KR20100119758A - 절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 - Google Patents

절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 Download PDF

Info

Publication number
KR20100119758A
KR20100119758A KR1020107016946A KR20107016946A KR20100119758A KR 20100119758 A KR20100119758 A KR 20100119758A KR 1020107016946 A KR1020107016946 A KR 1020107016946A KR 20107016946 A KR20107016946 A KR 20107016946A KR 20100119758 A KR20100119758 A KR 20100119758A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
diffusion barrier
film
copper diffusion
dielectric constant
Prior art date
Application number
KR1020107016946A
Other languages
English (en)
Inventor
다카히사 오노
노부오 타지마
사토시 하사카
미노루 이노우에
카오루 사코다
요시아키 이나이시
마나부 신리키
카즈히로 미야자와
Original Assignee
도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코
타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코, 타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤 filed Critical 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코
Publication of KR20100119758A publication Critical patent/KR20100119758A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/0805—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms
    • C07F7/0807—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms comprising Si as a ring atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3148—Silicon Carbide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 하기의 화학식 (1)로 표시되는 플라즈마 CVD 용 절연막 재료, 그것을 이용한 성막 방법 및 절연막을 제공한다. 본 발명에 의하면, 반도체 장비의 층간 절연막 등에 유용한 비유전율이 낮고, 구리 확산 베리어 성이 높은 절연막을 얻을 수 있다. 하기 화학식(1)에 있어서, n은 3~6의 정수이고, R1 및 R2는 각각 독립으로 C2H, C2H3, C3H3, C3H5, C3H7, C4H5, C4H7, C4H9, C5H7, C5H9 및 C5H11의 하나이다.
[화학식 1]
Figure pct00003

Description

절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막{Insulating film material, Method of Film formation using insulating film material, and Insulating Film}
본 발명은 반도체 장치의 층간 절연막 등에 유용한 절연막을 성막하는 데에 이용되는 절연막 재료 및 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 저유전율이면서, 구리 확산 베리어 성을 갖는 절연막을 얻을 수 있다.
본원은 2008년 1월 23일에, 일본에 출원된 특원 2008-013105 호에 근거해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
반도체 장비의 고집적화에 따라, 배선층이 미세화되고 있다. 그러나 미세한 배선 층에서는 배선 층에서 신호 지연의 영향이 크게 되어, 신호 전송 속도의 고속화를 방해하고 있다.
이 신호 지연은 배선층의 저항과 배선층간 용량에 비례하기 때문에, 고속화를 실현하기 위해서는, 배선층의 저 저항화와 배선층간 용량의 절감이 필수적이다.
이 때문에, 최근에는 배선층을 구성하는 재료로써, 종래의 알루미늄에서 저항율이 낮은 구리가 사용되고, 더욱이, 배선층간의 용량을 감소시키기 위한 비(比) 유전율의 낮은 층간 절연막이 이용되고 있다.
예를 들어, SiO2막이 4.1, SiOF막이 3.7의 비 유전율을 가지지만, 보다 더, 비유전율이 낮은 SiOCH막이나 유기막을 이용하게 되어 있다.
이렇듯이, 층간 절연막의 비유전율은 점점 작아지게 있어, 차세대용도를 위한 비유전율이 2.4 이하인 저유전율 층간 절연막의 연구 개발이 진행되어, 현재에는 비유전율이 2.0을 밑도는 층간 절연막이 보고되고 있다.
또한, 구리를 배선층으로 사용한 다층배선구조에서는, 절연막 중에 구리가 확산하는 것을 방지하기 위하여, 구리 확산 베리어 성 절연막을 구리 배선층과 절연막의 경계에 삽입하는 것으로 되고 있다.
이 구리 확산 베리어 성 절연막에는 우수한 구리 확산 베리어 성을 갖는 질화 규소나 SiCN 등으로 되는 절연막이 이용되고 있으나, 비유전율이 4~7로 높고, 이 다층 배선 구조를 구성하는 절연막 전체로서의 실효적인 비유전율을 높게 하고 있다.
예를 들면, 비 유전율이 2.5 정도의 층간 절연막과 비 유전율이 4 정도의 구리 확산 베리어 성 절연막을 적층시킨 다층배선 구조에서는 실효적인 비 유전율은 3 정도가 된다.
즉, 실효적인 비 유전율을 낮게 하기 위해서는, 구리 확산 베리어 성 절연막의 저유전율화가 필요하며, 이를 위한 연구개발이 진행되고 있다.
