KR20110067930A - 광 도파로 - Google Patents

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KR20110067930A KR1020090124721A KR20090124721A KR20110067930A KR 20110067930 A KR20110067930 A KR 20110067930A KR 1020090124721 A KR1020090124721 A KR 1020090124721A KR 20090124721 A KR20090124721 A KR 20090124721A KR 20110067930 A KR20110067930 A KR 20110067930A
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Abstract

광 도파로가 제공된다. 광 도파로는 광 신호가 진행하는 제1 방향으로 연장하는 금속띠, 금속띠을 감싸는 내부 클래딩층, 내부 클래딩층을 감싸는 코어층 및 코어층을 감싸는 외부 클래딩층을 포함하되, 코어층의 굴절율은 내부 및 외부 클래딩층의 굴절율보다 크다
광 도파로, 굴절율, 코어, 클래딩

Description

광 도파로{Optical waveguide}
본 발명은 광 도파로에 관한 것이다. 본 발명은 지식 경제부의 IT 원천 기술 개발 사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다. [과제 관리 번호: 2006-S-073-02, 과제명: 플렉시블 광전 배선 모듈용 나노 소재]
반도체 산업이 발전함에 따라, 논리 소자 및 기억 소자등의 반도체 집적회로들은 점점 고속화 및 고집적화되고 있다. 반도체 집적회로의 고속화 및 고집적화에 따라, 반도체 집적회로들 사이의 통신 속도는 반도체 집적회로를 포함하는 전자기기의 성능과 직결된다. 통상적으로, 반도체 집적회로들은 데이터를 전기적으로 송수신하는 전기적 통신에 의하여 데이터를 주고 받고 있다. 예컨대, 반도체 집적회로들은 인쇄회로기판에 장착되고 인쇄회로기판에 내재된 배선들을 통하여 서로 전기적 통신을 수행할 수 있다.
소자의 집적화 및 고속화에 따라, 반도체 칩들 사이에 통신 속도를 높이는 방안으로 광 신호를 이용하는 방안이 연구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 고효율을 갖는 광 도파로를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 도파 손실이 최소화된 광 도파로를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 광 도파로를 제공한다. 상기 광 도파로는 광 신호가 진행하는 제1 방향으로 연장하는 금속띠, 상기 금속띠을 감싸는 내부 클래딩층, 상기 내부 클래딩층을 감싸는 코어층 및 상기 코어층을 감싸는 외부 클래딩층을 포함한다.
상기 광 신호에 의해 여기되는 전기장의 세기는 상기 코어층에서 최대값을 가질 수 있다.
상기 금속띠는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 금속띠의 두께는 1~100nm 이고, 폭은 0.5~50μm 일 수 있다.
상기 내부 클래딩층, 상기 코어층 및 상기 외부 클래딩층은 유연성을 갖는 고분자 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 금속띠을 둘러싸는 내부 클래딩층의 굴절율 이 내부 클래딩층을 감싸는 코어층의 굴절율보다 작아 금속띠에 의한 도파 손실이 최소화되어, 고효율에 최적화된 광 도파로가 제공될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로가 설명된다. 도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1a 을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로(100)는 각각 광 신호가 진행하는 방향으로 연장되는 금속띠(110), 내부 클래딩층(120), 코어층(130) 및 외부 클래딩층(140)을 포함할 수 있다. 상기 광 신호가 진행하는 방향은 x 방향일 수 있다.
상기 금속띠(110)는 일정한 두께(tm) 및 폭(w)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 금속띠(110)의 두께(tm)은 1~100nm 이고, 폭(w)은 0.5~50μm 일 수 있다. 상기 금속띠(110)는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속띠(110)는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 내부 클래딩층(120)은 상기 금속띠(110)를 감쌀 수 있다. 상기 금속띠(110)는 상기 내부 클래딩층(120)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)은 일정한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내부 클래딩층(120)의 두께는 2.0μm 일 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)은 일정한 굴절율을 가질 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)의 굴절율은 상기 코어층(130)의 굴절율에 비해 낮을 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)은 유연성을 갖는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)은 일정한 두께(tc)를 가질 수 있다.
