KR20190089419A - 기판 지지장치 및 이의 제작방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판이 안착될 수 있도록, 상기 기판과 접촉할 수 있는 제1 몸체와 상기 제1 몸체의 둘레를 감싸는 제2 몸체를 구비하는 안착부; 및 상기 안착부를 지지하도록, 상기 안착부의 하부에 연결되는 지지부;를 포함하며, 상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 복수개의 돌기가 구비되고, 상기 제1 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적이 상기 제2 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적보다 크게 형성되어, 기판을 안정적으로 지지해줄 수 있다.
Description
본 발명은 기판 지지장치 및 이의 제작방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 안정적으로 지지해주면서 기판의 전체 온도가 균일하게 조절될 수 있게 해주는 기판 지지장치 및 이의 제작방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치, 태양전지 등의 제품을 제조하기 위해, 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 여러 종류의 박막을 증착하고, 증착된 박막을 패터닝하는 등의 다양한 제조 공정들이 수행된다. 이때, 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 물리적 증착 방식을 사용하는 기판 분사장치나, 화학적 증착 방식을 사용하는 기판 분사장치에서 수행된다.
물리적 증착 방식으로 박막입자를 기판에 직접적으로 충돌 및 흡착시키는 스퍼터링(Sputtering)이 있다. 화학적 증착 방식으로 기판 상부에 라디컬(Radical)의 화학반응을 유도하여 그 반응 결과물인 박막입자를 낙하 및 흡착시키는 화학 기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)이 있다.
화학 기상증착을 수행하는 기판 분사장치는, 기판이 안착되는 서셉터(Susceptor), 및 서셉터의 상측에서 기판으로 처리가스를 분사하는 샤워헤드를 포함할 수 있다. 종래에는, 서셉터에 기판을 안정적으로 안착시키기 위해, 서셉터의 둘레면을 따라 쉐도우 프레임(Shadow Frame)을 구비하였다. 쉐도우 프레임은 서셉터 상의 안착된 기판의 가장자리 영역을 눌러주어 기판을 고정해주었다.
그러나 서셉터의 둘레면과 쉐도우 프레임 사이의 이격공간으로 인해, 서섭테의 둘레에서 중심부보다 열손실이 많이 발생한다. 즉, 서셉터의 둘레면이 대기와 접촉하기 때문에, 중심부보다 열손실이 많이 발생한다. 따라서, 서셉터의 둘레와 근접한 기판의 가장자리 영역에서 중심영역보다 열손실이 많이 발생한다. 이에, 기판 전체의 온도가 불균일해지는 문제가 있다.
또한, 서셉터와 쉐도우 프레임의 열에 의한 팽창 수축 정도가 다르기 때문에, 기판을 열처리할 때 서셉터와 쉐도우 프레임 사이의 마찰로 인해 파티클이 발생할 수 있다. 그리고 쉐도우 프레임이 기판을 눌러주는 영역에 전자가 몰려 기판에 스파크가 발생하는 문제도 있다.
본 발명은 기판 전체의 온도를 균일하게 조절할 수 있는 기판 지지장치 및 이의 제작방법을 제공한다.
본 발명은 파티클의 발생을 방지할 수 있는 기판 지지장치 및 이의 제작방법을 제공한다.
본 발명은 기판에 스파크가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있는 기판 지지장치 및 이의 제작방법은 제공한다.
본 발명은 기판이 안착될 수 있도록, 상기 기판과 접촉할 수 있는 제1 몸체와 상기 제1 몸체의 둘레를 감싸는 제2 몸체를 구비하는 안착부; 및 상기 안착부를 지지하도록, 상기 안착부의 하부에 연결되는 지지부;를 포함하며,
상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 복수개의 돌기가 구비되고, 상기 제1 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적이 상기 제2 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적보다 크게 형성된다.
상기 제2 몸체가 상기 제1 몸체보다 표면 거칠기 값이 작다.
상기 제1 몸체 표면의 산술 평균 거칠기 값은 15 이상 내지 25μm 이하이고, 상기 제2 몸체 표면의 산술 평균 거칠기 값은 1.6 이상 내지 3.6μm 이하이다.
상기 안착부에 안착된 기판을 가열하도록, 상기 안착부에 설치되는 가열부를 더 포함한다.
상기 제1 몸체의 상하방향 두께가 상기 제2 몸체의 상하방향 두께보다 크게 형성되고,
상기 가열부는 상기 제1 몸체에만 설치된다.
상기 제1 몸체의 상하방향 두께가 상기 제2 몸체의 상하방향 두께 이하의 크기로 형성되고,
상기 가열부는 상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 설치된다.
상기 제2 몸체의 표면에서 상측으로 돌출되어 상기 기판 둘레의 적어도 일부를 감쌀 수 있도록 설치되는 돌출부를 더 포함한다.
상기 돌출부는, 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하도록 히팅부재를 구비한다.
상기 제2 몸체에 삽입홈이 형성되고, 상기 안착부는, 상기 기판 지지장치를 운반할 수 있는 운반장치가 걸릴 수 있도록, 상기 삽입홈에 분리 가능하게 설치되는 걸림부재를 포함한다.
상기 안착부는, 상기 걸림부재가 분리된 삽입홈에 분리 가능하게 설치되는 삽입부재를 포함한다.
상기 삽입홈의 적어도 일부와 상기 삽입부재 사이에 이격공간이 형성된다.
본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지장치를 제작하는 방법으로서, 기판과 접촉할 수 있는 제1 영역과, 상기 제1 영역의 둘레를 감싸는 제2 영역을 구비하는 안착부를 마련하는 과정; 및 상기 제1 영역의 표면을 가공하고, 상기 제1 영역보다 표면 거칠기 값이 작아지도록 상기 제2 영역의 표면을 가공하는 과정;을 포함한다.
