KR20110034183A - 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents
태양전지 모듈 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110034183A KR20110034183A KR1020090091621A KR20090091621A KR20110034183A KR 20110034183 A KR20110034183 A KR 20110034183A KR 1020090091621 A KR1020090091621 A KR 1020090091621A KR 20090091621 A KR20090091621 A KR 20090091621A KR 20110034183 A KR20110034183 A KR 20110034183A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- cell module
- passivation layer
- solar cells
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 77
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 65
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229920006294 polydialkylsiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- -1 dimethylsilyl-oxyacrylate (dimethylsilyl- oxyacrylate) Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4935—Heat exchanger or boiler making
- Y10T29/49355—Solar energy device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈은 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들; 상기 태양전지 셀들의 절연과 간격 유지를 위한 실드(shield); 태양전지 셀들의 이면에 배치되며, 인접한 태양전지 셀들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 태양전지 셀들을 보호하는 상부 보호막 및 하부 보호막; 태양전지 셀들의 수광면 쪽으로 상부 보호막 위에 배치되는 투명 부재; 및 수광면의 반대쪽으로 하부 보호막의 하부에 배치되는 후면 시트를 포함하며, 인터커넥터는 액화된 솔더가 도포된 홀을 구비한다.
태양 전지, 이면 접합, 액화 솔더, 인터커넥터, liquid encapsulant
Description
본 발명은 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 신 재생 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지 셀이 주목받고 있으며, 근래에는 전자용 전극과 정공용 전극을 기판의 후면, 즉 빛이 입사되지 않는 면에 모두 형성함으로써 수광 면적을 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시키는 이면 접합형 태양전지 셀이 개발되고 있다.
이러한 이면 접합형 태양전지 셀은 원하는 출력을 얻기 위해 여러 개가 직렬 또는 병렬로 연결된 후 패널(panel) 형태로 방수 처리된 형태의 태양전지 모듈로 사용된다.
일반적으로, 이면 접합형 태양전지 셀들을 갖는 태양전지 모듈은 일정한 간격을 두고 배치된 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들, 인접한 태양전지 셀들 사이의 상기 간격을 유지하는 실드(shield), 인접한 태양전지 셀들의 전극을 전기적으로 연결하는 인터커넥터, 태양 전지 셀들을 보호하는 상부 및 하부 보호막, 태양 전지 셀들의 수광면 쪽으로 보호막 위에 배치되는 투명 부재, 및 수광면 반대 쪽으로 하부 보호막의 하부에 배치되는 후면 시트(back sheet)를 포함한다.
여기에서, 실드는 점착제가 구비된 폴리에스테르 테이프(polyester tape)로 이루어지며, 인접한 태양전지 셀들 사이의 간격을 일정하게 유지하여 인접 셀들 간의 전기적 절연을 유지하기 위해 인접 셀들의 단부에 접착된다. 그리고 실드 위에는 인접 셀들의 전극을 전기적으로 연결하기 위한 인터커넥터가 배치된다.
실드는 위에서 말한 전기적 절연 외에, 인터커넥터를 셀들에 접합하기 위해 도포된 솔더 플럭스(solder flux)가 태양전지 셀간에 확산으로 단락발생을 방지하고, 또한 인접한 셀들 사이의 공간을 통해 인터커넥터가 전면에서 관측되는 것을 방지하는 작용도 한다.
인터커넥터는 인접 셀들을 전기적으로 연결하기 위하여 실드 위에 배치되고 셀의 연결 금속 전극(tabbing metal electrode) 위에서 단부(edge region)를 솔더링으로 고정하게 된다.
그런데 상기 인터커넥터를 사용하는 경우에는 인터커넥터에 솔더링을 위한 홀을 별도로 구비하지 않아 정확한 위치에 솔더링을 해야 하는 태양전지 모듈공정의 자동화가 용이하지 않으므로 모듈 제조 공정이 작업자에 의한 수작업으로 진행되어야 한다. 따라서 모듈생산성 및 수율이 높지 않은 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양 전지 모듈을 효율적으로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 제조 방법에 의해 제조된 태양 전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 복수의 이면 접합형 태양 전지 셀들; 태양 전지 셀들의 이면에 배치되며, 인접한 태양 전지 셀들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 태양 전지 셀들을 보호하는 상부 보호막 및 하부 보호막; 태양 전지 셀들의 수광면 쪽으로 상부 보호막 위에 배치되는 투명 부재; 및 수광면의 반대쪽으로 하부 보호막의 하부에 배치되는 후면 시트를 포함하며, 인터커넥터는 액화된 솔더가 도포된 홀을 구비한다.
본 발명의 실시예에서, 태양전지 모듈은 인접한 태양전지 셀들 사이의 간격을 유지하는 실드(shield)를 더 포함할 수 있으며, 실드는 점착제를 구비한 폴리에스테르 테이프로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상부 보호막과 하부 보호막은 동일한 재질, 예컨대 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 상부 보호막과 하부 보호막은 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 하부 보호막은 경화된 실록산(Siloxane), 예컨대 경화된 PDAS(poly dialkyl siloxane)으로 이루어지고, 상부 보호막은 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어질 수 있다.
