KR20110028030A - 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판 - Google Patents

세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은 소성 세타를 마련하는 단계, 상기 소성 세타 상에 내부 구속층이 구비된 세라믹 적층체를 형성하는 단계, 상기 세라믹 적층체의 상부면 및 상기 소성 세타와 접하는 상기 세라믹 적층체의 하부면 중 적어도 하나에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층을 제공하는 단계 및 상기 세라믹 적층체를 소성하는 단계를 포함하는 세라믹 기판의 제조 방법 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 복잡한 공정을 거치지 않고도 기판의 휨 변형 정도를 제어할 수 있는 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판을 제공할 수 있다.
온도 보상용 세라믹층, 소성 수축, 휨 변형, 세라믹 기판

Description

세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판{Fabricating method of ceramic substrate and ceramic substrate using the same}
본 발명은 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 복잡한 공정을 거치지 않고도 기판의 휨 변형 정도를 제어할 수 있는 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판에 관한 것이다.
근래에는 회로 기판의 비용 저감이나 부품 실장시의 고정밀화를 위하여, 소성시의 수축 거동의 부정합에 의한 회로 기판의 휨 변형 저감이 요구되고 있다.
이와 같은 회로 기판의 휨 변형 저감을 위하여, 적층체의 표면에 그 적층체의 소성 온도에서는 소성되지 않는 미소성 세라믹층을 접착한 후 소성 함으로써 적층체의 소성 수축에 의한 휨 변형을 미소성 세라믹층으로 구속하여 두께 방향으로만 수축시키고 미소성 세라믹층은 연마하여 깍아내는 방법이 사용되고 있다.
그러나, 상기 방법은 회로 기판의 길이 방향의 수축은 억제할 수 있지만, 소성 종료 이후에는 미소성 세라믹층을 연마하여 깍아내는 공정이 요구되므로, 제조 공정이 복잡해지고 비용이 증가하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 복잡한 공정을 거치지 않고도 기판의 휨 변형 정도를 제어할 수 있는 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,
소성 세타를 마련하는 단계, 상기 소성 세타 상에 내부 구속층이 구비된 세라믹 적층체를 형성하는 단계, 상기 세라믹 적층체의 상부면 및 상기 소성 세타와 접하는 상기 세라믹 적층체의 하부면 중 적어도 하나에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층을 제공하는 단계 및 상기 세라믹 적층체를 소성하는 단계를 포함하는 세라믹 기판의 제조 방법을 제공한다.
여기서, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
또한, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
또한, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면 및 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지며, 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
그리고, 상기 소성은 상기 세라믹 적층체와 상기 온도 보상용 세라믹층이 일체화되도록 동시에 완결될 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 다른 실시 형태는,
내부에 적어도 하나의 내부 구속층이 구비된 세라믹 적층체 및 상기 세라믹 적층체의 상부면 및 상기 소성 세타와 접하는 상기 세라믹 적층체의 하부면 중 적어도 하나에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층을 포함하는 세라믹 기판을 제공한다.
여기서, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보 다 높은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
또한, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
또한, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면 및 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지며, 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 복잡한 공정을 거치지 않고도 기판의 휨 변형 정도를 제어할 수 있는 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판을 제공할 수 있다.
또한, 세라믹 기판의 휨 변형 정도가 종래의 세라믹 기판보다 현저하게 감소하므로, 세라믹 기판의 표면을 평평하고 매끄럽게 하기 위한 별도의 연마 공정이 불필요하다.
더욱이, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 세라믹 기판의 온도 보상용 세라믹층은 세라믹 기판의 일부가 되므로 소성 공정 이후 별도로 제거될 필요가 없다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 기판의 형성 공정을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 세라믹 기판(1, 2, 3)은 내부에 적어도 하나의 내부 구속층(100c, 100e, 200c, 200e, 300c, 300e)이 구비된 세라믹 적층체(100, 200, 300) 및 세라믹 적층체(100, 200, 300)의 상부면(100B, 200B, 300B) 또는 하부면(100A, 200A, 300A)에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(110, 230, 310, 330)을 포함한다.
