KR20110059255A - 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110059255A
KR20110059255A KR1020090115921A KR20090115921A KR20110059255A KR 20110059255 A KR20110059255 A KR 20110059255A KR 1020090115921 A KR1020090115921 A KR 1020090115921A KR 20090115921 A KR20090115921 A KR 20090115921A KR 20110059255 A KR20110059255 A KR 20110059255A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
layer
electrode
substrate
Prior art date
Application number
KR1020090115921A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101213491B1 (ko
Inventor
최은선
김원용
남명우
박진한
김성곤
김준형
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020090115921A priority Critical patent/KR101213491B1/ko
Priority to US12/954,310 priority patent/US8389323B2/en
Priority to JP2010263949A priority patent/JP5189638B2/ja
Priority to CN201010570572.5A priority patent/CN102157707B/zh
Publication of KR20110059255A publication Critical patent/KR20110059255A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101213491B1 publication Critical patent/KR101213491B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기 발광층을 용이하게 형성할 수 있도록, 본 발명은 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부와 대응되지 않는 표면을 선택적으로 레이저를 이용하여 소수화 하는 단계, 상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치{Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, surface treatment equipment and organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 더 상세하게는 유기 발광층을 용이하게 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 전계 발광 표시장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치는 캐소드 전극과 애노드 전극 및 유기 발광층을 포함한 다. 캐소드 전극과 애노드 전극에 전압을 인가하면 유기 발광층에서 가시 광선을 취출된다.
유기 발광 표시 장치는 천연색 화면을 구현하기 위하여 적색, 녹색 및 청색 가시 광선을 구현하는 서브 픽셀들을 포함한다. 적색 서브 픽셀에는 적색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성되고, 녹색 서브 픽셀에는 녹색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성되고, 청색 서브 픽셀에는 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층이 형성된다.
이 때 유기 발광층이 원하는 서브 픽셀에 대응되도록 형성되지 않고 다른 서브 픽셀에도 형성되면 다른 색을 발광하는 유기 발광층이 섞여 유기 발광 표시 장치의 화질이 감소하는 문제점이 있다.
특히 유기 발광층을 형성하는 데 있어 노즐을 이용하여 용액을 아래로 떨어뜨리는 노즐 프린팅을 이용하는 경우에 이러한 문제점으로 인하여 화질을 향상하는데 한계가 있다.
본 발명은 유기 발광층 용이하게 형성할 수 있는 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계, 상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부와 대응되지 않는 표면을 선택적으로 레이저를 이용하여 소수화 하는 단계, 상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 유기 발광층은 상기 전하 전달층 상에 상기 개구부와 대응되도록 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 전하 전달층은 정공 수송층 또는 정공 주입층일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 불소 화합물 가스 분위기에서 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 불소 화합물은 CF4를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 자외선 레이저 소스에서 발생한 레이저 빔이 디오이(DOE: diffractive optical element) 렌즈, 콜리메이팅(collimating) 렌즈 및 프로젝션(projection) 렌즈를 통하여 집광된 형태로 상기 전하 전달층에 조사되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 상기 레이저 빔을 원하는 방향으로 가이드 하도록 가이드 미러(mirror)를 이용할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 자외선 레이저 소스를 구비하는 광학계에서 발생한 레이저 빔이 폴리곤 미러(polygon mirror)를 거쳐서 상기 전하 전달층에 조사될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 상기 광학계에서 상기 레이저 빔을 연속적으로 발생하는 동안 상기 폴리곤 미러(polygon mirror)를 회전하며 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 상기 폴리곤 미러의 회전을 통하여 상기 기판의 일단에서 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝하면서 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 소수화 하는 단계는 상기 기판의 일단에서 상기 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝한 후에 상기 스트라이프와 수직인 방향으로 상기 기판 또는 상기 광학계 및 폴리곤 미러를 이동하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판을 스테이지에 의하여 상기 스트라이프와 수직 방향으로 이동할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 유기 발광층을 형성 하는 단계는 노즐 프린팅을 이용할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성된 전하 전달층, 상기 전하 전달층에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 의 표면 중 일 표면을 처리하는 장치로서, 자외선 레이저 소스를 구비하는 광학계 및 상기 광학계에서 발생한 레이저빔이 도달하는 폴리곤 미러(polygon mirror)를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 불소 가스 분위기에서 상기 광학계에서 상기 레이저 빔을 연속적으로 발생하는 동안 상기 폴리곤 미러(polygon mirror)를 회전하며 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 폴리곤 미러의 회전을 통하여 상기 기판의 일단에서 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판의 일단에서 상기 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝한 후에 상기 스트라이프와 수직인 방향으로 상기 기판과의 관계에서 이동할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기판을 스테이지에 의하여 상기 스트라이프와 수직 방향으로 이동할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면 본 발명의 제조 방법에 의하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법, 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 및 유기 발광 표시 장치는 각 서브 픽셀에 대응되도록 유기 발광층이 서로 섞이지 않도록 형성하여 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면 기판(101)상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)을 형성하기에 앞서 기판(101)상에 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다. 물론 본 실시예의 유기 발광 소자의 제조 방법은 능동형 유기 발광 소자 뿐 아니라 수동형 유기 발광 소자의 제조방법에도 적용이 가능할 수 있다.
