2에 도시된 실시예에서, 폴리싱 모듈(106)은 하나의 벌크 CMP 스테이션(128), 제 2 CMP 스테이션(130) 및 제 3 CMP 스테이션(132)을 포함한다. 기판으로부터 전도성 재료의 벌크 제거는 벌크 CMP 스테이션(128)에서의 전기화학적 분해 공정을 통하여 수행된다. 벌크 CMP 스테이션(128)에서 벌크 재료 제거 후, 잔류 전도성 재료는 제 2 전기화학적 기계적 공정을 통하여 잔류 CMP 스테이션(130)에서 기판으로부터 제거된다. 하나 이상의 잔류 CMP 스테이션(130)이 폴리싱 모듈(106)에서 이용될 수 있는 것이 고려된다. CMP 공정은 본 명세서에서 설명된 배리어 제거 공정에 의해 잔류 CMP 스테이션(130)에서 처리 후 폴리싱 스테이션(132)에서 수행될 수 있다. 배리어 제거를 위한 CMP 공정들의 추가 공개는 본 명세서에서 전체적으로 참조된 미국 특허 제 7,104,869호에서 공개된다. 제 1 및 제 2 CMP 스테이션(128 및 130) 각각은 하나의 스테이션 상의 벌크 및 다중-단계 전도성 재료 제거 둘다를 수행하기 위해 이용될 수 있다. 또한 모든 CMP 스테이션(예를 들면 도 2에 도시된 모듈(106)의 3개의 스테이션)은 2 단계 제거 공정으로 전도성 층을 처리하도록 구성될 수 있는 것이 고려된다.
예시적인 폴리싱 모듈(106)은 또한 기계 베이스(140)의 상부 또는 제 1 측부(138)에 배치되는 이송 스테이션(136) 및 캐러젤(carousel; 134)을 포함한다. 일 실시예에서, 이송 스테이션(136)은 입력 버퍼 스테이션(142), 출력 버퍼 스테이션(144), 이송 로봇(146), 및 로드 컵 조립체(148)를 포함한다. 입력 버퍼 스테이션(142)은 로딩 로봇(104)에 의해 팩터리 인퍼테이스로부터 기판을 수용한다. 로딩 로봇(104)은 또한 출력 버퍼 스테이션(144)으로부터 팩터리 인터페이스로 폴리싱 기판을 회수하기 위해 이용된다. 이송 로봇(146)은 버퍼 스테이션(142, 144)과 로드 컵 조립체(148) 사이에서 기판을 이동시키기 위해 이용된다. 일 예에서, 두 개의 이송 스테이션(144 및 146)은 200 mm 직경 기판으로 이용된다. 그러나, 또 다른 예에서, 이송 스테이션(142)과 같은, 단지 하나의 이송 스테이션은 300 mm 직경 기판으로 이용된다.
일 실시예에서, 이송 로봇(146)은 두 개의 그리퍼 조립체(도시안됨)를 포함하며, 각각 기판의 에지에 의해 기판을 홀딩하는 공기압 그리퍼 핑거를 가진다. 이송 로봇(146)은 로드 컵 조립체(248)로부터 출력 버퍼 스테이션(144)으로 처리된 기판을 이송하는 동안 출력 버퍼 스테이션(142)으로부터 로드 컵 조립체(148)로 처리되는 기판을 동시에 이송할 수 있다. 유용하게 이용될 수 있는 이송 스테이션의 일 예는 본 명세서에서 전체적으로 참조되는 미국 특허 제 6,156,124호에 설명된다.
캐러젤(134)은 베이스(140) 위 중앙에 배치된다. 캐러젤(134)은 통상적으로 복수의 아암(150)을 포함하고, 복수의 아암은 각각 폴리싱 헤드 조립체(152)를 지지한다. 도 2에 도시된 두 개의 아암(150)은 점선으로 도시되어 제 1 CMP 스테이션(128)의 폴리싱 표면(126)이 볼 수 있게 될 수 있다. 캐로졸(134)은 폴리싱 헤드 조립체(152)가 폴리싱 스테이션(128, 130, 132)과 이송 스테이션(136) 사이에서 이동할 수 있도록 연동가능하다(indexable). 유용하게 이용될 수 있는 하나의 캐러젤은 본 명세서에서 전체적으로 참조되는 미국 특허 제 5,804,507호에 설명된다.