여기서, 세라믹 적층체(100, 200, 300)의 상부면(100B, 200B, 300B)에 제공되는 온도 보상용 세라믹층(230, 330)은 상기 세라믹 적층체(100, 200, 300)의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지며, 세라믹 적층체(100, 200, 300)의 하부면(100A, 200A, 300A)에 제공되는 온도 보상용 세라믹층(110, 310)은 상기 세라믹 적층체(100, 200, 300)의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가진다.
또한, 세라믹 적층체(100, 200, 300) 및 온도 보상용 세라믹층(110, 230, 310, 330)이 일체화되도록 소성이 동시에 완결된다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 기판의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.
도 1(a)에서와 같이, 마련된 소성 세타(10) 상에 이후 형성될 세라믹 적층 체(100')의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(110')을 형성한다.
다음, 도 1(b)에서와 같이, 온도 보상용 세라믹층(110') 상에 적어도 하나의 내부 구속층(100c', 100e')이 구비된 세라믹 적층체(100')를 형성한 후, 온도 보상용 세라믹층(110')이 하부면(100A)에 형성된 세라믹 적층체(100')를 일정온도에서 소성한다.
다음, 도 1(c)에서와 같이, 소성 세타(10)를 분리하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판(1)을 형성한다. 상기와 같이 준비된 세라믹 적층체(100)는 표면을 매끄럽게 다듬고, 연결 단자(도시하지 않음)가 표면 외부로 노출되도록 연마될 수도 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판(1)은 세라믹 기판(1) 자체의 내부에 길이 방향의 수축을 억제하는 내부 구속층(100c, 100e)이 구비되어 있어, 두께 방향으로만 약간의 수축이 유도된다.
또한, 소성 세타(10)와 세라믹 적층체(100)의 하부면(100A) 사이에 온도 보상용 세라믹층(110)을 제공하여, 길이 방향의 수축을 더욱 억제할 수 있다.
세라믹 적층체(100)의 소성 공정시, 온도가 높은 공기와 접촉하는 세라믹 적층체(100)의 상부면(100B)은 비교적 고온인 상태인데 비하여, 소성 세타(10)와 접촉하는 세라믹 적층체(100)의 하부면(100A)은 소성 세타(10)에 의해 고온의 공기가 차단되어 있기 때문에 비교적 저온인 상태이다. 또한, 세라믹 적층체(100)의 상부면(100B)과 하부면(100A) 사이의 중간 영역은 대략 상부면(100B)과 하부면(100A)의 중간 정도의 온도를 가질 것이다.
이와 같이, 세라믹 적층체(100)의 불균일한 온도 프로파일을 보정하기 위해 소성 세타(10)와 세라믹 적층체(100)의 하부면(100A) 사이에, 세라믹 적층체(100)의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(110)을 제공함으로써 소성 수축이 비교적 느린 하부면(100A)의 소성 수축 개시가 빨라지도록 조절할 수 있다. 이와 같이, 세라믹 적층체(100)의 불균일한 온도 프로파일을 보정 후 소성함으로써, 세라믹 적층체(100)와 온도 보상용 세라믹층(110)의 소성시 세라믹 적층체(100)의 상하 간의 소성 시간차가 줄어들어 소성이 거의 동시에 완결될 수 있으며, 소성 시간 또한 단축되는 효과가 있다. 상기 결과로, 세라믹 적층체(100)의 길이 방향의 수축을 더욱 억제하여, 소성 후 형성되는 세라믹 기판(1)의 휨 변형을 저감할 수 있다.
한편, 도 2에서는 본 발명의 제2 실시예를 도시하고 있는데, 도 2(a)에서와 같이, 마련된 소성 세타(20) 상에 적어도 하나의 내부 구속층(200c', 200e')이 구 비된 세라믹 적층체(200')를 형성한다.
다음, 도 2(b)에서와 같이, 세라믹 적층체(200') 상에 세라믹 적층체(20')의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(230')을 형성한 후, 온도 보상용 세라믹층(230')이 상부면(200B)에 형성된 세라믹 적층체(200')를 일정온도에서 소성한다.