상기 제1 영역의 표면을 가공하는 과정은, 상기 제1 영역과 상기 기판의 접촉면적을 증가시키도록 가공하는 과정을 포함한다.
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공하는 과정은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 중 일 영역의 표면을 코팅제로 코팅하고, 타 영역에 알갱이를 분사하는 과정; 상기 일 영역에서 코팅제를 제거하고, 상기 타 영역의 표면을 다른 코팅제로 코팅하는 과정; 상기 일 영역의 표면에 알갱이를 분사하는 과정; 및 상기 타 영역에서 코팅제를 제거하는 과정을 포함한다.
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공하는 과정은, 상기 제1 영역에 분사된 알갱이보다 직경이 작은 알갱이를 상기 제2 영역에 분사하는 과정을 포함한다.
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공한 후에, 상기 기판 지지장치를 챔버 내부에 설치하는 과정을 더 포함한다.
상기 안착부를 마련하는 과정은, 상기 안착부의 둘레에 삽입홈을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 기판 지지장치를 챔버 내부에 설치하는 과정은, 상기 삽입홈에 걸림부재를 설치하고, 운반장치에 상기 걸림부재를 걸리게 하는 과정; 및 상기 운반장치로 기판 지지장치를 상기 챔버 내부에 위치시키는 과정;을 포함한다.
상기 기판 지지장치를 챔버 내부로 설치하는 과정은, 상기 삽입홈에서 상기 걸림부재를 분리하는 과정; 및 상기 삽입홈을 메우는 과정;을 포함한다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 쉐도우 프레임을 구비하지 않고 안착부에 기판을 안정적으로 안착시킬 수 있다. 이에, 안착부와 쉐도우 프레임 사이의 마찰로 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 안착부의 둘레면과 기판 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 즉, 안착부에서 열손실이 많이 발생하는 둘레와 기판의 가장자리 영역 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 이에, 기판의 가장자리 영역에서 중심 영역보다 열손실이 많이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 용이하게 기판의 전체 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
또한, 안착부의 상부면에서 기판과 이격되는 영역의 조도(粗度)값을, 기판이 안착되는 영역의 조도값보다 작게 형성할 수 있다. 이에, 스파크가 기판과 이격되는 영역에 발생하도록 유도하여, 기판에 스파크가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리설비의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 돌기 형상을 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 두께를 비교하는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 걸림부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 삽입부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 제작방법을 나타내는 플로우 차트.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 돌기 형상을 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 두께를 비교하는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 걸림부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 삽입부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 제작방법을 나타내는 플로우 차트.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리설비의 구조를 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명을 이해하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리설비의 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면 기판 처리설비는, 챔버(10), 분사장치(20), 및 기판 지지장치(100)를 포함한다. 이때, 기판 처리설비는 기판(S) 상에 박막을 형성하는 공정을 수행할 수 있고, 기판은 글라스(Glass)일 수 있다.
챔버(10)는 박스 형태로 형성된다. 챔버(10)는 내부공간을 가진다. 챔버(10)의 일측에는 기판(S)이 출입할 수 있는 출입구(미도시)가 형성된다. 출입구에는 게이트 밸브가 설치될 수 있다. 챔버(10)에는 기판(S)을 이송시키는 이송부(미도시)가 설치될 수 있다. 이에, 챔버(10) 내부로 기판(S)을 이송시켜 기판(S)을 처리하는 공정을 수행할 수 있다.
또한, 챔버(10)에는 압력 펌프(15)가 연결될 수 있다. 이에, 압력 펌프(15)로 챔버(10) 내부의 압력 분위기를 제어할 수 있다. 그러나 챔버(10)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
기판 지지장치(100)는 챔버(10) 내부에서 기판(S)을 지지한다. 기판 지지장치(100)의 적어도 일부는 챔버(10) 내부에서 하부에 위치한다. 기판 지지장치(100)의 상부면에 기판(S)이 안착될 수 있다.
분사장치(20)는 기판(S)에 증착되는 원료 물질을 공급할 수 있다. 분사장치(20)는 적어도 일부가 챔버(10)의 내부에서 상부에 위치한다. 분사장치(20)는 기판 지지장치(100)와 마주보게 배치되고, 분사장치(20)와 기판 지지장치(100)는 상하방향으로 서로 이격된다.
예를 들어, 분사장치(20)는 샤워헤드 형태로 형성될 수 있다. 이에, 분사장치(20)는 외부에서 공급받은 원료 물질을 기판(S)의 상부면으로 분사할 수 있다. 따라서, 원료 물질이 기판(S) 상에 증착되어 박막을 형성할 수 있다. 그러나 분사장치(20)의 구조 및 기판(S)에 원료 물질을 증착하는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 표면 거칠기를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제1 몸체와 제2 몸체의 돌기 형상을 개략적으로 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조에 대해 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면 기판 지지장치(100)는 기판(S)을 지지하는 장치이다. 기판 지지장치(100)는 안착부(110) 및 지지부(120)를 포함한다. 또한, 기판 지지장치(100)는 가열부(130)를 더 포함할 수 있다. 이때, 기판 지지장치(100)는 기판 처리설비에 구비되어, 기판(S)을 처리하는 공정이 수행되는 동안 기판(S)을 지지해줄 수 있다.
지지부(120)는 안착부(110)의 하부에 연결된다. 이에, 지지부(120)가 안착부(110)를 지지해줄 수 있다. 지지부(120)는 샤프트를 포함한다. 또한, 지지부(120)는 상하구동기(미도시)와 회전구동기(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
샤프트는 상하방향으로 연장될 수 있다. 샤프트의 상단부는 안착부(110)의 하부면과 연결된다. 샤프트의 하단부는 챔버(10)의 바닥면에 고정될 수 있다. 또는, 샤프트의 하단부가 챔버(10)의 바닥을 관통하여 챔버(10) 외부에 위치할 수도 있다.
