KR101298220B1

KR101298220B1 - Surface treating system for a substrate having a compact structure and surface treating method for the substrate

Info

Publication number: KR101298220B1
Application number: KR1020120006810A
Authority: KR
Inventors: 장승일; 안길수
Original assignee: 주식회사 엠엠테크
Priority date: 2012-01-20
Filing date: 2012-01-20
Publication date: 2013-08-22
Also published as: KR20130085764A; JP2013149942A; TW201332038A; JP5544000B2; CN103219262A

Abstract

본 발명은, 보다 콤팩트한 구조를 가져 설치 공간 상의 제약을 받지 않도록 하기 위한 것으로, 지면에 대해 수평한 방향으로 연장되고 양단에 제1단부 및 제2단부를 각각 구비한 제1공정실과, 지면에 대해 수평한 방향으로 연장되고, 상기 제1공정실과 나란하게 위치하며 양단에 제3단부 및 제4단부를 각각 구비한 제2공정실과, 양단에 서로 대향된 제5단부 및 제6단부를 각각 구비하고, 상기 제5단부는 상기 제2단부 및 제4단부와 결합되어 상기 제1공정실 및 제2공정실과 각각 연통된 제3공정실과, 상기 제1공정실에 설치되고 기판을 지면에 수평하고 상기 제1단부에서 제2단부를 향하는 제1방향으로 이송하는 제1수평이동부와, 상기 제2공정실에 설치되고 기판을 지면에 수평하고 상기 제1방향의 반대 방향인 제2방향으로 이송하는 제2수평이동부와, 상기 제3공정실에 설치되고 기판의 이송 방향을 제1방향에서 제2방향으로 또는 제2방향에서 제1방향으로 전환시키는 방향 전환부와, 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 적어도 하나의 일부에 설치되고 상기 기판의 표면에 적어도 한 종류의 처리액을 분사하는 제1습식 처리 모듈을 포함하는 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법에 관한 것이다.The present invention is intended to have a more compact structure so as not to be constrained in the installation space, the first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having a first end and a second end at each end, and the ground A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the first process chamber, the second process chamber having a third end portion and a fourth end portion disposed at both ends thereof, respectively; And the fifth end portion is coupled to the second end portion and the fourth end portion, and has a third process chamber communicating with the first process chamber and the second process chamber, respectively, and is installed in the first process chamber and the substrate is horizontal to the ground. A first horizontal moving part for transferring in the first direction from the first end toward the second end, and installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction; A second horizontal moving unit and the third Installed in the chamber and installed in at least one of the first to third process chambers and a direction switching unit for converting the transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And a first wet treatment module for spraying at least one kind of treatment liquid onto the surface of the substrate.

Description

Surface treating system for a substrate having a compact structure and surface treating method for the substrate}

본 발명은 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 콤팩트한 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법 에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate surface treatment system and a substrate surface treatment method, and more particularly, to a compact substrate surface treatment system and a substrate surface treatment method.

유기 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치를 형성하기 위한 기판에는 복수의 박막 트랜지스터를 포함한 구동 소자들이 형성된다.Driving elements including a plurality of thin film transistors are formed on a substrate for forming an organic light emitting display or a liquid crystal display.

이를 위해 상기 기판에는 폴리 실리콘막과 같은 실리콘막이 형성된다. 상기 폴리 실리콘막은 비정질 실리콘막을 ELA 등의 결정화 공정을 거쳐 형성한다. 이 폴리 실리콘막을 패터닝해 상기 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용한다.To this end, a silicon film such as a polysilicon film is formed on the substrate. The polysilicon film forms an amorphous silicon film through a crystallization process such as ELA. This polysilicon film is patterned and used as an active layer of the thin film transistor.

그런데 상기 비정질 실리콘막 및/또는 폴리 실리콘막은 자연 상태에서 표면에 실리콘 산화막을 갖는다.However, the amorphous silicon film and / or the polysilicon film have a silicon oxide film on the surface in a natural state.

상기 실리콘 산화막은 결정화 공정에 악영향을 미칠 수 있다. 또, 박막 트랜지스터의 특성에 영향을 미치고, 공정 중 파티클 등의 오염원으로 작용할 수 있다. 따라서, 상기 결정화 공정 전후 및/또는 후에 상기 실리콘 산화막을 제거하지 않으면 안 된다.The silicon oxide film may adversely affect the crystallization process. In addition, it affects the characteristics of the thin film transistor and can act as a contaminant such as particles during the process. Therefore, the silicon oxide film must be removed before and / or after the crystallization step.

또한 결정화 공정을 거쳐 형성된 폴리 실리콘막은 표면 러프니스가 거칠기 때문에 그 표면을 에칭해 표면 균일도를 높일 필요도 있다.Furthermore, since the surface roughness is rough, the polysilicon film formed through the crystallization process needs to be etched to increase the surface uniformity.

이러한 이유로 인해 상기 실리콘막이 형성되어 있는 기판의 표면에 대하여 상기 실리콘막을 에칭하기 위한 표면처리를 해야 한다.For this reason, surface treatment for etching the silicon film must be performed on the surface of the substrate on which the silicon film is formed.

선행기술문헌 1은 종래의 기판 에칭 장비를 개시한 것인 데, 기판을 회전시키면서 에칭액을 기판에 분사하는 방식이다. 그런데 이러한 방식은 예컨대 4세대(730*460mm)까지의 소형 기판 사이즈에서는 적절했으나, 5.5세대(1,300*1,500mm) 이상 대형 기판에서는 사용이 어렵다. 이는 대형 기판은 회전시키기가 어려우며, 설사 회전을 시킬 수 있다고 하더라도 회전속도가 600RPM이하로 저하하면서 에칭 후 얼룩이 발생된다. 또, 중심부와 모서리간의 에칭 편차가 발생하며, 챔버의 내벽에 액이 부딪혀 기판으로 다시 튀기 때문에 기판에 얼룩이 발생하는 문제가 있다. Prior art document 1 discloses a conventional substrate etching equipment, which is a method of spraying etching liquid onto a substrate while rotating the substrate. However, this method is suitable for small substrate sizes up to, for example, 4th generation (730 * 460mm), but it is difficult to use for large substrates larger than 5.5 generations (1,300 * 1,500mm). This is difficult to rotate the large substrate, even if it can be rotated even if the rotation speed is lowered to 600RPM or less stains after etching occurs. In addition, there is a problem that the etching deviation between the center and the corner occurs, and the liquid splashes on the inner wall of the chamber and bounces back to the substrate, causing stains on the substrate.

이를 개선하기 위해 표면 처리를 위한 시스템을 인라인 형태로 배열하기도 하는 데, 이 경우 공정을 수행하는 시스템이 지나치게 길게 형성될 수 있다. 이는 시스템을 설치할 공간을 많이 차지하게 되는 문제가 발생된다.To improve this, systems for surface treatment are sometimes arranged in-line, in which case the system carrying out the process may be formed too long. This causes a problem that takes up a lot of space to install the system.

선행기술문헌 2의 경우, 상측과 하측에 걸쳐 2층 구조로 시스템을 구성한 것이나, 이는 동일한 작동 과정을 보이는 단계를 상측과 하측에 동일하게 배치시켜 처리 물량을 증대시키고자 한 것이다. 그러나 하나의 처리 공정만 놓고 보면, 결국 단일의 직선상의 경로를 나타내는 인라인 시스템이라고 볼 수 있어, 시스템 전체의 길이는 변화되지 않고 그대로 유지된 것이다.In the case of the prior art document 2, the system is configured in a two-layer structure over the upper side and the lower side, but this is intended to increase the throughput by placing the steps showing the same operation process on the upper side and the lower side. However, in terms of only one process, it can be seen as an inline system that represents a single straight path, so that the length of the entire system remains unchanged.

1: 일본공개특허공보 특개2004-006618호1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-006618 2: 대한민국 공개특허공보 제2007-0048036호2: Republic of Korea Patent Publication No. 2007-0048036

상기와 같은 종래기술의 문제 및/또는 한계를 극복하기 위한 것으로, 본 발명은, 보다 콤팩트한 구조를 가져 설치 공간 상의 제약을 받지 않도록 할 수 있는 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.In order to overcome the problems and / or limitations of the prior art as described above, the present invention provides a substrate surface treatment system and a substrate surface treatment method capable of having a more compact structure so as not to be restricted in the installation space. There is a purpose.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 지면에 대해 수평한 방향으로 연장되고 양단에 제1단부 및 제2단부를 각각 구비한 제1공정실과, 지면에 대해 수평한 방향으로 연장되고, 상기 제1공정실과 나란하게 위치하며 양단에 제3단부 및 제4단부를 각각 구비한 제2공정실과, 양단에 서로 대향된 제5단부 및 제6단부를 각각 구비하고, 상기 제5단부는 상기 제2단부 및 제4단부와 결합되어 상기 제1공정실 및 제2공정실과 각각 연통된 제3공정실과, 상기 제1공정실에 설치되고 기판을 지면에 수평하고 상기 제1단부에서 제2단부를 향하는 제1방향으로 이송하는 제1수평이동부와, 상기 제2공정실에 설치되고 기판을 지면에 수평하고 상기 제1방향의 반대 방향인 제2방향으로 이송하는 제2수평이동부와, 상기 제3공정실에 설치되고 기판의 이송 방향을 제1방향에서 제2방향으로 또는 제2방향에서 제1방향으로 전환시키는 방향 전환부와, 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 적어도 하나의 일부에 설치되고 상기 기판의 표면에 적어도 한 종류의 처리액을 분사하는 제1습식 처리 모듈을 포함하는 기판 표면처리 시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the first process chamber which extends in a horizontal direction with respect to the ground and has a first end and a second end, respectively, and extends in a horizontal direction with respect to the ground, A second process chamber positioned in parallel with the first process chamber and having a third end and a fourth end respectively at both ends; and a fifth end and a sixth end respectively opposed to each other, and the fifth end being the A third process chamber coupled with the second end and the fourth end to communicate with the first process chamber and the second process chamber, respectively; and a third end chamber installed in the first process chamber, the substrate being horizontal to the ground, and the second end to A first horizontal moving part moving in a first direction toward the first horizontal moving part, the second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction; It is installed in the third process chamber and the transfer direction of the substrate in the first room At least one kind of treatment on the surface of the substrate and installed in at least one portion of the first to third process chambers, and a direction changing unit for switching from the second direction to the second direction or from the second direction to the first direction. Provided is a substrate surface treatment system including a first wet treatment module for ejecting a liquid.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1단부 및 제3단부는 서로 나란하게 연장되어 있고, 상기 제2단부 및 제4단부는 서로 나란하게 연장되어 있으며, 상기 제1단부 및 제3단부에 각각 제1게이트 및 제2게이트가 구비될 수 있다.According to another feature of the present invention, the first end and the third end extend in parallel with each other, the second end and the fourth end extend in parallel with each other, and the first end and the third end respectively. The first gate and the second gate may be provided.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 어느 하나에 위치하고, 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 상기 제1습식 처리 모듈이 설치되지 않은 나머지에는, 상기 기판의 표면을 건조시킨 상태에서 처리하는 건식 처리모듈이 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module is located in any one of the first process chamber to the third process chamber, wherein the first wet process module of the first process chamber to the third process chamber is In the rest that is not installed, a dry processing module for processing in the dried state of the substrate may be located.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 어느 하나에 위치하고, 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 상기 제1습식 처리 모듈이 설치되지 않은 나머지 중 적어도 하나에는, 상기 기판의 표면을 습식으로 처리하는 제2습식 처리모듈이 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module is located in any one of the first process chamber to the third process chamber, wherein the first wet process module of the first process chamber to the third process chamber is A second wet treatment module for wetly treating the surface of the substrate may be located in at least one of the remaining ones not installed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제3공정실의 상기 제5단부 중 상기 제2단부와 결합된 부분에 인접하여 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may be located adjacent to the portion coupled to the second end of the fifth end of the third process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제3공정실의 상기 제5단부 중 상기 제4단부와 결합된 부분에 인접하여 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may be located adjacent to the portion coupled to the fourth end of the fifth end of the third process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제3공정실의 상기 제2단부에 가까운 부분에 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may be located at a portion near the second end of the third process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 제3공정실의 상기 제4단부에 가까운 부분에 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may be located at a portion near the fourth end of the third process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 상기 방향 전환부에 연동하도록 구비될 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may be provided to interlock with the direction change unit.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2공정실은 상기 제1공정실의 하부에 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the second process chamber may be located below the first process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1공정실은 상기 제2공정실의 하부에 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the first process chamber may be located below the second process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1공정실 내지 제3공정실 중 적어도 하나에 위치하고, 상기 기판을 지면에 대해 경사지도록 틸팅시키는 틸팅 구동부를 더 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, it may further include a tilting drive unit which is located in at least one of the first to third process chambers, and tilting the substrate to be inclined with respect to the ground.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은, 일체로 결합된 액 분사 모듈 및 공기 분사 모듈을 포함하고, 상기 액 분사 모듈은 상기 처리액을 상기 기판의 표면을 향하여 분사하도록 구비되고, 상기 공기 분사 모듈은 상기 기판의 표면을 향하여 액절 공기를 분사하도록 구비될 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet treatment module includes a liquid injection module and an air injection module integrally coupled, the liquid injection module is provided to spray the treatment liquid toward the surface of the substrate The air injection module may be provided to inject liquid air toward the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 모듈은 복수의 분무 노즐을 구비한 액 분사 모듈을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing module may include a liquid injection module having a plurality of spray nozzles.

