KR20110039799A

KR20110039799A - Substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR20110039799A
Application number: KR1020090096804A
Authority: KR
Inventors: 지현
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2009-10-12
Filing date: 2009-10-12
Publication date: 2011-04-20
Also published as: KR101141155B1

Abstract

PURPOSE: A substrate treating apparatus is provided to reduce installation costs for a substrate processing apparatus by mounting a knife unit on the side of a chamber through the knife unit. CONSTITUTION: In a substrate treating apparatus, a plurality of chambers(10,20,30) process a substrate. A conveying unit(50) transfer the substrate into the internal spaces(11,21,31) of each chambers. A knife unit(100) is installed on the one side of the second chamber or a both sides. The knife unit injects a processing liquid to the openings(24,25) on the side wall of the second chamber. A processing liquid supply unit(40) supplies the processing liquid to the substrate.

Description

Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판에 대한 에칭공정을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for performing an etching process for a substrate used for manufacturing a semiconductor or flat panel display device.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 표시 패널(display panel)을 가진다. 최근 이러한 표시 패널의 하나로서, 가볍고 공간을 작게 차지하는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다.Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. Such an information processing apparatus has a display panel which displays operated information. Recently, as one of such display panels, the use of flat panel display panels such as liquid crystal displays (LCDs) that are light and occupy small space is rapidly increasing.

이러한 평판 표시 패널은 기판의 표면에 각종의 박막을 증착하는 증착공정, 증착된 박막으로부터 불필요한 부분을 제거하는 에칭 공정, 그리고 기판을 세정 및 건조하는 세정공정등이 반복 수행되며 제조된다. 이러한 제조 공정은 기판이 복수의 챔버들로 이송되고, 각각의 챔버들에서 기판으로 처리액들을 공급하여 진행된다. The flat panel display panel is manufactured by repeatedly performing a deposition process for depositing various thin films on the surface of a substrate, an etching process for removing unnecessary portions from the deposited thin film, and a cleaning process for cleaning and drying the substrate. This manufacturing process proceeds by transferring the substrate to the plurality of chambers and supplying the processing liquids to the substrates in the respective chambers.

이러한 처리액들 중 에칭 공정에 사용되는 에칭액은 강산성의 성질을 가져 주변 장치를 부식시키는 특성이 있다. 특히, 에칭공정을 수행하는 챔버와 인접한 챔버들의 경우, 에칭공정을 수행하는 챔버로 기판이 이송되는 과정 또는 에칭공정이 완료된 기판이 인접한 챔버로 이송되는 과정에서 에칭액 또는 그로부터 발생된 퓸(fume)이 쉽게 유입되어 인접한 챔버내에 제공된 장치들이 부식된다.Among such treatment liquids, the etching liquid used in the etching process has a strong acid property and has a characteristic of corrosive to peripheral devices. In particular, in the case of the chambers adjacent to the etching process, the etching liquid or the fume generated therefrom during the process of transferring the substrate to the chamber performing the etching process or transferring the substrate having the etching process to the adjacent chamber is performed. Easily introduced and corroded devices provided in adjacent chambers.

본 발명은 에칭공정에 제공된 에칭액으로부터 장치를 보호할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.This invention provides the substrate processing apparatus which can protect an apparatus from the etching liquid provided in the etching process.

또한, 본 발명은 설치 비용을 절감할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of reducing installation costs.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부공간을 가지며, 측벽에 기판이 이송되는 개구가 형성된 챔버; 상기 측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes an chamber having an inner space and having an opening through which a substrate is transferred to a side wall thereof; And a knife unit mounted to the side wall, for injecting fluid toward the opening.

상기 나이프 유닛은 상기 측벽과 접촉하는 일측면을 가지며, 상기 일측면에 상기 유체가 분사되는 분사라인으로 제공되는 홈이 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 플레이트를 포함하며, 상기 분사라인은 상기 홈과 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성된다. 상기 유체는 에어 또는 불활성 가스이다. The knife unit has a side surface in contact with the side wall, the groove provided in the injection line for the injection of the fluid on the one side includes a plate formed along the longitudinal direction of the opening, the injection line and the groove One side of the side wall is formed by combining. The fluid is air or an inert gas.

상기 나이프 유닛은 상기 챔버의 외측면에 위치한다. 상기 외측면은 상기 개 구와 인접하여 위치하며, 분사된 상기 유체가 상기 내부공간으로 제공되도록 상기 유체를 안내하는 안내면을 가진다. 상기 안내면은 곡면으로 제공된다.The knife unit is located on the outer side of the chamber. The outer surface is located adjacent to the opening and has a guide surface for guiding the fluid so that the injected fluid is provided to the inner space. The guide surface is provided as a curved surface.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 순차적으로 일직선으로 배치된 제1챔버, 제2챔버, 제3챔버; 상기 제2챔버의 양측벽에 형성된 개구를 통해 상기 제1챔버, 상기 제2챔버, 그리고 상기 제3챔버 간에 기판을 이송하는 이송유닛; 상기 제2챔버의 일측벽 또는 양측벽에 장착되며, 상기 개구를 향해 유체를 분사하는 나이프 유닛을 포함하되, 상기 제2챔버는 에칭 공정을 수행하는 챔버이고, 상기 나이프 유닛은 상기 개구의 상부 또는 하부에 위치하며, 상기 유체를 분사하는 분사라인이 형성된 플레이트를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention comprises a first chamber, a second chamber, a third chamber sequentially arranged in a straight line; A transfer unit for transferring a substrate between the first chamber, the second chamber, and the third chamber through openings formed in both side walls of the second chamber; A knife unit mounted on one side wall or both side walls of the second chamber, the knife unit injecting a fluid toward the opening, wherein the second chamber is a chamber for performing an etching process, and the knife unit is located above or Located at the bottom, and includes a plate formed with a spray line for injecting the fluid.

