KR101212804B1

KR101212804B1 - Treating device of silicon substrate having a compact structure

Info

Publication number: KR101212804B1
Application number: KR1020100095976A
Authority: KR
Inventors: 안길수; 장승일
Original assignee: 주식회사 엠엠테크
Priority date: 2010-10-01
Filing date: 2010-10-01
Publication date: 2012-12-14
Also published as: KR20120034424A

Abstract

본 발명은, 실리콘막의 표면에 형성된 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하고, 실리콘막 표면의 균일도를 높여주기 위한 것으로, 실리콘막을 포함하는 기판을 지지하는 지지대와, 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 액과 물을 상기 기판의 표면에 선택적으로 제공하도록 구비된 제1노즐부와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부를 구동하는 제1구동부와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부에 상기 액을 공급하는 액 저장조와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부에 상기 물을 공급하는 물 저장조와, 상기 제1구동부에 연결되어, 상기 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 액과 상기 물을 서로 다른 시간대로 상기 기판의 표면에 제공하도록 하는 제어부를 포함하는 실리콘 기판의 처리 장치에 관한 것이다.The present invention is to effectively remove the silicon oxide film formed on the surface of the silicon film and to improve the uniformity of the surface of the silicon film. A first nozzle unit selectively provided on a surface of the substrate, a first driving unit connected to the first nozzle unit and driving the first nozzle unit, and connected to the first nozzle unit and connected to the first nozzle unit A liquid storage tank for supplying the liquid, a water storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the water to the first nozzle unit, a liquid connected to the first driving unit and capable of etching the silicon oxide film; And a control unit for providing the water to the surface of the substrate at different time zones.

Description

Processing device of silicon substrate having a compact structure

본 발명은 실리콘 기판의 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세히는 보다 콤팩트한 구조를 갖는 실리콘 기판의 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus for a silicon substrate, and more particularly to a processing apparatus for a silicon substrate having a more compact structure.

실리콘막은, 유기 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치의 구동 소자로서 사용되는 박막 트랜지스터를 비롯해, 반도체 소자 등 다양한 전자 장치에 사용된다.The silicon film is used in various electronic devices such as semiconductor devices, including thin film transistors used as driving elements of organic light emitting display devices or liquid crystal display devices.

그런데 실리콘막은 자연 상태에서 표면에 실리콘 산화막을 갖는다.However, the silicon film has a silicon oxide film on its surface in its natural state.

이처럼 실리콘막의 표면에 형성된 실리콘 산화막은 실리콘막으로 형성될 전자 소자의 특성에 영향을 미치고, 공정 중 파티클 등의 오염원으로 작용할 수 있기 때문에 이를 제거하지 않으면 안 된다.As described above, the silicon oxide film formed on the surface of the silicon film affects the characteristics of the electronic device to be formed as the silicon film and may act as a contaminant such as particles during the process.

또한 실리콘막, 특히 비정질 실리콘막은 ELA 등의 결정화 공정을 거쳐 실리콘막을 형성하는 데, 이 때 표면 균일도가 낮을 경우, 후속하여 생성될 전자 소자의 특성에 매우 큰 영향을 미치므로 그 표면 균일도를 높일 필요가 있다.In addition, a silicon film, especially an amorphous silicon film, forms a silicon film through a crystallization process such as ELA. When the surface uniformity is low, the surface uniformity has a great influence on the characteristics of the electronic device to be subsequently generated. There is.

본 발명은, 실리콘막의 표면에 형성된 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하고, 실리콘막 표면의 균일도를 높여줄 수 있는 실리콘 기판의 처리장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a processing apparatus for a silicon substrate which can effectively remove a silicon oxide film formed on the surface of a silicon film and increase the uniformity of the surface of the silicon film.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 실리콘막을 포함하는 기판을 지지하는 지지대와, 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 액과 물을 상기 기판의 표면에 선택적으로 제공하도록 구비된 제1노즐부와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부를 구동하는 제1구동부와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부에 상기 액을 공급하는 액 저장조와, 상기 제1노즐부에 연결되고 상기 제1노즐부에 상기 물을 공급하는 물 저장조와, 상기 제1구동부에 연결되어, 상기 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 액과 상기 물을 서로 다른 시간대로 상기 기판의 표면에 제공하도록 하는 제어부를 포함하는 실리콘 기판의 처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a support for supporting a substrate including a silicon film, and a first nozzle unit provided to selectively provide a surface of the substrate with a liquid and water capable of etching the silicon oxide film. A first driving part connected to the first nozzle part and driving the first nozzle part, a liquid reservoir connected to the first nozzle part and supplying the liquid to the first nozzle part, and the first nozzle part; A water storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the water to the first nozzle unit, the water reservoir connected to the first driving unit to supply the liquid and the water capable of etching the silicon oxide film to the surface of the substrate at different times. Provided is a processing apparatus for a silicon substrate including a control unit.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 액 저장조는, 상기 기판의 표면에 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 제1액을 제공하는 제1저장조와, 상기 기판의 표면에 상기 실리콘 산화막을 에칭할 수 있고 상기 제1액과 다른 성분을 가지며 상기 제1액보다 실리콘 산화막에 대한 에칭율이 큰 제2액을 제공하는 제2저장조를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the liquid reservoir, the first reservoir for providing a first liquid capable of etching the silicon oxide film on the surface of the substrate, and the silicon oxide film on the surface of the substrate and the It may include a second reservoir having a component different from the first liquid and providing a second liquid having a higher etching rate for the silicon oxide film than the first liquid.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제어부는 상기 제1액 및 제2액을 서로 다른 시간대로 상기 기판의 표면에 제공하도록 할 수 있다.According to another feature of the invention, the control unit may be to provide the first liquid and the second liquid on the surface of the substrate at different times.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제1구동부는, 상기 기판의 일면을 따라 배치된 제1가이드와 상기 제1가이드를 따라 구동하고 상기 제1노즐부에 연결된 제1구동블록을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the first driving unit may include a first guide block disposed along one surface of the substrate and a first driving block driven along the first guide and connected to the first nozzle unit. have.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제1구동블록과 상기 제1노즐부를 연결하고, 상기 제1구동블록으로부터 상기 제1노즐부로 상기 제1액 또는 제2액을 공급하는 연결부를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, it may include a connecting portion for connecting the first driving block and the first nozzle portion, and supplying the first liquid or the second liquid from the first driving block to the first nozzle portion. have.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제1구동부와 제1저장조 사이에 연결된 제1개폐변과, 상기 제1구동부와 제2저장조 사이에 연결된 제2개폐변을 포함하고, 상기 제1개폐변 및 제2개폐변은 상기 제어부와 연결되어 선택적으로 개폐되는 것일 수 있다.According to another feature of the invention, the first opening and closing valve connected between the first driving unit and the first storage tank, and the second opening and closing valve connected between the first driving unit and the second storage tank, the first opening and closing valve And a second opening / closing valve may be selectively opened and closed by being connected to the control unit.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제1액은 오존 용액을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the first liquid may comprise an ozone solution.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제2액은 불산 또는 불화암모늄 용액을 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the second liquid may comprise a hydrofluoric acid or ammonium fluoride solution.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제1구동부와 물 저장조 사이에 연결된 제3개폐변을 포함하고, 상기 제3개폐변은 상기 제어부와 연결되어, 상기 제1개폐변 및 제2개폐변에대하여 선택적으로 개폐되는 것일 수 있다.According to another feature of the present invention, the first opening and closing portion comprises a third opening and closing valve connected between the water reservoir, the third opening and closing valve is connected to the control, the first opening and closing valve It may be selectively opened and closed with respect to.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 지지대는 지면과 수평하게 배치될 수 있다.According to another feature of the invention, the support may be disposed horizontally with the ground.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 기판의 표면에 액절 공기를 제공하는 제2노즐부와, 상기 제2노즐부에 연결되고 상기 제2노즐부를 구동하는 제2구동부와, 상기 제2노즐부에 연결되고 상기 제2노즐부에 상기 액절 공기를 공급하는 공기 탱크를 더 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the second nozzle unit for providing liquid air to the surface of the substrate, a second driving unit connected to the second nozzle unit and driving the second nozzle unit, and the second nozzle unit It may further include an air tank connected to the second nozzle portion for supplying the liquid air.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제어부는 상기 제4구동부에 연결되어 상기 액절 공기를 상기 실리콘 산화막을 에칭할 수 있는 액 및 물과 다른 시간대로 상기 기판의 표면에 제공하도록 하는 것일 수 있다.According to another feature of the invention, the control unit may be connected to the fourth driving unit to provide the liquid air to the surface of the substrate in a different time zone than the liquid and water capable of etching the silicon oxide film.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제2구동부는, 상기 기판의 일면을 따라 배치된 제2가이드와 상기 제2가이드를 따라 구동하고 상기 제2노즐부에 연결된 제2구동블록을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the second driving unit may include a second guide disposed along one surface of the substrate and a second driving block driven along the second guide and connected to the second nozzle unit. have.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제2구동부는 상기 제1구동부와 일체로 구비될 수 있다.According to another feature of the invention, the second driving unit may be provided integrally with the first driving unit.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 에천트에 의해 실리콘막 표면의 세정과 함께 실리콘 산화막을 에칭할 수 있고, 실리콘 산화막이 에칭된 후의 실리콘막 표면의 평활도가 더욱 향상될 수 있다.According to the present invention as described above, the silicon oxide film can be etched together with the cleaning of the silicon film surface by the etchant, and the smoothness of the silicon film surface after the silicon oxide film is etched can be further improved.

또한, 에천트와 물 및 서로 다른 에천트들을 다른 시간대로 제공함으로써, 에천트들의 에칭 정도를 조절할 수 있다.In addition, by providing etchant, water and different etchant at different time periods, the etching degree of the etchant may be controlled.

