KR102239071B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
로스 타임을 줄이고, 공정 불량 및 설비 에러를 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 처리액을 공급하는 노즐 구조체; 및 상기 노즐 구조체를 보관 및 세정하기 위한 관리 모듈을 포함하되, 상기 관리 모듈은, 제1 바디와, 상기 제1 바디에 설치되고, 내부에 보관액을 수용할 수 있는 수용 공간과, 상기 제1 바디에 설치되고, 세정가스를 분사할 수 있는 가스 노즐을 포함하고, 상기 노즐 구조체를 제1 위치로 이동시켜 보관하되, 상기 제1 위치에서 상기 노즐 구조체의 팁(tip)은 상기 수용 공간 내의 상기 보관액에 잠기고, 상기 노즐 구조체를 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키되, 상기 노즐 구조체를 이동시키는 동안 상기 가스 노즐은 상기 세정가스를 분사하여 상기 노즐 구조체의 팁을 세정한다.A substrate processing apparatus and method capable of reducing loss time and reducing process defects and equipment errors are provided. The substrate processing apparatus includes a nozzle structure for supplying a processing liquid; And a management module for storing and cleaning the nozzle structure, wherein the management module comprises: a first body, an accommodation space installed in the first body and capable of accommodating a storage liquid therein, and the first It is installed on the body and includes a gas nozzle capable of injecting a cleaning gas, and the nozzle structure is moved to a first position and stored, wherein a tip of the nozzle structure in the first position is in the receiving space. The nozzle structure is immersed in the storage liquid, and the nozzle structure is moved from the first position to the second position. While the nozzle structure is moved, the gas nozzle sprays the cleaning gas to clean the tip of the nozzle structure.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 도포, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. When manufacturing a semiconductor device or a display device, various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, coating, thin film deposition, and cleaning are performed.
여기서, 도포 공정은 포토레지스트와 같은 감광액을 기판 상에 도포하는 공정이다. 도포 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 노즐을 통해서 처리액을 기판 상에 공급하되, 기판 상에 처리액을 공급하기 전 및/또는 후에 노즐을 세정한다.Here, the coating process is a process of applying a photoresist, such as a photoresist, onto a substrate. A substrate processing apparatus performing a coating process supplies a processing liquid onto a substrate through a nozzle, and cleans the nozzle before and/or after supplying the processing liquid onto the substrate.
한편, 노즐을 사용하지 않은 동안, 노즐은 보관액이 담겨있는 보관 유닛에 잠겨 있다. 노즐을 사용하려면, 노즐은 보관 유닛에서 빠져나와 노즐 세정 유닛으로 이동한다. 노즐 세정 유닛은, 노즐의 팁에 약액과 질소가스를 번갈아 토출하면서 노즐을 세정한다. 그런데, 노즐 세정 유닛은 노즐의 일측에서 타측까지 이동하면서 노즐을 세정하는데, 이 기간동안 노즐은 대기해야 한다. 이로 인해 로스 타임(loss time)이 발생한다. 또한, 노즐 세정 유닛은 노즐의 팁에 약액과 질소가스를 토출하기 때문에, 약액이 주변으로 튀어 주변이 오염될 가능성이 높다. 이로 인한 공정 불량 및 설비 에러가 발생할 수 있다.On the other hand, while the nozzle is not in use, the nozzle is immersed in the storage unit containing the storage liquid. To use the nozzle, the nozzle exits the storage unit and moves to the nozzle cleaning unit. The nozzle cleaning unit cleans the nozzle while alternately discharging the chemical liquid and nitrogen gas to the tip of the nozzle. By the way, the nozzle cleaning unit cleans the nozzle while moving from one side of the nozzle to the other, and the nozzle must wait during this period. This causes a loss time. In addition, since the nozzle cleaning unit discharges the chemical liquid and nitrogen gas to the tip of the nozzle, there is a high possibility that the chemical liquid splashes around and contaminates the surrounding area. This can lead to process defects and equipment errors.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 로스 타임을 줄이고, 공정 불량 및 설비 에러를 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of reducing a loss time and reducing process defects and equipment errors.