KR20100103498A - 제어 장치, 노광 방법 및 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수 종류의 패턴이 혼재하는 마스크 패턴을 높은 스루풋으로, 한편 각각 조명 조건을 최적화해 노광할 수 있는 노광 방법을 제공한다. 펄스 발광되는 조명광(IL)으로 웨이퍼(W)를 노광하는 노광 방법에 있어서, 조명광(IL)에 의해 조명되는 복수의 제 1 미러 요소(3)를 포함하는 제 1 공간 광 변조기(13)로부터의 광을 복수의 제 2 미러 요소(5)를 포함하는 제 2 공간 광 변조기(25)로 도광하고 제 2 공간 광 변조기(25)로부터의 광으로 웨이퍼(W)를 노광하는 동시에, 제 2 공간 광 변조기(25)의 변조 상태를 제어하는 제 1 공정과, 제 1 공간 광 변조기(13)와 제 2 공간 광 변조기(25) 사이의 소정면 상에 있어서의 조명광(IL)의 강도 분포를 제어하기 위해서 제 1 공간 광 변조기(13)의 변조 상태를 제어하는 제 2 공정을 갖는다.

Description

제어 장치, 노광 방법 및 노광 장치{CONTROL DEVICE, EXPOSURE METHOD, AND EXPOSURE DEVICE}
본 발명은 각각 광에 공간적인 변조를 주는 것이 가능한 복수의 광학 소자의 제어 기술, 그 복수의 광학 소자를 이용해 물체를 노광하는 노광 기술, 및 이 노광 기술을 이용하는 디바이스 제조 기술에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 소자 또는 액정 표시 소자 등의 디바이스(전자 디바이스, 마이크로 디바이스)를 제조하기 위한 리소그래피 공정 중에서, 소정의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 웨이퍼(또는 유리 플레이트 등)의 각 쇼트 영역에 전사하기 위해서, 스테퍼 등의 일괄 노광형의 투영 노광 장치, 또는 스캐닝·스테퍼 등의 주사 노광형의 투영 노광 장치 등의 노광 장치가 사용되고 있다.
종래의 노광 장치에 있어서는, 제조 대상의 디바이스의 복수의 레이어에 대해서 다른 회로 패턴을 형성하기 위해서, 각 레이어마다 마스크를 교환하여 노광을 실행하고 있다. 또한, 1개의 레이어의 회로 패턴에, 예컨대 미세도 등이 다른 2 종류의 회로 패턴이 혼재하고 있는 경우에는, 그 2 종류의 회로 패턴용의 마스크 패턴을 다른 2매의 마스크에 형성해 두고, 이 2매의 마스크의 패턴을 순서대로 조명 조건을 최적화하면서 웨이퍼 상에 겹쳐 노광하는 이중 노광법도 사용되고 있다. 이와 같이, 디바이스마다, 레이어마다, 및 패턴의 종류마다 마스크의 교환을 실행하는 경우에는, 노광 공정의 스루풋이 저하한다.
그래서, 마스크 대신에 각각 어레이 형상으로 배열된 다수의 가동의 미소 미러를 구비한 2개의 미러 디바이스를 이용하여, 2개의 미러 디바이스의 각 미소 미러의 반사광의 방향을 제어하는 것에 의해, 전사용의 패턴에 대응하는 광 강도 분포를 생성하도록 한 노광 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 노광 장치에 있어서는, 2개의 미러 디바이스를 편광 방향이 직교하는 직선 편광으로 조명하고, 2개의 미러 디바이스로부터의 광속을 합성한 조명광으로 웨이퍼를 노광하는 것에 의해, 2 종류의 패턴을 동시에 노광하고 있다.
일본 특허 공개 제 2006-13518 호 공보
종래의 미러 디바이스를 이용하는 노광 장치에 있어서는, 1회의 노광으로 실질적으로 2 종류의 패턴을 노광하기 위해서, 2개의 미러 디바이스를 다른 편광 상태의 조명광으로 동시에 조명할 필요가 있었다. 그 때문에, 마스크 패턴에 대응하는 광 강도 분포를 생성하는 부분의 구성이 복잡하고, 또한 조명 광학계의 구성도 복잡하다고 하는 문제가 있었다.
또한, 2개의 미러 디바이스로부터의 광의 편광 방향이 항상 직교하고 있을 필요가 있으므로, 동시에 노광할 수 있는 2 종류의 패턴은 편광 상태가 다른 조명광으로 조명되는 패턴에 한정된다고 하는 제한이 있었다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여, 복수 종류의 패턴이 혼재하고 있는 패턴을 노광할 때에, 스루풋을 높이고, 또한 복수 종류의 패턴마다 조명 조건을 용이하게 최적화할 수 있는 노광 기술, 이 노광 기술로 사용할 수 있는 제어 기술, 및 그 노광 기술을 이용하는 디바이스 제조 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 노광 방법은, 복수의 펄스광으로 물체를 노광하는 노광 방법으로서, 그 펄스광에 의해 조명되는 제 1 광학 디바이스로부터의 광을 제 2 광학 디바이스로 도광하고, 그 제 2 광학 디바이스로부터의 광으로 그 물체를 노광하는 동시에, 복수의 제 2 광학 요소를 포함하는 그 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 제 1 공정과, 그 제 1 광학 디바이스와 그 제 2 광학 디바이스 사이의 소정면 상에 있어서의 그 펄스광의 강도 분포를 제어하기 위해서, 복수의 제 1 광학 요소를 포함하는 그 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 제 2 공정을 포함하는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치는, 복수의 펄스광으로 피조사면을 조명하고, 그 피조사면을 거친 그 복수의 펄스광으로 물체를 노광하는 노광 장치로서, 그 피조사면보다 상류에 배치되고, 복수의 제 1 광학 요소를 포함하는 제 1 광학 디바이스를 갖는 조명 광학계와, 그 피조사면 또는 그 근방에 배치되고, 복수의 제 2 광학 요소를 포함하는 제 2 광학 디바이스와, 그 제 1 광학 디바이스의 변환 상태 또는 그 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 조명 제어 장치를 구비하는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 디바이스 제조 방법은, 본 발명의 노광 방법을 이용하여 물체를 노광하는 공정과, 그 노광된 물체를 처리하는 공정을 포함하는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 다른 디바이스 제조법은, 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 그 리소그래피 공정에 있어서 본 발명의 노광 장치를 이용하는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 제어 장치는, 제 1 광학 디바이스(13)의 변환 상태와 제 2 광학 디바이스(25)의 변환 상태를 제어하는 제어 장치로서, 광원으로부터 사출되는 복수의 펄스광마다, 그 제 1 광학 디바이스(13)의 변환 상태 또는 그 제 2 광학 디바이스(25)의 변환 상태를 제어하는 주 제어부(30)를 구비하는 것이다.
본 발명에 의하면, 복수 종류의 패턴이 혼재하고 있는 마스크 패턴을 노광할 때에, 예컨대 소정수의 펄스광마다 그 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하여, 실질적으로 그 복수 종류의 패턴에 대응한 가변의 광 강도 분포를 순서대로 생성하며, 그 광 강도 분포의 광으로 물체를 노광하는 것에 의해, 높은 스루풋으로 그 마스크 패턴을 노광할 수 있다.
이 노광시에, 그 제 2 광학 디바이스의 변환 상태 또는 그 물체 상에 형성해야 할 패턴(예컨대, 마스크 패턴, 마스크 또는 노광 대상의 패턴 데이터, 물체 상에 형성되는 패턴 및 패턴 데이터 등)에 따라, 그 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하여, 그 제 2 광학 디바이스에 입사하는 광의 경사각의 분포 등을 제어하는 것에 의해, 복수 종류의 패턴마다 조명 조건을 용이하게 최적화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면,
도 2의 (a)는 도 1의 공간 광 변조기(13)의 일부를 도시하는 확대 사시도, 도 2의 (b)는 도 1의 미러 요소(3)의 구동 기구를 도시하는 확대 사시도, 도 2의 (c)는 오목면의 미러 요소를 도시하는 확대 사시도,
도 3의 (a)는 2극 조명시의 도 1의 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)의 경사각을 도시하는 도면, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 2차 광원을 도시하는 도면, 도 3의 (c)는 통상 조명시의 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)의 경사각을 도시하는 도면, 도 3의 (d)는 도 3의 (c)의 2차 광원을 도시하는 도면, 도 3의 (e)는 다른 2극의 2차 광원을 도시하는 도면, 도 3의 (f)는 윤대 조명의 2차 광원을 도시하는 도면,
도 4의 (a)는 도 1의 공간 광 변조기(25)의 반사면의 패턴의 일례를 도시하는 도면, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 B부의 확대도, 도 4의 (c)는 공간 광 변조기(25)의 반사면의 패턴의 다른 예를 도시하는 도면,
도 5의 (a)는 마스크 패턴(MP)의 일례를 도시하는 도면, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 상태보다 피전사 영역(26M)이 이동한 상태를 도시하는 도면, 도 5의 (c)는 도 5의 (b)의 상태보다 피전사 영역(26M)이 이동한 상태를 도시하는 도면,
도 6의 (a)는 주사 노광시의 웨이퍼의 쇼트 영역을 도시하는 도면, 도 6의 (b)는 스텝·앤드·리피트 방식으로 노광할 때의 웨이퍼의 쇼트 영역을 도시하는 도면,
도 7은 제 1 실시형태의 노광 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트,
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태의 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면,
도 9는 본 발명의 제 3 실시형태의 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
[제 1 실시형태]
이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 대해 도 1 내지 도 7을 참조해 설명한다.
도 1은 본 실시형태의 노광 장치(100)의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 도 1에 있어서, 노광 장치(100)는 펄스 발광을 실행하는 노광용의 광원(10)과, 광원(10)으로부터의 노광용의 조명광(노광광)(IL)으로 피조사면을 조명하는 조명 광학계(ILS)와, 그 피조사면 또는 그 근방의 면 상에 2차원의 어레이 형상으로 배열된 각각 경사각이 가변의 미소한 미러인 다수의 미러 요소(5)를 구비한 제 2 공간 광 변조기(25)를 구비하고 있다. 또한, 노광 장치(100)는 다수의 미러 요소(5)에 의해서 생성해야 할 가변의 패턴으로부터의 광속에 거의 상당하는 조명광(IL)을 수광하고, 그 패턴의 상을 웨이퍼(W)(감광성 기판) 상에 투영하는 투영 광학계(PL)와, 웨이퍼(W)의 위치 결정 및 이동을 실행하는 웨이퍼 스테이지(WST)와, 장치 전체의 동작을 제어하는 컴퓨터로 이루어지는 주 제어계(30)와, 각종 제어계 등을 구비하고 있다. 도 1에 있어서, 웨이퍼 스테이지(WST)의 가이드면(도시하지 않음)에 수직으로 Z축을 설정하고, Z축에 수직인 평면 내에 있어서 도 1의 지면에 평행한 방향으로 Y축을, 도 1의 지면에 수직인 방향으로 X축을 각각 설정한다. 본 실시형태에서는, 노광시에 웨이퍼(W)는 Y 방향(주사 방향)으로 주사된다.
