KR20110007195A - 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 콤포넌트들 - Google Patents

웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 콤포넌트들 Download PDF

Info

Publication number
KR20110007195A
KR20110007195A KR1020107025606A KR20107025606A KR20110007195A KR 20110007195 A KR20110007195 A KR 20110007195A KR 1020107025606 A KR1020107025606 A KR 1020107025606A KR 20107025606 A KR20107025606 A KR 20107025606A KR 20110007195 A KR20110007195 A KR 20110007195A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inches
band
substrate support
substrate
ring
Prior art date
Application number
KR1020107025606A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101571558B1 (ko
Inventor
마틴 리 리커
케이쓰 에이. 밀러
아난타 케이. 서브라마니
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20110007195A publication Critical patent/KR20110007195A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101571558B1 publication Critical patent/KR101571558B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3441—Dark space shields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명에 개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 챔버에 대한 콤포넌트들, 반도체 프로세싱 챔버에 대한 프로세스 키트, 및 프로세스 키트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 일 실시예에서, 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 웨워싸는 하부 실드가 제공된다. 하부 실드는 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대의 스퍼터링 타겟을 에워싸도록 치수설정된 제 1 직경을 가지는 실린더형 외부 밴드를 포함하며, 실린더형 밴드는 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면을 둘러싸는 상부벽 및 기판 지지대를 둘러싸는 바닥 벽, 실린더형 외부 밴드로부터 방사상 연장되며 레스팅 표면을 가지는 지지 레지, 실린더형 밴드의 바닥 벽으로부터 방사상 안쪽방향으로 연장되는 베이스 플레이트, 및 기판 지지대의 주변 에지를 부분적으로 둘러싸며 베이스 플레이트와 연결되는 실린더형 내부 밴드를 포함한다.

Description

웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 콤포넌트들{WAFER PROCESSING DEPOSITION SHIELDING COMPONENTS}
[0001] 본 발명에 개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 챔버, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트(kit), 및 프로세스 키트를 포함하는 반도체 프로세싱 챔버를 위한 콤포넌트들에 관한 것이다. 보다 특정하게, 본 발명에 개시된 실시예들은 물리적 기상 증착 챔버에서 사용하기에 적합한 다수의 실드들(shields) 및 링 어셈블리를 포함하는 프로세스 키트에 관한 것이다.
[0002] 집적회로들 및 디스플레이들의 제조시, 반도체 웨이퍼 또는 디스플레이 패널과 같은 기판이 기판 프로세싱 챔버에 배치되고 기판상에 물질을 증착 또는 에칭하기 위해 챔버내의 프로세싱 조건들이 설정된다. 전형적인 프로세스 챔버는 프로세스 구역을 둘러싸는 엔클로저 벽, 챔버에 프로세스 가스를 제공하기 위한 가스 공급부, 기판을 처리하기 위해 프로세스 가스에 에너지를 가하는(energize) 가스 에너자이저, 소모된 가스를 제거하고 챔버 내의 가스 압력을 유지하기 위한 가스 배출구, 및 기판을 보유하는 기판 지지대를 포함하는 챔버 콤포넌트들을 포함한다. 예를 들어, 이러한 챔버들은 스퍼터링(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 및 에칭 챔버들을 포함할 수 있다. PVD 챔버들에서, 스퍼터링되어 타겟 물질이 스퍼터링되도록 에너지가 가해진 가스에 의해 타겟이 스퍼터링되어, 타겟 물질이 타겟을 면하는 기판상에 증착된다.
[0003] 스퍼터링 프로세스들에서, 타겟으로부터 스퍼터링된 물질은 타겟을 둘러싸는 챔버 콤포넌트들의 에지들에도 증착되며, 이는 바람직하지 않다. 주변 타겟 영역들은 이온 산란의 결과로써 스퍼터링된 물질이 재증착되는 암흑부(dark-space) 영역을 갖는다. 이 영역에 스퍼터링된 물질의 축적 및 누적은 바람직하지 않으며, 이는 이렇게 축적된 증착물들은 타겟 및 주변 콤포넌트들의 분해 및 세정 또는 교체를 요구하기 때문이며, 이는 플라즈마 중단(shorting)을 야기시킬 수 있고, 타겟과 챔버 벽 사이에 아킹을 야기시킬 수 있다. 또한, 이러한 증착물들은 종종 열적 스트레스들로 인해 분리(debond) 및 박피(flake off)되어 챔버 및 챔버의 콤포넌트들 내부에 떨어져 이를 오염시킨다.
[0004] 실드, 기판 지지대 및 챔버 벽들 부근에 배열되는 커버 링 및 증착 링을 포함하는 프로세스 키트는 종종 챔버 벽들 및 다른 콤포넌트 표면들 상에서의 증착을 방지하고 보호하기 위해 과잉의 스퍼터링된 물질을 수용하는데 이용된다. 주기적으로, 축적된 증착물들을 세정하기 위해 프로세스 키트 콤포넌트들은 챔버에서 분해 및 제거된다. 따라서, 프로세스 세정 주기들 사이에 증착물들의 박피를 초래하거나 또는 기판에 또는 서로에 달라붙지 않고도 항상 다량의 축적된 증착물을 수용하고 견딜 수 있도록 설계된 프로세스 키트 콤포넌트를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 서로 프로세스 챔버의 내부 표면들 상에 증착된 스퍼터링된 증착물들의 양을 감소시키는 관계로 형상화되고 배열되는 콤포넌트들을 가질 뿐만 아니라, 보다 적은 수의(fewer) 부품들(parts) 또는 콤포넌트들을 포함하는 프로세스 키트를 포함하는 것이 보다 바람직할 수 있다.
[0005] 실드와 챔버 콤포넌트들 간의 열악한 열 전도율(thermal conductivity) 및 챔버의 스퍼터링 플라즈마에 대한 노출로 인해, 챔버 라이너들 및 실드들이 과도하게 높은 온도들로 가열될 때 또 다른 문제점이 발생한다. 예를 들어, 낮은 열 전도율 물질로 구성된 실드의 온도를 제어하는 것은 어렵다. 또한, 어댑터들과 같은 지지 콤포넌트들과의 콘택 인터페이스들에서의 열저항(thermal resistance)은 실드 온도에 영향을 미친다. 또한, 실드와 어댑터 간의 낮은 체결력(clamping force)들은 실드가 가열되게 할 수 있다. 열 제어가 없는 경우, 실드들의 온도는 순차적 기판 프로세싱 동안 유휴(idle) 실온 조건들과 높은 온도 사이에서 순환된다(cycle). 높은-스트레스 금속의 프로세스 증착물들이 실드들 상에 증착되고 큰 온도 스윙(swing)들로 처리될 때, 실드에 대한 막의 부착 및 그 자체에 대한 막의 점착(cohesion)은, 막과 하부에 놓인 실드 간의 열팽창 계수들의 오정합(mismatch)으로 인해, 극적으로 감소될 수 있다. 실드 표면들로부터 축적된 증착물들의 박리를 감소시키기 위해 기판 프로세싱 동안 실드들 및 라이너들의 온도를 감소시키는 것이 바람직하다.
[0006] 종래의 기판 프로세싱 챔버들 및 PVD 프로세스가 갖는 또 다른 문제점은 챔버로부터의 열악한 가스 컨덕턴스(gas conductance)로 인해 발생된다. 높은-컨덕턴스 가스 흐름 경로는 필수적인 프로세스 가스들을 프로세스 캐비티에 공급하고 소모된 프로세스 가스를 적절히 배기시키기 위해 필요하다. 그러나, 실드들 및 챔버 벽들을 라이닝하는 프로세스 키트의 다른 챔버 콤포넌트들은 실질적으로 가스 컨덕턴스 흐름들을 감소시킬 수 있다. 이러한 콤포넌트들에 개구들(apertures)을 배치시키면서 이들을 통해 가스 컨덕턴스를 증가시키는 것은 시선 방향(line-of-sight) 스퍼터링 증착물들이 가스 컨덕턴스 홀들을 통해 프로세스 구역으로 떠나 챔버 벽들 상에 증착되게 한다. 또한, 이러한 홀들은 프로세싱 캐비티 내부에서 부터 주변 챔버 영역들로의 플라즈마 누설을 야기시킬 수 있다. 또한, 제한되는 것은 아니지만, 이러한 홀들에 통합되는 챔버 콤포넌트들은 추가 부품들 요구, 이들의 상대적 박막성(flimsiness), 다수의 부품들(parts)의 적층에 대한 톨러런스, 및 인터페이스에서의 열악한 열 전도율을 포함하는 다른 단점들을 갖는다.
[0007] 따라서, 콤포넌트 표면들로부터 프로세스 증착물들의 박리를 감소시키면서 열 전도율을 증가시키는 프로세스 키트 콤포넌트들을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 실드들 및 라이너들의 온도가 플라즈마 프로세싱 동안 과도하게 높은 온도와 낮은 온도 사이에서 순환하지 않도록 이들의 온도를 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 프로세스 구역 바깥쪽의 시선방향 증착(line-of-sight deposition)을 방지하면서 전체 가스 컨덕턴스를 증가시키고 플라즈마 누설을 감소시키는 것이 바람직하다.
