KR20110060411A - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110060411A
KR20110060411A KR1020090116993A KR20090116993A KR20110060411A KR 20110060411 A KR20110060411 A KR 20110060411A KR 1020090116993 A KR1020090116993 A KR 1020090116993A KR 20090116993 A KR20090116993 A KR 20090116993A KR 20110060411 A KR20110060411 A KR 20110060411A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
refractive index
light emitting
refractive
Prior art date
Application number
KR1020090116993A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101081129B1 (ko
Inventor
손효근
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020090116993A priority Critical patent/KR101081129B1/ko
Priority to EP10190500.8A priority patent/EP2328188B1/en
Priority to US12/945,229 priority patent/US8476646B2/en
Priority to CN201010572450.XA priority patent/CN102117875B/zh
Publication of KR20110060411A publication Critical patent/KR20110060411A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101081129B1 publication Critical patent/KR101081129B1/ko
Priority to US13/932,822 priority patent/US8987753B2/en
Priority to US14/619,185 priority patent/US9595647B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제3 굴절률을 갖는 제1 반도체층; 및 상기 제1 반도체층 상에 제2 굴절률을 갖는 중간굴절층을 포함하며, 상기 제2 굴절률은 상기 제3 굴절률보다 작고, 공기의 제4 굴절률보다 크다.
발광 소자

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and fabrication method thereof}
실시예는 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
발광 다이오드의 휘도 및 성능을 더욱 향상시키기 위해 광 추출 구조를 개선하는 방법, 활성층의 구조를 개선하는 방법, 전류 퍼짐을 향상하는 방법, 전극의 구조를 개선하는 방법, 발광 다이오드 패키지의 구조를 개선하는 방법 등 다양한 방법들이 시도되고 있다.
실시예는 새로운 구조를 가지는 발광 소자를 제공한다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제3 굴절률을 갖는 제1 반도체층; 및 상기 제1 반도체층 상에 제2 굴절률을 갖는 중간굴절층을 포함하며, 상기 제2 굴절률은 상기 제3 굴절률보다 작고, 공기의 제4 굴절률보다 크다.
실시예는 새로운 구조를 가지는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 설명한다.
<제1 실시예>
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자(1)는 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 중간굴절층(116)과, 상기 중간굴절층(116) 상에 제1 반도체층(130)과, 상기 제1 반도체층(130) 상에 활성층(140)과, 상기 활성층(140) 상에 제2 도전형 반도체층(150)과, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 전극층(160)과, 상기 전극층(160) 상에 제1 전극(170)과, 상기 제1 반도체층(130) 상에 제2 전극(180)을 포함한다.
상기 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 이용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(110)은 제1 굴절률(n1)을 가진다. 예를 들어, 상기 기판(110)이 사파이어(Al2O3) 기판으로 형성된 경우, 상기 제1 굴절률(n1)은 대략 1.7 내지 1.8의 값을 가질 수 있다.
상기 기판(110) 상에는 상기 중간굴절층(116)이 형성될 수 있다.
상기 중간굴절층(116)은 상기 기판(110)의 제1 굴절률(n1)과 상기 제1 반도 체층(130)의 제3 굴절률(n3) 사이의 값인 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 중간굴절층(116)의 제2 굴절률(n2)은 상기 기판(110)의 제1 굴절률(n1)보다 크고, 상기 제1 반도체층(130)의 제3 굴절률(n3)보다 작을 수 있다. 또는, 상기 중간굴절층(116)의 제2 굴절률(n2)은 상기 기판(110)의 제1 굴절률(n1)보다 작고, 상기 제1 반도체층(130)의 제3 굴절률(n3)보다 클 수 있다.
굴절률 차이가 큰 두 층 사이의 계면에서는 전반사가 일어나기 위한 임계각이 작아지게 되며, 상기 계면에서 흡수되어 손실되는 광도 증가하게 된다.
따라서, 실시예에서는 상기 기판(110)과 상기 제1 반도체층(130) 사이에 상기 제2 굴절률(n2)을 가지는 상기 중간굴절층(116)을 형성하여, 상기 제1 반도체층(130)과 상기 기판(110) 사이의 굴절률 차이에 의한 광 손실을 최소화할 수 있다.