도 1의 광원(10)으로서는, 파장 193㎚로 펄스폭 50㎱ 정도의 거의 직선 편광의 레이저광을 4㎑ 내지 6㎑ 정도의 주파수로 펄스 발광하는 ArF 엑시머 레이저 광원이 사용되고 있다. 또한, 광원(10)으로서, 파장 248㎚의 펄스광을 공급하는 KrF 엑시머 레이저 광원, 파장 157㎚의 펄스광을 공급하는 F2 레이저 광원, 또는 펄스 점등되는 발광 다이오드 등도 사용 가능하다. 또한, 광원(10)으로서는, YAG 레이저 또는 반도체 레이저 등으로부터 출력되는 레이저광의 고조파를 생성하는 고체 펄스 레이저 광원이나 반도체 레이저광을 파이버 앰프(fiber amp)로 증폭시킨 광의 고조파를 생성하는 고체 펄스 레이저 광원도 사용할 수 있다. 고체 펄스 레이저 광원은, 예컨대 파장 193㎚(이외의 여러 파장이 가능)로 펄스폭 1㎱ 정도의 레이저광을 1㎒ 내지 2㎒ 정도의 주파수로 펄스 발광 가능하다.
본 실시형태에 있어서는, 광원(10)에는 전원 제어부(9)가 연결되어 있다. 그리고, 노광 장치(100)의 주 제어계(30)가 펄스 발광의 타이밍 및 광량(펄스 에너지)을 지시하는 발광 트리거(trigger) 펄스(TP)를 전원 제어부(9)에 공급한다. 그 발광 트리거 펄스(TP)에 동기해서, 전원 제어부(9)는 지시받은 타이밍 및 광량으로 광원(10)에 펄스 발광을 실행하게 한다.
광원(10)으로부터 사출된 단면 형상이 직사각형으로 거의 평행 광속의 펄스 레이저광으로 이루어지는 조명광(IL)은, 1쌍의 오목 렌즈 및 볼록 렌즈로 이루어지는 빔 익스팬더(expander)(11)에 입사하여, 그 단면 형상이 소정 형상으로 확대된다. 빔 익스팬더(11)로부터 사출된 조명광(IL)은 집광 렌즈(12)에 의해서 제 1 공간 광 변조기(13)의 상면에 2차원의 어레이 형상으로 배열된 각각 경사각이 가변의 미소한 미러인 다수의 미러 요소(3)의 반사면을 조명한다. 공간 광 변조기(13)는 각 미러 요소(3)의 반사면의 직교하는 2축의 주위의 경사각을 개별적으로 제어하는 구동부(4)를 구비하고 있다. 공간 광 변조기(13)는, 각 미러 요소(3)의 반사면의 경사 방향 및 경사각을 개별적으로 제어하는 것[또는 공간 광 변조기(13)의 변환 상태를 제어하는 것]에 의해, 조명광(IL)을 거의 임의의 복수의 방향으로 반사할 수 있다(상세는 후술함). 또한, 공간 광 변조기(13)는 그 먼 시야에 소망의 동(瞳) 휘도 분포를 형성한다. 주 제어계(30)가 조명광(IL)의 소정 펄스수(1 펄스 또는 복수 펄스)의 발광마다, 전사용의 패턴의 정보에 기초하여, 변조 제어부(31)에 조명 조건의 정보를 공급하고, 이것에 따라 변조 제어부(31)가 구동부(4)에 각 미러 요소(3)의 반사면의 경사 방향 및 경사각의 설정 정보를 공급한다. 또한, 주 제어계(30)가 전사용의 패턴의 정보에 기초한 조명 조건의 정보를 변조 제어부(31)에 미리 공급해 두고, 조명광(IL)의 펄스 발광에 맞춰 변조 제어부(31)가 구동부(4)에 각 미러 요소(3)의 반사면의 경사 방향 및 경사각의 설정 정보를 공급해도 좋다. 이 경우, 주 제어계(30)는 변조 제어부(31)에 발광 트리거 펄스(TP)를 공급하면 좋다.
또한, 예컨대 빔 익스팬더(11)와 집광 렌즈(12) 사이에, 예컨대 조명광(IL)의 편광 방향을 변환하기 위한 1/2 파장판, 그 조명광(IL)을 원(圓) 편광으로 변환하기 위한 1/4 파장판, 및 소정의 직선 편광의 광을 랜덤 편광(비편광)으로 변환하기 위한 설형(楔型)의 복굴절성의 프리즘 등을 조합한 편광 광학계(도시하지 않음)를 배치해도 좋다. 이 편광 광학계를 이용하는 것에 의해, 웨이퍼(W)에 조사되는 조명광(IL)의 편광 상태를 편광 방향이 X 방향 또는 Y 방향의 직선 편광, 원 편광, 또는 비편광 등으로 제어하여, 이른바 편광 조명을 실행할 수 있다.
또한, 조명 광학계(ILS)의 광축(AXI)을 따라 공간 광 변조기(13)의 반사면[다수의 미러 요소(3)의 반사면], 릴레이 광학계(14), 및 플라이아이 렌즈(15)(옵티컬 인티그레이터)가 배치되어 있다. 그리고, 공간 광 변조기(13)의 각 미러 요소(3)에 의해 반사된 조명광(IL)은 릴레이 광학계(14)를 거쳐 플라이아이 렌즈(15)에 입사한다. 여기에서는, 릴레이 광학계(14)의 거의 전측 초점면에 각 미러 요소(3)의 반사면이 배치되며, 릴레이 광학계(14)의 거의 후측 초점면에 플라이아이 렌즈(15)의 입사면이 배치되어 있지만, 반드시 이 배치에 한정되지 않는다. 릴레이 광학계(14)는, 각 미러 요소(3)에 의해 반사된 조명광(IL)을, 그 광축(AXI)에 대한 각도에 따라 정해지는, 플라이아이 렌즈(15)의 입사면 상의 X 방향, Z 방향의 위치를 중심으로 하는 소정 영역에 집광하는 기능을 완수하고 있다.
바꾸어 말하면, 공간 광 변조기(13)에 입사한 조명광(IL)은 미러 요소(3)를 단위로 하여 분할되어, 각 미러 요소(3)의 경사 방향 및 경사각에 따라, 소정 방향에 소정 각도를 갖고 선택적으로 편향(반사)된다. 그리고, 각 미러 요소(3)로부터의 반사광은, 릴레이 광학계(14)에 의해, 그 방향과 각도에 따른 플라이아이 렌즈(15)의 입사면 상의 위치에 입사한다.
플라이아이 렌즈(15)에 입사한 조명광(IL)은 다수의 렌즈 엘리먼트에 의해 2차원적으로 분할되어, 각 렌즈 엘리먼트의 후측 초점면에는 각각 광원이 형성된다. 이렇게 하여, 플라이아이 렌즈(15)의 후측 초점면인 조명 광학계(ILS)의 동공면[조명 동공면(22)]에는, 플라이아이 렌즈(15)로의 입사 광속에 의해 형성되는 조명 영역과 거의 같은 강도 분포를 갖는 2차 광원, 즉 실질적인 면광원으로 이루어지는 2차 광원이 형성된다. 본 실시형태에 있어서는, 공간 광 변조기(13)의 각 미러 요소(3)의 반사면의 경사 방향 및 경사각을 개별적으로 제어하는 것에 의해서, 플라이아이 렌즈(15)의 입사면 상의 광 강도 분포, 나아가서는 조명 동공면(22)에 있어서의 2차 광원의 강도 분포를 거의 임의의 분포로 제어하는 것이 가능하다. 또한, 플라이아이 렌즈(15) 대신에, 마이크로 렌즈 어레이 등도 사용 가능하다.
여기서, 본 실시형태에서는, 피조사면 또는 그 근방면에 배치되는 제 2 공간 광 변조기(25)를 케이라 조명하고 있으므로, 상술한 2차 광원이 형성되는 면은 투영 광학계(PL)의 통로 조리개(도시하지 않음)와 공역인 면이 되어, 조명 광학계(ILS)의 조명 동공면(22)이라고 할 수 있다. 전형적으로는, 조명 동공면(22)에 대해서 피조사면[제 2 공간 광 변조기(25)가 배치되는 면 또는 웨이퍼(W)가 배치되는 면]이 광학적인 푸리에 변환면이 된다. 또한, 동 휘도 분포란, 조명 광학계(ILS)의 조명 동공면(22) 또는 상기 조명 동공면(22)과 공역인 면에 있어서의 휘도 분포(동 휘도 분포)이지만, 플라이아이 렌즈(15)에 의한 파면 분할수가 큰 경우에는, 플라이아이 렌즈(15)의 입사면에 형성되는 대국적(大局的)인 휘도 분포와, 2차 광원 전체의 대국적인 휘도 분포(동 휘도 분포)가 높은 상관을 나타내므로, 플라이아이 렌즈(15)의 입사면 및 상기 입사면과 공역인 면에 있어서의 휘도 분포에 대해서도 동 휘도 분포라고 할 수 있다.
여기서, 일례로서, 공간 광 변조기란 소정의 광에 대해 공간적인 변조를 주는 것이다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 공간 광 변조기의 변환 상태란, 공간 광 변조기에 광이 입사 또는 사출하는 것에 의해서, 그 광의 진폭, 투과율, 위상, 및 면내 분포 등을 변경하는 것을 말한다. 예컨대 반사형의 공간 광 변조기의 경우, 각 미러 요소의 경사 방향 및 경사각, 또는 각 미러 요소의 경사 방향 및 경사각의 분포를 말하고, 또한, 예컨대, 후술과 같은 각 미러 요소의 구동 전력의 온 오프, 또는 그 온 오프의 분포도 포함된다. 또한, 후술하지만, 공간 광 변조기에는 위상형의 공간 광 변조기, 투과형의 공간 광 변조기 등도 있다.