[0008] 본 발명에 개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 프로세싱 챔버, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트, 및 프로세스 키트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버에 대한 콤포넌트들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판 지지대 및 스퍼터링 타겟을 둘러싸는 하부 실드가 제공된다. 하부 실드는 기판 지지대 및 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면을 둘러싸는 치수인 제 1 직경을 갖는 실린더형 외부 밴드 ― 실린더형 밴드는 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면을 둘러싸는 상부 벽 및 기판 지지대룰 둘러싸는 바닥 벽을 포함함―, 실린더형 외부 밴드로부터 방사상 바깥 방향으로 연장되며 레스팅(resting) 표면을 포함하는 지지 레지(support ledge), 실린더형 밴드의 바닥 벽으로부터 방사상 안쪽방향으로 연장되는 베이스 플레이트, 및 베이스 플레이트와 결합되며 기판 지지대의 주변 에지를 부분적으로 둘러싸는 실린더형 내부 밴드를 포함한다.
[0009] 또 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버에서 기판 지지대의 주변 벽을 둘러싸기 위한 증착 링이 제공된다. 증착 링은 기판 지지대의 주변 벽을 둘러싸기 위한 환형 밴드를 포함하며 실질적으로 기판 지지대의 주변 벽과 평행하며, 환형 밴드는 환형 밴드로부터 횡방향으로(transversely) 연장되는 내부 립(lip)을 포함하고, 내부 립은 주변 벽상에 스퍼터링 증착물들의 증착을 감소 또는 심지어 완전히 방지하기 위해 프로세싱 동안 기판에 의해 커버되지 않은 지지대의 영역들을 보호하기 위해 기판 지지대와 기판의 주변부를 둘러싸는 증착 링의 내부 주변부, 및 v자 형상 돌출부(protuberance)를 한정하며, v자 형상 돌출부는 내부 립에 인접한 방사상 안쪽방향 제 1 리세스 및 v자 형상 돌출부의 한쪽 측면 상에 있는 방사상 안쪽방향 제 2 리세스를 갖는 밴드의 중심부를 따라 연장된다.
[0010] 또 다른 실시예에서, 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하고 이를 둘러싸는 커버 링이 제공된다. 증착 링은 환형 웨지(annular wedge), 및 환형 웨지로부터 아래방향으로 연장되는 내부 실린더형 밴드를 포함하며, 환형 웨지는 상부 표면, 방사상 안쪽방향으로 경사지며 내부 주변부와 외부 주변부를 갖는 상부 표면과 결합되는 기울어진(inclined) 상부 표면, 증착 링의 레지상에 놓이는(rest) 바닥 표면 ―여기서, 상부 표면은 실질적으로 바닥 표면과 평행함―, 및 챔버 바디 캐비티로 진입하며 내부 볼륨을 벗어나는 시선방향(line-of-sight) 증착을 차단하는 돌출 가장자리(projecting brim)와 협력하여 기울어진 상부 표면에 의해 상부 표면과 결합되는 돌출 가장자리를 포함하며, 내부 실린더형 밴드는 외부 실린더형 밴드보다 작은 높이를 갖는다.
[0011] 또 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트가 제공된다. 프로세스 키트는 내부 챔버 콤포넌트들 상에 프로세스 증착물들의 증착을 감소시키기 위해 프로세싱 챔버의 기판 지지대 부근에 배치되는 하부 실드, 중간 실드, 및 링 어셈블리를 포함하며 기판의 오버행 에지가 제공된다. 하부 실드는 스퍼터링 타겟을 둘러싸는 상부 벽 및 기판 지지대, 지지 레지를 둘러싸는 바닥 벽을 포함하는 외부 실린더형 밴드, 및 기판 지지대를 둘러싸는 내부 실린더형 밴드를 포함한다. 링 어셈블리는 증착 링 및 커버 링을 포함한다.
[0012] 본 발명의 앞서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간단히 요약된 본 발명의 보다 특정한 설명은 첨부된 도면들에 도시된 일부가 도시된 본 발명의 실시예들을 참조로 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 발명의 전형적인 실시예들만을 도시하는 것으로 본 발명의 범주를 제한하고자 고려된 것이 아니며, 본 발명에 대해 다른 등가적인 유효 실시예들이 허용될 수 있다는 것이 주목된다.
[0013] 도 1은 본 발명에 개시된 프로세스 키트에 대한 일 실시예를 포함하는 반도체 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도이다.
[0014] 도 2는 도 1의 타겟 및 어댑터와 연결되는 프로세스 키트에 대한 부분 단면도이다.
[0015] 도 3a는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 하부 실린더의 단면도이다.
[0016] 도 3b는 도 3a의 하부 실드의 부분 단면도이다.
[0017] 도 3c는 도 3a의 하부 실드의 상부도이다.
[0018] 도 4a는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 증착 링의 단면도이다.
[0019] 도 4b는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 증착 링의 부분 단면도이다.
[0020] 도 4c는 도 4a의 증착 링의 상부도이다.
[0021] 도 5a는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 중간 실드의 부분 단면도이다.
[0022] 도 5b는 도 5a의 중간 실드의 상부도이다.
[0023] 도 6a는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 커버 링의 부분 단면도이다.
[0024] 도 6b는 도 6a의 커버 링의 단면도이다.
[0025] 도 6c는 도 6a의 커버 링의 상부도이다.
[0026] 일반적으로 본 발명에 개시된 실시예들은 물리적 증착 챔버(PVD)에서 사용되는 프로세스 키트를 제공한다. 프로세스 키트에는 유리하게 프로세스 캐비티 바깥쪽의 RF 고조파(harmonics) 및 스트레이(stray) 플라즈마의 감소가 제공되어, 챔버 콤포넌트 서비스 수명 연장과 함께 보다 나은 프로세스 균일성 및 재현성이 증진된다.
[0027] 도 1은 기판(105)을 처리할 수 있는 프로세스 키트(150)의 일 실시예를 포함하는 예시적인 반도체 프로세싱 챔버(100)을 도시한다. 프로세스 키트(150)는 일체식(one-piece) 하부 실드(160), 인터리빙(interleaving) 커버 링(170), 증착 링(180), 및 중간 실드(190)를 포함한다. 도시된 실시예에서, 프로세싱 챔버(100)는, 기판상에 티타늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄, 구리, 탄탈, 탄탈 질화물, 텅스텐 또는 텅스텐 질화물을 증착할 수 있는 물리적 증착 또는 PVD 챔버로 불리는 스퍼터링 챔버를 포함한다. 적절한 PVD 챔버들의 예들로는 ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들이 포함되며, 이들 모두는 캘ㄹ리포니아 산타클라의 어플라이드 머티리얼스 인크(Applied Materials, Inc.)로부터 상업적으로 입수될 수 있다. 다른 제조자들로부터 입수될 수 있는 프로세싱 챔버들 또한 본 발명에 개시된 실시예들을 실행하는데 이용될 수 있을 것으로 판단된다.
[0028] 프로세싱 챔버(100)는 엔클로저 벽들(102) 및 측벽들(104)을 포함하는 챔버 바디(101), 바닥 벽(106), 및 내부 볼륨(110) 또는 플라즈마 구역을 에워싸기 위한 리드 어셈블리(108)를 포함한다. 통상적으로, 챔버 바디(101)는 스테인리스 스틸의 용접된 플레이트들 또는 알루미늄의 단일 블록으로 제조된다. 일반적으로, 측벽들(104)은 프로세싱 챔버(100)로부터 기판(105)의 진입 및 배출을 위해 제공되는 슬릿 밸브(미도시)를 포함한다. 측벽들(104)에 배치되는 펌핑 포트(120)는 내부 볼륨(110)의 압력을 배출하고 제어하는 펌핑 시스템(122)에 연결된다. 프로세싱 챔버(100)의 리드 어셈블리(108)는 커버 링(170)이 인터리빙되는 하부 실드(160), 중간 실드(190), 및 상부 실드(195)와 협력하여 동작하여 내부 볼륨(110)에 형성된 플라즈마를 기판 위 영역에 한정한다.
[0029] 페데스탈 어셈블리(124)는 챔버(100)의 바닥 벽(106)으로부터 지지된다. 페데스탈 어셈블리(124)는 프로세싱 동안 기판(105)과 함께 증착 링(180)을 지지한다. 페데스탈 어셈블리(124)는 상부 및 하부 위치 사이에서 페데스탈 어셈블리(124)를 이동시키도록 구성된 리프트 메커니즘(126)에 의해 챔버(100)의 바닥 벽(106)에 결합된다. 부가적으로, 하부 위치에서, 리프트 핀들은 단일 블레이드 로봇(미도시)과 같이, 프로세싱 챔버(100) 외부에 배치된 웨이퍼 이송 메커니즘을 이용하여 기판(105)의 교체를 원활하게 하기 위해 페데스탈 어셈블리(124)로부터 기판(105)이 이격되게 페데스탈 어셈블리(124)를 통해 이동할 수 있다. 통상적으로, 페데스탈 어셈블리(124)의 내부 및 챔버의 외부로부터 챔버 바디(101)의 내부 볼륨(110)을 이격시키기 위해 페데스탈 어셈블리(124)와 챔버 바닥 벽(106) 사이에 벨로우즈(bellows)(129)가 배치된다.
[0030] 일반적으로 페데스탈 어셈블리(124)는 플랫폼 하우징(130)에 밀봉되게(sealingly) 결합된 기판 지지대(128)를 포함한다. 통상적으로 플랫폼 하우징(130)은 스테인리스 스틸 또는 알루미늄과 같은 금속 물질로부터 제조될 수 있다. 일반적으로, 기판 지지대(128)를 열적으로 조절하기 위해 플랫폼 하우징(130) 내에 냉각 플레이트(미도시)가 배치된다. 본 발명에 이롭게 적응될 수 있는 하나의 페데스탈 어셈블리(124)가 다벤포트(Davenport) 등에게 1996년 4월 16일자로 발행된 미국 특허 제 5,507,499호에 개시되어 있으며, 이는 본 발명에 참조로 통합된다.
[0031] 기판 지지대(128)는 알루미늄 또는 세라믹으로 구성될 수 있다. 기판 지지대(128)는 프로세싱 동안 기판(105)을 수용하고 지지하는 기판 수용 표면(132)을 포함하며, 기판 수용 표면(132)은 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134)과 실질적으로 평행한 평면(plane)을 갖는다. 또한, 지지대(128)는 기판(105)의 오버행 에지(107) 앞에서 종결되는 주변 벽(138)을 포함한다. 기판 지지대(128)는 정전기 척, 세라믹 바디, 히터 또는 이들의 조합물일 수 있다. 일 실시예에서, 기판 지지대(128)는 내부에 도전층이 내장된 유전체 바디를 포함하는 정전기 척이다. 통상적으로, 유전체 바디는 열분해성 붕소 질화물(pyrolytic boron nitride), 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물, 알루미나 또는 등가 물질과 같이, 높은 열 전도율 유전체 물질로 제조된다.
[0032] 일반적으로, 리드 어셈블리(108)는 타겟(136) 및 마그네트론(140)을 포함한다. 리드 어셈블리(108)는 도 1에 도시된 것처럼, 폐쇄 위치에 있을 때 측벽들(104)에 의해 지지된다. 타겟(136)과 상부 실드(195) 사이에 절연 링(142)이 배치되어 이들 사이에서의 진공 누설을 방지되고 챔버 벽들과 타겟(136) 사이의 전기적 단락이 감소된다. 일 실시예에서, 상부 실드(195)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 물질을 포함한다.
[0033] 타겟(136)은 리드 어셈블리(108)에 결합되며 프로세싱 챔버(100)의 내부 볼륨(110)에 노출된다. 타겟(136)은 PVD 프로세스 동안 기판상에 증착되는 물질을 제공한다. 챔버 바디(101)로부터 타겟(136)을 전기적으로 절연시키기 위해 타겟(136)과 챔버 바디(101) 사이에 절연 링(142)이 배치된다. 일 실시예에서, 절연 링(142)은 세라믹 물질을 포함한다.
[0034] 타겟(136) 및 페데스탈 어셈블리(124)는 전력원에 의해 서로에 대해 바이어스된다. 도관들(148)을 통해 가스 소스(146)로부터 내부 볼륨(110)으로 아르곤과 같은 가스가 공급된다. 가스 소스(146)는 타겟(136) 상에 활성적으로(energetically) 충돌하고 이로부터 물질을 스퍼터링할 수 있는, 이를 테면 아르곤이나 크세논과 같은 비반응성(non-reactive) 가스를 포함할 수 있다. 또한, 가스 소스(146)는 기판상에 층을 형성하기 위해 스퍼터링 물질과 반응할 수 있는 하나 이상의 산소-함유 가스 및 질소-함유 가스와 같은 반응성 가스를 포함할 수 있다. 소모된 프로세스 가스 및 부산물들은 펌핑 포트(120)를 통해 챔버(100)로부터 배기되며, 펌핑 포트(120)는 소모된 프로세스 가스를 수용하고 챔버(100)에서 가스의 압력을 제어하기 위해 트로틀 밸브(throttle valve)를 갖는 배출 도관(121)으로 소모된 프로세스 가스를 통과시킨다. 배출 도관(148)은 펌핑 시스템(122)에 연결된다. 통상적으로, 챔버(100)에서 스퍼터링 가스의 압력은 대기압 이하 레벨들, 이를 테면 진공 환경, 예를 들어 1 mTorr 내지 400 mTorr의 가스 압력으로 설정된다. 플라즈마는 기판(105)과 타겟(136) 사이에서 가스로부터 형성된다. 플라즈마 내의 이온들은 타겟(136)을 향해 가속되며 타겟(136)으로부터 물질이 축출되게(dislodged) 한다. 축출된 타겟 물질은 기판(105) 상에 증착된다.
[0035] 마그네트론(140)은 프로세싱 챔버(100) 외부에 있는 리드 어셈블리(108)에 결합된다. 마그네트론(140)은 PVD 프로세스 동안 타겟(136)의 균일한 소모를 조장하는 적어도 하나의 회전하는 자석 어셈블리(미도시)를 포함한다. 활용될 수 있는 하나의 마그네트론은 Or 등에게 1999년 9월 21일자로 부여된 미국 특허 제 5,953,827호에 개시되어 있으며, 이는 참조로 본 발명에 통합된다.
[0036] 챔버(100)는 챔버(100)의 기판들을 처리하도록 챔버(100)의 콤포넌트들을 동작시키기 위한 명령 세트들을 포함하는 프로그램 코드를 포함하는 제어기(196)에 의해 제어된다. 예를 들어, 제어기(196)는 기판 지지대(128)를 동작시키기 위한 기판 위치설정 명령 세트; 챔버(100)로 스퍼터링 가스의 흐름을 설정하기 위해 가스 흐름 제어 밸브들을 동작시키기 위한 가스 흐름 제어 명령 세트; 챔버(100)에서 압력을 유지하기 위해 트로틀 밸브를 동작시키기 위한 가스 압력 제어 명령 세트; 기판 또는 측벽들(104)의 온도들을 각각 설정하기 위해 지지대(128) 또는 측벽(104)에서 온도 제어 시스템(미도시)을 제어하기 위한 온도 조절 명령 세트; 및 챔버(100)에서 프로세스를 모니터하기 위한 프로세스 모니터링 명령 세트를 포함하는 프로그램 코드를 포함할 수 있다.
[0037] 콜리메이터(collimator)(197)가 하부 실드(160)와 연결되어, 콜리메이터는 접지된다. 일 실시예에서, 콜리메이터는 금속 링일 수 있으며 외부 관형(tubular) 섹션 및 적어도 하나의 내부 동심 관형 섹션, 예를 들어 스트러트(strut)들에 의해 접속되는 3개의 동심 관형 섹션을 포함할 수 있다.
[0038] 또한, 챔버(100)는 이를 테면 콤포넌트 표면들로부터 스퍼터링 증착물을 세정하기 위해, 부식된 콤포넌트들을 교체 또는 수리하기 위해, 또는 다른 프로세스들을 위해 챔버(100)를 적응시키기 위해, 챔버(100)로부터 쉽게 제거될 수 있는 다양한 콤포넌트들을 포함하는 프로세스 키트(150)를 포함한다. 일 실시예에서, 프로세스 키트(150)는 하부 실드(160), 중간 실드(190), 및 기판(105)의 오버행 에지(107) 앞에서 종결되는 기판 지지대(128)의 주변 벽(138) 부근의 배치를 위한 링 어셈블리(202)를 포함한다. 도 2에 도시된 것처럼, 링 어셈블리(202)는 증착 링(180) 및 커버 링(170)을 포함한다. 증착 링(180)은 지지대(128)를 둘러싸는 환형 밴드(402)를 포함한다. 커버 링(170)은 증착 링(180)을 적어도 부분적으로 커버한다. 증착 링(180) 및 커버 링(170)은 서로 협력하여 기판(105)의 오버행 에지(107)와 지지대(128)의 주변 벽(138) 상에 스퍼터 증착물의 형성을 감소시킨다.
[0039] 하부 실드(160)는 기판 지지대(128)와 기판 지지대(128)의 주벽 벽(138)을 면하는 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134)을 둘러싼다. 하부 실드(160)는 하부 실드(160) 뒤의 표면들 및 콤포넌트들상에 스퍼터링 타겟(136)의 증착을 감소시키기 위해 챔버(100)의 측벽들(104)을 커버 및 차폐한다. 예를 들어, 하부 실드(160)는 지지대(128)의 표면들, 기판(105)의 오버행 에지(107), 챔버(100)의 측벽들(104) 및 바닥 벽(106)을 보호할 수 있다.
[0040] 도 3a 및 도 3b는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 하부 실드의 부분 단면도들이다. 도 3c는 도 3a의 하부 실드의 상부도이다. 도 1 및 도 3a-3c에 도시된 것처럼, 하부 실드(160)는 단일체 구성이며 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134) 및 기판 지지대(128)를 둘러싸는 치수의 직경을 가지는 실린더형 외부 밴드(310)를 포함한다. 실린더형 외부 밴드(310)는 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134)을 둘러싸는 상부 벽(312)을 포함한다. 지지 레지(313)는 실린더형 외부 밴드(310)의 상부 벽(312)으로부터 방사상 바깥방향으로 연장된다. 지지 레지(313)는 챔버(100)의 측벽들(104)을 둘러싸는 제 1 환형 어댑터(172) 상에 놓이는 레스팅(resting) 표면(314)을 포함한다. 레스팅 표면(314)은 제 1 환형 어댑터(172)에 대해 하부 실드(160)를 정렬하기 위한 핀을 수용하도록 형상화된 다수의 슬롯들을 포함할 수 있다.
[0041] 도 3b에 도시된 것처럼, 상부 벽(312)은 내부 주변부(326)와 외부 주변부(328)를 포함한다. 경사진 스텝(330)을 형성하도록 외부 주변부(328)가 연장된다. 경사진 스텝(330)은 방사상 바깥쪽 방향으로 수직선으로부터 약 5도 내지 약 10도, 예를 들어 수직선으로부터 약 8도의 각을 이룬다. 일 실시예에서, 내부 주변부(326)는 방사상 안쪽 방향으로 약 2도 내지 약 5도, 예를 들어 수직선으로부터 약 3.5도의 각을 이룬다.
[0042] 제 1 환형 어댑터(172)는 하부 실드(160)를 지지하며 기판 프로세싱 챔버(100)의 측벽(104) 부근에서 열 교환기(heat exchanger)로서 작용할 수 있다. 제 1 환형 어댑터(172) 및 실드(160)는 실드(160)로부터 어댑터(172)로의 보다 나은 열 전달을 허용하며 실드 상에 증착되는 물질상의 열팽창 스트레스를 감소시키는 어셈블리를 형성한다. 기판 프로세싱 챔버에 형성된 플라즈마 노출에 의해 실드(160)의 부분이 과도하게 가열되어, 실드의 열팽창이 야기되어 실드상에 형성된 스퍼터링 증착물들이 실드로부터 박피되어 기판(105)상에 떨어져 기판(105)을 오염시킬 수 있다. 제 1 어댑터(172)는 실드(160)와 어댑터(172) 간의 양호한 열 전도율을 허용하기 위해 하부 실드(160)의 레스팅 표면(314)과 접촉하는 콘택 표면(174)을 포함한다. 일 실시예에서, 실드(160)의 레스팅 표면(314) 및 제 1 어댑터(172)의 콘택 표면(174) 각각은 약 10 내지 약 80 마이크로인치, 또는 심지어 약 16 내지 약 63 마이크로인치의 표면 조도(surface roughness)를 가지며, 혹은 일 실시예에서, 약 32 마이크로인치의 평균 표면 조도를 갖는다. 일 실시예에서, 제 1 어댑터(172)는 도관들을 더 포함하며, 상기 도관들은 제 1 어댑터(172)의 온도를 제어하기 위해 도관들을 통해 열 전달 유체가 흐르게 한다.
[0043] 하부 실드(160)의 지지 레지(313) 아래에는 기판 지지대(128)를 둘러싸는 바닥 벽(316)이 제공된다. 베이스 플레이트(318)는 실린더형 외부 밴드(310)의 바닥 벽(316)으로부터 안쪽 방향으로 연장된다. 실린더형 내부 밴드(320)는 베이스 플레이트(318)과 결합되며 기판 지지대(128)의 주변 벽(138)을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 실린더형 내부 밴드(320), 베이스 플레이트(318), 및 실린더형 외부 밴드(310)는 U자 형상 채널을 형성한다. 실린더형 내부 밴드(320)는 실린더형 외부 밴드(310)의 높이 보다 작은 높이를 갖는다. 일 실시예에서, 내부 밴드(320)의 높이는 실린더형 외부 밴드(310)의 높이의 약 1/5이다. 일 실시예에서, 바닥 벽(316)은 노치(notch)(322)를 포함한다. 일 실시예에서, 실린더형 외부 밴드(310)는 일련의 가스 홀들(324)을 포함한다.
[0044] 실린더형 외부 밴드(310), 상부 벽(312), 지지 레지(313), 바닥 벽(316) 및 실린더형 내부 밴드(320)는 단일 구조체로 구성된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 전체 하부 실드(160)는 300 시리즈 스테인리스 스틸로 구성되거나, 혹은 또 다른 실시예에서 알루미늄으로 구성될 수 있다. 단일체의 하부 실드(160)는 완벽한 하부 실드를 구성하기 위해 다수의 콤포넌트들, 종종 2개 또는 3개의 개별 부품들이 포함되는 종래의 실드들에 비해 유리하다. 예를 들어, 단일 부품 실드는 가열 및 냉각 프로세스 모두에서 다수의 콤포넌트 실드 보다 열적으로 균일하다. 예를 들어, 단일 부품 하부 실드(160)는 제 1 어댑터(172)에 단지 하나의 열적 인터페이스를 가져, 실드(160)와 제 1 어댑터(172) 간의 열교환 동안 보다 나은 제어가 이루어진다. 다수의 콤포넌트들을 갖는 실드(160)는 세정을 위해 실드를 제거하는 것을 보다 어렵고 관란하게 한다. 단일 부품 실드(160)는 세정하기가 보다 어려운 코너들 또는 인터페이스들 없이 스퍼터링 증착물에 노출되는 연속 표면을 갖는다. 또한, 단일 부품 실드(160)는 프로세싱 주기들 동안 측벽들(104)을 스퍼터 증착으로부터 보다 효율적으로 차단한다.
[0045] 일 실시예에서, 하부 실드(160)의 노출된 표면들은 캘리포니아 산타 클라라의 어플라이드 머티리얼스사로부터 상업적으로 입수가능한 CLEANCOAT™로 처리된다. CLEANCOAT™는 트윈-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅으로 하부 실드(160)와 같은 기판 프로세싱 챔버 콤포넌트들에 적용되어 하부 실드(160) 상의 증착물들의 입자 벗겨짐(shedding)을 감소시켜 챔버(100)에서 기판(105)의 오염을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 하부 실드(160)상의 트윈-와이어 알루미늄 아크 스프레이 코팅은 약 600에서 약 2300 마이크로인치의 표면 조도를 갖는다.
[0046] 하부 실드(160)는 챔버(100) 내의 내부 볼륨(110)을 면하는 노출된 표면들을 갖는다. 일 실시예에서, 노출된 표면들은 175±75 마이크로인치의 표면 조도를 갖도록 비드 블라스팅된다(bead blasted). 텍스처링되고(texturized) 비드 블라스팅된 표면들은 입자 벗겨짐을 감소시켜 챔버(100) 내의 오염을 방지하는 역할을 한다. 표면 조도 평균치는 노출된 표면을 따른 조도 피쳐들의 피크들과 골들(valleys)의 평균선(mean line)으로부터의 변위들의 절대값들의 평균이다. 조도 평균치, 왜곡도(skewness) 또는 다른 특성들은 노출된 표면 위로 니들(needle)이 통과하며 표면상의 거침부들(asperities)의 높이의 변동 트레이스를 생성하는 프로필로미터(profilometer)에 의해, 또는 표면의 이미지를 생성하기 위해 표면으로부터 반사되는 전자 빔을 사용하는 스캐닝 전자 마이크로스코프에 의해 결정될 수 있다.
[0047] 도 4a-4c를 참조로, 증착 링(180)은 도 2에 도시된 것처럼 지지대(128)의 주변 벽(138) 부근에서 연장되며 주변 벽(138)을 둘러싸는 환형 밴드(402)를 포함한다. 환형 밴드(402)는 밴드(402)로부터 횡방향으로 연장되며 지지대(128)의 주변 벽(138)과 실질적으로 평행한 내부 립(404)을 포함한다. 내부 립(404)은 기판(105)의 오버행 에지(107) 바로 아래에서 종결된다. 내부 립(404)은 프로세싱 동안 기판(105)에 의해 커버되지 않은 지지대(128)의 영역들을 보호하기 위해 기판 지지대(128)와 기판(105)의 주변부를 둘러싸는 증착 링(180)의 내부 주변부를 한정한다. 예를 들어, 내부 립(404)은 주변 벽(138) 상의 스퍼터링 증착물들의 증착을 감소 또는 심지어 완전히 배제시키기 위해, 프로세싱 환경에 노출될 수 있는 지지대(128)의 주변 벽(138)을 둘러싸며 주변 벽(138)을 적어도 부분적으로 커버한다. 바람직하게, 증착 링(180)은 지지대(128)가 분해되어 세정될 필요가 없도록, 링(180)의 노출된 표면들로부터 스퍼터링 증착물들을 세정하기 위해 쉽게 제거될 수 있다. 또한, 증착 링(180)은 에너지가 가해진(energized) 플라즈마 종들에 의한 부식을 감소시키기 위해 지지대(128)의 노출된 측표면들을 보호하는 역할을 수 있다.