다음, 도 2(c)에서와 같이, 소성 세타(20)를 분리하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 기판(2)을 형성한다. 상기와 같이 준비된 세라믹 적층체(200)는 표면을 매끄럽게 다듬고, 연결 단자(도시하지 않음)가 표면 외부로 노출되도록 연마될 수도 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 기판(2)은 세라믹 기판(2) 자체의 내부에 길이 방향의 수축을 억제하는 내부 구속층(200c, 200e)이 구비되어 있어, 두께 방향으로만 약간의 수축이 유도된다.
또한, 세라믹 적층체(200)의 상부면(200B)에 온도 보상용 세라믹층(230)을 제공하여, 길이 방향의 수축을 더욱 억제할 수 있다.
세라믹 적층체(200)의 소성 공정시, 온도가 높은 공기와 접촉하는 세라믹 적 층체(200)의 상부면(200B)은 비교적 고온인 상태인데 비하여, 소성 세타(230)와 접촉하는 세라믹 적층체(200)의 하부면(200A)은 소성 세타(20)에 의해 고온의 공기가 차단되어 있기 때문에 비교적 저온인 상태이다. 또한, 세라믹 적층체(200)의 상부면(200B)과 하부면(200A) 사이의 중간 영역은 대략 상부면(200B)과 하부면(200A)의 중간 정도의 온도를 가질 것이다.
이와 같이, 세라믹 적층체(200)의 불균일한 온도 프로파일을 보정하기 위해 세라믹 적층체(200)의 상부면(200B)에, 세라믹 적층체(200)의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(230)을 제공함으로써 소성 수축이 비교적 빠른 상부면(200B)의 소성 수축 개시가 느려지도록 조절할 수 있다. 이와 같이, 세라믹 적층체(200)의 불균일한 온도 프로파일을 보정 후 소성함으로써, 세라믹 적층체(200)와 온도 보상용 세라믹층(230)의 소성시 세라믹 적층체(200)의 상하 간의 소성 시간차가 줄어들어 소성이 거의 동시에 완결될 수 있으며, 소성 시간 또한 단축되는 효과가 있다. 상기 결과로, 이에 따라, 세라믹 적층체(200)의 길이 방향의 수축을 더욱 억제하여, 소성 후 형성되는 세라믹 기판(2)의 휨 변형을 저감할 수 있다.
한편, 도 3에서는 본 발명의 제3 실시예를 도시하고 있는데, 도 3(a)에서와 같이, 마련된 소성 세타(30) 상에 이후 형성될 세라믹 적층체(300')의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(310')을 형성한다.
다음, 도 3(b)에서와 같이, 온도 보상용 세라믹층(310') 상에 적어도 하나의 내부 구속층(300c', 300e')이 구비된 세라믹 적층체(300')를 형성한다.
다음, 도 3(c)에서와 같이, 세라믹 적층체(300') 상에 세라믹 적층체(300')의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(330')을 형성한 후, 온도 보상용 세라믹층(310')이 소성 세타(30)와 하부면(300A)에 형성되소 동시에 다른 온도 보상용 세라믹층(330')이 상부면(300B)에 형성된 세라믹 적층체(300')를 일정온도에서 소성한다.
다음, 도 2(d)에서와 같이, 소성 세타(30)를 분리하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 기판(3)을 형성한다. 상기와 같이 준비된 세라믹 적층체(300)는 표면을 매끄럽게 다듬고, 연결 단자(도시하지 않음)가 표면 외부로 노출되도록 연마될 수도 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 기판(3)도 역시 이전 실시예에서와 마찬가지로 세라믹 기판(3) 자체의 내부에 길이 방향의 수축을 억제하는 내부 구속층(300c, 300e)이 구비되어 있어, 두께 방향으로만 약간의 수축이 유도된다.
또한, 소성 세타(30)와 세라믹 적층체(300)의 하부면(300A) 사이에 온도 보상용 세라믹층(310)을 제공하고, 세라믹 적층체(300)의 상부면(300B)에 온도 보상용 세라믹층(330)을 제공하여, 길이 방향의 수축을 더욱 더 억제할 수 있다.