본 발명은 또한, 전술한 목적을 달성하기 위하여, 기판을 제1방향으로 수평 이동시키는 제1수평 이동 단계와, 상기 기판을 상기 제1방향과 반대방향인 제2방향으로 수평 이동될 수 있도록 방향을 전환시키는 방향 전환 단계와, 상기 기판을 상기 제2방향으로 수평 이동시키는 제2수평 이동 단계와, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 적어도 하나의 단계에서, 상기 기판의 표면에 대하여 적어도 한 종류의 처리액을 분사하는 제1습식 처리 단계를 포함하는 기판 표면처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a first horizontal movement step of horizontally moving a substrate in a first direction, and a direction such that the substrate can be horizontally moved in a second direction opposite to the first direction, in order to achieve the above object. In at least one of the direction changing step of switching a direction, the second horizontal moving step of horizontally moving the substrate in the second direction, and the first horizontal moving step, the direction changing step, and the second horizontal moving step. It provides a substrate surface treatment method comprising a first wet treatment step of spraying at least one kind of treatment liquid to the surface of the substrate.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 단계는 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 어느 하나의 단계에서 수행되고, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 상기 제1습식 처리 단계가 수행되지 않는 단계에서는, 상기 기판의 표면을 건조시킨 상태에서 처리하는 건식 처리 단계가 수행될 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing step is performed in any one of the first horizontal movement step, the direction change step and the second horizontal movement step, the first horizontal movement step, the In a step in which the first wet treatment step is not performed during the redirection step and the second horizontal movement step, a dry treatment step may be performed in which the surface of the substrate is dried.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 단계는 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 어느 하나의 단계에서 수행되고, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 상기 제1습식 처리 단계가 수행되지 않는 단계에서는, 상기 기판의 표면을 습식으로 처리하는 제2습식 처리 단계가 수행될 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet processing step is performed in any one of the first horizontal movement step, the direction change step and the second horizontal movement step, the first horizontal movement step, In the step in which the first wet treatment step is not performed during the redirection step and the second horizontal movement step, a second wet treatment step of wet treating the surface of the substrate may be performed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 방향 전환 단계는 상기 기판을 수직 상승시키는 단계일 수 있다.According to another feature of the invention, the redirection step may be a step of vertically raising the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 방향 전환 단계는 상기 기판을 수직 하강시키는 단계일 수 있다.According to another feature of the invention, the redirection step may be a step of vertically lowering the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 적어도 하나의 단계는 상기 기판을 지면에 대해 경사지도록 틸팅시키는 단계를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, at least one of the first horizontal movement step, the direction change step and the second horizontal movement step may include tilting the substrate to be inclined with respect to the ground.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 틸팅시키는 단계는 상기 기판의 표면이 상기 제1방향 또는 제2방향에 수직한 방향에 대해 경사지도록 기판을 틸팅시키는 단계일 수 있다.According to another feature of the invention, the step of tilting may be a step of tilting the substrate so that the surface of the substrate is inclined with respect to the direction perpendicular to the first direction or the second direction.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1습식 처리 단계는, 상기 처리액 및 액절 공기 중 적어도 하나를 상기 기판의 표면에 제공하는 단계를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the first wet treatment step may include providing at least one of the treatment liquid and liquid air to the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 표면처리를 수행하는 단계는, 상기 에칭액의 제공 및 액절 공기의 제공이 동시에 이루어지도록 할 수 있다.According to another feature of the invention, the step of performing the surface treatment, it is possible to provide the etching liquid and the provision of liquid air at the same time.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 2층 구조를 갖는 기판의 표면처리 시스템을 구현함으로써 시스템을 보다 콤팩트하게 구성할 수 있고, 장비가 설치되는 공간의 제약성을 줄일 수 있다.According to the present invention as described above, by implementing a surface treatment system of a substrate having a two-layer structure it is possible to configure the system more compact, it is possible to reduce the constraints of the space in which the equipment is installed.

또한 대면적 기판에의 적용이 더욱 유용해질 수 있다.In addition, application to large area substrates may be more useful.

또, 제1액 및 제2액에 의해 폴리 실리콘막 표면의 세정과 함께 실리콘 산화막을 에칭할 수 있고, 실리콘 산화막이 에칭된 후의 폴리 실리콘막 표면의 평활도가 더욱 향상될 수 있다.In addition, the silicon oxide film can be etched together with the cleaning of the surface of the polysilicon film by the first liquid and the second liquid, and the smoothness of the surface of the polysilicon film after the silicon oxide film is etched can be further improved.

또한, 제1액 및 제2액을 다른 시간대로 제공함으로써, 에천트인 제1액 및 제2액의 에칭 정도를 조절할 수 있다.In addition, by providing the first liquid and the second liquid in different time zones, the degree of etching of the first liquid and the second liquid which are etchants can be adjusted.

그리고 다른 종류의 에천트인 제1액 및 제2액의 사이에 제3액을 제공함으로써 완충 기능을 통해 에칭 정도의 정밀한 제어가 가능해지고, 제1액과 제2액의 혼합에 의해 원하는 에칭율이 달라지는 문제 및 이로 인한 양산성 저하를 방지할 수 있다.By providing the third liquid between the first liquid and the second liquid, which are different kinds of etchant, the buffering function enables precise control of the degree of etching, and the desired etching rate is achieved by mixing the first liquid and the second liquid. It is possible to prevent the problem to be changed and the resulting decrease in productivity.

본 발명은 또한 액절 공기의 제공 또는 틸팅 공정을 통해 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나를 기판의 표면에서 제거함으로써, 기판 표면에서 제1액 내지 제3액 중 적어도 두 가지 액체가 섞이지 않도록 해, 애초 원하는 바와 같은 에칭 정밀도를 얻을 수 있다.The present invention also removes at least one of the first to third liquids from the surface of the substrate through the provision of liquefied air or a tilting process, thereby preventing at least two liquids of the first to third liquids from mixing on the substrate surface. In the first place, the etching accuracy as desired can be obtained.

본 발명은 대형 기판에 대한 적용이 더욱 유용하다.The invention is more useful for large substrates.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 12는 본 발명의 제1습식 처리 모듈의 일 예를 도시한 구성도,
도 13은 본 발명의 분사 모듈의 일 예를 도시한 단면도,
도 14는 본 발명의 제1습식 처리 모듈의 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 15는 본 발명의 분무 노즐의 일 예를 도시한 부분 사시도,
도 16은 본 발명의 제1습식 처리 모듈의 또 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 17은 본 발명의 제1습식 처리 모듈의 또 다른 일 예를 도시한 구성도,
도 18은 본 발명의 틸팅 구동부의 일 예를 도시한 부분 사시도,
도 19는 도 18의 틸팅 구동부의 작용에 따라 기판이 틸팅되는 상태를 도시한 개략 구성도.1 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to an embodiment of the present invention;
2 is a schematic view showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
3 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
4 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
5 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
6 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
7 is a schematic view showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
8 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
9 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
10 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
11 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to another embodiment of the present invention;
12 is a configuration diagram showing an example of the first wet processing module of the present invention;
13 is a cross-sectional view showing an example of the injection module of the present invention;
14 is a configuration diagram showing another example of the first wet processing module of the present invention;
15 is a partial perspective view showing an example of the spray nozzle of the present invention;
16 is a configuration diagram showing still another example of the first wet processing module of the present invention;
17 is a configuration diagram showing still another example of the first wet processing module of the present invention;
18 is a partial perspective view showing an example of the tilting driving unit of the present invention;
FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a state in which a substrate is tilted according to the tilting driver of FIG. 18; FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate surface treatment system according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 표면처리 시스템은 제1공정실(1)과, 제2공정실(2)과, 제3공정실(3)을 포함한다.As shown in FIG. 1, a substrate surface treatment system according to an embodiment of the present invention includes a first process chamber 1, a second process chamber 2, and a third process chamber 3.

상기 제1공정실(1)은 지면에 대해 수평한 방향으로 연장된 챔버의 형태로 구비되고 양단에 제1단부(11) 및 제2단부(12)를 각각 구비한다.The first process chamber 1 is provided in the form of a chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and has first and second ends 11 and 12, respectively, at both ends.

상기 제1단부(11)에는 제1게이트(14)가 설치되어 있고, 제1게이트(14)를 통해 기판(10)이 별도 반송 로봇(미도시)에 의해 제1공정실(1) 내로 투입된다. 제2단부(12)에는 제1연통로(15)가 구비되어 제3공정실(3)과 연통된다.The first end 11 is provided with a first gate 14, and the substrate 10 is introduced into the first process chamber 1 by a transfer robot (not shown) through the first gate 14. do. The second end portion 12 is provided with a first communication path 15 to communicate with the third process chamber 3.

상기 제1공정실(1)에는 기판(10)을 지면에 수평한 제1방향(X1)으로 이송하는 제1수평 이동부(4)가 설치되어 있다. 상기 제1방향(X1)은 제1단부(11)에서 제2단부(12)를 향하는 방향이 된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제1수평 이동부(4)는 복수의 제1구동 롤러(41)들을 포함할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)을 제1방향(X1)으로 선형 이송시킬 수 있는 다양한 선형 이동수단이 될 수 있다.The first process chamber 1 is provided with a first horizontal moving part 4 for transferring the substrate 10 in a first direction X1 horizontal to the ground. The first direction X1 is a direction from the first end 11 to the second end 12. According to an embodiment of the present invention, the first horizontal moving part 4 may include a plurality of first driving rollers 41, but is not limited thereto, and the substrate 10 may be moved in a first direction. It can be various linear moving means capable of linear feeding to (X1).

상기 제2공정실(2)도 지면에 대해 수평한 방향으로 연장된 챔버의 형태로 구비되고 양단에 제3단부(21) 및 제4단부(22)를 각각 구비한다.The second process chamber 2 is also provided in the form of a chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, and has a third end portion 21 and a fourth end portion 22 at both ends, respectively.