상기 코어층(130)은 상기 내부 클래딩층(120)의 하부면을 덮는 제1 코어층(132) 및 상기 내부 클래딩층(120) 상부면을 덮는 제2 코어층(134)을 포함할 수 있다. 상기 제1 코어층(132)은 상기 내부 클래딩층(120)의 상기 하부면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 코어층(134)은 상기 내부 클래딩층(120)의 상기 상부면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 코어층(130)은 상기 내부 클래딩층(120)에 의해 상기 금속띠(110)로부터 이격될 수 있다. 상기 제1 코어층(132) 및 상기 제2 코어층(134)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 코어층(130)은 유연성을 갖는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 코어층(132)은 일정한 굴절율을 가질 수 있다. 상기 코어층(130)의 굴절율은 상기 내부 클래딩층(120)의 굴절율보다 클 수 있다.
상기 외부 클래딩층(140)은 상기 제1 코어층(132)의 하부면을 덮는 제1 외부 클래딩층(142) 및 상기 제2 코어층(134)의 상부면을 덮는 제2 외부 클래딩층(144)을 포함할 수 있다. 상기 제1 외부 클래딩층(142)은 상기 제1 코어층(132)의 상기 하부면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제2 외부 클래딩층(144)은 상기 제2 코어층(134)의 상기 상부면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제1 외부 클래딩층(142)은 상기 제1 코어층(132)에 의해 상기 내부 클래딩층(120)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제2 외부 클래딩층(144)은 상기 제2 코어층(134)에 의해 상기 내부 클래딩층(120)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제1 외부 클래딩층(142) 및 상기 제2 외부 클래딩층(144)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 외부 클래딩층(140)은 상기 내부 클래딩층(120)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 외부 클래딩층(140)은 일정한 굴절율을 가질 수 있다. 상기 외부 클래딩층(140)의 굴절율은 상기 코어층(130)의 굴절율보다 작을 수 있다.
상기 광 도파로(100)의 일단에 광 신호가 입력될 수 있다. 상기 광 신호는 상기 광 도파로(100)를 TM(transverse magnetic) 모드로 진행할 수 있다. 상기 광 신호는 상기 금속띠(110)와 상기 내부 클래딩층(120)의 경계면에서 진행할 수 있다. 상기 광 신호는 상기 금속띠(110)내의 자유 전자의 분극과 이들 분극의 상호적인 커플링(표면 플라즈몬 폴라리톤, surface plasma polariton) 을 통해 전달될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 금속띠(110)를 둘러싸는 상기 내부 클래딩층(120)의 굴절율이 상기 코어층(130)의 굴절율보다 작을 수 있다. 이로 인해, 상기 금속띠(110)와 상기 내부 클래딩층(120)의 경계면에서 여기되는 표면 플라즈몬 플로리톤의 필드의 세기는 상기 금속띠(110)와 상기 내부 클래딩층(120)의 경계면에서 감소하는 반면 상기 코어층(130)에 집중될 수 있다. 따라서, 상기 금속띠(110)에 의한 저항 손실(ohmic loss)이 감소할 수 있어, 도파 손실이 감소되어 고효율에 최적화된 광 도파로가 제공될 수 있다.
상기 금속띠(110)가 생략된 경우, 상기 광 신호에 의해 여기 되는 광 도파 모드는 제1 코어층(132)과 제2 코어층(134)에 광 파워가 집중되는 이중 슬립모드를 형성할 수 있다. 상기 이중 슬립모드는 코어층(130)의 굴절률이 내부 클래딩층(120) 및 외부 클래딩층(140)의 굴절률 보다 높기 때문에 z 방향으로의 모드 구속(confine)은 가능하지만, 상기 y 방향으로는 굴절률 차이가 없어 상기 y 방향으로의 모드 구속(confine)은 되지 않는다. 따라서, 광 통신을 위한 광 도파 모드가 형성될 수 없다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 이중 슬립모드의 상기 y 방향 모드 구속이 가능해진다. 이는 상기 내부 클래딩층(120)에 삽입된 상기 금속띠(110)에 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤 스트립 모드(long-range surface plasma polariton strip mode)가 형성되기 때문이다. 