상기 중간굴절층(116)은 상기 제2 굴절률(n2)을 가지면서, 위에 상기 제1 반도체층(130)을 원활히 형성할 수 있는 반도체 재질, 예를 들어, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 중 어느 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 중간굴절층(116)은 상기 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성되기 위해 고온에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 중간굴절층(116)이 AlN을 포함하여 형성된 경우, 상기 AlN을 1000℃ 내지 1100℃, 바람직하게는 대략 1050℃의 성장 온도로 성장할 수 있으며, 이때 상기 제2 굴절률(n2)은 대략 2.1 내지 2.2의 값을 가질 수 있다.
상기 중간굴절층(116)은 0.05μ 내지 0.1μ의 두께(D1)를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 중간굴절층(116)은 상기 기판(110)과 상기 제1 반도체층(130) 사이의 격자 상수 차이를 완화하고, 상기 제1 반도체층(130)의 결함(defect) 및 전위(dislocation)을 감소시킬 수 있다.
상기 중간굴절층(116) 상에는 상기 제1 반도체층(130)이 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층(130)은 상기 제3 굴절률(n3)을 가질 수 있으며, 제1 도전형 반도체층 만을 포함하거나, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트(Undoped) 반도체층을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 반도체층(130)이 GaN을 포함하여 형성된 경우, 상기 제3 굴절률(n3)은 대략 2.45 내지 2.55의 값을 가질 수 있다.
상기 언도프트 반도체층은 예를 들어, 언도프드(Undoped) GaN 층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 반도체층(130) 상에는 상기 활성층(140)이 형성될 수 있다.
상기 활성층(140)은 상기 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(150)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(140)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(140)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자선 구조 또는 양자점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(140)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 활성층(140) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(150)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층, 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)은 최소한의 발광 구조물을 이룬다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층(150)에 각각 p형과 n형의 도펀트가 도핑될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 또한, 도시되지는 않았지만 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수 있다. 따라서 상기 발광 소자(100)는 pn, np, pnp, npn 접합 구조 중 어 느 하나로 형성될 수 있다.
상기 중간굴절층(116), 제1 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에는 상기 전극층(160)이 형성될 수 있다. 상기 전극층(160)은 투명한 재질로 형성된 투명 전극일 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또는, 상기 전극층(160)은 대신 반사 전극일 수도 있으며, 상기 전극층(160)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 전극층(160) 상에는 상기 제1 전극(170)이 형성될 수 있으며, 상기 제1 반도체층(130) 상에는 상기 제2 전극(180)이 형성될 수 있다. 상기 발광 소자(1)에 상기 제1 반도체층(130)이 노출되도록 메사 에칭(Mesa-Etching)을 실시한 후, 상기 제1 전극(180)을 형성할 수 있다. 상기 제1, 제2 전극(170,180)은 상기 발광 소자(1)에 전원을 제공한다.
한편, 상기 전극층(160)이 형성되지 않고, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 상에 상기 제1 전극(170)이 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<제2 실시예>
이하, 제2 실시예에 따른 발광 소자(2) 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 제2 실시예를 설명함에 있어서, 상기 제1 실시예와 동일한 부분에 대해서는 제1 실시예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 소자(2)는 전도성 지지부재(270)와, 상기 전도성 지지부재(270) 상에 반사층(260)과, 상기 반사층(260) 상에 제2 도전형 반도체층(250)과, 상기 제2 도전형 반도체층(250) 상에 활성층(240)과, 상기 활성층(240) 상에 제1 반도체층(230)과, 상기 제1 반도체층(230) 상에 제2 중간굴절층(227)과, 상기 제1 반도체층(230) 상에 제3 전극(280)을 포함한다.
상기 전도성 지지부재(270)는 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있으며, 상기 제3 전극(280)과 함께 상기 발광 소자(2)에 전원을 제공한다.
상기 전도성 지지부재(270) 상에는 상기 반사층(260)이 형성될 수 있다.
