KR20100110274A - 박형 다이 분리 및 픽업 장치 - Google Patents

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Abstract

접착 필름의 위치에 장착된 다이를 층분리하기 위한 다이 분리 장치는, 서로 인접하여 배열되는 사변형 접촉면들을 갖고, 또한 중간 이동식 플레이트 및 상기 중간 이동식 플레이트의 대향측부들 상의 외부 이동식 플레이트들을 갖는 복수의 이동식 플레이트들을 포함하고, 상기 이동식 플레이트들의 접촉면들은 함께 상기 다이의 위치에서 상기 접착 필름을 지지하기 위한 결합된 접촉면을 형성하고, 상기 각각의 이동식 플레이트는 상기 다이를 향하여 그리고 상기 다이로부터 멀어지도록 상기 다른 이동식 플레이트들에 대해 이동 가능하다.

Description

박형 다이 분리 및 픽업 장치{DEVICE FOR THIN DIE DETACHMENT AND PICK-UP}
본 발명은 반도체 조립 및 패키징 동안 반도체 칩 또는 반도체 다이의 취급에 관한 것이고, 특히 박형 반도체 다이가 장착되는 접착 필름으로부터의 박형 반도체 다이의 분리 및 픽업에 관한 것이다.
통상적으로, 복수의 반도체 다이들을 포함하는 웨이퍼는 싱귤레이션(singulaton) 동안 접착 필름에 장착되고, 각각의 개별 다이는 접착 필름에 접착되는 동안 분리된다. 따라서, 접착 필름으로부터의 다이의 분리 및 픽업은 전자 패키지의 조립을 위한 다이 본딩 및 플립 칩 본딩 공정에 포함되는 일반적인 공정이다. 고밀도 전자 장치의 개발을 위한 하나의 트렌드는 전자 패키지에 포함되는 다이들을 적층함으로써 동일한 풋프린트에서 그 밀도를 배가(multiply)시키는 것이다. 패키지에 적층된 각각의 다이의 두께는 패키지의 최종 높이를 최소화하기 위해 감소되어야 한다.
다이의 두께가 4밀(mil)(약 100 미크론) 미만일 때 다이의 손상없이 접착 필름으로부터 다이를 분리하기 위한 도전 과제가 생기게 되었다. 3 내지 4밀(75 내지 100미크론)의 두께를 갖는 다이들이 종종 대량 생산을 위해 사용된다. 2 내지 3밀(50 내지 75미크론) 두께의 다이들의 대량 생산은 현재 준비중이다. 전자 패키징 설계의 연구 및 개발을 위한 실험은 0.8 내지 2밀(20 내지 50미크론)의 다이들에 대해서 진행중이다. 따라서, 접착 필름으로부터 매우 박형의 다이들을 신뢰성있게 분리할 수 있는 장치가 전자 조립체 설비의 영역에서 중요한 기계가 되었다.
통상적으로 다이 본딩 공정에서, 다이가 리드 프레임, 인쇄 배선 보드(PWB) 또는 적층 다이 응용예의 다른 다이의 표면과 같은 기판으로 전사되기 전에 이젝트 및 픽업 도구에 의해 다이는 접착제 또는 다이싱 필름(dicing film)으로부터 분리되어 픽업된다. 다이 픽업 공정에서, 다이싱 필름이 진공 흡인에 의해 하향으로 유지된 상태에서 다이싱 필름 상의 지정된 다이는 아래측으로부터 다이를 상승시키는 푸시업 핀을 갖는 이젝트 도구에 의해 정렬된다. 그 다음에 콜릿(collet) 또는 픽업 도구가 부분적으로 분리된 다이의 상부면 바로 위에 위치하면서, 다이는 푸시업 핀이 적절한 수준으로 상승될 때 다이싱 필름으로부터 들어올려진다. 콜릿은 분리 공정 동안 다이를 유지하기 위한 진공 흡인을 제공할 뿐만 아니라, 다이싱 필름으로부터 분리된 다이를 본딩 기판으로 운반한다.
다이가 장착된 다이싱 필름으로부터 다이의 분리를 용이하게 하기 위한 다양한 형태의 다이 분리 및 픽업 도구가 있다. 종래의 도구는 다이싱 필름으로부터 작은 다이를 분리하기 위한 종래의 설계인 니들형 이젝터 핀 설계를 포함한다. 분리 도구의 다른 형태는 피라미드 형상 분리 도구 및 슬라이드형 분리 도구이다.