상기 분사라인은 상기 측벽과 접촉하는 상기 플레이트의 일측면에 상기 개구의 길이방향을 따라 형성된 홈과 상기 측벽의 일면이 조합되어 형성된다.The injection line is formed by combining a groove formed along a longitudinal direction of the opening and one surface of the side wall on one side of the plate in contact with the side wall.

상기 개구의 상면과 하면은 상기 분사라인에서 분사된 유체가 상기 개구의 상면 또는 하면을 따라 상기 제2챔버의 내부공간으로 공급되도록 라운드지어 제공된다.The upper and lower surfaces of the opening are provided in a rounded manner so that the fluid injected from the injection line is supplied to the inner space of the second chamber along the upper or lower surface of the opening.

본 발명에 의하면, 기판이 출입하는 개구를 향해 에어 또는 불활성 가스가 분사되어 에칭액이 인접한 챔버로 유입되는 것이 예방되므로, 인접한 챔버에 제공된 장치가 에칭액으로부터 부식되는 것이 예방된다.According to the present invention, since air or an inert gas is injected toward the opening through which the substrate enters and exits, and the etchant is introduced into the adjacent chamber, the apparatus provided in the adjacent chamber is prevented from being corroded from the etchant.

또한, 본 발명에 의하면 분사공간의 일부분으로 챔버의 측벽 일면이 제공되도록 나이프 유닛이 챔버의 측벽에 장착되므로, 간단한 구성으로 나이프 유닛이 제 공되어 기판 처리 장치의 설치비용이 감소된다.In addition, according to the present invention, since the knife unit is mounted on the side wall of the chamber so that one side surface of the chamber is provided as part of the injection space, the knife unit is provided with a simple configuration, thereby reducing the installation cost of the substrate processing apparatus.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예에서 기판(P)은 평판 디스플레이용 패널의 일종인 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널이거나 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(P)을 예로 들어 설명하였으나, 기판(P)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)가 제공될 수 있다.In the present embodiment, the substrate P is a panel for thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD), which is a kind of flat panel display panel, or for organic light emitting diodes (OLED) display. Although the substrate P used for manufacturing the panel flat panel display panel has been described as an example, a wafer used for manufacturing a semiconductor chip may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 복수개의 챔버들(10, 20, 30), 처리유체 공급 유닛(40), 이송유닛(50), 그리고 나이프 유닛(100)을 포함한다. 각각의 챔버들(10, 20, 30)은 기판(P)에 대한 공정처리가 수행되는 공간을 제공하며, 처리유체 공급유닛(40)은 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 이송되는 기 판(P)으로 처리유체를 공급한다. 그리고, 이송유닛(50)은 챔버들(10, 20, 30)간에, 그리고 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 기판(P)을 이송하며, 나이프 유닛(100)은 분사된 처리유체 및 처리유체로부터 발생된 퓸(fume)이 인접한 챔버(10, 20, 30)로 유입되지 않도록 챔버(20)의 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 향해 유체를 분사한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of chambers 10, 20, and 30, a processing fluid supply unit 40, a transfer unit 50, and a knife unit 100. Each of the chambers 10, 20, 30 provides a space in which process processing is performed on the substrate P, and the processing fluid supply unit 40 has an internal space 11 of the chambers 10, 20, 30. , Process fluid is supplied to the substrate (P), which is conveyed from (21, 31). Then, the transfer unit 50 transfers the substrate P between the chambers 10, 20, 30 and in the internal spaces 11, 21, 31 of the chambers 10, 20, 30, and the knife unit. The opening 100 is formed in the sidewalls 22 and 23 of the chamber 20 so that the injected processing fluid and the fume generated from the processing fluid do not flow into the adjacent chambers 10, 20, and 30. Spray the fluid toward. Hereinafter, each structure is demonstrated in detail.