액상의 실록산 전구체는 태양전지 셀들에 도포된 후 일부의 실록산 전구체가 유동성에 의해 태양전지 셀들의 사이 공간에 채워지게 된다. 그리고 이 상태에서 열처리를 통한 경화 공정에 의해 경화되어 상부 보호막과 접합된다.
태양 전지 모듈의 수광면 쪽에서 인터커넥터 자체의 금속색상이 관측되는 것을 방지하기 위해, 상기 인터커넥터의 전면은 이면 접합형 태양 전지 셀 또는 후면 시트와 동일한 색상, 예컨대 흑색 또는 백색으로 처리될 수 있다.
이러한 구성의 태양전지 모듈은, 투명 부재 위에 상부 보호막을 배치하는 단계; 상기 상부 보호막 위에 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들을 일정한 간격으로 배치하는 단계; 액화된 솔더가 도포되는 홀을 구비한 인터커넥터를 상기 태양전지 셀들에 배치하는 단계; 상기 홀에 액화된 솔더를 도포하여 인접한 태양전지 셀들을 전기적으로 연결하는 단계; 상기 태양전지 셀들 위에 하부 보호막을 배치하는 단계; 및 상기 상부 보호막과 하부 보호막을 접합하는 단계를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 실시예에서. 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들을 일정한 간격으로 배치하는 단계에서는 점착제를 구비한 실드를 사용하여 상기 간격을 유지할 수 있다. 이 경우, 상부 보호막 및 하부 보호막으로 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)를 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 하부 보호막을 배치하는 단계는 액상의 실록산 전구체를 상기 태양전지 셀들 위에 도포하여 도포된 상기 액상의 실록산 전구체의 일부가 상기 인접한 태양전지 셀들의 사이 공간에 채워지도록 하는 것에 따라 이루어지고, 상부 보호막과 하부 보호막을 접합하는 단계는 열처리를 이용한 경화 공정을 실시하여 상기 액상의 실록산 전구체와 상부 보호막을 접합하는 것에 따라 이루어질 수 있다.
여기에서, 상기 액상의 실록산 위에 후면 시트를 배치한 상태에서 상기 열처리를 할 수 있다.
상기 열처리는 200℃ 내지 400℃의 온도로 실시할 수 있으며, 경화된 실록산(Siloxane)으로 PDAS(poly dialkyl siloxane)를 사용하고, 상부 보호막으로 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)를 사용할 수 있다.
이러한 특징에 의하면, 액화된 솔더가 도포되는 홀을 구비한 인터커넥터를 활용하여 액상 솔더를 자동화된 디스펜싱 방법으로 원하는 위치에 정확하고 일정한 양을 도포할 수 있기 때문에 모듈 제조 공정의 자동화가 가능하게 되어 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 액상의 실록산 전구체를 사용하여 하부 보호막을 형성하는 경우 수작업으로 이루어지는 테이프 형태의 실드를 제거할 수 있으므로 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에 서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 이면 접합형 태양전지 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지 모듈에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 인터커넥터의 평면도이다.
그리고 도 3은 도 1에 도시한 태양전지 모듈의 부분 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시한 이면 접합형 태양전지의 부분 단면도이며, 도 5는 도 1에 도시한 태양전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
도면을 참고로 하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈은 복수의 이면 접합형 태양전지 셀(110)들, 태양전지 셀(110)들의 이면에 배치되며 셀(10)들의 간 격을 유지하는 실드(120), 실드(120)의 이면에 배치되며 인접한 태양전지 셀(110)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(130), 태양전지 셀(110)들을 보호하는 상부 보호막(140)과 하부 보호막(150), 태양전지 셀(110)들의 수광면 쪽으로 상부 보호막(140) 위에 배치되는 투명 부재(160) 및 수광면의 반대쪽으로 하부 보호막의 하부에 배치되는 후면 시트(170)를 포함한다.
도 1은 2개의 태양전지 셀(110)들만 도시하고 있지만, 태양전지 셀(110)들의 개수는 제한되지 않는다.
여기에서, 후면 시트(170)는 태양전지 모듈(110)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지 셀(110)들을 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 시트(170)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
상부 보호막(140)은 태양전지 셀(110)들의 상부에 배치된 상태에서 하부 보호막(150)과 접합되어 태양전지 셀(110)들과 일체화되는 것으로, 상부 보호막(140)과 하부 보호막(150)은 습기 침투로 인한 태양전지 셀(110)들의 부식을 방지하고 태양전지 셀(110)들을 충격으로부터 보호한다.
본 발명의 실시예에서, 상부 보호막(140)과 하부 보호막(150)은 서로 동일한 물질, 예컨대 필름 형태로 제조된 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)로 이루어진다.