도 1은 니들형 이젝터 핀(102)을 갖는 종래의 다이 분리 및 픽업 도구(100)의 도면이다. 도구(100)의 다이 분리부는 이젝터 척(104), 이젝터 핀(102) 및 이젝터 캡(106)을 포함하는 이젝터를 갖는다. 도구(100)의 픽업부는 콜릿 본체(109)에 장착되고, 이젝터 캡(106)의 상부 플랫폼 표면(107)과 접촉하는 다이싱 필름(112)에 위치된 다이(110) 위에 배치된 콜릿(108)을 갖는다. 이젝터 척(104)의 수직 이동은 모터 기구에 의해 구동된다. 이젝터 핀(102)은 이젝터 척(104)의 상부에 위치되고, 이젝터 척(104)과 함께 이동 가능하다. 2X2mm2과 같은 작은 치수의 다이들에 대해서, 분리되는 다이(110)의 중심에 위치된 단일 이젝터 핀(102)이 다이(110)를 분리하는데 충분하다. 다수의 이젝터 핀(102)이 큰 다이들에 대해서 바람직하고, 이젝터 핀(102)은 이젝터 핀(102)에 의한 핀칭 효과를 감소시키도록 다이(110)에 균일한 푸시-업 힘을 달성하도록 균일하게 분포되어 있다.
이젝터 척(104)과 이젝터 핀/핀들(102)은 이젝터 캡(106) 내에 위치된다. 다이싱 필름(112)으로부터 다이(110)를 층분리(delamination)하는 것을 보조하도록 진공 흡인을 제공하기 위해 다이(110)의 진공 채널(114)은 이젝터 캡(106)에 의해 동봉된다.
다이의 두께가 100미크론 미만으로 감소되면, 다이는 강성이 줄어들게 된다. 다이를 분리하기 위해, 박리 에너지가 다이에 인가되어, 다이는 다이와 다이싱 필름 사이의 임계 계면 접착 강도를 극복하기 위해 이젝터 핀의 푸시 업 운동과 다이싱 필름 상의 진공 흡인을 통해 분리된다. 이젝터 핀의 핀칭 효과와 다이의 굴곡 때문에 다이의 변형이 발생할 수 있다. 인가된 박리 에너지가 임계 계면 접착 강도에 도달하면, 다이는 다이싱 필름으로부터 분리될 수 있다. 그러나, 다이의 분리 공정이 또한 다이의 임계 강도에 도달하면 다이는 크랙이 발생하거나 파단될 수 있다. 다이의 임계 강도는 다이 재료, 웨이퍼 박형화, 다이 표면의 패턴 및 다이의 소잉(sawing)과 같은 다이의 다양한 특성에 따라 의존한다. 이젝터 핀 또는 핀들을 이용하는 종래의 다이 픽업에서, 핀칭 효과와 굽힘 변형은 이젝터 핀들의 수, 배열 및 형상에 영향을 받는다. 또한, 큰 다이에 대해서, 다이의 주연부에 위치된 이젝터 핀들은 다이의 중심에 대한 분리의 전파를 억제한다. 이젝터 핀을 이용하는 종래의 픽업 도구는 다이싱 필름으로부터 박형 다이를 분리하는데 적합하지 않다.
피라미드 형상 분리 도구는 반도체 칩의 외주연부로부터 반도체 칩의 중심을 향해 스테이지에 의해 다이싱 필름으로부터 반도체 칩을 분리하기 위한 복수의 환형 연결 부재를 포함한다. 환형 연결 부재는 피라미드형상을 형성하기 위해 외부 연결 부재로부터 시작하여 중심 연결 부재까지 순차적으로 상승된다. 종래의 니들형 분리 도구와 유사하게, 피라미드 형상의 상승된 환형 연결 부재는 반도체 칩에 응력을 인가하고, 이러한 응력으로 인해 크랙 및 손상이 발생할 수 있다. 이 때문에, 다이싱 필름으로부터의 박형 반도체 칩의 분리를 위해 피라미드 형상 픽업 장치를 적용하는 것도 바람직하지 않다.
슬라이드형 분리 도구는 옆으로 이동하고 진공 흡인에 의해 반도체 칩을 당겨서 반도체 칩을 다이싱 필름으로부터 분리하는 슬라이드를 포함한다. 슬리이드가 옆으로 이동하면서 진공을 형성하기 때문에, 반도체 칩의 크기가 증가하면 슬라이드가 이동하는 거리는 증가한다. 또한, 슬라이드의 낮은 이동 속도 때문에 슬라이드형 픽업 분리 도구를 사용하면 생산성이 낮다.