기판 처리 장치(1)는 기판(P)에 대한 공정처리를 수행하는 복수개의 챔버들(10, 20, 30)을 포함한다. 실시예에 의하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)에는 세 개의 챔버(10, 20, 30)가 제공된다. 제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)는 일직선으로 배치되며, 기판(P)에 대한 공정처리가 수행되는 내부공간(11, 22, 33)이 각각 제공된다. 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 22, 33)에서는 상이한 공정처리가 진행된다. 실시예에 의하면, 제1챔버(10)의 내부공간(11)에서는 기판(P)이 제1챔버(10)의 이송유닛(50)으로 로딩되고, 제2챔버(20)의 내부공간(21)에서는 기판(P)에 대한 에칭공정이 수행된다. 그리고, 제3챔버(30)의 내부공간(31)에서는 에칭공정이 완료된 기판(P)에 대한 세정 및 건조공정이 진행된다. 선택적으로, 제2챔버(20)의 내부공간(21)은 다시 복수개의 공간들로 구분될 수 있으며, 각각의 공간들에서는 서로 상이한 종류의 처리액이 기판(P)으로 공급되어 에칭공정이 수행될 수 있다. 제2챔버(20)의 양측벽(22, 23)에는 개구(24, 25)가 각각 형성되며, 기판(P)은 개구(24, 25)를 통하여 각 챔버들(10, 20, 30)에 이송된다. 제1챔버(10)와 제3챔버(30)에서는 상이한 공정이 수행될 수 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of chambers 10, 20, 30 for performing a process on the substrate P. FIG. According to the embodiment, the substrate processing apparatus 1 of the present invention is provided with three chambers 10, 20, 30. The first to third chambers 10, 20, and 30 are disposed in a straight line, and internal spaces 11, 22, and 33 are respectively provided to process the substrate P. FIG. Different processing is performed in the internal spaces 11, 22, 33 of the chambers 10, 20, 30. According to the embodiment, in the internal space 11 of the first chamber 10, the substrate P is loaded into the transfer unit 50 of the first chamber 10 and the internal space 21 of the second chamber 20. ), An etching process for the substrate P is performed. In the internal space 31 of the third chamber 30, a cleaning and drying process is performed on the substrate P on which the etching process is completed. Optionally, the internal space 21 of the second chamber 20 may be divided into a plurality of spaces, and different types of processing liquids are supplied to the substrate P in each of the spaces to perform an etching process. Can be. Openings 24 and 25 are formed in both side walls 22 and 23 of the second chamber 20, and the substrate P is formed in each of the chambers 10, 20 and 30 through the openings 24 and 25. Transferred. Different processes may be performed in the first chamber 10 and the third chamber 30.

제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에는 각 챔버 들(10, 20, 30)간에, 그리고 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에서 기판(P)을 이송하는 이송유닛(50)이 제공된다. 이송유닛(50)은 제2챔버(20)의 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 통하여 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)으로 기판(P)을 이송한다. In the internal spaces 11, 21, 31 of the first to third chambers 10, 20, 30, between the chambers 10, 20, 30, and inside the respective chambers 10, 20, 30. A transfer unit 50 for transferring the substrate P in the spaces 11, 21, 31 is provided. The transfer unit 50 passes through the openings 24 and 25 formed in the side walls 22 and 23 of the second chamber 20 to the internal spaces 11, 21 and 31 of the respective chambers 10, 20 and 30. The substrate P is transferred.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송유닛을 나타내는 평면도이다. 2 is a plan view showing a transfer unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 2를 참조하면, 이송유닛(50)은 복수의 샤프트(51)들, 롤러들(52), 그리고 구동부(53)를 가진다. 샤프트(51)들은 각 챔버들(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 샤프트(51)들은 개구(24, 25)에 대응하는 높이에 위치한다. 각각의 샤프트(51)는 길이방향이 상부에서 바라볼 때, 제1챔버 내지 제3챔버(10, 20, 30)가 배치된 방향에 수직하게 배치된다. 각각의 샤프트(51)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러(52)들이 이격하여 고정결합된다. 롤러(52)들은 이송되는 기판(P)의 하면과 접촉하며, 기판(P)을 지지한다. 롤러(52)들은 이송되는 기판(P)이 평평한 상태를 유지할 수 있도록 일정 간격 이격되어 복수개 제공된다. 샤프트(51)들은 길이방향의 중심축을 기준으로 구동부(53)에 의해 회전된다. 구동부(53)는 복수개의 풀리(54)들, 벨트(55)들, 그리고 모터(56)를 가진다. 풀리(54)들은 각각의 샤프트(51)의 양단에 각각 결합된다. 인접한 샤프트(51)들에 결합된 풀리(54)들은 벨트(55)에 의해 서로 연결된다. 복수개의 풀리(54)들 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(56)가 결합된다. 상술한, 풀리(54)들, 벨트(55)들 그리고 모터(56)의 조립체에 의해 샤프트(51)들과 롤러(52)들이 회전되고, 기판(P)은 그 하면이 롤러(52)에 접촉된 상태로 샤프트(51)들을 따 라 직선이동된다. 각각의 샤프트(51)들은 기판(P)이 수평상태로 이송되도록 일단과 타단이 동일 높이로 제공될 수 있다. 또는, 선택적으로 샤프트(51)들은 기판(P)이 경사진 상태로 이송될 수 있도록 일단과 타단이 상이한 높이로 제공될 수 있다. 1 and 2, the transfer unit 50 has a plurality of shafts 51, rollers 52, and a drive unit 53. The shafts 51 are arranged side by side to be spaced apart from each other in the inner space (11, 21, 31) of the respective chambers (10, 20, 30). The shafts 51 are located at heights corresponding to the openings 24, 25. Each shaft 51 is disposed perpendicular to the direction in which the first to third chambers 10, 20, 30 are arranged when the longitudinal direction is viewed from above. A plurality of rollers 52 are spaced apart and fixed to each shaft 51 along its longitudinal direction. The rollers 52 are in contact with the lower surface of the substrate P to be transferred and support the substrate P. The rollers 52 are provided in plurality, spaced apart at regular intervals so that the substrate P to be transported can be kept flat. The shafts 51 are rotated by the drive part 53 about the central axis in the longitudinal direction. The driver 53 has a plurality of pulleys 54, belts 55, and a motor 56. Pulleys 54 are respectively coupled to both ends of each shaft 51. Pulleys 54 coupled to adjacent shafts 51 are connected to each other by belts 55. Any one of the plurality of pulleys 54 is coupled to a motor 56 for rotating it. The shafts 51 and the rollers 52 are rotated by the assembly of the pulleys 54, the belts 55, and the motor 56 described above, and the substrate P has its lower surface on the roller 52. It is linearly moved along the shafts 51 in contact. Each of the shafts 51 may have one end and the other end at the same height so that the substrate P is transported in a horizontal state. Alternatively, the shafts 51 may be provided at different heights at one end and the other end so that the substrate P may be transferred in an inclined state.