그리고 에천트의 제공 후에 물을 제공함으로써 완충 기능을 통해 에칭 정도의 정밀한 제어가 가능해지고, 제1액과 제2액의 혼합에 의해 원하는 에칭율이 달라지는 문제 및 이로 인한 양산성 저하를 방지할 수 있다.By providing water after the provision of the etchant, the buffering function enables precise control of the degree of etching, and the problem that the desired etching rate is changed due to the mixing of the first liquid and the second liquid can be prevented and the resulting decrease in productivity. have.

본 발명은 또한 액절 공기의 제공을 통해 에천트와 물을 기판의 표면에서 제거함으로써, 기판 표면에서 에천트와 물이 섞이지 않도록 해, 애초 원하는 바와 같은 에칭 정밀도를 얻을 수 있다.The present invention also removes the etchant and water from the surface of the substrate through the provision of liquefied air, thereby preventing the etchant and water from mixing on the surface of the substrate, thereby achieving etching precision as desired.

이러한 에천트 및 물의 제공이 동일 챔버 내에서 이뤄지도록 함으로써 보다 콤팩트한 장치 구성이 가능하게 된다.By providing such etchant and water in the same chamber, a more compact device configuration is possible.

본 발명은 에천트 및 물을 하나의 노즐을 이용해 공급시킴으로써, 장치를 컴팩트하게 할 수 있고, 부품 수를 줄일 수 있다.In the present invention, by supplying the etchant and water using one nozzle, the apparatus can be made compact and the number of parts can be reduced.

뿐만 아니라, 액절 공기의 공급 장치를 액 공급 장치와 일체로 구비시킴으로써 장치를 보다 컴팩트하게 할 수 있다. In addition, the device can be made more compact by providing the liquid supplying air supply unit integrally with the liquid supplying unit.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 2는 도 1의 액 공급부의 일 예를 보다 상세히 도시한 분해 사시도,
도 3은 도 1의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제3시간대의 일 예를 도시한 타이밍도,
도 4는 도 1의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제3시간대의 다른 일 예를 도시한 타이밍도,
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 6은 도 5의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제4시간대의 일 예를 도시한 타이밍도,
도 7은 도 5의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제4시간대의 다른 일 예를 도시한 타이밍도,
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,
도 9는 도 8의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제4시간대의 일 예를 도시한 타이밍도,
도 10은 도 8의 제어부에 의해 조절되는 제1시간대 내지 제4시간대의 다른 일 예를 도시한 타이밍도,
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 시스템을 개략적으로 도시한 구성도.1 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a processing apparatus for a silicon substrate according to an embodiment of the present invention;
2 is an exploded perspective view illustrating an example of the liquid supply unit of FIG. 1 in more detail;
3 is a timing diagram illustrating an example of first to third time periods controlled by the controller of FIG. 1;
4 is a timing diagram illustrating another example of the first to third time periods adjusted by the controller of FIG. 1;
5 is a schematic view showing the configuration of a processing apparatus for a silicon substrate according to another embodiment of the present invention;
6 is a timing diagram illustrating an example of first to fourth time periods adjusted by the controller of FIG. 5;
FIG. 7 is a timing diagram illustrating another example of the first to fourth time periods adjusted by the controller of FIG. 5.
8 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a processing apparatus for a silicon substrate according to another embodiment of the present invention;
9 is a timing diagram illustrating an example of first to fourth time periods adjusted by the controller of FIG. 8;
10 is a timing diagram illustrating another example of the first to fourth time periods adjusted by the controller of FIG. 8;
11 is a schematic diagram illustrating a processing system of a silicon substrate in accordance with an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다 . Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 도 1의 액 공급부(30)의 일 예를 보다 상세히 도시한 분해 사시도이다.1 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a processing apparatus of a silicon substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view showing an example of the liquid supply unit 30 of FIG.

도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판의 처리 장치는 기판(10)이 지지대(20)와, 액 공급부(30)와, 제어부(70)를 포함한다.As shown in FIG. 1, in the apparatus for processing a silicon substrate according to an exemplary embodiment, the substrate 10 includes a support 20, a liquid supply unit 30, and a controller 70.

본 발명에 의해 처리되기 전의 상기 기판(10)은 특히 디스플레이용으로 사용되는 다양한 종류의 기판을 포함할 수 있는 데, 베이스 기판(11), 실리콘막(12), 실리콘 산화막(13)을 포함한다.The substrate 10 before being processed by the present invention may include various kinds of substrates used for display, in particular, including a base substrate 11, a silicon film 12, and a silicon oxide film 13. .

상기 베이스 기판(11)은 글라스, 플라스틱 또는 메탈 기판을 포함할 수 있는 데, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만 표면에 유기물 및/또는 무기물에 의한 절연막이 더 구비될 수 있다.The base substrate 11 may include a glass, plastic, or metal substrate. Although not shown in the drawings, an insulating film made of an organic material and / or an inorganic material may be further provided on the surface of the base substrate 11.

상기 실리콘막(12)은 상기 베이스 기판(11)의 표면에 비정질 실리콘막을 성막하여 얻을 수 있다. 이러한 실리콘막(12)은 후속 공정으로 결정화 공정을 통해 폴리 실리콘막으로 될 수 있다. 결정화 공정은 ELA와 같은 레이저 결정화 공정이 사용될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 결정화 공정이 사용될 수 있다. 상기 실리콘막(12)을 결정화하여 얻어지는 폴리 실리콘막은 디스플레이의 박막 트랜지스터의 활성층 등으로 사용될 수 있다. 물론, 상기 비정질 실리콘막도 패터닝과 도핑 등을 통해 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용될 수 있다.The silicon film 12 may be obtained by forming an amorphous silicon film on the surface of the base substrate 11. The silicon film 12 may be a polysilicon film through a crystallization process in a subsequent process. The crystallization process may be a laser crystallization process such as ELA, but is not necessarily limited thereto, various crystallization processes may be used. The polysilicon film obtained by crystallizing the silicon film 12 may be used as an active layer of a thin film transistor of a display. Of course, the amorphous silicon film may also be used as an active layer of the thin film transistor through patterning and doping.

실리콘 산화막(13)은 상기 실리콘막(12)의 표면에 형성된다. 이 실리콘 산화막(13)은 실리콘막(12)의 표면이 공기 중에서 산소 또는 질소와 결합하여 자연적으로 형성된 산화막으로, 일반적으로 5~1,000Å의 두께로 형성된다. The silicon oxide film 13 is formed on the surface of the silicon film 12. The silicon oxide film 13 is an oxide film formed naturally by combining the surface of the silicon film 12 with oxygen or nitrogen in air, and is generally formed to a thickness of 5 to 1,000 mW.

상기와 같은 기판(10)은 전술한 바와 같이 베이스 기판(11) 상에 실리콘막(12)이 성막된 기판에 한정되는 것은 아니며, 실리콘막을 포함하는 실리콘 웨이퍼 등 실리콘막을 포함하는 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있음은 물론이다.As described above, the substrate 10 is not limited to a substrate on which the silicon film 12 is formed on the base substrate 11, and various kinds of substrates including a silicon film, such as a silicon wafer including a silicon film, may be used. Of course, it can be applied.

상기 지지대(20)는 상기 기판(10)을 지지할 수 있는 유닛을 총칭한다. The support 20 refers to a unit that can support the substrate 10.

상기 지지대(20)가 도 1에서는 기판(10)의 하면을 받쳐주는 테이블 형태로 도시되어 있지만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10)을 고정시키고, 얼라인할 수 있는 어떠한 형태의 구조물도 적용될 수 있음은 물론이다. 상기 지지대(20)는 지면에 수평하게 구비될 수 있는 데, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 별도의 경사 조절부를 구비해, 기판(10)이 지면과 경사지게 배치되도록 지지대(20)를 조절할 수 있다. 이 경사 조절부는 지지대(20)를 회동시켜 기판(10)이 지면에 수직하게 되도록 하거나, 기판(10)이 지면에 예각을 이루며 경사지도록 할 수도 있다. 도 1에서는 지지대(20)가 테이블 형태의 것이 도시되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)이 경사질 때, 기판(10)을 고정할 수 있는 것이면 어떠한 형태이든 무방하다.Although the support 20 is shown in the form of a table that supports the lower surface of the substrate 10 in FIG. 1, the present invention is not limited thereto, and the substrate 10 may be fixed and aligned. Of course, the structure can also be applied. The support 20 may be provided horizontally on the ground, but the present invention is not necessarily limited thereto, and includes a separate inclination adjusting portion to adjust the support 20 so that the substrate 10 is disposed to be inclined with the ground. Can be. The inclination adjustment unit may rotate the support 20 so that the substrate 10 is perpendicular to the ground, or the substrate 10 may be inclined at an acute angle to the ground. Although the support 20 is shown in the form of a table in FIG. 1, the present invention is not limited thereto, and the support 20 may be any shape as long as the substrate 10 can be fixed when the substrate 10 is inclined. .

상기 액 공급부(30)는 상기 기판(10)의 표면에 제1액 내지 제3액을 선택적으로 제공하기 위한 것으로, 엄밀하게는 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)의 표면에 제1액 내지 제3액을 선택적으로 제공하기 위한 것이다.The liquid supply part 30 is for selectively providing the first to third liquids on the surface of the substrate 10, and strictly on the surface of the silicon oxide film 13 formed on the surface of the silicon film 12. It is for selectively providing the first to third liquid.

상기 제1액은 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)을 에칭할 수 있는 성분의 용액을 포함하는 데, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 오존 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다. 상기 제1액은 실리콘 산화막(13)에 대한 에칭율은 후술하는 제2액에 비해 떨어지는 것을 사용하는 데, 오히려 기판(10) 표면의 유기물을 세정하는 세정제의 기능을 할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1액은 중성 또는 알카리성 세정제로 대체 가능하다.The first liquid includes a solution of a component capable of etching the silicon oxide film 13 formed on the surface of the silicon film 12. In a preferred embodiment of the present invention, the solution includes an ozone solution. Can be. The first liquid may use a lower etching rate for the silicon oxide film 13 than a second liquid, which will be described later. Instead, the first liquid may function as a cleaning agent for cleaning the organic material on the surface of the substrate 10. For this reason, the first liquid can be replaced with a neutral or alkaline detergent.