지금까지, π 전자결합을 갖는 유기 실란(Sillan)계(系) 재료를 이용한 규소와 탄소를 주성분으로 하는 구리 확산 베리어 성 절연막에 관한 보고가 있다(특허문헌 1 참조)
[특허문헌 1] 특개 2005-45058호 공보
그러나, 상기 선행발명에 있어서 개시된 구리 확산 베리어 성 절연막의 비 유전율은 3.9로 높고, 한편, 종래의 SiCN으로부터 되는 구리 확산 베리어성 절연막과 비교하여 구리 확산 베리어 성이 우수하다고는 말할 수 없는 문제가 있다.
거기에서, 본 발명은 구리 확산 베리어 성을 가지며, 극히 낮은 비 유전율을 갖는 절연막을 얻는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 아래와 같은 구성을 채용하였다.
(1) 하기 화학식(1)에 나타나는 플라즈마 CVD용 절연막 재료.
[화학식 1]
Figure pct00001
화학식(1)에 있어서, n은 3~6의 정수이고, R1 및 R2는 각각 독립으로 C2H, C2H3, C3H3, C3H5, C3H7, C4H5, C4H7, C4H9, C5H7, C5H9 및 C5H11의 하나이다.
(2) 상기 (1)의 기재의 절연막 재료를 이용하여, 플라즈마 CVD 법에 의해 절연막을 성막하는 성막 방법.
(3) 성막할 때, 캐리어 가스를 동반하지 않는 상기 (2)에 기재된 성막 방법.
(4) 상기 (2) 또는 (3)에 기재된 성막 방법에서 얻어진 절연막.
본 발명에 의하면, 상기 화학식 (1)에 표시된 규소 화합물을 절연막 재료로서 플라즈마 CVD 법에 의해 성막한 절연막은 그 유전율이 낮고, 게다가 구리 확산 베리어 성이 높은 것이 된다.
도 1은 본 발명의 성막 방법에 이용되는 성막 장치의 일례를 나타낸 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명에 있어서 구리 확산 베리어 성의 평가방법을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명에 있어서 구리 확산 베리어 성의 평가방법을 나타낸 그래프이다.
도 4는 실시 예1에서의 구리 확산 베리어 성 평가결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시 예2에서의 구리 확산 베리어 성 평가결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 비교 예1에서의 구리 확산 베리어 성 평가결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 비교 예2에서의 구리 확산 베리어 성 평가결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 플라즈마 CVD용 절연막 재료는 상기 화학식(1)에서 표시된 규소 화합물이며, 모두 공지 화합물이고, 공지의 합성방법에 의해 얻어지는 것이 가능하다. 이 화학식(1)에 표시된 화합물을 구리 확산 베리어 성 절연막 재료로서 사용하는 것은, 종래에 알려져 있지 않다.
이 규소 화합물은 3~6개의 -CH2- 기(基)가 상호 결합하여, 3 원환(圓環) 내지 6 원환의 환상구조를 형성하고, 환의 양단부의 탄소가 규소 원자에 결합하고 있으며, 그 환상구조 내에는 이중결합이 포함되어 있지 않다.
치환기 R1, R2에 대해서는 한 개의 분자 내에 있어서, 동일의 치환기이거나 서로 다른 치환기여도 좋다.
또한, 상기 화학식(1)에 표시된 규소 화합물에 관하여, 치환기 R1의 탄소 수를 X로 하고, 치환기 R2의 탄소 수를 Y로 할 때, n= X + Y (n은, 화학식 (1)의 -CH2-의 결합 수이다)의 관계를 만족하는 것이, 형성된 절연막의 유전율의 낮음, 구리 확산 베리어 성의 유무, 기계적 강도 측면에서 바람직하다. 또한, R1 과 R2가 동일한 치환기인 것이 더욱 바람직하다.
화학식 (1)에 표시되는 화합물의 구체적인 것으로는, 1-1-디비닐-1-시라시클로펜탄(1-1-divinyl-1-silacyclopentane), 1-1-디아릴-1-시라시클로펜탄(1-1-diallyl-1-silacyclopentane)이 바람직한 화합물이다.