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 처리액을 공급하는 노즐 구조체; 및 상기 노즐 구조체를 보관 및 세정하기 위한 관리 모듈을 포함하되, 상기 관리 모듈은, 제1 바디와, 상기 제1 바디에 설치되고, 내부에 보관액을 수용할 수 있는 수용 공간과, 상기 제1 바디에 설치되고, 세정가스를 분사할 수 있는 가스 노즐을 포함하고, 상기 노즐 구조체를 제1 위치로 이동시켜 보관하되, 상기 제1 위치에서 상기 노즐 구조체의 팁(tip)은 상기 수용 공간 내의 상기 보관액에 잠기고, 상기 노즐 구조체를 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키되, 상기 노즐 구조체를 이동시키는 동안 상기 가스 노즐은 상기 세정가스를 분사하여 상기 노즐 구조체의 팁을 세정한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object includes: a nozzle structure for supplying a processing liquid; And a management module for storing and cleaning the nozzle structure, wherein the management module comprises: a first body, an accommodation space installed in the first body and capable of accommodating a storage liquid therein, and the first It is installed on the body and includes a gas nozzle capable of injecting a cleaning gas, and the nozzle structure is moved to a first position and stored, wherein a tip of the nozzle structure in the first position is in the receiving space. The nozzle structure is immersed in the storage liquid, and the nozzle structure is moved from the first position to the second position. While the nozzle structure is moved, the gas nozzle sprays the cleaning gas to clean the tip of the nozzle structure.
또한, 상기 노즐 구조체를 상기 제2 위치에서 제3 위치로 이동시키는 것을 더 포함하고, 상기 노즐 구조체는 제1 속도로 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동되고, 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 상기 제2 위치에서 상기 제3 위치로 이동될 수 있다. In addition, further comprising moving the nozzle structure from the second position to the third position, wherein the nozzle structure is moved from the first position to the second position at a first speed, and is faster than the first speed. It can be moved from the second position to the third position at a speed.
또한, 상기 가스 노즐은 상기 수용 공간의 측면에 설치될 수 있다.In addition, the gas nozzle may be installed on the side of the accommodation space.
또한, 상기 제1 바디의 상면은 상기 수용 공간의 측면과 연결되고, 상기 가스 노즐은 상기 제1 바디의 상기 상면에 설치될 수 있다.In addition, an upper surface of the first body may be connected to a side surface of the accommodation space, and the gas nozzle may be installed on the upper surface of the first body.
또한, 상기 제1 바디의 상면은 상기 수용 공간의 측면과 연결되고, 상기 노즐 구조체는 제2 바디와, 상기 바디에 설치되어 상기 처리액을 분사하기 위한 팁을 포함하되, 상기 노즐 구조체가 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 제2 바디의 적어도 일부는, 상기 제1 바디의 상면과 마주볼 수 있다. In addition, an upper surface of the first body is connected to a side surface of the accommodation space, and the nozzle structure includes a second body and a tip installed on the body to spray the treatment liquid, and the nozzle structure When in the 1 position, at least a part of the second body may face the upper surface of the first body.
상기 처리액은 포토레지스트를 포함하고, 상기 보관액은 시너(thinner)를 포함하고, 상기 세정가스는 질소가스를 포함한다.The treatment liquid contains a photoresist, the storage liquid contains a thinner, and the cleaning gas contains nitrogen gas.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면(aspect)은, 처리액을 공급하는 노즐 구조체; 및 상기 노즐 구조체를 보관 및 세정하기 위한 관리 모듈을 포함하고, 상기 관리 모듈은, 바디와, 상기 바디에 설치되고, 내부에 보관액을 수용할 수 있는 수용 공간과, 상기 바디에 설치되고, 세정가스를 분사할 수 있는 가스 노즐을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 단계; 상기 노즐 구조체를 제1 위치로 이동시켜 보관하는 단계; 및 상기 노즐 구조체를 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키는 단계를 포함하되, 상기 제1 위치에서 상기 노즐 구조체의 팁(tip)은 상기 수용 공간 내의 상기 보관액에 잠기고, 상기 노즐 구조체를 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동시키는 동안 상기 가스 노즐은 상기 세정가스를 분사하여 상기 노즐 구조체의 팁을 세정한다. One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the