상하구동기는 샤프트와 연결된다. 예를 들어, 상하구동기는 실린더일 수 있고, 샤프트를 상하로 이동시킬 수 있다. 이에, 샤프트와 연결되는 안착부(110)가 상하방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 안착부(110)의 상부면에 안착된 기판(S)과 분사장치(20) 사이의 거리를 조절할 수 있다. 그러나 상하구동기가 샤프트를 상하로 이동시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
회전구동기는 샤프트와 연결된다. 예를 들어, 회전구동기는 모터일 수 있고, 샤프트를 상하방향 중심축을 기준으로 회전시킬 수 있다. 이에, 샤프트와 연결되는 안착부(110)가 샤프트를 중심으로 회전할 수 있다. 따라서, 안착부(110)의 상부면에 안착된 기판(S)을 회전시키면서, 분사장치(20)로 기판(S)에 원료 물질을 공급해줄 수 있다. 그러나 회전구동기가 샤프트를 회전시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
가열부(130)는 안착부(110)에 설치된다. 가열부(130)는 안착부(110)에 안착된 기판(S)을 가열할 수 있다. 예를 들어, 가열부(130)는 열을 발생시키는 코일이나 열선을 구비할 수 있다. 가열부(130)는 기판(S)이나 안착부(110)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 가열부(130)는 안착부(110)의 하부에 설치되거나, 안착부(110) 내부에 삽입되어 설치될 수 있다. 이에, 가열부(130)에서 발생시키는 열이 안착부(110)를 통해 기판(S)에 전달될 수 있다. 그러나 안착부(110)의 구조 및 열을 발생시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
안착부(110)는 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 안착부(110)는 기판(S)의 형상을 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)이 사각형이면 안착부(110)도 사각형 형태로 형성되고, 기판(S)이 원형이면 안착부(110)도 원형으로 형성될 수 있다. 이에, 안착부(110)의 상부면에 기판(S)이 안정적으로 안착되어 지지될 수 있다. 안착부(110)는 제1 몸체(111) 및 제2 몸체(112)를 포함한다.
제1 몸체(111)는 안착부(110)에서 기판(S)과 접촉할 수 있는 영역이다. 제1 몸체(111)는 기판(S)의 형상을 따라 형성될 수 있다. 제1 몸체(111)의 면적은 기판(S)의 면적보다 크거나 같은 크기로 형성될 수 있다. 이에, 기판(S)의 하부면 전체가 제1 몸체(111)와 접촉할 수 있다.
또한, 도 3과 같이 제1 몸체(111)의 표면(또는, 상부면)에는 기판(S)과 접촉할 수 있는 복수개의 돌기가 구비된다. 즉, 제1 몸체(111)의 표면이 거칠기를 가지기 때문에, 제1 몸체(111)의 표면에 복수개의 돌기가 형성될 수 있다. 제1 몸체(111)에 구비되는 돌기(111b)의 상부면 면적이 제2 몸체(112)에 구비되는 돌기(112b)의 상부면 면적보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제1 몸체(111)에 구비되는 돌기(111b)들의 상부면 총면적이, 제2 몸체(112)에 구비되는 돌기(112b)들의 상부면 총면적보다 크다. 또한, 제1 몸체(111)에 구비되는 돌기(111b) 하나의 상부면 면적(또는, 단위 면적)이, 제2 몸체(112)에 구비되는 돌기(112b) 하나의 상부면 면적(또는, 단위 면적)보다 크다.
예를 들어, 제1 몸체(111)에서 돌기의 단면 형상은 사다리꼴 형태로 형성되고, 제2 몸체(112)에서 돌기의 단면 형상은 삼각형 형태로 형성될 수 있다. 이에, 기판(S)과 제1 몸체(111)의 돌기가 접촉할 수 있는 면적이 증가할 수 있고, 기판(S)과 제1 몸체(111) 사이에 발생하는 마찰력의 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 기판(S)이 제1 몸체(111) 상에 미끄러지지 않고 안정적으로 안착될 수 있다.
또한, 제1 몸체(111)에서 기판(S)과 실제로 접촉하는 면적을 증가시킬 수 있기 때문에, 기판(S)을 고정하기 위한 별도의 쉐도우 프레임이 구비되지 않을 수 있다. 즉, 기판(S)이 제1 몸체(111)의 돌기 상에 안정적으로 지지되어 슬립이 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 쉐도우 프레임이 없어도 기판(S)이 제1 몸체(111) 상에 안정적으로 위치할 수 있다. 따라서, 안착부(110)와 쉐도우 프레임 사이의 마찰로 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 제1 몸체(111) 표면의 산술 평균 거칠기 값은 15 이상 내지 25μm 이하일 수 있다. 제1 몸체(111)의 산술 평균 거칠기 값이 15μm 미만인 경우, 제1 몸체(111)의 돌기의 상부면 면적을 증가시키기 어려워져 돌기 상의 기판(S)이 쉽게 슬라이딩될 수 있다. 이에, 기판(S)이 안착부(110) 상에 안정적으로 지지되지 못해, 기판(S)을 처리하는 공정을 안정적을 수행하지 못할 수 있다.
반대로, 제1 몸체(111)의 산술 평균 거칠기 값이 25μm를 초과하는 경우, 기판(S)과 제1 몸체(111) 사이에 마찰이 발생하여 파티클의 발생량이 증가할 수 있다. 따라서, 기판(S)을 안정적으로 지지하면서 파티클의 발생량을 감소시키기 위해, 제1 몸체(111)의 평균 표면 거칠기 값을 조절할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제2 몸체(112)는 안착부(110)에서 제1 몸체(111)의 둘레를 감싸는 영역이다. 제2 몸체(112)는 제1 몸체(111)의 둘레 형상을 따라 형성될 수 있다. 제2 몸체(112)는 기판(S)과 접촉하지 않을 수 있다. 이에, 제2 몸체(112)는 기판(S)과 이격될 수 있다. 제1 몸체(111)와 제2 몸체(112)는 일체형으로 제작될 수도 있고, 별도로 제작되어 조립될 수도 있다.