박형 다이 분리 응용예용 종래 기술의 예가 이하와 같이 강조된다. 발명의 명칭이 "반도체 칩을 장착하기 위해 포일 및 디바이스로부터 반도체 칩을 분리하기 위한 방법{Method For Detaching A Semiconductor Chip From A Foil And Device For Mounting Semiconductor Chips}"인 미국 특허 공개 번호 2007/0228539A1호는 스트리핑(stripping) 에지 및 이젝터 핀을 갖는 경사면을 이용하는 포일과 같이 다이싱 필름으로부터 칩을 분리하기 위한 방법을 개시한다. 스트리핑 에지는 이젝터 핀을 갖는 홈 영역 옆에 있다. 다이를 분리할 때, 스트리핑 에지는 이젝터 캡의 표면을 상승시키면서 상기 이젝터 캡에 진공 흡인이 인가된다. 분리된 반도체는 웨이퍼 테이블의 이동에 의해 스트리핑 에지로 운반될 때 오목 형상을 형성하도록 굴곡진다. 분리된 칩은 홈으로 눌려지고 이젝터 핀들에 의해서 픽업된다. 이러한 분리 도구의 단점은 웨이퍼 테이블을 스트리핑 에지로 이동시켜야 한다는 점이다. 웨이퍼 테이블을 이동시키기 위해, 다이싱 필름과 이젝터 캡의 표면 사이에 인가되는 진공 흡인력은, 진공 흡인력이 웨이퍼를 끌어서 비틀리게 할 만큼 낮아야 한다. 그러나 낮은 진공 흡인은 인가되는 박리 에너지를 감소시킨다. 또한, 다이의 분리가 제어 가능한 스테이지에 있지 않기 때문에, 다이는 플립(flip)될 수 있다. 또한, 전술한 것은 박형 다이를 픽업하는데 적절하지 않기 때문에 최종 픽업 스테이지에서는 이젝터 핀이 사용된다.
발명의 명칭이 "다이 픽업 방법 및 다이 픽업 장치{Die Pickup Method And Die Pickup Apparatus}"인 미국 특허 공개 번호 제2002/0129899A1호는 다이싱 필름으로부터 다이를 분리하기 위해 수평으로 이동 가능하거나 또는 수평면 및 수직 방향으로 모두 이동 가능한 이동식 플레이트를 개시한다. 이러한 방법의 단점은, 이동식 플레이트가 다이를 분리하기 위해 이동할 때, 픽업되는 다이의 아래에 지지 구조가 없다는 점이다. 이는 다이가 분리되지 않은 위치에서 다이에 크랙을 발생시킬 수 있다. 또한, 픽업되는 다이를 둘러싸는 이웃 다이들은 이동식 플레이트에 의해 영향을 받는다.
발명의 명칭이 "박형 반도체 칩 픽업 장치 및 방법{Thin Semiconductor Chip Pickup Apparatus and Method}"인 미국 특허 공개 번호 제2008/0092360A1호는 다이싱 필름을 지지하기 위한 스테이지를 갖는 다이 분리 장치를 개시한다. 전술한 이동식 플레이트 상의 장점은 다이 분리 공정이 빠르고 이웃 다이들이 또한 분리 공정에 의해 영향을 받지 않는다는 점이다. 그러나, 이러한 장치는 이젝터 캡의 표면 아래의 수준에서 수직축을 따른 흡인 부재의 움직임을 포함하고, 이는 다이가 이젝터 캡으로부터 매우 멀리 밀어 올려지지 않는다는 것을 의미한다. 또한, 초기 분리는 흡인 진공의 인가에 의한 흡인 부재의 초기 하강에 다이싱 필름을 일치시킬 필요가 있다. 이는 분리되는 다이에 대한 인가되는 박리 에너지를 크게 제한한다. 따라서, 칩에 대한 지지를 제공하고, 전술한 종래 기술의 단점을 방지하면서 칩 상에서 핀칭 효과를 감소시키는 제공하는 박형 칩을 분리하는 효과적인 방법을 달성하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 목적은 박형 반도체 칩을 분리할 때, 박형 반도체 칩에 대한 응력을 감소시킴으로써 다이싱 필름으로부터 박형 반도체 칩을 분리하기 위한 개선된 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은 접착 필름 상의 위치에 장착된 다이를 층분리하기 위한 다이 분리 장치를 제공하며, 상기 다이 분리 장치는 서로 인접하여 배열되는 사변형 접촉면들을 갖고, 또한 중간 이동식 플레이트 및 상기 중간 이동식 플레이트의 대향측부들 상의 외부 이동식 플레이트들을 갖는 복수의 이동식 플레이트들을 포함하고, 상기 이동식 플레이트들의 접촉면들은 함께 상기 다이의 위치에서 상기 접착 필름을 지지하기 위한 결합된 접촉면을 형성하고, 상기 각각의 이동식 플레이트는 상기 다이를 향하여 그리고 상기 다이로부터 멀어지도록 상기 다른 이동식 플레이트들에 대해 이동 가능하다.
