KR20110061506A - 기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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고이치 오쿠야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 기판에 손상을 일으키는 일없이, 에칭 얼룩의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다. 탑재대(5A)는, 예를 들어 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성된 기재(7)와, 기재(7)상에 마련된 절연막(8)을 구비하고 있다. 절연막(8)의 상면은 FPD용 유리 기판(S)을 탑재하는 기판 탑재면(50)으로 되어 있다. 기판 탑재면(50)은, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 거친 표면을 갖는 조면화부(51)와, 이 조면화부(51)의 주위를 둘러싸는 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 갖고 있다.

Description

기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE MOUNTING TABLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판을 탑재하는 기판 탑재대, 그 제조 방법, 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이(flat-panel display; FPD)의 제조 공정에서는, 피처리체인 기판에 대하여 플라즈마 에칭 처리를 실시하는 것이 행해진다. 플라즈마 에칭 처리는, 예를 들어 한쌍의 평행 평판 전극(상부 및 하부 전극)을 배치한 처리 용기내에서, 하부 전극으로서 기능하는 탑재대에 기판을 탑재하고, 전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 인가하여 전극간에 고주파 전계를 형성한다. 이 고주파 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 형성하고, 이 플라즈마에 의해 기판상의 재료막을 에칭 처리한다. 플라즈마 에칭 처리를 반복 실행하면, 에칭 생성물이 생성되고, 이것이 탑재대 표면에 부착되어 축적된다. 탑재대의 표면이 평활한 면인 경우, 기판의 이면과 탑재대 사이에 부착물이 개재되는 영역이 생기고, 부착물이 존재하지 않는 영역과의 사이에서 열전도성이나 도전성에 차이가 생긴다. 그 결과, 기판의 면내에서 에칭 레이트가 높은 부분과 낮은 부분이 형성되어 에칭 얼룩이 생긴다. 또한, 부착물에 의해 기판이 탑재대에 접착해버리는 일도 있다.
에칭 얼룩을 방지하기 위해서, 표면에 엠보싱 형상을 마련한 탑재대도 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에서는, 탑재대의 표면에, 정상면이 조면화(粗面化)된 복수의 볼록부를 마련하여 기판과 탑재대 표면의 간격을 유지하는 것에 의해, 탑재대 표면에 부착물이 생겨도 에칭 얼룩의 발생을 방지하고 있다. 또한, 특허문헌 1에서는, 탑재대의 주위에 평활한 대부(臺部)를 형성하고, 탑재대에 정전 흡착 전극으로서의 기능을 갖게 할 경우에 전열 매체에 의한 열전도 효율을 향상시키는 것도 제안되고 있다.
또, 특허문헌 2에서는, 탑재대에의 기판의 점착 방지, 파티클 억제 및 프로세스 안정성을 높이는 관점에서, 플라즈마 CVD용의 탑재대의 표면을 쇼트 블라스트(shot blast) 처리하여 요철부를 형성하고, 표면 거칠기(Ra)를 1㎛ 이상 8㎛ 이하로 한 후, 화학적, 전기 화학적 및/또는 기계적으로 더 연마하여 볼록부의 급격한 돌기를 제거하는 것이 제안되고 있다.
일본 공개 특허 제 2006-351949 호 공보 일본 공개 특허 제 1998-340896 호 공보
표면에 엠보싱 형상의 볼록부를 마련한 탑재대에서는, 기판과의 접촉이 점접촉이 되기 때문에, 접촉 부위에 응력이 집중하여, 기판을 손상시켜버린다는 문제가 있다. 한편, 탑재대의 전면을 조면(粗面)으로 하여 버리면, 탑재대를 정전 흡착 전극으로서 기능시킬 경우에, 기판의 이면측에의 전열 매체의 공급이 불안정해져서 열전도 효율의 제어가 곤란해져서, 역시 에칭 얼룩이 발생할 우려가 있다.
본 발명은, 상기 실정에 비추어 이루어진 것으로서, 기판에 손상을 일으키는 일없이, 에칭 얼룩의 발생을 효과적으로 방지하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 기판 탑재대는, 기재와, 상기 기재를 덮는 절연막을 구비하고, 상기 절연막에 의해 기판을 탑재하는 기판 탑재면이 형성되어 있는 동시에 상기 기판 탑재면에, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부와, 상기 조면화부의 주위에 마련된 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부를 갖는다.
또, 본 발명의 기판 탑재대는 상기 조면화부에 의해 기판의 중앙 부분을 지지하고, 상기 평활부에 의해 기판의 주연 부분을 지지하는 것이다. 또한, 본 발명의 기판 탑재대는, 적어도 상기 조면화부가 상기 기판의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 기판 탑재대는, 상기 절연막이 용사에 의해 형성된 제 1 용사막과, 상기 제 1 용사막의 적어도 일 부분을 덮도록 용사에 의해 형성된 제 2 용사막을 갖고, 상기 조면화부는 상기 제 1 용사막상에 상기 제 2 용사막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 평활부의 표면은 상기 제 1 용사막에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 용사막이 상기 기판의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제 1 용사막과 상기 제 2 용사막의 재질이 상이하여도 좋고, 상기 제 2 용사막이 상기 제 1 용사막의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있어도 좋다.
또, 본 발명의 기판 탑재대는 상기 절연막중에 매설된 도전층을 갖고, 정전 흡착 기능을 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 장치는 상기 어느 하나의 기판 탑재대를 구비한 것이다.
