KR102001051B1 - 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법 및 그에 따라 재생된 이그조 스퍼터링 타겟 - Google Patents

Abstract

본 발명은 스퍼터링(Sputtering) 공법에 사용된 후의 타겟에서 타겟 물질을 재생시킴으로써, 희귀 자원인 타겟 물질의 소비를 줄일 수 있게 하는 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법과 관련되며, 실시예로, 사용된 스퍼터링 타겟으로부터 소모된 부위가 존재하는 타겟본체를 백킹 플레이트와 분리하는 단계, 분리된 상기 타겟본체에서, 상기 소모된 부위를 포함한 표면을 연마 처리하여 평탄한 표면을 생성하는 단계, 새로운 백킹 플레이트 상에 서브 플레이트를 접합하는 단계 및 상기 서브 플레이트 상에 재단된 상기 타겟본체를 접합하는 단계를 포함하는 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법 및 그에 따라 재생된 스퍼터링 타겟을 제시한다.

Description

이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법 및 그에 따라 재생된 이그조 스퍼터링 타겟{PREPARATION METHOD OF IGZO SPUTTERING TARGET AND IGZO SPUTTERING TARGET PREPARED THEREBY}

본 발명은 스퍼터링(Sputtering) 공법에 사용된 후의 타겟에서 타겟 물질을 재생시킴으로써, 희귀 자원인 타겟 물질의 소비를 줄일 수 있게 하는 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법 및 그에 따라 재생된 스퍼터링 타겟과 관련된다.

스퍼터링은 낮은 진공 환경에서 플라즈마가 된 아르곤 가스 등이 가속하여 타겟 물질의 표면에서 원자를 분출시키고, 분출된 원자가 기판에 날아가 증착됨으로써 박막을 형성시키는 공법이다. 이온화된 가스가 타겟 물질과 충돌하면서 타겟 물질의 원자를 분리시키므로 사용에 따라 타겟 물질의 손실이 발생된다.

타겟 물질의 표면에서 이루어지는 원자의 분출은 그 위치를 특정하기 어려우므로, 분출이 이루어질 수 있는 면적만큼 넓은 타겟을 장착하게 된다. 그러나 타겟 물질의 손실은 좁은 면적에 집중되는 경향이 있어, 사용되지 못한 잔여 타겟 물질이 남게 된다. 통상적인 TFT 공정(박막 트랜지스터를 이용한 LCD, LED 또는 OLED 생산 공정)에서 타겟 물질은 15~30% 정도만 사용되고, 나머지는 폐기되고 있다.

이그조(IGZO) 스퍼터링 타겟의 구성 물질로는 희귀금속인 인듐(In)이 주로 사용되고 있다. 인듐은 매장량이 적어 극히 고가에 거래되고 있으며, 이그조 스퍼터링 타겟 원가의 대부분을 차지하게 된다. 상술한 바와 같이 스퍼터링 타겟의 사용 효율이 매우 저조한 실정이므로 희귀금속을 주성분으로 하는 이그조 스퍼터링 타겟에 있어서 사용 효율을 높이는 방안이 더욱 필요하다.

대한민국 공개특허 제10-2002-0079422호 (2002.10.19) 대한민국 공개특허 제10-2016-0051578호 (2016.05.11)

본 발명은 이그조 스퍼터링 타겟의 타겟 물질을 이용하여 새로운 이그조 스퍼터링 타겟을 제조함으로써, 희귀금속의 소모를 줄일 수 있게 하고자 한다.

그 외 본 발명의 세부적인 목적은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여 이 기술분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.

위 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 실시예로, 사용된 스퍼터링 타겟으로부터 소모된 부위가 존재하는 타겟본체를 백킹 플레이트와 분리하는 단계, 분리된 상기 타겟본체에서, 상기 소모된 부위를 포함한 표면을 연마 처리하여 평탄한 표면을 생성하는 단계, 새로운 백킹 플레이트 상에 서브 플레이트를 접합하는 단계 및 상기 서브 플레이트 상에 재단된 상기 타겟본체를 접합하는 단계를 포함하는 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법을 제시한다.

여기서 상기 타겟본체와 상기 백킹 플레이트를 분리하는 단계는, 상기 사용된 스퍼터링 타겟을 분당 5℃ 내지 10℃의 수준으로, 200℃ 내지 250℃로 승온시킨 상태에서 이루어질 수 있다.