컨디셔닝 장치(182)는 도 2에 도시된 바와 같이, 폴리싱 스테이션(130 및 132)의 각각에 인접한 베이스(140) 상에 배치될 수 있다. 컨디셔닝 장치(182)는 균일한 폴리싱 결과를 유지하도록 스테이션(130, 132)에서 폴리싱 용액을 주기적으로 공급하기 위해 이용될 수 있다. 선택적인 실시예에서, 컨디셔닝 장치(182)는 부가 유체 전달 시스템 및/또는 분배된 슬러리 전달 아암(DSDA)(202) 뿐만 아니라 패드 컨디셔닝 아암(201)을 포함하는 유체 전달 시스템(200)과 같은 아암으로 대체될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 명세서의 실시예에 따라 유체 전달 시스템(200)에 이용된 전달 아암(202)의 개략적인 도면이다. 전달 아암(202)은 고정 부분(204) 및 조정가능한 부분(208)을 가지며, 둘다 힌지 조립체(206)로 연결된다. 조정가능한 부분(208)은 힌지 조립체(206)를 회전시킴으로써 패드 또는 기판의 상이한 장소로 이동될 수 있다. 고정 부분(204)은 폴리싱 패드 위의 처리 위치와 패드 위에 인접한 보수 위치(maintenance position) 사이로 전달 아암(202)의 회전이 가능하도록 샤프트(210) 상에 장착된다. 전달 아암(202)은 일반적으로 고정 위치로부터 인접한 부분(208)으로 길이를 따라 구부러진다. 전달 아암(202)은 힌지 조립체(206)의 이용을 통하여 공정 사양에 따라 상이한 각도로 조정될 수 있다.
일 실시예에서, 샤프트(210)는 폴리프로필렌을 포함하거나 폴리프로필렌으로 제조될 수 있다. 커버(214)는 나일론을 포함하거나 나일론으로 제조될 수 있다. 플런저(230), 스토퍼(232), 및 힌지 핀(234)을 포함하는 힌지 조립체(206)는 고정 부분(204)을 조정가능한 부분(208)으로 연결하기 위한 록킹 메카니즘을 이용한다. 힌지 조립체(206)는 조정가능한 부분(208)이 원하는 위치로 회전 및 설정되도록 하여 슬러리 전달 위치가 패드 크기, 장소, 또는 공정 매개변수에 따라 조정될 수 있다.
일 실시예에서, 전달 아암(202)은 전달 아암(202)의 아래측 또는 하부(222)에 부착되는 하나 이상의 매니폴드, 통상적으로 두 개 또는 세 개 이상의 매니폴드를 포함한다. 도 3a 내지 도 3c는 매니폴드(302 및 304)를 가지는 전달 아암(202)을 도시한다. 두 개의 매니폴드(302 및 304)는 서로의 길이를 따라 배치되고 전달 아암(202)으로부터 떨어져 폴리싱 패드를 향하여 연장하는 복수의 슬러리 노즐(224)을 가진다. 전달 아암(202)은 또한 전달 아암(202)의 하부 표면(222)으로부터 떨어져 폴리싱 패드를 향하여 연장하는 복수의 고압 세척 노즐(310 및 312)을 포함한다. 복수의 고압 세척 노즐(310 및 312)은 도 3b 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 매니폴드들(302 및 304)에 대해 평행하게 매니폴드들 사이로 연장하는 라인 내에 전달 아암(202)의 길이를 따라 배치된다.
고압 세척 노즐(312)는 고정 부분(204)과 마주하는, 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)의 단부에 배치된다. 고압 세척 노즐(312)은 넓은 범위의 각도로 세척제를 분무하기 위해 조정 또는 분무될 수 있다. 전달 아암(202)은 또한 하부면(222) 상에 배치된 복수의 유출구(320)를 포함할 수 있다. 유출구는 고압 세척 노즐(312)의 근처에 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)의 단부에 있을 수 있다. 일 예에서, 고압 세척 노즐(312)은 도 3c에 도시된 바와 같이, 조정가능한 부분(208)의 단부에서 4개의 유출구들(320) 사이에 배치될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전달 아암(202)의 고정 부분(204)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 커버(214)에 의해 둘러싸이는 밸브 또는 솔레노이드(212)를 포함한다. 솔레노이드(212)는 고정 부분(204) 상에 위치되고 전달 아암(202)을 통한 배관과 결합되어 유체 소통된다. 솔레노이드(212)는 탈이온수와 같은, 세척제를 전달하기 위해 이용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 전달 아암(202)은 전달 아암(202) 상에 장착되거나 전달 아암 내에 배치되는 한 개, 또는 두 개, 또는 세 개 이상의 슬러리 전달 라인을 가질 수 있다. 통상적으로, 전달 아암(202)은 각각의 DSDA 매니폴드를 위한 슬러리 전달 라인을 포함하며, 슬러리 전달 라인 위에는 DSDA 매니폴드가 설치된다. 도 3a는 조정가능한 부분(208) 위에 위치되는 밸브 또는 솔레노이드(216 및 218)에 결합되고 이 밸브 또는 솔레노이드와 유체 소통되는 슬러리 전달 라인(213a 및 213b)을 도시한다. 슬러리 전달 라인(213a 및 213b)의 타 단부들은 슬러리 저장부와 같은, 동일하거나 상이한 소스(source)에 결합되고 이 소스와 유체 소통될 수 있다. 솔레노이드(216 및 218)는 2개의 방향으로 유동할 수 있는 독립적인 2-방 밸브들이다.