본 발명의 바람직한 일 실시예를 도시하는 첨부된 도면을 참조함으로써 이하에서 본 발명을 매우 상세히 설명하는 데에 편리하다. 도면 및 관련 설명의 특정 사항은 청구범위에 의해 한정된 바와 같이 대부분의 본 발명의 넓은 이해를 대신하는 것으로 이해되어서는 안된다.
본 발명에 따른 박형 다이 분리 및 픽업 장치는 박형 반도체 칩을 분리할 때, 박형 반도체 칩에 대한 응력을 감소시킴으로써 다이싱 필름으로부터 박형 반도체 칩을 분리시킨다.
본 발명은 첨부된 도면을 고려하여 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명을 참조함으로써 쉽게 이해될 수 있다.
도 1은 니들형 이젝터 핀을 갖는 종래의 다이 분리 및 픽업 도구를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구를 도시하는 도면.
도 3은 도 2의 다이 분리 및 픽업 도구의 이동식 지지 플레이트 유닛의 등축도.
도 4는 도 2의 이동식 지지 플레이트의 평면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구의 이동식 지지 플레이트 유닛의 등축도.
도 6a 내지 6h는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구로 다이를 층분리하는 제1 방법을 사용하여 접착 다이싱 필름으로부터 다이를 픽업하는 시퀀스를 도시하는 도면.
도 7a 내지 7f는 다이 분리 및 픽업 도구로 다이를 층분리하기 위한 제2 방법을 도시하는 도면.
본 발명의 바람직한 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 이하에서 설명될 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구(10)의 도면이다. 비교적 박형인 다이(14)를 층분리하기 위한 이동식 지지 플레이트 유닛(12)은 이젝터 캡(16) 내의 중심에 위치된다. 이동식 지지 플레이트 유닛(12)은 중간 이동식 지지 플레이트(13)와, 중간 이동식 플레이트(13)의 대향측의 복수의 외부 이동식 지지 플레이트(11)를 포함한다. 각각의 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 다른 이동식 지지 플레이트와 실질적으로 동일한 치수를 가질 것이다. 이들 플레이트 각각은 직사각형 또는 정사각형 형상의 사변형 상부 접촉면을 갖는다.
이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 이동식 지지 플레이트는 이동식 지지 플레이트의 상면이 연속적이고 편평한 결합 접촉면(26)을 형성하도록 서로 인접하게 배열된다(도 3). 결합된 접촉 표면(26)은 다이(14)의 초기 분리 동안 다이(14)의 위치에서 접착 다이싱 필름(18)과 접촉하고, 이는 다이(14)가 다이싱 필름(18)으로부터 분리되면서 실질적으로 변형을 방지할 수 있도록 다이(14)에 최대 지지력을 제공한다. 본드헤드(bondhead)(22)에 연결된 콜릿(20)은 분리되는 다이(14) 위에 위치된다. 콜릿(20)은 콜릿(20)에 위치된 진공 홀(24)을 통해 진공 흡인을 제공하고, 다이싱 필름(18)으로부터 분리된 다이(14)를 픽업하여 운반하기 전에, 다이(14)를 분리하면서 정위치에서 다이(14)를 유지한다.
도 3은 도 2의 다이 분리 및 픽업 도구(10)의 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 등축도이다. 바람직하게는, 중간 이동식 플레이트(13)의 대향 측면에 동일한 수의 외부 이동식 지지 플레이트(11)가 있는 상태에서, 홀수의 이동식 플레이트(11, 13)가 있다. 두 쌍의 외부 이동식 지지 플레이트(11)가 도시된 구성에서 주어진다. 각각의 이동식 플레이트(11, 13)는 폭 x와 길이 y의 치수를 갖고, x는 0.8mm 내지 1.2mm의 범위이고, y는 다이 길이보다 0.6mm 내지 1.6mm 작다. 모터는 다이(14)를 향하여, 그리고 다이로부터 멀어지도록 상향 또는 하향 방향으로 서로 독립적으로 이동시키도록 이동식 지지 플레이트(11, 13)를 구동한다. 인접한 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 인터페이스(28)에서 만나도록 서로 접하게 배열되어, 다이싱 필름(18)을 지지하기 위해 어떠한 갭이 없는 연속이고 편평한 결합된 접촉면(26)을 형성하도록 플레이트들 사이에는 실질적으로 갭이 없다.