본 발명의 기판 탑재대의 제조 방법은, 기판에 처리를 실시할 때에, 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법으로서, 기재를 덮는 절연막의 표면을 연마하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활면을 형성하는 연마 공정과, 연마후의 상기 절연막의 표면에 대하여, 기판 탑재면의 주연부가 되는 영역에 평활면이 남도록, 상기 기판 탑재면의 중앙 부분이 되는 영역에 블라스트 처리를 실시하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부를 형성하는 조면화 공정을 포함하는 것이다.
또, 본 발명의 다른 측면에 있어서의 기판 탑재대의 제조 방법은, 기판에 처리를 실시할 때에 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법으로서, 기재를 덮는 절연막의 표면을 연마하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활면을 형성하는 연마 공정과, 연마후의 상기 절연막의 표면에 대하여, 기판 탑재면의 주연부가 되는 영역에 평활면이 남도록, 상기 기판 탑재면의 중앙 부분이 되는 영역에 블라스트 처리를 실시하여 막을 감소시키는 공정과, 막을 감소시킨 상기 중앙 부분이 되는 영역에 대하여, 용사에 의해 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 용사막을 형성하는 공정을 포함하는 것이다.
본 발명의 기판 탑재대의 제조 방법은 상기 절연막이 용사에 의해 형성된 용사막인 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 탑재대는, 기판 탑재면에, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부와, 조면화부의 주위에 마련된 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부를 갖는 구성으로 했다. 조면화부에서는, 미세한 요철에 의한 다점에서의 지지가 가능하므로, 응력이 분산되어서, 기판의 이면을 손상시킬 우려가 적다. 또한, 미세한 요철을 갖는 조면화부는, 부착물이 생겨도 평탄화되기 어렵기 때문에, 부착물에 의한 기판 탑재대로부터 기판에의 열전도 효율과 도전 효율의 변동을 억제할 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 에칭 얼룩 등의 처리의 불균일을 개선할 수 있다. 또한, 평활부에서는, 기판을 밀착시켜서 지지하는 것이 가능하기 때문에, 기판의 이면측에 용이하게 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능하여, 예를 들어 이 공간에 전열 매체를 도입하여 온도 조절을 실행할 경우에 전열 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탑재대의 평면도,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 화살표에서 본 단면도,
도 3은 도 2의 탑재대의 표면 부근의 구조를 확대하여 도시하는 주요부 단면도,
도 4는 제 1 실시형태에 따른 탑재대의 제조 공정을 설명하는 도면,
도 5는 도 4에 이어지는 공정을 설명하는 도면,
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탑재대의 단면도,
도 7은 도 6의 탑재대의 표면 부근의 구조를 확대하여 도시하는 주요부 단면도,
도 8은 제 2 실시형태에 따른 탑재대의 제조 공정을 설명하는 도면,
도 9는 도 8에 이어지는 공정을 설명하는 도면,
도 10은 조면화후의 절연막의 상태를 도시하는 도면,
도 11은 조면화후의 탑재대의 표면 부근의 구조를 확대하여 도시하는 주요부 단면도,
도 12는 도 10에 이어지는 공정을 설명하는 도면,
도 13은 본 발명의 기판 탑재대를 적용한 플라즈마 에칭 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도,
도 14는 본 발명의 기판 탑재대를 적용한 플라즈마 에칭 장치의 다른 일례를 도시하는 개략 단면도.
[제 1 실시형태]
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 탑재대로서의 탑재대(5A)의 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 화살표에서 본 단면도이다. 또한, 도 3은 도 2의 점선으로 둘러싸인 부분의 탑재대(5A)의 표면 부근의 구조를 확대하여 도시하는 주요부 단면도이다.
탑재대(5A)는 기재(7)와, 기재(7)상에 마련된 절연막(8)을 구비하고 있다. 기재(7)는 예를 들어 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 절연막(8)의 상면은, 예를 들어 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 기재함)(S)을 탑재하는 기판 탑재면(50)으로 되어 있다. 기판 탑재면(50)은 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 거친 표면을 갖는 조면화부(51)와, 이 조면화부(51)의 주위를 둘러싸는 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 갖고 있다.
탑재대(5A)의 상면의 절연막(8)의 조면화부(51)는 도 3에 도시하는 바와 같이 미세한 요철을 갖고 있다. 조면화부(51)에서는, 그 볼록부에 있어서 기판(S)과 다점에서 접촉하여 기판(S)을 지지하는 것이 가능해진다. 그 결과, 기판(S)의 이면에 손상을 일으키는 것이 방지된다. 또한, 에칭에 의한 반응 생성물이나 파티클 등이 조면화부(51)에 부착되어도, 미세한 요철이 존재하기 때문에 평탄면으로 되기 어려워서, 에칭 얼룩을 억제할 수 있다. 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)는 2㎛ 이상 6㎛ 이하이고, 2.5㎛ 이상 4.5㎛ 이하가 바람직하다. 탑재대(5A)에 있어서 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활면이면, 에칭 프로세스를 반복하는 것에 의해 절연막(8)의 표면에 에칭 생성물이 부착되어서 퇴적해버린다. 이 퇴적물에 의해, 탑재대(5A)로부터 기판(S)에의 열 전달이 기판(S)의 면내에서 불균일해져서, 에칭 얼룩이 생길 우려가 있다. 또한, 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)를 6㎛ 초과로 하는 것은 가공상 곤란한 동시에, 표면 거칠기(Ra)를 지나치게 크게 하면, 기판과의 접점이 적어져서 손상이 발생하기 쉬워지거나, 절연막(8)의 충분한 내압 성능을 확보할 수 없게 되는 경우가 있다.