상기 제2액은 실리콘막(12)의 표면에 형성된 실리콘 산화막(13)을 에칭할 수 있고, 상기 제1액과는 다른 성분을 가지며, 제1액보다 실리콘 산화막에 대한 에칭율이 높은 용액을 사용한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 제2액은 불산 또는 불화 암모늄 용액을 포함하는 용액이 될 수 있다.The second liquid may etch the silicon oxide film 13 formed on the surface of the silicon film 12, and may have a component different from that of the first liquid, and may be a solution having a higher etching rate to the silicon oxide film than the first liquid. use. In one preferred embodiment of the present invention, the second liquid may be a solution containing a hydrofluoric acid or ammonium fluoride solution.

상기 제3액은 상기 기판(10)의 표면으로부터 상기 제1액 및 제2액을 적어도 희석시킬 수 있는 것으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면 물을 포함할 수 있고, 이 물은 탈이온화된 순수(DI water)를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 제3액은 에천트인 제1액 및 제2액의 기판(10) 표면에서의 작용을 멈추게 하는 완충수로서의 기능을 할 수 있다.The third liquid may at least dilute the first liquid and the second liquid from the surface of the substrate 10, and may include water according to a preferred embodiment of the present invention, and the water may be deionized. It is preferable to use DI water. The third liquid may function as a buffer water to stop the first liquid and the second liquid, which are etchant, on the surface of the substrate 10.

상기 액 공급부(30)는 제1액 내지 제3액을 각각 기판(10)에 고루 퍼지도록 제공하는 데, 이를 위해, 기판(10) 표면과 소정거리 이격된 상태로 기판(10)의 면방향으로 운동하면서 기판(10)의 표면에 제1액 내지 제3액을 제공하도록 구비된다.The liquid supply unit 30 provides the first liquid to the third liquid to spread evenly on the substrate 10, for this purpose, in the plane direction of the substrate 10 spaced apart from the surface of the substrate 10 by a predetermined distance. It is provided to provide the first to third liquid on the surface of the substrate 10 while moving.

상기 액 공급부(30)는 제1노즐부(31)와 제1구동부(32)를 포함한다. The liquid supply part 30 includes a first nozzle part 31 and a first driving part 32.

제1구동부(32)는 제1구동블록(33)과 제1가이드(34)를 포함한다. 상기 제1가이드(34)는 기판(10)의 일면을 따라 일 방향으로 연장되도록 배치된다. 상기 제1구동블록(33)은 상기 제1가이드(34)를 따라 편도 또는 왕복 구동하도록 구비되어 있다. 이를 위해 상기 제1구동블록(33)과 상기 제1가이드(34)는 리니어 모터 수단을 장착할 수 있다. The first driving part 32 includes a first driving block 33 and a first guide 34. The first guide 34 is disposed to extend in one direction along one surface of the substrate 10. The first driving block 33 is provided to drive one-way or reciprocating along the first guide 34. To this end, the first driving block 33 and the first guide 34 may be equipped with a linear motor means.

상기 제1구동블록(33)에는 상기 제1가이드(34)를 따라 이동하는 이동 기능 외에도 제1액 내지 제3액을 상기 제1노즐부(31)로 선택적으로 공급할 수 있도록 기능을 겸하도록 설계될 수 있다. 이를 위해 상기 제1구동블록(33)의 내부에는 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)로 각각 연결되는 3개의 관이 노즐부(31)로 연결되는 하나의 관과 연결된 구조로 구비될 수 있다. 그리고, 제1액 내지 제3액의 토출을 위한 별도의 펌프 수단이 구비될 수 있다.The first drive block 33 is designed to function as a function to selectively supply the first liquid to the third liquid to the first nozzle part 31 in addition to the moving function of moving along the first guide 34. Can be. To this end, three tubes each connected to the first reservoir 35 to the third reservoir 55 are provided in a structure connected to one tube connected to the nozzle unit 31 in the first driving block 33. Can be. In addition, a separate pump means for discharging the first to third liquids may be provided.

제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)와 제1구동블록(33)의 사이에는 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)이 개재되어 연결될 수 있다. 이 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)은 각각 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변이 사용될 수 있다.A first opening / closing side 36 to a third opening / closing side 56 may be interposed between the first and third storage tanks 35 to 55 and the first driving block 33. The first opening and closing 36 to the third opening and closing 56 is connected to the control unit 70, respectively, the electronic valve which is controlled by the control unit 70 can be used.

상기 제1노즐부(31)는 도 2에서 볼 수 있듯이, 제1노즐 블록(311)과 제2노즐 블록(312)이 서로 결합되어 이루어질 수 있는 데, 이들 사이에 공간이 형성되어 제1액 내지 제3액이 선택적으로 수용될 수 있도록 구비된다. 제1노즐 블록(311)과 제2노즐 블록(312)에는 각각 관통공(314)이 복수개 형성되어 있고, 제1액의 노출 방향에 노즐(313)이 형성되어 있다. 상기 노즐(313)은 단일의 직선상의 개구일 수도 있고, 일정간격으로 형성된 복수의 구멍으로 구비될 수도 있다. 상기 노즐(313)은 기판(10)의 표면을 향하도록 개구될 수 있는 데, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 기판(10)의 표면과 소정 각도를 이루는 방향으로 분사토록 한 다음 유체가 흘러서 기판(10)의 표면으로 떨어질 수 있도록 하는 방식으로 분사토록 개구될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the first nozzle unit 31 may be formed by combining the first nozzle block 311 and the second nozzle block 312 with a space formed therebetween. To third liquid is provided to be selectively accommodated. A plurality of through holes 314 are formed in each of the first nozzle block 311 and the second nozzle block 312, and a nozzle 313 is formed in the exposure direction of the first liquid. The nozzle 313 may be a single straight opening or may be provided with a plurality of holes formed at a predetermined interval. The nozzle 313 may be opened to face the surface of the substrate 10, but the present invention is not limited thereto, and the fluid flows after the nozzle 313 is sprayed in a direction forming a predetermined angle with the surface of the substrate 10. It may be opened for injection in such a way that it can fall to the surface of the substrate 10.

상기 제1노즐부(31)의 관통공(314)에는 연결부(36)의 일단이 연결되는 데, 이 연결부(36)의 타단은 제1구동블록(33)에 연결되어 제1구동블록(33) 내에 구비된 전술한 개폐변 등에 연결될 수 있다. 상기 연결부(36)는 연결 호스로 구비될 수 있다.One end of the connecting portion 36 is connected to the through hole 314 of the first nozzle portion 31, and the other end of the connecting portion 36 is connected to the first driving block 33 to be the first driving block 33. It may be connected to the above-described opening and closing sides provided in). The connection part 36 may be provided as a connection hose.

상기 제1노즐부(31)는 반드시 도 2에 도시된 형상에 한정되는 것은 아니며, 제1액을 분무 형태로 분사할 수 있는 분무 스프레이 노즐도 적용될 수 있음은 물론이다.The first nozzle part 31 is not necessarily limited to the shape shown in FIG. 2, and of course, a spray spray nozzle capable of spraying the first liquid in a spray form may be applied.

제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)는 각각 제1액 내지 제3액을 저장하기 위한 것으로 상기 제1구동블록(33)에 각각 연결된다. 상기 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)는 제어부(70)를 거친 다음 제1구동블록(33)에 연결될 수도 있음은 물론이다.The first reservoir 35 to the third reservoir 55 are for storing the first liquid to the third liquid, respectively, and are respectively connected to the first driving block 33. Of course, the first reservoir 35 to the third reservoir 55 may be connected to the first driving block 33 after passing through the control unit 70.

한편, 도면으로 상세히 도시하지는 않았지만, 상기 제1노즐부(31)는 그 너비가 기판(10)의 너비에 대응되도록 해 한 번의 스캔으로 기판(10) 전체 면에 걸쳐 제1액 내지 제3액을 제공하도록 할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(10)의 너비보다 작게 형성되어 복수 회 스캔으로 제1액 내지 제3액을 제공하도록 하거나, 기판(10)을 상기 제1노즐부(31)의 이동 방향에 수직 방향에 경사지도록 기울여 한 번의 스캔으로 기판(10) 전체 면에 걸쳐 제1액 내지 제3액이 기판(10) 전체 면적에 걸쳐 고루 퍼질 수 있도록 할 수 있다.Although not shown in detail in the drawings, the first nozzle part 31 has a width corresponding to the width of the substrate 10 so that the first to third liquids cover the entire surface of the substrate 10 in one scan. Can be provided. However, the present invention is not limited thereto, and the width of the substrate 10 may be smaller than the width of the substrate 10 to provide the first to third liquids in a plurality of scans, or the substrate 10 may be moved in the direction of the first nozzle part 31. The first liquid to the third liquid can be spread evenly over the entire area of the substrate 10 in one scan by tilting the inclination in the vertical direction.

상기 제1구동부(32)는 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 제1액 내지 제3액 분사 타이밍이 조절된다. 즉, 본 발명에 있어서, 상기 제1구동부(32)는 서로 다른 시간대에 제1액 내지 제3액을 각각 분사한다.The first driving unit 32 is connected to the control unit 70 to adjust the first liquid to the third liquid injection timing by the control unit 70. That is, in the present invention, the first driving unit 32 sprays the first liquid to the third liquid at different times.

한편, 도 1에서는 제1저장조(35) 내지 제3저장조(55)가 모두 구비되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 제1저장조(35) 및 제2저장조(45)만이 구비되어, 후술하는 바와 같이 제1액 및 제2액을 서로 다른 시간대에 기판(10)의 표면에 제공함으로써 실리콘 산화막(13)의 제거와 함께 기판 평활도를 얻을 수 있다.On the other hand, in Figure 1 is provided with both the first reservoir 35 to the third reservoir 55, the present invention is not necessarily limited to this, although not shown in the drawings, the first reservoir 35 and the second Only the reservoir 45 is provided, and the substrate smoothness can be obtained together with the removal of the silicon oxide film 13 by providing the first liquid and the second liquid on the surface of the substrate 10 at different time periods as will be described later.