도 1에 있어서, 조명 동공면(22)에 형성된 2차 광원으로부터의 조명광(IL)은, 제 1 릴레이 렌즈(16), 시야 조리개(17), 광로 꺽임 용의 미러(18), 제 2 릴레이 렌즈(19), 및 콘덴서 광학계(20)를 거쳐, 광로를 피조사면(설계상의 전사용의 패턴이 배치되는 면) 측으로 꺽기 위한 미러(21)를 향한다. 미러(21)에 의해 기울기 상방으로 반사된 조명광(IL)은, 피조사면 또는 그 근방에 배치된 제 2 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)의 반사면 상의 조명 영역(26)[도 4의 (a) 참조]을 균일한 조도 분포로 조명한다. 빔 익스팬더(11)로부터 콘덴서 광학계(20)까지의 광학 부재를 포함하여 조명 광학계(ILS)가 구성되어 있다. 조명 광학계(ILS), 미러(21) 및 공간 광 변조기(25)는 도시하지 않는 프레임에 지지되어 있다.
도 4의 (a)는 본 실시형태의 공간 광 변조기(25)의 반사면을 도시하는 도면이며, 도 4의 (a)에 있어서, 공간 광 변조기(25)의 반사면은 X 방향으로 가늘고 긴 직사각형이며, 그 반사면에는 X 방향, Y 방향으로 일정 피치로 거의 밀착하도록 거의 정방형의 다수의 미러 요소(5)가 배열되어 있다. 즉, 공간 광 변조기(25)의 반사면에 있어서, X 방향의 i번째 (i = 1, 2, …) 및 Y 방향의 j번째 (j = 1, 2, …)의 위치[P(i, j)]에 각각 미러 요소(5)가 배치되어 있다. 일례로서, 공간 광 변조기(25)의 반사면의 X 방향의 길이와 Y 방향[웨이퍼(W)의 주사 방향]의 폭의 비는 4:1이며, X 방향의 미러 요소(5)의 배열수는 수천이다. X 방향으로 가늘고 긴 직사각형의 조명 영역(26)은 공간 광 변조기(25)의 반사면의 윤곽의 약간 내측의 영역으로 설정된다. 또한, 공간 광 변조기(25)의 반사면은 거의 정방형이어도 좋다.
또한, 본 실시형태의 공간 광 변조기(25)의 미러 요소(5)는, 그 반사면의 경사각을 XY 평면에 평행한 제 1 각도(본 실시형태에서는, 구동 전력을 오프로 한 상태)와, X축의 주위에 소정 각도 회전한 제 2 각도(본 실시형태에서는, 구동 전력을 온으로 한 상태) 사이에서 전환하는 것이 가능하다. 공간 광 변조기(25)는 각 미러 요소(5)의 반사면의 각도를 개별적으로 제어하는 구동부(6)를 구비하고 있다. 후술과 같이, 소정 펄스수의 발광마다, 주 제어계(30)가 도 1의 변조 제어부(45)에 웨이퍼(W) 상에 노광해야 할 패턴의 정보를 공급하고, 이것에 따라 변조 제어부(45)가 구동부(6)에 각 미러 요소(5)의 반사면의 설정 정보를 공급한다. 이하에서는, 도 4의 (a)의 B부의 확대도인 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 그 제 1 각도로 설정된 미러 요소(5)를 미러 요소(5P)라고 부르며, 그 제 2 각도로 설정된 미러 요소(5)를 미러 요소(5N)라고 부른다. 이와 같이, 실시형태의 미러 요소(5)는 2개의 각도 사이에서 전환이 가능하면 좋으므로, 공간 광 변조기(25)를 크게 하고, 또한 각 미러 요소(5)를 상기 제 1 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)보다 상당히 작게 하는 것이 가능하다. 또한, 공간 광 변조기(25)의 구성예에 대해서는 후술한다.
도 1로 돌아와서, 일례로서, 도시하지 않는 칼럼에 지지된 투영 광학계(PL)는, 공간 광 변조기(25)(물체면) 측에 비(非) 텔레센트릭(telecentric)이며, 웨이퍼(W)(상면) 측에 텔레센트릭의 축소 투영 광학계이다. 즉, 투영 광학계(PL)는, 공간 광 변조기(25)의 각 미러 요소(5)로부터 반사되는 조명광(IL) 중에서 Z축에 대해 비스듬하게 입사하여 오는 조명광만을 이용하여, 레지스터(감광 재료)가 도포된 웨이퍼(W) 상의 노광 영역(27)[도 4의 (a)의 조명 영역(26)과 공역인 영역]에 소정의 패턴의 상을 형성한다.
이 경우, 공간 광 변조기(25)에 있어서, 반사면이 상기 제 1 각도(구동 전력이 오프 상태)로 설정된 미러 요소(5P)로부터의 반사광은 투영 광학계(PL)에 비스듬하게 입사하여 유효 결상 광속(ILP)이 된다. 한편, 반사면이 상기 제 2 각도로 설정된 미러 요소(5N)로부터의 반사광(ILN)은 거의 -Z 방향으로 반사되어 투영 광학계(PL)에는 입사하지 않으므로, 결상에는 기여하지 않는다. 또한, 미러 요소(5N)의 반사면의 각도(제 2 각도)는 미러 요소(5N)로부터의 반사광이 웨이퍼(W)에 입사하지 않는 각도[웨이퍼(W) 상에 있어서의 결상에는 기여하지 않는 각도]이면 좋고, 예컨대 그 반사광이 투영 광학계(PL) 내의 통로 조리개(도시하지 않음)에 의해 차광되는 각도이면 좋다. 이 결과, 다수의 미러 요소(5)는, 미러 요소(5P)가 반사부에 대응하고, 미러 요소(5N)가 비 반사부에 대응하는 반사형의 마스크 패턴으로 간주할 수 있다. 본 실시형태에서는, 미러 요소(5P)와 미러 요소(5N) 사이의 전환은 조명광(IL)의 펄스 발광마다 실행하는 것이 가능하므로, 그 반사형의 마스크 패턴은 1개의 미러 요소(5)를 단위로 하여 펄스 발광마다 임의의 패턴으로 가변이다.
본 실시형태와 같이 물체측에 비 텔레센트릭의 투영 광학계(PL)를 이용하는 것에 의해서, 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)의 설치면과, 웨이퍼(W)가 배치되는 면, 즉 웨이퍼(W)의 노광면(레지스터의 상면)을 거의 평행하게 배치하고, 또한 공간 광 변조기(25)로부터의 반사광을 투영 광학계(PL)를 거쳐 웨이퍼(W)에 조사할 수 있다. 또한, 구동 전력이 오프 상태의 미러 요소(5P)로부터의 반사광이 유효 결상 광속이 되므로, 공간 광 변조기(25)의 제어가 용이하다.
그리고, 투영 광학계(PL)는 그 공간 광 변조기(25)에 의해서 설정되는 가변의 패턴(또는 그 패턴에 거의 상당하는 광 강도 분포)의 축소상을 웨이퍼(W) 상의 노광 영역(27)에 형성한다. 예컨대, 미러 요소(5)의 크기가 20㎛각 정도이면, 투영 광학계(PL)의 배율을 1/200 정도로 하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 선폭이 100㎚의 가변의 패턴을 투영할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 미러 요소(5)는 2개의 각도 사이에서 전환이 생기면 좋고 한층 소형화가 가능하므로, 예컨대 미러 요소(5)의 크기를 수 ㎛각 정도, 투영 광학계(PL)의 배율을 1/50 정도로 하는 것에 의해, 웨이퍼(W) 상에 선폭이 50 내지 100㎚ 정도의 가변의 패턴을 투영하는 것도 가능하다.
도 1에 있어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 홀더(도시하지 않음)를 거쳐 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 흡착 보지되어, 웨이퍼 스테이지(WST)는 도시하지 않는 가이드면 상에서 X 방향, Y 방향으로 스텝 이동을 실행하는 동시에, Y 방향으로 일정 속도로 이동한다. 웨이퍼 스테이지(WST)의 X 방향, Y 방향의 위치 및 Z축의 주위의 회전각 등은 레이저 간섭계(33)에 의해 형성되며, 이 계측 정보가 스테이지 제어계(32)에 공급되고 있다. 스테이지 제어계(32)는 주 제어계(30)로부터의 제어 정보 및 레이저 간섭계(33)로부터의 계측 정보에 기초하여, 리니어 모터 등의 구동계(34)를 거쳐 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치 및 속도를 제어한다. 또한, 웨이퍼(W)의 얼라이먼트를 실행하기 위해서, 웨이퍼(W) 상의 얼라이먼트 마크의 위치를 검출하는 얼라이먼트계(도시하지 않음) 등도 구비되어 있다.
다음에, 도 1의 공간 광 변조기(13 및 25)의 구성에 대해 설명한다.
도 2의 (a)는 도 1의 조명 광학계(ILS) 중의 공간 광 변조기(13)의 일부를 도시하는 확대 사시도이다. 도 2의 (a)에 있어서, 공간 광 변조기(13)는 X 방향, Z 방향으로 일정 피치로 거의 밀착하도록 배열된 다수의 미러 요소(3)와, 이 다수의 미러 요소(3)의 반사면의 각도를 개별적으로 제어하는 구동부(4)를 포함하고 있다. X 방향, Z 방향의 미러 요소(3)의 배열수는, 예컨대 수천이다.
도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 일례로서, 미러 요소(3)의 구동 기구는 미러 요소(3)를 지지하는 힌지 부재(37)와, 힌지 부재(37)에 돌출 설치된 4개의 전극(35)과, 지지 기판(38)과, 지지 기판(38) 상에 힌지 부재(37)를 지지하는 1쌍의 지주 부재(36)와, 4개의 전극(35)에 대향하도록 지지 기판(38) 상에 형성된 4개의 전극(39)을 구비하고 있다. 이 구성예에서는, 대응하는 4조의 전극(35과 39) 사이의 전위차를 제어하고, 전극 사이에 작용하는 정전력을 제어함으로써, 힌지 부재(37)를 요동 및 경사시킬 수 있다. 이것에 의해, 힌지 부재(37)에 지지된 미러 요소(3)의 반사면의 직교하는 2축의 주위의 경사각을 소정의 가변 범위 내에서 연속적으로 제어할 수 있다. 공간 광 변조기(13)의 보다 상세한 구성은, 예컨대 일본 특허 공개 제 2002-353105 호 공보에 개시되어 있다.
또한, 미러 요소(3)의 구동 기구는 본 실시형태의 구성에는 한정되지 않고, 다른 임의의 기구를 사용할 수 있다. 또한, 미러 요소(3)는 거의 정방형의 평면 미러이지만, 그 형상은 직사각형 등의 임의의 형상이어도 좋다. 다만, 광의 이용 효율의 관점으로부터는, 간극 없이 배열 가능한 형상이 바람직하다. 또한, 인접하는 미러 요소(3)의 간격은 필요 최소한으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 미러 요소(3)의 형상은, 예컨대 20㎛각 정도이지만, 조명 조건의 미세한 변경을 가능하게 하기 위해서, 미러 요소(3)는 가능한 한 작은 것이 바람직하다.