다른 실시예에서, 매니폴드(302 및 304)는 슬러리를 폴리싱 공정 동안 매니플드(302 및 304)로부터 연장하는 노즐(224) 및 단부 노즐(226)로부터 패드 또는 기판으로 슬러리를 분배한다. 물 또는 다른 세척제가 세척 공정 동안 고압 세척 노즐(310 및 312)로부터 패드로 전달될 수 있다. 후속적으로, 물 또는 세척제는 솔레노이드(216 및 218) 또는 또 다른 2-방 밸브에 의해 전환될 수 있으며, 고압 세척 노즐(310 및 312)을 통과하는 대신, 물 또는 다른 세척제가 노즐(224) 및 단부 노즐(226)을 통과할 수 있다. 일 예에서, 물 또는 세척제는 솔레노이드(216 및 218)에 의해 전환될 수 있다. 또 다른 예에서, 물 또는 세척제는 세척제 전달 라인, 슬러리 전달 라인, 및 세척제의 소스 사이에 결합되는 T-조인트 피팅(fitting)의 일 단부에 배치되는 역류 방지 밸브 또는 일방 밸브에 의해 전환된다. 선택적으로, 2-방 밸브 또는 3-방 밸브는 고압 세척 노즐(310 및 312)를 통하여 유동하는 대신, 물 또는 세척제를 노즐(224) 및 단부 노즐(226)로 전환하기 위해 이용될 수 있다. 물 또는 다른 세척제는 DSDA 매니폴드 및 슬러리 노즐 내의 어떠한 잔류물, 미립자, 또는 다른 오염물도 제거한다.
일 실시예에서, T-조인트 피팅(221)은 세정 목적을 위해 고정 부분(204) 상의 솔레노이드(212)로 연결될 수 있다. 탈이온수와 같은, 세척제는 라인(217)으로부터, T-조인트 피팅(221)을 통하여, 슬러리 전달 라인 내의 부스러기를 세정 및 세척하기 위해 세척제 전달 라인(217a 및 217b)으로 유동할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬러리 전달 라인 및 하나 또는 둘 이상의 슬러리가 배관의 단부를 통하여 다이어스톨릭 펌프(diastolic pump) 또는 소정의 다른 타입의 펌프를 이용하여 하나 또는 둘 이상의 슬러리 소스로부터 펌핑될 때 배관이 이용될 수 있다. 중앙 세척제 전달 라인(217)은 솔레노이드(212)와 T-조인트 피팅(221) 사이에 결합된다. 세척 포트(220)는 조정가능한 부분(208) 상에 위치되어 솔레노이드(212)로부터 세척제 전달 라인(247)을 통하여 세척제를 수용하여 하나 또는 둘 이상의 세척제를 복수의 노즐(224) 및 전달 아암(202)의 하부면(222)으로 장착되는 단부 노즐(226)로 전달한다.
조정가능한 부분(208)은 솔레노이드(216 및 218)로부터 나오는 습기를 수집하고 습기가 누출되는 것을 방지하는 커버(215)를 포함한다. 커버(215)는 나일론을 포함할 수 있거나 나일론으로 제조될 수 있다. 커버(215)의 상부면(250)은 습기가 고이는 것을 방지하도록 일정한 각도로 경사질 수 있다. 전달 아암(202)과 충돌할 위험 없이 폴리싱 동안 물질을 홀딩하는 캐리어를 캐리어 홀더(도시안됨)를 방사상으로 가로질러 또는 심지어 캐리어 홀더의 중앙 위로 이동하게 허용하도록 캐리어가 홀딩되는 장소의 중앙을 제외한 위치에서 조정가능한 부분(208)이 종결되는 것이 바람직하다.
각각의 노즐(224) 및 단부 노즐(226)은 하나 또는 둘 이상의 세척제를 전달하도록 전달 아암(202)의 평면에 대해 일정한 각도로 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208) 상에 배치된다. 선택적으로, 전달 아암(202)은 패드 및 노즐(224)의 중앙 위로 연장하는 원하는 각도로 설정될 수 있거나 단부 노즐(226)이 패드의 중앙 부분으로 세척제를 전달하도록 전달 아암(202)의 말단부에 또는 전달 아암의 말단부 근처에 배치된다. 일 실시예에서, 세척제는 약 15 psi(pounds per square inch) 내지 약 100 psi, 바람직하게는 약 30 psi 내지 약 40 psi의 범위 내의 압력으로 전달된다. 또 다른 실시예에서, 호스를 이용할 때와 같이, 슬러리 작용제는 약 1 psi 내지 약 10 psi, 바람직하게는 약 3 psi 내지 약 4 psi의 범위 내의 압력으로 전달된다.