이밖에 사용되는 실리콘 화합물의 예로는, 1-1-디에티닐-1-시라시클로부탄(1-1-diethynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디비닐-1-시라시클로부탄(1-1-divinyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-1-프로피닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-1-propynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-2-프로피닐-1-시라시크로부탄(1-1-di-2-propynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디프로페닐-1-시라시클로부탄(1-1-dipropenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디아릴-1-시라시크로부탄(1-1-diallyl-1-silacyclobutane), 1-1-디프로필-1-시라시크로부탄(1-1-dipropyl-1-silacyclobutane), 1-1-디이소프로필-1-시라시클로부탄(1-1-diisopropyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-1-부티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-1-butynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-2-부티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-2-butynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-3-부티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-3-butynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-1-부테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-1-butenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-2-부테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-2-butenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-3-부테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-3-butenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디시클로부틸-1-시라시클로부탄(1-1-dicyclobutyl-1-silacyclobutane), 1-1-디부틸-1-시라시클로부탄(1-1-dibutyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-s-부틸-1-시라시클로부탄(1-1-di-s-butyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-t-부틸-1-시라시클로부탄(1-1-di-t-butyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-1-펜티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-2-펜티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-2-pentynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-3-펜티닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-3-pentynyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-1-펜테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-2-펜테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-2-pentenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-3-펜테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-3-pentenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-4-펜테닐-1-시라시클로부탄(1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclobutane), 1-1-디시클로펜틸-1-시라시클로부탄(1-1-dicyclopentyl-1-silacyclobutane), 1-1-디펜틸-1-시라시클로부탄(1-1-dipentyl-1-silacyclobutane), 1-1-디-t-펜틸-1-시라시클로부탄(1-1-di-t-pentyl-1-silacyclobutane), 1-1-디에티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-diethynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디비닐-1-시라시클로펜탄(1-1-divinyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-1-프로피닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-1-propynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-2-프로피닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-2-propynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디프로페닐-1-시라시클로펜탄(1-1-dipropenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디아릴-1-시라시클로펜탄(1-1-diallyl-1-silacyclopentane), 1-1-디프로필-1-시라시클로펜탄(1-1-dipropyl-1-silacyclopentane), 1-1-디이소프로필-1-시라시클로펜탄(1-1-diisopropyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-1-부티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-1-butynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-2-부티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-2-butynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-3-부티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-3-butynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-1-부테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-1-butenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-2-부테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-2-butenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-3-부테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-3-butenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디시클로부틸-1-시라시클로펜탄(1-1-dicyclobutyl-1-silacyclopentane), 1-1-디부틸-1-시라시클로펜탄(1-1-dibutyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-s-부틸-1-시라시클로펜탄(1-1-di-s-butyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-t-부틸-1-시라시클로펜탄(1-1-di-t-butyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-1-펜티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-2-펜티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-2-pentynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-3-펜티닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-3-pentynyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-1-펜테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-2-펜테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-2-pentenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-3-펜테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-3-pentenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-4-펜테닐-1-시라시클로펜탄(1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclopentane), 1-1-디시클로펜틸-1-시라시클로펜탄(1-1-dicyclopentyl-1-silacyclopentane), 1-1-디펜틸-1-시라시클로펜탄(1-1-dipentyl-1-silacyclopentane), 1-1-디-t-펜틸-1-시라시클로펜탄(1-1-di-t-pentyl-1-silacyclopentane), 1-1-디에티닐-1-시라시클로헥산(1-1-diethynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디비닐-1-시라시클로헥산(1-1-divinyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-1-프로피닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-1-propynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-2-프로피닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-2-propynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디프로페닐-1-시라시클로헥산(1-1-dipropenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디아릴-1-시라시클로헥산(1-1-diallyl-1-silacyclohexane), 1-1-디프로필-1-시라시클로헥산(1-1-dipropyl-1-silacyclohexane), 