상기 반사층(260)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 반사층(260)과 상기 전도성 지지부재(270) 사이에는 두 층 사이의 계면 접합력 강화하기 위한 접착층(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 반사층(260) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(250)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(250)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(250)과 상기 반사층(260) 사이에는 두 층 사이의 오믹 접촉을 위한 오믹층(미도시)이 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(250) 상에는 상기 활성층(240)이 형성될 수 있다. 상기 활성층(240)은 상기 제1 반도체층(230)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(250)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(240)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(240)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자선 구조 또는 양자점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(240)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층(미도시)은 AlGaN층 또는 InAlGaN층으로 구현될 수 있다.
상기 활성층(240) 상에는 상기 제1 반도체층(230)이 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층(230)은 상기 제3 굴절률(n3)을 가질 수 있으며, 제1 도전형 반도체층 만을 포함하거나, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 반도체층(230)이 GaN을 포함하여 형성된 경우, 상기 제3 굴절률(n3)은 대략 2.45 내지 2.55의 값을 가질 수 있다.
상기 제1 반도체층(230) 상에는 상기 제2 중간굴절층(227)이 형성될 수 있다. 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제1 반도체층(230)의 제3 굴절률(n3)과 공기의 제4 굴절률(n4) 사이의 값인 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성될 수 있다.
공기의 제4 굴절률(n4)은 대략 1.0의 값을 가지며, 상기 제2 중간굴절층(227)의 제2 굴절률(n2)은 상기 제1 반도체층(230)의 제3 굴절률(n3)보다 작고, 공기의 제4 굴절률(n4)보다 클 수 있다.
굴절률 차이가 큰 두 층 사이의 계면에서는 전반사가 일어나기 위한 임계각이 작아지게 되며, 상기 계면에서 흡수되어 손실되는 광도 증가하게 된다.
따라서, 실시예에서는 상기 제1 반도체층(230)에 상기 제2 굴절률(n2)을 가 지는 상기 제2 중간굴절층(227)을 형성하여, 상기 제1 반도체층(230)에서 공기로 출사되는 광의 굴절률 차이에 의한 손실을 최소화할 수 있다.
상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제2 굴절률(n2)을 가지면서, 상기 제1 도전형 반도체층(130)을 원활히 형성할 수 있는 반도체 재질, 예를 들어, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 중 어느 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다만, 실시예에서는 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하여 형성된 것을 중심으로 설명한다.
한편, 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성되기 위해 고온에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하여 형성된 경우, 상기 AlN을 1000℃ 내지 1100℃, 바람직하게는 대략 1050℃의 성장 온도로 성장할 수 있으며, 이때 상기 제2 굴절률(n2)은 대략 2.1 내지 2.2의 값을 가질 수 있다.
도 8은 제2 실시예의 발광 소자(2)의 제2 중간굴절층(227)의 형태를 나타내는 상면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하고, 0.5μ 내지 1.0μ의 제2 두께(D2)로 형성되는 경우, 상기 제2 중간굴절층(227)은 다수의 다각 기둥을 포함하도록 형성될 수 있다.
다만, 상기 제2 중간굴절층(227)은 다수의 원 기둥을 포함하도록 형성되거나, 편평한 층으로 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제2 중간굴절층(227)을 다수의 다각 기둥 등을 포함하도록 형성 하기 위해, 상기 제1 반도체층(230) 상에 마스크패턴(미도시)을 형성하고, 상기 마스크패턴(미도시)을 이용해 상기 제2 중간굴절층(227)을 형성할 수도 있다. 상기 마스크패턴(미도시)은 SiO2, MgN 등을 포함하여 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2 중간굴절층(227)이 다수의 다각 기둥 또는 다수의 원 기둥을 포함하도록 형성되는 경우, 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 활성층(240)에서 방출하는 광이 다양한 각도로 출사되도록 하여, 상기 발광 소자(2)의 광 추출 효율을 향상할 수 있다.
상기 제1 반도체층(230) 상에는 상기 제3 전극(280)이 형성될 수 있다. 상기 제3 전극(280)은 상기 제2 중간굴절층(227)을 일부 제거하고 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여, 상기 발광 소자(2)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 설명의 편의상, 상기 발광 소자(2)의 제조방법은, 도 2에 도시된 상기 발광 소자(2)가 뒤집혀 제공되도록 설명한다.