도 3a는 전달 아암(202)의 하부면(222) 상에 장착되는 단부 노즐(226) 및 복수의 노즐(224)을 가지는 전달 아암(202)을 도시한다. 복수의 노즐(224) 및 단부 노즐(26)은 기판 또는 패드로 세척제 및/또는 슬러리를 분산하기 위해 이용될 수 있다. 슬러리 전달 라인(213a 및 213b) 내의 슬러리 및 세척제 전달 라인(217a 및 217b) 내의 세척제는 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, DSDA 매니폴드 내에 포함된 전달 채널(306)을 이용함으로써 노즐(224) 및 단부 노즐(226)로 전달될 수 있다. 매니폴드(302 및 304)는 조정가능한 부분(208)에서 종결되는 길이를 따라 전달 채널(306)을 포함한다. 슬러리 전달 라인으로 연결된 솔레노이드(216 및 218)는 슬러리 작용제 및 세척제 모두 슬러리 전달 및 세정 목적을 위해 전달 채널(306)을 통해 유동하도록 하는 2-방 밸브를 포함할 수 있다. 차단 스터드(308)는 전달 채널(306)의 일 단부에 배치될 수 있다. 차단 스터드(308)는 상이한 길이를 가질 수 있고 캐리어 홀더의 크기에 따라 노즐을 차단하기 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 전달 채널(306)은 기계가공된 채널일 수도 있고 관통 배치되는 배관일 수 있고 샤프트들 및 아암들 각각에 고정될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 차단 스터드(308)는 폴리에테르에틸케톤(PEEK)을 포함할 수 있거나 폴리에테르에틸케톤으로 제조될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c 및 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 각각의 매니폴드(302 및 304)는 복수의 노즐(224) 및 단부 노즐(226)을 가진다. 매니폴드(302 및 304)는 전달 아암(202)의 하부면(222) 상에 배치되어 세척제 전달 라인으로 연결된다. 일 실시예에서, 일련의 노즐(224) 및 단부 노즐(226)은 아암의 길이를 따라 부착된다. 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 단부 노즐(226)은 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)으로부터 패드의 중앙 부분을 향하여 멀어지는 거리로 유체를 전달하도록 전달 아암(202)의 평면에 대해 일정한 각도, 예를 들면, 예각으로 배치된다. 각각의 단부 노즐(226)은 패드의 중앙 부분을 포함하여, 나머지 패드 영역을 덮도록 전달 아암(202)의 단부를 넘어 외측으로 유체를 전달하도록 위치되며, 또한 인접한 노즐로부터의 스프레이와 겹쳐진다. 따라서, 패드의 각각의 영역은 전달 아암(202)으로부터 나오는 스프레이에 노출된다. 소정의 예에서, 스프레이 패턴들이 겹쳐지고, 다른 예에서 각각의 스프레이 패턴은 인접한 패턴들과 겹쳐지지 않는다. 하나의 예에서, 전달 아암(202)은 두 개의 전달 채널(306)을 포함하고, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 6개 이상의 노즐(224) 및 하나의 단부 노즐(226)과 각각 결합되어 유체 소통된다.
또 다른 실시예에서, 전달 아암(202)은 전달 아암(202) 내에 장착되거나 배치되는 한 개, 두 개, 또는 세 개 이상의 가스 라인을 가질 수 있다. 가스 라인(219)은 밸브들(212, 216 및 218)과 같은, 솔레노이드를 제어하기 위해 압축 공기 또는 다른 가스를 유동시키도록 이용될 수 있다. 일 에에서, 가스 라인(219)은 Y-피팅(251a)으로 결합되어, 솔레노이드(212) 및 Y-피팅(251b)으로 연장한다. 가스 라인(219)는 또한 Y-피팅(251b)으로부터 솔레노이드(216 및 218)로 추가로 연장한다.
도 5a 내지 도 5b는 다른 실시예에 따른 노즐(502)의 단면도를 도시한다. 노즐(502)은 전달 아암(202)의 길이로 연장하는 평면에 대해 수직한 각도로 전달 아암(202) 상에 장착될 수 있다. 도 5a는 유체가 전달되는 배관을 경유하여 슬러리 전달 라인으로 연결된 노즐(502)을 도시하며, 유체는 노즐(502)의 팁(504)으로부터 분배된다. 일 실시예에서, 노즐(502)의 팁(504)은 미세한 팁형 노즐일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 노즐(502)의 팁(504)은 도 5a 내지 도 5b에 도시된 바와 같이 유체가 노즐(502)의 개구를 통하여 라인을 막는 것을 방지하도록 일정한 각도(α)를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에서, 전달 아암(202)의 수평면에 대한, 팁(504)의 각도(α)는 약 20°내지 약 75°, 바람직하게는 약 30°내지 약 60°, 그리고 더욱 바람직하게는 약 40°내지 약 50°, 예를 들면, 45°의 범위 내에 있을 수 있다. 노즐(502)은 듀퐁(DuPont)사로부터 테플론(등록상표)으로서 상업적으로 입수가능한 퍼플루오로알콕시(PFA), 플루오르네이티드 에틸렌 프로필렌(FEP), 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)를 포함할 수 있거나 이로 제조될 수 있다. 또 다른 예에서, 노즐(502)의 팁(504)은 구멍의 내부면이 매끄럽고 슬러리의 응집에 대한 거친 에지를 제공하지 않도록 수직방향으로 레이저에 의해 드릴링될 수 있다.