상부 보호막(140) 위에 위치하는 투명 부재(160)는 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량 이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 투명 부재(160)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.
그리고 인터커넥터(130)는 전도성 금속으로 이루어지며, 태양전지 셀(110)들에 형성된 연결 금속 전극(tabbing metal electrode, 도시하지 않음)에 솔더링되어 인접한 태양전지 셀(110)들을 전기적으로 연결한다. 이때, 인터커넥터(130)를 태양전지 셀(110)들에 액화된 솔더를 자동으로 접합할 수 있도록 하기 위해, 인터커넥터(130)는 연결 금속 전극과 접촉하는 부분에 홀(131)을 구비한다.
홀(131)은 액화 솔더(liquefied solder)를 이용한 접합 공정이 가능하도록 하기 위한 것으로, 실시간 도포장치, 디스펜서(dispenser) 또는 직접 프린팅(direct printing) 장비를 이용하여 홀(131)에 액화 솔더를 도포하는 것에 따라 인터커넥터(130)를 통한 인접 셀(110)들 간의 전기적 연결이 마무리된다.
한편, 인접 셀(110)들 간의 간격 유지 및 전기적 절연을 위해, 태양전지 셀(110)들의 이면에는 실드(120)가 배치된다. 실드(120)는 점착제가 구비된 폴리에스테르 테이프(polyester tape)로 이루어지며, 인접 셀(110)들의 단부에 접착된다.
실드(120)는 위에서 말한 전기적 절연 외에, 인터커넥터(130)를 셀들에 접합하기 위해 도포된 솔더 플럭스(solder flux)가 태양전지 셀간에 확산으로 단락 발생을 방지하고, 또한 인접한 셀(110)들 사이의 공간을 통해 인터커넥터(130)가 전면에서 관측되는 것을 방지하는 작용도 한다.
인터커넥터(130)는 실드에 접착되며, 홀(131)이 형성된 부분에서 액화 솔더 에 의해 연결 금속 전극(tabbing metal electrode, 도시하지 않음)에 솔더링 (soldering)된다.
그리고 인터커넥터(130)에는 열에 의한 수축 및 팽창에 기인하는 스트레인(strain)을 감소시키기 위한 목적으로 슬릿(slit)(132)이 형성된다.
한편, 도 1에는 한 개의 인터커넥터(130)에 의해 인접 셀(110)들 간의 전기적 연결이 완료되는 것을 도시하였지만, 개별화된 복수의 인터커넥터를 이용하여 인접 셀(110)들을 전기적으로 연결할 수도 있다.
예컨대, 도 1의 경우에 비추어 볼 때, 양 단부에 홀을 갖는 인터커넥터 3개를 사용하여 인접 셀(110)들을 전기적으로 연결하는 것도 가능하다.
또한 인터커넥터에 구현되는 홀의 크기와 개수는 태양전지 셀의 크기에 따라 조정될 수 있다. 홀의 크기는 100㎛ 내지 500㎛로 구현될 수 있고 적절하게는 200~300㎛일 수 있고 홀의 개수는 연결금속전극의 개수에 따라 3~15개로 형성할 수 있고 적절하게는 6~10개로 형성될 수 있다.
태양전지 모듈에 사용되는 이면 접합형 태양전지 셀(110)은 도 4에 도시한 바와 같이 전도성 타입의 반도체 기판(111), 반도체 기판(111)의 한 면, 예컨대 수광면에 형성된 전면 전계부(FSF: front surface field)(112), 전면 전계부(112) 위에 형성된 반사 방지막(113), 반도체 기판(111)의 다른 면, 즉 이면에 형성되어 있고 제1 전도성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제1 도핑부(114), 제1 도핑부(114)와 인접한 위치에서 반도체 기판(111)의 이면에 형성되고 제1 전도성 타입과 반대 타입인 제2 전도성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제2 도핑부(115), 제 1 도핑부(114)와 제2 도핑부(115)의 일부를 노출하는 후면 보호막(116), 후면 보호막(116)에 의해 노출된 제1 도핑부(114)와 전기적으로 연결되는 정공용 전극(또는 제1 전극)(117), 그리고 후면 보호막(116)에 의해 노출된 제2 도핑부(115)와 전기적으로 연결되는 전자용 전극(또는 제2 전극)(118)을 구비한다.
반도체 기판(111)의 수광면은 복수 개의 요철을 구비한 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성될 수 있다. 이 경우 전면 전계부(112) 및 반사 방지막(113)도 텍스처링 표면으로 형성된다.
반도체 기판(111)은 제1 전도성 타입, 예를 들어 n형의 단결정질 실리콘으로 이루어진다. 하지만 이와는 달리, 반도체 기판(111)은 p형의 전도성 타입을 가질 수 있고, 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또한 반도체 기판(111)은 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
반도체 기판(111)의 수광면이 텍스처링 표면으로 형성되므로, 빛의 흡수율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.