또, 평활부(53)의 표면(53a)의 표면 거칠기(Ra)는 2㎛ 미만이고, 0.4㎛ 이상 1.5㎛ 이하가 바람직하다. 평활부(53)의 표면(53a)의 표면 거칠기(Ra)를 2㎛ 미만으로 하는 것에 의해, 기판(S)을 탑재대(5A)에 탑재했을 경우에 기판(S)의 주연부의 이면을 평활부(53)의 표면(53a)에 밀착시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판(S)과 절연막(8)의 조면화부(51) 사이에 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능해서, 특히 전열 가스를 기판(S)의 이면에 공급하여 온도 제어를 실행할 경우에, 전열 가스를 기판(S)의 이면측의 공간에 밀폐시킬 수 있으므로, 전열 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 표면 거칠기(Ra)는 JIS B0601-1994에 규정되어 있는 산술 평균 거칠기를 의미하고, 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향으로 기준 길이를 결정하고, 이 기준 길이내에서 평균선으로부터 측정된 거칠기 곡선까지의 편차의 절대치를 합계하여, 평균한 값을 마이크로미터(㎛)로 표현한 것을 말한다.
조면화부(51)와 평활부(53)의 표면(53a)의 높이의 관계는, 요철의 볼록부의 정점의 평균 높이로서 조면화부(51)보다도 평활부(53)의 표면(53a)쪽을 예를 들어 15㎛ 내지 25㎛(바람직하게는 20㎛) 높게 설정할 수 있다.
절연막(8)은, 단층이어도, 재질이 상이한 복수의 절연막이 적층된 것이어도 좋지만, 최표면층(最表面層)은, 더욱이 기판(S)을 손상시키지 않도록 하기 위해서, 기판(S)과 동일하거나 그 이하의 경도의 재질로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 기판(S)보다도 경도가 낮은 재질로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 여기에서, 기판(S)이 유리 기판일 경우, 비커스 경도(HV)는 650정도이기 때문에, 절연막(8)의 최표면층은 비커스 경도(HV)가 650 이하인 재질인 것이 바람직하고, 비커스 경도(HV)가 50 내지 400인 재질인 것이 보다 바람직하다.
절연막(8)의 최표면층의 재질로서는, 예를 들어 세라믹스나 금속-세라믹스 복합체 등을 이용할 수 있다. 세라믹스로서는, 예를 들어 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등을 들 수 있다. 또한, 금속-세라믹스 복합체로서는, 예를 들어 알루미늄/알루미나의 혼합 재료, 알루미늄/질화 알루미늄의 혼합 재료 등을 들 수 있다. 금속-세라믹스 복합체가 알루미늄/알루미나의 혼합 재료일 경우, 예를 들어 금속 알루미늄 또는 알루미늄을 50용량％ 이상 함유하는 합금과, 평균 입경이 3㎛ 내지 20㎛의 알루미나를 혼합한 용사 원료를 이용하여 용사법에 의해 절연막(8)(또는 그 최표면층)을 성막할 수 있다. 알루미늄/알루미나의 혼합 재료중의 알루미나의 함유량은, 예를 들어 비커스 경도(HV)를 50 내지 400으로 억제하는 관점에서, 20용량％ 내지 40용량％인 것이 바람직하다.
다음에, 절연막(8)상에 조면화부(51) 및 평활부(53)를 갖는 탑재대(5A)의 제조 방법에 대해서, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 4에 도시한 바와 같이, 기재(7)와, 이 기재(7)를 덮는 절연막(8a)을 갖는 구조체(5a)를 준비한다. 또한, 절연막(8a)은 재질이나 성막법이 상이한 복수의 절연막(용사막이라고는 할 수 없음)을 적층하여 형성된 것이어도 좋다. 절연막(8a)의 적어도 최표면은, 예를 들어 상기 세라믹스나 금속-세라믹스 복합체를 용사하는 용사법에 의해 형성할 수 있다. 용사에 의해, 절연막(8a)에는 거친 방사(放射) 표면이 노출되어 있다. 또한, 절연막(8a)을 용사에 의해 형성할 때에, 기공이 형성될 경우가 있지만, 그 경우에는 내전압 성능을 확보하기 위해서, 구멍 밀봉 처리를 실시하여 두는 것이 바람직하다.
다음에, 상기 방사 표면을, 도 4에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 연마 장치(200)를 이용하여 기계 연마해서 균일하게 평활화한다. 이 연마 공정에서는, 절연막(8a)의 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만이 될 때까지 연마를 실시한다.
다음에, 도 5에 도시하는 바와 같이, 평활화된 절연막(8a)의 주연부를 마스크(201)로 보호하고, 마스킹되어 있지 않은 내측 부분을 예를 들어 블라스트 장치(202)를 이용하여 블라스트 처리한다. 블라스트 처리의 방법은, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 연마 재료로서 알루미나(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 지르코니아(ZrO3) 등을 이용하여 실행할 수 있다. 이 블라스트 가공에 의해, 절연막(8a)의 중앙 부분이 조면화되어 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)가 형성된다. 또한, 도 5에서는, 조면화부(51)의 표면의 미세한 요철을 실제보다도 강조해서 모식적으로 묘사하고 있다. 조면화부(51) 주위의 마스크(201)로 보호되어 있던 영역에는, 평활면이 남아 있고, 이것이 평활부(53)가 된다. 평활부(53)는 연마 표면이 그대로 남아있기 때문에, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만이다. 이러한 순서로, 본 실시형태의 탑재대(5A)(도 1 내지 도 3 참조)를 제조할 수 있다.