기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 형성할 수 있는데 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다.
또한 기판(101)은 금속으로도 형성할 수 있는데 금속으로 기판(101)을 형성 할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 때 기판(101)은 포일 형태일 수 있다.
기판(101)의 상면의 평활성과 기판(101)으로의 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 기판(101)상에 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 SiO2 및/또는 SiNx 등으로 형성할 수 있다.
기판(101)상에 제1 전극(110)을 형성한다. 제1 전극(110)은 포토 리소그래피법에 의해 소정의 패턴으로 형성할 수 있다. 제1 전극(110)의 패턴은 수동 구동형(passive matrix type: PM)의 유기 발광 표시 장치의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있고, 능동 구동형(active matrix type: AM)의 유기 발광 표시 장치의 경우에는 서브 픽셀에 대응하는 형태로 형성될 수 있다.
제1 전극(110)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1 전극(110)이 반사형 전극일 경우 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등을 배치하여 제1 전극(110)을 형성한다.
제1 전극(110)이 투과형 전극일 경우 제1 전극(110)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성된다.
그리고 나서 도 1b를 참조하면 제1 전극(110)상에 화소 정의막(120)을 형성한다. 화소 정의막(120)은 개구부(120a)를 구비하고, 개구부(120a)를 통하여 제1 전극(110)이 노출된다. 화소 정의막(120)은 다양한 절연 물질을 이용하여 형성한다.
도 1c는 도 1b의 X 방향에서 본 정면도이다. 개구부(120a)는 대략적으로 직사각형의 형태이다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 개구부(120a)는 서브 픽셀의 형태에 따라서 다각형 또는 곡선 형태를 갖도록 형성할 수 있다.
그리고 나서 도 1d를 참조하면 전하 전달층(131)을 형성한다. 전하 전달층(131)은 화소 정의막(120)의 전체면 및 개구부(120a)를 통하여 노출된 제1 전극(110)상에 전체적으로 형성된다. 즉 별도의 패터닝 공정 없이 전하 전달층(131)을 형성한다.
전하 전달층(131)은 정공 수송층 또는 정공 주입층을 포함한다. 전하 전달층(131)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 어느 한 개의 층만을 포함할 수 있고, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다. 전하 전달층(131)이 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 경우 정공 주입층이 정공 수송층보다 제1 전극(110)에 가깝도록 배치된다.
그리고 나서 도 1e를 참조하면 레이저 조사 장치(160)를 이용하여 전하 전달층(131)의 표면을 소수(hydrophobic)화 하는 단계를 진행한다. 구체적으로 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120a)와 대응하지 않는 부분을 선택적으로 소수화 한다. 이는 다시 말하면 전하 전달층(131)의 표면중 개구부(120a)의 바닥면 및 내측 면에 대응하는 부분을 제외한 부분을 소수화 하는 것이다.
레이저 조사 장치(160)는 구체적으로 자외선 레이저 조사 장치로서 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120a)와 대응하지 않는 부분에 집광된 레이저 빔을 조사한다.