반도체 기판(111)의 텍스처링 표면에 형성된 전면 전계부(112)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(111)보다 높은 고농도로 도핑된 막으로서, 후면 전계부(BSF: back surface field)와 유사한 기능을 수행한다. 따라서 입사되는 빛에 의해 분리된 전자와 정공이 반도체 기판(111)의 수광면 표면에서 재결합되어 소멸하는 것이 방지된다.
전면 전계부(112)의 표면에 형성된 반사 방지막(113)은 실리콘 질화막(SiNx) 이나 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 이루어진다. 반사 방지막(113)은 입사되는 태양광의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양전지의 효율을 높인다.
반도체 기판(111)의 이면에 형성된 제1 도핑부(114)에는 p형 불순물이 고농도로 도핑되어 있으며, 제2 도핑부(115)에는 n형 불순물이 반도체 기판(111)보다 높은 고농도로 도핑되어 있다. 따라서 제1 도핑부(114)는 n형의 반도체 기판(111)과 p-n 접합을 형성한다.
제1 도핑부(114)와 제2 도핑부(115)는 캐리어(정공과 전자)들의 이동 통로로서 작용하며, 정공과 전자가 각각 제1 도핑부(114)와 제2 도핑부(115) 방향으로 모이도록 한다.
제1 도핑부(114)와 제2 도핑부(115)의 일부분을 노출하는 후면 보호막(116)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 조합 등으로 형성된다.
후면 보호막(116)은 전자와 정공으로 분리된 캐리어가 재결합되는 것을 방지하고 입사된 빛이 외부로 손실되지 않도록 태양전지 내부로 반사시켜 외부로 손실되는 빛의 양을 감소시킨다. 후면 보호막(116)은 단일막으로 형성될 수 있지만, 이중막 또는 삼중막과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
후면 보호막(116)으로 덮여지지 않은 제1 도핑부(114)와 이 제1 도핑부(114)에 인접한 후면 보호막(116) 부분 위에는 제1 전극(117)이 형성되고, 후면 보호막(116)으로 덮여지지 않은 제2 도핑부(115)와 이 제2 도핑부(115)에 인접한 후면 보호막(116) 부분 위에는 제2 전극(118)이 형성된다.
따라서 제1 전극(117)은 제1 도핑부(114)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(118)은 제2 도핑부(115)와 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 전극(117, 118)은 일정 간격을 두고 한 방향으로 서로 평행하게 뻗어 있다.
제1 및 제2 전극(117, 118)의 일부가 후면 보호막(116)의 일부와 중첩되어 버스바(busbar) 영역으로 연결되므로, 외부 구동 회로 등과의 접속 시 접촉 저항 및 시리즈 저항이 줄어들어 셀 효율이 향상될 수 있다.
그러면, 도 5를 참고로 하여 태양전지 모듈의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 5는 도 1의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
도 1 내지 도 5를 참고로 하면, 먼저, 투명 부재(160) 위에 필름 형태의 상부 보호막(140)을 배치한다. 여기에서, 상부 보호막(140)은 위에서 말한 바와 같이 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어진다.
상부 보호막(140)을 배치한 후, 상부 보호막(140) 위에 복수의 이면 접합형 태양전지 셀(110)들을 일정한 간격으로 배치하고, 태양전지 셀(110)들의 이면에 실드(120)를 부착한다.
그리고 홀(131)이 태양전지 셀(110)들의 연결금속전극(도시하지 않음)과 정렬되도록 인터커넥터(130)를 실드(120)들 위에 배치한다. 이어서, 실시간으로 홀이 형성된 위치에 도포장치를 이용하여 액화 솔더를 홀(131)에 도포한다.
이러한 작업에 의해 태양전지 셀(110)들의 전기적 연결 작업이 완료되면, 상 부 보호막(140)과 동일한 물질로 이루어진 하부 보호막(150)을 태양전지 셀(110)들 위에 배치하고, 하부 보호막(150) 위에 후면 시트(170)를 배치한다.
이후, 라미네이션(lamination) 공정을 실시하여 상기 부품들을 일체화한다. 라미네이션 공정에 의하면, 투명 부재(160), 상부 보호막(140), 태양전지 셀들(110), 하부 보호막(150) 및 후면 시트(170)가 접합되어 일체화된다.