도 4는 도 2의 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 평면도이다. 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 이젝터 캡(16)의 중심에서 다이 분리 및 픽업 도구(10)의 이젝터 캡(16) 내에 위치하여, 이동식 지지 플레이트(11, 13)의 상면과 이젝터 캡(16)의 상면 모두가 실질적으로 동일한 평면이다. 이젝터 캡(16)의 상면 또는 상부 플랫폼(17)의 진공 홀(30)은 다이 분리 동안 상부 플랫폼(17)에 대해 다이싱 필름(18)을 유지하도록 진공 흡인을 제공한다. 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 상부 플랫폼(17)의 표면 너머로 상부 플랫폼(17)에 대해 돌출 가능하다.
인접한 사변형 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 직사각형 또는 정사각형 결합된 접촉면(26)을 형성하도록 함께 배열되고, 접촉면(26)은 분리되는 다이의 편평면보다 약간 작다. 결합된 접촉면(26)은 4개의 에지를 갖고, 각각의 에지는 다이(14)의 에지에 대응하여 위치된다. 즉, X 및 Y가 다이(14)의 표면의 폭 및 길이에 대응된다고 가정하면, X 및 Y는 결합된 접촉면(26)의 치수보다 커서, 다이(14)의 에지와 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 대응 에지 사이의 거리에 대응하는 갭 △a가 존재하고, 여기서 거리 △a는 0.3mm 내지 0.8mm의 범위이다. 바람직하게는, 결합된 접촉면(26)의 각각의 측면으로부터 다이(14)의 각각의 대응하는 측면까지의 거리는 실질적으로 동일하다. 주어진 4X4mm2 다이에 대한 필요한 개수의 이동식 지지 플레이트(11, 13)가 아래와 같이 얻어질 수 있다: △a=0.5mm, x=1mm, y=3mm이고, 2개의 외부 이동식 지지 플레이트(11)와 하나의 중간 이동식 플레이트(13)를 구성하는 3개의 플레이트가 필요한 것으로 가정한다.
도 5는 바람직한 제2 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구(10)의 이동식 지지 플레이트 유닛(12')의 등축도이다. 외부 이동식 지지 플레이트(11')와 중간 이동식 지지 플레이트(13')는 도 4와 관련하여 개시된 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 바람직한 제1 실시예와 같이, 서로 접촉하도록 배열된다. 또한 이러한 배열로 함께 결합된 홀수의 이동식 지지 플레이트(11', 13')가 있다. 그러나, 중간 이동식 지지 플레이트(13')는 굴곡 상부 지지 표면 또는 접촉면을 갖고, 외부 이동식 지지 플레이트(11')는 서로 동일한 수준의 편평 상부면을 갖는다. 이러한 이유로, 중간 이동식 지지 플레이트(13')가 위치되는 위치 옆에서, 인접한 이동식 지지 플레이트(11')들 사이에서 갭이 없기 때문에, 외부 이동식 지지 플레이트(11')의 편평한 형상의 상부면은 중간 이동식 지지 플레이트(13')의 각각의 측에 연속하는 결합된 접촉면(26)을 형성한다. 각각의 이동식 지지 플레이트(11')와 중간 이동식 지지 플레이트(13')는 0.8mm 내지 1.2mm의 범위의 폭 x와 다이(14)의 길이보다 0.6mm 내지 1.6mm 만큼 작은 길이 y를 갖는 바람직한 제1 실시예의 이동식 지지 플레이트(11, 13)와 동일한 x, y 치수를 갖는다. 거리 △a가 0.3mm 내지 0.8mm의 범위에 대응하도록 이동식 지지 플레이트(11, 13)의 길이 y는 다이(14)의 길이 Y보다 0.6mm 내지 1.6mm 만큼 작다.
이동식 지지 플레이트(11', 13')의 바람직한 제2 실시예는 다이싱 필름(18)이 비자외선(비-UV)형일 때 유용하다. 비-UV 다이싱 필름(18)은 다이 분리 동안 필름(18)의 표면으로부터 다이의 대부분이 분리될 때에도 점성을 갖는다. 따라서, 다이(14)의 용이한 제거를 위해 다이싱 필름(18)과 이동식 지지 플레이트(13') 사이의 접촉 면적을 감소시키기 위해 반경 또는 곡률을 갖도록 설계된 중간 이동식 지지 플레이트(13')를 갖는 것이 유용하다.