각 챔버들(10, 20, 30) 중 적어도 어느 하나의 챔버(10, 20, 30)의 내부공간(11, 21, 31)에는 이송되는 기판(P)으로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급유닛(40)이 제공된다. 처리유체 공급 유닛(40)은 이송유닛(50)의 상부에 위치하며 이송되는 기판(P)의 상면으로 처리유체를 공급한다. 선택적으로, 처리유체 공급유닛(40)은 이송유닛(50)의 하부에 위치하여 기판(P)의 저면으로 처리유체를 공급할 수 있으며, 또는 이송유닛(50)의 상부 및 하부에 위치하여 기판(P)의 상면 및 저면으로 동시에 처리유체를 공급할 수 있다. 처리유체 공급유닛(40)은 처리유체를 분사하는 복수개의 분사노즐(41)들 및 각각의 분사노즐(41)들로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급라인(미도시)을 포함한다. 분사노즐(41)들은 바(bar) 형상으로 제공되며, 챔버들(10, 20, 30)이 배치된 방향을 따라 서로 이격하여 나란하게 배치된다. 분사노즐(41)들은 샤프트들(51)과 나란하도록 배치될 수 있다. 또는, 선택적으로 분사노즐(41)들은 상부에서 바라보았을 때 샤프트(51)들과 일정각도를 이루도록 배치될 수 있다. 분사노즐(41)이 샤프트(51)와 일정각도를 이루도록 배치되는 경우, 나란하게 배치되는 경우보다 분사노즐(41)의 길이를 길게 제공할 수 있으므로, 기판(P)으로 더 많은 양의 처리유체를 공급할 수 있다. 분사노즐(41)의 저면에는 처리유체를 분사하는 분사공간이 형성된다. 분사공간은 복수개의 홀(hole)들로 제공될 수 있으며, 홀들은 서로 이격하여 분사노즐(41)의 길이방향을 따라 형성된다. 선택적으로, 분사공간(41)은 분사노즐의 길이방향을 따라 슬릿(slit)형상으로 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 제2챔버(20)에 제공된 처리유체 분사노즐(41)은 에칭공정을 수행할 수 있는 에칭액을 공급하며, 제3챔버(30)에 제공된 처리유체 분사노즐(미도시)은 에칭공정이 완료된 기판(P)에 머무르는 에칭액을 세정하는 세정액 및 세정된 기판(P)을 건조하는 건조유체를 공급한다. Process fluid supply unit for supplying a process fluid to the substrate (P) to be transferred to the interior space (11, 21, 31) of at least one of the chambers (10, 20, 30) of each of the chambers (10, 20, 30) 40 is provided. The processing fluid supply unit 40 is positioned above the transfer unit 50 and supplies the processing fluid to the upper surface of the substrate P to be transferred. Optionally, the processing fluid supply unit 40 may be disposed below the transfer unit 50 to supply the processing fluid to the bottom surface of the substrate P, or may be disposed above and below the transfer unit 50. The treatment fluid can be simultaneously supplied to the upper and lower surfaces of P). The treatment fluid supply unit 40 includes a plurality of injection nozzles 41 for injecting treatment fluid and a treatment fluid supply line (not shown) for supplying treatment fluid to the respective injection nozzles 41. The injection nozzles 41 are provided in a bar shape and are arranged side by side to be spaced apart from each other along the direction in which the chambers 10, 20, 30 are arranged. The spray nozzles 41 may be arranged to be parallel to the shafts 51. Alternatively, the spray nozzles 41 may be arranged to form an angle with the shafts 51 when viewed from the top. When the injection nozzle 41 is arranged to form a predetermined angle with the shaft 51, the length of the injection nozzle 41 can be provided longer than when arranged side by side, so that a larger amount of processing fluid to the substrate (P) Can be supplied. An injection space for injecting a processing fluid is formed at the bottom of the injection nozzle 41. The injection space may be provided as a plurality of holes, and the holes may be formed along the longitudinal direction of the injection nozzle 41 to be spaced apart from each other. Alternatively, the injection space 41 may be provided in a slit shape along the longitudinal direction of the injection nozzle. According to the embodiment, the treatment fluid injection nozzle 41 provided in the second chamber 20 supplies an etching liquid capable of performing an etching process, and the treatment fluid injection nozzle (not shown) provided in the third chamber 30 is A cleaning liquid for cleaning the etching liquid staying on the substrate P where the etching process is completed and a drying fluid for drying the cleaned substrate P are supplied.