이러한 모듈 제조 방법에 의하면, 인터커넥터(130)가 홀(131)을 구비하므로, 도포장치에 의해 도포된 액화 솔더에 의해 인터커넥터와 셀들 간의 전기적 연결 작업이 완료된다. 따라서 인터커넥터의 전기적 연결 작업을 자동화하는 것이 가능하게 된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 7은 도 6에 도시한 태양 전지 모듈의 부분 단면도이며, 도 8은 도 6에 도시한 태양 전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
이하의 실시예를 설명함에 있어서 전술한 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도면을 참고로 하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈은 복수의 이면 접합형 태양전지 셀(110)들, 태양전지 셀(110)들의 이면에 배치되며 인접한 태양전지 셀(110)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(130), 태양전지 셀(110)들을 보호하는 상부 보호막(140)과 하부 보호막(155), 태양전지 셀(110)들의 수광면 쪽으로 상부 보호막(140) 위에 배치되는 투명 부재(160) 및 수광면의 반대쪽으로 하부 보호막(155)의 하부에 배치되는 후면 시트(170)를 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 상부 보호막(140)과 하부 보호막(155)은 서로 다른 물질로 이루어진다.
상부 보호막(140)은 필름 형태로 제조된 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어진다. 하지만 하부 보호막(155)은 액상의 화합물을 열처리를 통해 경화한 물질, 예컨대 PDAS(poly dialkyl siloxane)를 포함하는 경화된 실록산(siloxane)으로 이루어진다.
액상의 실록산 전구체가 태양전지 셀(110)들 위에 도포되면 도포된 실록산 전구체중 일부는 유동성으로 인해 태양전지 셀(110)들의 사이 공간에 채워지게 되며, 이 상태에서 열처리를 통해 경화된다.
상기한 모듈 구조에서 하부 보호막(155)을 액상의 화합물로 형성하는 것은 종래에 사용하던 실드를 제거함으로써 모듈 제조 공정의 자동화가 가능하게 하기 위함으로, 이에 대해서는 이하에서 설명할 모듈 제조 방법에서 상세히 설명한다.
인터커넥터(130)는 전술한 실시예와 동일하게 구성된다. 따라서, 인터커넥터(130)는 연결금속전극과 접촉하는 부분에 형성되는 홀(131)과, 열에 의한 수축 및 팽창에 기인하는 스트레인(strain)을 감소시키기 위한 목적으로 슬릿(slit)(132)을 구비한다.
홀(131)은 액화 솔더(liquefied solder)를 이용한 접합 공정이 가능하도록 하기 위한 것으로, 도시하지 않은 도포장치를 이용하여 홀(131)에 액화 솔더를 도포하는 것에 따라 인터커넥터(130)를 통한 인접 셀(110)들 간의 전기적 연결이 마 무리된다.
한편, 본 실시예에서는 전술한 실시예의 실드(120, 도 1 참조)를 제거하고, 인접 셀(110)들 간의 간격 유지 및 전기적 절연이 하부 보호막(155)에 의해 이루어지도록 구성하였다. 이에 따라, 태양 전지 모듈의 수광면 쪽에서 관측할 때 인접 셀(110)들 사이의 공간으로 인터커넥터(130)가 관측될 수 있다.
그런데 인터커넥터(130)는 셀(110)과는 다른 색상의 전도성 금속으로 이루어진다. 따라서 미관을 향상시키기 위해 인터커넥터(130)의 한 표면, 즉 수광면을 향하는 표면을 태양전지 셀(110)의 반도체 기판(111)과 동일한 색상 또는 후면시트와 동일한 색상, 예컨대 흑색 또는 백색으로 처리하는 것이 바람직하다.
그러면, 도 8을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
도 6 내지 도 8을 참고로 하면, 먼저, 투명 부재(160) 위에 필름 형태의 상부 보호막(140)을 배치한다. 여기에서, 상부 보호막(140)은 위에서 말한 바와 같이 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어진다.
상부 보호막(140)을 배치한 후, 상부 보호막(140) 위에 복수의 이면 접합형 태양전지 셀(110)들을 일정한 간격으로 배치한다. 그리고 홀(131)이 태양 전지 셀(110)들의 연결 금속 전극(도시하지 않음)과 정렬되도록 인터커넥터(130)를 태양전지 셀(110)들 위에 배치한다. 이어서, 도포장치를 이용하여 액화 솔더를 홀(131) 에 도포한다.
이러한 작업에 의해 태양전지 셀(110)들의 전기적 연결 작업이 완료되면, 액상의 실록산 전구체, 예컨대 디메틸실릴옥시아크릴레이트(dimethylsilyl- oxyacrylate)를 도포장치(도시하지 않음)를 이용하여 태양전지 셀(110)들 위에 도포한다.
이와 같이 액상의 실록산 전구체를 도포하면, 도포된 액상의 실록산 전구체의 일부분이 인접한 태양전지 셀(110)들의 사이 공간에 채워지게 된다. 이때, 실록산의 도포량은 적절한 범위 내에서 조절이 가능하다.
계속하여, 액상의 실록산 위에 후면 시트(170)를 배치하고, 200℃ 내지 400℃의 온도로 열처리를 하여 액상의 실록산을 경화시킨다. 열처리를 통한 경화 공정을 실시하면 액상의 실록산은 경화되어 하부 보호막(155)을 형성하며, 하부 보호막(155)은 필름 형태의 상부 보호막(140) 및 후면 시트(170)와 접합된다.