above object is a nozzle structure for supplying a processing liquid; And a management module for storing and cleaning the nozzle structure, wherein the management module includes a body, an accommodation space installed in the body and capable of accommodating a storage liquid therein, and installed in the body for cleaning Providing a substrate processing apparatus including a gas nozzle capable of injecting gas; Storing the nozzle structure by moving it to a first position; And moving the nozzle structure from the first position to a second position, wherein at the first position, a tip of the nozzle structure is immersed in the storage liquid in the accommodation space, and the nozzle structure is moved to the second position. While moving from the first position to the second position, the gas nozzle injects the cleaning gas to clean the tip of the nozzle structure.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments to be posted below, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments make the posting of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성요소와 다른 구성요소 사이의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between a component and another component. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of components during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if a component shown in a drawing is turned over, a component described as "below" or "beneath" of another component will be placed "above" the other component. I can. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. Components may be oriented in other directions, and thus spatially relative terms may be interpreted according to the orientation.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소 또는 섹션들을 다른 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements and/or sections, of course, these elements and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component or sections from other components or sections. Therefore, it goes without saying that the first component or the first section mentioned below may be a second component or a second section within the technical idea of the present invention.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작은 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification, “comprises” and/or “comprising” do not exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, or actions to the mentioned elements, steps, and actions.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used with meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless explicitly defined specifically.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components are assigned the same reference numerals and overlapped with respect to them. Description will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 1은 노즐 구조체를 보관 및 세정을 하기 위한 관리 모듈을 도시한다.1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 shows a management module for storing and cleaning a nozzle structure.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 노즐 구조체(400), 처리액 제공부(412), 노즐 제어부(416), 관리 모듈(500), 세정가스 제공부(540), 컨트롤러(600) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
노즐 구조체(400)는 처리액을 제공받아 기판 상에 제공할 수 있다. 여기서, 처리액은 포토레지스트(photo resist)와 같은 감광액일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 노즐 구조체(400)는 바디(410)와, 바디(410) 내부에 위치하는 경로(411)를 포함한다. 처리액 제공부(412)로부터 제공되는 처리액은, 노즐 구조체(400) 내의 경로(411)를 따라 팁(tip)(410a)에서 분사될 수 있다. 노즐 구조체(400)는 슬릿(slit)형 노즐을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
노즐 구조체(400)의 동작(위치이동 등)은 노즐 제어부(416)에 의해서 제어될 수 있다.The operation (position movement, etc.) of the