이때, 제2 몸체(112)에 의해 안착부(110)의 둘레면과 기판(S) 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 즉, 제2 몸체(112)의 외경 또는 크기가 증가할수록, 안착부(110)에서 열손실이 많이 발생하는 둘레면과, 기판(S)의 가장자리 영역 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 이에, 기판(S)의 가장자리 영역에서 중심부보다 열손실이 더 많이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 전체 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
도 3과 같이 제2 몸체(112)의 표면(또는, 상부면)에는 복수개의 돌기가 구비된다. 즉, 제2 몸체(112)의 표면이 거칠기를 가지기 때문에, 제2 몸체(112)의 표면에 복수개의 돌기가 형성될 수 있다. 제2 몸체(112)에 구비되는 돌기의 상부면 면적이 제1 몸체(111)에 구비되는 돌기의 상부면 면적보다 작게 형성될 수 있다. 이에, 제2 몸체(112)의 돌기의 상부면을, 제1 몸체(111)의 돌기의 상부면보다 뾰족하게 형성할 수 있다.
또한, 제2 몸체(112)에 구비되는 돌기들이 뾰족하게 형성되기 때문에, 피뢰침 역할을 할 수 있다. 따라서, 안착부(110)에 스파크가 발생할 때, 제2 몸체(112)로 유도될 수 있다. 이에, 스파크가 기판(S)과 이격되는 제2 몸체(112)에 발생하도록 유도하여, 제1 몸체(111) 상의 기판(S)으로 스파크가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
이때, 제2 몸체(112) 표면의 산술 평균 거칠기 값은 1.6 이상 내지 3.6μm 이하일 수 있다. 제2 몸체(112)의 산술 평균 거칠기 값이 1.6μm 미만인 경우, 스파크가 제2 몸체(112)에 유도되지 않을 수 있다. 즉, 제2 몸체(112)의 돌기들 사이가 너무 조밀해져 제2 몸체(112)의 상부면이 평평하게 형성될 수 있고, 돌기들이 피뢰침 역할을 하지 못할 수 있다. 따라서, 스파크가 제1 몸체(111)에 유도되어 기판(S)을 손상시킬 수 있다.
반대로, 제2 몸체(112)의 산술 평균 거칠기 값이 3.6μm를 초과하는 경우, 제2 몸체(112)에서 파티클 발생량이 증가할 수 있다. 따라서, 제2 몸체(112)에 스파크를 유도하면서 파티클 발생량을 감소시키기 위해, 제2 몸체(112)의 평균 표면 거칠기 값을 조절할 수 있다. 산술 평균 거칠기 값은, 제1 몸체(111)나 제2 몸체(112)의 거칠기 곡선에서, 평균선 아랫부분의 곡선을 평균선 위로 올린 후에 평균값을 구한 거칠기 값일 수 있다.
한편, 도 4의 (a)를 참조하면, 제1 몸체(111)의 상하방향 두께(D1)가 제2 몸체(112)의 상하방향 두께(D2)보다 크게 형성될 수 있다. 즉, 제1 몸체(111)와 제2 몸체(112)의 상부면은 동일한 높이에 위치하고, 제1 몸체(111)가 제2 몸체(112)보다 하측으로 더 돌출될 수 있다.
이때, 가열부(130)는 제1 몸체(111)에만 설치될 수 있다. 제2 몸체(112)의 두께가 제1 몸체(111)의 두께보다 작기 때문에, 가열부(130)에서 발생시키는 열이 제2 몸체(112)까지 용이하게 전달될 수 있다. 따라서, 기판(S)의 가장자리 영역에서 열 손실이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 전체 온도를 균일하게 제어할 수 있다.
또는, 도 4의 (b)와 같이 제1 몸체(111)의 상하방향 두께(D1)와 제2 몸체(112)의 상하방향 두께(D2)가 동일한 크기로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 몸체(111)와 제2 몸체(112)의 상부면과 하부면 모두가 동일한 높이에 위치할 수 있다. 또는 제1 몸체(111)의 상하방향 두께(D1)가 제2 몸체(112)의 상하방향 두께(D2)보다 작은 크기로 형성될 수도 있다.
이때, 가열부(130)는 제1 몸체(111)와 제2 몸체(112)에 모두에 설치될 수 있다. 제2 몸체(112)의 두께가 제1 몸체(112)의 두께 이상이기 때문에, 가열부(130)가 제1 몸체(111)에만 설치되면 제2 몸체(112)의 온도를 상승시키기 어려워질 수 있다. 이에, 제2 몸체(112)에서 열 손실이 발생하고, 제2 몸체(112)와 근접한 기판(S)의 가장자리 영역에서도 열 손실이 발생할 수 있다. 따라서, 제2 몸체(112)에도 가열부(130)를 설치하여 제2 몸체(112)에서 기판(S)의 가장자리 영역에서 열 손실이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 걸림부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 삽입부재가 제2 몸체에 설치되는 구조를 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조를 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 삽입홈에 걸림부재 또는 삽입부재가 설치되는 구조와 다른 실시 예에 따른 기판 지지장치의 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 제2 몸체(112)에 삽입홈(112a)이 형성될 수도 있다. 삽입홈(112a)은 제2 몸체(112)의 외곽면에서 내측을 향하여 파여진 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 삽입홈(112a)은 복수개가 구비되어 제2 몸체(112)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
또한, 안착부(110)는 걸림부재(116)를 더 포함할 수 있다. 걸림부재(116)는 삽입홈(112a)에 설치될 수 있다. 걸림부재(116)는 기판 지지장치(100)를 운반할 수 있는 운반장치(미도시)가 걸릴 수 있도록, 삽입홈에 분리 가능하게 설치될 수 있다. 걸림부재(116)는 삽입홈(112a)이 구비되는 개수만큼 복수개가 구비될 수 있다. 걸림부재(116)는 프레임(116a)와 아이 볼트(Eye bolt)(116b)를 포함할 수 있다. 프레임(116a)은 삽입홈(112a) 내에서 제1 몸체(111)의 측면에 결합될 수 있다. 제1 체결볼트(117)가 프레임(116a)을 관통하여 제1 몸체(111)의 측면에 형성된 체결구(111a) 체결될 수 있다. 제1 체결볼트(117)에 의해 프레임(116a)은 삽입홈(112a) 내에 고정되거나 분리될 수 있다.