나이프 유닛은(100) 제2챔버(20)의 일측벽(22) 또는 양측벽(22, 23)에 장착된다. 실시예에 의하면, 나이프 유닛(100)은 제2챔버(20)의 측벽 외측면에 장착된다. 나이프 유닛(100)은 개구(24, 25)의 상부 또는 하부에, 또는 상부 및 하부에 각각 설치되며, 분사노즐(41)에서 분사된 에칭액 및 에칭액으로부터 발생된 퓸(fume)이 인접한 챔버들(10, 30)로 유입되지 않도록 제2챔버(20) 측벽(22, 23)에 형성된 개구(24, 25)를 향해 유체를 분사한다. The knife unit 100 is mounted to one side wall 22 or both side walls 22 and 23 of the second chamber 20. According to the embodiment, the knife unit 100 is mounted on the side wall outer surface of the second chamber 20. The knife unit 100 is installed above or below the openings 24 and 25, or above and below, respectively, and the chambers adjacent to the etching liquid injected from the injection nozzle 41 and fumes generated from the etching liquid are adjacent to each other ( The fluid is injected toward the openings 24 and 25 formed in the side walls 22 and 23 of the second chamber 20 so as not to flow into the 10 and 30.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 단면도이다.3 is a perspective view showing a knife unit according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view showing a knife unit according to an embodiment of the present invention.

도 1, 3 및 4를 참조하면, 나이프 유닛(100)은 플레이트(110) 및 유체공급부재(130)를 포함한다. 플레이트(110a, 110b)는 개구(24)의 길이방향을 따라 제공된 직사각형의 판형상으로, 제2챔버(20)의 측벽(22)과 접촉하는 일측면을 가진다. 플레이트(110a)의 저면에는 유체가 분사되는 분사라인(140)이 개구(24)의 길이방향을 따라 제공된다. 분사라인(140)은 플레이트(110a)의 상기 일측면에 개구(24)의 길이방향을 따라 형성된 분사 홈(115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 그리고, 플레이트(110a)에는 유체공급부재(130)에서 공급된 유체가 제공되는 슬릿공간(142) 및 상기 슬릿공간(142)으로 공급된 유체가 분사라인(140)을 통해 분사되기 전 일시적으로 머무르는 공간을 제공하는 버퍼공간(143)이 형성된다. 슬릿공간(142)은 버퍼 홈(115)의 상부에 위치하며, 버퍼공간(143)은 슬릿공간(142)과 분사라인(141) 사이에 위치한다. 실시예에 의하면, 슬릿공간(142)은 분사 홈(115)의 상부에 개구(24)의 길이방향을 따라 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 슬릿 홈(111)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 그리고, 버퍼공간(143)은 상기 분사 홈(115)과 상기 슬릿 홈(111)의 사이에 개구(24)의 길이방향을 따라 형성된 슬릿 홈(114)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성된다. 슬릿공간(142)과 버퍼공간(143)은 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 연결 홈(113)을 통하여 연결된다. 연결 홈(113)은 슬릿 홈(111) 및 분사 홈(114)의 깊이보다 낮은 깊이로 형성된다. 연결 홈(113)은 슬릿 홈(111)으로 공급된 유체가 버퍼 홈(114)으로 공급되는 동안 유체에 포함된 불순물을 여과시키는 역할을 한다. 유체에 포함된 불순물은 슬릿 홈(111)에서 버퍼 홈(114)으로 공급되는 과정에서 연결 홈(113)에 정체되어 여과된다. 선택적으로, 슬릿 홈(111) 또는 버퍼 홈(114)에는 슬릿공간(142) 또는 버퍼공간(143)을 복수개의 공간으로 구획하는 구획판(미도시)이 이격하여 복수개 제공될 수 있다. 1, 3 and 4, the knife unit 100 includes a plate 110 and a fluid supply member 130. The plates 110a and 110b have a rectangular plate shape provided along the longitudinal direction of the opening 24 and have one side surface in contact with the side wall 22 of the second chamber 20. The bottom of the plate 110a is provided with a spray line 140 through which the fluid is injected along the longitudinal direction of the opening 24. The injection line 140 is formed by combining an injection groove 115 formed along the longitudinal direction of the opening 24 on one side of the plate 110a and one surface 22a of the side wall 22. In addition, the plate 110a temporarily stays in the slit space 142 provided with the fluid supplied from the fluid supply member 130 and the fluid supplied into the slit space 142 before being injected through the injection line 140. A buffer space 143 is formed to provide space. The slit space 142 is located above the buffer groove 115, and the buffer space 143 is located between the slit space 142 and the injection line 141. According to the embodiment, the slit space 142 of the slit groove 111 and the side wall 22 formed on one side of the plate 110a along the longitudinal direction of the opening 24 in the injection groove 115 One surface 22a is formed in combination. The buffer space 143 is formed between the injection groove 115 and the slit groove 111 along the longitudinal direction of the opening 24 and the one surface 22a of the side wall 22. This is formed in combination. The slit space 142 and the buffer space 143 are connected through the connection groove 113 formed on the one side of the plate (110a). The connection groove 113 is formed to a depth lower than the depth of the slit groove 111 and the injection groove 114. The connection groove 113 serves to filter impurities contained in the fluid while the fluid supplied to the slit groove 111 is supplied to the buffer groove 114. Impurities contained in the fluid are stagnant and filtered in the connection groove 113 in the process of being supplied from the slit groove 111 to the buffer groove 114. Optionally, a plurality of partition plates (not shown) may be provided in the slit groove 111 or the buffer groove 114 to separate the slit space 142 or the buffer space 143 into a plurality of spaces.