또한, 미러 요소(3) 대신에, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 오목면의 미러 요소(3') 또는 볼록면의 미러 요소(도시하지 않음)를 사용하는 것도 가능하다.
또한, 도 3의 (a) 및 (c)는 각각 도 1의 공간 광 변조기(13)의 Z 방향으로 배열된 일렬의 수천 개의 미러 요소(3)로부터 대표적으로 선택된 복수 개의 미러 요소(3A 내지 3G)로부터의 반사광을 도시하고 있다. 또한, 도 3의 (b) 및 (d)는 각각 도 3의 (a) 및 (c)의 조명 동공면(22)에 있어서의 2차 광원(사선을 친 부분)의 형상을 나타내고 있다.
도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 공간 광 변조기(13)의 각 미러 요소(3A 내지 3G)의 2축의 주위의 경사각(즉, 경사 방향 및 경사각)을, 그 반사광이 플라이아이 렌즈(15)의 입사면에 있어서 광축(AXI)으로부터 편심 한 2개의 영역에 집광되도록 설정하는 것에 의해서, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, Z 방향으로 2극의 2차 광원(23A, 23B)이 생성된다. 이 경우, 공간 광 변조기(13)의 다른 열의 미러 요소(3)의 경사각 및 경사 방향도, 그 반사광이 2차 광원(23A, 23B)의 어느 하나에 대응하는 영역에 집광되며, 또한 2차 광원(23A, 23B)의 강도가 대체로 균등하게 되도록 설정된다(이하, 동일). 또한, 각 미러 요소(3)의 경사 방향 및 경사각을 제어하는 것만으로, 영역(B4A, B4B)에 나타내는 바와 같이, 2차 광원(23A, 23B)의 간격을 제어할 수 있다. 또한, 조명 동공면(22)에 있어서의 Z 방향은 공간 광 변조기(25)의 반사면(전사용의 패턴에 거의 상당하는 광 강도 분포가 생성되는 면)의 Y 방향에 대응하고 있다.
또한, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이, 공간 광 변조기(13)의 각 미러 요소(3A 내지 3G)의 경사 방향 및 경사각을, 그 반사광이 플라이아이 렌즈(15)의 입사면에 있어서 광축(AXI)을 포함하는 영역에 집광되도록 설정하는 것에 의해서, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이, 통상 조명용의 원형의 2차 광원(24A)이 생성된다. 이 경우에도, 각 미러 요소(3)의 경사 방향 및 경사각을 제어하는 것만으로, 영역(D4)에 나타내는 바와 같이, 2차 광원(24A)의 크기(σ값)를 제어할 수 있다.
이와 같이, 각 미러 요소(3)의 반사면의 2축의 주위의 경사각을 개별적으로 제어하는 것에 의해서, 도 3의 (e)에 도시하는 X 방향으로 2극의 2차 광원(23C, 23D), 도 3의 (f)에 도시하는 윤대(輪帶) 형상의 2차 광원(24B), 및 4극의 2차 광원(도시하지 않음) 등을 생성할 수 있다.
또한, 도 1의 투영 광학계(PL)의 물체면측(마스크용)의 공간 광 변조기(25)는 공간 광 변조기(13)와 동일하게 구성할 수 있다. 다만, 공간 광 변조기(25)의 각 미러 요소(5)는, 상기 제 1 각도 및 제 2 각도로 설정할 수 있으면 좋으므로, 미러 요소(5)의 구동 기구는 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)의 구동 기구보다 간소화가 가능하다.
또한, 상기 공간 광 변조기(13, 25)로서는, 예컨대 일본 특허 공표 제 1998-503300 호 공보 및 이것에 대응하는 유럽 특허 공개 제 779530 호 공보, 일본 특허 공개 제 2004-78136 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 6,900,915 호 공보, 일본 특허 공표 제 2006-524349 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 7,095,546 호 공보, 및 일본 특허 공개 제 2006-113437 호 공보에 개시되는 공간 광 변조기를 이용할 수 있다. 이러한 공간 광 변조기를 조명 광학계(ILS)에 이용했을 경우에는, 공간 광 변조기의 개별 반사면을 거친 각각의 광이 소정의 각도로 강도 분포 형성 광학계[릴레이 광학계(14)]에 입사하여, 복수의 미러 요소(반사 요소)로의 제어 신호에 따른 소정의 광 강도 분포를 조명 동공면에 대해 형성할 수 있다.
또한, 공간 광 변조기(13, 25)로서는, 예컨대 복수의 미러 소자가 2차원적으로 배열되어 그 반사면의 높이를 개별적으로 제어 가능한 공간 광 변조기를 이용할 수도 있다. 이와 같은 공간 광 변조기로서는, 예컨대 일본 특허 공개 제 1994-281869 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 5,312,513 호 공보, 및 일본 특허 공표 제 2004-520618 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 6,885,493 호 공보의 도 1d에 개시되는 공간 광 변조기를 이용할 수 있다. 이러한 공간 광 변조기에서는, 2차원적인 높이 분포를 형성함으로써 위상형의 회절 격자와 같은 작용을 입사광에 가할 수 있다.
또한, 상술한 2차원적으로 배열된 복수의 반사면을 갖는 공간 광 변조기를, 예컨대 일본 특허 공표 제 2006-513442 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 제 6,891,655 호 공보, 또는 일본 특허 공표 제 2005-524112 호 공보 및 이것에 대응하는 미국 특허 공개 제 2005/0095749 호 공보의 개시에 따라서 변형해도 좋다.
다음에, 본 실시형태의 노광 장치(100)에 의한 노광 동작[주 제어계(30)에 의해서 제어됨]의 일례에 대해 도 7의 플로우 차트를 참조해 설명한다. 이 경우, 일례로서, 도 5의 (a)에 도시하는 마스크 패턴(MP)의 축소상을 웨이퍼(W) 상에 노광하는 것으로 한다. 마스크 패턴(MP)의 정보는 주 제어계(30)의 기억부에 기억되어 있다. 마스크 패턴(MP)은 X 방향으로 해상 한계에 가까운 피치로 배열된 라인·앤드·스페이스 패턴(이하, L&S 패턴이라고 함)(40A 내지 40C), Y 방향으로 해상 한계에 가까운 피치로 배열된 L&S 패턴(41A 내지 41D), 및 비교적 성긴 피치로 배열된 L&S 패턴(42A, 42B, 43)을 포함하고 있다. 또한, L&S 패턴(40A 내지 40C) 등은 확대하여 표시되어 있다. 또한, 실제로는, 마스크 패턴(MP)은 웨이퍼(W) 상에 투영 되는 패턴과 형상이 다른 경우가 있다.
또한, 도 4의 (a)의 공간 광 변조기(25) 상의 조명 영역(26)에 대응하는 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 상의 영역을 피전사 영역(26M)로 한다. 본 실시형태에서는, 주 제어계(30) 내의 화상 메모리 내에서 가상적으로 피전사 영역(26M)을 마스크 패턴(MP) 상에서 Y 방향으로 일정 속도로 이동시키고, 피전사 영역(26M) 내의 시계열적으로 변화하는 패턴에 대응하는 광 강도 분포를 도 4의 (a)의 공간 광 변조기(25)의 미러 요소(5)에 의해서 생성하며, 그 피전사 영역(26M)의 이동에 동기해서 도 1의 웨이퍼(W)를 대응하는 주사 방향인 Y 방향으로 이동시킨다. 또한, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP)의 사선을 친 부분[L&S 패턴(40A) 등]은 광 강도가 강한 부분을 나타내, 이것에 대응하도록, 예컨대 도 4의 (a), 도 4의 (c)의 공간 광 변조기(25)의 사선을 친 부분의 미러 요소(5P)는 광 강도가 강한 부분[그 반사광이 투영 광학계(PL)를 통과하는 부분]을 나타내고 있다.
또한, 일례로서, 도 5의 (a)의 L&S 패턴(40A 내지 40C)를 노광하는 경우에는, 도 3의 (e)의 2차 광원(23C, 23D)을 이용하는 X 방향의 2극 조명이 바람직하고, L&S 패턴(41A 내지 41C)을 노광하는 경우에는, 도 3의 (b)의 2차 광원(23A, 23B)을 이용하는 Z 방향(Y 방향)의 2극 조명이 바람직하며, L&S 패턴(42A 내지 43)을 노광하는 경우에는, 도 3의 (d)의 2차 광원(24A)을 이용하는 통상 조명이 바람직한 것으로 한다.
우선, 도 7의 스텝(121)으로 웨이퍼(W) 상에 레지스터를 도포한 후, 스텝(101)으로 그 웨이퍼(W)를 도 1의 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 로드한다. 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면은 X 방향 및 Y 방향으로 소정 피치로 각각 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP)의 축소상[설명의 편의상, 정립(正立) 상으로 한다]이 노광되는 쇼트 영역(SA)으로 구분되어 있다. 다음의 스텝(102)에 있어서, 웨이퍼(W)의 얼라이먼트를 실행한 후, 도 6의 (a)의 웨이퍼(W) 상의 Y 방향으로 일렬로 배열된 쇼트 영역(SA21, SA22, …)에 노광을 실행하기 위해서, 웨이퍼(W)를 주사 개시 위치에 위치 결정한 후, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 상에서 가상적으로 피전사 영역(26M)의 +Y 방향으로의 주사를 개시하고, 이것에 동기해서 웨이퍼(W)의 +Y 방향으로의 일정 속도로의 주사를 개시한다. 또한, 도 6의 (a)의 쇼트 영역(SA21) 등 내의 화살표는 웨이퍼(W)에 대한 노광 영역(27)의 상대적인 이동 방향을 나타내고 있다.
다음의 스텝(103)에 있어서, 주 제어계(30)는, 도 5의 (a)의 피전사 영역(26M) 내로부터 전사용 패턴으로서 L&S 패턴(40A 내지 40C)로 이루어지는 패턴(28A)을 선택한다. 다음의 스텝(104)에 있어서, 주 제어계(30)는 변조 제어부(45)를 거쳐 공간 광 변조기(25)의 미러 요소(5)의 경사각을 제어하여, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 그 패턴(28A)에 대응하는 미러 요소(5P, 5N)의 분포를 설정한다. 다음의 스텝(105)에 있어서, 주 제어계(30)는 선택된 패턴(28A)에 따른 조명 조건(여기에서는 X 방향의 2극 조명)을 선택하며, 스텝(106)에 있어서, 그 조명 조건에 대응시켜, 도 1의 변조 제어부(31)를 거쳐 공간 광 변조기(13)의 각 미러 요소(3)의 경사 방향 및 경사각을 설정하고, 도 3의 (e)에 도시하는 2극의 2차 광원을 설정한다.