아이 볼트(116b)의 하단부는 프레임(116a)의 상부에 체결되고, 상단부는 원형의 링이나 갈고리 형태로 형성될 수 있다. 크레인 등의 후크가 아이 볼트(116b)의 상단부에 걸릴 수 있다. 이에, 크레인과 같은 운반장치(미도시)를 이용하여 기판 지지장치(100)를 용이하게 이동시킬 수 있다. 그러나 걸림부재(116)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
도 6과 같이 삽입홈(112a)은 제1 홈과 제2 홈을 포함할 수 있다. 제1 홈은 제2 홈보다 상측에 위치하고, 제1 홈의 폭이 제2 홈의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 홈과 제2 홈 사이에 단차가 형성될 수 있다. 삽입홈(112a)에는 삽입부재(113) 또는 걸림부재(116)가 조립되어 설치될 수 있다. 그러나 삽입홈(112a)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
삽입부재(113)는 걸림부재(112)가 분리된 삽입홈(112a)에 분리 가능하게 설치될 수 있다. 삽입부재(113)는 삽입홈(112a)이 구비되는 개수만큼 복수개가 구비될 수 있다. 삽입부재(113)는 삽입홈(112a)의 형상을 따라 형성될 수 있다. 이에, 삽입부재(113)는 삽입홈(112a)에 의해 형성된 빈 공간을 채워줄 수 있다. 따라서, 안착부(110)에서 삽입홈(112a)이 형성된 부분에 의해, 안착부(110)의 둘레 영역과 기판(S)의 가장자리 영역이 근접해지는 것을, 삽입부재(113)가 방지할 수 있다. 제2 몸체(112)와 삽입부재(113)에 의해 기판(S) 전체의 온도를 균일하게 제어할 수 있다.
또한, 삽입부재(113) 상부의 폭이 하부의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 삽입부재(113)의 상부 폭은 제1 홈의 폭 이하의 크기로 형성되고, 제2 홈의 폭보다 크게 형성된다. 삽입부재(113)의 하부 폭은 제2 홈의 폭 이하의 크기로 형성된다. 따라서, 삽입부재(113)가 제1 홈과 제2 홈 사이의 단차(112c) 상에 안착될 수 있다. 이때, 제2 체결볼트(114)가 제1 홈과 제2 홈 사이의 단차(112c)를 관통하여 삽입부재(113)의 상부에 체결될 수 있다. 제2 체결볼트(114)에 의해 삽입부재(113)는 삽입홈(112a) 내에 고정되거나 분리될 수 있다.
삽입부재(113)는 세라믹을 포함하는 재질로 형성될 수 있다. 이때, 삽입홈(112a)의 적어도 일부와 삽입부재(113) 사이에 이격공간이 형성될 수 있다. 즉, 삽입부재(113)의 상부와 제1 홈 사이, 및 삽입부재(113)의 하부와 제2 홈 사이에 유격이 존재할 수 있다. 삽입부재(113)와 제2 몸체(112)의 재질이 다르기 때문에, 삽입부재(113)와 제2 몸체(112)의 열팽창률이 다를 수 있다. 삽입부재(113)와 제2 몸체(112) 사이에 유격이 존재하기 때문에, 삽입부재(113)나 제2 몸체(112)가 열팽창하면서 파손되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 삽입부재(113)의 구조와 형상 및 재질은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
따라서, 기판(S)을 처리하는 공정을 수행할 때는 삽입홈(112a)에 삽입부재(113)를 설치하고, 기판 지지장치(100)를 이동시키는 작업을 수행할 때는 삽입홈(112a)에 걸림부재(116)를 설치할 수 있다. 기판 지지장치(100)는 기판 처리설비에 설치될 때나 기판 처리설비 내부를 보수하는 작업을 수행할 때 운반장치에 의해 운반될 수 있다.
한편, 도 7의 (a)를 참조하면, 기판 지지장치(100)는 돌출부(140)를 더 포함할 수 있다. 돌출부(140)는 제2 몸체(112)의 표면에서 상측으로 돌출될 수 있다. 예를 들어, 돌출부(140)는 제2 몸체(112)에서 제1 몸체(111)와 연결되는 경계선에 위치할 수 있다.
또한, 돌출부(140)는 기판(S) 둘레의 적어도 일부를 감쌀 수 있도록 설치될 수 있다. 예를 들어, 돌출부(140)는 기판(S)의 둘레 형상을 따라 사각형 또는 원형의 링 형태로 형성될 수 있다. 또는, 복수개의 칸막이가 기판(S)의 둘레를 따라 배치되는 형태로 형성될 수도 있다. 이에, 돌출부(140)는 기판(S)이 제1 몸체(111) 상에서 슬라이딩되어 제2 몸체(112)로 진입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 기판(S)이 제1 몸체(111) 상에 안정적으로 지지된 상태를 유지할 수 있다.