세라믹 적층체(300)의 소성 공정시, 온도가 높은 공기와 접촉하는 세라믹 적층체(300)의 상부면(300B)은 비교적 고온인 상태인데 비하여, 소성 세타(30)와 접촉하는 세라믹 적층체(300)의 하부면(300A)은 소성 세타(30)에 의해 고온의 공기가 차단되어 있기 때문에 비교적 저온인 상태이다. 또한, 세라믹 적층체(300)의 상부면(300B)과 하부면(300A) 사이의 중간 영역은 대략 상부면(300B)과 하부면(300A)의 중간 정도의 온도를 가질 것이다.
이와 같이, 세라믹 적층체(300)의 불균일한 온도 프로파일을 보정하기 위해 소성 세타(30)와 세라믹 적층체(300)의 하부면(300A) 사이에는 세라믹 적층체(300)의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(310)을 형성하고, 세라믹 적층체(300)의 상부면(300B)에, 세라믹 적층체(300)의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(330)을 동시에 제공함으로써 소성 수축이 비교적 느린 하부면(300A)의 소성 수축 개시 온도는 빨라지도록 조절하는 동시에, 소성 수축이 비교적 빠른 상부면(300B)의 소성 수축 개시 온도는 느려지도록 조절할 수 있다. 이와 같이, 세라믹 적층체(300)의 불균일한 온도 프로파일을 보정 후 소성함으로써, 세라믹 적층 체(300)와 온도 보상용 세라믹층(310, 330)의 소성시 세라믹 적층체(300)의 상하 간의 소성 시간차가 줄어들어 소성이 거의 동시에 완결될 수 있으며, 소성 시간 또한 단축되는 효과가 있다. 상기 결과로, 이에 따라, 세라믹 적층체(300)의 길이 방향의 수축을 더욱 더 효과적으로 억제하여, 소성 후 형성되는 세라믹 기판(3)의 휨 변형을 상당량 저감할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조된 세라믹 기판(1)의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하기 위하여 세라믹 기판의 위치를 분할하여 도시한 모식도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 평면적으로 비교하여 도시한 그래프이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 입체적으로 비교하여 도시한 그래프이다.
도 4(a)를 참조하면, 화살표로 표시한 구간은 지면을 기준으로 하였을 때, 지면으로부터 세라믹 기판(1)의 휨 변형 정도를 나타낸다. 세라믹 기판(1)의 휨 변형 정도는 지면을 기준으로 하였을 때, 세라믹 기판(1)의 가장 높은 부분에서 세라믹 기판(1)의 두께를 뺀 값, 즉 화살표로 표시한 구간이 된다.
도 4(b)는 본 발명의 제1 실시예의 세라믹 기판(1)의 상부면(100B)의 분할된 영역마다의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하기 위하여, 세라믹 기판(1)의 상부면(100B)을 분할하여 도시한 것이다.
도 5(a)는 종래의 세라믹 기판의 위치별 휨 변형 정도를 평면적으로 도시한 그래프이고, 도 5(b)는 본 발명의 제1 실시예의 세라믹 기판(1)의 위치별 휨 변형 정도를 평면적으로 도시한 그래프이다.