유체공급부재(130)는 플레이트(110a)의 슬릿공간(142)과 연결되며, 슬릿공간(142)으로 유체를 공급한다. 유체공급부재(130)는 유체저장부(미도시) 및 유체공급라인(131)을 포함한다. 유체저장부는 슬릿공간(142)으로 공급되는 유체를 저장한다. 실시예에 의하며, 유체저장부에는 에어(air) 또는 불활성 가스가 저장된다. 유 체공급라인(131)은 유체저장부와 슬릿공간(142)을 연결하며, 유체저장부에 저장된 유체를 슬릿공간(142)으로 공급한다. 유체공급라인(131)에는 공급되는 유체의 양을 조절하는 밸브(미도시)가 제공된다. 그리고 유체공급라인(131)의 일단에는 유체공급라인(131)과 플레이트(110a)를 연결하는 이음부재(132)가 제공된다. 이음부재(132)는 플레이트(110a)에 슬릿 홈(111)과 연결되어 형성된 홀(112)에 삽입된다. 이음부재(132)는 유체공급라인(131)과 플레이트(110a)가 연결되는 영역에서 유체가 유출되는 것을 예방한다.The fluid supply member 130 is connected to the slit space 142 of the plate 110a and supplies fluid to the slit space 142. The fluid supply member 130 includes a fluid storage unit (not shown) and a fluid supply line 131. The fluid storage unit stores the fluid supplied to the slit space 142. In an embodiment, the fluid storage unit may store air or an inert gas. The fluid supply line 131 connects the fluid storage unit and the slit space 142 and supplies the fluid stored in the fluid storage unit to the slit space 142. The fluid supply line 131 is provided with a valve (not shown) for adjusting the amount of fluid supplied. One end of the fluid supply line 131 is provided with a joint member 132 connecting the fluid supply line 131 and the plate 110a. The joint member 132 is inserted into the hole 112 formed by being connected to the slit groove 111 in the plate 110a. The joint member 132 prevents the fluid from flowing out in an area where the fluid supply line 131 and the plate 110a are connected.

실시예에 의하면, 유체공급라인(131)은 플레이트(110)의 길이방향을 따라 일정간격 이격하여 복수개 제공되며, 이에 의하여 슬릿공간(142)의 각 영역으로 유체를 균일하게 공급할 수 있다. According to the embodiment, a plurality of fluid supply lines 131 are provided at regular intervals along the longitudinal direction of the plate 110, thereby uniformly supplying the fluid to each region of the slit space 142.

상술한 바와 같이, 분사라인(141), 슬릿공간(142), 그리고 버퍼공간(143)이 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 홈들(111, 114, 115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성되므로, 간단한 구성으로 나이프 유닛(100)을 제공할 수 있다.As described above, the injection line 141, the slit space 142, and the buffer space 143 have grooves 111, 114, and 115 formed on one side of the plate 110a and one surface of the side wall 22. Since 22a is formed in combination, the knife unit 100 can be provided with a simple structure.