상기 z 방향 및 상기 y 방향의 모드 구속은 상기 금속띠(110)의 두께(tm)가 두껍고, 폭(w)이 넓을수록 강화될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속띠(110)의 상기 두께(tm)는 1~100nm, 상기 폭(w)은 0.5~50μm일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 변형 예가 설명된다. 도 1b 는 본 발명의 실시 예 에 따른 변형 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1b 를 참조하면, 본 발명의 실시 예에의 변형 예에 따른 광 도파로(101)는 광 신호의 진행 방향으로 각각 연장되는 금속띠(110), 내부 클래딩층(120), 코어층(130) 및 외부 클래딩층(140)을 포함할 수 있다. 상기 금속띠(110), 상기 내부 클래딩층(120), 상기 코어층(130) 및 상기 외부 클래딩층(140)은 도 1a 를 참조하여 설명된 금속띠(110), 내부 클래딩층(120), 코어층(130) 및 외부 클래딩층(140)과 각각 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 광 신호가 진행하는 방향과 교차하는 방향에 따른 상기 광 도파로(101), 상기 금속띠(110), 상기 내부 클래딩층(120), 상기 코어층(130) 및 상기 외부 클래딩층(140) 각각의 단면들은 원형일 수 있다.
상기 내부 클래딩층(120)은 상기 금속띠(110)를 감쌀 수 있다. 상기 코어층(130)은 상기 내부 클래딩층(120)을 감쌀 수 있다. 상기 금속띠(110)는 상기 내부 클래딩층(120)을 사이에 두고 상기 코어층(130)으로부터 이격될 수 있다. 상기 외부 클래딩층(140)은 상기 코어층(130)을 감쌀 수 있다. 상기 내부 클래딩층(120)은 상기 코어층(130)을 사이에 두고 상기 외부 클래딩층(140)과 이격될 수 있다.
본 발명의 실시 예의 변형 예에 따르면, 상기 금속띠(110)를 둘러싸는 상기 내부 클래딩층(120)의 굴절율이 상기 코어층(130)의 굴절율보다 작을 수 있다. 이로 인해, 상기 금속띠(110)와 상기 내부 클래딩층(120)의 경계면에서 여기되는 표면 플라즈몬 플로리톤의 필드의 세기는 상기 코어층(130)에 집중될 수 있어, 도파 손실이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 플라즈몬 폴라리톤의 여기 모드가 설명된다. 도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 플라즈몬 폴라리톤의 여기 모드의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 2 를 참조하면, 도 1a 를 참조하여 설명된 광 도파로(100)에 플라즈몬 폴라리톤이 여기될 수 있다. 상기 광 도파로(100)의 내부 클래딩층(120)에는 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤 스트립 모드가 여기되고, 코어층(130)에는 슬랩모드가 여기될 수 있다. 따라서, 광 도파로(100)에는 상기 장거리 표면 플라즈몬 폴라리콘 스트립 모드와 슬랩 모드가 서로 결합된 하이브리드 모드가 형성될 수 있다. 또한, 도 2 에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로에 여기된 장거리 표면 플라즈몬 폴라리톤 스트립 모드의 필드의 세기는 코어층(130)에 집중될 수 있어 도파 소실이 감소될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로(100)에 여기되는 플라즈몬 폴라리톤의 전기장의 세기가 설명된다. 도 3 은 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로에 여기되는 플라즈몬 폴라리톤의 전기장의 세기를 설명하기 위한 그래프이다.
도 1a 및 도 3 을 참조하면, x 축은 전기장의 세기(V/m)를 나타내고, y 축은 금속띠(110)로부터의 거리를 나타낸다. a) 는 내부 클래딩층(120)이 없는 경우이고, b) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 0.4μm 인 경우이고, c) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 1.0μm 인 경우이고, d) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 2.0μm 인 경우이다.