도 3은 제1액 내지 제3액 분사 타이밍의 일 예를 도시한 것이다.3 illustrates an example of the first to third liquid injection timings.

먼저, 제1개폐변(36)을 열고 제2개폐변(46) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 1의 좌에서 우로 이동시키면서 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공되도록 한다.First, the first liquid (1) while moving the liquid supply unit 30 from the left to the right in FIG. 1 in a state in which the first open / close valve 36 and the second open / close valve 46 and the third open / close valve 56 are closed. The first time zone t1 is provided.

그 다음에는 제3개폐변(56)을 열고 제1개폐변(36) 및 제2개폐변(46)을 닫은 상태에서 도 1의 우측으로 이동한 액 공급부(30)를 우에서 좌로 이동시키면서 제3액(3)이 제3시간대(t3)로 제공되도록 한다.Next, the liquid supply part 30 moved to the right side of FIG. 1 while the third open / close side 56 is opened and the first open / close side 36 and the second open / close side 46 are closed. 3 liquid (3) is to be provided in the third time period (t3).

그 후 제2개폐변(46)을 열고 제1개폐변(36) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 도 1의 좌측으로 이동한 액 공급부(30)를 다시 좌에서 우로 이동시키면서 제2액(2)이 제2시간대(t2)로 제공되도록 한다.After opening the second opening and closing 46 and closing the first opening and closing 36 and the third opening and closing 56, while moving the liquid supply unit 30 moved to the left side of FIG. 2 liquid (2) is to be provided in the second time period (t2).

도 3에서는 제3시간대(t3)의 시작 타이밍이 제1시간대(t1)의 끝나는 타이밍과 일치하고, 제2시간대(t2)의 시작 타이밍이 제3시간대(t3)의 끝나는 타이밍과 일치하도록 되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공된 다음 소정 시간 후에 제3액(3)이 제3시간대(t3)로 제공될 수 있다. 그리고 제2액(2)의 경우에도 제3액(3)이 제3시간대(t3)로 제공된 다음 소정 시간 후에 제2시간대(t2)로 제공될 수 있다. In FIG. 3, the start timing of the third time zone t3 coincides with the end timing of the first time zone t1, and the start timing of the second time zone t2 coincides with the end timing of the third time zone t3. However, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, the third liquid 3 may be provided in the third time zone t3 after a predetermined time after the first liquid 1 is provided in the first time zone t1. In the case of the second liquid 2, the third liquid 3 may be provided in the second time zone t2 after a predetermined time after the third liquid 3 is provided in the third time zone t3.

그리고 도 3에서는 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3)가 모두 동일한 시간 폭을 유지하도록 하고 있으나, 각 시간대의 시간 폭은 제1액 내지 제3액의 작용 등을 감안하여 적절하게 조절할 수 있다. 각 시간대의 시간 폭은 상기 제1액 공급부(30) 내지 제3액 공급부(50)의 이동 속도 등으로 조절 가능하다.In FIG. 3, the first time zone t1 to the third time zone t3 maintain the same time width, but the time width of each time zone is appropriately adjusted in consideration of the effects of the first liquid to the third liquid. Can be. The time width of each time zone can be adjusted by the moving speed of the first liquid supply unit 30 to the third liquid supply unit 50 and the like.

도 3과 같이, 먼저 제1액(1)을 기판에 제공하게 되면, 도 1에서 볼 수 있는 실리콘 산화막(13) 표면의 유기물 등이 세정됨과 동시에 실리콘 산화막(13)의 일부가 에칭될 수 있다. 상기 제1액(1)은 제3액(3)이 분무되기 전까지 적어도 제1시간대(t1)의 시간폭만큼 기판(10)에 머물러 있게 되고, 이 시간을 조절함으로써, 즉, 적어도 제1시간대(t1)의 시간폭을 조절함으로써 제1액(1)에 의한 작용 정도를 조절할 수 있게 된다. 물론, 전술한 바와 같이 만일 제1시간대(t1)와 제3시간대(t3)의 사이에 일정한 시간 간격이 존재한다면 이 시간 간격까지도 고려하여 제1액(1)에 의한 작용 정도를 조절할 수 있을 것이다.As shown in FIG. 3, when the first liquid 1 is first provided to the substrate, the organic material and the like on the surface of the silicon oxide film 13 shown in FIG. 1 may be cleaned and a portion of the silicon oxide film 13 may be etched. . The first liquid 1 remains on the substrate 10 for at least the first time period t1 before the third liquid 3 is sprayed, and by adjusting this time, that is, at least the first time period By adjusting the time width of (t1), it is possible to adjust the degree of action by the first liquid (1). Of course, as described above, if a certain time interval exists between the first time zone t1 and the third time zone t3, the degree of action by the first liquid 1 may be adjusted in consideration of this time interval. .

다음으로, 제3액(3)을 분사하여 기판(10)의 표면에서 제1액(1)을 씻어 내어 제1액(1)이 더 이상 작용하지 못하도록 하거나, 제1액(1)의 작용 정도를 낮추도록 한다.Next, the third liquid 3 is sprayed to wash off the first liquid 1 from the surface of the substrate 10 so that the first liquid 1 does not work anymore, or the action of the first liquid 1 is applied. Try to lower it.

그 다음 가장 강한 에천트인 제2액(2)을 기판(10)에 분사하여 실리콘 산화막(13)을 에칭한다. 이 제2액(2)의 기판(10) 상에서의 유지 시간 등을 조절함으로써 실리콘 산화막(13)을 에칭함과 동시에 실리콘막(12)의 표면도 일정 정도 에칭할 수 있게 되어, 실리콘막(12) 표면의 평활도를 좋게 되도록 할 수 있다.Then, the silicon oxide film 13 is etched by spraying the second liquid 2, which is the strongest etchant, onto the substrate 10. By controlling the holding time and the like of the second liquid 2 on the substrate 10, the silicon oxide film 13 can be etched and the surface of the silicon film 12 can be etched to a certain degree, thereby allowing the silicon film 12 to be etched. The surface smoothness can be improved.

본 발명은 이처럼 서로 에칭율이 다른 에천트인 제1액(1)과 제2액(2)을 서로 다른 시간대에 기판(10)에 제공함으로써 기판(10) 표면의 세정과 동시에 실리콘 산화막(13)의 에칭 정도를 효과적으로 제어할 수 있고, 또, 실리콘 산화막(13)이 제거된 실리콘막(12) 표면의 평활도를 향상시킬 수 있다. The present invention provides the first liquid 1 and the second liquid 2, which are etchants having different etching rates, to the substrate 10 at different times, thereby simultaneously cleaning the surface of the substrate 10 and simultaneously removing the silicon oxide film 13. The degree of etching can be effectively controlled, and the smoothness of the surface of the silicon film 12 from which the silicon oxide film 13 is removed can be improved.

또한, 상기 제3액(3)은 제1액(1)을 제공한 다음, 제2액(2)을 제공하기 전에 기판(10)에 제공되는 데, 이 제3액(3)을 기판(10)에 제공함으로써, 기판(10) 표면에 잔존해 있는 제1액(1)을 제3액(3)으로 씻어주는 효과를 갖게 되며, 이에 따라 제2액(2)이 잔존하는 제1액(1)과 섞여 원하는 에칭율을 얻지 못하게 되는 문제를 사전에 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 정확한 에칭율 관리가 가능해지며, 양산 공정에 적용 시에도 품질의 균일도를 높일 수 있게 된다.In addition, the third liquid 3 is provided to the substrate 10 after providing the first liquid 1, and before providing the second liquid 2. 10, the first liquid 1 remaining on the surface of the substrate 10 can be washed with the third liquid 3, whereby the first liquid in which the second liquid 2 remains. In combination with (1), the problem that the desired etching rate cannot be obtained can be prevented in advance. As a result, accurate etching rate management is possible and quality uniformity can be increased even when applied to mass production process.

위에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따르면 제1액(1), 제3액(3) 및 제2액(2)의 순서로 기판(10)에 제공함으로써 실리콘 산화막(13)의 제거와 실리콘막(12) 표면의 평활도 향상에 더욱 높은 품질을 얻을 수 있게 된다. 그러나 이러한 제1액 내지 제3액 제공 순서는 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 조합 가능함은 물론이다. 예컨대, 제1액(1) 및 제3액(3)만 서로 다른 시간대에 제공할 수도 있고, 제2액(2)과 제3액(3)만을 서로 다른 시간대에 제공할 수도 있다. 그리고 제2액(2), 제3액(3) 및 제1액(1)의 순서로 기판(10)에 제공할 수도 있다. 다만, 에천트인 제1액(1) 및 제2액(2)의 제공 전후로는 제3액(3)을 제공토록 해 주는 것이 바람직하다. 이에 따라 에천트인 제1액(1) 및 제2액(2)의 작용 시간을 제3액(3)에 의해 조절할 수 있게 된다.According to the exemplary embodiment of the present invention described above, the silicon oxide film 13 is removed and the silicon film is provided by providing the substrate 10 in the order of the first liquid 1, the third liquid 3, and the second liquid 2. (12) Higher quality can be obtained to improve the smoothness of the surface. However, the order of providing the first liquid to the third liquid is not necessarily limited thereto, and may be variously combined. For example, only the first liquid 1 and the third liquid 3 may be provided in different time zones, and only the second liquid 2 and the third liquid 3 may be provided in different time zones. The substrate 10 may be provided in the order of the second liquid 2, the third liquid 3, and the first liquid 1. However, it is preferable to provide the third liquid 3 before and after providing the first liquid 1 and the second liquid 2, which are etchant. Accordingly, the working time of the first liquid 1 and the second liquid 2, which are etchant, can be adjusted by the third liquid 3.