소수화 처리는 반응 가스가 필요한데 불소 화합물을 반응 가스로 이용한다. 구체적으로 CF4와 같은 가스를 이용한다. CF4가스 분위기에서 레이저 조사 장치(160) 자외선 레이저 빔을 발생하면 CF4가스와 같은 반응 가스가 분해되어 불소 이온이 생성되고, 이렇게 생성된 불소 이온은 전하 전달층(131)의 표면에 흡착된다. 레이저 빔이 조사된 전하 전달층(131)의 표면은 불소와 결합한 상태로 존재하여 낮은 표면 에너지를 갖고 소수성 표면을 갖게 된다.
레이저 조사 장치(160)를 이용하여 별도의 마스크 없이 전하 전달층(131)의 표면 중 원하는 부분을 소수화 처리한다.
그리고 나서 도 1f를 참조하면 전하 전달층(131)상에 유기 발광층(132)을 형성한다. 이 때 노즐 프린팅 방법을 이용하여 유기 발광층(132)을 형성할 수 있다. 유기 발광층(132)은 적색, 녹색 및 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층들을 포함할 수 있다.
전술한대로 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120)의 바닥면 및 내측면에 대응되는 부분을 제외한 부분은 소수화 되어 유기 발광층(132)이 각 개구부(120)에 대응되도록 안착된다. 즉 유기 발광층(132)이 각 개구부(120)들과 용이하게 정렬되 어 형성되고, 개구부(120)를 벗어난 화소 정의막(120)의 상부면에 대응하는 영역이나 이웃한 개구부(120)로 넘어가지 않는다.
이를 통하여 원하는 패턴으로 유기 발광층(132)을 용이하게 형성하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
유기 발광층(132)은 다양한 재료를 이용하여 형성하는데 구체적으로 적색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 테트라페닐나프타센 (Tetraphenylnaphthacene) (루브린: Rubrene), 트리스(1-페닐이소퀴놀린)이리듐(III) (Ir(piq)3), 비스(2-벤조[b]티오펜-2-일-피리딘) (아세틸아세토네이트)이리듐(III) (Ir(btp)2(acac)), 트리스(디벤조일메탄)펜안트롤린 유로퓸(III) (Eu(dbm)3(phen)), 트리스[4,4'-디-tert-부틸-(2,2')-비피리딘]루테늄(III)착물(Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)), DCM1, DCM2, Eu (삼불화테노일아세톤: thenoyltrifluoroacetone)3 (Eu(TTA)3, 부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸 줄로리딜-9-에닐)-4H-피란) (butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한 녹색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 녹색 발광 재료인 3-(2-벤조티아졸일)-7-(디에틸아미노)쿠마린 (Coumarin 6) 2,3,6,7-테트라히드로-1,1,7,7,-테트라메틸-1H,5H,11H-10-(2-벤조티아졸일)퀴놀리지노-[9,9a,1gh]쿠마린 (C545T), N,N'-디메틸-퀸아크리돈 (DMQA), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III) (Ir(ppy)3) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
또한 청색 가시 광선을 발광하는 유기 발광층(132)인 경우 청색 발광 재료인 옥사디아졸 다이머 염료 (oxadiazole dimer dyes (Bis-DAPOXP)), 스피로 화합물 (spiro compounds) (Spiro-DPVBi, Spiro-6P), 트리아릴아민 화합물 (triarylamine compounds), 비스(스티릴)아민 (bis(styryl)amine)(DPVBi, DSA), 4,4'-비스(9-에틸-3-카바조비닐렌)-1,1'-비페닐 (BCzVBi), 페릴렌 (perylene), 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌 (TPBe), 9H-카바졸-3,3'-(1,4-페닐렌-디-2,1-에텐-디일)비스[9-에틸-(9C)] (BCzVB), 4,4-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐 (DPAVBi), 4-(디-p-톨일아미노)-4'-[(디-p-톨일아미노)스티릴]스틸벤 (DPAVB), 4,4'-비스[4-(디페닐아미노)스티릴]비페닐 (BDAVBi), 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜)이리듐 III (FIrPic) 등을 포함할 수 있고, 그 외에 폴리플루오렌계 고분자, 폴리비닐계 고분자 등과 같은 고분자 발광 물질을 포함할 수 있다.
그리고 나서 도 1g를 참조하면 유기 발광층(132)상에 제2 전극(140)을 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(100)를 제조한다.
도시하지 않았으나 유기 발광층(132)과 제2 전극(140)사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.
제2 전극(140)은 수동 구동형의 경우에는 제1 전극(110)의 패턴에 직교하는 스트라이프 형상일 수 있고 능동 구동형의 경우에는 화상이 구현되는 액티브 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다.