도 3을 참조하면, 기판(210) 상에 제1 중간굴절층(216)이 형성되고, 상기 제1 중간굴절층(216) 상에 언도프트 반도체층(220)이 형성될 수 있다.
상기 제1 중간굴절층(216)은 예를 들어, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 중 어느 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제1 중간굴절층(216)은 0.05μ 내지 0.1μ의 제1 두께(D1)를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제1 중간굴절층(216)은 상기 기판(210)과 상기 언도프트 반도체층(220) 사이의 격자 상수 차이를 완화하고, 상기 언도프트 반도체층(220)의 결함(defect) 및 전위(dislocation)을 감소시킬 수 있다.
상기 언도프트 반도체층(220)은 도전형 도펀트가 도핑되지 않아, 상기 제1,2 도전형 반도체층(230,250)에 비해 현저히 낮은 전기 전도성을 가지는 층으로, 예를 들어, 언도프드(Undoped) GaN 층일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 언도프트 반도체층(220) 상부에는 제1 도전형 반도체층을 일부 포함할 수도 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4를 참조하면, 상기 언도프트 반도체층(220) 상에는 제2 중간굴절층(227)이 형성될 수 있다.
상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제1 반도체층(230)의 제3 굴절률(n3)과 공기의 제4 굴절률(n4) 사이의 값인 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층(230)에 상기 제2 굴절률(n2)을 가지는 상기 제2 중간굴절층(227)을 형성하여, 상기 제1 반도체층(230)에서 공기로 출사되는 광의 굴절률 차이에 의한 손실을 최소화할 수 있다.
상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제2 굴절률(n2)을 가지면서, 상기 제1 반도체층(230)을 원활히 형성할 수 있는 반도체 재질, 예를 들어, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, AlInN, InN 중 어느 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다만, 실시예에서는 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하여 형성된 것을 중심으로 설명한다.
한편, 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 제2 굴절률(n2)을 갖도록 형성되기 위해 고온에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하여 형성된 경우, 상기 AlN을 1000℃ 내지 1100℃, 바람직하게는 대략 1050℃의 성장 온도로 성장할 수 있으며, 이때 상기 제2 굴절률(n2)은 대략 2.1 내지 2.2의 값을 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제2 중간굴절층(227)이 AlN을 포함하고, 0.5μ 내지 1.0μ의 제2 두께(D2)로 형성되는 경우, 상기 제2 중간굴절층(227)은 다수의 다각 기둥을 포함하도록 형성될 수 있다.
다만, 상기 제2 중간굴절층(227)은 다수의 원 기둥을 포함하도록 형성되거나, 편평한 층으로 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제2 중간굴절층(227)을 다수의 다각 기둥 등을 포함하도록 형성하기 위해, 상기 제1 반도체층(230) 상에 마스크패턴(미도시)을 형성하고, 상기 마스크패턴(미도시)을 이용해 상기 제2 중간굴절층(227)을 형성할 수도 있다. 상기 마스크패턴(미도시)은 SiO2, MgN 등을 포함하여 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2 중간굴절층(227)이 다수의 다각 기둥 또는 다수의 원 기둥을 포함하도록 형성되는 경우, 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 활성층(240)에서 방출하는 광이 다양한 각도로 출사되도록 하여, 상기 발광 소자(2)의 광 추출 효율을 향상할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 중간굴절층(227) 상에는 상기 제1 반도체층(230), 상기 제1 반도체층(230) 상에 상기 활성층(240), 상기 활성층(240) 상에 상기 제2 도전형 반도체층(250)이 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층(230), 활성층(240) 및 제2 도전형 반도체층(250)은 빛을 방출하는 발광 구조물을 이룬다.
상기 발광 구조물은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 발광 구조물은 ELO(Epitaxy Lateral Growth) 공정에 의해 수평 성장 또는/및 수직 성장을 하여 형성될 수 있다. 상기 ELO 공정의 온도나 압력 등의 조건을 적절히 조절하여, 상기 제2 중간굴절층(227) 상에 상기 발광 구조물을 형성할 수 있다.