도 3에 따른 예의 타이밍에 맞춰, 도 1에서 볼 때, 상기 액 공급부(30)의 단일 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공될 수 있는 데, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 각 액 당 적어도 2회 이상의 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공하는 경우를 포함한다. In accordance with the timing of the example according to FIG. 3, as shown in FIG. 1, first to third liquids may be selectively provided in a single scan of the liquid supply unit 30, but the present invention is not limited thereto. And optionally provided by the first to third solutions in at least two or more scans per solution.

도 4는 각 액 당 2회씩 스캔하는 경우의 타이밍도를 나타낸다. 4 shows a timing chart when scanning twice each liquid.

즉, 도 4에서 볼 수 있듯이, 먼저 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공된 후, 제3액(3)이 제3시간대(t3)로 제공되고, 제2액(2)이 2배의 제2시간대(t2)만큼 제공된다. 이어 순차로 제3액(3) 및 제1액(1)이 각각 제3시간대(t3) 및 제1시간대(t1)로 제공된다. 이 때, 상기 제2액(2)은 반드시 2배의 시간 동안 제공될 필요는 없으며, 단일의 제2시간대(t2)만큼 제공될 수도 있다. 이는 이하 설명될 실시예들에도 동일하게 적용될 수 있을 것이다.That is, as shown in FIG. 4, first the first liquid 1 is provided in the first time zone t1, and then the third liquid 3 is provided in the third time zone t3, and the second liquid 2 is provided. The second time period t2 is provided twice. Subsequently, the third liquid 3 and the first liquid 1 are sequentially supplied to the third time zone t3 and the first time zone t1, respectively. In this case, the second liquid 2 does not necessarily have to be provided for twice the time, and may be provided for a single second time period t2. This may equally apply to the embodiments to be described below.

이러한 본 발명의 일 실시예에 따르면 제1액(1), 제3액(3), 제2액(2), 제3액(3) 및 제1액(1)의 순서로 기판(10)에 제공하게 되는 데, 이에 따라, 실리콘 산화막(13)의 제거와 실리콘막(12) 표면의 평활도 향상이 더욱 우수해질 수 있을 뿐 아니라, 기판(10) 표면의 세정 효과도 더욱 높아지게 된다. 그러나 이러한 제1액 내지 제3액 제공 순서는 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변형 가능함은 물론이다. 즉, 제2액(2), 제3액(3), 제1액(1), 제3액(3) 및 제2액(2)의 순서로 기판(10)에 제공될 수도 있다. 그리고 제3액(3), 제1액(1), 제3액(3), 제2액(2), 제3액(3), 제1액(1) 및 제3액(3)의 순서로 기판(10)에 제공될 수도 있고, 제3액(3), 제2액(2), 제3액(3), 제1액(1), 제3액(3), 제2액(2) 및 제3액(3)의 순서로 기판(10)에 제공될 수도 있다. According to one embodiment of the present invention, the substrate 10 in the order of the first liquid (1), the third liquid (3), the second liquid (2), the third liquid (3) and the first liquid (1) As a result, the removal of the silicon oxide film 13 and the improvement of the smoothness of the surface of the silicon film 12 can be further improved, and the cleaning effect of the surface of the substrate 10 is further enhanced. However, the order of providing the first liquid to the third liquid is not necessarily limited thereto, and may be variously modified. That is, the substrate 10 may be provided in the order of the second liquid 2, the third liquid 3, the first liquid 1, the third liquid 3, and the second liquid 2. And the third liquid (3), the first liquid (1), the third liquid (3), the second liquid (2), the third liquid (3), the first liquid (1) and the third liquid (3) It may be provided to the substrate 10 in the order, the third liquid (3), the second liquid (2), the third liquid (3), the first liquid (1), the third liquid (3), the second liquid It may be provided to the substrate 10 in the order of (2) and the third liquid (3).

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 도 1에 따른 실시예에 더하여 제어부(70)에 연결된 공기 공급부(60)를 더 포함한 것이다.Figure 5 shows another preferred embodiment of the present invention, in addition to the embodiment according to Figure 1 further includes an air supply unit 60 connected to the control unit 70.

이 공기 공급부(60)는 상기 기판(10)의 표면에 액절 공기를 제공하기 위한 것으로, 제2노즐부(61)와 제2구동부(62)를 포함한다.The air supply unit 60 is to provide liquid air to the surface of the substrate 10 and includes a second nozzle portion 61 and a second driving portion 62.

상기 제2구동부(62)는 제2가이드(64)와 제2구동블록(63)을 포함한다.The second driving part 62 includes a second guide 64 and a second driving block 63.

상기 제2가이드(64)는 상기 제1가이드(34)를 따라 이들과 평행하게 연장되어 있다.The second guide 64 extends in parallel with them along the first guide 34.

상기 제2구동블록(63)은 제2가이드(64)를 따라 이동 가능한 것으로, 전술한 제1구동블록(33)과 마찬가지로 제2가이드(64)와 함께 리니어 모터 장치를 구성할 수 있다.The second driving block 63 is movable along the second guide 64, and like the first driving block 33 described above, the second driving block 63 may form a linear motor device together with the second guide 64.

상기 제2구동블록(63)은 공기 탱크(65)와 연결되어 있고, 제2노즐부(61)를 통해 액절 공기를 제공한다. 이를 위해 상기 제2구동블록(63) 내에 또는 그 외부에는 공기 펌프가 구비되어 있을 수 있다. 그리고 상기 제2구동블록(63)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)의 작용에 의해 액절 공기의 분사를 단속한다. The second driving block 63 is connected to the air tank 65, and provides liquid air through the second nozzle part 61. To this end, an air pump may be provided inside or outside the second driving block 63. In addition, the second driving block 63 is connected to the control unit 70 to control the injection of liquid air by the action of the control unit 70.

이 제2구동블록(63)과 공기 탱크(65)의 사이에는 제4개폐변(66)이 더 연결되는 데, 이 제4개폐변(66)은 제어부(70)에 연결되어 제어부(70)에 의해 개폐가 제어되는 전자변일 수 있다.A fourth open / close side 66 is further connected between the second driving block 63 and the air tank 65, and the fourth open / close side 66 is connected to the control unit 70 to control the 70. The electronic valve may be controlled by opening and closing.

상기 제2노즐부(61)는 액절 공기를 분사하기에 적합한 분사 노즐로 구비되는 데, 바람직하게는 액절용 에어 커튼을 형태의 노즐이 사용될 수 있다.The second nozzle part 61 is provided with a spray nozzle suitable for injecting liquid air, and preferably, a nozzle in the form of a liquid air curtain may be used.

상기 액절 공기는 그 전 단계에서 기판(10)에 제공되어 기판(10)의 표면에 잔존하는 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나를 공기 압력에 의해 밀어내어 제거하는 것으로, 이에 따라 제1액 내지 제3액은 기판(10)의 표면에서 서로 섞이는 일이 없게 되고, 이에 따라 특히 제1액 및 제2액과 같은 에천트의 농도가 원래 의도한 농도와 달리 변하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 상기 액절 공기에 의해 특히 제1액 및 제2액의 에칭 속도 등을 정확하게 제어할 수 있게 되고, 제3액에 의한 완충 작용도 용이하게 컨트롤 가능해진다.The liquid liquefied air is provided to the substrate 10 in the previous step to remove at least one of the first liquid to the third liquid remaining on the surface of the substrate 10 by air pressure, thereby removing the first liquid. The third to third liquids do not mix with each other on the surface of the substrate 10, and thus, it is possible to prevent the concentration of etchant, such as the first liquid and the second liquid, from changing from the originally intended concentration. Therefore, the liquid liquefied air can precisely control the etching rate of the first liquid and the second liquid, and the like, and the buffering effect by the third liquid can also be easily controlled.

도 5에서 상기 공기 공급부(60)는 하나만 구비한 것으로 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 기구 설계 조건 등에 따라 다양한 숫자로 구비되도록 하여 제1액 내지 제3액 중 적어도 둘이 서로 섞이는 일이 없도록 할 수 있다. 또 상기 공기 공급부(60)의 동작은 상기 액 공급부(30)의 동작과 간섭되지 않도록 함으로써, 공기 공급부(60)의 동작 순서의 자율성을 보증할 수 있게 된다.In FIG. 5, only one air supply unit 60 is illustrated, but the present invention is not limited thereto, and the air supply unit 60 may be provided in various numbers according to the design conditions of the apparatus so that at least two of the first to third liquids do not mix with each other. can do. In addition, since the operation of the air supply unit 60 does not interfere with the operation of the liquid supply unit 30, autonomy of the operation sequence of the air supply unit 60 can be guaranteed.

도 6에서 볼 수 있듯이, 상기 액절 공기(4)는 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3)와 다른 제4시간대(t4)로 기판(10)의 표면에 제공되는 데, 이 제4시간대(t4)는 상기 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3) 중 적어도 두 개 시간대의 사이에 위치한다. 도 6에서 제4시간대(t4)는 제1시간대(t1)와 제3시간대(t3)의 사이 및 제3시간대(t3)와 제2시간대(t2)의 사이에 각각 위치하도록 했는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이 중 어느 하나의 시간대에만 위치하여도 무방하다. 또, 도 3에 따른 설명에서와 마찬가지로, 제4시간대(t4)의 시작 타이밍도 제1시간대(t1)가 끝나는 타임과 제3시간대(t3)가 끝나는 타임에 반드시 맞출 필요는 없으며, 제1시간대(t1) 및 제3시간대(t3)와 일정한 시간 간격을 두고 시작하도록 할 수 있다.As can be seen in FIG. 6, the liquid air 4 is provided on the surface of the substrate 10 in a fourth time zone t4 different from the first time zone t1 to the third time zone t3. The time zone t4 is located between at least two time zones of the first time zone t1 to the third time zone t3. In FIG. 6, the fourth time zone t4 is positioned between the first time zone t1 and the third time zone t3, and between the third time zone t3 and the second time zone t2, respectively. It is not limited and may be located only in any one of these time zones. In addition, similarly to the description of FIG. 3, the start timing of the fourth time zone t4 does not necessarily correspond to the time at which the first time zone t1 ends and the time at which the third time zone t3 ends. Starting at a predetermined time interval with the (t1) and the third time zone (t3).