제2 전극(140)은 투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(140)이 투과형 전극일 경우 제2 전극(140)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
제2 전극(140)이 반사형 전극일 경우 제2 전극(140)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등으로 형성될 수 있다. 위에 설명한 것은 제1 전극(110)을 애노드 전극, 제2 전극(140)을 캐소오드 전극으로 가정한 것이나 전극의 극성이 반대로 될 수 있음은 물론이다.
도시하지 않았으나 기판(101)의 일 면에 대향하도록 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 층(132)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 실시예의 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 전하 전달층(131)을 전체면에 형성한 후 전하 전달층(131)의 표면 중 유기 발광층(132)이 형성되지 않아야 할 부분을 소수화한다. 즉 전하 전달층(131)의 표면 중 개구부(120a)와 대응하지 않는 부분을 소수화한다.
이를 통하여 유기 발광층(132)이 원하는 부분에 용이하게 형성되도록 한다. 즉 유기 발광층(132)이 원하는 서브 픽셀뿐만 아니라 인접한 다른 서브 픽셀에도 혼입되는 것을 방지하여 유기 발광 표시 장치(100)의 화질 특성을 향상한다.
특히 유기 발광층(132)과 직접적으로 접하는 전하 전달층(131)의 표면을 처리하므로 유기 발광층(132)이 안착되는 효과를 증대한다. 또한 표면 처리 진행 단계에서 제1 전극(110)의 손상을 방지할 수 있다. 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2a를 참조하면 기판(201)상에 제1 전극(210), 화소 정의막(220) 및 전하 전달층(231)이 형성되어 있다.
구체적으로 제1 전극(210)을 형성하고, 제1 전극(210)상에 화소 정의막(220)을 형성한다. 화소 정의막(220)은 개구부(220a)를 구비하고, 개구부(220a)를 통하여 제1 전극(210)이 노출된다.
그리고 나서 전하 전달층(231)을 형성한다. 전하 전달층(231)은 화소 정의막(220)의 전체면 및 개구부(220a)를 통하여 노출된 제1 전극(210)상에 전체적으로 형성된다. 즉 별도의 패터닝 공정 없이 전하 전달층(231)을 형성한다.
전하 전달층(231)은 정공 수송층 또는 정공 주입층을 포함한다. 전하 전달층(231)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 어느 한 개의 층만을 포함할 수 있고, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다.
기판(201), 제1 전극(210), 화소 정의막(220) 및 전하 전달층(231)의 구성 및 재료 등에 대한 것은 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
그리고 나서 도 2b를 참조하면 전하 전달층(231)의 표면을 소수(hydrophobic)화 하는 단계를 진행한다. 이 때 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220a)와 대응하지 않는 부분을 선택적으로 소수화 한다. 이는 다시 말하면 전하 전달층(231)의 표면중 개구부(220a)의 바닥면 및 내측면에 대응하는 부분을 제외한 부분을 소수화 하는 것이다.
구체적으로 소수화 처리는 자외선 레이저 소스(260)에서 발생한 레이저 빔(260a)을 이용한다. 레이저 빔(260a)은 원하는 형태, 즉 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220a)의 바닥면 및 내측면에 대응하는 부분을 제외한 부분에 조사되도록 변형되어야 한다. 이를 위하여 일 방향으로 진행하던 레이저 빔(260a)은 가이드 미러(261)에 의하여 원하는 방향으로 가이드 되고, 디오이(DOE: diffractive optical element) 렌즈(262)를 거치고 나서 플랫 빔 형태가 되고, 그리고 나서 콜리메이팅 렌즈(263)를 거치고 나서 균일한 에너지를 갖게 되고, 그리고 나서 프로젝션 렌즈(264)를 거치고 나서 원하는 배율의 크기를 갖는 빔이 되어 최종적으로 전하 전달층(231)의 표면에 조사된다.
소수화 처리는 반응 가스가 필요한데 불소 화합물을 반응 가스로 이용한다. 구체적으로 CF4와 같은 가스를 이용한다. 자외선 레이저 빔을 발생하면 CF4가스와 같은 반응 가스가 분해되어 불소 이온이 생성되고, 이렇게 생성된 불소 이온은 전 하 전달층(231)의 표면에 흡착된다. 레이저 빔이 조사된 전하 전달층(231)의 표면은 불소와 결합한 상태로 존재하여 낮은 표면 에너지를 갖고 소수성 표면을 갖게 된다.