도 6a 내지 도 6b는 본 명세서 내의 수 개의 실시예에서 설명된 바와 같이, 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)과 고정 부분(204)으로 그리고 그 사이로 연결되는, 힌지 조립체(206)의 개략도를 도시한다. 도 6a는 일 실시예에 따라, 전달 아암(202)에서 이용된 바와 같이 힌지 조립체(206)를 포함하는 클러치 조립체(600)의 개략도를 도시한다. 도 6b는 또 다른 실시예에 따라, 클러치 조립체가 없는 힌지 조립체(206)를 도시한다.
힌지 조립체(206)는 플런저(230), 스토퍼(232) 및 힌지 핀(234)을 포함할 수 있으며, 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)으로 전달 아암(202)의 고정 부분(204)을 연결하도록 록킹 메카니즘을 이용한다. 힌지 조립체(206) 상의 록킹 메카니즘은 바이스-타입 클램프, C-클램프, 또는 스크류 클램프와 같은, 클램프(616)일 수 있다. 고정 부분(204)은 조정가능한 부분(208)으로 연결되는 고정 블록(604)이 조립될 수 있는 힌지 블록(602)을 포함한다. 힌지 블록(602) 및 고정 블록(604)은 힌지 핀(234)에 의해 서로 고정될 수 있다. 힌지 핀(234)은 전달 아암(202)의 조정가능한 부분(208)이 패드의 크기 및 위치에 따라 조정가능한 부분(208)의 위치 설정으로 회전 및 조정되도록 한다.
일 실시예에서, 각도 표시는 힌지 블록의 외측면 상에 새겨질 수 있다. 힌지 블록(602) 및 고정 블록(604)은 폴리프로필렌을 포함하거나 이로 제조될 수 있다. 힌지 핀(234)은 폴리에테르에틸케톤(PEEK)을 포함하거나 이로 제조될 수 있다. 원하는 위치에 도달하도록 전달 아암(202)의 길이를 길게 하도록, 스페이서 블록(606)은 힌지 블록(602)과 고정 부분(204) 사이에 위치될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 스페이서 블록(606)의 개수는 도 6a에 도시된 바와 같이, 원하는 위치로 도달하기 위해 요구되는 길이에 따라 조정될 수 있다. 또 다른 예에서, 스페이서 블록(606)은 폴리프로필렌을 포함하거나 이로 제조될 수 있다. 조정가능한 부분(208)의 위치 설정을 고정하도록, 폴런저(230)는 조정가능한 부분(208)의 위치 설정을 고정하는 동안 힌지 핀(230) 상으로 압력을 가하기 위해 이용될 수 있다. 플런저(230)는 커버형 박스(608) 내부에 배치될 수 있으며, 플런저(230)의 일 단부(610)는 힌지 블록(602)을 가압하고, 플런저(230)의 타 단부(612)는 박스 외부로 노출된다.
일 예에서, 플런저(230)는 스프링 로딩 플런저일 수 있다. 플런저(230)는 강, 스테인레스 강, 알루미늄, 이들의 합금, 또는 다른 금속을 포함하거나 이들로 제조될 수 있다. 위치 설정을 고정하도록, 조정가능한 부분(208)은 각도 표시에 의해 도시된 바와 같은 위치로 설정될 수 있고, 이어서 압력이 힌지 핀(234)을 향하여 플런저(230)의 단부를 회전시킴으로써 힌지 핀(234)으로 인가되어 힌지 핀(234)에 대해 플런저(230)의 단부(610)를 조인다. 위치 설정으로부터 과-회전을 방지하도록, 스토퍼(232)는 조정가능한 부분(208)의 회전을 중단시키도록 힌지 핀(234) 상에 위치된다. 힌지 조립체(206)는 바이스-타입 클램프, C-클램프, 또는 스크류 클램프와 같은 클램프(616) 또는 록킹 메카니즘을 가질 수 있다.
전달 아암(202), 고정 부분(204), 조정가능한 부분(208) 및/또는 이들의 부분들은 폴리싱 슬러리 및 용액에 대해 화학적으로 불활성인 폴리프로필렌과 같은 강성 재료를 포함하거나 이 재료로 제조될 수 있다. 매니폴드(302 및 304), 노즐(224), 및 단부 노즐(226), 뿐만 아니라 슬러리 전달 라인은 CMP 공정에서 이용되는 다양한 슬러리와 반응하지 않으며, 듀퐁사로부터 테플론(등록상표)으로서 상업적으로 입수가능한, 퍼플루오로알콕시(PFA), 플루오리네이티드 에텔렌 프로필렌(FEP), 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)과 같은 불소-함유 폴리머를 포함하는 배관을 포함하거나 이로부터 제조될 수 있다.