다음의 스텝(107)에 있어서, 주 제어계(30)는, 도 1의 전원 제어부(9)에 발광 트리거 펄스(TP)를 공급하는 것에 의해서, 소정 펄스수만큼 광원(10)에 조명광(IL)을 발광시키고, 웨이퍼(W) 상의 노광 영역(27)에 도 4의 (a)의 패턴(28A)의 상을 노광한다. 그 소정 펄스수란, 1 펄스여도 좋고, 5 펄스 또는 10 펄스 등의 복수 펄스여도 좋다. 또한, 그 소정 펄스수란 가변이어도 좋다. 또한, 스텝(103 내지 106) 및 이하의 스텝(108)의 동작은, 예컨대 조명광(IL)의 펄스 발광의 1 주기 내에 고속으로 실행되기 위해, 웨이퍼(W)의 주사 노광 중에 조명광(IL)은 실질적으로 연속하여 펄스 발광된다.
다음의 스텝(108)에 있어서, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 중에서 전사가 완료되어 있지 않은 패턴이 남아 있는 경우에는, 스텝(103)으로 이행하여, 전사용의 패턴의 선택을 실행하고, 이하, 공간 광 변조기(25)의 미러 요소(5)의 경사각의 설정, 조명 조건의 선택, 선택된 조명 조건에 따른 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)의 경사 방향 및 경사각의 설정, 및 소정 펄스수의 노광까지의 동작[스텝(104 내지 107)]을 반복한다. 또한, 스텝(103 내지 107)은 같은 패턴[예컨대 도 5의 (a)의 L&S 패턴(40A)]에 대해서 복수 회 반복되는 경우도 있다. 이 때, 웨이퍼(W)가 주사되고 있으므로, 도 1의 공간 광 변조기(25)에 의해 생성되는 그 패턴도 Y 방향으로 시프트하게 된다. 그리고, 최종적으로, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 중의 각 패턴[예컨대, L&S 패턴(40A)]마다의 웨이퍼(W)에 대한 적산 노광량이 미리 설정되어 있는 레지스터 감도가 되도록, 그 소정 펄스수가 조정된다. 이 때, 펄스광에는 펄스마다의 에너지의 편차가 있으므로, 평균화 효과에 의해 노광량의 고르지 못함을 저감시키기 위해, 그 레지스터 감도를 얻기 위한 적산 펄스수를 소정값 이상으로 설정해도 좋다.
또한, 예컨대, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 피전사 영역(26M)이 이동했을 경우에는, 피전사 영역(26M) 내에는 X 방향의 L&S 패턴(40A 내지 40C) 외에 Y 방향의 L&S 패턴(41A)도 포함되어 있다. 이 경우에는, 일례로서, 전사용의 패턴(28B)으로서 L&S 패턴(40A 내지 40C)만을 선택하고, 이것에 따라 공간 광 변조기(13)에 의해 설정하는 조명 조건은 X 방향의 2극 조명으로 한다.
다음에 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 피전사 영역(26M)이 이동했을 때에, 일례로서, 전사용의 패턴(28c)으로서, Y 방향의 L&S 패턴(41A 내지 41C)만을 선택하고, 이것에 따라 공간 광 변조기(25)에 의해서 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이 패턴(28c)에 대응하는 미러 요소(5P, 5N)의 분포를 설정한다. 또한, 조명 조건을 Y 방향의 2극 조명으로 하기 위해서, 공간 광 변조기(13)에 의해 도 3의 (b)의 2차 광원(23A, 23B)을 설정한다.
그 후, 피전사 영역(26M)이 도 5의 (a)의 2점 쇄선으로 나타내는 위치(29A)로 이동했을 때에는, 일례로서, 전사용의 패턴(28d)으로서 그 중의 Y 방향의 L&S 패턴(41B 내지 41D)만을 선택하고, 다음에 피전사 영역(26M)이 도 5의 (b)의 위치(29B)로 이동했을 때에는, 일례로서, 전사용의 패턴(28E)으로서 그 중의 성긴 피치의 L&S 패턴(42A)만을 선택하며, 조명 조건은 예컨대 통상 조명을 선택하여, 공간 광 변조기(13)에 의해서 도 3의 (d)의 원형의 2차 광원(24A)을 설정한다. 그 후, 피전사 영역(26M)이 도 5의 (c)의 위치(29C)를 통과할 때에는, 성긴 피치의 L&S 패턴(42A 내지 43)만이 전사용의 패턴이므로, 조명 조건은 통상 조명인 채로 좋다.
그리고, 스텝(108)에 있어서, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 중에서 미전사의 패턴이 없어졌을 때에는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 1개의 쇼트 영역(SA21)으로의 주사 노광이 완료했으므로, 동작은 스텝(109)으로 이행하여, 웨이퍼(W) 상에서 미노광의 쇼트 영역이 남아 있는지 어떤지를 판정한다. 이 시점에서는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 쇼트 영역(SA21)에 인접하는 쇼트 영역(SA22)이 미노광이므로, 동작은 스텝(102)으로 복귀한다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)를 같은 방향으로 주사한 채로, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 마스크 패턴(MP)의 -Y 방향의 단부에 피전사 영역(26M)을 가상적으로 이동시키고, 스텝(103 내지 108)의 동작을 반복하면 좋다. 또한, 웨이퍼(W) 상의 주사 방향으로 인접하는 쇼트 영역(SA21, SA22)의 경계부에서는, 도 5의 (c)의 위치(29D1, 29D2)로 나타내는 바와 같이, 피전사 영역(26M)을 마스크 패턴(MP)의 양단부로 설정하고, 그 위치(29D1, 29D2) 내의 패턴을 합성한 패턴을 도 4의 (a)의 공간 광 변조기(25)에서 생성하는 것에 의해, 쇼트 영역(SA21)으로부터 쇼트 영역(SA22)에 걸쳐 연속적으로 노광을 실행할 수 있다.
또한, 스텝(109)에 있어서, 도 6의 (a)의 웨이퍼(W) 상의 X 방향으로 인접하는 쇼트 영역(SA31, SA32)을 포함하는 열의 노광으로 이행하는 경우에는, 스텝(102)으로 이행하고, 웨이퍼 스테이지(WST)를 구동하여 웨이퍼(W)를 X 방향으로 스텝 이동한다. 그리고, 위치(27R)의 노광 영역에 대한 웨이퍼(W)의 주사 방향을 -Y 방향으로 반대로 설정하고, 도 5의 (a)에 있어서, 마스크 패턴(MP) 상에서의 피전사 영역(26M)의 가상적인 이동 방향을 -Y 방향으로 하여, 스텝(103 내지 108)을 반복하면 좋다.
그리고, 스텝(109)에 있어서, 웨이퍼(W) 상에서 미노광의 쇼트 영역이 없어졌을 때에, 스텝(110)에 있어서 웨이퍼(W)의 언로드를 실행하고, 다음의 웨이퍼의 노광을 실행한다[스텝(111)]. 또한, 노광이 완료된 웨이퍼에는, 스텝(122)에 있어서, 레지스터의 현상, 현상한 웨이퍼의 가열[경화(cure)], 및 에칭 등의 회로 패턴 형성을 위한 처리가 실시된다. 웨이퍼에 대해서, 이러한 노광 및 현상(리소그래피 공정)과, 그 처리를 반복한 후, 디바이스 조립 스텝(다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정 등의 가공 프로세스를 포함함)을 거치는 것에 의해서, 반도체 디바이스 등이 제조된다.
이와 같이, 본 실시형태의 노광 장치(100)에 대해서는, 공간 광 변조기(25)를 이용하는 것에 의해서, 동일한 피전사 영역(26M) 내의 패턴이어도, 실제로 웨이퍼(W) 상에 전사하는 패턴을 주기 방향 및 미세도 등에 의해 분류하여 선택할 수 있고, 선택된 패턴에 따라 공간 광 변조기(13)를 이용하여 조명 조건을 최적화할 수 있다. 따라서, 여러가지의 패턴이 혼재하는 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP)을 1회의 주사 노광에 의해서 그 여러가지의 패턴마다 최적인 조명 조건으로 노광할 수 있다. 따라서, 공간 광 변조기(25)는 웨이퍼(W) 상에 전사(또는 형성)해야 할 패턴, 또는 그 피치 및 방향에 따라 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)의 경사각 및 경사 방향을 개별적으로 제어한다. 또한, 공간 광 변조기(13)는 웨이퍼(W) 상에 전사(또는 형성)해야 할 패턴, 또는 그 피치 및 방향에 따라, 또는 공간 광 변조기(25)의 변환 상태에 따라, 공간 광 변조기(13)의 복수의 미러 요소(3)의 경사각 및 경사 방향을 개별적으로 제어한다. 이 때, 본 실시형태에서는, 마스크 패턴(MP) 중으로부터 전사용의 패턴을 시계열적으로 선택하고 있으므로, 전사용의 패턴을 예컨대 조명광의 편광 상태에 따라 선택할 필요는 없고, 마스크 패턴(MP)에 다양한 패턴이 혼재하고 있어도 대응할 수 있다.
본 실시형태의 작용 효과는 이하와 같다.
(1) 본 실시형태의 도 1의 노광 장치(100)에 의한 노광 방법은, 복수의 펄스 발광되는 조명광(IL)으로 웨이퍼(W)(물체)를 노광하는 노광 방법으로서, 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)(제 2 광학 요소로서의 반사 요소)의 반사면의 상태[나아가서는 공간 광 변조기(25)의 변환 상태]를 개별적으로 제어하는 스텝(104)과, 소정면 상에 있어서의 조명광(IL)의 강도 분포를 제어하기 위해서 공간 광 변조기(13)의 복수의 미러 요소(3)(제 1 광학 요소로서의 반사 요소)의 반사면의 상태[나아가서는 공간 광 변조기(13)의 변환 상태]를 제어하는 스텝(106)과, 조명광(IL)에 의해서 조명되는 복수의 미러 요소(3)로부터의 광을 복수의 미러 요소(5)로 도광하고, 복수의 미러 요소(5)로부터의 광으로 웨이퍼(W)를 노광하는 스텝(107)을 포함하고 있다.
또한, 도 1의 노광 장치(100)는, 복수의 펄스 발광되는 조명광(IL)으로 피조사면을 조명하고, 그 피조사면 또는 그 근방의 면을 거쳐 조명광(IL)으로 웨이퍼(W)를 노광하는 노광 장치로서, 피조사면보다 상류[조명광(IL)이 입사하는 방향]에 배치되어 복수의 미러 요소(3)를 포함하는 공간 광 변조기(13)(제 1 광학 디바이스)를 갖는 조명 광학계(ILS)와, 그 피조사면 또는 그 근방에 배치되고 복수의 미러 요소(5)를 포함하는 공간 광 변조기(25)(제 2 광학 디바이스)와, 공간 광 변조기(25)의 변환 상태, 또는 공간 광 변조기(13)의 변환 상태를 제어하는 주 제어계(30) 및 변조 제어부(31, 45)(조명 제어 장치)를 구비하고 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 조명 제어 장치는, 주 제어계(30)와 변조 제어부(31, 45)를 포함하는 장치이지만, 예컨대 변조 제어부(31, 45)가 각각 주 제어계(30)의 기능을 갖는다면, 조명 제어 장치는 변조 제어부(31, 45)를 포함하는 장치여도 좋다.
여기서, 웨이퍼(W)에 입사하는 광이란, 웨이퍼(W) 상에서의 결상에 기여하는 광(노광광), 즉 전사용의 패턴에 거의 상당하는 광이다. 또한, 웨이퍼(W)에 입사하지 않는 광이란, 웨이퍼(W) 상에서의 결상에 기여하지 않는 광(비노광광)이며, 예컨대 그 광을 투영 광학계(PL) 내에 입사시키지 않도록 하면 좋고, 그 광을 투영 광학계(PL) 내의 개구 조리개(도시하지 않음)에 의해서 차광해도 좋다.
본 실시형태에 의하면, 복수의 미러 요소(5)의 반사면의 상태를 개별적으로 제어함으로써 시계열적으로 복수 종류의 패턴에 대응하는 광 강도 분포를 생성할 수 있고, 또한 복수의 미러 요소(3)의 반사면의 상태를 개별적으로 제어함으로써 미러 요소(5)에 대한 조명 광학계(ILS)의 조사각의 분포(조명 조건)를 최적화할 수 있다. 따라서, 복수 종류의 패턴이 혼재하는 마스크 패턴을 높은 스루풋으로, 또한 각각 조명 조건을 최적화하여 노광할 수 있다.
(2) 또한, 그 스텝(104)에 있어서, 주 제어계(30) 및 변조 제어부(45)는 웨이퍼(W) 상에 형성해야 할 패턴에 따라 복수의 미러 요소(5)의 반사면의 상태(경사각)를 개별적으로 제어하고 있다. 또한, 그 스텝(104)에 있어서, 주 제어계(30) 및 변조 제어부(45)는 웨이퍼(W) 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향을 따라 복수의 미러 요소(5)의 반사면의 상태(예컨대, 경사각)를 개별적으로 제어하고 있다. 또한, 스텝(106)에 있어서, 주 제어계(30) 및 변조 제어부(31)는, 공간 광 변조기(25)의 변환 상태에 따라, 또는 웨이퍼(W) 상에 형성해야 할 패턴에 따라, 복수의 미러 요소(3)의 반사면의 상태(경사 방향 및 경사각)를 개별적으로 제어하고 있다. 또한, 스텝(106)에 있어서, 주 제어계(30) 및 변조 제어부(31)는 웨이퍼(W) 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향을 따라 복수의 미러 요소(3)의 반사면의 상태(예컨대, 경사 방향 및 경사각)를 개별적으로 제어하고 있다.
이것에 의해서, 마스크 패턴[또는 공간 변조기(25)의 변환 상태] 또는 웨이퍼(W) 상에 형성(노광)해야 할 패턴에 따라 조명 조건을 용이하게 최적화할 수 있다.
또한, 마스크 패턴[또는 공간 변조기(25)의 변환 상태], 또는 웨이퍼(W) 상에 형성해야 할 패턴에 따라 조명 조건을 최적화하여 노광할 수 있으므로, 광량 손실을 저감하고, 양호한 패턴을 노광할 수 있다.
(3) 또한, 그 소정면은 조명 광학계(ILS)의 동공면[조명 동공면(22)]이지만, 그 동공면의 근방의 면이어도 좋다. 또한, 그 소정면은 조명 동공면(22)과 공역인 면, 또는 근방의 면이어도 좋다.
(4) 또한, 상기 실시형태에서는, 조명광(IL)이 소정 펄스수 발광될 때마다, 스텝(104) 및 스텝(106)에 있어서의 복수의 미러 요소(5)의 반사면의 상태의 설정, 및 복수의 미러 요소(3)에 있어서의 반사면의 상태의 설정의 전환을 실행하고 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 노광해야 할 패턴의 전환, 및 조명 조건의 최적화를 고속으로 실행할 수 있다.
특히 그 소정 펄스수가 1 펄스이면, 가장 고속으로 패턴의 전환을 실행할 수 있고, 이 결과, 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP)에 포함되는 패턴의 종류가 지극히 많은 경우에서도, 각 패턴의 조명 조건을 최적화하여, 1회의 주사 노광으로 그 마스크 패턴(MP)을 노광할 수 있다.
이 결과, 복수 펄스의 조명광(IL)으로 노광을 실행하는 경우, 처음에 스텝(107)에 있어서, 제 1 펄스광에 의해 조명되는 복수의 미러 요소(3)로부터의 광으로 복수의 미러 요소(5)를 조명하고, 이 미러 요소(5)로부터의 광으로 웨이퍼(W)를 노광한 후, 스텝(104, 106)으로 복수의 미러 요소(5) 및 미러 요소(3)의 적어도 한쪽의 반사면의 상태를 변경하고 나서, 다음의 스텝(107)에 있어서, 제 2 펄스광에 의해 조명되는 복수의 미러 요소(3)로부터의 광으로 복수의 미러 요소(5)를 조명하고, 이 미러 요소(5)로부터의 광으로 웨이퍼(W)를 노광할 수 있다.
(5) 바꾸어 말하면, 스텝(104)은, 조명광(IL)이 소정 펄스수 발광될 때마다, 도 1의 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)로부터의 광의 개별 상태를 제 1 상태[예컨대, 도 4의 (a)의 X 방향의 L&S 패턴의 광 강도 분포 상태] 또는 제 2 상태[예컨대, 도 4의 (c)의 Y 방향의 L&S 패턴의 광 강도 분포 상태]로 전환하는 공정을 포함한다.
이것에 대응하여, 스텝(106)은, 조명광(IL)이 소정 펄스수 발광될 때마다, 그 제 1 상태에 대응하여 공간 광 변조기(13)의 복수의 미러 요소(3)로부터의 광의 개별 상태를 제 3 상태[예컨대 도 3의 (e)의 X 방향의 2극 조명 상태]로 전환하는 공정, 또는 그 제 2 상태에 대응하여 복수의 미러 요소(3)로부터의 광의 개별 상태를 제 4 상태[예컨대 도 3의 (b)의 Y 방향의 2극 조명 상태]로 전환하는 공정을 포함한다. 이것에 의해서, 패턴마다 조명 조건을 최적화할 수 있다.
(6) 또한, 스텝(107)은 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)에 대해서 웨이퍼 스테이지(WST)에 의해 웨이퍼(W)를 소정 방향(주사 방향인 Y 방향)으로 주사하면서 웨이퍼(W)를 노광하는 공정이며, 스텝(104)은 웨이퍼(W)의 Y 방향으로의 주사에 따라 변화하는 전사 대상의 패턴에 대응시켜서, 복수의 미러 요소(5)로부터의 광 상태를 개별적으로 제어하는 공정을 포함한다. 이것에 의해서, 마스크 패턴(MP)이 그 소정 방향으로 긴 경우에도, 1회의 주사 노광으로 웨이퍼(W)에 그 마스크 패턴(MP)을 노광할 수 있다.
(7) 또한, 도 1의 노광 장치(100)에 있어서, 공간 광 변조기(25)에 의해서 설정되는 가변의 패턴(광 강도 분포)을 투영 광학계(PL)를 거쳐, 스텝·앤드·리피트 방식으로 웨이퍼(W) 상에 노광해도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼 스테이지(WST)는 X 방향, Y 방향으로 스텝 이동하는 기능을 구비하고 있으면 좋다. 또한, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 각 쇼트 영역(SA)은, 쇼트 영역(SA21)과 같이, 각각 도 1의 노광 영역(27)의 크기에 대응하는 복수의 부분 쇼트 영역(SB1 내지 SB5)으로 분할된다.
그리고, 노광 영역(27)에 의해서 쇼트 영역(SA21) 중의 부분 쇼트 영역(SB1)에 노광한 후, 웨이퍼 스테이지(WST)에 의해서 웨이퍼(W)를 Y 방향으로 스텝 이동하는 동작과, 도 7의 스텝(103 내지 107)의 동작을 반복하는 것에 의해서, 다른 부분 쇼트 영역(SB2 내지 SB5)에도 노광을 실시할 수 있다. 또한, 1개의 부분 쇼트 영역(SB1 내지 SB5)으로의 노광 중에, 예컨대 도 5의 (a)의 마스크 패턴(MP) 중의 X 방향의 L&S 패턴(40C)과, Y 방향의 L&S 패턴(41A 내지 41C)과 같이, 종류가 다른 패턴을 각각 조명 조건을 최적화하고, 또한 적산 노광량이 레지스터 감도에 이르도록 소정의 펄스수로 노광할 수 있다.
(8) 또한, 도 1의 실시형태에 대해서는, 도 7의 스텝(104)은, 예컨대 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)의 각 반사면의 상태를, 이 반사면으로부터의 반사광이 웨이퍼(W)에 입사하는 상태(제 1 각도)와, 그 반사광이 웨이퍼(W)에 입사하지 않는 상태(제 2 각도)의 어느 하나로 설정하는 공정을 포함하며, 스텝(106)은 공간 광 변조기(13)의 복수의 미러 요소(3)의 각 반사면의 상태를 2축의 주위의 경사각이 가변 범위 내의 어느 각도가 되도록 설정하는 공정을 포함하고 있다.
따라서, 복수의 미러 요소(5)의 구동 기구를 간소화할 수 있다. 또한, 복수의 미러 요소(3)에 의해서, 조명광(IL)의 이용 효율을 높게 유지하고, 또한 여러가지의 형상의 2차 광원을 용이하게 생성할 수 있다.
또한, 공간 광 변조기(13)의 미러 요소(3)는, 1축의 주위의 반사면의 경사각이 가변 범위 내의 어느 각도가 되도록 설정하는 것만으로도 좋다. 이 경우에는, 조명광(IL)의 이용 효율은 저하하지만, 2차 광원의 생성에 사용되지 않는 미러 요소(3)로부터의 광은 플라이아이 렌즈(15)에 입사시키지 않도록 하면 좋다.
(9) 또한, 도 1에 있어서, 공간 광 변조기(25)가 배치되는 면[또는 미러 요소(5)의 설치면]과, 웨이퍼(W)에 있어서의 노광면(레지스터의 상면)은 서로 대략 평행하게 배치되어 있다. 따라서, 노광 장치의 설계, 제조가 용이하다.
(10) 또한, 상기 실시형태에서는, 조명광(IL)은 엑시머 레이저 광원으로부터 발광되는 펄스광이지만, 그 대신에 고체 레이저 광원으로부터 발광되는 펄스광을 이용해도 좋다. 이 고체 레이저 광원은, 펄스 주파수를 1㎒ 내지 2㎒ 정도로 높일 수 있으므로, 이 펄스 주파수에 동기해서 미러 요소(5) 및 미러 요소(3)의 반사면의 상태를 고속으로 전환하는 것에 의해, 보다 많은 종류의 패턴이 혼재하는 마스크 패턴을 1회의 노광으로 단시간에 웨이퍼 상에 노광할 수 있다.
(11) 또한, 노광 장치(100)는, 복수의 펄스광[조명광(IL)]을 공급하기 위한 광원(10)(광원부)을 구비하고 있으므로, 그 펄스광의 발광 타이밍 등을 고정밀도로 제어할 수 있다.
(12) 또한, 상기 실시형태의 디바이스의 제조 방법은, 상기 실시형태의 노광 방법을 이용하여 웨이퍼(W)를 노광하는 공정과, 노광된 웨이퍼(W)를 처리하는 공정[스텝(122)]을 포함하고 있다.
또한, 그 디바이스 제조 방법은 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법이며, 그 리소그래피 공정에 있어서, 상기 실시형태의 노광 장치(100)를 이용하고 있다. 이러한 디바이스 제조 방법에 의하면, 많은 종류의 회로 패턴이 혼재하는 디바이스를 높은 스루풋으로 고정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 이 제 1 실시형태는 이하와 같은 변경도 가능하다.
(13) 도 1의 실시형태에 있어서는, 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소를 포함하는 제 1 및 제 2 광학 디바이스로서, 복수의 미러 요소(5)(반사 요소)를 포함하는 공간 광 변조기(25) 및 복수의 미러 요소(3)(반사 요소)를 포함하는 공간 광 변조기(13)가 사용되고 있다. 그러나, 공간 광 변조기(25) 및 공간 광 변조기(13)의 적어도 한쪽의 변조기 대신에, 각각 투과광의 광량을 제어하는 복수의 화소(투과 요소)를 포함하는 액정 셀, 또는 각각 통과광의 위상을 제어하는 복수의 위상 요소(가변 단차 요소 등)를 포함하는 위상 디바이스 등을 이용하는 것도 가능하다.
(14) 또한, 도 1의 파면 분할형의 인티그레이터인 플라이아이 렌즈(15)를 대신하여, 내면 반사형의 옵티컬 인티그레이터로서의 로드형 인티그레이터를 이용하는 것도 할 수 있다. 이 경우, 도 1에 있어서, 릴레이 광학계(14)보다 공간 광 변조기(25) 측에 집광 광학계를 추가하여 공간 광 변조기(13)의 반사면의 공역면을 형성하고, 이 공역면 근방에 입사단이 위치 결정되도록 로드형 인티그레이터를 배치한다.
또한, 이 로드형 인티그레이터의 사출 단면 또는 사출 단면 근방에 배치되는 조명 시야 조리개의 상을 공간 광 변조기(25)의 반사면 상에 형성하기 위한 릴레이 광학계를 배치한다. 이 구성의 경우, 2차 광원은 릴레이 광학계(14) 및 집광 광학계의 동공면에 형성된다(2차 광원의 허상은 로드형 인티그레이터의 입사단 근방에 형성됨). 또한, 로드형 인티그레이터로부터의 광속을 공간 광 변조기(25)로 이끌기 위한 릴레이 광학계가 도광 광학계가 된다.
[제 2 실시형태]
본 발명의 제 2 실시형태에 대해 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8은 본 실시형태의 노광 장치(100A)의 개략 구성을 도시한다. 도 1에 대응하는 부분에 동일 부호를 부여한 도 8에 있어서, 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)에 의해서 생성되는 가변의 패턴(광 강도 분포)의 축소상을 웨이퍼(W) 상에 투영하는 투영 광학계(PLA)는 공간 광 변조기(25)(물체면) 측 및 웨이퍼(W)[상면(像面)] 측의 양측에 텔레센트릭이다. 이 때문에, 공간 광 변조기(25)는 그 중심이 투영 광학계(PLA)의 광축(AX)에 거의 합치하도록 투영 광학계(PLA)의 상방에 배치되어 있다. 또한, 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)의 설치면과 웨이퍼(W)의 노광면은 거의 평행이다.
본 실시형태에 있어서는, 조명 광학계(ILS)로부터의 펄스광으로서의 조명광(IL)은 미러(21)를 거쳐 기울기 상방의 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)에 입사한다. 그리고, 반사면이 XY 평면에 평행한 제 1 각도(구동 전력이 오프 상태)로 설정된 미러 요소(5P)로부터의 반사광(ILN)은 웨이퍼(W) 상에서의 결상에는 기여하지 않는다[예컨대, 투영 광학계(PLA)에 입사하지 않는다]. 한편, 반사면이 경사한 제 2 각도(구동 전력이 온 상태)로 설정된 미러 요소(5N)로부터의 반사광은 투영 광학계(PLA)에 입사하는 유효 결상 광속(ILP)이 되어 웨이퍼(W)를 노광한다. 이 외의 구성은 제 1 실시형태와 같다.
본 실시형태의 노광 장치(100A)에 의하면, 양측 텔레센트릭인 투영 광학계(PLA)를 사용할 수 있는 동시에, 공간 광 변조기(25)의 설치면[또는 미러 요소(5)의 설치면]과 웨이퍼(W)의 노광면을 거의 평행하게 배치할 수 있으므로, 노광 장치의 설계, 제조가 용이하다.
[제 3 실시형태]
본 발명의 제 3 실시형태에 대해 도 9를 참조해 설명한다.
도 9는 본 실시형태의 노광 장치(100B)의 개략 구성을 도시한다. 도 1에 대응하는 부분에 동일 부호를 부여한 도 9에 있어서, 양측 텔레센트릭의 투영 광학계(PLA)의 상방에 광축(AX)을 따라서, 편광 빔 스플리터(이하, PBS라고 부름)(51), 1/4 파장판(52), 및 다수의 미러 요소(5)를 포함하는 공간 광 변조기(25)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시형태의 조명 광학계(ILS)는 도 1의 조명 광학계(ILS)에 대해서 미러(18)가 생략되어 있으며, 조명광(IL)이 그대로 +Y 방향으로 PBS(51)를 향해 조사되는 점이 다르다. 또한, 조명광(IL)은 PBS(51)에 대해서 S 편광(편광 방향이 빔 스플리터면에 있어서의 입사면에 수직)의 직선 편광이다.
이 경우, PBS(51)에 입사한 조명광(IL)은 상방으로 반사된 후, 1/4 파장판(52)을 거쳐 원 편광이 되고, 공간 광 변조기(25)의 다수의 미러 요소(5)의 구동 전력이 오프 상태로의 반사면에 거의 수직으로 입사한다. 그리고, 반사면이 제 1 각도(구동 전력이 오프 상태)로 설정된 미러 요소(5P)로부터의 반사광은 유효 결상 광속(ILP)으로서 광축(AX)을 따라 1/4 파장판(52)에 입사하여 P 편광이 되어, PBS(51)를 투과하여 투영 광학계(PLA)에 입사해서, 웨이퍼(W)를 노광한다. 한편, 반사면이 경사한 제 2 각도(구동 전력이 온 상태)로 설정된 미러 요소(5N)로부터의 반사광(ILN)은 웨이퍼(W) 상에서의 결상에는 기여하지 않는다[예컨대, 투영 광학계(PL)에는 입사하지 않는다]. 이 외의 구성은 제 1 실시형태와 같다.
본 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태의 작용 효과에 추가하여 다음의 작용 효과가 있다.
(1) 도 9의 노광 장치(100B)에 의하면, 양측 텔레센트릭인 투영 광학계(PLA)를 사용할 수 있는 동시에, 공간 광 변조기(25)의 설치면[또는 미러 요소(5)의 설치면]과 웨이퍼(W)의 노광면을 거의 평행하게 배치할 수 있으므로, 노광 장치의 설계, 제조가 용이하다.
(2) 또한, 도 7의 스텝(107)에 대응하는 공정[웨이퍼(W)에 조명광(IL)을 조사하는 공정]에 있어서, 도 9의 조명 광학계(ILS) 내의 공간 광 변조기(13)의 복수의 미러 요소(3)(도 1 참조)로부터의 조명광(IL)(펄스광)을 공간 광 변조기(25)의 복수의 미러 요소(5)에 대략 수직으로(구동 전력이 오프 상태로의 반사면에 대해서 대략 수직으로) 입사시키고 있다. 따라서, 광학계의 조정이 용이하다.
(3) 또한, 조명 광학계(ILS) 내의 공간 광 변조기(13)와 공간 광 변조기(25) 사이에 배치되어, 그 조명광(IL)을 공간 광 변조기(25)에 대략 수직으로 입사시키기 위한 PBS(51)(제 1 광학 부재)를 더 구비하고 있다. 따라서, 간단한 구성으로 공간 광 변조기(25)에 대략 수직으로 조명광(IL)을 입사시킬 수 있으며, 광학계의 조정이 용이함과 동시에, 양측 텔레센트릭의 투영 광학계를 사용할 수 있다. 또한, PBS(51) 외에 1/4 파장판(52)을 마련하고 있으므로, PBS(51)에서의 광량 손실이 없고, 조명광(IL)의 이용 효율이 높다.
또한, 조명광(IL)의 이용 효율은 저하하지만, 1/4 파장판(52)을 생략 하여, PBS(51) 대신에 통상의 빔 스플리터를 이용하는 것도 가능하다. 또한, 본 발명은, 예컨대 국제 공개 제 99/49504 호 팜플렛, 국제 공개 제 2004/019128 호 팜플렛 등에 개시되는 액침형의 노광 장치, 또는 투영 광학계를 이용하지 않는 프록시미티 방식의 노광 장치 등에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 반도체 디바이스의 제조 프로세스로의 적용에 한정되지 않고, 예컨대, 액정 표시 소자, 플라스마 디스플레이 등의 제조 프로세스나, 촬상 소자(CMOS형, CCD 등), 마이크로 머신, MEMS(Microelectromechanical Systems : 미소 전기 기계 시스템), 박막 자기 헤드, 및 DNA 칩 등의 각종 디바이스(전자 디바이스)의 제조 프로세스에도 넓게 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 노광 장치는, 복수의 렌즈로 구성되는 조명 광학계, 투영 광학계를 노광 장치 본체에 조립 광학 조정을 하고, 다수의 기계 부품으로 이루어지는 레티클 스테이지나 기판 스테이지를 노광 장치 본체에 부착하여 배선이나 배관을 접속하고, 추가로 종합 조정(전기 조정, 동작 확인 등)을 하는 것으로써 제조할 수 있다. 또한, 그 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸으로 실행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 구성을 취할 수 있다. 또한, 명세서, 특허청구의 범위, 도면, 및 요약을 포함하는 2007년 11월 6일부로 제출한 일본 특허 출원 제 2007-289090 호의 모든 개시 내용은 전부 그대로 인용하여 본원에 포함되어 있다.