이상과 같이 하여 제조되는 본 실시형태의 탑재대(5A)는, 기판 탑재면(50)에 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)와, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 가지므로, 기판(S)을 손상시킬 우려가 적고, 또한 에칭 얼룩 등의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는, 탑재대(5A)의 최소한의 구성만을 설명했지만, 탑재대(5A)는 다른 구성을 갖는 것을 방해하지 않는다. 예를 들면, 탑재대(5A)는 절연막(8)중에 매설된 전극층을 구비하여 정전 흡착 전극으로서 기능하는 것이어도 좋고, 또한 기판 탑재면(50)으로부터 기판(S)의 이면을 향해서 전열 가스를 공급하는 백 쿨링((back cooling) 기구를 구비하고 있어도 좋다.
[제 2 실시형태]
다음에, 도 6 내지 도 12를 참조하면서, 본 발명의 제 2 실시형태의 기판 탑재대에 대해서 설명한다. 도 6은 본 실시형태의 탑재대(5B)의 단면도이며, 도 7은 도 6의 점선으로 둘러싸인 부분의 탑재대(5B)의 표면 부근의 구조를 확대하여 도시하는 주요부 단면도이다. 탑재대(5B)는 기재(7)와, 기재(7)상에 마련된 절연막(8)을 갖는다.
절연막(8)의 상면은, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 거친 표면을 갖는 조면화부(51)와, 이 조면화부(51)의 주위를 둘러싸는 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 갖고 있다. 도 7에 도시한 바와 같이, 조면화부(51)는, 용사에 의해 형성된 제 1 용사막(55)과, 이 제 1 용사막(55)상에 용사에 의해 적층된 최표면층의 제 2 용사막(57)을 갖고 있다. 제 2 용사막(57)의 표면은 용사에 의한 방사면으로 되어 있다. 조면화부(51)는 최표면층으로서 제 2 용사막(57)이 노출되고, 이 제 2 용사막(57)보다 하층에 [바람직하게는 제 2 용사막(57)에 접하여] 제 1 용사막(55)이 마련되어 있으면 좋고, 다른 층(용사막이라고는 할 수 없음)을 갖고 있어도 좋다. 또한, 평활부(53)의 표면층은 제 1 용사막(55)이 노출되어 있다.
조면화부(51)와 평활부(53)의 표면(53a)의 높이의 관계는, 요철의 볼록부의 정점의 평균 높이로서 조면화부(51)보다도 평활부(53)의 표면(53a)쪽을 예를 들어15㎛ 내지 25㎛ (바람직하게는 20㎛) 높게 설정할 수 있다.
제 1 용사막(55) 및 제 2 용사막(57)의 재질로서는, 예를 들어 세라믹스나 금속-세라믹스 복합체 등을 이용할 수 있다. 제 1 용사막(55) 및 제 2 용사막(57)은 동일한 재질로 형성하는 것도 가능하지만, 상이한 재질로 형성해도 좋다. 제 2 용사막(57)은, 더욱이 기판(S)을 손상시키지 않도록 하기 위해서, 기판(S)과 동일하거나, 그것 이하의 경도를 갖는 재질로 형성하는 것이 바람직하고, 기판(S)보다도 경도가 낮은 재질로 형성하는 것이 보다 바람직하다. 여기에서, 기판(S)이 유리 기판일 경우, 비커스 경도(HV)가 650정도이기 때문에, 제 2 용사막(57)은 비커스 경도(HV)가 650 이하인 재질인 것이 바람직하고, 비커스 경도(HV)가 50 내지 400인 재질인 것이 보다 바람직하다.
제 1 용사막(55) 및 제 2 용사막(57)에 사용할 수 있는 세라믹스로서는, 예를 들어 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등을 들 수 있다. 또한, 제 1 용사막(55) 및 제 2 용사막(57)에 사용할 수 있는 금속-세라믹스 복합체로서는, 예를 들어 알루미늄/알루미나의 혼합 재료, 알루미늄/질화 알루미늄의 혼합 재료 등을 들 수 있다. 제 2 용사막(57)은, 조면화한 미세한 요철에 의해 기판(S)을 지지하기 때문에, 평활부(53)에 의해 기판(S)을 지지하는 제 1 용사막(55)에 비해서 경도가 낮은 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 관점에서, 예를 들어 제 1 용사막(55)으로서 알루미나, 질화 알루미늄 등의 세라믹스를, 제 2 용사막(57)으로서 알루미늄/알루미나의 혼합 재료, 알루미늄/질화 알루미늄의 혼합 재료 등을, 각각 이용하는 조합이 바람직하다. 또한, 알루미늄/알루미나의 혼합 재료로서는, 제 1 실시형태와 동일한 것을 사용할 수 있다.
제 2 용사막(57)의 막 두께는, 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)를 제어하기 용이하게 하는 관점에서, 예를 들어 15㎛ 내지 25㎛로 하는 것이 바람직하다.
절연막(8)의 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)는 2㎛ 이상 6㎛ 이하이고, 2.5㎛ 이상 4.5㎛ 이하가 바람직하다. 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)를 2㎛ 이상 6㎛ 이하로 한 이유는 제 1 실시형태와 같다.