상기 제3단부(21)에는 제2게이트(24)가 설치되어 있고, 제2게이트(24)를 통해 기판(10)은 제2공정실(2) 외측으로 토출된다. 제4단부(22)에는 제2연통로(25)가 구비되어 제3공정실(3)과 연통된다.The second end 24 is provided at the third end 21, and the substrate 10 is discharged to the outside of the second process chamber 2 through the second gate 24. The second end passage 25 is provided at the fourth end portion 22 to communicate with the third process chamber 3.

상기 제2공정실(2)에는 기판(10)을 지면에 수평한 제2방향(X2)으로 이송하는 제2수평 이동부(5)가 설치되어 있다. 상기 제2방향(X2)은 상기 제1방향(X1)의 반대 방향으로 도 1에서 볼 때 제4단부(22)에서 제3단부(21)를 향하는 방향이 된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제2수평 이동부(5)는 복수의 제2구동 롤러(51)들을 포함할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)을 제2방향(X2)으로 선형 이송시킬 수 있는 다양한 선형 이동수단이 될 수 있다.The second process chamber 2 is provided with a second horizontal moving part 5 for transferring the substrate 10 in a second direction X2 horizontal to the ground. The second direction X2 is a direction from the fourth end 22 toward the third end 21 in the direction opposite to the first direction X1 in FIG. 1. According to an embodiment of the present invention, the second horizontal moving part 5 may include a plurality of second driving rollers 51, but is not limited thereto, and the substrate 10 may be moved in the second direction. It can be a variety of linear moving means that can be linearly transferred to (X2).

상기 제3공정실(3)은 챔버의 형태로 구비되고, 양단에 서로 대향된 제5단부(31) 및 제6단부(32)를 각각 구비한다. 상기 제5단부(31)는 상기 제1공정실(1)의 제2단부(12) 및 제2공정실(2)의 제4단부(22)와 결합된다. 그리고 상기 제1연통로(15) 및 제2연통로(25)를 통해 각각 제1공정실(1) 및 제2공정실(2)과 연통된다.The third process chamber 3 is provided in the form of a chamber, and includes a fifth end portion 31 and a sixth end portion 32 opposite to each other. The fifth end portion 31 is coupled to the second end portion 12 of the first process chamber 1 and the fourth end portion 22 of the second process chamber 2. The first and second process chambers 1 and 2 communicate with the first process chamber 1 and the second process chamber 25, respectively.

상기 제3공정실(3)에는 방향 전환부(6)가 설치된다. 상기 방향 전환부(6)는 기판(10)의 이송 방향을 상기 제1방향(X1)에서 제2방향(X2)으로 전환시킨다.The direction change part 6 is provided in the 3rd process chamber 3. The direction changing unit 6 switches the transfer direction of the substrate 10 from the first direction X1 to the second direction X2.

상기 방향 전환부(6)는 복수의 제3구동 롤러(61)들을 포함하여, 상기 기판(10)을 제1방향(X1) 및/또는 제2방향(X2)으로 수평이동시킨다. 그리고 상기 방향 전환부(6)는 수직 이동부(62)를 포함하여, 상기 제3구동 롤러(61)들을 수직 이동시킨다.The direction change unit 6 includes a plurality of third driving rollers 61 to horizontally move the substrate 10 in a first direction X1 and / or a second direction X2. In addition, the direction change unit 6 includes a vertical moving part 62 to vertically move the third driving rollers 61.

도 1에서 볼 수 있듯이, 상기 제3공정실(3)은 지면에 대해 수직한 방향으로 연장되어 있으며, 상기 제5단부(31) 및 제6단부(32)는 각각 수직한 방향으로 연장되어 있는 챔버의 양 측면을 형성하게 된다.As shown in FIG. 1, the third process chamber 3 extends in a direction perpendicular to the ground, and the fifth end portion 31 and the sixth end portion 32 extend in a vertical direction, respectively. It forms both sides of the chamber.

이러한 본 발명의 일 실시예에 있어, 제1공정실(1)의 제1단부(11)와 제2공정실(2)의 제3단부(21)는 서로 나란하게 연장되어 있을 수 있다. 그리고 제1공정실(1)의 제2단부(12)와 제2공정실(2)의 제4단부(22)도 서로 나란하게 연장되어 있을 수 있다. In one embodiment of the present invention, the first end portion 11 of the first process chamber 1 and the third end portion 21 of the second process chamber 2 may extend parallel to each other. In addition, the second end 12 of the first process chamber 1 and the fourth end 22 of the second process chamber 2 may also extend in parallel with each other.

그리고 도 1에서 볼 수 있듯이 제1공정실(1)은 제2공정실(2)의 상부에 배치되어 제3공정실(3)의 제5단부(31) 상측에 연결될 수 있고, 제2공정실(2)은 제3공정실(3)의 제5단부(31) 하측에 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1, the first process chamber 1 may be disposed above the second process chamber 2 and connected to an upper side of the fifth end 31 of the third process chamber 3. The chamber 2 may be connected below the fifth end 31 of the third process chamber 3.

그러나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 2에서 볼 수 있듯이, 제2공정실(2)이 제1공정실(1)의 상부에 배치되어 제3공정실(3)의 제5단부(31) 상측에 연결될 수 있고, 제1공정실(1)은 제3공정실(3)의 제5단부(31) 하측에 연결될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and as shown in FIG. 2, the second process chamber 2 is disposed above the first process chamber 1 so that the fifth end portion of the third process chamber 3 is disposed. (31) It may be connected to the upper side, the first process chamber 1 may be connected to the lower end of the fifth end 31 of the third process chamber (3).

한편, 상기와 같은 제1공정실(1) 내지 제3공정실(3) 중 적어도 하나의 일부에는 도 3 내지 도 11에서 볼 수 있듯이, 상기 기판(10)의 표면에 적어도 한 종류의 처리액을 분사하는 제1습식 처리 모듈(7)이 설치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 3 to 11, at least one part of the first process chamber 1 to the third process chamber 3 as described above, at least one kind of processing liquid on the surface of the substrate 10. The first wet treatment module 7 may be installed to spray the liquid.

도 3에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 제1공정실(1)에 위치한 것이다. 이 때, 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 상기 제1공정실(1)의 제2단부(12)에 인접하게 위치할 수 있다. 따라서 제1연통로(15)를 통해 제1공정실(1)을 빠져 나가기 전의 기판(10)에 대하여 표면에 처리액을 분사하여 습식 처리를 실시할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1습식 처리 모듈(7)이 제1공정실(1)의 중앙부에 위치할 수도 있다.In the embodiment according to FIG. 3, the first wet processing module 7 is located in the first process chamber 1. In this case, the first wet processing module 7 may be located adjacent to the second end 12 of the first process chamber 1. Therefore, the treatment liquid may be sprayed onto the surface of the substrate 10 before exiting the first process chamber 1 through the first communication path 15 to perform wet treatment. However, the present invention is not limited thereto, and the first wet processing module 7 may be located at the center of the first process chamber 1.

도 4에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 제2공정실(2)에 위치한 것이다. 이 때, 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 상기 제2공정실(2)의 제4단부(22)에 인접하게 위치할 수 있다. 따라서 제2연통로(25)를 통해 제2공정실(2)로 유입된 또는 유입되는 중의 기판(10)에 대하여 표면에 처리액을 분사하여 습식 처리를 실시할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1습식 처리 모듈(7)이 제2공정실(2)의 중앙부에 위치할 수도 있다.In the embodiment according to FIG. 4, the first wet processing module 7 is located in the second process chamber 2. In this case, the first wet processing module 7 may be located adjacent to the fourth end 22 of the second process chamber 2. Therefore, a wet treatment may be performed by spraying the treatment liquid onto the surface of the substrate 10 introduced into or flowing into the second process chamber 2 through the second communication passage 25. However, the present invention is not limited thereto, and the first wet processing module 7 may be located at the center of the second process chamber 2.

도 5에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 제3공정실(3)의 상부 좌측에 위치하는 데, 따라서, 제5단부(31) 중 제2단부(12)와 결합된 부분에 인접하여 위치한다. 이에 따라 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 제1연통로(15)에 인접하게 위치하게 되고, 제1연통로(15)를 통해 제3공정실(3)로 유입되는 기판(10)에 대하여 처리액을 분사해 습식 처리를 할 수 있다.In the embodiment according to FIG. 5, the first wet processing module 7 is located on the upper left side of the third process chamber 3, and thus, the portion of the fifth end 31 coupled with the second end 12. Located adjacent to. Accordingly, the first wet processing module 7 is positioned adjacent to the first communication path 15, and is placed on the substrate 10 flowing into the third process chamber 3 through the first communication path 15. The treatment liquid can be sprayed to perform wet treatment.

도 6에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 제3공정실(3)의 상부 중앙에 위치하는 데, 따라서, 제3공정실(3)의 제2단부(12)에 가까운 부분에 위치한다. 이에 따라 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 제1연통로(15)를 통해 제3공정실(3)로 유입된 후의 기판(10)에 대하여 처리액을 분사해 습식 처리를 할 수 있다.In the embodiment according to FIG. 6, the first wet processing module 7 is located in the upper center of the third process chamber 3, and thus, the part closer to the second end 12 of the third process chamber 3. Located in Accordingly, the first wet processing module 7 may spray the processing liquid onto the substrate 10 after flowing into the third process chamber 3 through the first communication path 15 to perform wet processing.

도 7에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 제3공정실(3)의 하부 중앙에 위치하는 데, 따라서, 제3공정실(3)의 제4단부(22)에 가까운 부분에 위치한다. 이에 따라 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 기판(10)이 제3공정실(3)의 하부로 내려간 상태, 즉, 방향 전환이 이뤄진 직후의 기판(10)에 대하여 처리액을 분사해 습식 처리를 할 수 있다.In the embodiment according to FIG. 7, the first wet processing module 7 is located at the lower center of the third process chamber 3, and thus, the portion closer to the fourth end 22 of the third process chamber 3. Located in Accordingly, the first wet processing module 7 sprays the processing liquid onto the substrate 10 immediately after the substrate 10 is lowered to the lower portion of the third process chamber 3, that is, the direction change is performed. You can do it.

도 8에 따른 실시예는 1습식 처리 모듈(7)이 제3공정실(3)의 하부 좌측에 위치하는 데, 따라서, 제5단부(31) 중 제4단부(22)와 결합된 부분에 인접하여 위치한다. 이에 따라 상기 제1습식 처리 모듈(7)은 제2연통로(25)에 인접하게 위치하게 되고, 제2연통로(25)를 통해 제3공정실(3)을 빠져 나가는 중의 기판(10)에 대하여 처리액을 분사해 습식 처리를 할 수 있다.In the embodiment according to FIG. 8, the wet processing module 7 is located at the lower left side of the third process chamber 3, and thus, the wet processing module 7 is coupled to the fourth end 22 of the fifth end 31. It is located adjacent. Accordingly, the first wet processing module 7 is positioned adjacent to the second communication path 25, and the substrate 10 is exiting the third process chamber 3 through the second communication path 25. The treatment liquid may be sprayed on the wet treatment.

도 9에 따른 실시예는 제1습식 처리 모듈(7)이 방향 전환부(6)의 구동과 연동하도록 구비된 것이다. 이에 따라 방향 전환부(6)의 수직 이동부(62)의 동작이 진행되는 도중, 즉, 기판(10)이 제3공정실(3) 내에서 상부에서 하부로 이송되는 도중, 또는 하부에서 상부로 이송되는 도중에 기판(10)에 대하여 처리액을 분사해 습식 처리를 할 수 있다.In the embodiment according to FIG. 9, the first wet processing module 7 is provided to interlock with the driving of the direction change unit 6. Accordingly, during the operation of the vertical moving part 62 of the turning part 6, that is, while the substrate 10 is transferred from the upper part to the lower part in the third process chamber 3, or from the lower part to the upper part. The processing liquid may be sprayed onto the substrate 10 during the transfer to wet process.