1-1-디이소프로필-1-시라시클로헥산(1-1-diisopropyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-1-부티닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-1-butynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-2-부틸-1-시라시클로헥산(1-1-di-2-butynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-3-부틸-1-시라시클로헥산(1-1-di-3-butynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-1-부테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-1-butenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-2-부테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-2-butenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-3-부테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-3-butenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디시클로부틸-1-시라시클로헥산(1-1-dicyclobutyl-1-silacyclohexane), 1-1-디부틸-1-시라시클로헥산(1-1-dibutyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-s-부틸-1-시라시클로헥산(1-1-di-s-butyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-t-부틸-1-시라시클로헥산(1-1-di-t-butyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-1-펜티닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-1-pentynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-2-펜티닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-2-pentynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-3-펜티닐-1- 시라시클로헥산(1-1-di-3-pentynyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-1-펜테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-1-pentenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-2-펜테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-2-pentenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-3-펜테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-3-pentenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-4-펜테닐-1-시라시클로헥산(1-1-di-4-pentenyl-1-silacyclohexane), 1-1-디시클로벤틸-1-시라시클로헥산(1-1-dicyclopentyl-1-silacyclohexane), 1-1-디펜틸-1-시라시클로헥산(1-1-dipentyl-1-silacyclohexane), 1-1-디-t-펜틸-1-시라시클로헥산(1-1-di-t-pentyl-1-silacyclohexane), 1-1-디에티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-diethynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디비닐-1-시라시클로헵탄(1-1-divinyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-1-프로피닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-1-propynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-2-프로피닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-2-propynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디프로페닐-1-시라시클로헵탄(1-1-dipropenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디아릴-1-시라시클로헵탄(1-1-diallyl-1-silacycloheptane), 1-1-디프로필-1-시라시클로헵탄(1-1-dipropyl-1-silacycloheptane), 1-1-디이소프로필-1-시라시클로헵탄(1-1-diisopropyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-1-부티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-1-butynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-2-부티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-2-butynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-3-부티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-3-butynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-1-부테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-1-butenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-2-부테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-2-butenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-3-부테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-3-butenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디시클로부틸-1-시라시클로헵탄(1-1-dicyclobutyl-1-silacycloheptane), 1-1-디부틸-1-시라시클로헵탄(1-1-dibutyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-s-부틸-1-시라시클로헵탄(1-1-di-s-butyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-t-부틸-1-시라시클로헵탄(1-1-di-t-butyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-1-펜티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-1-pentynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-2-펜티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-2-pentynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-3-펜티닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-3-pentynyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-1-펜테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-1-pentenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-2-펜테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-2-pentenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-3-펜테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-3-pentenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-4-펜테닐-1-시라시클로헵탄(1-1-di-4-pentenyl-1-silacycloheptane), 1-1-디시클로펜틸-1-시라시클로헵탄(1-1-dicyclopentyl-1-silacycloheptane), 1-1-디펜틸-1-시라시클로헵탄(1-1-dipentyl-1-silacycloheptane), 1-1-디-t-펜틸-1-시라시클로헵탄(1-1-di-t-pentyl-1-silacycloheptane) 등을 들 수 있다.
다음으로, 본 발명의 성막 방법에 관하여 설명한다.
본 발명의 성막 방법은, 기본적으로는 상술한 화학식 (1)에 나타나는 절연막 재료를 이용한 플라즈마 CVD 법에 따라 성막을 실시하는 것이다. 이 경우, 화학식 (1)에 표시되는 규소 화합물의 1 종류 또는 2 종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
2종 이상의 절연막 재료를 혼합하여 사용하는 경우의 혼합 비율은 특히 한정되지 않고, 얻어지는 절연막의 비유전율, 구리 확산 베리어 성 등을 감안하여 결정할 수 있다.
또한, 성막 시에 상기 화학식 (1)에 표시되는 규소 화합물로 이루어진 절연막 재료에 캐리어 가스를 첨가하여 성막할 수도 있지만, 구리 확산 베리어 성의 개선을 위하여, 그 절연막 재료를 단독으로 성막하는 것이 바람직하다.
이 캐리어 가스에는 산소를 포함하지 않는 가스, 예를 들면 헬륨, 아르곤, 크립톤, 크세논 등의 비활성 기체 외에, 질소, 수소, 메탄, 에탄 등의 탄화 수소 등을 들 수 있으나, 특히 한정되는 것은 아니다. 캐리어 가스에는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 절연막 재료를 포함한 그 혼합 비율에 특별한 한정은 없다.
따라서, 성막 장치의 챔버 내로 이송되어 성막에 제공되는 성막용 가스는 절연막 재료로 되는 가스 이외에 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스로 되는 것이다.
절연막 재료 및 캐리어 가스가 상온에서 기체 상태로 있으면 그대로 이용되고, 액체 상태로 있으면 헬륨 등의 불활성 가스를 이용한 버블링에 의한 기화, 기화기에 의한 기화, 또는 가열에 의한 기화에 의해서 가스화하여 이용된다.
플라즈마 CVD 방법으로는 주지의 것이 사용되고, 예를 들어, 도 1에 나타낸 바와 같은 평행 평판형의 플라즈마 성막 장치 등을 사용하여 성막할 수 있다.
도 1에 나타낸 플라즈마 성막장치는 감압 가능한 챔버(1)를 갖추고, 이 챔버(1)는 배기관(2), 개폐 밸브(3)를 통해 배기 펌프(4)에 연결되어 있다. 또한, 챔버(1)에는 도시되지 않은 압력계가 구비되어, 챔버(1) 내의 압력을 측정할 수 있게 되어 있다. 챔버(1) 내에는 서로 대향 하는 한 쌍의 평판 모양의 상부 전극(5)과 하부 전극(6)이 설치되어 있다. 상부전극(5)은 고주파 전원(7)에 접속되어 상부 전극(5)에 고주파 전류가 인가되도록 되어 있다
하부 전극(6)은 기판(8)을 올려 설치하는 재치대를 겸하고 있고, 그 내부에는 히터(9)가 내장되며, 기판(8)을 가열할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상부 전극(5)에는 가스 공급 배관(10)이 접속되어 있다. 이 가스 공급 배관(10)에는 도시되지 않은 성막용 가스 공급원이 접속되어, 이 성막용 가스 공급 원으로부터의 성막용 가스가 공급되고, 이 가스는 상부 전극(5) 내에 형성된 복수 개의 관통공을 통해서, 하부 전극(6)을 향해 확산되고 분출하게 되어있다.
또한, 상기 성막용 가스 공급원에는 상술한 절연막 재료를 기화하는 기화 장치와 그 유량을 조정하는 유량 제어 밸브를 구비함과 동시에, 캐리어 가스를 공급하는 공급 장치가 설치되어 있어, 이러한 가스도 가스 공급 배관(10)으로 흘러서, 상부 전극(5)에서 챔버(1) 내로 분출하도록 되어 있다.
플라즈마 성막 장치의 챔버(1) 내의 하부 전극(6) 위에 기판(8)을 설치하고, 성막용 가스 공급원으로부터 상기 성막용 가스를 챔버(1) 내로 보낸다. 고주파 전원(7)으로부터 고주파 전류를 상부전극(5)에 인가하여, 챔버(1) 내에 플라즈마를 발생시킨다. 이에 의해, 기판(8) 위에 상기 성막용 가스로부터 기체상 화학 반응에 의해 생성한 절연막이 형성된다.
기판(8)으로는 주로 실리콘 웨이퍼로 되는 것이 사용되나, 이 실리콘 웨이퍼 상에는 미리 형성된 다른 절연막, 도전막 배선 구조 등이 존재하고 있어도 무방하다.
플라즈마 CVD 방법으로는 평행 평판 형 이외에, ICP 플라즈마, ECR 플라즈마, 마그네트론 프라즈마, 고주파 플라즈마, 마이크로파 플라즈마, 용량 결합 플라즈마, 유도 결합 플라즈마 등을 이용하는 것이 가능하며, 평행 평판 형 장치의 하부 전극에도 고주파를 도입하는 2 주파수 여기 플라즈마를 사용할 수도 있다.
이와 같은 플라즈마 성막 장치에 있어서, 성막 조건은 이하의 범위가 적당하나, 그와 같이 한정하는 것은 아니다.
절연막 재료 유량 : 25 ~ 100 cc / 분 (2 종류 이상의 경우는 합계량이다.)
캐리어 가스 유량 : 0 ~ 50 cc /분
압력 : 1 P a ~ 1330 Pa
RF 파워 : 50 ~ 500 W, 바람직한 것은 50 ~ 250 W
기판 온도 : 400 ℃ 이하
반응 시간 : 1 초 ~ 1800 초
성막 두께 : 100 nm ~ 200 nm
다음으로, 본 발명의 절연막에 대하여 설명한다.
본 발명의 절연막은 상술한 플라즈마 CVD 용 절연막 재료 또는 이것과 캐리어 가스를 이용하여, 플라즈마 성막 장치에 의해서 플라즈마 CVD 반응에 의해 성막 되는 것으로서, 그 비유전율이 2.9~3.5로, 구리 확산 베리어 성이 높은 것이다. 또한, 이 절연막은 산소가 포함되어 있지 않고, 규소와 수소와 탄소로 구성되어 있다.
본 발명의 절연막 형성 방법에 의해 얻어진 절연막이 뛰어난 구리 확산 베리어 성을 갖고, 낮은 비유전율을 갖는 이유는 다음과 같이 추측된다.
즉, 본 발명의 절연막 재료를 이루는 규소 화합물의 규소에 결합하는 환상 구조는 C-C 부분의 결합 에너지가 가장 낮아, 플라즈마에 의해 결합을 절단되어 개환(開環)된다.
개환된 CH2의 환상 구조는 다른 개환된 CH2의 환상 구조와 결합하면서 기판상에 증착한다. 다시 말해, Si-CH2-CH2-Si 등의 CH2 네트워크 구조가 생성되어, 이 네트워크 구조에 의해 치밀하면서, 낮은 비유전율을 가지는 절연막이 형성된다.
또한, 절연막 재료에는 산소가 포함되어 있지 않기 때문에, 플라즈마 분위기 중에서 절연막을 형성할 때에 도전막을 구성하는 구리를 산화시키지 않고, 구리의 확산성에 큰 영향을 미치는 구리 이온을 발생시키기 어려운 절연막이 형성된다.
이상에 의해, 본 발명의 절연막이 낮은 비유전율을 갖고, 구리 확산 베리어 성을 갖는 절연막이 되는 것이라 생각된다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예 및 비교 예에 의해 더욱 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 다음의 실시 예에 의해서 어떠한 한정이 되는 것은 아니다.
(실시예 1) 캐리어 가스를 사용하지 않은 절연막의 형성
절연막을 형성함에 있어서는, 평행 평판형의 용량 결합 플라즈마 CVD 장치를 사용하였다. 미리 350℃ 정도로 가열한 서셉터 상에 8 인치(직경 200 mm) 또는 12 인치(직경 300 mm)의 실리콘 웨이퍼를 반송하고, 절연막 재료 가스로서 1, 1-디비닐-1-시라시클로펜탄을 15 cc / min의 체적유량으로 유통시켜, 플라즈마 발생용 고주파 전원 장치의 출력을 180 W로 설정하여 절연막을 형성했다. 이때의 상기 플라즈마 CVD 장치의 챔버 내의 압력은 80 Pa이었다.
얻어진 절연막의 비유전율을 측정하기 위하여, 상기 실리콘 웨이퍼를 SSM 사의 CV 측정 장치 495 상에 반송하여, 수은 전극을 이용하여 절연막의 비유전율을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타내었다.
얻어진 절연막의 구리 확산 베리어 성의 평가에는 구리 전극(이하 Cu 전극)과 알루미늄 전극(이하, Al 전극)에 있어서의 전류 - 전압 (I - V) 특성의 차이를 비교하는 방법을 채용하였다.
이것은 절연막을 100℃~300℃ 정도로 가열한 상태에서 전계를 가하는 것으로, 구리의 절연막 사이로의 확산이 가속되는 것을 이용한 Biased Temperature Stress 시험법이다.
예를 들면, 구리 확산 베리어 성을 갖지 않는 절연막을 피시험막으로 하는 경우, Cu 전극과 Al 전극에 있어서의 I - V 특성에 차이가 생긴다. 이 차이는 전계를 가하는 것에 의해서, Cu 전극에서는 구리 이온의 절연막 사이로의 열 확산을 촉진하는 구리 이온 드리프트가 발생하여 누설 전류가 증가 되고, Al 전극에서는 열 확산이 일어나지 않기 때문에 누설 전류가 커지지 않는 것이 된다. 여기서, Cu 전극과 Al 전극에 있어서의 I - V 특성을 비교하여 절연막의 구리 확산 베리어 성을 평가할 수 있다.
도 2는 Cu 전극과 Al 전극에 의한 I - V 특성을 나타낸 그래프이고, 구리 확산 베리어 성이 높은 것으로의 특성이다. 즉, 이 예에서는 Cu 전극과 Al 전극에 의한 I - V 특성이 거의 동일하다.
도 3은 구리 확산 베리어 성이 낮은 것으로의 특성을 나타낸 그래프이다. 이 예에서는 Cu 전극의 I - V 특성과 Al 전극의 I - V 특성이 크게 다르며, Cu 전극의 I - V 특성으로의 전류값이 2 자리수 이상, Al 전극의 I - V 특성으로의 전류값보다 커지고 있다.
이와 같이, 구리 전극에 의한 I - V 특성과 Al 전극에 의한 I - V 특성에 있어서 전류값이 거의 같은 경우를 구리 확산 베리어 성이 높다고 판단할 수 있고, 구리 전극에 의한 I - V 특성에 있어서 전류값의 차이가 1 자리수 이상 높은 경우를 구리 확산 베리어 성이 낮은 것으로 판단할 수 있다. 이 시험 방법에 대해서는, 다음 문헌을 참조할 수 있다.
Alvin L. S. Loke et al. , IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 46, NO. 11, 2178-2187 (1999)
이하에서는, 절연막의 구리 확산 베리어 성의 구체적인 평가 순서를 보여준다. 먼저, 30 ㎟ 정도의 잘라낸 피측정 샘플을 2개 만들고, 마스크를 사용하여, 한쪽에 직경 약 1 ㎜의 구리 전극을, 반대쪽에 지름 약 1 ㎜의 알루미늄 전극을 진공 증착에 의해 형성한다.
다음으로, 구리 전극이 형성된 피측정 샘플을 진공 프로브 장치에 설치하고, 그 장치 내를 0.133Pa 이하로 되는 진공 분위기로 한 상태에서 I - V 특성을 상기 CV 측정 장치로 측정했다. 그리고, 질소를 압력이 93 kPa 정도가 될 때까지 상기 진공 프로브 장치 내에 충전함과 동시에, 스테이지 온도를 140℃ 또는 200℃까지 가열한 후, I - V 특성을 상기 CV 측정 장치로 측정했다.