한편, 상부 보호막(140)과 투명 부재(160)의 접합은 상기 열처리 공정에 의해 이루어질 수도 있고, 별도의 라미네이트 공정에 의해 이루어질 수도 있다.
이러한 모듈 제조 방법에 의하면, 도포장치에 의해 도포된 액화 솔더에 의해 인터커넥터가 태양전지 셀들에 접합되고, 인접한 태양전지 셀들 간의 간격 및 전기적 절연 상태를 유지하는 하부 보호막이 도포장치에 의해 도포된 액상의 화합물로 제조된다.
따라서 각 부품의 배치 작업 및 인터커넥터의 전기적 연결 작업을 자동화하는 것이 가능하게 된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 인터커넥터의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 이면 접합형 태양전지의 부분 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시한 태양전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시한 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시한 태양전지 모듈의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 블록도이다.
*도면의 주요부분에 대한 간단한 설명*
110: 태양전지 셀 120: 실드
130: 인터커넥터 140: 상부 보호막
150, 155: 하부 보호막 160: 투명 부재
170: 후면 시트
Claims (19)
- 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들;상기 태양전지 셀들의 이면에 배치되며, 인접한 태양전지 셀들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터;상기 태양전지 셀들을 보호하는 상부 보호막 및 하부 보호막;상기 태양전지 셀들의 수광면 쪽으로 상기 상부 보호막 위에 배치되는 투명 부재; 및상기 수광면의 반대쪽으로 상기 하부 보호막의 하부에 배치되는 후면 시트를 포함하며,상기 인터커넥터는 액화된 솔더가 도포된 홀을 구비하는 태양 전지 모듈.
- 제1항에서,인접한 태양전지 셀들 사이의 간격을 유지하는 실드를 더 포함하는 태양전지 모듈.
- 제2항에서,상기 실드는 점착제를 구비한 폴리에스테르 테이프로 이루어지는 태양전지 모듈.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 상부 보호막과 하부 보호막은 동일한 재질로 이루어지지는 태양전지 모듈.
- 제4항에서,상기 상부 보호막과 하부 보호막은 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어지는 태양 전지 모듈.
- 제1항에서,상기 상부 보호막과 하부 보호막은 서로 다른 재질로 이루어지는 태양전지 모듈.
- 제6항에서,상기 하부 보호막은 경화된 실록산(Siloxane)으로 이루어지는 태양전지 모듈.
- 제7항에서,상기 하부 보호막은 PDAS(poly dialkyl siloxane)로 이루어지는 태양전지 모듈.
- 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에서,인접한 태양전지 셀들의 사이 공간에는 상기 하부 보호막이 채워지는 태양전지 모듈.
- 제9항에서,상기 상부 보호막은 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)로 이루어지는 태양전지 모듈.
- 제9항에서,상기 인터커넥터의 표면 중 상기 수광면을 향하는 표면은 흑색 또는 백색으로 처리되는 태양전지 모듈.
- 투명 부재 위에 상부 보호막을 배치하는 단계;상기 상부 보호막 위에 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들을 일정한 간격으로 배치하는 단계;액화된 솔더가 도포되는 홀을 구비한 인터커넥터를 상기 태양전지 셀들에 배치하는 단계;상기 홀에 액화된 솔더를 도포하여 인접한 태양전지 셀들을 전기적으로 연결하는 단계;상기 태양 전지 셀들 위에 하부 보호막을 배치하는 단계; 및상기 상부 보호막과 하부 보호막을 접합하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 복수의 이면 접합형 태양전지 셀들을 일정한 간격으로 배치하는 단계에서는 접착성 테이프로 이루어진 실드를 사용하여 상기 간격을 유지하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제12항 또는 제13항에서,상기 상부 보호막 및 하부 보호막으로 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)를 사용하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 하부 보호막을 배치하는 단계는 액상의 실록산 전구체를 상기 태양전지 셀들 위에 도포하여 도포된 상기 액상의 실록산의 일부가 상기 인접한 태양전지 셀들의 사이 공간에 채워지도록 하는 것에 따라 이루어지고,상기 상부 보호막과 하부 보호막을 접합하는 단계는 열처리를 이용한 경화 공정을 실시하여 상기 액상의 실록산과 상부 보호막을 접합하는 것에 따라 이루어지는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제15항에서,상기 액상의 실록산 위에 후면 시트를 배치한 상태에서 상기 열처리를 실시하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제16항에서,상기 열처리는 100℃ 내지 400℃의 온도로 실시하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에서,상기 경화된 실록산(Siloxane)으로 PDAS(poly dialkyl siloxane)를 사용하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
- 제18항에서,상기 상부 보호막으로 필름 형태의 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)를 사용하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090091621A KR101130197B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 |
CN201080041876.0A CN102576756B (zh) | 2009-09-28 | 2010-09-17 | 太阳能电池模块及其制造方法 |
PCT/KR2010/006392 WO2011037373A2 (en) | 2009-09-28 | 2010-09-17 | Solar cell module and method of manufacturing the same |
EP10819014A EP2483931A4 (en) | 2009-09-28 | 2010-09-17 | PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US12/887,008 US20110073165A1 (en) | 2009-09-28 | 2010-09-21 | Solar cell module and method of manufacturing the same |
US15/155,600 US20160260854A1 (en) | 2009-09-28 | 2016-05-16 | Solar cell module and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090091621A KR101130197B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110034183A true KR20110034183A (ko) | 2011-04-05 |
KR101130197B1 KR101130197B1 (ko) | 2012-03-30 |
Family
ID=43778936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090091621A KR101130197B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110073165A1 (ko) |
EP (1) | EP2483931A4 (ko) |
KR (1) | KR101130197B1 (ko) |
CN (1) | CN102576756B (ko) |
WO (1) | WO2011037373A2 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101223050B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2013-01-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR20140098304A (ko) * | 2013-01-30 | 2014-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
KR20150055507A (ko) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 |
KR20150083388A (ko) * | 2014-01-09 | 2015-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR20150083748A (ko) * | 2014-01-10 | 2015-07-20 | 엘지전자 주식회사 | 인터커넥터 및 이를 구비한 태양전지 모듈 |
US9490376B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