도 10에 따른 실시예는 제1공정실(1)에 도 3에서와 같이 제1습식 처리 모듈(7)이 설치되고, 제2공정실(2)에 제2습식 처리 모듈(7')이 설치된 것이다.In the embodiment according to FIG. 10, the first wet processing module 7 is installed in the first process chamber 1 as shown in FIG. 3, and the second wet processing module 7 ′ is installed in the second process chamber 2. It is installed.

상기 제2습식 처리 모듈(7')은 상기 제1습식 처리 모듈(7)과 동일한 처리액을 기판(10)에 제공할 수도 있고, 상기 제1습식 처리 모듈(7)과는 상이한 처리액을 기판(10)에 제공할 수도 있다. 또한 상기 제2습식 처리 모듈(7')은 린스 유닛이나 예비 가습 유닛과 같이 기판(10)의 표면을 습식으로 처리하는 모듈이 사용될 수 있다.The second wet processing module 7 ′ may provide the same processing liquid as the first wet processing module 7 to the substrate 10, and may provide a processing liquid different from that of the first wet processing module 7. It may be provided to the substrate 10. In addition, the second wet treatment module 7 ′ may be a module that wet-treats the surface of the substrate 10, such as a rinse unit or a preliminary humidification unit.

도 10에는 제1습식 처리 모듈(7)이 도 3에서와 같이 제1공정실(1)에 형성된 것을 나타내었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 4 내지 도 9에 따른 실시예에도 제1공정실(1) 내지 제3공정실(3) 중 제1습식 처리 모듈(7)이 설치된 공정실을 제외한 나머지 공정실 중 적어도 하나에는 기판(10)의 표면을 습식으로 처리하는 제2습식 처리 모듈(7')이 위치할 수 있다.10 shows that the first wet processing module 7 is formed in the first process chamber 1 as in FIG. 3, the present invention is not necessarily limited thereto, and the embodiment according to FIGS. A second process of wetly treating the surface of the substrate 10 in at least one of the remaining process chambers except for the process chamber in which the first wet processing module 7 is installed among the first process chambers 1 to 3. The wet processing module 7 'may be located.

도 11에 따른 실시예는 제3공정실(3)에 도 7에서와 같이 제1습식 처리 모듈(7)이 설치되고, 제1공정실(1)에 건식 처리 모듈(8)이 설치된 것이다.In the embodiment according to FIG. 11, the first wet processing module 7 is installed in the third process chamber 3, and the dry processing module 8 is installed in the first process chamber 1.

상기 건식 처리 모듈(8)은 플라즈마 공급 유닛과 같이 기판(10)의 표면을 건식으로 처리하는 모듈이 될 수 있다.The dry processing module 8 may be a module for dry processing the surface of the substrate 10, such as a plasma supply unit.

도 11에는 제1습식 처리 모듈(7)이 도 7에서와 같이 제1공정실(1)에 형성된 것을 나타내었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 3 내지 도 6, 도 8 및 도 9에 따른 실시예에도 제1공정실(1) 내지 제3공정실(3) 중 제1습식 처리 모듈(7)이 설치된 공정실을 제외한 나머지 공정실 중 적어도 하나에는 기판(10)의 표면을 건식으로 처리하는 건식 처리 모듈(8)이 위치할 수 있다. 또 도 10에서와 같이 제1습식 처리 모듈(7)이 설치된 공정실 외의 다른 공정실에 제2습식 처리 모듈(7')이 설치된 경우에도 제2습식 처리 모듈(7')이 설치된 공정실 또는 그 외의 다른 공정실에 건식 처리 모듈(8)이 설치될 수 있다.11 shows that the first wet processing module 7 is formed in the first process chamber 1 as in FIG. 7, the present invention is not necessarily limited thereto, and FIGS. 3 to 6, 8 and 8. In the embodiment according to FIG. 9, the surface of the substrate 10 may be formed in at least one of the first process chambers 1 to 3 except for the process chamber in which the first wet processing module 7 is installed. There may be a dry processing module 8 for dry processing. Also, as shown in FIG. 10, even when the second wet treatment module 7 ′ is installed in a process chamber other than the one in which the first wet treatment module 7 is installed, the process chamber in which the second wet treatment module 7 ′ is installed or The dry processing module 8 may be installed in other process chambers.

도 12는 상기 제1습식 처리 모듈(7)의 일 예를 도시한 것이다.12 shows an example of the first wet processing module 7.

상기 제1습식 처리 모듈(7)은 분사 모듈(72)과, 제어부(70)와, 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)와, 공기 탱크(714)를 포함한다.The first wet processing module 7 includes an injection module 72, a controller 70, a first reservoir 711 to a third reservoir 713, and an air tank 714.

본 발명에 의해 처리되기 전의 상기 기판(10)은 특히 디스플레이용으로 사용되는 다양한 종류의 기판을 포함할 수 있는 데, 베이스 기판(101), 실리콘막(102), 실리콘 산화막(103)을 포함한다.The substrate 10 before being processed by the present invention may include various kinds of substrates used for display, in particular, including a base substrate 101, a silicon film 102, and a silicon oxide film 103. .

상기 베이스 기판(101)은 글라스, 플라스틱 또는 메탈 기판을 포함할 수 있는 데, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만 표면에 유기물 및/또는 무기물에 의한 절연막이 더 구비될 수 있다.The base substrate 101 may include a glass, plastic, or metal substrate. Although not shown in the drawings, an insulating film made of an organic material and / or an inorganic material may be further provided on the surface of the base substrate 101.

상기 실리콘막(102)은 상기 베이스 기판(101)의 표면에 비정질 실리콘막을 성막하여 얻을 수 있다. 이러한 실리콘막(102)은 후속 공정으로 결정화 공정을 통해 폴리 실리콘막으로 될 수 있다. 결정화 공정은 ELA와 같은 레이저 결정화 공정이 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 결정화 공정이 사용될 수 있다. 상기 실리콘막(102)을 결정화하여 얻어지는 폴리 실리콘막은 디스플레이의 박막 트랜지스터의 활성층 등으로 사용될 수 있다. 물론, 상기 비정질 실리콘막도 패터닝과 도핑 등을 통해 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용될 수 있다.The silicon film 102 may be obtained by forming an amorphous silicon film on the surface of the base substrate 101. The silicon film 102 may be a polysilicon film through a crystallization process in a subsequent process. The crystallization process may be a laser crystallization process such as ELA, but is not necessarily limited thereto, various crystallization processes may be used. The polysilicon film obtained by crystallizing the silicon film 102 may be used as an active layer of a thin film transistor of a display. Of course, the amorphous silicon film may also be used as an active layer of the thin film transistor through patterning and doping.

상기 실리콘 산화막(103)은 상기 실리콘막(102)의 표면에 형성된다. 이 실리콘 산화막(103)은 실리콘막(102)의 표면이 공기 중에서 산소 또는 질소와 결합하여 자연적으로 형성된 산화막으로, 일반적으로 5~1,000Å 두께로 형성된다.The silicon oxide film 103 is formed on the surface of the silicon film 102. The silicon oxide film 103 is an oxide film formed naturally by combining the surface of the silicon film 102 with oxygen or nitrogen in air, and is generally formed to have a thickness of 5 to 1,000 占 퐉.

상기와 같은 기판(10)은 전술한 바와 같이 베이스 기판(101) 상에 실리콘막(102)이 성막된 기판에 한정되는 것은 아니며, 실리콘막을 포함하는 실리콘 웨이퍼 등 실리콘막을 포함하는 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있음은 물론이다.As described above, the substrate 10 is not limited to a substrate on which the silicon film 102 is formed on the base substrate 101, and various kinds of substrates including a silicon film, such as a silicon wafer including a silicon film, may be formed. Of course, it can be applied.

상기 분사 모듈(72)은 상기 기판(10)의 표면에 제1액 내지 제3액을 선택적으로 제공하기 위한 액 분사 모듈(72a)과 기판(10)의 표면에 액절 공기를 제공하기 위한 공기 분사 모듈(72b)을 포함한다.The injection module 72 is a liquid injection module 72a for selectively providing the first liquid to the third liquid on the surface of the substrate 10 and an air jet for providing liquid air to the surface of the substrate 10. Module 72b.

상기 제1액은 제1저장조(711)에 저장되는 데, 실리콘막(102)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(103)을 에칭할 수 있는 성분의 용액을 포함한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제1액은 오존 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다. 상기 제1액은 실리콘 산화막(103)에 대한 에칭율은 후술하는 제2액에 비해 떨어지는 것을 사용하는 데, 오히려 기판(10) 표면의 유기물을 세정하는 세정제의 기능을 할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1액은 중성 또는 알카리성 세정제로 대체 가능하다.The first liquid is stored in the first reservoir 711 and includes a solution of a component capable of etching the silicon oxide film 103 formed on the surface of the silicon film 102. In one preferred embodiment of the present invention, the first liquid may be a solution containing an ozone solution. The first liquid may use a lower etching rate for the silicon oxide film 103 than a second liquid, which will be described later. However, the first liquid may function as a cleaning agent for cleaning the organic material on the surface of the substrate 10. For this reason, the first liquid can be replaced with a neutral or alkaline detergent.

상기 제2액은 제2저장조(712)에 저장되는 데, 실리콘막(102)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(103)을 에칭할 수 있고, 상기 제1액과는 다른 성분을 가지며, 제1액보다 실리콘 산화막에 대한 에칭율이 높은 용액을 사용한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제2액은 불산 또는 불화 암모늄 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다.The second liquid is stored in the second storage tank 712. The second liquid may etch the silicon oxide film 103 formed on the surface of the silicon film 102, and has a component different from that of the first liquid. A solution having a higher etching rate for the silicon oxide film is used. In one preferred embodiment of the present invention, the second liquid may be a solution containing a hydrofluoric acid or ammonium fluoride solution.

상기 제3액은 제3저장조(713)에 저장되는 데, 상기 기판(10)의 표면으로부터 상기 제1액 및 제2액 중 적어도 하나를 희석시킬 수 있는 것으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면 물을 포함할 수 있고, 이 물은 탈이온화된 순수(DI water)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 제3액은 에천트인 제1액 및 제2액의 기판(10) 표면에서의 작용을 멈추게 하는 완충수로서의 기능을 할 수 있다.The third liquid is stored in the third storage tank 713, and can dilute at least one of the first liquid and the second liquid from the surface of the substrate 10. According to the present invention, the water may include water, and it is preferable to use deionized pure water (DI water). The third liquid may function as a buffer water to stop the first liquid and the second liquid, which are etchant, on the surface of the substrate 10.

상기 액 분사 모듈(72a)은, 상기 제1액 내지 제3액을 각각 기판(10)에 고루 퍼지도록 제공하는 데, 이를 위해, 기판(10) 표면과 소정거리 이격된 상태로 기판(10)의 길이 방향을 따라 일 방향으로 선형 왕복 운동하면서 기판(10)의 표면에 제1액 내지 제3액을 제공하도록 구비된다.The liquid ejecting module 72a provides the first liquid to the third liquid to be evenly spread on the substrate 10, and for this purpose, the substrate 10 is spaced apart from the surface of the substrate 10 by a predetermined distance. The first liquid to the third liquid is provided on the surface of the substrate 10 while linearly reciprocating in one direction along the longitudinal direction of the.

상기 액 분사 모듈(72a)에는 상기 제1액 내지 제3액을 상기 액 분사 모듈(72a)로 선택적으로 공급할 수 있도록 기능을 겸하도록 설계될 수 있다. 이를 위해 상기 액 분사 모듈(72a)로 제1액 내지 제3액의 토출을 위한 별도의 펌프 수단(미도시)이 구비될 수 있다.The liquid injection module 72a may be designed to function as a function of selectively supplying the first to third liquids to the liquid injection module 72a. To this end, a separate pump means (not shown) for discharging the first to third liquids may be provided to the liquid injection module 72a.