다만, 상기 발광 구조물을 형성하는 과정에서, 상기 제2 중간굴절층(227)의 다수의 다각 기둥 사이의 공간(228)에는 상기 발광 구조물의 일부가 성장할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 반도체층(230)은 상기 제2 중간굴절층(227) 상에 형성되므로, 결함(defect)이나 전위(dislocation)가 적어 양호한 결정성을 가지도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 반도체층(230)은 제1 도전형 반도체층 만을 포함하거나, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제2 중간굴절층(227) 아래에 형성된 상기 언도프트 반도체층(220)과 상기 제2 중간굴절층(227) 상에 형성된 상기 제1 반도체층(230)은 반드시 서로 구분되지는 않는다. 즉, 제1 반도체층(230)을 일부 형성한 후, 상기 제1 반도체층(230) 상에 제2 중간굴절층(227)을 형성하고, 상기 제2 중간굴절층(227) 상에 다시 상기 제1 반도체층(230)을 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.
도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(250) 상에 상기 반사층(260), 상기 반사층(260) 상에 상기 전도성 지지부재(270)를 형성할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(270)는 상기 발광 소자(2)에 전원을 제공하고, 상기 발광 구조물을 지지한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 기판(210), 제1 중간굴절층(216) 및 언도프트 반도체층(220)을 제거할 수 있다.
상기 기판(210)은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정 또는 에칭(Etching) 공정 중 적어도 어느 하나에 의해 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 중간굴절층(216) 및 상기 언도프트 반도체층(220)은 에칭 공정, 예를 들어, ICP/RIE (Inductively Coupled Plasma / Reactive Ion Etch)에 의해 제거 될 수 있다.
한편, 상기 제1 중간굴절층(216) 및 상기 언도프트 반도체층(220)을 상기 에칭 공정에 의해 제거하는 경우, 상기 제2 중간굴절층(227)은 상기 에칭 공정을 중지하는 에칭스톱층(Etching Stop Layer)으로 작용할 수 있다.
상기 제1 중간굴절층(216) 및 상기 언도프트 반도체층(220)을 제거하여, 상기 제1 반도체층(230) 및 상기 제2 중간굴절층(227)이 노출된다.
도 7 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 반도체층(230)에는 상기 제3 전극(280)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제2 중간굴절층(227)을 일부 제거하고, 상기 제3 전극(280)을 형성할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<제3 실시예>
이하, 제3 실시예에 따른 발광 소자(3) 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 제3 실시예를 설명함에 있어서, 상기 제2 실시예와 동일한 부분에 대해서는 제2 실시예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
제3 실시예에 따른 발광 소자(3)는 제2 중간굴절층이 제거되고, 러프니스 패턴이 형성된 것을 제외하고는 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)와 유사하다.
도 9는 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 발광 소자(3)는 전도성 지지부재(370)와, 상기 전도성 지지부재(370) 상에 반사층(360)과, 상기 반사층(360) 상에 제2 도전형 반도체층(350)과, 상기 제2 도전형 반도체층(350) 상에 활성층(340)과, 상기 활성층(340) 상에 러프니스 패턴(332)을 포함하는 제1 도전형 반도체층(330)과, 상기 제1 도전형 반도체층(330) 상에 제3 전극(380)을 포함한다.
상기 제1 도전형 반도체층(330)은 상면에 상기 러프니스 패턴(332)을 포함한다.
예를 들어, 상기 러프니스 패턴(332)은 도 7의 제2 중간굴절층(227)을 마스크로 상기 제1 도전형 반도체층(330)에 에칭 공정을 실시하여 형성할 수 있다.
즉, 도 7의 제2 중간굴절층(227)을 마스크로 상기 제1 도전형 반도체층(330)에 에칭 공정을 실시하여 상기 러프니스 패턴(332)을 형성한 다음, 상기 제2 중간굴절층(227)을 제거하고, 상기 제1 도전형 반도체층(330) 상에 상기 제3 전극(380)을 형성하여 상기 발광 소자(3)를 제공할 수 있다.
상기 러프니스 패턴(332)은 상기 발광 소자(3)가 방출하는 광의 추출 효율을 높일 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발 명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.