플레이트(110a)가 장착되는 측벽(22)의 외측면은 평면(22a)과 안내면(22b)을 가진다. 평면(22a)은 플레이트(110a)의 상기 일측면과 나란하도록 제공되며 플레이트(110a)가 장착된다. 안내면(22b)은 평면(22a)으로부터 연장되어 개구(24)와 인접하여 위치한다. 안내면(22b)은 개구(24)에 인접할수록 제2챔버(20)의 내부공간(21)과 가까워지도록 라운드지게 제공되며, 분사라인(141)을 통해 분사된 유체가 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되도록 유체를 안내한다. 실시예에 의하면, 안내 면(22b)은 곡면으로 제공된다. 분사라인(141)을 통해 분사된 유체는 코안다 효과(coanda effect)에 의하여 평면(22a)과 안내면(22b)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공된다. 본 발명에서는 분사라인(141)이 플레이트(110a)의 상기 일측면에 형성된 분사 홈(115)과 상기 측벽(22)의 일면(22a)이 조합되어 형성되므로, 코안다 효과에 의하여 유체가 용이하게 내부공간으로 제공될 수 있다.The outer surface of the side wall 22 on which the plate 110a is mounted has a plane 22a and a guide surface 22b. The plane 22a is provided to be parallel to the one side of the plate 110a and the plate 110a is mounted. Guide surface 22b extends from plane 22a and is located adjacent to opening 24. The guide surface 22b is provided to be rounded so as to be closer to the inner space 21 of the second chamber 20 as it is adjacent to the opening 24, and the fluid injected through the injection line 141 is formed in the second chamber 20. The fluid is guided to the interior space 21. According to an embodiment, the guide surface 22b is provided as a curved surface. The fluid injected through the injection line 141 is provided to the inner space 21 of the second chamber 20 along the plane 22a and the guide surface 22b by a coanda effect. In the present invention, since the injection line 141 is formed by combining the injection groove 115 formed on the one side surface of the plate 110a and the one surface 22a of the side wall 22, the fluid is easily formed by the Coanda effect. It may be provided as an interior space.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 나이프 유닛이 유체를 분사하는 과정을 나타낸 도면이다. 5 is a view showing a process in which the knife unit injects the fluid according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 이송유닛(50)에 의하여 기판(P)이 제2챔버(20)의 측벽(22)에 형성된 개구(24)를 통하여 제1챔버(10)의 내부공간(11)에서 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송되면, 분사노즐(41)에서 에칭액을 분사한다. 분사된 에칭액은 개구(24)를 통과중인 기판(P)의 상면 또는 저면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입된다. 에칭액은 주로 질산, 불산, 탈이온수로 이루어진 약액이 사용되며, 이러한 에칭액은 강한 산성의 성질을 가진다. 에칭액이 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되는 경우, 에칭액과 제1챔버(10)의 내부공간(11)에 설치된 장치들이 반응하여 상기 장치들이 부식된다. 그리고, 반응에서 발생된 퓸(fume) 또는 반응 부산물들은 이송되는 기판(P)에 부착되어 기판(P)을 오염시키는 요인으로 제공될 수 있다. 그러나, 본 발명에서는 측벽(22)의 외측면(22a, 22b)에 개구(24)를 향해 대향하여 설치된 한 쌍의 플레이트(110a, 110b)에서 유체가 분사되고, 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(22)의 안내면(22b, 22d)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되 므로, 에칭액이 기판(P)의 상면 또는 하면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되는 것이 예방된다.5, in the internal space 11 of the first chamber 10 through the opening 24 formed in the side wall 22 of the second chamber 20 by the transfer unit 50. It is transferred to the inner space 21 of the second chamber 20. When one side of the substrate P is transferred to the inner space 21 of the second chamber 20, the etching liquid is injected from the injection nozzle 41. The injected etchant flows into the inner space 11 of the first chamber 10 along the upper or lower surface of the substrate P passing through the opening 24. The etching solution is mainly a chemical solution consisting of nitric acid, hydrofluoric acid, and deionized water, and the etching solution has strong acidic properties. When the etchant flows into the interior space 11 of the first chamber 10, the devices installed in the interior space 11 of the etchant and the first chamber 10 react to corrode the devices. In addition, fumes or reaction by-products generated in the reaction may be attached to the substrate P to be transferred and may be provided as a factor of contaminating the substrate P. However, in the present invention, the fluid is injected from the pair of plates 110a and 110b provided on the outer surfaces 22a and 22b of the side wall 22 so as to face the opening 24, and the injected fluid is applied to the Coanda effect. Since the etching solution is provided along the guide surfaces 22b and 22d of the side wall 22 to the internal space 21 of the second chamber 20, the etching solution is formed inside the first chamber 10 along the upper or lower surface of the substrate P. Inflow into the space 11 is prevented.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판(P) 처리 장치를 사용하여 기판(P)을 처리하는 과정을 설명하면 다음과 같다.Referring to the process of processing the substrate P using the substrate P processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above is as follows.