도 6에 따른 실시예에서는 도 3에 따른 실시예에 더하여 액절 공기(4)를 제공하는 제4시간대(t4)를 배치시킨 것인 데, 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 도 4에 따른 실시예에 더하여 액절 공기(4)를 제공하는 제4시간대를 더 배치시킬 수도 있음은 물론이다. 이 경우에도 물론, 상기 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3) 중 적어도 두 개 시간대의 사이에 제4시간대(t4)를 배치시킬 수 있다.In the embodiment according to FIG. 6, in addition to the embodiment according to FIG. 3, a fourth time zone t4 for providing liquid air 4 is arranged. Although not shown in the drawings, the embodiment according to FIG. In addition, it is of course possible to further arrange a fourth time period for providing the liquid air 4. In this case, of course, the fourth time zone t4 may be disposed between at least two time zones of the first time zone t1 to the third time zone t3.

이상 설명한 실시예에서는 제4시간대(t4)를 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3)와 선택적으로 배치시킴으로써, 액절 공기(4)가 제공될 때에 제4개폐변(66)만이 열리고 제1개폐변(36) 내지 제3개폐변(56)은 닫혀 있는 상태가 된다.In the above-described embodiment, by selectively arranging the fourth time zone t4 with the first time zone t1 through the third time zone t3, only the fourth opening and closing valve 66 is opened when the liquid air 4 is provided. The first opening 36 and the third opening 56 are in a closed state.

그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 상기 제4시간대(t4)를 반드시 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3)와 선택적으로 배치시키지 않고 제1시간대(t1) 내지 제3시간대(t3) 중 적어도 하나와 연속적으로 배치시킬 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the fourth time zone t4 is not necessarily disposed with the first time zone t1 to the third time zone t3, and the first time zone t1 to the third time zone t3 is not necessarily disposed. It may also be arranged consecutively with at least one of).

도 7은 이에 따른 실시예를 나타낸 것이다.Figure 7 shows an embodiment according to this.

먼저 제1개폐변(36)을 열고 제2개폐변(46) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 1의 좌에서 우로 이동시키면서 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공되도록 한다.First, while opening the first opening 36 and closing the second opening 46 and the third opening 56, the first liquid (1) while moving the liquid supply unit 30 from the left in FIG. It is provided in the first time zone t1.

제1액(1)의 공급이 시작된 후 일정 시간 간격 후에 제4개폐변(66)을 열고 공기 공급부(60)를 좌에서 우로 이동시키면서 액절 공기(4)를 분사한다.After the supply of the first liquid 1 starts, the fourth opening and closing valve 66 is opened after a predetermined time interval, and the liquid-liquid air 4 is injected while the air supply unit 60 is moved from left to right.

이 액절 공기(4)의 분사가 종료된 후, 제3개폐변(56)을 열고 제1개폐변(36) 및 제2개폐변(46)을 닫은 상태에서 도 1의 우측으로 이동한 액 공급부(30)를 우에서 좌로 이동시키면서 제3액(3)이 제3시간대(t3)로 제공되도록 한다.After the injection of this liquid air 4 is finished, the liquid supply part which moved to the right side of FIG. 1 in the state which opened the 3rd opening 56 and closed the 1st opening 36 and the 2nd opening 46 is closed. The third liquid 3 is provided in the third time zone t3 while the 30 is moved from right to left.

제3액(3)의 공급이 시작된 후 일정 시간 간격 후에 제4개폐변(66)을 열고 공기 공급부(60)를 우에서 좌로 이동시키면서 액절 공기(4)를 분사한다.After supply of the third liquid 3 starts, the fourth opening and closing valve 66 is opened after a predetermined time interval, and the liquid-liquid air 4 is injected while moving the air supply unit 60 from right to left.

이 액절 공기(4)의 분사가 종료된 후, 제2개폐변(46)을 열고 제1개폐변(36) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 도 1의 좌측으로 이동한 액 공급부(30)를 다시 좌에서 우로 이동시키면서 제2액(2)이 제2시간대(t2)로 제공되도록 한다.After the injection of this liquid air 4 is finished, the liquid supply part which moved to the left side of FIG. 1 in the state which opened the 2nd opening / closing side 46 and closed the 1st opening / closing side 36 and the 3rd opening / closing side 56 is shown. The second liquid 2 is provided in the second time zone t2 while the 30 is moved again from left to right.

도 7에 따른 타이밍으로 진행할 때 각 제4시간대(t4)의 시작 타이밍은 제1시간대(t1) 및 제3시간대(t3)의 후단부에 배치시켜, 제1액(1) 및 제3액(3)의 작용 시간을 충분히 확보하도록 할 수 있다.When proceeding to the timing according to FIG. 7, the start timing of each fourth time zone t4 is arranged at the rear end of the first time zone t1 and the third time zone t3, and the first liquid 1 and the third liquid ( The working time of 3) can be secured sufficiently.

도 6 및 도 7에 따른 예는 상기 액 공급부(30)의 단일 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공되는 것으로, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 전술한 도 4에 따른 예와 같이 각 액 당 적어도 2회 이상의 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공하는 경우를 포함할 수 있다.6 and 7, the first liquid to the third liquid are selectively provided by a single scan of the liquid supply unit 30, and the present invention is not limited thereto. As such, it may include a case in which the first to third liquids are selectively provided in at least two or more scans per liquid.

도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 공기 공급부(60')(60")의 제2구동부를 상기 액 공급부(30)의 제1구동부와 일체로 형성한 것이다.8 illustrates another preferred embodiment of the present invention, in which a second driving unit of the air supply units 60 'and 60 "is integrally formed with the first driving unit of the liquid supply unit 30. As shown in FIG.

구체적으로, 상기 공기 공급부(60')(60")의 제2구동블록(63')(63")이 액 공급부(30)의 제1구동블록(33)과 일체로 형성되고, 공기 공급부(60')(60")의 가이드는 제1가이드(34)를 사용한다. 그리고 제1구동블록(33)과 일체로 구비된 각 제2구동블록(63')(63")에 제2노즐(61')(61")이 설치된다. 제2구동블록(63')(63")에는 제1가이드(34)를 따라 이동하는 이동 수단은 별도로 구비될 필요가 없으며, 제어부(70)에 의해 제2노즐(61')(61")을 제어하는 구성만이 구비되면 충분하다.Specifically, the second driving blocks 63 'and 63 "of the air supply units 60' and 60" are integrally formed with the first driving block 33 of the liquid supply unit 30, and the air supply unit ( The guide of 60 'and 60 "uses the 1st guide 34. And the 2nd nozzle in each 2nd drive block 63' and 63" integrated with the 1st drive block 33 is provided. 61 'and 61 "are provided. The second drive blocks 63' and 63" do not need to be provided with a moving means for moving along the first guide 34. It is sufficient if only the configuration for controlling the second nozzles 61 'and 61 "is provided.

도 8에 따른 실시예에서는 제2구동블록(63')(63") 및 제2노즐부(61')(61")이 제1구동블록(33) 및 제1노즐부(31)의 전단과 후단에 각각 하나씩 설치된 것으로 도시하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 제1구동블록(33) 및 제1노즐(31)의 전단 또는 후단에 하나만 설치될 수도 있다.In the embodiment according to FIG. 8, the second drive blocks 63 ′, 63 ″ and the second nozzle parts 61 ′, 61 ″ are front ends of the first drive block 33 and the first nozzle part 31. Although illustrated as being installed one each in the rear and the rear end, the present invention is not necessarily limited to this, only one may be provided at the front or rear of the first driving block 33 and the first nozzle (31).

도 9 및 도 10은 각각 도 8에 따른 실시예의 타이밍도의 서로 다른 일 예들을 나타낸 것이다.9 and 10 show different examples of timing diagrams of the embodiment according to FIG. 8, respectively.

먼저, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1개폐변(36)을 열고 제2개폐변(46) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 8의 좌에서 우로 이동시키면서 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공되도록 한다.First, referring to FIGS. 8 and 9, the liquid supply unit 30 is opened from the left side of FIG. 8 in a state in which the first opening / closing side 36 is opened and the second opening / closing side 46 and the third opening / closing side 56 are closed. While moving to the right, the first liquid 1 is provided in the first time zone t1.

제1액(1)의 공급이 끝난 후, 액 공급부(30)를 도 8의 우에서 좌로 이동시키면서 제4개폐변(66')을 열고 제2노즐부(61')를 통해 액절 공기(4')를 제4시간대(t4')로 분사시킨다. 그리고 일정 시간 간격 후에 제3개폐변(56)을 열고 제1개폐변(36) 및 제2개폐변(46)을 닫은 상태에서 제1노즐부(31)를 통해 제3액(3)을 제3시간대(t3)로 제공한다.After the supply of the first liquid 1 is finished, while opening the fourth opening / closing side 66 'while moving the liquid supply part 30 from the right side of FIG. 8 to the left side, the liquid-laden air 4 passes through the second nozzle part 61'. ') Is injected into the fourth time zone t4'. After the predetermined time interval, the third liquid 3 is opened through the first nozzle part 31 while the third opening 56 is opened and the first opening 36 and the second opening 46 are closed. Provided in 3 hours (t3).

제3액(3)의 공급이 끝난 후, 액 공급부(30)를 도 8의 좌에서 우로 다시 이동시키면서 제4개폐변(66")을 열고 제2노즐부(61")를 통해 액절 공기(4")를 제4시간대(t4")로 분사시킨다. 그리고 일정 시간 간격 후에 제2개폐변(46)을 열고 제1개폐변(36) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 제1노즐부(31)를 통해 제2액(2)을 제2시간대(t2)로 제공한다.After the supply of the third liquid 3 is finished, while opening the fourth opening / closing side 66 ″ while moving the liquid supply part 30 from the left side to the right side in FIG. 8, liquid air ( 4 ") is injected into the fourth time zone t4". After the predetermined time interval, the second liquid 2 is removed through the first nozzle part 31 while the second opening 46 is opened and the first opening 36 and the third opening 56 are closed. Provided in two hours (t2).