Claims (19)

  1. 제2 도전형 반도체층;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 활성층;
    상기 활성층 상에 제3 굴절률을 갖는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 제2 굴절률을 갖는 중간굴절층을 포함하며,
    상기 제2 굴절률은 상기 제3 굴절률보다 작고, 공기의 제4 굴절률보다 큰 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 아래에 전도성 지지부재 및 반사층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 중간굴절층은 다수의 다각 기둥 또는 다수의 원 기둥을 포함하는 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 중간굴절층은 0.5μ 내지 1.0μ의 두께를 가지는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 중간굴절층 상에 제1 굴절률을 갖는 기판을 포함하며,
    상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률보다 크고, 상기 제3 굴절률보다 작은 발광 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 중간굴절층은 0.05μ 내지 0.1μ의 두께를 갖는 발광 소자.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 기판은 SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성된 발광 소자.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어(Al2O3)로 형성되며, 상기 제1 굴절률은 1.7 내지 1.8의 값을 가지는 발광 소자.
  9. 제 1항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 중간굴절층은 AlN을 포함하며, 상기 중간굴절층의 제2 굴절률은 2.1 내지 2.2의 값을 가지는 발광 소자.
  10. 제 1항 또는 제 5항에 있어서,
    상기 제1 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성되는 발광 소자.
  11. 제1 굴절률을 갖는 기판 상에 제2 굴절률을 갖는 제1 중간굴절층을 형성하는 단계;
    상기 제1 중간굴절층 상에 제3 굴절률을 갖는 제1 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 굴절률은 상기 제1 굴절률보다 크고, 상기 제3 굴절률보다 작은 발광 소자 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 중간굴절층은 AlN을 포함하며, 1000℃ 내지 1100℃의 성장 온도로 형성된 발광 소자 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성되는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성되는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 반도체층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 제1 중간굴절층 상에 비전도성 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 비전도성 반도체층 상에 제2 굴절률을 갖는 제2 중간굴절층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 반도체층은 상기 제2 중간굴절층 상에 형성되는 발광 소자 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제2 중간굴절층은 AlN을 포함하며, 1000℃ 내지 1100℃의 성장 온도로 형성된 발광 소자 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 발광 구조물 상에 전도성 지지부재 및 반사층 중 적어도 하나를 형성하 는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재를 형성한 후,
    상기 기판, 상기 제1 중간굴절층 및 상기 제1 반도체층의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제2 중간굴절층을 마스크로 상기 제1 반도체층에 에칭을 실시하여 러프니스 패턴을 형성하고, 상기 제2 중간굴절층을 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
KR1020090116993A 2009-11-30 2009-11-30 발광소자 및 그 제조방법 KR101081129B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090116993A KR101081129B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 발광소자 및 그 제조방법
EP10190500.8A EP2328188B1 (en) 2009-11-30 2010-11-09 Light emitting device
US12/945,229 US8476646B2 (en) 2009-11-30 2010-11-12 Light emitting device and light emitting device package
CN201010572450.XA CN102117875B (zh) 2009-11-30 2010-11-30 发光器件和发光器件封装
US13/932,822 US8987753B2 (en) 2009-11-30 2013-07-01 Light emitting device and light emitting device package
US14/619,185 US9595647B2 (en) 2009-11-30 2015-02-11 Light emitting device and light emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090116993A KR101081129B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110060411A true KR20110060411A (ko) 2011-06-08
KR101081129B1 KR101081129B1 (ko) 2011-11-07

Family

ID=43638810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090116993A KR101081129B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (3) US8476646B2 (ko)
EP (1) EP2328188B1 (ko)
KR (1) KR101081129B1 (ko)
CN (1) CN102117875B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101081129B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US9000415B2 (en) * 2012-09-12 2015-04-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
GB2525840B (en) * 2014-02-18 2016-09-07 Jaguar Land Rover Ltd Autonomous driving system and method for same
CN104051561B (zh) * 2014-07-04 2016-08-24 东南大学 一种氮化镓基紫外雪崩光电探测器
US9946531B1 (en) * 2014-11-13 2018-04-17 State Farm Mutual Automobile Insurance Company Autonomous vehicle software version assessment
KR102430018B1 (ko) 2017-12-20 2022-08-05 엘지디스플레이 주식회사 이송 헤드 어셈블리 및 발광소자 이송장치
CN109037411A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 西安电子科技大学 基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010029852A (ko) 1999-06-30 2001-04-16 도다 다다히데 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법
US7102175B2 (en) 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