도 7은 미국 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 이용가능한, 미라(MIRRA)(등록상표) CMP 시스템을 대표하는 다중-패드 시스템(700)을 도시한다. 다중-패드 시스템(700)은 상부 조립체(710) 및 하부 조립체(712)를 가진다. 통상적으로, 기판은 폴리싱 패드 상에 기판을 위치시키고 패드 상의 기판을 구속하는 캐리어 헤드로 위치되거나 척킹된다. 폴리싱 패드(702)는 통상적으로 회전하여 기판이 또한 캐리어(704) 내에서 회전될 수 있다. 또한, 캐리어는 기판 표면의 균일한 폴리싱을 강화하도록 폴리싱 패드의 표면을 가로질러 방사상으로 이동할 수 있다.
기판이 캐리어 내에 위치하고 캐리어가 폴리싱 패드 위에 위치되면, 용액 또는 슬러리는 통상적으로 도 2 및 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 전달 아암(202)에 의해 폴리싱 패드로 전달된다. 슬러리는 수산화 나트륨과 같은, 화학적 반응제 및 마모 입자를 포함할 수 있거나, 세척 패드 상에 이용되는 경우 단지 탈이온수일 수 있다. 이어서 캐리어는 폴리싱 패드 위로 낮추어져 기판이 패드와 접촉하고 기판 표면이 이어서 미리 선택된 방법에 따라 폴리싱되도록 한다. 폴리싱 단계의 마지막을 향하여, 탈이온수와 같은 세척제는 폴리싱 패드 및 기판을 세척하도록 조정가능한 부분 상의 노즐(224) 및 단부 노즐(226)을 경유하여 패드로 전달될 수 있다. 일 예에서, 세척제는 약 5초 내지 약 20초의 범위 내의 기간 동안 폴리싱 패드로 전달될 수 있다. 기판이 폴리싱 패드(702) 로부터 상승되는 동안, 캐리어(704)는 다중 폴리싱 패드 시스템 내의 다음 처리 위치로 및/또는 처리를 위해 기판을 로딩하고 및/또는 기판을 언로딩하기 위한 위치로 이동한다. 주기적으로, 세척제는 또한 여전히 슬러리 전달 라인 내에 부착되어 있는 부스러기를 세척하도록 슬러리 전달 라인으로 전달될 수 있어 차제 세정 목적을 달성한다.
전술된 것은 본 발명의 실시에들에 관한 것이지만, 본 발명의 추가의 실시예들이 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 발명될 수 있으며, 본 발명의 범위는 아래의 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치로서,
    고정 샤프트를 중심으로 회전가능한 베이스로 회전가능하게 연결되며, 상기 베이스로부터 방사상 방향으로 연장하는, 전달 아암;
    상기 전달 아암에 결합되고 상기 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하는 하나 이상의 슬러리 전달 라인;
    상기 전달 아암에 결합되고 상기 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하는 하나 이상의 세척제(rinse agent) 전달 라인;
    상기 전달 아암 상에 배치되고 상기 전달 아암을 미리결정된 위치에 고정하기 위한 록킹 메카니즘을 포함하는 힌지; 및
    상기 전달 아암의 수평 평면으로부터 수직한 각도로 장착되고, 상기 하나 이상의 세척제 전달 라인으로 연결되고, 상기 전달 아암으로부터 하방으로 배치되는, 하나 이상의 노즐을 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐의 팁은 상기 전달 아암의 수평면에 대해 약 30°내지 약 60°의 범위 내의 각도를 가지는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 노즐은 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴루오리네이티드 에틸렌 프로필렌(FEP), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 및 이들의 유도체로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 불소-함유 폴리메릭 재료를 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 힌지는:
    상기 전달 아암의 미리결정된 위치를 고정하기 위한 플런저;
    상기 전달 아암의 과 회전을 방지하기 위한 스토퍼; 및
    상기 전달 아암의 조정가능한 부분의 고정 블록을 상기 전달 아암의 고정 부분의 힌지 블록으로 연결하는 힌지 핀을 더 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  5. 표면으로 유체를 전달하는 장치로서,
    일 단부에서 베이스 상에 지지된 유체 전달 아암의 고정 부분;
    상기 유체 전달 아암에 결합되고 상기 유체 전달 아암의 길이의 적어도 일 부분을 따라 배치되는 하나 이상의 세척제 전달 라인;
    상기 유체 전달 아암에 결합되고 상기 유체 전달 아암의 길이의 일 부분을 따라 적어도 부분적으로 배치되는 하나 이상의 슬러리 전달 라인; 및
    힌지에 의해 상기 고정 부분으로 연결되는 상기 유체 전달 아암의 조정가능한 부분을 포함하며,
    상기 힌지는:
    상기 조정가능한 부분으로 연결되는 고정 블록;
    상기 고정 부분으로 연결되는 힌지 블록; 및
    상기 고정 부분의 힌지 블록과 조정가능한 부분의 고정 블록 사이에 결합되는 힌지 핀을 더 포함하는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 전달 아암을 특별한 위치로 고정하기 위한 록킹 메카니즘을 포함하는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고정 부분은:
    상기 베이스에 부착되는 회전가능한 샤프트;
    상기 고정 부분의 길이를 연장하는 하나 이상의 스페이서 블록;
    하나 이상의 세척제 전달 라인과의 이용을 위한 하나 이상의 제 1 밸브; 및
    상기 하나 이상의 제 1 밸브를 덮은 제 1 커버를 더 포함하는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 조정가능한 부분은:
    상기 하나 이상의 슬러리 전달 라인으로 결합되는 하나 이상의 제 2 밸브;
    상기 고정 부분 내의 상기 하나 이상의 제 1 밸브로부터 상기 하나 이상의 세척제 전달 라인으로 결합되는 세척 포트;
    상기 하나 이상의 제 2 밸브로 결합되는 제 2 커버;
    상기 전달 아암의 하부면에 장착되는 하나 이상의 노즐; 및
    상기 하나 이상의 슬러리 작용제 전달 라인으로 결합되는 하나 이상의 전달 채널을 포함하는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제 1 밸브는 솔레노이드이고 상기 하나 이상의 제 2 밸브는 솔레노이드 또는 T-조인트 밸브인,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 커버는 각도진 상부면을 가지는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 슬러리 전달 라인은 상기 전달 라인의 일 단부에 배치되는 차단 스터드를 포함하는 전달 채널을 경유하여 하나 이상의 노즐에 연결되는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 차단 스터드는 폴리에테르에틸케톤을 포함하고, 상기 회전가능한 샤프트는 폴리프로필렌을 포함하고, 상기 고정 블록은 폴리프로필렌을 포함하고, 상기 힌지 블록은 폴리에테르에틸케톤을 포함하고, 상기 하나 이상의 스페이서 블록은 폴리프로필렌을 포함하는,