이때, 도 7의 (b)와 같이 돌출부(140)에 히팅부재(145)가 설치될 수도 있다. 히팅부재(145)는 열선일 수 있다. 히팅부재(145)는 돌출부(140)의 내부 또는 기판(S)의 외측을 향하는 면에 설치될 수 있다. 따라서, 히팅부재(145)가 돌출부(140)와 마주보는 기판(S)의 가장자리 영역을 가열해줄 수 있다. 이에, 기판(S)의 가장자리 영역에서 온도가 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 기판(S)의 온도를 용이하게 조절할 수 있다. 히팅부재(145)는 가열부(130)와 동일한 온도로 열에너지를 발생시킬 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 실시 예들 간에 다양한 조합이 가능하다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 제작방법을 나타내는 플로우 차트이다. 하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지장치의 제작방법에 대해 설명하기로 한다.
도 8을 참조하면, 기판 지지장치의 제작방법은, 기판과 접촉할 수 있는 제1 영역과, 제1 영역의 둘레를 감싸는 제2 영역을 구비하는 안착부를 마련하는 과정(S110), 및 제1 영역의 표면을 가공하고, 제1 영역보다 표면 거칠기 값이 작아지도록 제2 영역의 표면을 가공하는 과정(S120)을 포함한다. 이때, 제1 영역은 안착부에 구비되는 제1 몸체의 상부면이고, 제2 영역은 안착부에 구비되는 제2 몸체의 상부면일 수 있다. 즉, 제1 영역은 안착부에 안착된 기판과 접촉하는 영역이고, 제2 영역은 안착부에 안착된 기판과 이격되는 영역일 수 있다. 또한, 표면 거칠기 값은 조도(粗度) 값일 수 있다.
우선, 도 1 내지 도 3을 참조해서 설명하면, 플레이트 형태로 형성되는 안착부(110)를 마련할 수 있다. 안착부(110)의 상부면은 기판이 안착되는 제1 영역과, 제1 영역의 둘레를 감싸는 제2 영역을 가진다.
그 다음, 제1 영역의 표면과 제2 영역의 표면의 표면 거칠기 값이 달라지도록, 제1 영역의 표면과 제2 영역의 표면을 가공하는 작업을 수행할 수 있다. 본 발명의 실시 예는 제1 영역의 표면을 먼저 가공하고, 제2 영역의 표면을 나중에 가공하는 것을 예시적으로 설명하기로 한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제2 영역의 표면을 가공한 후에, 제1 영역의 표면을 가공할 수도 있다.
제1 영역의 표면을 가공하기 전에, 제2 영역의 표면을 코팅제로 코팅할 수 있다. 예를 들어, 제2 영역의 표면에만 마스킹제를 도포하여 제2 영역의 표면만 코팅할 수 있다.
제2 영역의 표면이 코팅제로 코팅되면, 코팅제가 코팅되지 않은 제1 영역의 표면으로 알갱이(또는, 연마제)들을 분사할 수 있다. 예를 들어, 샌드블라스팅 방법으로 제1 영역의 표면을 연마할 수 있다. 알갱이 또는 연마제로 직경이 작은 글리드 글래스구, 규소, 해사 등이 사용될 수 있다. 제2 영역의 표면을 코팅제가 보호해주고 있기 때문에, 제1 영역으로 분사되는 알갱이들에 의해 제2 영역의 표면은 가공되지 않을 수 있다. 그러나 알갱이의 종류는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
이때, 제1 영역 표면의 산술 평균 거칠기 값은 15 이상 내지 25μm 이하일 수 있다. 제1 영역 표면의 산술 평균 거칠기 값이 15μm 미만인 경우, 기판(S)과 제1 영역의 접촉면적이 감소하여 기판(S)이 슬라이딩될 수 있다. 이에, 기판(S)이 안착부(110) 상에 안정적으로 지지되지 못해, 기판(S)을 처리하는 공정을 안정적을 수행하지 못할 수 있다.
반대로, 제1 영역의 산술 평균 거칠기 값이 25μm를 초과하는 경우, 기판(S)과 제1 영역 사이에 마찰이 발생하여 파티클의 발생량이 증가할 수 있다. 따라서, 기판(S)을 안정적으로 지지하면서 파티클의 발생량을 감소시키기 위해, 제1 영역의 평균 조도값을 조절할 수 있다.
한편, 제1 영역과 기판(S)의 접촉면적을 증가시키기 위해, 제1 영역을 가공하는 작업을 더 수행할 수도 있다. 예를 들어, 제1 영역의 표면에 대해 박피와 같은 후처리를 수행할 수 있다. 제1 영역의 표면이 박피되면, 제1 영역에 형성된 돌기들의 상단부가 평탄화될 수 있다. 따라서, 제1 영역의 돌기들과 기판(S)의 접촉면적이 증가하여, 기판(S)이 안정적으로 위치가 고정될 수 있다. 이에, 기판(S)을 고정하기 위한 별도의 쉐도우 프레임을 구비하지 않더라도, 제1 영역이 가지는 조도값에 의해 제1 영역의 표면에 기판(S)이 안정적으로 지지될 수 있고, 쉐도우 프레임을 구비하였을 때 발생하는 문제들을 해결할 수 있다.
그 다음, 제2 영역에서 코팅제를 제거하고, 알갱이들에 의해 연마된 제1 영역의 표면을 코팅제로 코팅할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역의 표면에만 마스킹제를 도포하여 제1 영역의 표면만 코팅할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제1 영역을 코팅제로 코팅한 후에 제2 영역에서 코팅제를 제거할 수도 있고, 제2 영역의 코팅제를 제거하는 작업과 제1 영역을 코팅하는 작업이 동시에 수행될 수도 있다.
제1 영역의 표면이 코팅제로 코팅되면, 코팅제가 제거된 제2 영역의 표면에 알갱이(또는, 연마제)들을 분사할 수 있다. 예를 들어, 샌드블라스팅 방법으로 제2 영역의 표면을 연마할 수 있다. 알갱이 또는 연마제로 직경이 작은 글리드 글래스구, 규소, 해사 등이 사용될 수 있다. 제1 영역의 표면을 코팅제가 보호해주고 있기 때문에, 제2 영역으로 분사되는 알갱이들에 의해 제1 영역의 표면은 가공되지 않을 수 있다. 그러나 알갱이의 종류는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.