제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)와 액 분사 모듈(72a)의 사이에는 제1개폐변(715) 내지 제3개폐변(717)이 개재되어 연결될 수 있다. 이 제1개폐변(715) 내지 제3개폐변(717)은 각각 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변이 사용될 수 있다.A first opening / closing side 715 to a third opening / closing side 717 may be interposed between the first and third reservoirs 711 to 713 and the liquid injection module 72a. Each of the first opening / closing 715 to the third opening / closing 717 may be connected to the control unit 70, and an electronic valve that is controlled to be opened and closed by the control unit 70 may be used.

한편, 도 12에서는 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)가 모두 구비되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 제1저장조(711) 및 제2저장조(712)만이 구비되어, 후술하는 바와 같이 제1액 및 제2액을 서로 다른 시간대에 기판(10)의 표면에 제공함으로써 실리콘 산화막(103)의 제거와 함께 기판 평활도를 얻을 수 있다.Meanwhile, although FIG. 12 includes all of the first reservoir 711 to the third reservoir 713, the present invention is not necessarily limited thereto, and although not illustrated in the drawings, the first reservoir 711 and the second reservoir 711 are provided. Only the reservoir 712 is provided, and the substrate smoothness can be obtained together with the removal of the silicon oxide film 103 by providing the first liquid and the second liquid on the surface of the substrate 10 at different time points as will be described later.

기판(10)에 대하여 제1액, 제3액, 및 제2액의 순으로 제공될 수 있다. 액 분사 모듈(72a)이 왕복 운동을 하면서 동작하는 경우에는 제1액, 제3액, 제2액, 제3액, 및 제1액의 순으로 제공될 것이다. The substrate 10 may be provided in the order of the first liquid, the third liquid, and the second liquid. When the liquid injection module 72a operates while reciprocating, it will be provided in the order of the first liquid, the third liquid, the second liquid, the third liquid, and the first liquid.

이러한 제1액 내지 제3액의 제공순서는 공정 조건에 따라 변경 가능하며, 예컨대 제2액, 제3액, 및 제1액의 순으로 제공될 수도 있고, 제1액, 및 제3액의 순으로, 또는 제2액 및 제3액의 순으로 제공될 수도 있다. 물론 이 경우에도 액 분사 모듈(72a)이 왕복 운동을 하면서 동작하는 경우에는 역순의 제공이 반복될 수 있다.The order of providing the first liquid to the third liquid can be changed according to the process conditions, for example, the second liquid, the third liquid, and the first liquid may be provided in the order of the first liquid, and the third liquid. Or in the order of the second liquid and the third liquid. Of course, even in this case, when the liquid injection module 72a operates while reciprocating, the reverse order may be repeatedly provided.

뿐만 아니라, 제3액을 제공하지 않고 제1액 및 제2액의 순으로 제공될 수 있다. 이 경우에도 액 분사 모듈(72a)이 왕복 운동을 하면서 동작하는 경우에는 역순의 제공이 반복될 수 있다.In addition, the third liquid may be provided in the order of the first liquid and the second liquid without providing the third liquid. Also in this case, when the liquid injection module 72a operates while reciprocating, the reverse order may be repeated.

본 발명은 이처럼 서로 에칭율이 다른 에천트인 제1액과 제2액을 서로 다른 시간대에 기판(10)에 제공함으로써 기판(10) 표면의 세정과 동시에 실리콘 산화막(103)의 에칭 정도를 효과적으로 제어할 수 있고, 또, 실리콘 산화막(103)이 제거된 실리콘막(102) 표면의 평활도를 향상시킬 수 있다.The present invention effectively controls the etching degree of the silicon oxide film 103 simultaneously with cleaning the surface of the substrate 10 by providing the first liquid and the second liquid, which are etchants having different etching rates, to the substrate 10 at different times. In addition, the smoothness of the surface of the silicon film 102 from which the silicon oxide film 103 is removed can be improved.

또한, 상기 제3액을 기판(10)에 제공함으로써, 기판(10) 표면에 잔존해 있는 제1액 및/또는 제2액을 제3액으로 씻어주는 효과를 갖게 되며, 이에 따라 기판(10) 표면에 잔존하는 제1액과 제2액이 섞여 원하는 에칭율을 얻지 못하게 되는 문제를 사전에 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 정확한 에칭율 관리가 가능해지며, 양산 공정에 적용 시에도 품질의 균일도를 높일 수 있게 된다.In addition, by providing the third liquid to the substrate 10, the first liquid and / or the second liquid remaining on the surface of the substrate 10 may be washed with the third liquid, thereby providing the substrate 10. The first liquid and the second liquid remaining on the surface may be mixed to prevent a problem of failing to obtain a desired etching rate in advance. As a result, accurate etching rate management is possible and quality uniformity can be increased even when applied to mass production process.

상기와 같은 제1액 내지 제3액의 제공은 1회 왕복 스캔에 한정되지 않고 각 액 당 적어도 2회 이상의 스캔으로 제1액 내지 제3액 중 적어도 두 가지 액이 선택적으로 제공하는 경우를 포함한다.The provision of the first liquid to the third liquid as described above is not limited to one round trip scan and includes the case where at least two liquids of the first liquid to the third liquid are selectively provided in at least two or more scans per liquid. do.

도 12는 하나의 액 분사 모듈(72a)을 통해 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공되는 실시예를 나타내었는 데, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.12 illustrates an embodiment in which the first to third liquids are selectively provided through one liquid injection module 72a, but the present invention is not limited thereto.

예컨대, 상기 액 분사 모듈(72a)이 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)와 각각 연결된 서로 독립적으로 구동하는 세 개의 액 제공 모듈들을 포함할 수 있다. 그리고 이들은 서로 결합되어 일체로 동작하도록 구비될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 액 분사 모듈(72a)은 서로 독립적으로 구동하는 두 개의 액 제공 모듈들을 포함할 수 있는 데, 각각 상기 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713) 중 어느 두 개의 저장조들과 연결되는 데, 서로 다른 조합을 이루도록 연결될 수 있다.For example, the liquid injection module 72a may include three liquid supply modules that are driven independently of each other connected to the first reservoir 711 to the third reservoir 713, respectively. And they may be provided to be coupled to each other to operate integrally. In addition, the liquid injection module 72a may include two liquid supply modules that are driven independently of each other, and each of the two reservoirs of the first reservoir 711 to the third reservoir 713, respectively. In connection, they may be connected to form different combinations.

한편, 상기 액 분사 모듈(72a)의 전방 및 후방에는 공기 분사 모듈(72b)이 설치된다. 공기 분사 모듈(72b)도 제어부(70)에 연결된다.On the other hand, the air injection module 72b is installed in front of and behind the liquid injection module 72a. The air injection module 72b is also connected to the control unit 70.

상기 공기 분사 모듈(72b)은 상기 기판(10)의 표면에 액절 공기를 제공하기 위한 것으로, 액 분사 모듈(72a)과 같은 방향으로 이동 가능하다. 액 분사 모듈(72a)과 공기 분사 모듈(72b)은 각각 별개의 리니어 구동수단에 의해 수평 방향의 구동을 하도록 구성될 수 있다.The air injection module 72b is for providing liquid air to the surface of the substrate 10 and is movable in the same direction as the liquid injection module 72a. The liquid injection module 72a and the air injection module 72b may each be configured to drive in the horizontal direction by separate linear drive means.

상기 공기 분사 모듈(72b)은 공기 탱크(714)와 연결되어 있다. 상기 공기 분사 모듈(72b) 내에 또는 그 외부에는 공기 펌프(미도시)가 구비되어 있을 수 있다. 그리고 상기 공기 분사 모듈(72b)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)의 작용에 의해 액절 공기의 분사를 단속한다. The air injection module 72b is connected to the air tank 714. An air pump (not shown) may be provided inside or outside the air injection module 72b. In addition, the air injection module 72b is connected to the control unit 70 to control the injection of liquid air by the action of the control unit 70.

이 공기 분사 모듈(72b)과 공기 탱크(714)의 사이에는 제4개폐변(718)이 더 연결되는 데, 이 제4개폐변(718)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변일 수 있다.The fourth open / close side 718 is further connected between the air injection module 72b and the air tank 714, and the fourth open / close side 718 is connected to the control unit 70 to the control unit 70. The electronic valve may be controlled by opening and closing.

상기 공기 분사 모듈(72b)은 액절 공기를 분사하기에 적합한 분사 노즐로 구비되는 데, 바람직하게는 액절용 에어 커튼을 분사할 수 있는 형태의 노즐이 사용될 수 있다.The air injection module 72b is provided with an injection nozzle suitable for injecting liquid air, and a nozzle of a type capable of injecting an air curtain for liquidation may be used.

상기 액절 공기는 그 전 단계에서 기판(10)에 제공되어 기판(10)의 표면에 잔존하는 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나를 공기 압력에 의해 밀어내어 제거하는 것으로, 이에 따라 제1액 내지 제3액은 기판(10)의 표면에서 서로 섞이는 일이 없게 되고, 이에 따라 특히 제1액 및 제2액과 같은 에천트의 농도가 기판(10)의 표면 위에서 원래 의도한 농도와 달리 변하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 상기 액절 공기에 의해 특히 제1액 및 제2액의 에칭 속도 등을 정확하게 제어할 수 있게 되고, 제3액에 의한 완충 작용도 용이하게 컨트롤 가능해진다.The liquid liquefied air is provided to the substrate 10 in the previous step to remove at least one of the first liquid to the third liquid remaining on the surface of the substrate 10 by air pressure, thereby removing the first liquid. The third to third liquids do not mix with each other on the surface of the substrate 10, so that the concentration of etchant, such as the first liquid and the second liquid, in particular, varies from the originally intended concentration on the surface of the substrate 10. Can be prevented. Therefore, the liquid liquefied air can precisely control the etching rate of the first liquid and the second liquid, and the like, and the buffering effect by the third liquid can also be easily controlled.

도 12에서 상기 공기 분사 모듈(72b)은 두 개 구비된 것으로 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 기구 설계 조건 등에 따라 다양한 숫자로 구비되도록 하여 제1액 내지 제3액 중 적어도 둘이 서로 섞이는 일이 없도록 할 수 있다. 예컨대 액 분사 모듈(72a)을 중심으로 전방과 후방 중 어느 한 곳에만 공기 분사 모듈(72b)이 배치될 수 있다.In FIG. 12, the air injection module 72b is illustrated as being provided with two, but is not necessarily limited thereto, and at least two of the first to third liquids are mixed with each other by various numbers according to the design conditions of the apparatus. This can be done. For example, the air injection module 72b may be disposed only at one of the front and the rear of the liquid injection module 72a.

상기 액절 공기는 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나와 중첩되도록 분사될 수 있다. 이 때, 상기 중첩이란 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나가 분사되어 기판(10)에 작용하는 동안에 액절 공기가 기판(10)에 분사되는 것을 말한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 공기 분사 모듈(72b)은 상기 액 분사 모듈(72a)과 동시에 작동시켜 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나가 분사되는 동안 액절 공기도 분사되도록 한다.The liquid air may be injected to overlap at least one of the first liquid to the third liquid. In this case, the overlap means that liquid air is injected onto the substrate 10 while at least one of the first to third liquids is injected to act on the substrate 10. According to an embodiment of the present invention, the air injection module 72b is operated simultaneously with the liquid injection module 72a so that liquid air is also injected while at least one of the first liquid to the third liquid is injected.