    표면으로 유체를 전달하는 장치.
  13. 기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치로서,
    베이스에 회전가능하게 연결되고 상기 베이스로부터 방사상 방향으로 연장하는, 전달 아암;
    상기 전달 아암의 하부면으로 연결되고 제 1의 복수의 슬러리 노즐을 포함하는, 제 1 유체 매니폴드;
    상기 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하고 상기 제 1 유체 매니폴드와 유체 소통되는, 제 1 슬러리 전달 라인;
    상기 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하는 하나 이상의 세척제 전달 라인;
    상기 전달 아암의 하부면으로부터 연장하고 상기 세척제 전달 라인과 유체 소통되는 복수의 세척 노즐; 및
    상기 제 1 유체 매니폴드, 상기 제 1 슬러리 전달 라인, 및 상기 세척제 전달 라인에 결합되어 유체 소통되는, 제 1의 2-방 밸브를 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전달 아암의 하부면으로 연결되고 제 2의 복수의 슬러리 노즐을 포함하는, 제 2 유체 매니폴드;
    상기 전달 아암의 길이를 따라 적어도 부분적으로 연장하고 상기 제 2 유체 매니폴드와 유체 소통되는, 제 2 슬러리 전달 라인; 및
    상기 제 2 유체 매니폴드, 상기 제 2 슬러리 전달 라인, 및 상기 세척제 전달 라인에 결합되어 유체 소통되는, 제 2의 2-방 밸브를 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 세척 노즐은 상기 전달 아암의 하부면 상에 배치되고 상기 제 1 유체 매니폴드에 평행하고 상기 제 1 유체 매니폴드와 상기 제 2 유체 매니폴드 사이에 배치되는 고압 세척 노즐을 포함하는,
    기판 또는 패드의 표면으로 유체를 전달하기 위한 장치.
KR1020117012450A 2008-10-31 2009-10-27 자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암 KR101615648B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11043408P 2008-10-31 2008-10-31
US61/110,434 2008-10-31
US12/604,444 US8523639B2 (en) 2008-10-31 2009-10-23 Self cleaning and adjustable slurry delivery arm
US12/604,444 2009-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110092287A true KR20110092287A (ko) 2011-08-17
KR101615648B1 KR101615648B1 (ko) 2016-04-26

Family

ID=42129530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117012450A KR101615648B1 (ko) 2008-10-31 2009-10-27 자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8523639B2 (ko)
KR (1) KR101615648B1 (ko)
CN (1) CN102203918B (ko)
TW (1) TWI466757B (ko)
WO (1) WO2010051284A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101681679B1 (ko) * 2016-03-31 2016-12-01 에이프로테크주식회사 웨이퍼 연마 장치용 슬러리 공급 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103692359B (zh) * 2012-09-27 2018-03-02 盛美半导体设备(上海)有限公司 研磨液手臂
KR102152964B1 (ko) * 2013-01-11 2020-09-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 폴리싱 장치 및 방법
CN103286693A (zh) * 2013-05-31 2013-09-11 上海集成电路研发中心有限公司 研磨液分配臂
US10293462B2 (en) * 2013-07-23 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad conditioner and method of reconditioning planarization pad
US9776216B2 (en) * 2013-11-27 2017-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dispensing apparatus and dispensing method
TWI549779B (zh) * 2014-01-02 2016-09-21 A slurry transfer device for chemical mechanical grinding
US10335920B2 (en) 2014-02-12 2019-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple nozzle slurry dispense scheme
KR101621482B1 (ko) 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN104827404A (zh) * 2015-04-29 2015-08-12 上海华力微电子有限公司 一种化学机械研磨设备
KR102355116B1 (ko) * 2017-04-03 2022-01-26 주식회사 케이씨텍 슬러리 노즐 및 이를 구비하는 기판 연마 장치
US11251047B2 (en) * 2017-11-13 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Clog detection in a multi-port fluid delivery system
CN108145610A (zh) * 2017-12-28 2018-06-12 上海华力微电子有限公司 研磨液分配臂及其化学机械研磨方法
US10593603B2 (en) 2018-03-16 2020-03-17 Sandisk Technologies Llc Chemical mechanical polishing apparatus containing hydraulic multi-chamber bladder and method of using thereof
US11298798B2 (en) * 2020-02-14 2022-04-12 Nanya Technology Corporation Polishing delivery apparatus
KR20210113041A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치, 처리 시스템 및 연마 방법
US20210402565A1 (en) * 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Cleaning system for polishing liquid delivery arm
WO2022006160A1 (en) * 2020-06-30 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cmp temperature control