이때, 제2 영역으로 분사되는 알갱이들의 평균 직경이, 제1 영역에 분사된 알갱이들의 평균 직경보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 영역의 표면 거칠기 값이 제1 영역의 표면 거칠기 값보다 작아질 수 있다. 제1 영역과 제2 영역의 표면에는 분사된 알갱이들로 인해 복수개의 돌기가 형성된다. 제2 영역의 표면 거칠기 값이 작기 때문에, 제1 영역에 형성되는 돌기에 비해 제2 영역에 형성되는 돌기들이 밀집된 형태로 배치된다.
또한, 제2 영역에 형성되는 돌기들은 별도로 평탄화 과정을 거치지 않기 때문에, 뾰족한 형태로 형성될 수 있다. 이에, 제2 영역의 돌기들이 피뢰침 역할을 할 수 있기 때문에, 안착부(110)에 스파크가 발생할 때 제2 영역으로 유도할 수 있다. 제1 영역 상의 기판(S)으로는 스파크가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
이때, 제2 영역 표면의 산술 평균 거칠기 값은 1.6 이상 내지 3.6μm 이하일 수 있다. 제2 영역 표면의 산술 평균 거칠기 값이 1.6μm 미만인 경우, 스파크가 제2 영역에 유도되지 않을 수 있다. 즉, 제2 영역의 돌기들 사이가 너무 조밀해져 제2 영역의 표면이 전체적으로 평평하게 형성될 수 있고, 돌기들이 피뢰침 역할을 하지 못할 수 있다. 따라서, 스파크가 제1 영역 상의 기판(S)으로 유도되어 기판(S)을 손상시킬 수 있다.
반대로, 제2 영역 표면의 산술 평균 거칠기 값이 3.6μm를 초과하는 경우, 제2 영역에서 파티클 발생량이 증가할 수 있다. 따라서, 제2 영역에 스파크를 유도하면서 파티클 발생량을 감소시키기 위해, 제2 영역의 평균 조도값을 조절할 수 있다.
제2 영역은 기판이 안착되는 제1 영역의 둘레를 감싸는 영역이다. 따라서, 제2 영역에 의해 안착부(110)의 둘레면과 기판(S) 사이의 이격거리가 증가될 수 있다. 즉, 제2 영역의 외경 또는 크기가 증가할수록, 안착부(110)에서 열손실이 많이 발생하는 둘레면과, 기판(S)의 가장자리 영역 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 이에, 기판(S)의 가장자리 영역에서 중심부보다 열손실이 더 많이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있기 때문에, 기판(S)의 전체 온도가 균일하게 조절될 수 있다.
그 다음, 코팅제가 코팅된 제1 영역에서 코팅제를 제거할 수 있다. 따라서, 제1 영역과 제2 영역이 서로 다른 표면 거칠기 값을 가지도록 가공될 수 있다. 또한, 제1 영역의 표면이 후처리되어 제1 영역의 돌기와 제2 영역의 돌기가 다른 형태로 형성될 수 있다.
그 다음, 기판 지지장치(100)를 챔버(10) 내부에 설치할 수 있다. 이때, 도 5와 도 6을 참조하면, 안착부(110)의 둘레에는 삽입홈(112a)을 형성될 수 있다. 즉, 삽입홈(112a)이 형성된 안착부(110)가 마련될 수 있다. 삽입홈(112a)은 안착부(110)의 둘레면에서 내측으로 파여진 형태로 형성될 수 있다.
그 다음, 삽입홈(112a) 내에 걸림부재(116)를 설치할 수 있다. 걸림부재(116)는 아이 볼트(116b)를 구비한다. 걸림부재(116)의 아이 볼트(116b)가 운반장치와 직접적 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 따라서, 운반장치(미도시)가 걸림부재(116)와 연결된 상태에서 기판 지지장치(100)를 운반할 수 있다. 이에, 운반장치의 작동을 제어하여 기판 지지장치(100)를 챔버(10) 내부에 위치시킬 수 있다.
그 다음, 삽입홈(112a) 내에 설치된 걸림부재(116)를 분리할 수 있다. 걸림부재(116)가 분리된 삽입홈(112a)을 메울 수 있다. 예를 들어, 삽입홈(112a)의 형상을 따라 형성되는 삽입부재(113)를 마련하고, 삽입부재(113)를 삽입홈(112a)에 설치할 수 있다. 삽입부재(113)는 삽입홈(112a)에 의해 형성된 빈 공간을 채워줄 수 있다. 따라서, 안착부(110)에서 삽입홈(112a)이 형성된 부분에 의해, 안착부(110)의 둘레면과 기판(S)의 가장자리 영역이 근접해지는 것을, 삽입부재(113)가 방지할 수 있다.