도 6a 내지 6h는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 다이 분리 및 픽업 도구(10)를 갖는 다이(14)를 층분리하는 제 1 방법을 이용하여 접착 다이싱 필름(18)으로부터 다이(14)를 픽업하기 위한 시퀀스를 도시한다. 이러한 제 1 방법을 활용하여, 다이(14)를 유지하는 다이싱 필름(18)을 지지하는 결합된 접촉 표면(26)은 중간 이동식 지지 플레이트(13)가 다이(14)로부터 멀어지도록 이동하기 전에, 외부 이동식 지지 플레이트(11)를 다이(14)로부터 멀어지도록 이동시킴으로써 다이를 층분리하도록 작용할 수 있다. 도 6a에서, 5개의 이동식 지지 플레이트(L1, L2, C, R1, R2)가 사용된다. 5개의 이동식 플레이트의 상부면은 초기에는 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17)과 동일면에 있다. 분리되는 웨이퍼의 다이(14)는 이젝터 캡(16)의 중심으로 정렬되어 이동된다. 도 6b는 다이(14)의 상부면 위에 위치된 콜릿(20)을 도시한다. 진공 흡인은 다이(14)의 분리 동안 다이(14)를 정위치에 유지하기 위해 콜릿(20)을 통해 다이(14)에 인가된다. 동시에, 도 16c에 도시된 바와 같이 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17)에 대해 다이싱 필름(18)을 유지하기 위해 이젝터 캡(16)에 진공 흡인이 인가된다.
이동식 지지 플레이트(L1, L2, C, R1, R2)는 도 6d에서 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17) 위로 거리 H만큼 이동한다. 우선적으로 다이(14)의 에지와 코너에 박리 에너지가 인가된다. 박리 에너지의 크기는 5개의 이동식 지지 플레이트의 돌출 거리 H와 진공 흡인 강도에 따른다. 진공 흡인이 분리 공정을 통해 대체로 일정하게 유지되므로, 박리 에너지의 크기는 5개의 이동식 지지 플레이트에 의해 이동되는 돌출 거리 H에 따른다. 이동식 지지 플레이트(12)의 상부면이 다이(14)의 표면보다 작기 때문에, 다이(14)의 에지 및 코너 영역은 분리 공정 동안 우선 분리될 것이다.
다이싱 필름(18)을 다이(14)의 에지 및 코너 위로 층분리한 후에, 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 대향 단부에 위치된 이동식 지지 플레이트(L1, R1)는 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17) 아래의 동일한 명기된 수준으로 거리 L 만큼 하향 이동되어, 다이싱 필름(18)은 도 6e에 도시된 바와 같이 이동식 지지 플레이트(L1, R1)에 의해 하향 이동된 거리 L에 대응하는 거리만큼 다이(14)의 양단부로부터 보다 더 분리될 것이다. 다음에, 다른 두 개의 이동식 지지 플레이트(L2, R2)는 중간 이동식 지지 플레이트(C)가 도 6f 및 6g에 도시된 바와 같이 동일한 거리만큼 하향 이동되기 전에, 순차적으로 거리 L만큼 하향 이동한다. 최종적으로, 다이싱 필름(18)은 다이(14)가 콜릿(20)에 의해 들어올려져서 도 6g에 도시된 본딩 위치로 운반되기 전에 다이(14)로부터 완전히 분리된다. 도 6h에서, 이동식 지지 플레이트(L1, L2, C, R2, R1)는 이웃 다이에 대해서 분리 시작 전에 초기 수준으로 복귀된다. 모든 플레이트는 균일한 높이를 가져서, 다이싱 필름(18)과 접촉하여 연속적인 결합 접촉면(26)을 형성한다.
도 7a 내지 7f는 다이 분리 및 픽업 도구(10)를 갖는 다이(14)를 층분리하기 위한 제2 방법을 도시한다. 제2 방법을 활용하여, 다이(14)를 지지하는 결합된 접촉면(26)은 결합된 접촉면(26)의 일측으로부터 결합된 접촉면(26)의 대향측으로 계속해서 인접한 이동식 지지 플레이트(11, 13)를 다이(14)로부터 멀어지도록 이동시킴으로써 다이(14)를 층분리하도록 작용한다. 이동식 지지 플레이트(L1, L2, C, R1, R2)는 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17) 위로 거리 H만큼 상승하여, 박리 에너지가 우선 다이(14)의 에지와 코너에 인가된다. 다이싱 필름(18)을 다이(14)의 에지 및 코너 위로 층분리한 후에, 이동식 지지 플레이트 유닛(12)의 일단부에 위치된 외부 이동식 지지 플레이트(L1)는 도 7a에 도시된 바와 같이 이젝터 캡(16)의 상부 플랫폼(17) 아래의 규정된 수준으로 거리 L만큼 하향 이동한다. 따라서, 외부 이동식 지지 플레이트(L1) 위의 다이싱 필름(18)은 또한 다이(14)의 대응 에지로부터 더욱 분리되고, 이동식 지지 플레이트(L1)에 의해 하향으로 이동되는 거리 L에 대응하는 거리만큼 아래로 당겨진다.