도 5(a)의 D 영역에서 A 영역으로 갈수록 즉, 세라믹 기판의 중앙 영역으로 갈수록 휨 변형 정도가 커지며, 상부를 향하여 볼록한 형상을 가진다(도 6(a) 참조). 여기서, 도 4의 모식도에서의 세라믹 기판(1)의 위치별 휨 변형 정도(㎜)를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure 112009056090834-PAT00001
도 5(b)는 본 발명의 제1 실시예에 따라 소성 수축 개시 온도가 760℃인 세라믹 기판(1)의 하부면(100A)과 소성 세타(10) 사이에 소성 수축 개시 온도가 670℃로 세라믹 적층체(100)의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 온도 보상용 세라믹층(110)이 제공된 세라믹 기판(1)의 위치별 휨 변형 정도를 평면적으로 도시한 그래프인데, 도 5(b)의 E 영역보다 F 영역, 즉 세라믹 기판(1)의 중앙 영역의 휨 변형 정도가 커지며, 상부를 향하여 오목한 형상을 가진다(도 6(b) 참조). 여기서, 도 4의 모식도에서의 세라믹 기판(1)의 위치별 휨 변형 정도(㎜)를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure 112009056090834-PAT00002
상기 결과에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조된 소성 세타(10)와 세라믹 적층체(100) 사이에 세라믹 적층체(100)의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층(110)을 제공한 후, 소성하여 형성된 세라믹 기판(1)은 종래의 세라믹 기판의 경우와는 다르게 상부를 향하여 약간 오목한 형상을 가진다. 이와 같은 형상은 종래의 세라믹 기판의 상부를 향하여 볼록하게 휜 형상과는 상반되는 형태이다. 상기 결과에서 볼 수 있듯 이, 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 적층체(100, 200, 300)와는 다른 소성 수축 개시 온도를 갖는 온도 보상용 세라믹층(110, 230, 310, 330)을 소성 공정시 적용할 경우, 사용자의 필요에 따라 세라믹 기판(1)의 휨 변형 정도 뿐만 아니라 형상도 제어할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 세라믹 기판(1)의 휨 변형 정도 또한 종래의 세라믹 기판보다 현저하게 감소하였다.
본 발명의 실시예에 따라 제조된 세라믹 기판(1, 2, 3)에서, 온도 보상용 세라믹층(110, 230, 310, 330)은 세라믹 기판(1, 2, 3)의 일부가 되므로 소성 공정 이후 별도로 제거될 필요가 없다. 또한, 세라믹 기판(1, 2, 3)의 휨 변형 정도 또한 종래의 세라믹 기판보다 현저하게 감소하므로, 세라믹 기판(1, 2, 3)의 표면을 평평하고 매끄럽게 하기 위한 별도의 연마 공정 또한 생략 가능할 것이다.
또한, 기판이 대면적화 될수록 기판의 휨 변형 정도는 더욱 심해지는데, 본 발명의 실시예에 따른 온도 보상용 세라믹층을 필요에 따라 적절하게 사용한다면, 복잡한 공정을 거치지 않고도 기판의 휨 변형 정도를 제어할 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위 에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 세라믹 기판을 형성하는 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하기 위하여 세라믹 기판의 위치를 분할하여 도시한 모식도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하여 평면적으로 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 세라믹 기판의 휨 변형 정도를 종래의 세라믹 기판의 휨 변형 정도와 비교하여 입체적으로 도시한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 2, 3: 세라믹 기판 10, 20, 30: 소성 세타
100, 200, 300: 세라믹 적층체 110, 230, 310, 330: 온도 보상용 세라믹층

Claims (9)

  1. 소성 세타를 마련하는 단계;
    상기 소성 세타 상에 적어도 하나의 내부 구속층이 구비된 세라믹 적층체를 형성하는 단계;
    상기 세라믹 적층체의 상부면 및 상기 소성 세타와 접하는 상기 세라믹 적층체의 하부면 중 적어도 하나에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층을 제공하는 단계; 및
    상기 세라믹 적층체를 소성하는 단계
    를 포함하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되며, 상 기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면 및 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지며, 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소성은 상기 세라믹 적층체와 상기 온도 보상용 세라믹층이 일체화되도록 동시에 완결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  6. 내부에 적어도 하나의 내부 구속층이 구비된 세라믹 적층체; 및
    상기 세라믹 적층체의 상부면 및 상기 소성 세타와 접하는 상기 세라믹 적층 체의 하부면 중 적어도 하나에 상기 세라믹 적층체와 다른 소성 수축 개시 온도를 가지는 온도 보상용 세라믹층
    을 포함하는 세라믹 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되며, 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 하부면 및 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되며, 상기 세라믹 적층체의 하부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 낮은 소성 수축 개시 온도를 가지며, 상기 세라믹 적층체의 상부면에 제공되는 상기 온도 보상용 세라믹층은 상기 세라믹 적층체의 소성 수축 개시 온도보다 높은 소성 수축 개시 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판.
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