본 실시예에서는 별도의 마스크 없이 자외선 레이저 소스(260)에서 발생한 광을 제어하여 전하 전달층(231)의 표면 중 원하는 부분을 소수화 처리한다.
그리고 나서 도 2c를 참조하면 전하 전달층(231)상에 유기 발광층(232)을 형성한다. 이 때 노즐 프린팅 방법을 이용하여 유기 발광층(232)을 형성할 수 있다.
전술한대로 전하 전달층(231)의 표면 중 개구부(220)의 바닥면 및 내측면에 대응되는 영역을 제외한 부분은 소수화 되어 유기 발광층(232)이 각 개구부(220)에 대응되는 영역에 안착된다. 즉 유기 발광층(232)이 각 개구부(220)들에 용이하게 정렬되어 형성되고, 개구부(220)를 벗어난 화소 정의막(220)의 상부면에 대응하는 영역이나 이웃한 개구부(220)로 넘어가지 않는다.
이를 통하여 원하는 패턴으로 유기 발광층(232)을 용이하게 형성하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
그리고 나서 도 2d를 참조하면 유기 발광층(232)상에 제2 전극(240)을 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(200)를 제조한다.
도시하지 않았으나 유기 발광층(232)과 제2 전극(240)사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.
도시하지 않았으나 기판(201)의 일 면에 대향하도록 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 층(232)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 3a를 참조하면 기판(301)상에 제1 전극(310), 화소 정의막(320) 및 전하 전달층(331)이 형성되어 있다.
구체적으로 제1 전극(310)을 형성하고, 제1 전극(310)상에 화소 정의막(320)을 형성한다. 화소 정의막(320)은 개구부(320a)를 구비하고, 개구부(320a)를 통하여 제1 전극(310)이 노출된다.
그리고 나서 전하 전달층(331)을 형성한다. 전하 전달층(331)은 화소 정의막(320)의 전체면 및 개구부(320a)를 통하여 노출된 제1 전극(310)상에 전체적으로 형성된다. 즉 별도의 패터닝 공정 없이 전하 전달층(331)을 형성한다.
전하 전달층(331)은 정공 수송층 또는 정공 주입층을 포함한다. 전하 전달층(331)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 어느 한 개의 층만을 포함할 수 있고, 정공 수송층 및 정공 주입층을 모두 포함할 수 있다.
기판(301), 제1 전극(310), 화소 정의막(320) 및 전하 전달층(331)의 구성 및 재료 등에 대한 것은 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
그리고 나서 도 3b 및 도 3c를 참조하면 전하 전달층(331)의 표면을 소 수(hydrophobic)화 하는 단계를 진행한다. 도 3c는 도 3b를 개략적으로 도시한 사시도이다. 설명의 편의를 위하여 도 3c에는 기판(301)만을 표시하였다.
전하 전달층(331)을 형성한 후에 전하 전달층(331)의 표면 중 개구부(320a)와 대응하지 않는 부분을 선택적으로 소수화 한다. 이는 다시 말하면 전하 전달층(331)의 표면중 개구부(320a)의 바닥면 및 내측면에 대응하는 부분을 제외한 부분을 소수화 하는 것이다.
구체적으로 소수화 처리는 표면 처리 장치(360)를 이용한다. 표면 처리 장치(360)는 자외선 레이저 소스를 구비하는 광학계(361) 및 폴리곤 미러(polygon mirror: 365)를 포함한다.
광학계(361)는 자외선 레이저 소스를 구비하여 자외선 레이저 빔을 생성하고, 원하는 형태와 에너지 크기, 즉 전하 전달층(331)의 표면 중 개구부(320a)의 바닥면 및 내측면에 대응하는 부분을 제외한 부분에 조사되도록 변형된 레이저 빔(362)을 최종적으로 발생한다.
이러한 레이저 빔(362)은 폴리곤 미러(365)에 입사된다. 폴리곤 미러(365)에서 반사된 레이저 빔(366)은 전하 전달층(331)의 표면에 조사된다.