또한 상기 타겟본체의 표면을 연마 처리하는 단계는, 상기 소모된 부위의 최대 깊이까지 연마 처리하는 1차 연마 단계와, 상기 1차 연마 단계 이후 0.2 mm 내지 0.4 mm의 깊이까지 연마 처리하는 2차 연마 단계를 포함할 수 있다.

나아가 상기 서브 플레이트와 상기 새로운 백킹 플레이트는 동일한 물질이며, 상기 새로운 백킹 플레이트와 상기 서브 플레이트의 접합에는 접합재로 주석이 사용되고, 접합 온도는 240℃ 내지 250℃일 수 있다.

또한 상기 타겟본체와 상기 서브 플레이트의 접합 단계는, 상기 접합재로써 인듐이 사용되고, 접합 온도는 210℃ 내지 230℃일 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 사용하였던 이그조 스퍼터링 타겟에서 희귀 금속인 타겟본체를 재활용할 수 있게 하므로, 스퍼터링에 소비되는 희귀 금속의 사용 효율을 증대시키고 경제성을 개선한다.

그 외 본 발명의 효과들은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여, 또는 본 발명을 실시하는 과정 중에 이 기술분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이그조 스퍼터링 타겟의 재생 절차에 따른 각 단계를 간략히 나타낸 도면.
도 2는 도 1에 도시한 단계 이후를 간략히 나타낸 도면.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법 및 그에 따라 재생된 이그조 스퍼터링 타겟의 구성, 기능 및 작용을 설명한다. 단, 도면들에 걸쳐 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 도면번호는 통일하여 사용하기로 한다.

또한 도면에서는 이해를 돕기 위하여, 구성요소들의 형상, 두께 등을 과장하여 표현하거나 간소화하고 있다.

첨부된 도면은 본 발명의 적용된 실시예를 나타낸 것으로, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 통하여 제한 해석해서는 아니된다. 이 기술분야에 속하는 전문가의 견지에서 도면에 도시된 일부 또는 전부가 발명의 실시를 위하여 필연적으로 요구되는 형상, 모양, 순서가 아니라고 해석될 수 있다면, 이는 청구범위에 기재된 발명을 한정하지 아니한다.

본 발명의 실시예에 따른 이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법은 사용된 스퍼터링 타겟(100A)에서 백킹 플레이트(10A)와 타겟본체(30)를 분리하는 단계, 분리된 타겟본체(30)를 연마 처리하여 평탄한 표면을 생성하는 단계, 새로운 백킹 플레이트(10)에 서브 플레이트(20)를 접합하는 단계, 서브 플레이트(20)에 연마된 타겟본체(30)를 접합하는 단계를 포함한다.

여기서 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)를 접합하는 단계를 먼저 거친 후 서브 플레이트(20)에 타겟본체(30)를 접합하는 단계를 진행하는 것으로 한다.

한편, 사용된 스퍼터링 타겟(100A)에서 타겟본체(30)를 분리하는 단계나 분리된 타겟본체(30)의 표면을 연마 처리하는 단계는 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)를 접합하는 단계 이전 또는 이후에 진행되어도 무방하다.

이하 상술한 공정 단계에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

(1) 사용된 스퍼터링 타겟에서 백킹 플레이트와 타겟본체를 분리한다.

도 1의 (a)는 사용된 스퍼터링 타겟(100A)과 관련된다. 사용된 스퍼터링 타겟(100A)은 백킹 플레이트(10A) 상에 타겟본체(30)가 접합되어 있고, 상단부에는 소모된 부위(31)가 파인 형태로 존재하고 있다. 소모된 부위(31)의 형태는 부정형이며, 대략 홈의 형상으로 남는다.

도 1의 (a)에서 백킹 플레이트(10A)와 타겟본체(30)는 접합재(도시 생략)로 접합되어 있다. 타겟본체(30)를 백킹 플레이트(10A)에서 분리하기 위하여, 접합재의 용융 온도까지 스퍼터링 타겟(100A)을 승온시킬 필요가 있다.

스퍼터링 타겟을 승온시키기 위하여 핫플레이트가 사용될 수 있다. 이와 달리 스퍼터링 타겟을 적정온도로 승온시키기 위하여 공지된 다양한 승온 장치가 사용될 수 있다.

백킹 플레이트와 타겟본체를 접합시키는 데에 사용된 접합재에 따라 승온시킬 온도가 결정된다. 이때 접합재로 인듐(In)이나 주석(Sn)이 주로 사용되므로, 스퍼터링 타겟을 200℃ 내지 250℃로 승온시킨 상태에서 30분 내외로 유지하여, 백킹 플레이트에서 타겟본체를 분리시킬 수 있게 된다.

상온 상태인 스퍼터링 타겟을 200℃ 내지 250℃로 승온시키는 데 있어서, 급작스런 가열 조건을 분당 5℃ 내지 10℃로 한정할 수 있다. 분당 10℃ 이상의 급작스런 가열은 백킹 플레이트 내에의 온도 구배에 의한 휨이 크게 발생하게 된다. 또한 타겟본체가 두꺼운 경우에 타겟본체에 크랙이 발생될 가능성이 높아지는 단점이 있다. 따라서 적정한 생산성을 보장하면서도, 백킹 플레이트의 변형이나 타겟본체의 훼손을 방지하기 위하여 스퍼터링 타겟을 분당 5℃ 내지 10℃의 속도로 승온시키는 것이 바람직하다.

타겟본체를 백킹 플레이트와 분리한 이후 타겟본체에 잔여하는 접합재는 고융점 고무 등을 이용하여 제거할 수 있다. 이로써 후술하는 타겟본체와 서브 플레이트의 접합이 보다 확실하게 이루어질 수 있게 된다.

(2) 분리된 타겟본체를 연마 처리하여 평탄한 표면을 생성한다.

도 1의 (b) 내지 (c)를 참고하면, 분리된 타겟본체(30)의 표면에 형성된 소모된 부위(31)는 연마 처리를 거쳐 평탄면으로 생성된다. 이때 연마 처리되는 범위는 소모된 부위가 존재하는 노출면 전체로 하며, 깊이에 따라 1차 연마 처리 단계와, 2차 연마 처리 단계를 거치게 된다. 여기서 연마 처리를 위한 연삭 장치는 공지된 바와 같은 MCT 등이 사용될 수 있다.

1차 연마 처리 단계는 소모된 부위의 최대 깊이(D1)까지 타겟본체를 연마하는 단계이다. 1차 연마 처리 단계는 대체로 평탄한 면을 얻기 위한 것으로, 소모 부위(31)가 노출되어 있는 타겟본체(30)의 일면을 빠르게 연삭할 수 있다.

최대 깊이(D1)에 맞추어 1차 연마 처리하는 경우, 홈으로 파인 부분(소모된 부분)과 그러하지 아니한 부분에 전달되는 연삭재의 마찰 차이에 의하여, 얻어진 평탄면의 조도가 우수하지 못하는 단점이 있다.

따라서 2차 연마 처리 단계는, 평탄화된 타겟본체의 상면을 추가로 더 깊이 연마 처리함으로써 최종적인 표면 조도를 요구되는 수준에 맞출 수 있게 한다. 2차 연마 처리 단계는 1차 연마 처리를 거쳐 얻어진 평탄면을 연마하는 것으로써, 국지적인 편차 없이, 평면 전체를 고르게 연마하여 고른 조도를 얻을 수 있게 된다.

2차 연마 처리 단계에서는 조도를 향상시키기 위하여 1차 연마 처리 단계의 연삭휠과 다른 연삭휠을 사용하는 등 연마 조건을 다르게 할 수 있다.

2차 연마 처리 단계에서 연마되는 추가 깊이(D2)는 0.2 mm 내지 0.4 mm가 될 수 있다. 반복된 실험에 따르면 2차 연마 처리 단계를 거친 이후 측정되는 타겟본체 표면조도가 0.2 mm 추가 깊이로 가공된 이후 일정하게 측정되는 점과, 2차 연마 처리 단계를 거치는 과정 중의 타겟본체 물질의 손실을 감안할 때에, 2차 연마 처리 단계에서 연마하는 추가 깊이(D2)는 0.2 mm 내지 0.4 mm가 바람직하다.

타겟본체의 표면을 연마 처리하는 단계 이후에는, 이 타겟본체를 접합시킬 서브 플레이트의 사이즈에 맞추어 타겟본체의 측면부를 절단 가공하는 단계를 더 거칠 수 있다.