CN112720247B (zh) * 2020-12-30 2022-04-19 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种化学机械平坦化设备及其应用
CN113798998A (zh) * 2021-08-04 2021-12-17 山西光兴光电科技有限公司 研磨工作台用的清洁装置以及研磨系统
CN114536224A (zh) * 2022-04-11 2022-05-27 北京烁科精微电子装备有限公司 一种研磨液输出臂及稳定研磨速率的方法
WO2024049719A2 (en) * 2022-08-29 2024-03-07 Rajeev Bajaj Advanced fluid delivery

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US687135A (en) * 1901-04-01 1901-11-19 George S Dolloff Collar-buttoning device.
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5578529A (en) * 1995-06-02 1996-11-26 Motorola Inc. Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US6139406A (en) * 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US6156124A (en) * 1999-06-18 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Wafer transfer station for a chemical mechanical polisher
US6283840B1 (en) * 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6669538B2 (en) * 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
US7104869B2 (en) * 2001-07-13 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Barrier removal at low polish pressure
KR20040017846A (ko) * 2001-08-02 2004-02-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다중포트 폴리싱 유체 전달 시스템
US6482290B1 (en) * 2001-08-10 2002-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Sweeping slurry dispenser for chemical mechanical polishing
TW534851B (en) * 2001-11-06 2003-06-01 Taiwan Semiconductor Mfg Slurry arm
US6506098B1 (en) * 2002-05-20 2003-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
US7052374B1 (en) * 2005-03-01 2006-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
JP2007109736A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US8414357B2 (en) * 2008-08-22 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
US20100096360A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Compositions and methods for barrier layer polishing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101681679B1 (ko) * 2016-03-31 2016-12-01 에이프로테크주식회사 웨이퍼 연마 장치용 슬러리 공급 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20100112917A1 (en) 2010-05-06
TW201016388A (en) 2010-05-01
WO2010051284A2 (en) 2010-05-06
CN102203918B (zh) 2014-06-04
US8523639B2 (en) 2013-09-03
KR101615648B1 (ko) 2016-04-26
CN102203918A (zh) 2011-09-28
WO2010051284A3 (en) 2010-07-29
TWI466757B (zh) 2015-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110092287A (ko) 자체 세정 및 조정가능한 슬러리 전달 아암
EP0887153B1 (en) Combined slurry dispenser and rinse arm
KR102228786B1 (ko) 기판 처리 장치
US7452264B2 (en) Pad cleaning method
TWI691367B (zh) 用於研磨墊清洗的方法及系統
JP2002198329A5 (ko)
JP2008078673A (ja) 研磨装置および研磨方法
KR20070001955A (ko) 화학적 연마를 위한 다단계 패드 처리 시스템 및 방법
US6220941B1 (en) Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) Method of post CMP defect stability improvement
KR102229920B1 (ko) 화학 기계적 평탄화 후의 기판 버프 사전 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치
US7025663B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device
US5928062A (en) Vertical polishing device and method
JP2004514300A (ja) 半導体ウェハの研磨に用いられる研磨布を洗浄するための洗浄装置
US7052376B1 (en) Wafer carrier gap washer
JP2002079461A (ja) ポリッシング装置
US20030143933A1 (en) Apparatus for polishing a wafer
JP6578040B2 (ja) 基板処理装置
WO2006032622A1 (en) Multi-station rotary machine for polishing wafers of semiconductor electronic components
KR20070003216A (ko) 웨이퍼 세정장치
KR100655284B1 (ko) 화학적 기계적 연마 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는로드컵
KR20230136785A (ko) 자가 세척 기능을 가지는 연마 후 세정용 버핑 장치
KR100588242B1 (ko) 평탄화 장치의 컨디셔너
JP6412385B2 (ja) コンディショニング部、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、ドレスリンス方法
KR20030030630A (ko) 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant