KR20110060474A - 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110060474A KR20110060474A KR1020090117071A KR20090117071A KR20110060474A KR 20110060474 A KR20110060474 A KR 20110060474A KR 1020090117071 A KR1020090117071 A KR 1020090117071A KR 20090117071 A KR20090117071 A KR 20090117071A KR 20110060474 A KR20110060474 A KR 20110060474A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- anode electrode
- layer
- ito
- sub pixel
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 102
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법을 개시한다.
본 발명은 서브 픽셀별로 애노드 전극의 두께를 상이하게 형성하고, 단순한 유기물 적층구조에 의해 하부 반사 전극의 손상을 방지하여 불량감소를 통한 품질향상 및 재료비 저감을 도모할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하부 반사 전극의 손상을 방지할 수 있는 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 전계 발광소자(OLED: Organic Light Emitting Device)는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며 광시야각, 빠른 응답속도 등 액정표지 장치에 있어서 문제점으로 지적된 결점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기 전계 발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 기능성 박막 형태의 유기 발광층이 삽입되어 있는 구조로, 양극에서 정공이 주입되고 음극에서 전자가 주입되어 유기 발광층 내에서 전자와 정공이 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 발광 재결합하면서 빛을 내는 소자이다.
유기 전계 발광소자는 기판 방향으로 빛을 발광하는 배면 발광형(Bottom Emission)과 기판의 반대 방향으로 빛을 발광하는 전면 발광형(Top Emission)으로 구분된다. 배면 발광형 유기 전계 발광소자는 박막 트랜지스터(TFT) 회로가 내장된 경우 TFT 회로가 기판을 차지하는 넓은 면적으로 인하여 빛이 나올 수 있는 면적, 즉 개구율에 제약을 받는 단점이 있다. 반면 전면 발광형 유기 전계 발광소자는 TFT 회로가 차지하는 면적에 관계없이 넓은 면적을 발광 영역으로 사용할 수 있어 개구율이 우수한 장점이 있다.
전면 발광형 유기발광 소자 제작시, TFT 회로의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 애노드 전극 하부에 광추출을 높이기 위해 반사막을 형성한다. 그러나, 반사막과 애노드 전극 및 캐소드 전극 간의 미세공진 효과(Micro Cavity Effect) 때문에 정확한 스펙트럼의 색이 나오지 않고 파장이 분리(split)되거나 색에 따라 휘도와 색좌표가 변할 수 있다. 그리고 반사막의 습식 에칭시 반사막에 포함되는 금속이 에천트 약액의 침투 등에 의해 손상되는 문제점이 있다.
또한 상기 미세공진에 의한 단점을 보완하기 위해 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 유기층에 버퍼층(Buffer layer)을 형성하여 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 거리를 조절함으로써 적절한 공진 구조를 형성하는데, 이때 R,G,B별로 차등 두께의 버퍼층을 형성하기 위해서는 증착 마스크(mask)가 추가되어야 하며, 유기재료의 손실(loss)도 증가하게 된다.
본 발명은 서브 픽셀별로 애노드 전극의 두께가 상이한 유기 발광 디스플레이를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 단순한 유기물 적층구조를 이용하여, 하부 반사 전극의 손상을 방지하여 불량감소를 통한 품질향상 및 재료비 저감을 도모할 수 있는 유기 발광 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판의 제1 내지 제3 서브 픽셀 영역에 이격되어 형성된 제1 애노드 전극; 상기 제1 애노드 전극의 상단부를 덮도록 상기 기판 상에 구비되고, 상기 기판을 노출시키는 클래드; 상기 제1 서브 픽셀 영역 및 상기 제2 서브 픽셀 영역의 상기 제1 애노드 전극 상부에 형성된 제2 애노드 전극; 및 상기 제1 서브 픽셀 영역의 상기 제2 애노드 전극 상부에 형성된 제3 애노드 전극;을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법은, 기판의 제1 내지 제3 서브 픽셀 영역에 제1 애노드 전극을 이격시켜 형성하는 단계; 상기 제1 애노드 전극의 상단부를 덮고, 상기 기판의 일부를 노출시키는 클래드를 형성하는 단계; 상기 제1 서브 픽셀 영역 및 상기 제2 서브 픽셀 영역의 상기 제1 애노드 전극 상부에 제2 애노드 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 서브 픽셀 영역의 상기 제2 애노드 전극 상부에 제3 애노드 전극을 형성하는 단계;를 포 함할 수 있다.
상기 클래드, 제2 애노드 전극, 및 제3 애노드 전극은 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 클래드는, 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 애노드 전극은, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO, ATD, 및 ITO/APC/ITO 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제2 애노드 전극 및 상기 제3 애노드 전극은, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 서브 픽셀은 적색 서브 픽셀이고, 상기 제2 서브 픽셀은 녹색 서브 픽셀이고, 상기 제3 서브 픽셀은 청색 서브 픽셀일 수 있다.
본 발명은 서브 픽셀별로 ITO층을 선택적으로 성막함으로써 애노드 전극의 두께를 차등 형성하기 때문에, 서브 픽셀별로 공진을 위한 두께를 제어하기 위해 별도의 버퍼층 등을 형성하기 위한 증착 마스크의 추가가 필요치 않다.
또한 본 발명은 반사막으로서 기능하는 애노드 전극의 모서리부에 유기 클래드를 형성함으로써, 그 위에 형성되는 투명 산화막(예를 들어, ITO층)의 습식 에칭(wet etch)시 금속층의 손상, 애노드 전극으로의 에천트 약액 침투, 전극 뜯김 등의 불량을 억제할 수 있다. 따라서 반사막의 손상없이 ITO층의 패터닝이 가능하 므로 불량감소를 통한 품질향상 및 재료비 저감에 의해 생산성 향상에 기여할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도면들 중 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호들 및 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판(100) 및 기판(100)에 형성된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀 영역들을 포함한다.
기판(100)은 글래스재로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플라스틱재, 금속재 등도 적용 가능하다. 이 기판(100) 상에는 도면에 도시하지 않았지만, 표면의 평탄화와 기판으로부터의 불순물 확산을 방지할 수 있도록 별 도의 절연막이 더 형성될 수 있다. 이 기판(100)은 투명한 기판이 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 불투명한 기판을 사용할 수 있음은 물론이다.
상기 기판(100) 상부에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀 영역들에 대응하여 다층 구조의 애노드 전극(300)이 서로 이격되어 형성된다. 애노드 전극(300)은 서브 픽셀 영역별로 전체 두께가 다르게 형성된다. 적색 서브 픽셀(R)은 제1 애노드 전극(301), 제2 애노드 전극(302) 및 제3 애노드 전극(303)을 구비하고, 녹색 서브 픽셀(G)은 제1 애노드 전극(301) 및 제2 애노드 전극(302)을 구비하고, 청색 서브 픽셀(B)은 제1 애노드 전극(301)을 구비한다. 각 서브 픽셀의 제1 애노드 전극(301)의 양단에는 유기 절연막(305)이 구비된다.
상기 애노드 전극들(300) 사이에는 상기 애노드 전극들(300)의 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 화소정의막(500)이 구비된다.
상기 노출된 애노드 전극들(300) 상부에 적어도 발광층을 갖는 유기막(320)을 형성한다. 상기 유기막(320) 상부에는 상기 애노드 전극들(300)에 대향하는 캐소드 전극(340)이 형성된다.
상기 기판(100)의 상부에는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 애노드 전극들(300)과 전기적으로 연결되는 구동 회로(TFT)(120)를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판(100)의 상면에는 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층 및/또는 버퍼층과 같은 절연층(112)이 형성될 수 있다.
상기 절연층(112) 상에 TFT의 활성층(121)이 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(113)이 형성된다. 활성층(121)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다.
활성층(121)은 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 이 경우 소정 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 물론 활성층(121)은 폴리 실리콘이 아닌 아모포스 실리콘으로 형성될 수도 있고, 나아가 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 형성될 수도 있다. 활성층(121)이 폴리 실리콘으로 형성될 경우 아모포스 실리콘을 형성하고 이를 결정화시켜 폴리 실리콘으로 변화시키는데, 이러한 결정화 방법으로는 RTA(Lapid Thermal Annealing)공정, SPC법(Solid Phase Crystallzation), ELA법(Excimer Laser Annealing), MIC(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 등 다양한 방법이 적용될 수 있다.
게이트 절연막(113)은 반도체층(121)과 게이트 전극(123) 사이를 절연하기 위해 구비된다. 게이트 절연막(113)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 물론 이 외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다.
게이트 절연막(113) 상에는 게이트 전극(123)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(114)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(114) 상에는 소스 및 드레인 전극(125)이 콘택홀(127)을 통해 활성층(121)과 연결된다.
게이트 전극(123)은 다양한 도전성 물질로 형성할 수 있다. 예컨대 Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, MoW 또는 Au 등의 물질로 형성할 수 있으며, 이 경우에도 단일층 뿐만 아니라 복수층의 형상으로 형성할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
층간 절연막(114)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 물론 이 외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 상기 층간 절연막(114)과 게이트 절연막(113)을 선택적으로 제거하여 소스 및 드레인 영역이 노출되는 콘택홀(127)을 형성할 수 있다. 그리고 상기 콘택홀(127)이 매립되도록 층간 절연막(114) 상에 전술한 게이트 전극(123)용 물질로, 단일층 또는 복수층의 형상으로 소스 및 드레인 전극(125)을 형성한다.
소스 및 드레인 전극(125) 상부에는 평탄화막(115)이 구비되어 하부의 박막 트랜지스터를 보호하고 평탄화시킨다. 평탄화막(115)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(benzocyclobutene) 또는 아크릴(acryl) 등과 같은 유기물, 또는 SiNx와 같은 무기물로 형성될 수도 있다. 또한 평탄화막(115)은 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
상기 평탄화막(115)의 상부에는 상기 애노드 전극(300)이 형성되고, 상기 애노드 전극(300)은 비어홀(130)을 통하여 소스 및 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결된다.
상술한 바와 같은 TFT의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 디스 플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 이하에서는 기판(100) 상부에 구비되는 TFT의 제조 과정은 생략하겠다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀별로 제1 애노드 전극(301)을 형성한다. 상기 제1 애노드 전극(301)은 금속층과, 상기 금속층 상하부의 전도성 산화막에 의한 다층 구조로서, 상기 제1 애노드 전극(301)은 ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide), ATD(ITO/Ag합금/ITO), ITO/APC(Ag-Pd-Cu합금)/ITO, 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 제1 애노드 전극(301)은 금속층을 포함함으로써 반사막으로서의 역할을 한다. 따라서 본 발명에서는 제1 애노드 전극(301)을 반사막 또는 반사 전극과 혼용하여 사용하겠다. 본 실시예에서는 ITO/Ag/ITO 다층 전도막인 제1 애노드 전극(301)이 형성된다. 제1 애노드 전극(301)은 진공 증착, 또는 스퍼터링에 의해 각 층이 차례로 적층된 후, 포토리소그래피법에 의해 동시에 에칭 및 패터닝될 수 있다. 에천트 액은 질산 또는 초산을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 애노드 전극(301)의 상부에 포토리소그래피 공정에 의해 클래드(305)가 형성된다. 상기 클래드(305)는 제1 애노드 전극(301)의 상단부 및 측면을 덮고, 상기 제1 애노드 전극(301)의 일부(상기 상단부를 제외한 부분)와 상기 기판(100)의 일부를 노출시킨다.
도 4(a)를 참조하면, 제1 애노드 전극(301)이 형성된 기판(100) 전면에, 절연막(305a)이 진공 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성된다. 절연막(305a)은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 등의 유기 절연물질 중 하나일 수 있다. 도 4(b)를 참조하면, 이 절연막(305a)을 덮도록 기판(100) 상부에 포토레지스트를 도포한다. 포토레지스트가 도포된 절연막(305a)을 포토 마스크(미도시)를 통해 노광 및 현상하여 제1 애노드 전극(301)의 상단부에 포토레지스트 패턴(500)을 형성한다. 도 4(c)를 참조하면, 포토레지스트 패턴(500)을 마스크로 사용하여 절연막(305a)을 에칭하여 포토레지스트 패턴(500)이 형성되지 않은 절연막(305a)을 제거한다. 에칭은 습식 에칭(wet etching)이 사용될 수 있다. 에천트 액은 질산 또는 초산을 포함할 수 있다. 이후, 스트리퍼(stripper)를 이용하여 절연막(305a) 상부에 잔존하는 포토레지스트 패턴(500)을 제거한다. 이로써 적색 서브 픽셀(R) 영역, 녹색 서브 픽셀(G) 영역, 및 청색 서브 픽셀(B) 영역의 제1 애노드 전극(301)의 상단부에 클래드(305)가 형성된다. 이후 클래드(305)는 UV 조사(irradiation) 또는 가열에 의해 경화된다. 클래드(305)는 제1 애노드 전극(301)의 상단부를 덮도록 얇게 형성될 수도 있고, 클래드(305)가 화소정의막을 겸하는 경우에는 서브 픽셀 간의 손상을 방지할 수 있도록 약 2㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 클래드(305)는 후술되는 제2 애노드 전극(302)과 제3 애노드 전극(303)의 습식 에칭시 제1 애노드 전극(301)의 금속층의 손상을 방지한다. 클래드(305)는 습식 에칭시 제1 애노드 전극(301)으로의 에천트 약액 침투나 전극 뜯김 불량에 의한 손상 또한 억제할 수 있다. 따라서 제1 애노드 전극(301)의 손상없이 투명 전도층인 제2 애노드 전극(302)과 제3 애노드 전극(303)의 패터닝이 가능하므로 생산성 향상에 기여할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 클래드(305)가 형성된 제1 애노드 전극(301) 상부에 포토리소그래피 공정에 의해 제2 애노드 전극(302)이 형성된다. 상기 제2 애노드 전극(302)은 적색 서브 픽셀(R) 영역과 녹색 서브 픽셀(G) 영역에만 형성된다.
도 5(a)를 참조하면, 제1 애노드 전극(301) 및 클래드(305)를 덮도록 기판(100) 전면에 증착 또는 스퍼터링에 의해 투명 전도층(302a)을 형성한다. 상기 투명 전도층(302a)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 전도물일 수 있다. 도 5(b)를 참조하면, 이 투명 전도층(302a)을 덮도록 기판(100) 상부에 포토레지스트를 도포한다. 포토레지스트가 도포된 투명 전도층(302a)을 포토 마스크(미도시)를 통해 노광 및 현상하여 적색 서브 픽셀(R) 영역의 제1 애노드 전극(301)과 녹색 서브 픽셀(G) 영역의 제1 애노드 전극(301) 상부에 포토레지스트 패턴(500)을 형성한다. 도 5(c)를 참조하면, 포토레지스트 패턴(500)을 마스크로 사용하여 투명 전도층(302a)을 에칭하여 포토레지스트 패턴(500)이 형성되지 않은 투명 전도층(302a)을 제거한다. 에칭은 습식 에칭(wet etching)이 사용될 수 있다. 에천트 액은 질산 또는 초산을 포함할 수 있다. 이후, 스트리퍼(stripper)를 이용하여 투명 전도층(302a) 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴(500)을 제거한다. 이로써 적색 서브 픽셀(R) 영역의 제1 애노드 전극(301)과 녹색 서브 픽셀(G) 영역의 제1 애노드 전극(301) 상부에 제2 애노드 전극(302)이 형성된다. 이후 제2 애노드 전극(302)은 UV 조사 또는 가열에 의해 경화된다.
도 6을 참조하면, 상기 제2 애노드 전극(302) 상부에 포토리소그래피 공정에 의해 제3 애노드 전극(302)이 형성된다. 상기 제3 애노드 전극(302)은 적색 서브 픽셀(R) 영역에만 형성된다.
도 6(a)를 참조하면, 청색 서브 픽셀(B) 영역의 제1 애노드 전극(301), 적색 서브 픽셀(R) 영역과 녹색 서브 픽셀(G) 영역의 제2 애노드 전극(302), 및 클래드(305)를 덮도록 기판(100) 전면에 증착 또는 스퍼터링에 의해 투명 전도층(303a)을 형성한다. 상기 투명 전도층(303a)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 전도물일 수 있다. 도 6(b)를 참조하면, 이 투명 전도층(303a)을 덮도록 기판(100) 상부에 포토레지스트를 도포한다. 포토레지스트가 도포된 투명 전도층(303a)을 포토 마스크(미도시)를 통해 노광 및 현상하여 적색 서브 픽셀(R) 영역의 제2 애노드 전극(302) 상부에 포토레지스트 패턴(500)을 형성한다. 도 6(c)를 참조하면, 포토레지스트 패턴(500)을 마스크로 사용하여 투명 전도층(303a)을 에칭하여 포토레지스트 패턴(500)이 형성되지 않은 투명 전도층(303a)을 제거한다. 에칭은 습식 에칭(wet etching)이 사용될 수 있다. 에천트 액은 질산 또는 초산을 포함할 수 있다. 이후, 스트리퍼(stripper)를 이용하여 투명 전도층(303a)에 잔존하는 포토레지스트 패턴(500)을 제거한다. 이로써 적색 서브 픽셀(R) 영역의 제2 애노드 전극(302) 상부에 제3 애노드 전극(303)이 형성된다. 이후 제3 애노드 전극(303)은 UV 조사 또는 가열에 의해 경화된다.
도 4 내지 도 6의 제조 공정에 따라, 적색 서브 픽셀(R) 영역에서는 3층의 애노드 전극(300)이 형성되고, 녹색 서브 픽셀(G) 영역에서는 2층의 애노드 전극(300)이 형성되고, 청색 서브 픽셀(B) 영역에서는 1층의 애노드 전극(300)이 형 성된다. 따라서 애노드 전극(300)은 서브 픽셀 별로 상이한 다층 구조를 가짐으로써 서브 픽셀별로 두께 제어가 가능해진다. 또한, 제1 내지 제3 애노드 전극(301, 302, 303)의 두께는, 서로 동일하게 할 필요는 없으며, 각 서브 픽셀의 광추출을 효율적으로 달성할 수 있는 최적 두께가 되도록 상이하게 성막할 수 있다. 이는 각 층의 성막 시간을 조정함으로써 이뤄질 수 있다.
도 7을 참조하면, 애노드 전극(300)이 형성된 기판(100) 전체에 걸쳐 화소정의막(500)을 증착한다. 상기 화소정의막(500)은 단위 화소부를 정의하는 절연막이다. 상기 화소정의막(500)은 유기물, 무기물, 또는 유무기물 복합 다층 구조로 형성될 수 있다. 무기물로서는 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물 등의 무기물 중에서 선택된 물질을 사용할 수 있다. 유기물로서는 상기 클래드(305)와 동일한 물질로, 예를 들어, 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 등의 유기 절연물질 중 하나일 수 있다. 상기 화소정의막(500)을 에칭하여 상기 애노드 전극(300)의 일부를 노출시켜 개구부를 형성한다. 본 실시예에서는 클래드(305)와 별도로 화소정의막(500)을 형성하는 구조를 도시하였으나, 상기 클래드(305)가 화소정의막(500)의 역할을 하도록 형성될 수도 있다. 이 경우 별도의 화소정의막(500) 제조 공정이 생략될 수 있다.
이후, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 애노드 전극(300)의 개구부 내에 유기막층(320)이 형성된다. 상기 유기막층(320)은 적어도 유기 발광층(EML: emissive layer)을 포함하며 그 외에 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송 층(HTL: hole transport layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다.
유기막층(320)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이러한 저분자 유기층은 진공 중에서 유기물을 가열하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있는 데, 그 중 발광층의 형성은 픽셀에 대응되도록 소정 패턴의 슬릿(slit)이 구비된 마스크를 개재하여 칼라별로 순차로 증착하여 형성할 수 있다. 고분자 유기물의 경우에는 대개 정공 수송층 및 발광층으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이때, 상기 정공 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 유기막층(320)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
이어서, 상기 유기막층(320)을 포함한 기판 전면 상에 캐소드 전극(340)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(340)은 상기 화소정의막(500)의 개구부에서 애노드 전 극(300)에 대향하며 전면 발광을 위해 투명 전극으로 형성된다. 캐소드 전극(340)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능함을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
Claims (15)
- 기판의 제1 내지 제3 서브 픽셀 영역에 이격되어 형성된 제1 애노드 전극;상기 제1 애노드 전극의 상단부를 덮도록 상기 기판 상에 구비되고, 상기 기판을 노출시키는 클래드;상기 제1 서브 픽셀 영역 및 상기 제2 서브 픽셀 영역의 상기 제1 애노드 전극 상부에 형성된 제2 애노드 전극; 및상기 제1 서브 픽셀 영역의 상기 제2 애노드 전극 상부에 형성된 제3 애노드 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 클래드는, 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 애노드 전극은, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO, ATD, 및 ITO/APC/ITO 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 애노드 전극은, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제3 애노드 전극은, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 서브 픽셀은 적색 서브 픽셀이고, 상기 제2 서브 픽셀은 녹색 서브 픽셀이고, 상기 제3 서브 픽셀은 청색 서브 픽셀인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
- 기판의 제1 내지 제3 서브 픽셀 영역에 제1 애노드 전극을 이격시켜 형성하는 단계;상기 제1 애노드 전극의 상단부를 덮고, 상기 기판의 일부를 노출시키는 클래드를 형성하는 단계;상기 제1 서브 픽셀 영역 및 상기 제2 서브 픽셀 영역의 상기 제1 애노드 전극 상부에 제2 애노드 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 서브 픽셀 영역의 상기 제2 애노드 전극 상부에 제3 애노드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 클래드는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2 애노드 전극은 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제3 애노드 전극은 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 클래드는, 아크릴(Acryl)계 유기화합물, 폴리아미드, 폴리이미드 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 애노드 전극은, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO, ATD, 및 ITO/APC/ITO 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2 애노드 전극은, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제3 애노드 전극은, ITO, IZO, ZnO 및 In2O3 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 서브 픽셀은 적색 서브 픽셀이고, 상기 제2 서브 픽셀은 녹색 서브 픽셀이고, 상기 제3 서브 픽셀은 청색 서브 픽셀인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090117071A KR101084177B1 (ko) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| US12/907,211 US9059424B2 (en) | 2009-11-30 | 2010-10-19 | OLED display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN201010519011.2A CN102082164B (zh) | 2009-11-30 | 2010-10-21 | 有机发光二极管显示设备及其制造方法 |
| JP2010236372A JP5745810B2 (ja) | 2009-11-30 | 2010-10-21 | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| US14/739,716 US9349987B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-06-15 | Method of manufacturing OLED display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090117071A KR101084177B1 (ko) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110060474A true KR20110060474A (ko) | 2011-06-08 |
| KR101084177B1 KR101084177B1 (ko) | 2011-11-17 |
Family
ID=44068163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090117071A KR101084177B1 (ko) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9059424B2 (ko) |
| JP (1) | JP5745810B2 (ko) |
| KR (1) | KR101084177B1 (ko) |
| CN (1) | CN102082164B (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9172054B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| KR20170086159A (ko) * | 2016-01-15 | 2017-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9899634B2 (en) | 2014-11-19 | 2018-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2712276A4 (en) * | 2011-05-19 | 2014-11-12 | Showa Denko Kk | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
| KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR101990116B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광장치 및 그것의 제조방법 |
| KR102046157B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102055683B1 (ko) | 2013-03-29 | 2019-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102053999B1 (ko) | 2013-04-30 | 2019-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6136578B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
| KR20140141755A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN104241535B (zh) * | 2013-06-06 | 2017-07-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光结构 |
| US9472507B2 (en) * | 2013-06-17 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and organic light-emitting display including the same |
| KR102084400B1 (ko) | 2013-08-30 | 2020-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광장치 및 그 제조방법 |
| CN105633116B (zh) * | 2014-12-01 | 2018-11-13 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件及其制造方法、显示装置 |
| CN105742310A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-07-06 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种双层像素发光装置 |
| JP2016115444A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| KR102382005B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2022-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6514999B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102460407B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
| KR102457596B1 (ko) * | 2015-11-02 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US11211582B2 (en) * | 2016-01-15 | 2021-12-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode |
| JP6685142B2 (ja) * | 2016-02-02 | 2020-04-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN107359268B (zh) * | 2017-06-15 | 2019-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示面板及其制作方法 |
| CN107665917B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-06-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及其有机发光显示装置 |
| CN108091674B (zh) * | 2017-12-12 | 2020-06-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板结构及oled背板制作方法 |
| CN108305959B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-07-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled阳极及其制造方法、oled基板的制造方法 |
| CN108777265A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种电极及其制备方法和有机电致发光器件 |
| CN110164912A (zh) * | 2018-07-18 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及显示装置 |
| CN109273500A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板、显示装置和制作方法 |
| FR3087943B1 (fr) * | 2018-10-24 | 2020-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un pixel d'un micro-ecran a oleds |
| CN111129105B (zh) * | 2020-01-17 | 2023-04-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
| CN111192912B (zh) * | 2020-02-26 | 2023-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111430300B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
| EP3989301A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-27 | Novaled GmbH | Organic electronic device comprising a compound of formula (1), display device comprising the organic electronic device as well as compounds of formula (1) for use in organic electronic devices |
| CN116076169A (zh) | 2020-06-22 | 2023-05-05 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件 |
| CN112436043A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-02 | 合肥视涯技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
| CN112635691B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| CN113437129B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-11-15 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| TW202345385A (zh) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 大陸商台州觀宇科技有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| KR20230170166A (ko) * | 2022-06-09 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP4343850B2 (ja) | 2003-02-20 | 2009-10-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP4461726B2 (ja) | 2003-07-16 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| US7030553B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
| EP1672962B1 (en) | 2003-09-19 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Organic light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the organic light emitting device |
| JP4439260B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2005197009A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
| WO2005086539A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| KR100721554B1 (ko) * | 2004-07-22 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20050051646A (ko) | 2005-02-18 | 2005-06-01 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100659766B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| JP4899418B2 (ja) | 2005-10-28 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| US7576354B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| KR100805124B1 (ko) * | 2007-03-05 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
| KR100829761B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR100924137B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-10-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4618323B2 (ja) | 2008-04-28 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 有機発光装置および表示装置 |
-
2009
- 2009-11-30 KR KR1020090117071A patent/KR101084177B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-19 US US12/907,211 patent/US9059424B2/en active Active
- 2010-10-21 CN CN201010519011.2A patent/CN102082164B/zh active Active
- 2010-10-21 JP JP2010236372A patent/JP5745810B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-15 US US14/739,716 patent/US9349987B2/en active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9172054B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US9899634B2 (en) | 2014-11-19 | 2018-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof |
| US10741797B2 (en) | 2014-11-19 | 2020-08-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof |
| US11245102B2 (en) | 2014-11-19 | 2022-02-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof |
| US11793060B2 (en) | 2014-11-19 | 2023-10-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof |
| KR20170086159A (ko) * | 2016-01-15 | 2017-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102082164A (zh) | 2011-06-01 |
| US20110127500A1 (en) | 2011-06-02 |
| US9059424B2 (en) | 2015-06-16 |
| CN102082164B (zh) | 2015-07-22 |
| US20150280171A1 (en) | 2015-10-01 |
| US9349987B2 (en) | 2016-05-24 |
| KR101084177B1 (ko) | 2011-11-17 |
| JP5745810B2 (ja) | 2015-07-08 |
| JP2011119238A (ja) | 2011-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101084177B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US9692020B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| US8716058B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US7928653B2 (en) | Organic light emitting display device with enhanced aperture ratio and method of fabricating the same | |
| US9570534B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US7863811B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| EP1796171B1 (en) | Flat panel display and method of fabricating the same | |
| KR101810047B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101811703B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP5806037B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| JP5859802B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| JP2011171300A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| US9202856B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
| US10192944B2 (en) | Thin film transistor array panel with diffusion barrier layer and gate insulation layer and organic light emitting diode display including the same | |
| US9245905B2 (en) | Back plane for flat panel display device and method of manufacturing the same | |
| US20120235144A1 (en) | Organic light emitting diode device and method of manufacturing the same | |
| KR101213492B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 애노드 전극 형성 방법 | |
| US20120028386A1 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 9 |