(3) 새로운 백킹 플레이트에 서브 플레이트를 접합한다.

도 2의 (a)를 참고하면, 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)의 접합 단계는, 새로운 백킹 플레이트(10)에 서브 플레이트(20)를 접합하는 단계로, 서브 플레이트(20)는 연마 단계까지를 거치면서 소실된 타겟본체(30)의 일부분을 대체하여, 타겟본체의 최종 높이를 전과 동일하게 맞출 수 있게 한다. 또한 서브 플레이트(20)는 재생되는 스퍼터링 타겟에서 사용되지 아니하는 타겟본체(30)의 하단부분에 위치시킴으로써, 재생된 스퍼터링 타겟에 사용되는 타겟본체(30)의 분량을 줄이는 데에 기여한다.

이때 서브 플레이트(20)는 타겟본체와 대응하는 면적으로 준비될 수 있다. 타겟본체(30)와 동일한 면적을 가지는 서브 플레이트(20)를 사용함으로써, 이후 타겟본체와 서브 플레이트의 결합 시에 타겟본체의 크랙 발생 문제, 타겟본체와 서브 플레이트에 사용되는 접합재의 용출 문제 등을 해소할 수 있다.

새로운 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)의 접합에는 접합재(B1)가 사용된다. 이 접합재(B1)는 후술하는 타겟본체와 서브 플레이트의 접합에 사용되는 접합재(B2)보다 녹는점이 더 높은 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 타겟본체(30)와 서브 플레이트(20)의 접합에 인듐(In)이 접합재로 사용될 때에, 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)의 접합에는 주석(Sn)이 접합재로 사용될 수 있다.

접합재(B1)로 주석(Sn)을 사용하는 경우, 새로운 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)의 접합 온도는 240℃ 내지 250℃로 할 수 있다. 주석(Sn)의 녹는점보다 높게 승온된 환경에서, 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)를 접합함으로써 본딩율(결합율)을 높게 할 수 있다. 또한 고온 환경에서 백킹 플레이트의 휨을 고려하여 상한을 250℃로 제한할 수 있다.

한편 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 백킹 플레이트(10)의 물질과 서브 플레이트(20)의 물질은, 양자 모두 구리(Cu)이거나 타이타늄(Ti)일 수 있다.

이와 같이 백킹 플레이트와 서브 플레이트가 동일한 물질로 이루어짐으로써, 접합재를 용융시켜 양자를 접합할 때에, 열팽창 계수의 차이에 의한 상이한 접합면 수축률에 따른 물리적 이탈을 방지할 수 있다. 특히 재생 스퍼터링 타겟은 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 결합뿐만 아니라, 서브 플레이트와 타겟본체의 접합 단계를 거치는 관계로, 가열 접합이 2번 걸쳐 진행되므로, 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 물질이 서로 다른 경우에 반복된 열팽창과 수축에 따라 접합이 불량될 소지가 크다. 따라서 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 물질을 동일하게 구성함으로써, 열팽창에 따른 접합면 불량률을 크게 낮출 수 있게 된다.

서브 플레이트(20)의 두께는, 그 위에 접합될 타겟본체(30) 두께의 1/2 이하로 할 수 있다. 더욱 바람직하게는 연마 단계에서 소실되는 타겟본체의 두께(즉 최대 깊이에 추가 깊이를 더 한 깊이)과 동일할 수 있다.

(4) 서브 플레이트에 연마된 타겟본체를 접합한다.

도 2의 (b)를 참고하면, 연마 가공된 타겟본체(30)는 서브 플레이트(20)에 접합재(B2)를 통하여 접합된다. 백킹 플레이트(10)와 서브 플레이트(20)가 주석을 접합재(B1)로 하여 접합된 상태이므로, 타겟본체(30)와 서브 플레이트(20)의 접합재(B2)는 주석보다 낮은 녹는점을 가지는 것으로 선정할 수 있다. 이때 타겟본체(30)의 접합을 위한 접합재(B2)로 인듐(In)이 사용될 수 있다.