보다 구체적으로 설명하면 폴리곤 미러(365)는 축(365a)을 구비하고 축(365a)을 중심으로 R로 표시된 화살표 방향으로 회전한다. 폴리곤 미러(365)가 연속적으로 회전하는 동안에 레이저 빔(362)이 계속적으로 폴리곤 미러(365)에 조사되면 폴리곤 미러(365)에 반사되어 연속적으로 레이저 빔(366)이 전하 전달층(331)에 조사된다.
회전하는 폴리곤 미러(365)로 인하여 폴리곤 미러(365)에서 제일 먼저 반사된 레이저 빔(366a)이 기판(301)방향으로 조사되고, 그 다음으로 레이저 빔(366b)이 조사되고, 그 다음으로 레이저 빔(366c)가 조사된다. 이러한 방식으로 기판(301)의 일단(301a)에서 타단(301b)까지 이르는 일 스트라이프(S1)형태로 레이저 빔(366)이 조사된다. 여기서 설명한 각 레이저 빔(366a), 레이저 빔(366b) 및 레이저 빔(366c)은 설명의 편의를 위하여 예를 든 것으로 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 광학계(361)에서 발생한 레이저 빔(362)의 발생 지속 시간 및 폴리곤 미러(365)의 회전 속도를 다양하게 조절하여 스트라이프(S1) 형태로 레이저 빔(366)을 스캐닝 할 수 있다.
그리고 이러한 일 스트라이프(S1) 형태로 레이저 빔(366)을 스캐닝 한 후에 기판(301) 또는 표면 처리 장치(360)를 스트라이프(S1)방향과 수직한 방향으로 이동한 후에 계속적으로 소수화 처리를 진행한다. 구체적인 예로 기판(301)을 Y축 방향으로 이동할 수 있는데, 이를 위하여 기판(301)을 스테이지(미도시)에 올려놓고, 스테이지(301)를 Y축 방향으로 이동할 수 있다.
소수화 처리는 반응 가스가 필요한데 불소 화합물을 반응 가스로 이용한다. 구체적으로 CF4와 같은 가스를 이용한다. CF4가 분해되어 불소 이온이 생성되고, 이렇게 생성된 불소 이온은 전하 전달층(331)의 표면에 흡착된다. 레이저 빔이 조사된 전하 전달층(331)의 표면은 불소와 결합한 상태로 존재하여 낮은 표면 에너지를 갖고 소수성 표면을 갖게 된다.
본 실시예에서는 별도의 마스크 없이 자외선 표면 처리 장치(360)를 이용하여 전하 전달층(331)의 표면 중 원하는 부분을 소수화 처리한다. 또한 기판(301)의 일단(301a)에서 타단(301b)까지 연속적으로 소수화 처리 공정을 진행한 후에 기판(301) 또는 표면 처리 장치(360)를 순차적으로 이동하면서 공정을 진행할 수 있어 공정의 효율성을 향상한다.
그리고 나서 도 3d를 참조하면 전하 전달층(331)상에 유기 발광층(332)을 형성한다. 이 때 노즐 프린팅 방법을 이용하여 유기 발광층(332)을 형성할 수 있다.
전술한대로 전하 전달층(331)의 표면 중 개구부(320)의 바닥면 및 내측면에 대응되는 영역을 제외한 부분은 소수화 되어 유기 발광층(332)이 각 개구부(320)에 대응되는 영역에 안착된다. 즉 유기 발광층(332)이 각 개구부(320)들에 용이하게 정렬되어 형성되고, 개구부(320)를 벗어난 화소 정의막(320)의 상부면에 대응하는 영역이나 이웃한 개구부(320)로 넘어가지 않는다.
이를 통하여 원하는 패턴으로 유기 발광층(332)을 용이하게 형성하고 결과적으로 유기 발광 표시 장치의 화질을 향상할 수 있다.
그리고 나서 도 3e를 참조하면 유기 발광층(332)상에 제2 전극(340)을 형성하여 최종적으로 유기 발광 표시 장치(300)를 제조한다.
도시하지 않았으나 유기 발광층(332)과 제2 전극(340)사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 더 형성할 수 있다.