다음에, 중간 이동식 지지 플레이트(C)가 도 7b 및 7c에 도시된 것과 동일한 거리만큼 하향으로 이동되기 전에, L1의 내측의 인접한 다른 이동식 지지 플레이트(L2)는 거리 L만큼 하향 이동한다. 외부 이동식 지지 플레이트(R2)가 도 7d에 도시된 바와 같이 거리 L만큼 하향 이동할 때, 다이싱 필름(18)은 더욱 분리된다. 최종적으로, 이동식 지지 플레이트(R1)는 도 7e에 도시된 바와 같이 거리 L만큼 하향 이동하여, 다이(14)가 콜릿(20)에 의해 상승되고 본딩 위치로 운반되기 전에 다이싱 필름(18)은 다이(14)로부터 완전히 분리될 것이다. 도 7f에서, 이동식 지지 플레이트(L1, L2, C, R2, R1)는 이웃 다이에 대한 분리 시작 전에 초기 수준으로 복귀된다. 모든 플레이트는 균일한 높이를 가져서, 다이싱 필름(18)과 접촉하는 연속 결합 접촉면(26)을 형성한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이동식 지지 플레이트 유닛(12, 12')을 이용하는 다이 분리 및 픽업 도구(10)는 다이(14)의 핀칭 효과에 의한 국부 응력이 최소화되기 때문에, 접착 다이싱 필름(18)으로부터 다이(14)를 분리하기 위해 이젝터 핀을 사용하는 것에 비해, 다이(14)의 변형을 감소시킨다. 또한 다이(14)가 접착되는 다이싱 필름(18)과 이동식 지지 플레이트(11, 13)는 최대 접촉하기 때문에, 박리 에너지는 증가된다. 또한, 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 굴곡 상부면을 구비한 중간 이동식 지지 플레이트를 갖는, 외부 플레이트는 편평하여, 점착성의 다이싱 필름과 실질적으로 분리되는 다이 사이의 최소 접촉을 허용한다.
본원에 개시된 발명은 다른 특정하게 개시된 것 이외의 변경, 변형 및/또는 추가를 허용하고, 본 발명은 전술한 설명의 사상 및 범주 내에서 이러한 모든 변경, 변형 및/또는 추가를 포함한다는 것이 이해될 것이다.

Claims (16)

  1. 접착 필름 상의 위치에 장착된 다이를 층분리하기 위한 다이 분리 장치로서,
    서로 인접하여 배열되는 사변형 접촉면들을 갖고, 또한 중간 이동식 플레이트 및 상기 중간 이동식 플레이트의 대향측부들 상의 외부 이동식 플레이트들을 갖는 복수의 이동식 플레이트들을 포함하고,
    상기 이동식 플레이트들의 접촉면들은 함께 상기 다이의 위치에서 상기 접착 필름을 지지하기 위한 결합된 접촉면을 형성하고, 상기 각각의 이동식 플레이트는 상기 다이를 향하여 그리고 상기 다이로부터 멀어지도록 다른 이동식 플레이트들에 대해 이동 가능한 다이 분리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결합된 접촉면은 상기 다이의 위치에서 상기 접착 필름을 지지하기 위한 연속 편평 표면을 포함하는 다이 분리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 각각의 상기 이동식 플레이트는 다른 이동식 플레이트들과 실질적으로 동일한 치수들을 포함하는 다이 분리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중간 이동식 플레이트의 대향측부들 상에는 동일한 개수의 외부 플레이트들이 있는 다이 분리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 중간 이동식 플레이트는 상기 접착 필름을 지지하기 위한 굴곡 접촉면을 포함하는 다이 분리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 결합된 접촉면의 표면적은, 상기 다이의 편평 표면적보다 약간 작은 접촉 표면적을 생성하는 다이 분리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 결합된 접촉면의 각각의 측면으로부터 상기 다이의 각각의 대향측까지의 거리는 실질적으로 동일한 다이 분리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 각각의 상기 이동식 지지 플레이트의 길이는 상기 다이의 길이보다 0.6mm 내지 1.6mm 사이 만큼 작은 다이 분리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 결합된 접촉면의 각각의 측면으로부터 상기 다이의 각각의 대향측까지의 거리는 0.3mm 내지 0.8mm의 범위인 다이 분리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 다이 분리 장치는 홀수의 이동식 플레이트들을 포함하는 다이 분리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 외부 이동식 플레이트들은 두 쌍의 이동식 플레이트들을 포함하는 다이 분리 장치.