관리 모듈(500)은 노즐 구조체(400)를 보관하고, 세정한다. 즉, 노즐 구조체(400)를 보관하는 것과 세정하는 것이 하나의 모듈에서 진행하기 때문에, 보관 유닛에서 노즐 세정 유닛으로 이동 중에 노즐 구조체(400)에서 처리액이 떨어지지 않는다(즉, 오염이 발생하지 않는다). 또한 보관 유닛에서 노즐 세정 유닛으로의 이동시간이 불필요하다. The
관리 모듈(500)은 바디(502), 수용 공간(520), 가스 노즐(530) 등을 포함한다.The
바디(502) 및 수용 공간(520)은 노즐 구조체(400)의 팁(410a)이 수용될 수 있는 형태이다. 예를 들어, 노즐 구조체(400)가 일 방향으로 길게 형성되어 있다면, 바디(502) 및 수용 공간(520)도 일 방향으로 길게 형성될 수 있다.The
수용 공간(520)은 내부에 보관액이 수용될 수 있다. 보관액은 예를 들어, 시너(thinner)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 노즐 구조체(400)가 관리 모듈(500)에 보관될 때(즉, 노즐 구조체(400)가 제1 위치(도 2의 제1 위치(P1) 참조)에 있을 때), 노즐 구조체(400)의 팁(410a)이 수용 공간(520) 내의 보관액에 잠긴다. The
바디(502)의 상면(512)은 수용 공간(520)의 측면(510)과 연결된다. 도시된 것과 같이, 측면(510)은 소정 각도로 기울어져 있는 형상일 수 있다. The
가스 노즐(530)은 바디(502)에 설치되고, 세정가스를 노즐 구조체(400)의 팁(410a)에 분사하여, 노즐 구조체(400)의 팁을 세정한다. 세정가스는 예를 들어, 질소가스(N2)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 세정가스 제공부(540)는 세정가스를 보관하고 가스 노즐(530)에 세정가스를 공급한다.The
가스 노즐(530)은, 예시적으로 수용 공간(520)의 측면(510)에 설치될 수 있다. 도시된 것과 같이, 가스 노즐(530)은 관리 모듈(500)과 일체화되도록 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 가스 노즐(530)은 다수 개일 수 있고, 다수의 가스 노즐(530)은 바디(502)의 연장방향에 따라 배치될 수 있다.The
컨트롤러(600)는 처리액 제공부(412)와, 노즐 제어부(416), 세정가스 제공부(540) 중 적어도 하나를 제어할 수 있다. The
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하도록 한다. Hereinafter, an operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
도 2를 참조하면, 노즐 구조체(400)가 사용되지 않을 때, 노즐 구조체(400)는 관리 모듈(500)에 보관된다. 구체적으로, 노즐 구조체(400)는 제1 위치(P1)에 위치하고, 노즐 구조체(400)의 팁(410a)이 수용 공간(520) 내의 보관액(예를 들어, 시너)에 잠긴다.Referring to FIG. 2, when the
이어서, 노즐 구조체(400)가 사용되어야 할 때, 노즐 구조체(400)는 제1 위치(P1)에서 제2 위치(P2)로 이동된다. 노즐 구조체(400)를 이동시키는 동안, 가스 노즐(530)은 세정가스(예를 들어, 질소가스)를 분사하여 노즐 구조체(400)의 팁(410a)을 세정한다. Subsequently, when the
도시된 것과 같이, 수용 공간(520)의 측면은 소정 각도로 기울어져 있고, 노즐 구조체(400)의 팁(410a)도 뾰족한 형상을 갖기 때문에, 세정가스가 노즐 구조체(400)의 팁(410a)을 향해 분사되더라도, 보관액 및/또는 처리액이 수용 공간(520) 밖으로 쉽게 튀지 않는다.As shown, since the side of the receiving
이어서, 도 3을 참조하면, 노즐 구조체(400)는 제2 위치(P2)에 도착하면, 가스 노즐(530)은 세정가스의 분사를 정지한다. 제2 위치(P2)는 예를 들어, 가스 노즐(530)에서 세정가스를 분사하더라도, 노즐 구조체(400)의 팁(410a)을 세정할 수 없는 위치일 수 있다.Next, referring to FIG. 3, when the
노즐 구조체(400)는 제2 위치(P2)에서 제3 위치(P3)로 더 이동할 수 있다. 도면에서, 제3 위치(P3)는 제2 위치(P2)보다 수직방향으로 위에 있는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제3 위치(P3)는 제2 위치(P2)보다 대각선 방향으로 위에 있을 수도 있다. The
한편, 노즐 구조체(400)는 제1 속도(도 2의 V1 참조)로 제1 위치(P1)에서 제2 위치(P2)로 이동되고, 제1 속도(V1)보다 빠른 제2 속도(도 3의 V2 참조)로 제2 위치(P2)에서 제3 위치(P3)로 이동될 수 있다. 즉, 세정효율을 높이기 위해서, 노즐 구조체(400)가 제1 위치(P1)에서 제2 위치(P2)로 이동할 때에는 천천히 이동한다. 하지만, 택트 타임(tact time)을 줄이기 위해, 세정가스가 분사되지 않는 동안에, 노즐 구조체(400)는 보다 빠르게 이동된다. 노즐 구조체(400)가 노즐 제어부(416)에 의해서 이와 같이 속도 조절됨으로써, 노즐 구조체(400)의 세정 효율을 높이면서도 택트 타임을 최소화할 수 있다.Meanwhile, the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략하도록 한다. 4 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. For convenience of description, contents substantially the same as those described with reference to FIGS. 1 to 3 will be omitted.
도 4를 참조하면, 전술한 것과 같이, 관리 모듈(500)의 바디(502)는, 수용 공간(520)의 측면(510)과 연결되는, 상면(512)를 포함한다.Referring to FIG. 4, as described above, the
노즐 구조체(400)의 바디(410)는 연장부(410b)를 더 포함한다. 도시된 것과 같이, 노즐 구조체(400)가 제1 위치(P1)에 있을 때, 노즐 구조체(400)의 연장부(410b)와 관리 모듈(500)의 상면(512)는 서로 마주본다. The
이와 같은 구조를 가짐으로써, 가스 노즐(530)이 노즐 구조체(400)에 세정가스를 분사하더라도, 보관액 및/또는 처리액이 수용 공간(520) 밖으로 쉽게 튀지 않는다.By having such a structure, even if the
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략하도록 한다. 5 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. For convenience of description, contents substantially the same as those described with reference to FIGS. 1 to 4 will be omitted.