[0048] 도 2에 도시된 실시예에서, 증착 링(180)의 환형 밴드(402)는 v자 형상 돌출부(406)를 포함하며, v자 형상 돌출부(406)는 v자 형상 돌출부(406)의 한쪽 측면상에 방사상 안쪽방향 제 1 리세스(408a) 및 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)를 갖는 밴드(402)의 중심부를 따라 연장된다. 일 실시예에서, v자 형상 돌출부(406)의 대향 표면들은 각도 "α"를 형성한다. 일 실시예에서, 각도 "α"는 약 25°내지 약 30°이다. 또 다른 실시예에서, 각도 "α"는 약 27°내지 약 28°이다. 방사상 안쪽방향 제 1 리세스는 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)의 수평 평면 약간 아래의 수평 평면에 위치된다. 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)는 약 0.8인치 내지 약 0.9 인치의 폭을 갖는다. 또 다른 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)는 약 0.83 인치 내지 약 0.84 인치의 폭을 갖는다. 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 1 리세스(408a) 및 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)는 증착 링(180)의 바닥 표면(420)에 실질적으로 평행하다. 도 2에 도시된 것처럼, 방사상 안쪽 방향 제 2 리세스(408b)는 커버 링(170)과 이격되어 이들 사이에 아크-형상 채널(410)을 형성하며, 아크-형상 채널(410)은 아크-형상 채널(410)로의 플라즈마 종들의 침투를 감소시키키는 미로(labyrinth)처럼 동작한다. 내부 립(404)과 v자 형상 돌출부(406) 사이에 개방 내부 채널(412)이 놓인다. 개방 내부 채널(412)은 기판(105)의 오버행 에지(107) 아래에서 적어도 부분적으로 종결되도록 방사상 안쪽방향으로 연장된다. 개방 내부 채널(412)은 증착 링(180)의 세정 동안 이러한 부분들로부터의 스퍼터링 증착물들의 제거를 용이하게 한다. 또한, 증착 링(180)은 바깥방향으로 연장되며 v자 형상 돌출부(406)의 방사상 바깥방향에 위치되는 레지(414)를 포함한다. 레지(414)는 커버 링(170) 지지를 돕는다. 환형 밴드(402)의 바닥 표면(420)은 v자 형상 돌출부(406) 아래의 내부 립(404)으로부터 연장되는 노치(422)를 포함한다. 일 실시예에서, 노치는 약 0.6인지 내지 약 0.75인치의 폭을 갖는다. 또 다른 실시예에서, 노티는 약 0.65 인치 내지 약 0.69 인치의 폭을 갖는다. 일 실시예에서, 노치는 약 0.020 인치 내지 0.030 인치의 높이를 갖는다. 또 다른 실시예에서, 노치는 약 0.023 인치 내지 약 0.026 인치의 높이를 갖는다.
[0049] 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)는 화살표 "A"로 표시된 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)의 직경 "A"은 약 13 인치 내지 약 13.5 인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)의 직경 "A"은 약 13.1인치 내지 약 13.2인치일 수 있다. 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)는 화살표 "E"로 표시된 내부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b)의 직경 "E"는 약 12인치 내지 약 12.5인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 직경 "E"는 약 12.2인치 내지 12.3인치일 수 있다.
[0050] 일 실시예에서, 환형 밴드(402)는 화살표 "D"로 표시된 것처럼 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 환형 밴드(402)의 직경 "D"는 약 11인치 내지 약 12인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 환형 밴드(402)의 직경 "D"는 약 11.25인치 내지 약 11.75인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 환형 밴드(402)의 직경 "D"는 약 11.40인치 내지 약 11.60인치일 수 있다. 일 실시예에서, 환형 밴드(402)는 화살표 "F"로 표시된 것처럼 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 환형 밴드(40)의 직경 "F"는 약 13 인치 내지 약 14인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 환형 밴드(402)의 직경 "F"는 약 13.25인치 내지 약 13.75인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 직경 "F"는 약 13.40인치 내지 약 13.60인치일 수 있다.
[0051] 일 실시예에서, v자 형상 돌출부의 상부는 화살표 "B"로 표시된 것처럼 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 직경 "B"는 약 12인치 내지 약 12.3인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 직경 "B"는 약 12.1인치 내지 약 12.2인치일 수 있다.
[0052] 일 실시예에서, 내부 립(404)은 화살표 "C"로 표시된 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 직경 "C"는 약 11인치 내지 약 12인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 직경 "C"는 약 11.5인치 내지 약 11.9인치일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 직경 "C"는 약 11.7인치 내지 약 11.8인치일 수 있다.
[0053] 증착 링(180)은 세라믹 물질, 이를 테면 알루미늄 산화물을 형상화(shaping) 및 기계가공(machining)함으로써 제작될 수 있다. 바람직하게, 알루미늄 산화물은 철과 같은 바람직하지 않은 원소들에 의한 챔버(100)의 오염을 감소시키기 위해 적어도 약 99.5 퍼센트의 순도를 갖는다. 세라믹 물질은 등압 압축성형(isostatic pressing)과 같은 통상의 기술들을 사용하여 몰딩 및 신터링되고, 이어서 원하는 형상 및 치수들을 달성하기 위해 적절한 기계가공 방법들을 사용하여 몰딩되고 신터링된 프리폼( molded sintered preform)의 기계가공이 수반된다.
[0054] 증착 링(180)의 환형 밴드(402)는 그릿 블라스팅되는 노출된 표면을 포함할 수 있다. 그릿 블라스팅(grit blasting)은 미리한정된 표면 조도를 달성하기에 적합한 그릿 크기로 수행된다. 일 실시예에서, 증착 링(180)의 표면은 트윈-와이어 알루미늄 아크-스프레이 코팅, 이를 테면 예를 들어 CLEANCOAT™으로 처리되어 입자 벗겨짐(shedding) 및 오염이 감소된다.
[0055] 도 5a는 본 발명에 개시된 일 실시예에 따른 중간 실드(190)의 부분 단면도이다. 중간 실드(190)는 기판 지지대(128)를 면하는 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134)을 에워싼다. 중간 실드(190)는 중간 실드(190) 뒤의 표면들 및 콤포넌트들 상에 스퍼터링 타겟(136)의 스퍼터링 표면(134)으로부터 발생되는 스퍼터링 증착물들의 증착을 감소시키기 위해, 챔버(100)의 측벽들(104) 및 하부 실드(160)의 상부 벽(312)을 커버하고 차폐한다.
[0056] 도 1 및 도 5a에 도시된 것처럼, 중간 실드(190)는 단일체 구성이며 상부 실드(195)를 에워싸도록 치수설정된 제 1 직경(D1)을 갖는 실린더형 밴드(510)를 포함한다. 또한, 실린더형 외부 밴드(310)는 상부 실드(195)를 둘러싸는 상부 벽(512), 중간 벽(517), 및 바닥 벽(518)을 포함한다. 마운팅 플랜지(mounting flange)(514)가 실린더형 밴드(510)의 상부 벽(512)으로부터 방사상 바깥방향으로 연장된다. 마운팅 플랜지(514)는 챔버(100)의 측벽들(104)을 둘러싸는 제 2 환형 어댑터(176) 상에 놓이는 레스팅 표면(516)을 포함한다. 레스팅 표면은 중간 실드(190)를 어댑터(176)에 정렬하기 위해 핀을 수용하도록 형상화된 다수의 슬롯들을 포함할 수 있다.
[0057] 중간 벽(517)은 상부 벽(512)의 연장부이다. 중간 벽(517)은 상부 벽(512)과 중간 벽(517) 사이의 전이점(transition point)에서 시작하여 상부 벽(512)으로부터 방사상 안쪽방향으로 경사진다. 일 실시예에서, 중간 벽(517)은 수직부에서 약 5°내지 약 10°로, 예를 들어, 약 7°로 각진다. 실린더형 밴드의 중간 벽(517)은 제 2 직경(D2)을 형성한다. 제 2 직경(D2)은 하부 실드(160)의 상부 벽(312)의 경사진 부분에 핏팅되도록(to fit) 치수설정된다.
[0058] 바닥 벽(518)은 중간 벽(517)의 연장부이다. 바닥 벽(518)은 중간 벽(517)과 바닥 벽(518) 사이의 전이점에서 시작하여 중간 벽(517)으로부터 방사상 바깥방향으로 경사진다. 일 실시예에서, 바닥 벽(517)은 수직부에서 약 1°내지 약 5°로, 예를 들어, 약 4°로 각진다.
[0059] 상부 벽(512), 중간 벽(517), 바닥 벽(518), 및 마운팅 플랜지(514)는 단일 구조체로 구성된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 중간 실드(190) 전체는 300 시리즈 스테인리스 스틸로, 또는 다른 실시예에서는 알루미늄으로 제조될 수 있다.
[0060] 도 1, 2, 6a, 6b, 및 6c를 참조로, 커버 링(170)은 스퍼터링 증착물들을 수용하기 위해 증착 링(180)을 에워싸며 증착 링(180)을 적어도 부분적으로 커버하여, 스퍼터링 증착물들의 벌크로부터 증착 링(180)을 차폐한다. 커버 링(170)은 스퍼터링 플라즈마에 의한 부식을 견딜 수 있는 물질, 예를 들면, 스테인리스 스틸, 티타늄 또는 알루미늄과 같은 금속성 물질, 또는 세라믹 물질, 이를 테면 알루미늄 산화물로 제조된다. 일 실시예에서, 커버 링(170)은 적어도 약 99.9 퍼센트의 순도를 갖는 티타늄으로 구성된다. 일 실시예에서, 커버 링(170)의 표면은 트윈-와이어 알루미늄 아크-스프레이 코팅, 이를 테면 예를 들어 CLEANCOAT™으로 처리되어, 커버 링(170)의 표면으로부터 입자 벗겨짐이 감소된다. 커버 링은 화살표 "H"로 표시된 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, "H" 직경은 약 14.5인치 내지 약 15인치이다. 또 다른 실시예에서, 직경 "H"는 약 14.8인치 내지 약 14.9인치이다. 커버 링은 화살표 "I"로 표시된 내부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 직경 "I"은 약 11.5인치 내지 약 12.5인치이다. 또 다른 실시예에서, 직경 "I"는 약 11.8인치 내지 약 12.2인치이다. 또 다른 실시예에서, 직경 "I"는 약 11.9인치 내지 약 12.0인치이다.
[0061] 커버 링(170)은 환형 웨지(wedge)(602)를 포함한다. 환형 웨지는 증착 링(180)의 레지(414) 상에 놓이는 상부 표면(603) 및 바닥 표면(604)을 포함한다. 상부 표면(603)은 실질적으로 바닥 표면(604)과 평행하다. 경사진 상부 표면(605)은 상부 표면(603)을 돌출 브림(projecting brim)(610)과 연결한다. 경사진 상부 표면(605)은 기판 지지대(128) 방사상 안쪽방향으로 경사지며 기판 지지대(128)를 에워싼다. 환형 웨지(602)의 경사진 상부 표면(605)은 내부 및 외부 주변부(606, 608)를 갖는다. 내부 주변부(606)는 증착 링(180)의 아크 형상 채널(410)을 형성하는 증착 링(180)의 방사상 안쪽방향 제 2 리세스(408b) 위에 놓이는 돌출 브림(610)을 포함한다. 돌출 브림(610)은 증착 링(180)의 아크 형상 채널(410)상에 스퍼터링 증착물들의 증착을 감소시킨다. 바람직하게, 돌출 브림(610)은 증착 링(180)으로 형성된 개방 내부 채널(412) 폭의 적어도 약 절반부에 해당하는 거리로 돌출된다. 돌출 브림(610)은 증착 링(180)과 커버 링(170) 사이에 주변 벽(138) 상에서 프로세스 증착물들의 흐름을 방지하는 회선형 및 제한형 흐름 경로를 형성하기 위해 아크-형상 채널(410)과 개방 내부 채널(412)과 협력 및 보완하도록 치수설정, 형상화 및 위치설정된다. 아크-형상 채널(410)의 제한형(constricted) 흐름 경로는 증착 링(180)과 커버 링(170)의 매팅 표면들상에 저-에너지 스퍼터 증착물들의 축적을 제한하며, 그렇지 않은 경우 이들은 기판(105)의 주변 오버행 에지에 또는 서로 부착될 수 있다. 기판(105)의 오버행 에지(107) 아래에서 연장되는 증착 링(180)의 개방 내주 채널(412)은 2개의 링들(170, 180)의 매팅 표면들 상에서의 스퍼터 증착을 감소시키거나 또는 심지어 실질적으로 배제시키면서, 예를 들어, 알루미늄 스퍼터링 챔버에서 알루미늄 스퍼터 증착물들을 수집하기 위해 커버 링(170)의 돌출 브림(610)으로부터의 차폐와 관련하여 설계된다.
[0062] 돌출 브림(610)과 관련하여 경사진 상부 표면(605)은 내부 볼륨(110) 배출 및 챔버 바디 캐비티 진입으로부터 시선방향 증착을 차단한다. 경사진 상부 표면(605)은 상부 표면(603)에 대해 각도 "β"로 표시된 것과 같은 각도로 기울어질 수 있다. 일 실시예에서, 각도 "β"는 약 5도 내지 약 15도일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 각도 "β"는 약 9도 내지 약 11도일 수 있다. 일 실시예에서, 각도 "β"는 약 10도이다. 커버 링(170)의 경사진 상부 표면(605)의 각도는 예를 들어 기판(105)의 오버행 에지(107)에 가장 가까운 스퍼터 증착물들의 축적을 최소화시키도록 설계되며, 그렇지 않은 경우 이는 기판(105)에 대해 얻어지는 증착 균일도에 악영향을 미칠 수 있다.
[0063] 커버 링(170)은 환형 웨지(602)의 경사진 상부 표면(605) 아래에 위치된 경사진 스텝(612)을 더 포함한다. 경사진 스텝(612)은 돌출 브림(610)을 바닥 표면(604)와 연결한다. 경사진 스텝(612)은 환형 웨지(62)로부터 아래방향으로 그리고 내부 주변부(606)로부터 방사상 바깥방향으로 연장된다. 경사진 스텝(612)은 바닥 표면에 대해 각도 "Y"로 표시된 것과 같은 각도로 경사질 수 있다. 일 실시예에서, 각도 "Y"는 약 40도 내지 약 50도일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 각도 "Y"는 약 42도 내지 약 48도일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 각도 "Y"는 약 44도 내지 약 46도일 수 있다.
[0064] 경사진 스텝(612)은 화살표 "J"로 표시된 내부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "J"는 약 12 인치 내지 약 13인치이다. 또 다른 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "J"는 약 12.2 내지 약 12.5인치이다. 또 다른 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "J"는 약 12.3 인치 내지 약 12.4 인치이다. 또한, 경사진 스텝(612)은 화살표 "K"로 표시된 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "K"는 약 12.5 내지 약 13인치이다. 또 다른 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "K"는 약 12.7인치 내지 약 12.8인치이다. 일 실시예에서, 경사진 스텝(612)의 직경 "K"는 바닥 표면(604)의 내부 직경으로 기능한다.
[0065] 바닥 표면은 화살표 "L"로 표시된 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 바닥 표면의 직경 "L"은 약 13.5 내지 약 13.8인치이다. 또 다른 실시예에서, 직경 "L"은 약 13.4인치 내지 약 13.5인치이다.
[0066] 커버 링(170)은 환형 웨지(602)로부터 아래방향으로 연장되는 내부 실린더형 밴드(614a) 및 외부 실린더형 밴드(614b)를 더 포함하며, 이들 사이에는 갭(616)이 포함된다. 일 실시예에서, 갭(616)은 0.5 인치 내지 약 1인치의 폭을 갖는다. 또 다른 실시예에서, 갭(616)은 약 0.7인치 내지 약 0.8인치의 폭을 갖는다. 일 실시예에서, 내부 및 외부 실린더형 밴드들(614a, 614b)은 실질적으로 수직이다. 실린더형 밴드들(614a, 614b)은 웨지(602)의 경사진 스텝(612)의 방사상 바깥방향에 위치된다. 내부 실린더형 밴드(614a)의 내부 주변부(618)는 바닥 표면(604)과 연결된다. 일 실시예에서, 내부 실린더형 밴드(614a)의 내부 주변부(618)는 수직부로부터 각도 "Φ"로 경사질 수 있다. 일 실시예에서, 각도 "Φ"는 약 10도 내지 약 20도이다. 또 다른 실시예에서, 각도 "Φ"는 약 14도 내지 약 16도이다.
[0067] 내부 실린더형 밴드(614a)는 외부 실린더형 밴드(614b) 보다 작은 높이를 갖는다. 통상적으로, 외부 실린더형 밴드(614b)의 높이는 내부 실린더형 밴드(614a)의 높이의 적어도 2배이다. 일 실시예에서, 외부 실린더형 밴드(614b)의 높이는 약 0.4인치 내지 약 1인치이다. 또 다른 실시예에서, 외부 실린더형 밴드(614b)의 높이는 약 0.6인치 내지 약 0.7인치이다. 일 실시예에서, 내부 실린더형 밴드(614a)의 높이는 약 0.2인치 내지 약 0.6인치이다. 또 다른 실시예에서, 내부 실린더형 밴드(614a)의 높이는 약 0.3 인치 내지 약 0.4인치이다.
[0068] 일 실시예에서, 바닥 표면의 외부 직경 "L"은 내부 실린더형 밴드(614a)의 내부 직경으로 기능한다. 내부 실린더형 밴드(614a)는 화살표 "M"으로 표시된 외부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 내부 실린더형 밴드(614a)의 직경은 약 13.5인치 내지 약 14.2 인치이다. 또 다른 실시예에서, 내부 실린더형 밴드(614a)의 직경 "M"은 약 13.7인치 내지 14인치이다. 또 다른 실시예에서, 내부 실린더형 밴드의 직경 "M"은 약 13.8인치 내지 약 13.9인치이다.
[0069] 일 실시예에서, 외부 실린더형 밴드(614b)는 화살표 "N"으로 표시된 것처럼 내부 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 직경 "N"은 약 14인치 내지 약 15인치이다. 또 다른 실시예에서, 외부 실린더형 밴드(614b)의 직경 "N"은 약 14.2인치 내지 약 14.8인치이다. 또 다른 실시예에서, 외부 실린더형 밴드(614b)의 직경 "N"은 약 14.5인치 내지 약 14.6 인치이다. 일 실시예에서, 커버 링의 직경 "H"은 외부 실린더형 밴드의 외부 직경 "H"으로 기능한다.
[0070] 일 실시예에서, 커버 링(170)은 상이한 높이들의 범위에서 하부 실드(160)의 컨덕턴스 홀들을 조절하고 효율적으로 차폐한다. 예를 들어, 커버 링(170)은 챔버(100)의 기판 지지대(128)와 관련하여 커버 링(170)의 높이를 조절하여 상승 및 하강시킬 수 있다.
[0071] 하부 실드(160)와 커버 링(170) 간의 공간 또는 갭은 플라즈마가 이동하도록 회선형 S자 형상 경로 또는 미로를 형성한다. 예를 들어 상기 경로의 형상은 바람직하며, 이는 상기 경로의 형상이 이러한 영역으로 플라즈마 종들의 진입을 가리고 방해하여, 스퍼터링된 물질의 바람직하지 못한 증착을 감소시키기 때문이다.
[0072] 지금까지 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명에 대한 다른 및 추가적 실시예들이 본 발명의 기본 범주를 이탈하지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범주는 하기 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한(encircling) 하부 실드(shield)로서,
    상기 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면 및 상기 기판 지지대를 에워싸도록 치수설정된(dimensioned) 제 1 직경을 갖는 실린더형 외부 밴드 ― 상기 실린더형 외부 밴드는,
    상기 스퍼터링 타겟의 스퍼터링 표면을 둘러싸는 상부 벽;
    상기 기판 지지대를 둘러싸는 바닥 벽
    을 포함함―;
    상기 실린더형 외부 밴드로부터 방사상 바깥방향으로 연장되며 레스팅(resting) 표면을 포함하는 지지 레지(support ledge);
    상기 실린더형 외부 밴드의 상기 바닥 벽으로부터 방사상 안쪽방향으로 연장되는 베이스 플레이트(base plate); 및
    상기 베이스 플레이트와 연결되며 상기 기판 지지대의 주변 에지를 부분적으로 둘러싸는 실린더형 내부 밴드
    를 포함하는, 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한 하부 실드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 벽은,
    내부 주변부(inner periphery); 및
    외부 주변부
    를 포함하며, 상기 외부 주변부는 경사진 스텝(sloped step)을 형성하도록 연장되며 상기 경사진 스텝은 수직부로부터 약 5도 내지 약 10도 방사상 바깥방향으로 각진, 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한 하부 실드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실린더형 내부 밴드, 상기 베이스 플레이트, 및 상기 실린더형 외부 밴드는 U자 형상 채널을 형성하며 상기 실린더형 내부 밴드는 상기 실린더형 외부 밴드의 높이 보다 작은 높이를 포함하는, 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한 하부 실드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실린더형 외부 밴드, 상기 상부 벽, 상기 지지 레지, 상기 바닥 벽, 및 상기 내부 실린더형 밴드는 단일체 구조로 구성되는, 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한 하부 실드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 실드의 노출된 표면들은 175±75 마이크로인치의 표면 조도(surface roughness)를 갖도록 비드 블라스팅되는(bead blasted), 기판 프로세싱 챔버의 스퍼터링 타겟 및 기판 지지대를 에워싸기 위한 하부 실드.
  6. 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링으로서,
    상기 기판 지지대의 상기 주변 벽을 둘러싸기 위한 환형 밴드 ― 상기 환형 밴드는 상기 기판 지지대의 상기 주변 벽에 실질적으로 평행하며 상기 환형 밴드로부터 횡방향으로(transversely) 연장되는 내부 립(inner lip)을 포함하며, 상기 내부 립은 상기 주변 벽상의 스퍼터링 증착물들의 증착을 감소시키거나 심지어 완전히 배제시키기 위해 프로세싱 동안 상기 기판에 의해 커버되지 않는 상기 지지대의 영역들을 보호하기 위해 기판 지지대 및 상기 기판의 주변부를 둘러싸는 상기 증착 링의 내부 주변부를 한정함―; 및
    상기 밴드의 중심부를 따라 연장되는 V자 형상 돌출부(protuberance)
    를 포함하며, 상기 V자 형상 돌출부는 상기 V자 형상 돌출부의 양측면(either side)상에, 상기 내부 립에 인접한 방사상 안쪽방향 제 1 리세스 및 방사상 안쪽방향 제 2 리세스를 갖는, 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 V자 형상 돌출부의 대향 표면들은 약 25°내지 약 30°의 각도를 형성하는, 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사상 안쪽방향 제 1 리세스는 상기 방사상 안쪽방향 제 2 리세스의 수평 평면 약간 아래의 수평 평면에 위치되며, 상기 방사상 안쪽방향 제 1 리세스 및 상기 방사상 안쪽방향 제 2 리세스는 상기 증착 링의 바닥 표면에 평행한, 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 환형 밴드의 바닥 표면은 상기 V자 형상 돌출부 및 상기 내부 립 아래로 연장되는 노치(notch)를 포함하며, 상기 노치는 약 0.6 인치 내지 약 0.75 인치의 폭과 약 0.020인치 내지 0.030 인치의 높이를 가지는, 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사상 안쪽방향 제 2 리세스는 약 13 인치 내지 약 13.5 인치의 외부 직경 및 약 12 인치 내지 약 12.5인치의 내부 직경을 가지며, 상기 V자 형상 돌출부의 정점(apex)은 약 12 인치 내지 약 12.3 인치의 직경을 가지며, 상기 내부 립은 약 11인치 내지 약 12 인치의 외부 직경을 가지는, 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 주변 벽을 에워싸기 위한 증착 링.
  11. 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링으로서,
    환형 웨지(annular wedge) ― 상기 환형 웨지는,
    상부 표면;
    방사상 안쪽방향으로 경사지며 내부 주변부 및 외부 주변부를 가지는 상기 상부 표면과 연결되는 경사진 상부 표면;
    증착 링의 레지(ledge) 상에 놓이는 바닥 표면 ―상기 상부 표면은 상기 바닥 표면과 실질적으로 평행함 ―;
    상기 경사진 상부 표면에 의해 상기 상부 표면과 연결되는 돌출 브림(projecting brim) ― 상기 돌출 브림과 협력하는 상기 경사진 상부 표면은 내부 볼륨 배출 및 챔버 바디 캐비티 진입으로부터 시선방향(line-of-sight) 증착을 차단함―; 및
    상기 환형 웨지의 상기 경사진 상부 표면 아래에 위치되며 상기 바닥 표면과 상기 돌출 브림을 연결하는 경사진 스텝(sloped step)
    을 포함함― ; 및
    상기 환형 웨지로부터 아래방향으로 연장되는 내부 실린더형 밴드 및 외부 실린더형 밴드
    를 포함하며, 상기 내부 실린더형 밴드는 상기 외부 실린더형 밴드 보다 작은 높이를 가지는, 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 경사진 스텝은 상기 환형 웨지로부터 방사상 아래방향으로 그리고 상기 내부 주변부로부터 방사상 바깥방향으로 연장되며, 상기 경사진 스텝은 상기 바닥 표면에 대해 약 40도 내지 약 50도의 각도로 경사지는, 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 커버 링은 스테인리스 스틸, 티타늄, 알루미늄, 알루미늄 산화물 및 이들의 조합물을 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 제조되는, 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 커버 링의 표면은 트윈-와이어 알루미늄 아크-스프레이 코팅으로 처리되는, 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 커버 링은 약 14.5인치 내지 약 15인치의 외부 직경 및 약 11.5 인치 내지 약 12.5인치의 내부 직경을 가지며, 상기 경사진 상부 표면은 상기 상부 표면에 대해 약 5도 내지 약 15도의 각도로 경사지는, 증착 링을 에워싸며 스퍼터링 증착물들로부터 증착 링을 적어도 부분적으로 차폐하기 위한 커버 링.
KR1020107025606A 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들 KR101571558B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4555608P 2008-04-16 2008-04-16
US61/045,556 2008-04-16
US4933408P 2008-04-30 2008-04-30
US61/049,334 2008-04-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157032979A Division KR20150136142A (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110007195A true KR20110007195A (ko) 2011-01-21
KR101571558B1 KR101571558B1 (ko) 2015-11-24

Family

ID=41200217

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207016388A KR20200067957A (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020157032979A KR20150136142A (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020167005975A KR102025330B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020107025606A KR101571558B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020167023767A KR101939640B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020197022619A KR102134276B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207016388A KR20200067957A (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020157032979A KR20150136142A (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020167005975A KR102025330B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167023767A KR101939640B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
KR1020197022619A KR102134276B1 (ko) 2008-04-16 2009-04-14 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20090260982A1 (ko)
JP (1) JP5916384B2 (ko)
KR (6) KR20200067957A (ko)
CN (1) CN102007572B (ko)
TW (1) TWI502670B (ko)
WO (1) WO2009154853A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150034435A (ko) * 2013-09-26 2015-04-03 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20170015980A (ko) * 2014-06-06 2017-02-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버들에서 사용하기 위한 냉각된 프로세스 툴 어댑터
KR20190075163A (ko) * 2016-11-19 2019-06-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플로팅 쉐도우 링을 가진 프로세스 키트

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9062379B2 (en) * 2008-04-16 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
KR101511027B1 (ko) * 2008-05-02 2015-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ물리 기상 증착용 프로세스 키트
US8900471B2 (en) 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
US20110036709A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Applied Materials, Inc. Process kit for rf physical vapor deposition
WO2011094100A2 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance
US9834840B2 (en) * 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
JP2013537719A (ja) * 2010-08-20 2013-10-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 長寿命デポジションリング
CN105177519B (zh) * 2010-10-29 2018-03-27 应用材料公司 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘
EP2487275B1 (en) * 2011-02-11 2016-06-15 SPTS Technologies Limited Composite shielding
GB201102447D0 (en) * 2011-02-11 2011-03-30 Spp Process Technology Systems Uk Ltd Composite shielding
US9905443B2 (en) * 2011-03-11 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same
WO2013026493A1 (en) * 2011-08-25 2013-02-28 Applied Materials, Inc. Corner cut mask
JP5860063B2 (ja) * 2011-12-22 2016-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
TWM431893U (en) * 2012-02-10 2012-06-21 Well Thin Technology Ltd Deposition ring
US9376752B2 (en) * 2012-04-06 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Edge ring for a deposition chamber
US20130277203A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-24 Applied Materials, Inc. Process kit shield and physical vapor deposition chamber having same
KR102117234B1 (ko) * 2012-08-30 2020-06-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반사성 증착 링들 및 그를 포함하는 기판 프로세싱 챔버들
CN103911585A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 旭晖应用材料股份有限公司 遮罩
KR102346064B1 (ko) * 2014-03-12 2021-12-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 챔버에서의 웨이퍼 회전
US10053777B2 (en) * 2014-03-19 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber
US10283334B2 (en) * 2014-08-22 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life
CN105624634B (zh) * 2014-11-04 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
CN105779932B (zh) * 2014-12-26 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
CN107406973A (zh) * 2015-01-19 2017-11-28 欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔 用于提高热输出的带有特别设计的真空腔
US10903055B2 (en) * 2015-04-17 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Edge ring for bevel polymer reduction
JP7008509B2 (ja) * 2015-05-27 2022-02-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高成長率のｅｐｉチャンバのための遮熱リング
US10755902B2 (en) * 2015-05-27 2020-08-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring
KR102709082B1 (ko) 2015-07-03 2024-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높은 증착 링 및 증착 링 클램프를 갖는 프로세스 키트
US10103012B2 (en) 2015-09-11 2018-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate
US9953812B2 (en) 2015-10-06 2018-04-24 Applied Materials, Inc. Integrated process kit for a substrate processing chamber
KR20240127488A (ko) 2015-10-27 2024-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 스퍼터 챔버를 위한 바이어스가능 플럭스 최적화기/콜리메이터