이상의 구리 전극이 형성된 피측정 샘플에 관한 I - V 특성의 측정을, 알루미늄 전극이 형성된 피측정 샘플에서도 동일한 형태로 실시하고, 구리 전극과 알루미늄 전극에 있어서의 I - V 특성의 차이에 의해, 형성된 절연막의 구리 확산 베리어 성을 평가했다. 결과를 도 4에 나타내었다. 그외에, 막의 두께 측정에는 파이브라보 사의 분광 에립스메트리 장치를 사용했다. 측정 결과를 표 1에 나타내었다.
(실시예 2) 캐리어 가스를 이용한 절연막의 형성
절연막을 형성함에 있어서 사용하는 장치 및 방법은 실시예 1과 거의 동일하지만, 재료 가스로서 1, 1-디비닐-1-시라시클로펜탄을 17 cc / min의 체적 유량으로, 캐리어 가스로서 헬륨을 40 cc / min으로 동반하여 유통시키고, 플라즈마 발생용 고주파 전원 장치의 출력을 150 W로 설정하여 절연막을 형성하였다. 이때의 상기 플라즈마 CVD 장치 챔버 내 압력은 133 Pa였다.
얻어진 절연막의 비유전율, 구리 확산 베리어 성, 막의 두께를 실시예 1과 동일한 형태로 하여 평가했다. 측정 결과를 표 1에 나타내었다. 구리 확산 베리어 성의 평가 결과를 도 5에 표시하였다.
(비교예 1) CH2로 이루어진 환상 구조를 포함하지 않는 재료 가스에 의한 절연막의 형성
절연막을 형성하는데 있어서, 사용하는 장치 및 방법은 실시예 1과 거의 동일하지만, 재료 가스로 테트라 비닐 실란을 30 cc / min의 체적 유량으로, 캐리어 가스로 헬륨을 30 cc / min의 체적 유량으로 동반하여 유통시키고, 플라즈마 발생용 고주파 전원 장치의 출력을 100 W로 설정하여 절연막을 형성하였다. 이때의 상기 플라즈마 CVD 장치 챔버 내 압력은 798 Pa이었다
얻어진 절연막의 비유전율, 구리 확산 베리어 성, 막의 두께를 실시예 1과 동일한 형태로 하여 평가했다. 측정 결과를 표 1에 나타내었다. 구리 확산 베리어 성의 평가 결과를 도 6에 표시하였다.
(비교예 2) CH2로 이루어진 환상 구조를 포함하지 않는 재료 가스에 의한 절연막의 형성
절연막을 형성하는데 있어서, 사용하는 장치 및 방법은 실시예 1과 거의 동일하지만, 재료 가스로서 디아릴디비닐 실란을 30 cc / min의 체적 유량으로, 캐리아 가스로서 헬륨을 30 cc / min 체적 유량으로 동반하여 유통시키고, 플라즈마 발생용 고주파 전원 장치의 출력을 100W로 설정하여 절연막을 형성했다. 이때의 상기 플라즈마 CVD 장치 챔버 내 압력은 133 Pa이었다.
얻어진 절연막의 비유전율, 구리 확산 베리어 성, 막의 두께를 실시예 1과 동일한 형태로 하여 평가했다. 측정 결과를 표 1에 나타내었다. 구리 확산 베리어 성의 평가 결과를 도 7에 표시하였다.
비유전율 구리 확산 베리어 성 막 두께
실시예 1 3.08 유 189nm
실시예 2 3.38 유 193nm
비교예 1 2.87 무 205nm
비교예 2 2.72 무 269nm
표 1에 표시한 결과 및 도 4 내지 도 7에 표시한 그래프로 부터, 실시예 1로 형성된 절연막은 비유전율이 3.08이고, 구리 확산 베리어 성이 있고, 실시예 2로 형성된 절연막은 비유전율이 3.38이고, 구리 확산 베리어 성이 있는 것을 알 수 있다. 반면에, 비교예 1로 형성된 절연막은 비유전율이 2.87이고, 구리 확산 베리어 성을 갖지 않고, 비교예 2로 형성된 절연막은 비유전율이 2.72이며, 구리 확산 베리어 성을 갖지 않음을 알 수 있다.
이와 같이, 상기 화학식 (1)로 표시되는 규소 화합물로 이루어진 절연막 재료를 이용하여 플라즈마 CVD 법에 의해 절연막을 성막하는 것으로서, 구리 확산 베리어 성을 갖고, 비유전율이 낮은 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 헬륨 등의 캐리아 가스를 사용하지 않고 성막하는 것으로, 차세대 용도로 적당하고, 더욱 낮은 비유전율을 갖는 동 확산 베리어 성 절연막을 형성할 수 있다.