도 5를 참조하면, 전술한 것과 같이, 관리 모듈(500)의 바디(502)는, 수용 공간(520)의 측면(510)과 연결되는, 상면(512)를 포함한다.Referring to FIG. 5, as described above, the
가스 노즐(530a)은 바디(502)의 상면(512)에 설치될 수 있다. 가공의 어려움이 있어서, (도 4에 도시된 것과 같이) 가스 노즐(530)을 수용 공간(520)의 측면(510)에 설치하기 어렵다면, 가스 노즐(530a)을 상면(512)에 별도로 장착할 수도 있다.The
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 6 is a perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. 7 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치는 베이스(100), 기판 지지 유닛(200), 액 공급 유닛(40), 관리 모듈(500) 등을 포함한다. 6 and 7, the substrate processing apparatus includes a
베이스(100)는 예를 들어, 사각의 판 형상으로 제공되며, 상면은 평평하게 제공된다. 베이스(100)는 기판 지지 유닛(200), 액 공급 유닛(40), 그리고 관리 모듈(500)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200) 및 관리 모듈(500)은 일방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.The
이하 제1 방향(D1)을 상기 일방향과 평행한 방향으로 정의하고, 제2 방향(D2)을 상부에서 바라볼 때 제1 방향(D1)과 수직한 방향으로 정의하며, 제3 방향(D3)을 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2) 각각에 대해 수직한 방향으로 정의한다.Hereinafter, the first direction D1 is defined as a direction parallel to the one direction, the second direction D2 is defined as a direction perpendicular to the first direction D1 when viewed from above, and the third direction D3 Is defined as a direction perpendicular to each of the first direction D1 and the second direction D2.
기판 지지 유닛(200)은 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 직사각의 판 형상을 가지는 지지 플레이트(200)로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(200)의 상면은 평평하게 제공된다. 지지 플레이트(200)의 상면에는 복수의 흡착홀들(미도시)이 형성된다. 각각의 흡착홀은 진공 부재(미도시)에 연결된다. 진공 부재로부터 제공된 진공압은 흡착홀에 음압을 형성한다. 흡착홀로 제공된 음압은 지지 플레이트(200)에 놓인 기판(S)을 진공 흡착하여 기판(S)을 고정시킨다.The
액 공급 유닛(40)은 기판(S) 상으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(40)은 노즐 구조체(400) 및 노즐 구동 부재(422, 426, 442, 446, 448, 462, 466)를 포함한다. The
노즐 구조체(400)는 기판(S) 상으로 처리액을 공급한다. 노즐 구조체(400)에 대해서는 도 1 내지 도 5를 이용하여 상세히 설명하였다. The
노즐 구조체(400)는 지지 플레이트(200)의 상부에 위치된다. 노즐 구조체(400)는 그 길이방향이 제2 방향(D2)을 향하도록 제공된다. 노즐 구조체(400)의 하단에는 분사구가 형성된다. 분사구는 노즐 구조체(400)의 길이방향과 평행한 방향을 따라 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 노즐 구조체(400)의 분사구는 대체로 기판(S)의 폭에 대응되거나 이보다 긴 길이를 가진다. 노즐 구조체(400)는 처리액 제공부(도 1의 412 참조)로부터 처리액을 제공받아 기판(S)으로 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. The
노즐 구동 부재(422, 426, 442, 446, 448, 462, 466)는 노즐 구조체(400)를 제1 방향(D1) 및 제3 방향(D3)으로 각각 이동시킨다. 노즐 구동 부재(480)에 의해 노즐 구조체(400)는 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 노즐 구조체(400)이 지지 플레이트(200)에 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐 구조체(400)이 관리 모듈(500)에 대향되는 위치로 정의한다. The
노즐 구동 부재(422, 426, 442, 446, 448, 462, 466)는 수평 지지대(422), 지지축(426), 수직 구동기(442, 446, 448), 그리고 수평 구동기(462, 466)를 포함한다. 수평 지지대(422)는 그 길이방향이 제2 방향(D2)을 향하도록 지지 플레이트(200)의 상부에 위치된다. 수평 지지대(422)는 그 양단의 저면에 지지축(426)이 설치된다. 지지축(426)은 수평 지지대(422)를 지지한다.The
수직 구동기(442, 446, 448)는 노즐 구조체(400)를 제3 방향(D3)으로 이동시킨다. 수직 구동기(442, 446, 448)는 수직 가이드 레일(446), 브라켓(442), 그리고 구동기(448)를 포함한다. 수직 가이드 레일(446)은 수평 지지대(422)의 일측면에 설치된다. 수직 가이드 레일(446)은 그 길이방향이 제3방향(16)으로 제공된다. 브라켓(442)은 노즐 구조체(400)를 지지한다. 브라켓(442)의 일측면에는 노즐 구조체(400)이 고정설치된다. 브라켓(442)은 그 양단이 수직 가이드 레일(446)에서 제3방향(16)으로 이동 가능하게 설치된다. 구동기(448)는 브라켓(442)을 제3 방향(D3)으로 이동 가능하도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(448)는 모터일 수 있다.The