또, 평활부(53)의 표면(53a)의 표면 거칠기(Ra)는 2㎛ 미만이고, 0.4㎛ 이상 1.5㎛ 이하가 바람직하다. 평활부(53)의 표면(53a)의 표면 거칠기(Ra)를 2㎛ 미만으로 한 이유는 제 1 실시형태와 같다.
다음에, 절연막(8)상에 조면화부(51) 및 평활부(53)를 갖는 탑재대(5B)를 제조하는 방법에 대해서, 도 8 내지 도 12를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 8에 도시한 바와 같이, 기재(7)와, 이 기재(7)를 덮는 절연막(8b)을 갖는 구조체(5b)를 준비한다. 여기에서, 절연막(8b)은 재질이나 성막법이 상이한 복수의 절연막이 적층된 것이어도 좋다. 절연막(8b)의 적어도 최표면은, 예를 들어 상기 세라믹스 재료를 용사하는 용사법에 의해 형성된 제 1 용사막(55)이다. 용사에 의해, 제 1 용사막(55)에는 거친 방사 표면이 노출되어 있다. 또한, 절연막(8b)을 용사에 의해 형성할 때에, 기공이 형성될 경우가 있지만, 그 경우에는 내전압 성능을 확보하기 위해서, 구멍 밀봉 처리를 실시하여 두는 것이 바람직하다.
다음에, 상기 방사 표면을, 도 8에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 연마 장치(200)를 이용하여 기계 연마해서 균일하게 평활화한다. 이 연마 공정에서는, 절연막(8b)의 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만이 될 때까지 연마를 실시한다.
다음에, 도 9에 도시하는 바와 같이, 평활화된 절연막(8b)의 주연부를 마스크(201)로 보호하고, 마스킹되어 있지 않은 내측 부분을 예를 들어 블라스트 장치(202)를 이용하여 블라스트 처리한다. 이 블라스트 가공에 의해, 절연막(8b)의 중앙부를 조면화하는 동시에 막을 감소시킨다(즉, 표면을 절삭하여, 막 두께를 얇게 함). 블라스트 처리는 처리 시간을 길게 하거나, 토출압을 높게 함으로써 막 감소량을 많게 할 수 있다. 또한, 도 9에서는, 절연막(8b)의 표면의 미세한 요철을 실제보다도 강조해서 모식적으로 묘사하고 있다(도 10, 도 12에서도 마찬가지임).
도 10은 조면화후의 절연막(8b)의 상태를 도시하고 있고, 또한 도 11은 도 10의 점선으로 둘러싸인 부분을 확대하여 도시하고 있다. 절연막(8b)의 중앙 부분에는, 막 감소부(52)가 형성되어 있다. 막 감소부(52) 주위의 마스크(201)로 보호되어 있던 영역에는, 평활면이 남아 있어, 평활부(53)로 되어 있다. 막 감소부(52)의 표면 거칠기(Ra)는, 이후의 공정에서 제 2 용사막(57)을 형성할 때에 조면화부(51)의 표면 거칠기(Ra)를 제어하기 용이하게 하기 위해서, 예를 들어 2㎛ 이상 4㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 막 감소부(52)의 막 감소량은 평활부(53)의 표면을 기준으로 하여, 예를 들어 30㎛ 내지 50㎛로 할 수 있다. 막 감소량이 지나치게 적으면, 이후의 공정에서 제 2 용사막(57)을 형성하는 것이 곤란해지고, 막 감소량이 지나치게 많으면, 절연막(8b)에 의한 절연성이 저하하여 내압 성능이 손상되는 경우가 있다.
다음에, 도 12에 도시한 바와 같이, 다시 마스크(201)를 이용하여 평활부(53)의 표면을 보호한 후, 용사 건(203)을 이용하여 막 감소부(52)에만 용사를 실행하여, 제 2 용사막(57)을 형성한다. 제 2 용사막(57)은 조면화된 제 1 용사막(55)상에 형성되므로, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)가 된다(도 6 참조). 이와 같이, 미리 조면화된 막 감소부(52)의 표면에 제 2 용사막(57)을 적층 형성하는 것에 의해, 조면화부(51)의 표면 거칠기의 제어가 용이해지는 동시에, 앵커(anchor) 효과에 의해 하지의 제 1 용사막(55)과 제 2 용사막(57)을 강고하게 고착할 수 있다. 막 감소부(52) 주위의 마스크(201)로 보호되어 있던 영역에는, 평활면이 남아 있고, 이것이 평활부(53)로 된다. 평활부(53)는 연마 표면이 그대로 남아 있기 때문에, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만이다.
제 1 용사막(55)과 제 2 용사막(57)의 재질을 변경하는 경우에는, 각각의 성막 공정에 있어서 용사 원료를 선택하면 좋다. 예를 들면, 제 1 용사막(55)을 형성할 때에는 용사 원료로서, 예를 들어 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등의 세라믹스 재료를 선택하고, 제 2 용사막(57)을 형성할 경우에는 용사 원료로서, 예를 들어 알루미늄/알루미나의 혼합 재료, 알루미늄/질화 알루미늄의 혼합 재료 등의 금속-세라믹스 복합체를 선택하는 것에 의해, 제 1 용사막(55)과 제 2 용사막(57)의 경도에 차이를 갖게 할 수 있다. 이상과 같은 순서로, 본 실시형태에 따른 탑재대(5B)(도 6 참조)를 제조할 수 있다.
이렇게 하여 제조되는 본 실시형태의 탑재대(5B)는, 기판 탑재면(50)에, 제 1 용사막(55)을 하지로 하여 형성한 제 2 용사막(57)을 갖는 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)와, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 가지므로, 기판(S)을 손상시킬 우려가 적고, 또한 에칭 얼룩 등의 발생을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 다른 구성 및 효과는 제 1 실시형태와 같다.