도 13은 전술한 분사 모듈(72)의 일 예를 나타낸 것이다. 도 13에 따른 실시예는 제1액 분사 모듈(721) 및 제2액 분사 모듈(722)이 결합되어 하나의 액 분사 모듈(72a)을 구성하고, 이 액 분사 모듈(72a)을 중심으로 전방과 후방에 두 개의 공기 분사 모듈들(72b)이 배치된 것이다.13 shows an example of the above-described injection module 72. In the embodiment according to FIG. 13, the first liquid injection module 721 and the second liquid injection module 722 are combined to form a single liquid injection module 72a, and the front of the liquid injection module 72a is centered. Two air injection modules 72b are disposed at the rear and the rear.

상기 액 분사 모듈(72a)은 제1액 분사 모듈(721)과 제2액 분사 모듈(722)을 포함하는 데, 제1액 분사 모듈(721)과 제2액 분사 모듈(722)은 각각 두 개의 판상 부재가 서로 결합되어 형성된 것으로, 각 내부에 액분사용 홀(723)이 형성되어 있고 외부에는 액공급용 파이프(724)가 연결되어 있다. 액공급용 파이프(724)는 외부의 저장조(미도시)에 연결될 수 있다.The liquid ejection module 72a includes a first liquid ejection module 721 and a second liquid ejection module 722, and the first liquid ejection module 721 and the second liquid ejection module 722 are two respectively. The two plate-shaped members are formed by being coupled to each other, and a liquid injection hole 723 is formed in each inside, and a liquid supply pipe 724 is connected to the outside. The liquid supply pipe 724 may be connected to an external reservoir (not shown).

상기 제1액 분사 모듈(721)을 통해 전술한 제1액 및 제3액이 선택적으로 분사될 수 있고, 상기 제2액 분사 모듈(722)을 통해 전술한 제2액이 분사될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 상기 제1액 분사 모듈(721)을 통해 전술한 제2액 및 제3액이 선택적으로 분사될 수 있고, 상기 제2액 분사 모듈(722)을 통해 전술한 제1액이 분사될 수 있다. 또 상기 제1액 분사 모듈(721)을 통해 전술한 제1액 및 제2액이 선택적으로 분사될 수 있고, 상기 제2액 분사 모듈(722)을 통해 전술한 제3액이 분사될 수 있다.The first liquid and the third liquid may be selectively injected through the first liquid injection module 721, and the second liquid may be injected through the second liquid injection module 722. However, the present invention is not limited thereto, and the above-described second liquid and the third liquid may be selectively injected through the first liquid injection module 721, and the aforementioned first liquid may be injected through the second liquid injection module 722. Liquid may be injected. In addition, the first liquid and the second liquid may be selectively injected through the first liquid injection module 721, and the third liquid may be injected through the second liquid injection module 722. .

상기 공기 분사 모듈(72b)도 두 개의 판상 부재가 서로 결합되어 형성된 것으로, 각각 내부에 공기분사용 홀(725)이 형성되어 있고 외부에는 공기공급용 파이프(726)가 연결되어 있다. 공기공급용 파이프(726)는 외부의 공기탱크(미도시)에 연결될 수 있다.The air injection module 72b is also formed by coupling two plate members to each other, and an air injection hole 725 is formed therein, and an air supply pipe 726 is connected to the outside. The air supply pipe 726 may be connected to an external air tank (not shown).

상기 액 분사 모듈(72a)과 상기 공기 분사 모듈(72b)은 기판(10)의 너비 방향으로 직선상으로 연장된 구조를 가지며 그 양단에서 결합 브라켓(727)에 의해 고정되어 있다. 결합 브라켓(727)에는 상기 공기 분사 모듈(72b)의 결합 각도를 조절하도록 되어 있어 상기 공기 분사 모듈(72b)을 통한 액절 공기의 분사각도가 조절될 수 있다.The liquid ejecting module 72a and the air ejecting module 72b have a structure extending linearly in the width direction of the substrate 10 and are fixed by coupling brackets 727 at both ends thereof. The coupling bracket 727 is configured to adjust the coupling angle of the air injection module 72b so that the injection angle of the liquefied air through the air injection module 72b may be adjusted.

이러한 분사 모듈(72)은 단일 모듈에 의해 에칭액, 세정액 및 액절 공기를 분사할 수 있기 때문에 장비 전체, 특히 공정실 설비 구조를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 이는 분사 모듈(72)을 왕복 운동하도록 하는 리니어 모터 설비가 대폭 감소하고, 아울러 펌프와 밸브 설비의 구성도 줄일 수 있기 때문이다.Since the injection module 72 can inject the etching liquid, the cleaning liquid, and the liquid air by a single module, it is possible to compactly configure the entire equipment, in particular, the process chamber equipment structure. This is because the linear motor equipment for reciprocating the injection module 72 can be greatly reduced, and the configuration of the pump and valve equipment can also be reduced.

도 14는 제1습식 처리 모듈(7)의 또 다른 일 실시예를 도시한 것이다. FIG. 14 shows another embodiment of the first wet processing module 7.

도 14에 도시된 실시예의 분사 모듈(72)은 액 분사 모듈(72a)과 공기 분사 모듈(72b)을 포함한다. 액 분사 모듈(72a)은 복수의 분무 노즐(73)을 포함하는 형태로 구성되어 있다.The injection module 72 of the embodiment shown in FIG. 14 includes a liquid injection module 72a and an air injection module 72b. The liquid injection module 72a is comprised in the form containing the some spray nozzle 73. FIG.

상기 분무 노즐(73)들은 기판(10)의 길이방향을 따라 배치되며, 기판(10)의 전체 면적에 걸쳐 한 번에 제1액 내지 제3액 중 어느 하나를 분무할 수 있도록 구비된다. The spray nozzles 73 are disposed along the longitudinal direction of the substrate 10 and provided to spray any one of the first liquid to the third liquid at a time over the entire area of the substrate 10.

이 구조에서는 액 분사 모듈(72a)은 고정될 수 있으며, 기판(10)의 전면에 걸쳐 동시에 액을 분사할 수 있다. 물론 이 때에는 제1액 내지 제3액을 선택적으로 기판(10)에 분사하여야 할 것이다.In this structure, the liquid ejection module 72a can be fixed, and the liquid ejection module 72a can eject the liquid simultaneously over the entire surface of the substrate 10. Of course, in this case, the first to third liquids may be selectively sprayed onto the substrate 10.

그리고, 공기 분사 모듈(72b)은 기판의 표면을 따라 움직이며 기판에 액절 공기를 분사할 수 있다.In addition, the air injection module 72b may move along the surface of the substrate and inject liquid air to the substrate.

상기 분무 노즐들(73)이 고정되어 있는 상태에서 상기 기판(10)이 전후방으로 왕복 이동하면서 요동할 수 있다. 이 때 기판(10)의 요동 거리는 분무 노즐들(73) 사이 간격 이상이 되도록 할 수 있고, 이에 따라 기판(10) 표면 전체에 걸쳐 고르게 액이 분사되도록 할 수 있다. The substrate 10 may oscillate while the spray nozzles 73 are fixed while the spray nozzles 73 are fixed. At this time, the rocking distance of the substrate 10 may be greater than or equal to the interval between the spray nozzles 73, thereby allowing the liquid to be evenly sprayed over the entire surface of the substrate 10.

도 15는 상기 분무 노즐(73)의 일 예를 도시한 것이다.15 illustrates an example of the spray nozzle 73.

도 15에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 분무 노즐(73)은 제1공급관(731)과, 상기 제1공급관(731)의 양단을 서로 연결하는 제2공급관(732)을 포함한다.The spray nozzle 73 according to an embodiment of the present invention illustrated in FIG. 15 includes a first supply pipe 731 and a second supply pipe 732 connecting both ends of the first supply pipe 731 to each other.

상기 제1공급관(731)의 양단에는 제1블록들(733)이 연결되어 있다. 그리고 상기 제2공급관(732)은 상기 제1공급관(731)의 길이에 대응되는 길이로 구비되고, 그 양단에도 제2블록들(734)이 연결되어 있다. First blocks 733 are connected to both ends of the first supply pipe 731. The second supply pipe 732 is provided with a length corresponding to the length of the first supply pipe 731, and second blocks 734 are connected to both ends thereof.

상기 제1공급관(731) 양단의 제1블록들(733)과 상기 제2공급관(732) 양단의 제2블록들(734) 사이에는 제3공급관(735)이 연결되어 있어, 제1공급관(731)과 제2공급관(732)을 서로 연결시켜 준다. 그리고 제2블록들(734) 중 하나에 제4공급관(736)이 연결되어 액이 공급되도록 한다. 상기 제4공급관(736)은 상기 제1블록(733) 중 하나에 연결될 수도 있다. 이 제4공급관(736)은 외부 저장조(미도시)와 연결될 수 있다.A third supply pipe 735 is connected between the first blocks 733 at both ends of the first supply pipe 731 and the second blocks 734 at both ends of the second supply pipe 732, thereby providing a first supply pipe ( 731 and the second supply pipe 732 are connected to each other. The fourth supply pipe 736 is connected to one of the second blocks 734 to supply the liquid. The fourth supply pipe 736 may be connected to one of the first blocks 733. The fourth supply pipe 736 may be connected to an external reservoir (not shown).

이렇게 제1공급관(731)의 양단을 제2공급관(732)으로 서로 연결시킴으로 인해, 제1공급관(731)에는 그 길이 방향 전체에 걸쳐 비교적 균일하게 액이 공급될 수 있고, 이에 따라 각 노즐(737)들로부터 토출되는 액의 양에 대한 편차도 줄일 수 있다. By connecting both ends of the first supply pipe 731 to the second supply pipe 732 in this way, the first supply pipe 731 can be supplied with a relatively uniform liquid throughout its longitudinal direction, and thus, each nozzle ( Deviation with respect to the amount of liquid discharged from the 737 can also be reduced.

한편, 도 14에서는 모든 분무 노즐들(73)이 제1저장조(71) 내지 제3저장조(713)에 제1개폐변(715) 내지 제3개폐변(717)을 개재하여 연결된 것으로 도시되었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 16에서 볼 수 있듯이, 제1저장조(71) 내지 제3저장조(713)가 각각 제1분무 노즐들(73a) 내지 제3분무 노즐들(73c)에 연결될 수 있다. 이 때, 제1분무 노즐들(73a) 내지 제3분무 노즐들(73c)은 상호 교대로 배치되는 것이 바람직하다. 이 경우에는 기판(10)의 요동 거리는 제1분무 노즐들(73a) 또는 제2분무 노즐들(73b) 또는 제3분무 노즐들(73c) 사이 간격 이상이 되도록 할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 14, all the spray nozzles 73 are illustrated as being connected to the first reservoir 71 to the third reservoir 713 via the first opening / closing sides 715 to the third opening / closing sides 717. The present invention is not necessarily limited thereto, and as shown in FIG. 16, the first reservoir 71 to the third reservoir 713 are respectively provided to the first spray nozzles 73a to the third spray nozzles 73c. Can be connected. At this time, it is preferable that the first spray nozzles 73a to the third spray nozzles 73c are alternately arranged. In this case, the swinging distance of the substrate 10 may be greater than or equal to the interval between the first spray nozzles 73a, the second spray nozzles 73b, or the third spray nozzles 73c.

또 도면으로 도시하지는 않았지만, 분무 노즐들(73) 중 일부는 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713) 중 어느 두 개의 저장조에, 다른 일부는 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713) 중 하나의 저장조에 각각 연결되도록 할 수도 있다.Although not shown in the drawings, some of the spray nozzles 73 may be in any two reservoirs of the first reservoir 711 to the third reservoir 713, and the other portion may be the first reservoir 711 to the third reservoir ( 713 may be connected to one reservoir respectively.