이처럼 기판 지지장치의 상부면을 가공하여, 쉐도우 프레임을 구비하지 않더라도 안착부에 기판을 안정적으로 안착시킬 수 있다. 이에, 안착부와 쉐도우 프레임 사이의 마찰로 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제1 영역의 둘레를 감싸는 제2 영역을 마련하여, 안착부의 둘레면과 기판 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 즉, 안착부에서 열손실이 많이 발생하는 둘레와 기판의 가장자리 영역 사이의 이격거리를 증가시킬 수 있다. 이에, 기판의 가장자리 영역에서 중심 영역보다 열손실이 많이 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 용이하게 기판의 전체 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
또한, 안착부의 상부면에서 기판과 이격되는 영역의 조도값을, 기판이 안착되는 영역의 조도값보다 작게 형성할 수 있다. 이에, 스파크가 기판과 이격되는 영역에 발생하도록 유도하여, 기판에 스파크가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
S: 기판
10: 챔버
15: 압력 펌프 20: 분사장치
100: 기판 지지장치 110: 안착부
111: 제1 몸체 112: 제2 몸체
113: 삽입부재 116: 걸림부재
120: 지지부 130: 가열부
15: 압력 펌프 20: 분사장치
100: 기판 지지장치 110: 안착부
111: 제1 몸체 112: 제2 몸체
113: 삽입부재 116: 걸림부재
120: 지지부 130: 가열부
Claims (18)
- 기판이 안착될 수 있도록, 상기 기판과 접촉할 수 있는 제1 몸체와 상기 제1 몸체의 둘레를 감싸는 제2 몸체를 구비하는 안착부; 및
상기 안착부를 지지하도록, 상기 안착부의 하부에 연결되는 지지부;를 포함하며,
상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 복수개의 돌기가 구비되고, 상기 제1 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적이 상기 제2 몸체에 구비되는 돌기의 상부면 면적보다 크게 형성되는 기판 지지장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제2 몸체가 상기 제1 몸체보다 표면 거칠기 값이 작은 기판 지지장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 제1 몸체 표면의 산술 평균 거칠기 값은 15 이상 내지 25μm 이하이고,
상기 제2 몸체 표면의 산술 평균 거칠기 값은 1.6 이상 내지 3.6μm 이하인 기판 지지장치. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안착부에 안착된 기판을 가열하도록, 상기 안착부에 설치되는 가열부를 더 포함하는 기판 지지장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 제1 몸체의 상하방향 두께가 상기 제2 몸체의 상하방향 두께보다 크게 형성되고,
상기 가열부는 상기 제1 몸체에만 설치되는 기판 지지장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 제1 몸체의 상하방향 두께가 상기 제2 몸체의 상하방향 두께 이하의 크기로 형성되고,
상기 가열부는 상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 설치되는 기판 지지장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 제2 몸체의 표면에서 상측으로 돌출되어 상기 기판 둘레의 적어도 일부를 감쌀 수 있도록 설치되는 돌출부를 더 포함하는 기판 지지장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 돌출부는, 상기 기판의 가장자리 영역을 가열하도록 히팅부재를 구비하는 기판 지지장치. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 몸체에 삽입홈이 형성되고,
상기 안착부는, 상기 기판 지지장치를 운반할 수 있는 운반장치가 걸릴 수 있도록, 상기 삽입홈에 분리 가능하게 설치되는 걸림부재를 포함하는 기판 지지장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 안착부는, 상기 걸림부재가 분리된 삽입홈에 분리 가능하게 설치되는 삽입부재를 포함하는 기판 지지장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 삽입홈의 적어도 일부와 상기 삽입부재 사이에 이격공간이 형성되는 기판 지지장치. - 기판을 지지하는 기판 지지장치를 제작하는 방법으로서,
기판과 접촉할 수 있는 제1 영역과, 상기 제1 영역의 둘레를 감싸는 제2 영역을 구비하는 안착부를 마련하는 과정; 및
상기 제1 영역의 표면을 가공하고, 상기 제1 영역보다 표면 거칠기 값이 작아지도록 상기 제2 영역의 표면을 가공하는 과정;을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 제1 영역의 표면을 가공하는 과정은,
상기 제1 영역과 상기 기판의 접촉면적을 증가시키도록 가공하는 과정을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 12에 있어서,
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공하는 과정은,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 중 일 영역의 표면을 코팅제로 코팅하고, 타 영역에 알갱이를 분사하는 과정;
상기 일 영역에서 코팅제를 제거하고, 상기 타 영역의 표면을 다른 코팅제로 코팅하는 과정;
상기 일 영역의 표면에 알갱이를 분사하는 과정; 및
상기 타 영역에서 코팅제를 제거하는 과정을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 14에 있어서,
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공하는 과정은,
상기 제1 영역에 분사된 알갱이보다 직경이 작은 알갱이를 상기 제2 영역에 분사하는 과정을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 영역과 제2 영역의 표면을 가공한 후에,
상기 기판 지지장치를 챔버 내부에 설치하는 과정을 더 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 16에 있어서,
상기 안착부를 마련하는 과정은, 상기 안착부의 둘레에 삽입홈을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 기판 지지장치를 챔버 내부에 설치하는 과정은,
상기 삽입홈에 걸림부재를 설치하고, 운반장치에 상기 걸림부재를 걸리게 하는 과정; 및
상기 운반장치로 기판 지지장치를 상기 챔버 내부에 위치시키는 과정;을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법. - 청구항 17에 있어서,
상기 기판 지지장치를 챔버 내부로 설치하는 과정은,
상기 삽입홈에서 상기 걸림부재를 분리하는 과정; 및
상기 삽입홈을 메우는 과정;을 포함하는 기판 지지장치의 제작방법.
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US20240194455A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-13 | Intevac, Inc. | Method and apparatus for uniform high throughput multiple layer films |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004247345A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
KR20060023735A (ko) * | 2004-09-10 | 2006-03-15 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이송 아암 |
KR20110061506A (ko) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
KR20130058312A (ko) * | 2011-11-25 | 2013-06-04 | (주)위지트 | 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치 |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5548470A (en) * | 1994-07-19 | 1996-08-20 | International Business Machines Corporation | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity |
US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
US7477490B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-01-13 | Seagate Technology Llc | Single sensor element that is naturally differentiated |
US8540819B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-09-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic heater |
JP2015082384A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、給電ユニット、及び載置台システム |
US10020218B2 (en) * | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
US10654147B2 (en) * | 2017-10-17 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing of electrostatic substrate support geometries |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004247345A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
KR20060023735A (ko) * | 2004-09-10 | 2006-03-15 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이송 아암 |
KR20110061506A (ko) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
KR20130058312A (ko) * | 2011-11-25 | 2013-06-04 | (주)위지트 | 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치 |
KR101628813B1 (ko) | 2015-01-05 | 2016-06-09 | 주식회사 엠에스티엔지니어링 | 쉐도우 프레임 |
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