  12. 제1항에 있어서, 각각의 상기 이동식 플레이트는 다른 이동식 플레이트들에 대해 독립적으로 이동 가능한 다이 분리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 결합된 접촉면이 상기 접착 필름을 지지할 때, 상기 외부 이동식 플레이트들은 상기 중간 이동식 지지 플레이트가 상기 다이를 층분리하기 위해 상기 다이로부터 멀어지도록 이동하기 전에 상기 다이로부터 멀어지게 이동하도록 작동 가능한 다이 분리 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 결합된 접촉면이 상기 접착 필름을 지지할 때, 인접한 상기 이동식 플레이트들은 상기 결합된 접촉면의 일측으로부터 상기 결합된 접촉면의 대향측으로 연속하여 상기 다이로부터 멀어지게 이동하도록 작동 가능한 다이 분리 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 이동식 플레이트들은 인접한 이동식 플레이트들 사이에 실질적으로 갭이 없도록 서로 접하여 배열되는 다이 분리 장치.
  16. 제1항에 있어서, 이젝터 캡을 추가로 포함하고, 상기 이동식 플레이트들은 상기 이젝터 캡의 중심에 위치되고, 상기 이젝터 캡의 플랫폼에 대해 돌출 가능하며, 상기 플랫폼은 다이 분리 동안 상기 플랫폼에 대해 상기 접촉 필름을 유지하기 위해 진공 흡인을 제공하도록 그 표면 상에 진공 홀을 추가로 포함하는 다이 분리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130111366A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 베시 스위처랜드 아게 포일로부터 반도체 칩을 탈착시키기 위한 방법

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9038264B2 (en) 2011-02-28 2015-05-26 Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Non-uniform vacuum profile die attach tip
KR101397750B1 (ko) * 2012-07-25 2014-05-21 삼성전기주식회사 칩 이젝터 및 이를 이용한 칩 탈착 방법
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
JP6349496B2 (ja) * 2014-02-24 2018-07-04 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP6258080B2 (ja) * 2014-03-07 2018-01-10 株式会社ディスコ 保護テープ剥離装置
SG10201403372SA (en) * 2014-06-18 2016-01-28 Mfg Integration Technology Ltd System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector
WO2016046286A1 (en) * 2014-09-24 2016-03-31 B. Braun Melsungen Ag Utilization of packaging paper as stabilization device
CN104505362B (zh) * 2014-12-24 2018-05-08 苏州日月新半导体有限公司 用于芯片操作的机台、系统以及方法
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
CN105514301B (zh) * 2016-01-21 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
CN108238441A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 张家港康得新光电材料有限公司 膜片拾取设备
CN108198780B (zh) * 2017-12-18 2020-05-19 重庆市长寿区普爱网络科技有限公司 电子产品制造装备
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CH715447B1 (de) * 2018-10-15 2022-01-14 Besi Switzerland Ag Chip-Auswerfer.
KR102068358B1 (ko) 2019-02-14 2020-01-20 주식회사 케이셈테크몰러지 반도체 다이 분리장치
JP7326861B2 (ja) * 2019-05-17 2023-08-16 三菱電機株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
KR102127695B1 (ko) 2019-12-20 2020-06-29 위재우 반도체 다이 분리장치
US11600516B2 (en) * 2020-05-13 2023-03-07 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Die ejector height adjustment
US20220165590A1 (en) * 2020-11-23 2022-05-26 Sj Semiconductor(Jiangyin) Corporation Die pickup device and method
TWI786848B (zh) * 2021-09-24 2022-12-11 陽程科技股份有限公司 片材分離裝置及片材分離方法
JP2023064405A (ja) * 2021-10-26 2023-05-11 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165310A (en) * 1998-09-29 2000-12-26 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for removing parts from an adhesive film
JP4021614B2 (ja) * 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP4482243B2 (ja) 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3976541B2 (ja) * 2001-10-23 2007-09-19 富士通株式会社 半導体チップの剥離方法及び装置
US8026126B2 (en) * 2002-11-27 2011-09-27 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus and method for thin die detachment
KR20050092184A (ko) * 2004-03-15 2005-09-21 삼성전자주식회사 다이 픽업 장치 및 이를 이용한 다이 픽업 방법
EP1587138B1 (de) 2004-04-13 2007-05-30 Oerlikon Assembly Equipment AG, Steinhausen Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie
US7240422B2 (en) * 2004-05-11 2007-07-10 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus for semiconductor chip detachment
US20050274457A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Asm Assembly Automation Ltd. Peeling device for chip detachment
KR20070120319A (ko) 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
US20080092369A1 (en) * 2006-09-22 2008-04-24 Chi-Ti Liao Combination of two machines for making a cap of containers
KR100817068B1 (ko) 2006-10-24 2008-03-27 삼성전자주식회사 박형의 반도체 칩 픽업 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130111366A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 베시 스위처랜드 아게 포일로부터 반도체 칩을 탈착시키기 위한 방법

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Publication number Publication date
CN101901742A (zh) 2010-12-01
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CN101901742B (zh) 2011-12-07

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