상기 내부 클래딩층(120)이 존재하지 않는 a)의 경우, 상기 금속띠(110)와 코어층(130)의 경계면에서 전기장의 세기가 최대값을 갖는다. 따라서, 상기 금속띠(110)의 저항으로 인해 도파 손실이 크다. b), c) 및 d)를 참조하면, 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)를 점점 증가할수록 상기 코어층(130)에서 전기장의 세기가 증가한다. 특히, 상기 내부 클래딩층(tc)의 두께가 2.0μm 가 되는 경우, 전기장의 세기는 상기 금속띠(110)의 표면에서보다 상기 코어층(130)에서 최대가 된다. 따라서, 상기 금속띠(110)의 저항에 따른 도파 손실이 최소화될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로(100)의 도파 손실의 시뮬레이션 결과가 설명된다. 도 4 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 도파 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 1a 및 도 4 를 참조하면, x 축은 금속띠(110)의 폭(w, 단위: μm)을 나타내고, y 축은 도파 손실(dB/cm)을 나타낸다. 상기 금속띠(110)의 두께(tm)은 15nm 로 가정하였다. a) 는 내부 클래딩층(120)이 없이 상기 금속띠(110)가 코어층(130)으로 둘러싸여진 경우이고, b) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 0.2μm 인 경우이고, c) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 0.4μm 인 경우이고, d) 는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 1.0μm 인 경우이고, e)는 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 2.0μm 인 경우이다. 도 4 에서 알 수 있듯이, 상기 내부 클래딩층(120)의 두께(tc)가 증가할 수록, 그리고, 상기 금속띠(110)의 폭(w)이 감소할수록 도파 손실이 감소한다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로(100)의 도파 손실이 설명된다. 도 5 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 도파 손실을 나타내는 그래프이다.
도 1a 및 도 5 를 참조하면, x 축은 금속띠(110)의 폭(w, 단위: μm)을 나타내고, y 축은 도파 손실(dB/cm)을 나타낸다. 상기 금속띠(110)의 두께(tm)은 15nm 로 제작되었다. a)는 상기 금속띠(110)가 외부 클래딩층(140)만으로 둘러싸여진 경우이고, b)는 상기 금속띠(110)가 코어층(130) 및 외부 클래딩층(140)으로 둘러싸여진 경우이고, c)는 상기 금속띠(110)가 도 1a 에서 도시된 바와 같이 내부 클래딩층(120), 코어층(130) 및 외부 클래딩층(140)으로 둘러싸여진 경우이다. 도 5 에서 알 수 있듯이, 상기 금속띠(110)의 폭(w)이 증가할수록 도파손실이 증가함을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예와 같이, 상기 금속띠(110)가 상기 내부 클래딩층(120), 상기 코어층(130) 및 상기 외부 클래딩층(140)으로 둘러싸여진 멀티 레이어의 구조에서 도파 손실이 최소가 됨을 알 수 있다.
도 1a 및 도 1b 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 플라즈몬 폴라리톤의 여기 모드의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로에 여기되는 플라즈몬 폴라리톤의 전기장의 세기를 설명하기 위한 그래프이다.
도 4 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 도파 손실을 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5 는 본 발명의 실시 예에 따른 광 도파로의 도파 손실을 나타내는 그래프이다.

Claims (5)

  1. 광 신호가 진행하는 제1 방향으로 연장하는 금속띠;
    상기 금속띠을 감싸는 내부 클래딩층;
    상기 내부 클래딩층을 감싸고 상기 내부 클래딩층 보다 높은 굴절율을 갖는 코어층; 및
    상기 코어층을 감싸고, 상기 코어층보다 낮은 굴절율을 갖는 외부 클래딩층을 포함하는 광 도파로.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 광 신호에 의해 여기되는 전기장의 세기는 상기 코어층에서 최대값을 갖는 광 도파로.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속띠는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 광 도파로.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 금속띠의 두께는 1~100nm 이고, 폭은 0.5~50μm 인 광 도파로.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 내부 클래딩층, 상기 코어층 및 상기 외부 클래딩층은 유연성을 갖는 고분자 물질을 포함하는 광 도파로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210341673A1 (en) * 2018-08-30 2021-11-04 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Photonic Waveguide
US11921322B2 (en) * 2018-08-30 2024-03-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Photonic waveguide

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