US10431440B2 (en) * 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
JP6888007B2 (ja) 2016-01-26 2021-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決
WO2017131927A1 (en) 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
WO2018008681A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社アルバック 成膜装置、プラテンリング
US10446420B2 (en) 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
USD836572S1 (en) 2016-09-30 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
CN109804455B (zh) * 2016-10-14 2022-03-15 瑞士艾发科技 溅射源
US10923385B2 (en) * 2016-11-03 2021-02-16 Lam Research Corporation Carrier plate for use in plasma processing systems
CN110073463B (zh) * 2016-11-18 2022-05-24 应用材料公司 用于在物理气相沉积腔室中的准直器
US10886113B2 (en) * 2016-11-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Process kit and method for processing a substrate
US9773665B1 (en) * 2016-12-06 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Particle reduction in a physical vapor deposition chamber
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
CN108456860B (zh) * 2017-02-22 2020-12-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种沉积腔室和膜层沉积装置
US11043364B2 (en) * 2017-06-05 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Process kit for multi-cathode processing chamber
CN107227448B (zh) * 2017-06-30 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 基座以及物理气相沉积装置
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
USD851613S1 (en) 2017-10-05 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
TWI760111B (zh) * 2017-11-21 2022-04-01 美商蘭姆研究公司 底部和中間邊緣環
WO2019103722A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-31 Lam Research Corporation Bottom and middle edge rings
TWI722257B (zh) * 2017-11-21 2021-03-21 美商蘭姆研究公司 底部和中間邊緣環
USD868124S1 (en) * 2017-12-11 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
WO2019147493A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Applied Materials, Inc. Process kit geometry for particle reduction in pvd processes
USD877101S1 (en) 2018-03-09 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
WO2019204185A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Applied Materials, Inc. Two piece shutter disk assembly with self-centering feature
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
KR102067820B1 (ko) * 2018-07-24 2020-01-17 (주)선익시스템 가변형 아크억제수단이 마련된 증착장비
CN110838429B (zh) * 2018-08-15 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 腔体内衬、等离子体反应腔室和等离子体设备
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US11551965B2 (en) 2018-12-07 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Apparatus to reduce polymers deposition
US11961723B2 (en) 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
CN113169024A (zh) * 2018-12-19 2021-07-23 瑞士艾发科技 沉积化合物层的真空系统和方法
US11486038B2 (en) 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity
JP7329940B2 (ja) * 2019-03-22 2023-08-21 株式会社アルバック 成膜装置及びその製造方法。
WO2020214327A1 (en) 2019-04-19 2020-10-22 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
CN110066981B (zh) * 2019-06-17 2023-11-28 浙江晶驰光电科技有限公司 正装基片定位装置及基片装载方法
CN110273134B (zh) * 2019-07-25 2024-06-21 深圳清华大学研究院 全口径薄膜沉积夹具
USD908645S1 (en) 2019-08-26 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Sputtering target for a physical vapor deposition chamber
KR20210061639A (ko) * 2019-11-20 2021-05-28 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법 및 전자 디바이스 제조 방법
CN111235535B (zh) * 2020-01-22 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种溅射反应腔室的工艺组件及其溅射反应腔室
US11339466B2 (en) * 2020-03-20 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Heated shield for physical vapor deposition chamber
USD937329S1 (en) 2020-03-23 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Sputter target for a physical vapor deposition chamber
US11581166B2 (en) * 2020-07-31 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Low profile deposition ring for enhanced life
US11996315B2 (en) 2020-11-18 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Thin substrate handling via edge clamping
US12100579B2 (en) * 2020-11-18 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition ring for thin substrate handling via edge clamping
USD1038049S1 (en) 2020-11-18 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Cover ring for use in semiconductor processing chamber
USD940765S1 (en) 2020-12-02 2022-01-11 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
CN114763602B (zh) * 2021-01-13 2023-09-29 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆处理设备与制造半导体装置的方法
CN115110042B (zh) * 2021-03-22 2024-03-01 台湾积体电路制造股份有限公司 物理气相沉积反应室及其使用方法
USD1007449S1 (en) 2021-05-07 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Target profile for a physical vapor deposition chamber target
US11915918B2 (en) 2021-06-29 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Cleaning of sin with CCP plasma or RPS clean
CN114672780B (zh) * 2022-03-22 2023-09-19 颀中科技（苏州）有限公司 晶圆托盘及晶圆片溅渡设备
US20240021417A1 (en) * 2022-07-15 2024-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Focus ring, substrate processing apparatus including the same, and semiconductor fabrication method using the same
KR102649810B1 (ko) * 2023-08-30 2024-03-21 주식회사 코미코 증착 공정용 챔버의 코팅방법

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0784162B2 (ja) 1988-07-25 1995-09-13 東海興業株式会社 ウェザーストリップ、及びその成形方法
US5803977A (en) * 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
JP3563095B2 (ja) * 1993-10-28 2004-09-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5632873A (en) 1995-05-22 1997-05-27 Stevens; Joseph J. Two piece anti-stick clamp ring
US5690795A (en) * 1995-06-05 1997-11-25 Applied Materials, Inc. Screwless shield assembly for vacuum processing chambers
JP3545123B2 (ja) * 1996-01-26 2004-07-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウエハ加熱器用成膜防護具
US5914018A (en) * 1996-08-23 1999-06-22 Applied Materials, Inc. Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall
US5942042A (en) 1997-05-23 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US6034863A (en) * 1997-11-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece in a process chamber within a semiconductor wafer processing system
KR20010089376A (ko) * 1998-10-29 2001-10-06 조셉 제이. 스위니 전력을 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템내의 제품을 통하여연결하기 위한 장치
US6398929B1 (en) * 1999-10-08 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering
JP2001140054A (ja) 1999-11-15 2001-05-22 Nec Kagoshima Ltd 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置
KR100342395B1 (ko) * 2000-06-28 2002-07-02 황인길 반도체 소자 제조 장치
US6699375B1 (en) * 2000-06-29 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method of extending process kit consumable recycling life
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US7041201B2 (en) 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
US6899798B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer
US6743340B2 (en) * 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US7026009B2 (en) * 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US7041200B2 (en) * 2002-04-19 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US6797131B2 (en) * 2002-11-12 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Design of hardware features to facilitate arc-spray coating applications and functions
KR20050069452A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 스퍼터링 장치의 실드구조
US20060054090A1 (en) 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
KR20070045060A (ko) * 2005-10-26 2007-05-02 삼성전자주식회사 증착 링 및 이를 세정하는 방법
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
JP4954542B2 (ja) 2005-12-09 2012-06-20 三菱マテリアル株式会社 掘削ロッド、掘削ビット及び掘削工具
US7520969B2 (en) * 2006-03-07 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Notched deposition ring
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150034435A (ko) * 2013-09-26 2015-04-03 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20170015980A (ko) * 2014-06-06 2017-02-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 챔버들에서 사용하기 위한 냉각된 프로세스 툴 어댑터
KR20190075163A (ko) * 2016-11-19 2019-06-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플로팅 쉐도우 링을 가진 프로세스 키트

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200067957A (ko) 2020-06-12
KR102025330B1 (ko) 2019-09-25
CN102007572A (zh) 2011-04-06
KR101939640B1 (ko) 2019-01-17
CN102007572B (zh) 2013-01-16
JP2011518255A (ja) 2011-06-23
JP5916384B2 (ja) 2016-05-11
US20120211359A1 (en) 2012-08-23
TW201003819A (en) 2010-01-16
KR102134276B1 (ko) 2020-07-15
US8696878B2 (en) 2014-04-15
KR20150136142A (ko) 2015-12-04
US20140190822A1 (en) 2014-07-10
TWI502670B (zh) 2015-10-01
WO2009154853A2 (en) 2009-12-23
US9476122B2 (en) 2016-10-25
WO2009154853A3 (en) 2010-02-25
KR20190092628A (ko) 2019-08-07
US20090260982A1 (en) 2009-10-22
KR20160105989A (ko) 2016-09-08
KR20160030343A (ko) 2016-03-16
KR101571558B1 (ko) 2015-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101571558B1 (ko) 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
US9978569B2 (en) Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance
US8668815B2 (en) Process kit for RF physical vapor deposition
US7981262B2 (en) Process kit for substrate processing chamber
US20130087452A1 (en) Process kit for rf physical vapor deposition
US9062379B2 (en) Wafer processing deposition shielding components

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181112

Year of fee payment: 4