이 경우, 제2액(2) 및 제3액(3)의 제공 직전에 액절 공기(4')(4")가 분사되므로, 기판(10)의 표면이 더욱 청결한 상태에서 제2액(2) 및 제3액(3)이 제공될 수 있다.In this case, since liquid liquefied air 4 ', 4 "is injected just before the provision of the second liquid 2 and the third liquid 3, the second liquid 2 is formed in a state where the surface of the substrate 10 is more clean. ) And the third liquid 3 may be provided.

다음으로, 도 8 및 도 10을 참조하면, 제1개폐변(36)을 열고 제2개폐변(46) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 8의 좌에서 우로 이동시키면서 제1액(1)이 제1시간대(t1)로 제공되도록 한다.Next, referring to FIGS. 8 and 10, the liquid supply unit 30 is moved to the left side of FIG. 8 while the first opening / closing 36 is opened and the second opening / closing 46 and the third opening / closing 56 are closed. While moving from right to right, the first liquid (1) is provided in the first time zone (t1).

제1액(1)의 공급이 시작된 후 일정 시간 간격 후에 제4개폐변(66')을 열고 제2노즐부(61')를 통해 액절 공기(4')를 제4시간대(t4')로 분사시킨다. After the supply of the first liquid 1 starts, the fourth opening and closing valve 66 'is opened after a predetermined time interval, and the liquid-liquid air 4' is transferred to the fourth time zone t4 'through the second nozzle portion 61'. Spray.

액절 공기(4')의 분사가 끝난 후에 제3개폐변(56)을 열고 제1개폐변(36) 및 제2개폐변(46)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 8의 우에서 좌로 이동시키면서 제1노즐부(31)를 통해 제3액(3)을 제3시간대(t3)로 제공한다.After the injection of the liquid air 4 'is finished, the liquid supply part 30 is opened in the right side of FIG. 8 with the third open / close valve 56 opened and the first open / close valve 36 and the second open / close valve 46 closed. The third liquid 3 is provided to the third time zone t3 through the first nozzle part 31 while moving to the left.

제3액(3)의 공급이 시작된 후 일정 시간 간격 후에 제4개폐변(66")을 열고 제2노즐부(61")를 통해 액절 공기(4")를 제4시간대(t4")로 분사시킨다. After the start of supply of the third liquid 3, the fourth opening / closing opening 66 ″ is opened after a predetermined time interval, and the liquid-liquid air 4 ″ is transferred to the fourth time zone t4 ″ through the second nozzle portion 61 ″. Spray.

액절 공기(4')의 분사가 끝난 후에 제2개폐변(46)을 열고 제1개폐변(36) 및 제3개폐변(56)을 닫은 상태에서 액 공급부(30)를 도 8의 좌에서 우로 다시 이동시키면서 제1노즐부(31)를 통해 제2액(2)을 제2시간대(t2)로 제공한다.After the injection of the liquid air 4 'is finished, the liquid supply part 30 is opened from the left in FIG. 8 in a state in which the second open / close valve 46 is opened and the first open / close valve 36 and the third open / close valve 56 are closed. The second liquid 2 is supplied to the second time zone t2 through the first nozzle part 31 while moving back to the right side.

이 경우, 제1액(1) 및 제2액(2)의 제공 직후에 액절 공기(4')(4")가 분사된다. 따라서 제1액(1) 및 제2액(2)이 각각 충분히 작용할 수 있도록 액절 공기(4')(4")의 분사 시기를 적절히 조절할 필요가 있다.In this case, liquefied air 4 'and 4 "are injected immediately after the provision of the first liquid 1 and the second liquid 2. Thus, the first liquid 1 and the second liquid 2 are respectively It is necessary to appropriately adjust the injection timing of the liquefied air 4 'and 4 "so as to function sufficiently.

도 9 및 도 10에 따른 예는 상기 액 공급부(30)의 단일 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공되는 것으로, 본 발명은 반드시 이에 한정되지 않으며, 전술한 도 4에 따른 예와 같이 각 액 당 적어도 2회 이상의 스캔으로 제1액 내지 제3액이 선택적으로 제공하는 경우를 포함할 수 있다.9 and 10, the first liquid to the third liquid is selectively provided by a single scan of the liquid supply unit 30, the present invention is not necessarily limited to this, and the example according to FIG. As such, it may include a case in which the first to third liquids are selectively provided in at least two or more scans per liquid.

이처럼 본 발명은 도 8에 따른 구성에 의해 액절 공기를 공급하는 장치를 별도로 가져가지 않고, 액 공급부(30)에 결합 형성함으로써 장치의 부피를 줄일 수 있고, 기계 구성을 간단하게 할 수 있다.As described above, the present invention can reduce the volume of the device and simplify the mechanical configuration by forming the liquid supply unit 30 in combination with the liquid supplying air supply unit by the configuration according to FIG. 8.

상기와 같은 실리콘 기판의 처리 장치는 단일 챔버 내에 설치됨으로써, 전체 장비를 콤팩트하게 구성할 수 있다.The processing apparatus for the silicon substrate as described above may be installed in a single chamber, thereby compactly configuring the entire equipment.

도 11은 상기와 같은 실리콘 기판의 처리 장치를 포함하는 전체 시스템(100)의 일 예를 도시한 것이다.FIG. 11 shows an example of an entire system 100 including such a processing apparatus for a silicon substrate.

시스템(100)은 제1챔버(110) 내지 제6챔버(160)를 포함하는 데, 제3챔버(130)가 실리콘막 표면의 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 장치가 내장된 메인 챔버가 된다. 이 제3챔버(130)를 중심으로 상부 층에 제1챔버(110) 및 제2챔버(120)가 연결되어 있고, 하부 층에 제4챔버(140) 내지 제6챔버(160)가 연결되어 있는 2층 구조를 취할 수 있다. 이러한 2층 구조는 전체 시스템(100)의 부피를 줄일 수 있기 때문에, 좁은 공간에서도 설치가 가능해진다.The system 100 includes a first chamber 110 to a sixth chamber 160, wherein the third chamber 130 becomes a main chamber in which an apparatus for etching a silicon oxide film on the surface of the silicon film is embedded. The first chamber 110 and the second chamber 120 are connected to the upper layer around the third chamber 130, and the fourth chamber 140 to the sixth chamber 160 are connected to the lower layer. Can take a two-layer structure. Since the two-layer structure can reduce the volume of the entire system 100, installation in a narrow space is possible.

제1챔버(110) 및 제2챔버(120)는 독립된 구조가 아닌 일체의 챔버로 구비될 수 있고, 제4챔버(140) 내지 제6챔버(160)도 일체의 챔버로 구비될 수 있다. 이에 따라, 제1챔버(110) 및 제2챔버(120)가 넓은 의미의 로딩부를, 제3챔버(130)가 에칭부를, 제4챔버(140) 내지 제6챔버(160)가 넓은 의미의 언로딩부를 각각 이루게 되는 것이다.The first chamber 110 and the second chamber 120 may be provided as an integral chamber rather than an independent structure, and the fourth chamber 140 to the sixth chamber 160 may also be provided as an integral chamber. Accordingly, the first chamber 110 and the second chamber 120 have a loading portion having a broad meaning, the third chamber 130 has an etching portion, and the fourth chamber 140 to the sixth chamber 160 have a wide meaning. Each of the unloading parts will be achieved.

제1챔버(110)에는 입구(111)가 설치되어 기판(10)이 투입되고, 제6챔버(160)에는 출구(161)가 설치되어 처리가 끝난 기판(10)이 토출된다. 제1챔버(110), 제2챔버(120) 및 제4챔버(140) 내지 제6챔버(160) 내에는 복수의 지지롤러(101)들이 설치되어 있어 기판(10)을 이송시키도록 할 수 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만 제3챔버(130)에도 지지롤러들이 배치될 수 있다.The inlet 111 is installed in the first chamber 110 to insert the substrate 10, and the outlet 161 is installed in the sixth chamber 160 to discharge the processed substrate 10. A plurality of support rollers 101 are installed in the first chamber 110, the second chamber 120, and the fourth chamber 140 to the sixth chamber 160 to transfer the substrate 10. have. Although not illustrated in the drawings, support rollers may be disposed in the third chamber 130.

제1챔버(110)는 로딩 챔버가 되며, 기판(10)이 로딩된다. The first chamber 110 becomes a loading chamber, and the substrate 10 is loaded.

제2챔버(120)는 예비 가습 챔버가 되며, 가습 노즐부(121)가 구비되어 기판(10) 표면을 예비 가습시킨다.The second chamber 120 becomes a preliminary humidification chamber, and a humidification nozzle unit 121 is provided to preliminarily humidify the surface of the substrate 10.

제3챔버(130)에는 전술한 본 발명에 따른 실리콘 기판의 처리 장치가 탑재되는 데, 제3챔버(130)의 하부에 제1위치 조정부(131) 내지 제4위치 조정부(134)가 배치되어 기판(10)의 위치를 조정한다. In the third chamber 130, the processing apparatus for the silicon substrate according to the present invention described above is mounted, and the first position adjusting unit 131 to the fourth position adjusting unit 134 are disposed below the third chamber 130. The position of the substrate 10 is adjusted.

제1위치 조정부(131)는 하부로 내려온 지지대(20)를 지지하도록 구비된 것으로 제2위치 조정부(132)에 의해 상하 탄성 운동이 가능하도록 되어 지지대(20)의 수평이 유지되도록 할 수 있다.The first position adjusting unit 131 is provided to support the support 20 lowered to the bottom, and the second position adjusting unit 132 enables the vertical elastic movement so that the support 20 can be horizontally maintained.