전술한 도 14 및 도 16에 따른 실시예는 복수 열의 분무 노즐들(73)을 사용한 경우를 나타내었으나, 도 17에서 볼 수 있듯이, 일 열로 구비되고 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)에 각각 연결된 제1분무 노즐(73a) 내지 제3분무 노즐(73c)로 구비될 수 있다. 이 때, 제1분무 노즐(73a) 내지 제3분무 노즐(73c)은 상호 교대로 배치되는 것이 바람직하다.14 and 16 illustrate a case where a plurality of spray nozzles 73 are used, but as shown in FIG. 17, the first and second storage tanks 711 to 713 are provided in one row. It may be provided with a first spray nozzle (73a) to the third spray nozzle (73c) connected to each. At this time, it is preferable that the 1st spray nozzle 73a thru | or 3rd spray nozzle 73c are mutually arrange | positioned.

이러한 구조에서는 기판(10)의 전후 방향 요동의 폭은 더 넓어지며, 적어도 기판(10)의 길이 이상으로 요동되도록 하여 기판(10) 표면 전체에 걸쳐 액이 충분히 공급되도록 할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이 경우 분사 모듈(72)이 기판(10)의 길이방향을 따라 왕복 선형 운동을 하도록 할 수 있다.In such a structure, the width of the front and rear fluctuations of the substrate 10 becomes wider, and the fluctuation of the substrate 10 is at least greater than the length of the substrate 10 so that the liquid can be sufficiently supplied over the entire surface of the substrate 10. However, the present invention is not limited thereto, and in this case, the injection module 72 may perform a reciprocal linear motion along the longitudinal direction of the substrate 10.

도 17에 따른 실시예는 일 열로 구비된 제1분무 노즐(73a) 내지 제3분무 노즐(73c)에 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)가 각각 제1개폐변(715) 내지 제3개폐변(717)을 개재하여 연결된 것이나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 단일의 분무 노즐에 제1저장조(711) 내지 제3저장조(713)가 각각 개폐변을 개재하여 연결될 수 있다. 이 경우 개폐변의 동작에 따라 단일의 분무 노즐은 선택적으로 제1액 내지 제3액 중 어느 하나를 분무한다.In the embodiment according to FIG. 17, the first storage nozzles 711 to the third storage tanks 713 are arranged in the first spray nozzles 73a to the third spray nozzles 73c in a row, respectively. Although connected through the third opening and closing valve 717, the present invention is not necessarily limited thereto, and the first storage tank 711 to the third storage tank 713 may be connected to each single spray nozzle via an opening and closing valve. have. In this case, the single spray nozzle selectively sprays any one of the first liquid to the third liquid according to the operation of the open / close valve.

도 17에 도시된 실시예는 공기 분사 모듈을 구비하지 않았는 데, 이 경우에는 액 분사 후에 기판(10)을 소정 각도 틸팅시킴으로써 표면의 액을 제거토록 할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 17에 따른 실시예에서 볼 수 있듯이 공기 분사 모듈을 이용해 액절 공기를 기판(10)의 표면에 분사토록 할 수 있다. 그리고 반대로 도 12, 도 14 및 도 16에 따른 실시예들에서도 공기 분사 모듈 없이 기판을 틸팅시켜 표면의 액을 제거할 수 있다.The embodiment shown in FIG. 17 is not provided with an air jetting module. In this case, the liquid on the surface can be removed by tilting the substrate 10 at a predetermined angle after the jetting of the liquid. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and as shown in the embodiment of FIG. 17, liquid air may be sprayed onto the surface of the substrate 10 using the air injection module. On the contrary, in the embodiments according to FIGS. 12, 14 and 16, the liquid on the surface may be removed by tilting the substrate without the air injection module.

상기와 같은 분사 모듈(72)을 구비한 제1습식 처리 모듈(7)은 반드시 단일의 형태로 구비될 필요는 없으며, 기판(10)의 진행방향을 따라 복수개가 순차적으로 위치하여 다단으로 기판(10)의 표면에 처리액을 분사해 다단 습식 처리를 하도록 할 수도 있다. 이 때, 분사 모듈(72)만 복수개가 순차적으로 위치할 수도 있고, 제1습식 처리 모듈(7)이 복수개가 순차적으로 위치할 수도 있다. The first wet processing module 7 having the injection module 72 as described above does not necessarily have to be provided in a single form, and a plurality of substrates may be sequentially positioned along a traveling direction of the substrate 10. The treatment liquid may be sprayed on the surface of 10) to perform a multistage wet treatment. At this time, a plurality of injection modules 72 may be sequentially positioned, or a plurality of first wet treatment modules 7 may be sequentially disposed.

이상 설명한 제1습식 처리 모듈은 제2습식 처리 모듈에도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.The first wet treatment module described above may of course be equally applied to the second wet treatment module.

도 18은 기판(10)을 틸팅시키기 위한 틸팅 구동부(9)의 일 예를 도시한 것이다.18 illustrates an example of a tilting driver 9 for tilting the substrate 10.

도 18에서 볼 수 있듯이, 틸팅 구동부(9)는 프레임(90)을 구비한다. 상기 프레임(90)은 제1방향(X1)으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 제1프레임(90a) 및 제2프레임(90b)과, 제1방향(X1)에 수직한 방향(Y)으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 제3프레임(90c) 및 제4프레임(90d)을 포함한다. 상기 제1프레임(90a) 내지 제4프레임(90d)들은 대략 사각형을 이루도록 결합된다. 제1방향(X1)의 일단에 위치한 제3프레임(90c)은 기판이 유입되기 용이하도록 다른 프레임들보다 밑으로 내려져서 위치한다.As can be seen in FIG. 18, the tilting drive 9 has a frame 90. The frame 90 extends in the first direction X1 and is spaced parallel to each other and extends in the direction Y perpendicular to the first direction X1 and the second frame 90b. And a third frame 90c and a fourth frame 90d spaced apart from each other in parallel. The first frame 90a to the fourth frame 90d are combined to form a substantially rectangular shape. The third frame 90c positioned at one end of the first direction X1 is positioned lower than other frames so that the substrate is easily introduced.

제1프레임(90a) 및 제2프레임(90b)의 상면에는 기판의 측면을 지지하는 지지 롤러(93)들이 설치된다. 그리고 제1방향(X1)의 타단에 위치한 제4프레임(90d)에도 그 상면에 지지 롤러(93)들이 설치될 수 있다.Support rollers 93 supporting side surfaces of the substrate are installed on the upper surfaces of the first frame 90a and the second frame 90b. In addition, support rollers 93 may be installed on an upper surface of the fourth frame 90d positioned at the other end of the first direction X1.

상기 제1프레임(90a) 및 제2프레임(90b)에는 도 18에서 볼 수 있듯이 복수의 지지봉(92)들이 일정한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 지지봉(92)들에는 복수의 구동 롤(91)들이 소정 간격 이격되어 설치되어 있다. 각 지지봉(92)들의 양단은 각각 제1프레임(90a) 및 제2프레임(90b)에 매립된다. 각 지지봉(92)들의 양단에는 기어가 설치되어 있다. 상기 제1프레임(90a) 및 제2프레임(90b) 중 적어도 하나에는 헬리컬 기어가 설치되며, 이 헬리컬 기어는 별도의 구동부(미도시)에 의해 회전된다. 구동부에 의해 헬리컬 기어가 회전하게 되면 이 회전력을 전달받아 복수의 지지봉(92)들이 회전하게 되고 이에 따라 구동 롤(91)들이 동시에 회전하게 된다.As shown in FIG. 18, a plurality of support bars 92 are disposed at regular intervals in the first frame 90a and the second frame 90b. A plurality of driving rolls 91 are provided on each of the supporting rods 92 at predetermined intervals. Both ends of the support bars 92 are embedded in the first frame 90a and the second frame 90b, respectively. Gears are provided at both ends of the support bars 92. At least one of the first frame 90a and the second frame 90b is provided with a helical gear, which is rotated by a separate driving unit (not shown). When the helical gear is rotated by the driving unit, the plurality of supporting rods 92 rotate by receiving the rotational force, and thus the driving rolls 91 rotate simultaneously.

상기 프레임(90)의 하면에는 승강부(94)가 결합된다. 상기 승강부(94)는 프레임(90)을 수직방향으로 왕복운동시킬 수 있는 장치가 포함되는 데, 예컨대 실린더 장치가 사용될 수 있다.The lifting unit 94 is coupled to the bottom surface of the frame 90. The lifting portion 94 includes a device capable of reciprocating the frame 90 in the vertical direction, for example, a cylinder device may be used.

상기 승강부(94)는 제1프레임(90a)의 하부에 결합된 한 쌍의 제1승강부(94a)와 제2프레임(90b)의 하부에 결합된 한 쌍의 제2승강부(94b)를 포함한다.The lifting unit 94 is a pair of first lifting units 94a coupled to the lower portion of the first frame 90a and a pair of second lifting units 94b coupled to the lower portion of the second frame 90b. It includes.

틸팅은 제1승강부(94a)와 제2승강부(94b)의 수축 길이를 조절함으로써 가능해진다. 즉, 제1승강부(94a)가 제2승강부(94b)보다 더 많이 축소되도록 하면 기판(10)은 자연스럽게 도 19에서 볼 수 있듯이 제1위치(P1)에서 제2위치(P2)가 될 수 있다. 이 경우 기판(10)은 제1프레임(90a) 상부의 지지롤러(93)들에 의해 더 이상 밑으로 떨어지지 않게 된다.Tilting is made possible by adjusting the contraction length of the first lifting portion 94a and the second lifting portion 94b. That is, if the first lifting portion 94a is reduced more than the second lifting portion 94b, the substrate 10 naturally becomes the second position P2 from the first position P1 as shown in FIG. 19. Can be. In this case, the substrate 10 is no longer dropped by the support rollers 93 on the first frame 90a.

상기와 같은 틸팅 구동부(9)는 도 1 내지 도 11에 따른 본 발명의 모든 실시예의 공정실들 중 적어도 일부에 탑재될 수 있다. 즉, 제1수평이동부(4) 중 일부에 틸팅 구동부(9)를 설치하거나, 제2수평이동부(5) 중 일부에 틸팅 구동부(9)를 설치할 수 있다. 그리고 방향 전환부(6)의 적어도 일부에 틸팅 구동부(9)를 설치할 수 있다.The tilting driver 9 as described above may be mounted in at least some of the process chambers of all embodiments of the present invention according to FIGS. 1 to 11. That is, the tilting driver 9 may be installed at a part of the first horizontal moving part 4, or the tilting driver 9 may be installed at a part of the second horizontal moving part 5. And the tilting drive part 9 can be provided in at least one part of the direction change part 6.

이처럼 틸팅 구동부(9)에 의해 기판(10)을 틸팅시킬 경우, 기판 표면의 잔존 액을 제거할 수 있을 뿐 아니라, 기판(10)이 대면적 기판일 경우 그 핸들링성을 더욱 높여줄 수 있다. 기판을 틸팅할 경우, 기판 폭 방향으로의 장비 크기를 줄일 수 있어 장비 설치 공간을 더욱 줄일 수 있고, 틸팅 각도(θ)의 조절을 통해 대면적 기판에의 적용 시 기판에 대한 핸들링성을 더욱 좋게 할 수 있다.As such, when the substrate 10 is tilted by the tilting driver 9, not only the remaining liquid on the surface of the substrate may be removed, but also the handling property may be further improved when the substrate 10 is a large area substrate. When the board is tilted, the size of the equipment in the width direction of the board can be reduced to further reduce the equipment installation space, and the tilting angle (θ) can be adjusted for better handling of the board when applied to a large area board. can do.

기판(10)을 틸팅시킨 상태에서 기판(10) 표면에 순수 등으로 린스를 하거나 예비가습을 할 경우, 기판(10) 표면의 액이 자연스럽게 제거되어 후속 공정의 진행이 더욱 유리하다. When rinsing or pre-humidifying the surface of the substrate 10 with pure water in the state in which the substrate 10 is tilted, the liquid on the surface of the substrate 10 is naturally removed to further advance the subsequent process.