수평 구동기(462, 466)는 노즐 구조체(400)를 제1 방향(D1)으로 이동시킨다. 수평 구동기(462, 466)는 수평 가이드 레일(462), 브라켓(466), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다. 수평 가이드 레일(462)은 그 길이방향이 제1 방향(D1)을 향하도록 제공된다. 수평 가이드 레일(462)은 지지 플레이트(200)를 중심으로 베이스(100)의 상면 양측 가장자리에 각각 설치된다. 브라켓(466)은 지지축(426)을 지지한 채로 수평 가이드 레일(462)에 각각 설치된다. 구동기(미도시)는 브라켓(466)이 제1 방향(D1)으로 이동 가능하도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.The
전술한 것과 같이, 관리 모듈(500)은 노즐 구조체(400)를 보관한다. 또한, 관리 모듈(500)은 노즐 구조체(400)의 분사구에 잔류하는 처리액을 제거한다. As described above, the
즉, 노즐 구조체(400)는 제1 위치로 이동시켜 관리 모듈(500) 내에서 보관된다. 제1 위치에서 노즐 구조체(400)의 팁(tip)은 수용 공간 내의 보관액에 잠긴다. 노즐 구조체(400)를 사용해야 할 때, 노즐 구조체(400)를 제1 위치에서 제2 위치로 이동시킨다. 노즐 구조체(400)를 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키는 동안 관리 모듈(500)에 설치된 가스 노즐(530)은 세정가스를 분사하여 노즐 구조체(400)의 팁을 세정한다.That is, the
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and are not limiting.
400: 노즐 구조체 410a: 팁(tip)
412: 처리액 제공부 416: 노즐 제어부
500: 관리 모듈 520: 수용 공간
530: 가스 노즐 540: 세정가스 제공부
600: 컨트롤러400:
412: treatment liquid providing unit 416: nozzle control unit
500: management module 520: accommodating space
530: gas nozzle 540: cleaning gas providing unit
600: controller
Claims (7)
상기 노즐 구조체를 보관 및 세정하기 위한 관리 모듈을 포함하되,
상기 관리 모듈은,
제1 바디와,
상기 제1 바디에 설치되고, 내부에 보관액이 수용된 수용 공간과,
상기 제1 바디에 설치되고, 세정가스를 분사할 수 있는 가스 노즐을 포함하고,
상기 노즐 구조체를 제1 위치로 이동시켜 보관하되, 상기 제1 위치에서 상기 노즐 구조체의 팁(tip)은 상기 수용 공간 내에 수용된 상기 보관액에 잠기며,
상기 노즐 구조체는 보관 위치인 제1 위치에서 관리 모듈의 상측으로 설정 거리로 떨어진 제2 위치로 이동되되, 상기 노즐 구조체가 이동되는 동안 상기 가스 노즐은 상기 세정가스를 분사하여 상기 노즐 구조체의 팁을 세정하되,
상기 노즐 구조체는 상기 제2 위치에서 상기 제2 위치의 상부인 제3 위치로 이동되며,
상기 노즐 구조체는 제1 속도로 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동되고, 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 상기 제2 위치에서 상기 제3 위치로 이동되며,
상기 가스 노즐은 상기 수용 공간의 측면과 상기 제1 바디의 상면에 설치되는, 기판 처리 장치.A nozzle structure for supplying a treatment liquid; And
Including a management module for storing and cleaning the nozzle structure,
The management module,
With the first body,
An accommodation space installed in the first body and in which a storage liquid is accommodated,
It is installed on the first body and includes a gas nozzle capable of injecting a cleaning gas,
The nozzle structure is moved to a first position and stored, wherein a tip of the nozzle structure at the first position is immersed in the storage liquid accommodated in the accommodation space,
The nozzle structure is moved from the first position, which is the storage position, to a second position separated by a set distance from the top of the management module, and while the nozzle structure is moving, the gas nozzle sprays the cleaning gas to thereby remove the tip of the But wash it,
The nozzle structure is moved from the second position to a third position above the second position,
The nozzle structure is moved from the first position to the second position at a first speed, and is moved from the second position to the third position at a second speed faster than the first speed,
The gas nozzle is installed on a side surface of the accommodation space and an upper surface of the first body.