구체적으로 접합재(B2)로 인듐이 사용되는 경우, 타겟본체(30)와 서브 플레이트(20)의 접합 온도는 210℃ 내지 230℃로 할 수 있다. 실험에 의하면 210℃ 이상에서 접합률이 99%를 상회하기 시작하여 유효한 것으로 볼 수 있으며, 230℃ 이상에서는 서브 플레이트와 백킹 플레이트의 접합재가 다시 녹아, 백킹 플레이트에 대한 서브 플레이트의 접합률 불량이 발생되기 시작하게 된다. 따라서 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 접합에 영향을 적게 미치면서 타겟본체를 높은 접합률로 접합시키기 위한 적정 접합 온도 범위를 210℃ 내지 230℃로 한정하는 것이 바람직하다.

도 2의 (c)는 재생된 스퍼터링 타겟(100)과 관련된다. 재생된 스퍼터링 타겟(100)은 한 번 사용된 스퍼터링 타겟(100A)에서 얻는 타겟본체(30)가 재생되어 안치되고, 그 상실된 높이만큼을 서브 플레이트(20)가 대체하게 된다. 이 스퍼터링 타겟(100)의 사용에 따라 분출되어 소모되는 부위는 서브 플레이트(20)에 이르지 아니하게 된다.

다음으로 본 발명의 일 실시예에 따른 이그조 스퍼터링 타겟의 제조방법에 대하여 실험예(실시예 및 비교예 포함)를 들어 상세하게 설명한다. 하기의 실험예 중 실시예는 본 발명의 한 형태를 제시하는 것에 불과할 뿐이며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

실험예 1 : 사용된 스퍼터링 타겟에서 타겟본체의 분리

사용 완료된 이그조 스퍼터링 타겟에서 백킹 플레이트로부터 타겟본체를 분리하기 위하여, 승온 온도를 달리하면서 타겟본체의 분리를 시도하였다. 여기서 타겟본체의 사이즈는 가로 220mm, 세로 320mm, 두께 5mm이고, 재질은 인듐 또는 주석으로, 순도 : 99.99중량% 이다. 실험 결과는 다음의 표 1 및 표 2와 같다.

	비교예1	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5	실시예6	비교예2
접합재	인듐	인듐	인듐	인듐	인듐	인듐	인듐	인듐
승온온도 (℃)	190	200	210	220	230	240	250	260
디본딩 유/무	무	유	유	유	유	유	유	유
백킹 플레이트의 휨(mm)	0.05	0.05	0.09	0.10	0.13	0.20	0.50	1.65

	비교예1	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5	실시예6	비교예2
접합재	주석	주석	주석	주석	주석	주석	주석	주석
승온온도 (℃)	190	200	210	220	230	240	250	260
디본딩 유/무	무	무	무	무	무	유	유	유
백킹 플레이트의 휨(mm)	0.05	0.05	0.12	0.12	0.15	0.22	0.48	1.55

표 1과 표 2를 참고하면, 접합재가 인듐인 경우 200℃ 이상에서부터 타겟본체의 분리가 가능하며, 접합재가 주석인 경우에는 240℃ 이상에서부터 타겟본체의 분리가 가능하게 된다. 250℃에서 백킹 플레이트의 휨이 증가되는 현상을 보이며, 260℃부터 백킹 플레이트의 휨 정도가 증대하는 경향이 보인다.

실험예 2 : 타겟본체의 연마 깊이에 따른 조도 변화

상기 실험예 1에서 얻은 타겟본체의 소모 부위를, 전술한 실시예에 따라 1차 연마 처리하거나(비교예1), 1, 2차 연마 처리를 거친 후 표면의 조도를 측정하였다. 실험결과는 아래 표 3과 같다.

	비교예1	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4
추가 깊이 (mm)	0.0	0.1	0.2	0.3	0.4
조도(Ra, ㎛)	6.8	5.5	3.2	3.1	3.2

표 3을 참고하면, 추가 깊이가 0.2mm 이상인 때부터 표면 조도가 비교적 균일하게 측정되었다. 연마를 거치면서 타겟본체를 구성하는 인듐의 소모를 고려할 때에 0.2mm 내지 0.4 mm 수준으로 추가 깊이를 선정하는 것이 바람직하다.

실험예 3 : 새로운 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 접합

새로운 백킹 플레이트와 서브 플레이트를 접합에 있어서, 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 재질은 타이타늄(Ti)로 동일하게 하고, 접합재를 주석(Sn)으로 선정하였다. 실험에 따라 접합 온도를 달리하였으며, 접합 후 접합율(본딩률) 및 백킹 플레이트의 휨 정도를 측정하였다. 실험 결과는 아래 표 4와 같다.