도시하지 않았으나 기판(301)의 일 면에 대향하도록 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 층(154)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 형성된다. 이를 위해 글라스, 플라스틱 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
100, 200, 300: 유기 발광 표시 장치 101, 201, 301: 기판
110, 210, 310: 제1 전극 120, 220, 320: 화소 정의막
120a, 220a, 320a: 개구부 131, 231, 331: 전하 전달층
132, 232, 332: 유기 발광층 140, 240, 340: 제2 전극
160: 레이저 조사 장치 260: 자외선 레이저 소스
261: 가이드 미러 262: 디오이 렌즈
263: 콜리메이팅 렌즈 264: 프로젝션 렌즈
360: 표면 처리 장치 361: 광학계
362: 광학계 365: 폴리곤 미러

Claims (19)

  1. 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극상에 상기 제1 전극의 소정의 부분을 노출하도록 개구부를 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막 및 상기 개구부를 통하여 노출된 상기 제1 전극상에 전하 전달층을 형성하는 단계;
    상기 전하 전달층의 노출된 표면 중 상기 개구부와 대응되지 않는 표면을 선택적으로 레이저를 이용하여 소수화 하는 단계;
    상기 전하 전달층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층은 상기 전하 전달층 상에 상기 개구부와 대응되도록 형성하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 전하 전달층은 정공 수송층 또는 정공 주입층인 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는 불소 화합물 가스 분위기에서 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 불소 화합물은 CF4를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    자외선 레이저 소스에서 발생한 레이저 빔이 디오이(DOE:diffractive optical element) 렌즈, 콜리메이팅(collimating) 렌즈 및 프로젝션(projection) 렌즈를 통하여 집광된 형태로 상기 전하 전달층에 조사되는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    상기 레이저 빔을 원하는 방향으로 가이드 하도록 가이드 미러(mirror)를 이용하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    자외선 레이저 소스를 구비하는 광학계에서 발생한 레이저빔이 폴리곤 미러(polygon mirror)를 거쳐서 상기 전하 전달층에 조사되는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    상기 광학계에서 상기 레이저 빔을 연속적으로 발생하는 동안 상기 폴리곤 미러(polygon mirror)를 회전하며 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    상기 폴리곤 미러의 회전을 통하여 상기 기판의 일단에서 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝하면서 진행하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 소수화 하는 단계는
    상기 기판의 일단에서 상기 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝 한 후에 상기 스트라이프와 수직인 방향으로 상기 기판 또는 상기 광학계 및 폴리곤 미러를 이동하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 기판을 스테이지에 의하여 상기 스트라이프와 수직 방향으로 이동하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성 하는 단계는 노즐 프린팅을 이용하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
  14. 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성된 전하 전달층, 상기 전하 전달층에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 표면 중 일 표면을 처리하는 장치로서,
    자외선 레이저 소스를 구비하는 광학계; 및
    상기 광학계에서 발생한 레이저빔이 도달하는 폴리곤 미러(polygon mirror)를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    불소 가스 분위기에서 상기 광학계에서 상기 레이저 빔을 연속적으로 발생하는 동안 상기 폴리곤 미러(polygon mirror)를 회전하며 진행하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 폴리곤 미러의 회전을 통하여 상기 기판의 일단에서 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 기판의 일단에서 상기 타단까지 스트라이프 형태로 레이저 빔을 스캐닝한 후에 상기 스트라이프와 수직인 방향으로 상기 기판과의 상호 관계에서 이동을 하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 기판을 스테이지에 의하여 상기 스트라이프와 수직 방향으로 이동하는 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치.
  19. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 하나의 항의 제조 방법에 의하여 제조된 유기 발광 표시 장치.