상기 제1 바디의 상면은 상기 수용 공간의 측면과 연결되고,
상기 가스 노즐은 상기 제1 바디의 상기 상면에 설치되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The upper surface of the first body is connected to the side surface of the accommodation space,
The gas nozzle is installed on the upper surface of the first body.
상기 제1 바디의 상면은 상기 수용 공간의 측면과 연결되고,
상기 노즐 구조체는 제2 바디와, 상기 바디에 설치되어 상기 처리액을 분사하기 위한 팁을 포함하되,
상기 노즐 구조체가 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 제2 바디의 적어도 일부는, 상기 제1 바디의 상면과 마주보는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The upper surface of the first body is connected to the side surface of the accommodation space,
The nozzle structure includes a second body and a tip installed on the body to spray the treatment liquid,
When the nozzle structure is in the first position, at least a portion of the second body faces an upper surface of the first body.
상기 처리액은 포토레지스트를 포함하고,
상기 보관액은 시너(thinner)를 포함하고,
상기 세정가스는 질소가스를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The treatment liquid contains a photoresist,
The storage liquid contains a thinner,
The cleaning gas includes nitrogen gas.
상기 노즐 구조체가 제1 위치로 이동되어 보관되는 단계; 및
상기 노즐 구조체를 보관 위치인 제1 위치에서 관리 모듈의 상측으로 설정 거리로 떨어진 제2 위치로 이동시키는 단계를 포함하되,
상기 제1 위치에서 상기 노즐 구조체의 팁(tip)은 상기 수용 공간 내의 상기 보관액에 잠기고,
상기 노즐 구조체가 상기 제1 위치에서 상기 제2 위치로 이동되는 동안 상기 가스 노즐은 상기 세정가스를 분사하여 상기 노즐 구조체의 팁을 세정하되,
상기 노즐 구조체는 상기 제2 위치에서 상기 제2 위치의 상부인 제3 위치로 이동되며,
상기 노즐 구조체는 제1 속도로 상기 제1 위치에서 제2 위치로 이동되고, 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 상기 제2 위치에서 상기 제3 위치로 이동되며,
상기 가스 노즐은 상기 수용 공간의 측면과 상기 제1 바디의 상면에 설치되는, 기판 처리 방법.A nozzle structure for supplying a treatment liquid; And a management module for storing and cleaning the nozzle structure, wherein the management module includes a body, an accommodation space installed in the body and receiving a storage liquid therein, and installed in the body, and sprays a cleaning gas. Providing a substrate processing apparatus including a capable gas nozzle;
Moving and storing the nozzle structure to a first position; And
Including the step of moving the nozzle structure from the storage position of the first position to the upper side of the management module to a second position separated by a set distance
In the first position, the tip of the nozzle structure is immersed in the storage liquid in the accommodation space,
While the nozzle structure is moved from the first position to the second position, the gas nozzle sprays the cleaning gas to clean the tip of the nozzle structure,
The nozzle structure is moved from the second position to a third position above the second position,
The nozzle structure is moved from the first position to the second position at a first speed, and is moved from the second position to the third position at a second speed faster than the first speed,
The gas nozzle is installed on a side surface of the accommodation space and an upper surface of the first body.
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