제3위치 조정부(133)에는 복수의 핀 형상의 제4위치 조정부(134)가 구비되어 있는 데, 제1위치 조정부(131)에 지지된 지지대(20)를 상방으로 밀어 올려 제4위치 조정부(134)가 기판(10)을 직접 지지하도록 할 수 있다. 제4위치 조정부(134)가 삽입될 수 있도록 지지대(20)에는 복수의 홀이 형성되어 있는 것이 바람직하다.The third position adjusting unit 133 is provided with a plurality of pin-shaped fourth position adjusting units 134. The third position adjusting unit 133 pushes the support 20 supported by the first position adjusting unit 131 upward. 134 may directly support the substrate 10. Preferably, a plurality of holes are formed in the support 20 so that the fourth position adjusting part 134 can be inserted therein.

제2챔버(120)를 거쳐 예비 가습된 기판(10)이 제3챔버(130)로 이송되면 지지대(20)가 기판(10)을 받게 된다. 도시하지는 않았지만 이 지지대(20)에도 복수의 지지롤러가 형성되어 있어 공급된 기판(10)이 안정적으로 놓일 수 있도록 할 수 있다.When the substrate 10 preliminarily humidified through the second chamber 120 is transferred to the third chamber 130, the support 20 receives the substrate 10. Although not shown, a plurality of support rollers are formed in the support 20 so that the supplied substrate 10 can be stably placed.

이 상태에서 지지대(20)가 하강하면서 제1위치 조정부(131)에 안착된다. 그러면 제2위치 조정부(132)에 의해 탄성력을 받은 제1위치 조정부(131)가 지지대(20)의 수평도를 잡는다. In this state, the support 20 is lowered and seated on the first position adjusting unit 131. Then, the first position adjusting unit 131 subjected to the elastic force by the second position adjusting unit 132 catches the horizontality of the support 20.

그 후, 제3위치 조정부(133)가 상승하면서 제4위치 조정부(134)가 지지대(20)를 지나 기판(20)을 지지해 상승시킨다.Thereafter, while the third position adjusting unit 133 is raised, the fourth position adjusting unit 134 passes through the support 20 and supports the substrate 20 to raise it.

다음으로 액 공급부(30)가 작동하여 전술한 처리를 하게 된다. 도면에는 공기 공급부(60)를 도시하지는 않았지만, 도 5 및 도 8에 따른 실시예의 구조로도 적용 가능함은 물론이다.Next, the liquid supply unit 30 is operated to perform the above-described processing. Although the air supply unit 60 is not illustrated in the drawings, the air supply unit 60 may also be applied to the structure of the embodiment of FIGS. 5 and 8.

이렇게 제1액 내지 제3액에 의한 기판(10) 표면 처리가 끝난 후, 기판(10)은 제4챔버(140)로 이송된다.After the surface treatment of the substrate 10 by the first to third liquids is completed, the substrate 10 is transferred to the fourth chamber 140.

제4챔버(140)는 린스존으로, 그 입구에 액절용 에어커튼 공급부(141)가 구비되어 있고, 그 뒤로 복수의 린스 노즐부(142)가 구비되어 기판(10) 표면을 린스한다. 에어커튼 공급부(141)는 기판(10)의 표면에 잔류하고 있는 제1액 내지 제3액 중 적어도 하나를 공기 압력에 의해 제거하는 것이다.The fourth chamber 140 is a rinse zone, and the liquid curtain air supply unit 141 is provided at an inlet thereof, and a plurality of rinse nozzle units 142 are provided thereafter to rinse the surface of the substrate 10. The air curtain supply unit 141 removes at least one of the first liquid to the third liquid remaining on the surface of the substrate 10 by air pressure.

다음으로, 기판(10)은 제5챔버(150)로 이송되는 데, 제5챔버(150)는 드라이존에 해당한다. 제5챔버(150)에는 에어나이프 공급부(151)가 구비되어 기판(10)의 표면 및 배면을 건조시킨다.Next, the substrate 10 is transferred to the fifth chamber 150, and the fifth chamber 150 corresponds to a dry zone. The fifth chamber 150 is provided with an air knife supply part 151 to dry the surface and the back surface of the substrate 10.

제6챔버(160)는 언로딩부로서, 출구(161)를 통해 토출된 기판(10)은 기다리고 있는 반송 로봇(미도시)을 통해 외부로 반출된다.The sixth chamber 160 is an unloading part, and the substrate 10 discharged through the outlet 161 is carried out to the outside through a waiting robot (not shown).

이러한 시스템은 시스템(100) 내에서 반송로봇의 운전이 포함되지 않은 독립된 장비로 운용 가능하다.Such a system can be operated as an independent device that does not include the operation of the carrier robot in the system 100.

상기와 같은 시스템(100)은 본 발명의 실리콘 기판의 처리장치가 탑재 가능한 일 예로서, 본 발명의 실리콘 기판의 처리장치는 다양한 시스템으로 적용 가능하다.The system 100 as described above is an example in which the processing apparatus for the silicon substrate of the present invention can be mounted, and the processing apparatus for the silicon substrate of the present invention is applicable to various systems.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

10: 기판 11: 베이스 기판
12: 실리콘막 13: 실리콘 산화막
20: 지지대 21: 경사 조절부
30: 액 공급부 60: 공기 공급부
31: 제1노즐부 61,61',61": 제2노즐부
32: 제1구동부 62: 제2구동부
33: 제1구동블록 63,63',63": 제2구동블록
34: 제1가이드 64: 제2가이드
35,45,55: 제1 내지 제3저장조 65: 공기 탱크
70: 제어부 100: 실리콘 기판의 처리 시스템
101: 지지롤러 111: 입구
110,120,130,140,150,160: 제1 내지 제6챔버
121: 가습 노즐부 131: 제1위치 조정부
132: 제2위치 조정부 133: 제3위치 조정부
134: 제4위치 조정부 141: 에어 커튼 공급부
142: 린스 노즐부 151: 에어 나이프 공급부
161: 출구10: substrate 11: base substrate
12: silicon film 13: silicon oxide film
20: support 21: tilt adjustment
30: liquid supply part 60: air supply part
31: 1st nozzle part 61,61 ', 61 ": 2nd nozzle part
32: first driving unit 62: second driving unit
33: first driving block 63,63 ', 63 ": second driving block
34: 1st guide 64: 2nd guide
35, 45, 55: first to third reservoir 65: air tank
70: control unit 100: processing system of silicon substrate
101: support roller 111: entrance
110,120,130,140,150,160: first to sixth chambers
121: humidification nozzle unit 131: first position adjustment unit
132: second position adjusting unit 133: third position adjusting unit
134: fourth position adjusting unit 141: air curtain supply unit
142: rinse nozzle unit 151: air knife supply unit
161: exit

Claims

A support for supporting a substrate including a silicon film;
A first nozzle part provided to selectively provide a liquid and water capable of etching a silicon oxide film to a surface of the substrate;
A first guide block connected to the first nozzle part and driving the first nozzle part, a first guide block disposed along one surface of the substrate, and a first driving block driven along the first guide part and connected to the first nozzle part; A first driving unit;
A connecting part connecting the first driving block and the first nozzle part and supplying the liquid from the first driving block to the first nozzle part;
A liquid storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the liquid to the first nozzle unit;
A water storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the water to the first nozzle unit; And
And a control unit connected to the first driving unit to provide the liquid and the water capable of etching the silicon oxide film to the surface of the substrate at different time periods.

Claim 2 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method of claim 1,
The liquid reservoir has a first reservoir for providing a first liquid capable of etching a silicon oxide film on a surface of the substrate, and a component different from the first liquid, capable of etching the silicon oxide film on a surface of the substrate. And a second reservoir for providing a second liquid having a larger etching rate for the silicon oxide film than the first liquid.

Claim 3 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method of claim 2,
And the control unit is configured to provide the first liquid and the second liquid to the surface of the substrate at different time periods.

delete

Claim 6 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method of claim 2,
A first opening / closing valve connected between the first driving unit and the first reservoir; And
And a second opening / closing valve connected between the first driving unit and the second storage tank.
And the first opening and closing sides are connected to the control unit and selectively opened and closed.

Claim 7 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method of claim 2,
And said first liquid comprises an ozone solution.

Claim 8 was abandoned when the registration fee was paid.

The method of claim 2,
And said second liquid comprises a hydrofluoric acid or ammonium fluoride solution.

Claim 9 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method according to claim 6,
A third opening and closing valve connected between the first driving unit and the water storage tank,
And the third opening and closing edge is connected to the control unit and selectively opens and closes with respect to the first and second opening and closing sides.

Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method according to any one of claims 1 to 3 and 6 to 9,
And the support is disposed parallel to the ground.

Claim 11 was abandoned upon payment of a setup registration fee.

The method according to any one of claims 1 to 3 and 6 to 9,
A second nozzle unit for providing liquid air to a surface of the substrate;
A second driving part connected to the second nozzle part and driving the second nozzle part; And
And an air tank connected to the second nozzle part and supplying the liquid air to the second nozzle part.

Claim 12 is abandoned in setting registration fee.

The method of claim 11,
And the control unit is connected to the second driving unit to provide the liquid air to the surface of the substrate at a time different from that of the liquid and water capable of etching the silicon oxide film.

Claim 13 was abandoned upon payment of a registration fee.

A support for supporting a substrate including a silicon film;
A first nozzle part provided to selectively provide a liquid and water capable of etching a silicon oxide film to a surface of the substrate;
A first driving part connected to the first nozzle part and driving the first nozzle part;
A liquid storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the liquid to the first nozzle unit;
A water storage tank connected to the first nozzle unit and supplying the water to the first nozzle unit;
A second nozzle unit for providing liquid air to a surface of the substrate;
A second guide block connected to the second nozzle part and driving the second nozzle part, the second guide disposed along one surface of the substrate and the second driving block driven along the second guide and connected to the second nozzle part; A second driving unit;
An air tank connected to the second nozzle part and supplying the liquid air to the second nozzle part; And
And a control unit connected to the first driving unit to provide the liquid and the water capable of etching the silicon oxide film to the surface of the substrate at different time periods.

Claim 14 has been abandoned due to the setting registration fee.

The method of claim 11,
And the second driving part is integrally provided with the first driving part.