ILS : 조명 광학계 PL, PLA : 투영 광학계
W : 웨이퍼 3, 5 : 미러 요소
10 : 광원 13, 25 : 공간 광 변조기
15 : 플라이아이 렌즈 30 : 주 제어계
31, 45 : 변조 제어부 51 : 편광 빔 스플리터(PBS)
52 : 1/4 파장판 100, 100A, 100B : 노광 장치

Claims (61)

  1. 복수의 펄스광으로 물체를 노광하는 노광 방법에 있어서,
    상기 펄스광에 의해 조명되는 제 1 광학 디바이스로부터의 광을 제 2 광학 디바이스로 도광하고, 상기 제 2 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 물체를 노광하는 동시에, 복수의 제 2 광학 요소를 포함하는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 제 1 공정과;
    상기 제 1 광학 디바이스와 상기 제 2 광학 디바이스 사이의 소정면 상에 있어서의 상기 펄스광의 강도 분포를 제어하기 위해서, 복수의 제 1 광학 요소를 포함하는 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 제 2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정은 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴에 따라 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펄스광이 소정 펄스수 발광될 때마다, 상기 제 1 공정에 있어서의 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태와, 상기 제 2 공정에 있어서의 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 각각 전환하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공정은 상기 펄스광이 소정 펄스수 발광될 때마다, 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제 1 상태 또는 제 2 상태로 전환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 펄스광이 소정 펄스수 발광될 때마다 상기 제 1 상태에 대응하여 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제 3 상태로 전환하는 공정과, 상기 펄스광이 소정 펄스수 발광될 때마다 상기 제 2 상태에 대응하여 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제 4 상태로 전환하는 공정 중, 적어도 1개의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 펄스광 중, 제 1 펄스광에 의해 조명되는 상기 제 1 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 제 2 광학 디바이스를 조명하고, 상기 제 2 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 물체를 노광하는 공정과,
    상기 제 1 펄스광을 이용하는 경우에 대해서, 상기 제 1 및 제 2 광학 디바이스의 각각의 변환 상태의 적어도 한쪽을 전환하여, 상기 복수의 펄스광 중, 제 2 펄스광에 의해 조명되는 상기 제 1 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 제 2 광학 디바이스를 조명하고, 상기 제 2 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 물체를 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정면은 조명 동공면 또는 상기 조명 동공면과 공역인 면인 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스에 대해서 상기 물체를 소정 방향으로 주사하면서 상기 물체를 노광하는 공정을 포함하며,
    상기 제 1 공정은 상기 물체의 상기 소정 방향으로의 주사에 따라 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스에 대해서 상기 물체를 스텝 이동하여, 상기 물체를 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공정은 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향에 따라 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향에 따라 상기 제 2 광학 디바이스로 입사시키는 상기 펄스광의 입사 각도 및 입사 방향을 상기 제 1 광학 디바이스에 의해 제어하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 디바이스는, 상기 소정면 상에 있어서의 상기 펄스광의 강도 분포를 변경함으로써, 상기 제 2 광학 디바이스로 입사시키는 상기 펄스광의 입사 각도 및 입사 방향을 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 반사 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 공정은, 상기 복수의 제 2 광학 요소의 각 반사면의 상태를 상기 반사면으로부터의 반사광이 상기 물체에 입사하는 상태와 상기 반사광이 상기 물체에 입사하지 않는 상태 중 어느 하나로 설정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은, 상기 복수의 제 1 광학 요소의 각 반사면의 상태를 적어도 일축의 주위의 상기 반사면의 경사각이 가변 범위 내의 어느 하나의 각도가 되도록 설정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  18. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 투과 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  19. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 위상 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 디바이스로부터의 광을 상기 제 2 광학 디바이스에 대략 수직으로 입사시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정면을 통과하는 광을 중첩하여 상기 제 2 광학 디바이스에 조사시키는 옵티컬 인티그레이터를 이용하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 펄스광은 고체 레이저 광원으로부터 발광되는 펄스광인 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  23. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스로부터의 광을 상기 물체 상에 투영하는 투영 광학계를 이용하는 것을 특징으로 하는
    노광 방법.
  24. 복수의 펄스광으로 피조사면을 조명하고, 상기 피조사면을 거친 상기 복수의 펄스광으로 물체를 노광하는 노광 장치에 있어서,
    상기 피조사면보다 상류에 배치되고, 복수의 제 1 광학 요소를 포함하는 제 1 광학 디바이스를 갖는 조명 광학계와;
    상기 피조사면 또는 그 근방에 배치되고, 복수의 제 2 광학 요소를 포함하는 제 2 광학 디바이스와;
    상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태 또는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 조명 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  26. 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 제 1 광학 디바이스와 상기 제 2 광학 디바이스 사이의 소정면 상에 있어서의 상기 펄스광의 강도 분포를 제어하기 위해서, 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  27. 제 24 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  28. 제 24 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  29. 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 펄스광이 소정 펄스수 발광될 때마다, 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태 및 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 각각 전환하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  30. 제 26 항에 있어서,
    상기 소정면은 상기 조명 광학계의 조명 동공면 또는 상기 조명 동공면과 공역인 면인 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  31. 제 24 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스에 대해서 상기 물체를 소정 방향으로 주사하는 스테이지 장치를 구비하며,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 스테이지 장치에 의한 상기 물체의 상기 소정 방향으로의 주사에 따라, 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  32. 제 24 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스에 대해서 상기 물체를 교차하는 2 방향으로 스텝 이동하는 스테이지 장치를 구비하며,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 스테이지 장치에 의해 상기 물체가 스텝 이동할 때마다, 상기 제 2 광학 디바이스로부터 상기 물체로 향하는 광으로 상기 물체를 노광하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  33. 제 24 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향에 따라, 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태 또는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  34. 제 24 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 물체 상에 형성해야 할 패턴의 피치 및 방향에 따라, 상기 제 2 광학 디바이스로 입사시키는 상기 펄스광의 입사 각도 및 입사 방향을 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  35. 제 26 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 제어 장치는, 상기 제 1 광학 디바이스에 의해 상기 소정면 상에 있어서의 상기 펄스광의 강도 분포를 변경함으로써, 상기 제 2 광학 디바이스로 입사시키는 상기 펄스광의 입사 각도 및 입사 방향을 제어하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  36. 제 24 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 반사 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스는, 상기 복수의 제 2 광학 요소의 각 반사면의 상태를 상기 반사면으로부터의 반사광이 상기 물체에 입사하는 상태와 상기 반사광이 상기 물체에 입사하지 않는 상태 중 어느 하나로 설정하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  38. 제 36 항 또는 제 37 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 디바이스는, 상기 복수의 제 2 광학 요소의 각 반사면의 상태를 적어도 일축의 주위의 상기 반사면의 경사각이 가변 범위 내의 어느 하나의 각도가 되도록 설정하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  39. 제 24 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 투과 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  40. 제 24 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 한쪽의 광학 요소는 위상 요소인 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  41. 제 24 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스에 있어서의 상기 복수의 제 2 광학 요소를 갖는 면과 상기 물체가 배치되는 면은 서로 대략 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  42. 제 24 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스와 상기 제 1 광학 디바이스 사이에 배치되고, 상기 펄스광을 상기 제 2 광학 디바이스의 상기 복수의 제 2 광학 요소에 대해서 대략 수직으로 입사시키기 위한 제 1 광학 부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 부재는 편광 빔 스플리터인 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  44. 제 24 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 광학계는 상기 펄스광으로 조명된 상기 제 1 광학 디바이스로부터의 광으로 상기 제 2 광학 디바이스를 균일하게 조명하기 위한 옵티컬 인티그레이터를 더 갖는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  45. 제 24 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 펄스광을 공급하는 광원부를 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  46. 제 24 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 펄스광을 공급하는 고체 레이저 광원을 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  47. 제 24 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스로부터의 광을 상기 물체 상에 투영하는 투영 광학계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  48. 디바이스 제조 방법에 있어서,
    제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 물체를 노광하는 공정과,
    상기 노광된 물체를 처리하는 공정을 포함하는
    디바이스 제조 방법.
  49. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에 있어서, 제 24 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 이용하는
    디바이스 제조 방법.
  50. 제 1 광학 디바이스의 변환 상태와 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 제어 장치에 있어서,
    광원으로부터 사출되는 복수의 펄스광마다, 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태 또는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 주 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  51. 제 50 항에 있어서,
    상기 제 2 광학 디바이스의 제 2 구동부를 제어하는 제 2 변조 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  52. 제 51 항에 있어서,
    상기 주 제어부는 전사용의 패턴의 정보를 상기 제 2 변조 제어부로 출력하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  53. 제 52 항에 있어서,
    상기 제 2 변조 제어부는 상기 전사용의 패턴의 정보에 기초하여 상기 제 2 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  54. 제 50 항 내지 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 광학 디바이스의 제 1 구동부를 제어하는 제 1 변조 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  55. 제 54 항에 있어서,
    상기 주 제어부는 상기 전사용의 패턴의 정보에 따른 조명 조건의 정보를 상기 제 1 변조 제어부로 출력하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  56. 제 55 항에 있어서,
    상기 제 1 변조 제어부는 상기 조명 조건의 정보에 기초하여 상기 제 1 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  57. 제 50 항 내지 제 56 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주 제어부는 전사용의 패턴의 정보에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  58. 제 50 항 내지 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주 제어부는 상기 제 2 광학 디바이스의 변환 상태에 따라 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  59. 제 50 항 내지 제 58 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주 제어부는 소정면 상에 있어서의 상기 펄스광의 강도 분포를 제어하기 위해서 상기 제 1 광학 디바이스의 변환 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는
    제어 장치.
  60. 제 1 면에 형성되는 패턴을 제 2 면 상에 노광하는 노광 장치에 있어서,
    제 50 항 내지 제 59 항 중 어느 한 항에 기재된 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는
    노광 장치.
  61. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 공정에 있어서 제 60 항에 기재된 노광 장치를 이용하는
    디바이스 제조 방법.
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