KR1020090115921A 2009-11-27 2009-11-27 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 KR101213491B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090115921A KR101213491B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치
US12/954,310 US8389323B2 (en) 2009-11-27 2010-11-24 Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, surface treatment device for organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
JP2010263949A JP5189638B2 (ja) 2009-11-27 2010-11-26 有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置
CN201010570572.5A CN102157707B (zh) 2009-11-27 2010-11-26 有机发光显示装置、其制造方法及表面处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090115921A KR101213491B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110059255A true KR20110059255A (ko) 2011-06-02
KR101213491B1 KR101213491B1 (ko) 2012-12-20

Family

ID=44068167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090115921A KR101213491B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8389323B2 (ko)
JP (1) JP5189638B2 (ko)
KR (1) KR101213491B1 (ko)
CN (1) CN102157707B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140042223A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9450211B2 (en) 2013-06-26 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US9653518B2 (en) 2015-04-03 2017-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5982146B2 (ja) 2011-06-16 2016-08-31 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法
KR20130043482A (ko) * 2011-10-20 2013-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130061543A (ko) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀간의 누설전류를 방지하는 유기발광소자
KR101945535B1 (ko) 2012-01-18 2019-02-08 리쿠아비스타 비.브이. 전기습윤 표시장치
US9444050B2 (en) 2013-01-17 2016-09-13 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method
US9614191B2 (en) 2013-01-17 2017-04-04 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods
JP2014222642A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び製造装置
JP2014236148A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 東京エレクトロン株式会社 有機分子膜の形成装置および形成方法
CN104393181B (zh) * 2014-10-30 2017-02-01 中国科学院长春应用化学研究所 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
CN104733505B (zh) 2015-03-19 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 发光显示器的像素界定层及其制作方法
KR102511888B1 (ko) 2016-12-01 2023-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106711355B (zh) * 2016-12-20 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled显示面板的制作方法
US11730017B2 (en) 2018-11-13 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
CN109786552B (zh) * 2019-01-22 2020-10-16 合肥京东方光电科技有限公司 有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件
CN110165062B (zh) * 2019-03-07 2021-01-05 合肥视涯技术有限公司 一种有机发光显示装置及其形成方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075640A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法およびその製造装置
JP3698138B2 (ja) 2001-12-26 2005-09-21 セイコーエプソン株式会社 撥水化処理の方法、薄膜形成方法及びこの方法を用いた有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
EP1338431A3 (en) 2002-02-08 2003-10-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Visible image receiving material having surface hydrophilicity
JP2003323983A (ja) * 2002-02-26 2003-11-14 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2004055159A (ja) 2002-07-16 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
JP2004095850A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 有機トランジスタ
EP1547719A3 (en) 2003-12-26 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing crystalline semiconductor film
KR100580872B1 (ko) 2003-12-29 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 풀컬러 구조 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP4645064B2 (ja) 2004-05-19 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
KR101240776B1 (ko) * 2004-12-29 2013-03-07 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 코팅된 기판 및 그의 제조 방법
JP4626397B2 (ja) 2005-05-20 2011-02-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子を使用した装置
KR101098729B1 (ko) 2005-06-03 2011-12-23 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 노광 장치 및 패턴 형성 방법
JP4857688B2 (ja) 2005-09-29 2012-01-18 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4251331B2 (ja) 2005-12-27 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
KR100768230B1 (ko) 2006-05-10 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시소자
JP5041903B2 (ja) 2006-07-28 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TWI412079B (zh) 2006-07-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 製造顯示裝置的方法
KR101319306B1 (ko) 2006-12-20 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자의 제조방법
JP5104538B2 (ja) 2008-05-16 2012-12-19 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140042223A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9450211B2 (en) 2013-06-26 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US10347869B2 (en) 2013-06-26 2019-07-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US9653518B2 (en) 2015-04-03 2017-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011113982A (ja) 2011-06-09
US8389323B2 (en) 2013-03-05
US20110127507A1 (en) 2011-06-02
KR101213491B1 (ko) 2012-12-20
CN102157707B (zh) 2016-01-20
JP5189638B2 (ja) 2013-04-24
CN102157707A (zh) 2011-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101213491B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치
KR101097319B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101137392B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101035356B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101349143B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20100035503A1 (en) Method of manufacturing flat panel display device
KR101182435B1 (ko) 전도성 고분자 패턴막 및 이를 패터닝 하는 방법 그리고 이를 이용하는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20160045998A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014154550A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US10109691B2 (en) Method for manufacturing organic EL display panel
US20140367651A1 (en) Organic light emitting display apparatus
US9035347B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20120268001A1 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR20120061112A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100759557B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
KR100696471B1 (ko) 전자 발광 소자
KR100987382B1 (ko) 도너 필름 및 그를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
CN113745307B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2024011372A1 (zh) 显示基板及其制备方法、制备装置、显示装置
CN118222981A (zh) 显示装置的制造装置
KR100670374B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
US20120028386A1 (en) Method of manufacturing organic light emitting display
KR20170012728A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20150002996A (ko) 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191202

Year of fee payment: 8