[플라즈마 에칭 장치에의 적용예]
다음에, 도 13 및 도 14를 참조하면서, 본 발명의 기판 탑재대를 플라즈마 에칭 장치에 적용한 실시형태에 대해서 설명한다. 도 13에 도시한 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(100)는 FPD용의 기판(S)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는, 액정 모니터(LCD), 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.
이러한 플라즈마 에칭 장치(100)는 표면이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통형상(角筒形狀)으로 성형된 처리 용기(1)를 갖고 있다. 처리 용기(1)는 바닥벽(1a), 4개의 측벽(1b)[측벽(1b1, 1b2)의 2개만 도시]에 의해 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(1)의 상부에는, 덮개(1c)가 접합되어 있다.
덮개(1c)는 도시하지 않는 개폐 기구에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개(1c)를 폐쇄한 상태로 덮개(1c)와 각 측벽(1b)의 접합 부분은 O링 등의 시일 부재(3)에 의해 밀봉되어, 처리 용기(1)내의 기밀성이 유지되어 있다.
처리 용기(1)내의 바닥부에는, 절연 부재(60)와, 이 절연 부재(60)상에 마련된 하부 기재(61)가 배치되어 있다. 하부 기재(61)상에는, 기판(S)을 탑재 가능한 탑재대(5)가 마련되어 있다. 하부 전극이기도 한 탑재대(5)는 기재(7)와, 이 기재(7)상에 형성된 절연막(8)을 구비하고 있다. 이 절연막(8)의 표면이 기판(S)을 탑재하는 기판 탑재면(50)으로 되어 있다. 이 탑재대(5)로서, 상기 제 1 실시형태의 탑재대(5A) 또는 제 2 실시형태의 탑재대(5B)를 적용할 수 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 도시는 생략하지만, 절연막(8)의 기판 탑재면(50)에는, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)와, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)가 마련되어 있다.
하부 기재(61)의 내부에는, 전열 매체실(83)이 마련되어 있다. 이 전열 매체실(83)에는, 예를 들어 불소계 액체 등의 전열 매체가 전열 매체 도입관(83a)을 거쳐서 도입되고, 또한 전열 매체 배출관(83b)을 거쳐서 배출되어 순환하도록 구성되어 있다. 이러한 전열 매체의 열(예를 들면, 냉열)은 하부 기재(61) 및 탑재대(5)를 거쳐서 기판(S)에 대하여 전열된다. 탑재대(5), 하부 기재(61) 및 절연 부재(60)의 측부는 절연 부재(13)에 의해 둘러싸여 있다. 절연 부재(13)에 의해 탑재대(5)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리시의 이상 방전이 방지된다.
탑재대(5)의 상방에는, 이 탑재대(5)와 평행하고, 또한 대향하여 상부 전극으로서 기능하는 샤워헤드(15)가 마련되어 있다. 샤워헤드(15)는 처리 용기(1)의 상부의 덮개(1c)에 지지되어 있다. 샤워헤드(15)는 중공형상을 이루고, 그 내부에는, 가스 확산 공간(15a)이 마련되어 있다. 또한, 샤워헤드(15)의 하면[탑재대(5)와의 대향면]에는, 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(15b)이 형성되어 있다. 이 샤워헤드(15)는 접지되어 있고, 탑재대(5)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
샤워헤드(15)의 상부 중앙 부근에는, 가스 도입구(17)가 마련되어 있다. 이 가스 도입구(17)에는, 처리 가스 공급관(19)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(19)에는, 2개의 밸브(21, 21) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC; 23)를 거쳐서 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(25)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예를 들어 할로겐계 가스나 O2 가스 이외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 이용할 수 있다.
상기 처리 용기(1)내의 4 코너에 가까운 위치에는, 바닥벽(1a)에 관통 개구부로서의 배기용 개구(27)가 4개소에 형성되어 있다(2개만 도시). 각 배기용 개구(27)에는, 배기관(29)이 접속되어 있다. 배기관(29)은, 그 단부에 플랜지부(29a)를 갖고 있고, 이 플랜지부(29a)와 바닥벽(1a) 사이에 O링(도시 생략)을 개재시킨 상태로 고정되어 있다. 배기관(29)은 배기 장치(31)에 접속되어 있다. 배기 장치(31)는 예를 들어 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 의해 처리 용기(1)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
또, 처리 용기(1)의 측벽(1b1)에는, 관통 개구부로서의 기판 반송용 개구(33)가 마련되어 있다. 이 기판 반송용 개구(33)는 게이트 밸브(35)에 의해 개폐되어, 기판(S)을 인접하는 반송실(도시 생략)과의 사이에서 반송할 수 있도록 되어 있다. 게이트 밸브(35)는 측벽(1b1)과의 사이에 제 1 시일 부재인 O링(37)을 개재시킨 상태로 나사 등의 고정 수단을 이용하여 측벽(1b1)에 고정되어 있다.