	비교예1	비교예2	실시예1	실시예2	비교예3
접합 온도(℃)	220	230	240	250	260
접합율(%)	-(분리)	30.2	99.2	99.2	99.3
백킹 플레이트의 휨(mm)	0.28	0.35	0.54	0.52	1.62

접합 온도가 240℃ 이상일 때부터, 사용 가능한 접합율(99% 이상)을 얻을 수 있었으며, 이후 접합율은 유지되는 것으로 측정되었다. 다만 260 ℃ 이상의 접합 온도에서부터는 백킹 플레이트의 휨이 크게 증가하는 것이 관찰되었다.

실험예 4 : 서브 플레이트와 타겟본체의 접합

실험예 1 내지 2를 거쳐 얻어진 타겟본체를, 실험예 3의 서브 플레이트에 접합하였다. 이때 접합재로써 인듐(In)을 선정하였다. 실험에 따라 접합 온도를 달리하였으며, 접합 후 접합율(본딩률) 및 백킹 플레이트의 휨 정도를 측정하였다. 실험 결과는 아래 표 5와 같다.

	비교예1	실시예1	실시예2	실시예3
접합 온도(℃)	190	210	230	250
접합율(%)	85.6	99.2	99.2	99.2
백킹 플레이트의 휨(mm)	0.06	0.21	0.35	1.35

접합 온도가 210℃ 이상일 때부터, 사용 가능한 접합율(99% 이상)을 얻을 수 있었으며, 이후 접합율은 유지되는 것으로 측정되었다. 다만 250 ℃의 접합 온도에서부터는 백킹 플레이트의 휨이 증가함을 확인하였다. 위 실험예 3에서 백킹 플레이트와 서브 플레이트의 접합에 사용하였던 접합재(주석)가 240℃ 이상의 접합 온도에서 확실히 용융될 것으로 예측되므로, 서브 플레이트와 타겟본체의 접합을 위한 접합 온도는 230 ℃ 이하로 한정하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 본 발명의 실시예에 따른 이그조 스퍼터링 타겟의 제조방법과 그에 따라 제조된 이그조 스퍼터링 타겟은 상기 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술된 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

100A, 100 : 타겟
10A, 10 : 백킹 플레이트
20 : 서브 플레이트
B1, B2 : 접합재
30 : 타겟본체 31 : 부위
D1, D2 : 깊이

Claims (6)

1. 사용된 스퍼터링 타겟으로부터 소모된 부위가 존재하는 타겟본체를 백킹 플레이트와 분리하는 단계,
   분리된 상기 타겟본체에서, 상기 소모된 부위를 포함한 표면을 연마 처리하여 평탄한 표면을 생성하는 단계,
   새로운 백킹 플레이트 상에 서브 플레이트를 접합하는 단계 및
   상기 서브 플레이트 상에 재단된 상기 타겟본체를 접합하는 단계를 포함하는
   이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법.
2. 제1항에서,
   상기 타겟본체와 상기 백킹 플레이트를 분리하는 단계는,
   상기 사용된 스퍼터링 타겟을 분당 5℃ 내지 10℃의 수준으로, 200℃ 내지 250℃로 승온시킨 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는
   이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법.
3. 제1항에서,
   상기 타겟본체의 표면을 연마 처리하는 단계는,
   상기 소모된 부위의 최대 깊이까지 연마 처리하는 1차 연마 단계와,
   상기 1차 연마 단계 이후 0.2 mm 내지 0.4 mm의 깊이까지 연마 처리하는 2차 연마 단계를 포함하는
   이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법.
4. 제1항에서,
   상기 서브 플레이트와 상기 새로운 백킹 플레이트는 동일한 물질이며,
   상기 새로운 백킹 플레이트와 상기 서브 플레이트의 접합에는 접합재로 주석이 사용되고, 접합 온도는 240℃ 내지 250℃인 것을 특징으로 하는
   이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법.
5. 제4항에서,
   상기 타겟본체와 상기 서브 플레이트의 접합 단계는,
   상기 접합재로써 인듐이 사용되고, 접합 온도는 210℃ 내지 230℃인 것을 특징으로 하는
   이그조 스퍼터링 타겟의 재생방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따라 제조됨으로써,
   백킹 플레이트, 서브 플레이트 및 타겟본체가 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 이그조 스퍼터링 타겟.

Images