KR101248195B1 (ko) 2004-04-29 2013-03-27 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 방사선 방출 반도체 칩의 제조 방법
US7161188B2 (en) * 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
JP2006093681A (ja) 2004-08-25 2006-04-06 Showa Denko Kk 化合物半導体用ゲルマニウム添加源、それを用いた化合物半導体の製造方法、および化合物半導体
KR100674829B1 (ko) 2004-10-29 2007-01-25 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2006253172A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
KR100638730B1 (ko) * 2005-04-14 2006-10-30 삼성전기주식회사 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
KR100745489B1 (ko) 2005-07-19 2007-08-02 소프트포럼 주식회사 키입력 해킹방지 방법
KR100815564B1 (ko) * 2006-04-26 2008-03-20 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자
KR101317632B1 (ko) 2007-04-17 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
TW200812113A (en) 2006-05-23 2008-03-01 Alps Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same
KR100816841B1 (ko) 2006-08-14 2008-03-26 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
US20080042149A1 (en) 2006-08-21 2008-02-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Vertical nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
KR100865754B1 (ko) 2006-08-21 2008-10-28 삼성전기주식회사 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20080058722A (ko) 2006-12-22 2008-06-26 서울옵토디바이스주식회사 다수의 절연층이 적층된 산란 중심을 구비하는 발광 소자제조방법 및 그 발광 소자
WO2008082097A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and fabrication method thereof
KR101316120B1 (ko) 2006-12-28 2013-10-11 서울바이오시스 주식회사 양극 알루미늄산화를 이용한 산란 중심을 구비하는 발광 소자 제조방법 및 그 발광 소자
TWI353068B (en) * 2007-07-19 2011-11-21 Lite On Technology Corp Semiconductor light-emitting element and process f
KR101341374B1 (ko) 2007-07-30 2013-12-16 삼성전자주식회사 광자결정 발광소자 및 그 제조방법
WO2009134095A2 (ko) 2008-04-30 2009-11-05 엘지이노텍주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20090114826A (ko) 2008-04-30 2009-11-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101457202B1 (ko) 2008-06-30 2014-11-03 서울바이오시스 주식회사 나노 로드를 포함하는 투명 전극층을구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100994643B1 (ko) 2009-01-21 2010-11-15 주식회사 실트론 구형 볼을 이용한 화합물 반도체 기판의 제조 방법과 이를 이용한 화합물 반도체 기판 및 화합물 반도체 소자
KR101081129B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8987753B2 (en) 2015-03-24
US9595647B2 (en) 2017-03-14
US20110127550A1 (en) 2011-06-02
CN102117875A (zh) 2011-07-06
CN102117875B (zh) 2016-04-06
EP2328188A2 (en) 2011-06-01
EP2328188A3 (en) 2014-03-05
KR101081129B1 (ko) 2011-11-07
US8476646B2 (en) 2013-07-02
EP2328188B1 (en) 2019-01-23
US20140014898A1 (en) 2014-01-16
US20150155455A1 (en) 2015-06-04
US20170077365A9 (en) 2017-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101007087B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR100661614B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101007136B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101125395B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101134731B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101039988B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
JP5816243B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
KR20110052131A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101081129B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US20100187558A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR20120020436A (ko) 발광 소자
KR101007078B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101072200B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101425167B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된질화물 반도체 발광소자
KR20140013249A (ko) 자외선 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101039970B1 (ko) 반도체층 형성방법 및 발광 소자 제조방법
KR20120037709A (ko) 발광 소자
KR101104645B1 (ko) 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20110044094A (ko) 반도체 발광 소자
KR101014045B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101134840B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101919109B1 (ko) 자외선 발광 소자 및 자외선 발광 소자 패키지
KR20100093341A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR102014172B1 (ko) 자외선 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20160024439A (ko) 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141007

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151005

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161006

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 8