하부 기재(61)에는, 급전선(39)이 접속되어 있다. 이 급전선(39)에는, 매칭 박스(M.B.)(41)를 거쳐서 고주파 전원(43)이 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전원(43)으로부터 예를 들어 13.56MHz의 고주파 전력이 하부 기재(61)를 거쳐서 하부 전극으로서의 탑재대(5)에 공급된다. 또한, 급전선(39)은 바닥벽(1a)에 형성된 관통 개구부로서의 급전용 개구(45)를 거쳐서 처리 용기(1)내에 도입되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서의 처리 동작에 대해서 설명한다. 우선, 게이트 밸브(35)가 개방된 상태에서, 피처리체인 기판(S)이 도시하지 않는 반송 장치 포크(fork)에 의해 기판 반송용 개구(33)를 거쳐서 처리 용기(1)내로 반입되어, 탑재대(5)에 주고받아진다. 이 때, 탑재대(5)는 기판 탑재면(50)에 도시하지 않는 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)와, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)를 갖기 때문에, 조면화부(51)에서는, 미세한 요철에 의한 다점에서 기판(S)을 지지할 수 있다. 그 결과, 응력이 분산되어, 기판(S)의 이면을 손상시킬 우려가 적다. 또한, 평활부(53)에서는, 기판(S)을 밀착시켜서 지지하는 것이 가능하기 때문에, 기판(S)의 이면측에 용이하게 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능하다. 그 후, 게이트 밸브(35)가 폐쇄되고, 배기 장치(31)에 의해 처리 용기(1) 내부가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다.
다음에, 밸브(21)를 개방하여, 처리 가스를 가스 공급원(25)으로부터 처리 가스 공급관(19), 가스 도입구(17)를 거쳐서 샤워헤드(15)의 가스 확산 공간(15a)에 도입한다. 이 때, 매스 플로우 컨트롤러(23)에 의해 처리 가스의 유량 제어가 실행된다. 가스 확산 공간(15a)에 도입된 처리 가스는, 더욱이 복수의 토출 구멍(15b)을 거쳐서 탑재대(5)상에 탑재된 기판(S)에 대하여 균일하게 토출되어, 처리 용기(1)내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.
이러한 상태에서 고주파 전원(43)으로부터 고주파 전력이 탑재대(5)에 인가된다. 이에 의해, 하부 전극으로서의 탑재대(5)와 상부 전극으로서의 샤워헤드(15) 사이에 고주파 전계가 생겨서, 처리 가스가 분해되어 플라즈마화한다. 이러한 플라즈마에 의해, 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.
에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(43)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(1) 내부를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브(35)를 개방하여, 탑재대(5)로부터 도시하지 않는 반송 장치 포크에 기판(S)을 주고받고, 처리 용기(1)의 기판 반송용 개구(33)로부터 기판(S)을 반출한다. 이상의 조작에 의해, 기판(S)에 대한 플라즈마 에칭 처리가 종료한다. 이러한 플라즈마 에칭 처리를 반복 실행하는 것에 의해, 처리 용기(1)내에서 에칭 생성물이 생겨서, 조면화부(51)에 부착되더라도, 미세한 요철을 갖는 조면화부(51)는 평탄화되기 어렵기 때문에, 탑재대(5)로부터 기판(S)에의 열전도 효율과 도전 효율의 변동을 억제할 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 에칭 얼룩 등의 처리의 불균일을 방지할 수 있다.
또, 본 발명의 기판 탑재대는 정전 흡착 기능을 겸비할 수도 있다. 예를 들면, 도 14에 도시하는 플라즈마 에칭 장치(101)는 기판 탑재대로서 정전 흡착 기능을 갖는 탑재대(5C)를 사용하고 있다. 도 14에 도시하는 플라즈마 에칭 장치(101)의 다른 구성은 도 13의 플라즈마 에칭 장치(100)와 동일하기 때문에, 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
기판 탑재대인 탑재대(5C)는 알루미늄 등의 도전성 재료로 이루어지는 기재(65)를 갖고 있다. 이러한 기재(65)는 제 1 및 제 2 실시형태에 있어서의 기재(7)에 상당한다. 이 기재(65)의 상면에는, 하부로부터 순서대로, 제 1 절연층(67), 전극(69) 및 제 2 절연층(71)이 적층되어 있다. 이러한 제 2 절연층(71)이 제 1 및 제 2 실시형태의 기판 탑재대(5A, 5B)에 있어서의 절연막(8)에 상당하는 것이다. 제 1 절연층(67)과 제 2 절연층(71) 사이의 전극(69)에 직류 전원(73)으로부터 급전선(75)을 거쳐서 직류 전압을 인가하는 것에 의해, 예를 들어 쿨롱력에 의해 기판(S)을 정전 흡착한다. 제 2 절연층(71)의 상면에는, 기판(S)을 흡착 보유하는 기판 탑재면(50)이 형성되어 있다. 도시는 생략하지만, 기판 탑재면(50)에는, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부(51)와, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부(53)가 마련되어 있다.
상기 절연 부재(60) 및 하부 기재(61)에는, 이들을 관통하는 가스 통로(77)가 형성되어 있다. 이 가스 통로(77)를 거쳐서 전열 가스, 예를 들어 HE 가스 등을 기판(S)의 이면에 공급할 수 있다. 즉, 탑재대(5C)는 기판(S)의 이면에 전열 가스를 공급하여 냉각하는 백 쿨링 기구를 구비하고 있다. 가스 통로(77)에 공급된 전열 가스는 하부 기재(61)와 기재(65)의 경계에 형성된 가스 모임부(79)를 거쳐서 일단 수평 방향으로 확산한 후, 기재(65)내에 형성된 가스 공급 연통 구멍(81)을 통해서, 탑재대(5C)의 표면으로부터 기판(S)의 이면측으로 분출한다. 이렇게 하여, 탑재대(5C)의 냉열이 기판(S)에 전달되어, 기판(S)이 소정의 온도로 유지된다.