US11973157B2 (en) | 2015-06-26 | 2024-04-30 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Metallization and stringing for back-contact solar cells |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5642591B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-12-17 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
EP2615647B1 (en) * | 2011-06-28 | 2017-02-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module |
JP6145884B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2017-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
TWI440196B (zh) * | 2011-07-12 | 2014-06-01 | Au Optronics Corp | 背電極太陽能電池模組及其電極焊接方法 |
TWI435456B (zh) * | 2011-08-18 | 2014-04-21 | Au Optronics Corp | 電極焊接結構、背電極太陽能電池模組及太陽能電池模組製作方法 |
KR101282943B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2013-07-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
DE102012204989A1 (de) * | 2012-03-28 | 2013-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul und Verfahren zu deren Herstellung |
JP5934978B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-06-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
US8636198B1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-01-28 | Sunpower Corporation | Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells |
CN103426960A (zh) * | 2013-03-21 | 2013-12-04 | 连云港神舟新能源有限公司 | 指叉背接触ibc电池片导电焊带及使用其进行电池片联接的方法 |
KR102087156B1 (ko) * | 2013-07-09 | 2020-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
CN103456843A (zh) * | 2013-09-17 | 2013-12-18 | 连云港神舟新能源有限公司 | 一种背接触型晶体硅太阳能电池片组件的制作方法 |
KR101889842B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2018-08-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
JP6399990B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-10-03 | 株式会社豊田自動織機 | インターコネクタ及びソーラーパネル |
EP3163630B1 (en) * | 2015-10-08 | 2024-02-21 | Shangrao Xinyuan YueDong Technology Development Co. Ltd | Solar cell module |
CN107425082B (zh) * | 2016-05-03 | 2022-10-28 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池模块 |
EP3288086A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-02-28 | LG Electronics Inc. | Solar cell module and method for manufacturing the same |
CN109791956A (zh) * | 2016-09-20 | 2019-05-21 | 株式会社钟化 | 太阳能电池用布线材料以及太阳能电池模块 |
CN109819681B (zh) * | 2016-09-27 | 2023-04-18 | 株式会社钟化 | 太阳能电池模块 |
US20190341515A1 (en) * | 2016-12-08 | 2019-11-07 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
KR101824523B1 (ko) * | 2017-01-11 | 2018-02-01 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 및 이를 구비하는 휴대용 충전기 |
CN106816486B (zh) * | 2017-04-01 | 2018-12-25 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种n型ibc太阳能电池拼片连接的电池串及其制备方法、组件和系统 |
KR20200130495A (ko) | 2018-04-06 | 2020-11-18 | 선파워 코포레이션 | 태양 전지 스트링잉을 위한 레이저 보조 금속화 공정 |
CN112534589A (zh) | 2018-04-06 | 2021-03-19 | 太阳能公司 | 使用激光束对半导体结构进行局部图案化和金属化 |
WO2019195804A1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation |
US11362234B2 (en) | 2018-04-06 | 2022-06-14 | Sunpower Corporation | Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam |
CN111448672A (zh) * | 2018-04-16 | 2020-07-24 | 太阳能公司 | 具有从切割边缘缩回的结的太阳能电池 |
CN109994571A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-09 | 杭州中为光电技术有限公司 | 一种背接触太阳能电池板的生产方法及生产设备 |
CN111477713A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-07-31 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种用于ibc光伏组件的焊带 |
CN110797426B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-07-27 | 维科诚(苏州)光伏科技有限公司 | 太阳能光伏组件及其制备方法 |
US11532761B2 (en) | 2020-06-04 | 2022-12-20 | Sunpower Corporation | Composite masking between solar cells |
CN112186058A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-05 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种互联件及太阳能电池组件 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3454774A (en) * | 1965-09-10 | 1969-07-08 | Globe Union Inc | Electrical connector for semiconductor devices |
US3993505A (en) * | 1975-05-27 | 1976-11-23 | Hughes Aircraft Company | Interconnector for components such as solar cells or the like |
JPH01198082A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
JP3397443B2 (ja) * | 1994-04-30 | 2003-04-14 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
US5466302A (en) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Regents Of The University Of California | Solar cell array interconnects |
US5641362A (en) * | 1995-11-22 | 1997-06-24 | Ebara Solar, Inc. | Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell |
DE69722976T2 (de) * | 1996-01-10 | 2004-05-13 | Canon K.K. | Solarzellenmodul mit einer spezifischen Abdeckung der zeitlichen Oberflächen, die einen ausgezeichneten Widerstand gegen Feuchtigkeit sowie eine ausgezeichnete Durchsichtigkeit aufweist |