도 1, 4 및 5를 참조하면, 제1챔버(10)의 내부공간(11)에 위치하는 이송유닛(50)으로 기판(P)이 로딩된다. 로딩된 기판(P)은 이송유닛(50)에 의하여 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 이송되면, 분사노즐(41)에서 기판(P)으로 에칭액을 분사한다. 기판(P)이 이송되는 동안 플레이트들(110a 내지 110d)은 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 유체를 분사한다. 유체공급라인(130)을 통해 유체저장부에 저장된 유체가 플레이트(110a)의 슬릿공간(142)으로 공급된다. 슬릿공간(142)으로 공급된 유체는 버퍼공간(143)으로 공급되며, 버퍼공간(143)으로 공급되는 과정에서 유체에 포함된 불순물은 연결 홈(113)과 측벽(22)의 일면(22a) 사이에 머무르게 된다. 버퍼공간(143)으로 공급된 유체는 버퍼공간(143)에서 일시적으로 머무른 후 분사라인(141)을 통해 개구(24)를 향해 분사된다. 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(22)의 안내면(22b)을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되어 개구(24)를 통과하는 기판(P)의 상·하면을 따라 제1챔버(10)의 내부공간(11)으로 유입되려는 에칭액의 이동을 방해한다. 기판(P)이 제2챔버(20)의 내부공간(21)을 이송하는 동안 분사노즐(41)에서 분사된 에칭액에 의하여 에칭공정이 수행된다. 에칭공정이 완료된 기 판(P)은 이송유닛(50)에 의하여 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 이송된다. 기판(P)의 일측이 제3챔버(30)와 인접한 제2챔버(20)의 측벽(23)에 형성된 개구(25)로 이송되는 동안, 플레이트들(110a 내지 110d)은 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 유체를 분사한다. 분사된 유체는 코안다 효과에 의하여 측벽(23)의 안내면을 따라 제2챔버(20)의 내부공간(21)으로 제공되어, 기판(P)의 상·하면을 따라 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 유입되려는 에칭액의 이동을 방해한다. 제3챔버(30)의 내부공간(31)으로 이송된 기판(P)은 제3챔버(30)에 제공된 처리유체 분사노즐(미도시)에서 분사된 세정액 및 건조유체에 의해 세정·건조되어 후속공정에 제공된다. 1, 4 and 5, the substrate P is loaded into the transfer unit 50 positioned in the inner space 11 of the first chamber 10. The loaded substrate P is transferred to the inner space 21 of the second chamber 20 by the transfer unit 50. When one side of the substrate P is transferred to the inner space 21 of the second chamber 20, the etching liquid is injected from the injection nozzle 41 to the substrate P. The plates 110a to 110d inject the fluid into the inner space 21 of the second chamber 20 while the substrate P is transferred. The fluid stored in the fluid storage unit is supplied to the slit space 142 of the plate 110a through the fluid supply line 130. The fluid supplied to the slit space 142 is supplied to the buffer space 143, and impurities contained in the fluid in the process of being supplied to the buffer space 143 are connected to the grooves 113 and the one surface 22a of the side wall 22. Stay in between. The fluid supplied to the buffer space 143 temporarily stays in the buffer space 143 and then is injected toward the opening 24 through the injection line 141. The injected fluid is provided to the inner space 21 of the second chamber 20 along the guide surface 22b of the side wall 22 by the Coanda effect, and the upper and lower surfaces of the substrate P passing through the opening 24. Accordingly, the movement of the etchant to be introduced into the internal space 11 of the first chamber 10 is prevented. The etching process is performed by the etching liquid sprayed from the spray nozzle 41 while the substrate P transports the internal space 21 of the second chamber 20. The substrate P on which the etching process is completed is transferred to the internal space 31 of the third chamber 30 by the transfer unit 50. While one side of the substrate P is transferred to the opening 25 formed in the side wall 23 of the second chamber 20 adjacent to the third chamber 30, the plates 110a to 110d are moved to the second chamber 20. Inject the fluid into the inner space (21). The injected fluid is provided to the inner space 21 of the second chamber 20 along the guide surface of the side wall 23 by the Coanda effect, and along the upper and lower surfaces of the substrate P. Interfering with the movement of the etchant to be introduced into the inner space 31. The substrate P transferred to the internal space 31 of the third chamber 30 is cleaned and dried by a cleaning liquid and a drying fluid sprayed from a processing fluid injection nozzle (not shown) provided to the third chamber 30. Provided to the process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view showing a knife unit according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프 유닛을 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a knife unit according to an embodiment of the present invention.

Claims

A chamber having an inner space and having an opening through which sidewalls are transferred;

And a knife unit mounted to the side wall, for dispensing fluid toward the opening.

The method of claim 1,

The knife unit is

It has a side surface in contact with the side wall, the groove provided in the injection line in which the fluid is injected to the one side comprises a plate formed along the longitudinal direction of the opening,

The spray line

And the groove and one side of the sidewall are formed in combination.

The method of claim 1,

And the fluid is air or inert gas.

The method according to any one of claims 1 to 3,

And the knife unit is located on an outer surface of the chamber.

The method of claim 4, wherein

The outer side is

And a guide surface positioned adjacent to the opening and guiding the fluid so that the injected fluid is provided to the inner space.

The method of claim 5,

The guide surface is a substrate processing apparatus, characterized in that the curved surface.

A first chamber, a second chamber, and a third chamber sequentially arranged in a straight line;

A transfer unit for transferring a substrate between the first chamber, the second chamber, and the third chamber through openings formed in both side walls of the second chamber;

A knife unit mounted on one side wall or both side walls of the second chamber and injecting a fluid toward the opening;

The second chamber is a chamber for performing an etching process,

The knife unit is

And a plate positioned above or below the opening and having a spray line for injecting the fluid.

The method of claim 7, wherein

The spray line

And a groove formed along a longitudinal direction of the opening and one surface of the side wall formed on one side of the plate in contact with the side wall.

9. The method according to claim 7 or 8,

The upper and lower surfaces of the opening

And the fluid sprayed from the spray line is rounded to supply the inner space of the second chamber along the upper or lower surface of the opening.