이상의 구성을 갖는 본 실시형태의 탑재대(5C)는 정전 흡착 기구를 구비하고 있기 때문에, 기판 탑재면(50)에 의해 기판(S)을 강하게 흡착하지만, 조면화부(51)에서는 그 미세한 볼록부에서 기판(S)과 다점에서 접촉하여 기판(S)을 지지함으로써 응력을 분산할 수 있다. 그 결과, 기판(S)의 이면에 손상을 일으키는 것이 방지된다. 또한, 에칭에 의한 반응 생성물이나 파티클 등이 조면화부(51)에 부착되어도, 미세한 요철이 존재하기 때문에 평탄면으로 되기 어렵다. 또한, 평활부(53)는, 그 평활한 표면에 의해 기판(S)의 이면과 밀착할 수 있으므로, 기판(S)의 이면과 조면화부(51) 사이에 밀폐 공간을 만들어, 상기 전열 가스에 의한 열 전달이 효율적으로 실행된다. 따라서, 에칭 프로세스를 반복해도, 탑재대(5C)로부터 기판(S)으로의 열 전달을 기판(S)의 면내에서 균일하게 하는 것이 가능하게 되어, 에칭 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태를 예시의 목적으로 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되는 일은 없다. 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 일탈하는 일없이 많은 개변(改變)을 할 수 있고, 그들도 본 발명의 범위내에 포함된다. 예를 들면, 본 발명은 FPD용 기판을 처리 대상으로 하는 플라즈마 처리 장치에 한하지 않고, 예를 들면 반도체 웨이퍼를 처리 대상으로 하는 플라즈마 처리 용기에도 적용할 수 있다. 또한, 플라즈마 에칭 장치에 한하지 않고, 예를 들면 플라즈마 애싱 처리, 플라즈마 CVD 처리 등의 다른 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에도 적용할 수 있다.
1 : 처리 용기 1a : 바닥벽
1b1, 1b2 : 측벽 1c : 덮개
3 : 시일 부재 13 : 절연 부재
5 : 탑재대 7 : 기재
8 : 절연막 15 : 샤워헤드
15a : 가스 확산 공간 15b : 가스 토출 구멍
17 : 가스 도입구 19 : 처리 가스 공급관
21 : 밸브 23 : 매스 플로우 컨트롤러
25 : 가스 공급원 27 : 배기용 개구
29 : 배기관 31 : 배기 장치
33 : 기판 반송용 개구 35 : 게이트 밸브
37 : O링 39 : 급전선
41 : 매칭 박스(M.B.) 43 : 고주파 전원
45 : 급전용 개구 50 : 기판 탑재면
51 : 조면화부 53 : 평활부
100, 101 : 플라즈마 에칭 장치 S : 기판

Claims (13)

  1. 기재와, 상기 기재를 덮는 절연막을 구비하며, 상기 절연막에 의해 기판을 탑재하는 기판 탑재면이 형성되어 있는 동시에, 상기 기판 탑재면에, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부와, 상기 조면화부의 주위에 마련된 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활부를 갖는
    기판 탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조면화부에 의해 기판의 중앙 부분을 지지하고, 상기 평활부에 의해 기판의 주연 부분을 지지하는
    기판 탑재대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 상기 조면화부가 상기 기판의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있는
    기판 탑재대.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 절연막은, 용사에 의해 형성된 제 1 용사막과, 상기 제 1 용사막의 적어도 일 부분을 덮도록 용사에 의해 형성된 제 2 용사막을 갖고, 상기 조면화부는 상기 제 1 용사막상에 상기 제 2 용사막이 적층되어 있는
    기판 탑재대.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 평활부의 표면은 상기 제 1 용사막에 의해 형성되어 있는
    기판 탑재대.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 용사막이 상기 기판의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있는
    기판 탑재대.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 용사막과 상기 제 2 용사막의 재질이 상이한
    기판 탑재대.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 용사막이 상기 제 1 용사막의 경도 이하의 경도를 갖는 재질로 형성되어 있는
    기판 탑재대.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 절연막중에 매설된 도전층을 갖고, 정전 흡착 기능을 구비하는 것인
    기판 탑재대.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 기판 탑재대를 구비한
    기판 처리 장치.
  11. 기판에 처리를 실시할 때에, 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법에 있어서,
    기재를 덮는 절연막의 표면을 연마하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활면을 형성하는 연마 공정과,
    연마후의 상기 절연막의 표면에 대하여, 기판 탑재면의 주연부가 되는 영역에 평활면이 남도록, 상기 기판 탑재면의 중앙 부분이 되는 영역에 블라스트 처리를 실시하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부를 형성하는 조면화 공정을 포함하는
    기판 탑재대의 제조 방법.
  12. 기판에 처리를 실시할 때에 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법에 있어서,
    기재를 덮는 절연막의 표면을 연마하여, 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 미만인 평활면을 형성하는 연마 공정과,
    연마후의 상기 절연막의 표면에 대하여, 기판 탑재면의 주연부가 되는 영역에 평활면이 남도록, 상기 기판 탑재면의 중앙 부분이 되는 영역에 블라스트 처리를 실시하여 막을 감소시키는 공정과,
    막을 감소시킨 상기 중앙 부분이 되는 영역에 대하여, 용사에 의해 표면 거칠기(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 용사막을 형성하는 공정을 포함하는
    기판 탑재대의 제조 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 절연막이 용사에 의해 형성된 용사막인
    기판 탑재대의 제조 방법.
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