1 : 챔 버 2 : 배기관
3 : 개폐 밸브 4 : 배기 펌프
5 : 상부전극 6 : 하부전극
7 : 고주파 전원 8 : 기판
9 : 히터 10: 가스 공급배관

Claims (4)

  1. 하기 화학식 (1)로 표시되는 플라즈마 CVD 용 절연막 재료.
    [화학식 1]
    Figure pct00002

    ([화학식 1]에서, 화학식(1)에 있어서, n은 3~6의 정수이고, R1 및 R2는 각각 독립으로 C2H, C2H3, C3H3, C3H5, C3H7, C4H5, C4H7, C4H9, C5H7, C5H9 및 C5H11의 하나이다.)
  2. 청구항 1에 기재된 절연막 재료를 이용하여, 플라즈마 CVD 법에 의해 절연막을 성막하는 성막 방법.
  3. 성막시, 캐리어 가스를 동반하지 않는 청구항 2에 기재된 성막 방법.
  4. 청구항 2 또는 3에 기재된 성막 방법으로 얻어지는 절연막.
KR1020107016946A 2008-01-23 2009-01-20 절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 KR20100119758A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-013105 2008-01-23
JP2008013105A JP5317089B2 (ja) 2008-01-23 2008-01-23 成膜方法および絶縁膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100119758A true KR20100119758A (ko) 2010-11-10

Family

ID=40901089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107016946A KR20100119758A (ko) 2008-01-23 2009-01-20 절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8497391B2 (ko)
JP (1) JP5317089B2 (ko)
KR (1) KR20100119758A (ko)
CN (1) CN101925690B (ko)
TW (1) TWI460301B (ko)
WO (1) WO2009093581A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5332442B2 (ja) * 2008-09-19 2013-11-06 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI490363B (zh) * 2009-02-06 2015-07-01 Nat Inst For Materials Science 絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法及絕緣膜
JP6578353B2 (ja) 2014-09-23 2019-09-18 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード Ｓｉ含有膜堆積用カルボシラン置換アミン前駆体及びその方法
TWI706957B (zh) 2015-03-30 2020-10-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 碳矽烷與氨、胺類及脒類之觸媒去氫耦合
TWI753794B (zh) 2016-03-23 2022-01-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 形成含矽膜之組成物及其製法與用途
JP7025534B2 (ja) * 2017-09-14 2022-02-24 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー シリコン含有膜堆積用の組成物及び方法
TWI776666B (zh) * 2019-07-25 2022-09-01 美商慧盛材料美國責任有限公司 含有矽雜環烷的組合物及使用其沉積含矽膜的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
JP2005045058A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Mitsui Chemicals Inc 銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜
US7491658B2 (en) * 2004-10-13 2009-02-17 International Business Machines Corporation Ultra low k plasma enhanced chemical vapor deposition processes using a single bifunctional precursor containing both a SiCOH matrix functionality and organic porogen functionality

Also Published As

Publication number Publication date
TWI460301B (zh) 2014-11-11
CN101925690A (zh) 2010-12-22
US20110130584A1 (en) 2011-06-02
JP2009176898A (ja) 2009-08-06
TW200938654A (en) 2009-09-16
CN101925690B (zh) 2012-11-07
WO2009093581A1 (ja) 2009-07-30
JP5317089B2 (ja) 2013-10-16
US8497391B2 (en) 2013-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3926588B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100407012B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20100119758A (ko) 절연막 재료, 그 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막
JP5567588B2 (ja) 酸素含有前駆体を用いる誘電体バリアの堆積
JP3600507B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
EP1583142A2 (en) Deposition method and semiconductor device
US20020113316A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20110122830A (ko) 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막방법 및 절연막
JP2007318067A (ja) 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜
JP3934343B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US7238629B2 (en) Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR101635120B1 (ko) 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막
JP5731841B2 (ja) シリコン窒化膜の形成方法
JP2006339506A (ja) 成膜方法及び半導体装置の製造方法
JP2008263022A (ja) 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜
US20020151175A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2006294671A (ja) 低誘電率炭化珪素膜の製造方法
JP5607394B2 (ja) 層間絶縁膜の成膜方法および層間絶縁膜
JP5750230B2 (ja) 炭窒化珪素膜及び炭窒化珪素膜の成膜方法
WO2011108456A1 (ja) 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法
JP2007318070A (ja) 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application