제1습식 처리 모듈(7)을 향해 기판(10)이 이동할 때, 기판(10)을 틸팅시켜서 이동한 다음, 다시 기판(10)을 수평한 상태인 도 19의 제1위치(P1)로 복원시킬 수 있는 데, 이 때 기판(10) 하부에 복수의 위치 조정용 핀들을 배치시켜, 이 핀들 위에 기판이 자연스럽게 안착됨으로써 기판(10)의 위치를 조절하는 작업 없이 바로 기판 표면에 처리액을 분사하는 공정을 수행할 수 있어 전체 공정 택타임을 줄일 수 있다. When the substrate 10 moves toward the first wet processing module 7, the substrate 10 is moved by tilting the substrate 10, and then the substrate 10 is restored to the first position P1 of FIG. 19 in a horizontal state. At this time, by placing a plurality of positioning pins under the substrate 10, the substrate is naturally seated on the pins to spray the treatment liquid directly onto the surface of the substrate without adjusting the position of the substrate 10. The process can be carried out to reduce the overall process tack time.

이상 설명한 바와 같은 기판 표면처리 시스템은 다음의 방법으로 기판 표면처리를 행한다.The substrate surface treatment system as described above performs substrate surface treatment by the following method.

도 3에 따른 실시예를 참조하면, 먼저 반송로봇(미도시)을 이용해 제1게이트(14)를 통해 상측에 배치된 제1공정실(1)로 기판(10)이 투입되고, 제1공정실(1)에서 제1방향(X1)으로 수평 이동된다. 이 때, 제1공정실(1)에는 도시하지는 않았지만 예비 가습존이 존재할 수 있어 기판(10) 표면에 대한 순수를 분무하여 기판 표면을 예비 가습할 수 있다. Referring to the embodiment according to FIG. 3, a substrate 10 is first introduced into a first process chamber 1 disposed upward through a first gate 14 using a transport robot (not shown), and a first process. The chamber 1 is horizontally moved in the first direction X1. In this case, although not shown, a preliminary humidification zone may be present in the first process chamber 1, so that the surface of the substrate may be preliminarily humidified by spraying pure water on the surface of the substrate 10.

도 3에 따른 실시예에서는 제1공정실(1)에 제1습식 처리 모듈(7)이 존재하기 때문에 이 제1습식 처리 모듈(7)에 의해 기판(10) 표면에 대한 제1습식 처리 단계가 진행된다. In the embodiment according to FIG. 3, since the first wet processing module 7 is present in the first process chamber 1, the first wet processing step for the surface of the substrate 10 is performed by the first wet processing module 7. Proceeds.

다음으로, 제1연통로(15)를 거쳐 제3공정실(3)로 이동된 기판(10)은 방향 전환 모듈(6)을 통해 제2방향(X2)으로 수평 이동될 수 있도록 방향이 전환된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 제3공정실(3)로 이동된 기판(10)은 수직 이동부(62)에 의해 아래측으로 이동된 후, 제3구동 롤러(61)들의 동작에 의해 제2방향(X2)으로 진행된다.Next, the substrate 10 moved to the third process chamber 3 via the first communication path 15 is changed in direction so that the substrate 10 may be horizontally moved in the second direction X2 through the direction change module 6. do. According to the exemplary embodiment of the present invention, the substrate 10 moved to the third process chamber 3 is moved downward by the vertical moving part 62, and then, by the operation of the third driving rollers 61, the second substrate 10 is moved. Proceed in direction X2.

그리고 기판(10)은 제2연통로(25)를 거쳐 제2공정실(2)로 이동된다. 제2공정실(2)에서도 제2방향(X2)으로 이동되어 제2게이트(24)를 거쳐 외측으로 토출된다. 외측에는 반송 로봇(미도시)이 기다리고 있다가 처리된 기판을 받아낸다. The substrate 10 is moved to the second process chamber 2 via the second communication path 25. The second process chamber 2 is also moved in the second direction X2 and discharged to the outside via the second gate 24. A transport robot (not shown) waits outside and receives the processed substrate.

상기 제1습식 처리 단계는 도 4에 따른 실시예에서는 제2공정실(2)에서, 도 5 내지 도 9에 따른 실시예에서는 제3공정실(3)에서 진행될 것임은 물론이다.The first wet treatment step may be performed in the second process chamber 2 in the embodiment according to FIG. 4 and in the third process chamber 3 in the embodiments according to FIGS. 5 to 9.

그리고 도 10에서 설명했듯이, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 상기 제1습식 처리 단계가 수행되지 않는 단계에서는, 상기 제2습식 처리 모듈(7')에 의해 기판(10)의 표면을 습식으로 처리하는 제2습식 처리 단계가 수행될 수 있다.As described with reference to FIG. 10, in the step in which the first wet processing step is not performed among the first horizontal moving step, the direction change step, and the second horizontal moving step, the second wet processing module 7 ′ is provided. The second wet treatment step of wet treating the surface of the substrate 10 may be performed.

또한, 도 11에서 설명했듯이, 상기 제1수평 이동 단계, 상기 방향 전환 단계 및 상기 제2수평 이동 단계 중 상기 제1습식 처리 단계가 수행되지 않는 단계에서는, 상기 건식 처리 모듈(8)에 의해 기판(10)의 표면을 건조시킨 상태에서 처리하는 건식 처리 단계가 수행될 수 있다.In addition, as described with reference to FIG. 11, in the step in which the first wet processing step is not performed among the first horizontal moving step, the direction change step, and the second horizontal moving step, the substrate is processed by the dry processing module 8. A dry treatment step of treating the surface of (10) in a dried state can be performed.

이상 설명한 방법은 도 1과 같이 제1공정실(1)이 상부에 배치되고 제2공정실(2)이 하부에 배치된 경우를 나타내었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 도 2에서 볼 수 있듯이, 제1공정실(1)이 하부에 배치되고 제2공정실(2)이 상부에 배치된 경우에도 동일하게 적용 가능함은 물론이다.The method described above shows a case in which the first process chamber 1 is disposed at an upper portion and the second process chamber 2 is disposed at a lower portion as shown in FIG. 1, but the present invention is not limited thereto. As can be seen, the same applies to the case where the first process chamber 1 is disposed below and the second process chamber 2 is disposed above.

이렇게 본 발명의 기판 표면처리 시스템 및 기판 표면처리 방법에 의할 경우 기판(10)의 표면처리가 전체적으로 ㄷ자 형상으로 수행되어 인라인상으로 시스템이 구성되는 것에 비해 현저히 콤팩트하게 시스템을 구성할 수 있게 되고, 이에 따른 설치 공간도 줄일 수 있게 된다.Thus, in the case of the substrate surface treatment system and the substrate surface treatment method of the present invention, the surface treatment of the substrate 10 is performed in a U-shape as a whole, so that the system can be configured to be significantly more compact than the system is configured inline. Therefore, the installation space can be reduced accordingly.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims

A first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having first and second ends, respectively;
A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, positioned parallel to the first process chamber, and having a third end portion and a fourth end portion at both ends;
A third process chamber having opposite and opposite fifth and sixth ends, respectively, and the fifth end coupled to the second and fourth ends to communicate with the first and second process chambers, respectively. ;
A first horizontal moving part installed in the first process chamber and transferring the substrate in a first direction horizontal to the ground and from the first end toward the second end;
A second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction;
A direction change unit installed in the third process chamber and configured to change a transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And
And a first wet treatment module installed in at least one portion of the first to third process chambers and spraying at least one kind of treatment liquid onto the surface of the substrate.
And the first wet processing module is positioned adjacent to a portion of the fifth end portion of the third process chamber that is coupled to the second end portion.

A first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having first and second ends, respectively;
A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, positioned parallel to the first process chamber, and having a third end portion and a fourth end portion at both ends;
A third process chamber having opposite and opposite fifth and sixth ends, respectively, and the fifth end coupled to the second and fourth ends to communicate with the first and second process chambers, respectively. ;
A first horizontal moving part installed in the first process chamber and transferring the substrate in a first direction horizontal to the ground and from the first end toward the second end;
A second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction;
A direction changer, installed in the third process chamber, for changing the transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And
And a first wet treatment module installed in at least one portion of the first to third process chambers and spraying at least one kind of treatment liquid onto the surface of the substrate.
And the first wet treatment module is positioned adjacent to a portion of the fifth end portion of the third process chamber that is coupled to the fourth end portion.

A first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having first and second ends, respectively;
A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, positioned parallel to the first process chamber, and having a third end portion and a fourth end portion at both ends;
A third process chamber having opposite and opposite fifth and sixth ends, respectively, and the fifth end coupled to the second and fourth ends to communicate with the first and second process chambers, respectively. ;
A first horizontal moving part installed in the first process chamber and transferring the substrate in a first direction horizontal to the ground and from the first end toward the second end;
A second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction;
A direction change unit installed in the third process chamber and configured to change a transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And
And a first wet processing module installed in at least one portion of the first to third processing chambers and spraying at least one kind of processing liquid onto the surface of the substrate.
And the first wet processing module is located at a portion near the second end of the third process chamber.

A first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having first and second ends, respectively;
A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, positioned parallel to the first process chamber, and having a third end portion and a fourth end portion at both ends;
A third process chamber having opposite and opposite fifth and sixth ends, respectively, and the fifth end coupled to the second and fourth ends to communicate with the first and second process chambers, respectively. ;
A first horizontal moving part installed in the first process chamber and transferring the substrate in a first direction horizontal to the ground and from the first end toward the second end;
A second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction;
A direction change unit installed in the third process chamber and configured to change a transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And
And a first wet treatment module installed in at least one portion of the first to third process chambers and spraying at least one kind of treatment liquid onto the surface of the substrate.
And the first wet processing module is located at a portion near the fourth end of the third process chamber.

delete

A first process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground and having first and second ends, respectively;
A second process chamber extending in a horizontal direction with respect to the ground, positioned parallel to the first process chamber, and having a third end portion and a fourth end portion at both ends;
A third process chamber having opposite and opposite fifth and sixth ends, respectively, and the fifth end coupled to the second and fourth ends to communicate with the first and second process chambers, respectively. ;
A first horizontal moving part installed in the first process chamber and transferring the substrate in a first direction horizontal to the ground and from the first end toward the second end;
A second horizontal moving part installed in the second process chamber and transferring the substrate in a second direction horizontal to the ground and opposite to the first direction;
A direction change unit installed in the third process chamber and provided to vertically move the transfer direction of the substrate from the first direction to the second direction or from the second direction to the first direction; And
And a first wet treatment module installed in at least one portion of the first to third process chambers and spraying at least one kind of treatment liquid onto the surface of the substrate.
The first wet processing module is located in the third process chamber, the substrate surface treatment system is provided to interlock with the vertical movement of the redirection.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
The first end and the third end extend in parallel with each other, the second end and the fourth end extend in parallel with each other, and the first gate and the second gate in the first end and the third end, respectively. Substrate surface treatment system, characterized in that provided.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
And at least one of the first process chamber and the second process chamber, wherein a dry processing module for processing the surface of the substrate is dried.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
And at least one of the first process chamber and the second process chamber, wherein a second wet treatment module for wetly treating the surface of the substrate is located.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
And the second process chamber is located below the first process chamber.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
And the first process chamber is located below the second process chamber.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
And a tilting driver positioned in at least one of the first to third processing chambers and tilting the substrate to be inclined with respect to the ground.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
The first wet processing module includes a liquid jet module and an air jet module, which are integrally coupled, and the liquid jet module is provided to jet the processing liquid toward the surface of the substrate, and the air jet module is the substrate. A substrate surface treatment system provided to spray liquid air toward a surface of the substrate.

The method according to any one of claims 1 to 4 and 6,
The first wet processing module includes a liquid jet module having a plurality of spray nozzles.

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