JP3649912B2 (ja) * | 1998-07-09 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2000323208A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-11-24 | Sharp Corp | インターコネクタ、その形成方法およびその接合装置 |
JP2001135846A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
JP2002094102A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 両面接合型太陽電池セル用インターコネクタと同インターコネクタを用いた太陽電池セルおよびその接続方法 |
US20040016456A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Clean Venture 21 Corporation | Photovoltaic device and method for producing the same |
DE102004013833B4 (de) * | 2003-03-17 | 2010-12-02 | Kyocera Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
EP1644989B9 (en) * | 2003-07-07 | 2012-04-04 | Dow Corning Corporation | Encapsulation of solar cells |
US20050172996A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
US7390961B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-06-24 | Sunpower Corporation | Interconnection of solar cells in a solar cell module |
US20070095384A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Farquhar Donald S | Photovoltaic modules and interconnect methodology for fabricating the same |
US20090114262A1 (en) * | 2006-08-18 | 2009-05-07 | Adriani Paul M | Methods and Devices for Large-Scale Solar Installations |
US20110083716A1 (en) * | 2009-07-22 | 2011-04-14 | Applied Materials, Inc. | Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon |
-
2009
- 2009-09-28 KR KR1020090091621A patent/KR101130197B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-17 EP EP10819014A patent/EP2483931A4/en not_active Withdrawn
- 2010-09-17 WO PCT/KR2010/006392 patent/WO2011037373A2/en active Application Filing
- 2010-09-17 CN CN201080041876.0A patent/CN102576756B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-21 US US12/887,008 patent/US20110073165A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-05-16 US US15/155,600 patent/US20160260854A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101223050B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2013-01-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
US9490376B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
KR20140098304A (ko) * | 2013-01-30 | 2014-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
KR20150055507A (ko) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 |
KR20150083388A (ko) * | 2014-01-09 | 2015-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
KR20150083748A (ko) * | 2014-01-10 | 2015-07-20 | 엘지전자 주식회사 | 인터커넥터 및 이를 구비한 태양전지 모듈 |
US11973157B2 (en) | 2015-06-26 | 2024-04-30 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Metallization and stringing for back-contact solar cells |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160260854A1 (en) | 2016-09-08 |
EP2483931A2 (en) | 2012-08-08 |
US20110073165A1 (en) | 2011-03-31 |
KR101130197B1 (ko) | 2012-03-30 |
EP2483931A4 (en) | 2013-03-27 |
WO2011037373A2 (en) | 2011-03-31 |
CN102576756B (zh) | 2016-10-26 |
WO2011037373A3 (en) | 2011-08-25 |
CN102576756A (zh) | 2012-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101130197B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 | |
KR101145927B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 그 제조 방법 | |
KR102175893B1 (ko) | 태양 전지 모듈의 제조 방법 | |
EP2575184B1 (en) | Solar cell module | |
KR20140003691A (ko) | 태양 전지 모듈 및 이에 적용되는 리본 결합체 | |
JP6648986B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
KR20110064980A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
US9337357B2 (en) | Bifacial solar cell module | |
CN102983209A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
US20120211049A1 (en) | Solar cell element and solar cell module | |
US20130146128A1 (en) | Solar cell module | |
JP2011134999A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2013048146A (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR101092468B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
KR20170090082A (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
KR101614166B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 | |
KR101694553B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
KR102219793B1 (ko) | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 | |
JP6298152B2 (ja) | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール | |
KR20160076813A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
KR102257815B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
KR20190030881A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
KR101235339B1 (ko) | 태양전지 모듈 | |
US20240072181A1 (en) | A solar cell assembly | |
CN102822993A (zh) | 太阳能电池串、太阳能电池组件及太阳能电池单元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160224 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170224 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180223 Year of fee payment: 7 |