JP6137485B2 - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明によれば、露光光で物体を露光する露光装置において、その露光光の光路中に配置される複数の光学要素を有する空間光変調器と、その空間光変調器のその複数の光学要素を駆動して第1の状態または第2の状態にする制御部と、を備え、その空間光変調器のその複数の光学要素は、第1方向に第1ピッチで配置され且つその第1方向と交差する第2方向に第2ピッチで配置され、その制御部は、その複数の光学要素のうち、その第1方向に延びた第1領域内の光学要素をその第1の状態に設定し、その第1領域のその第2方向側に位置する第2領域内の光学要素をその第1の状態と異なる第2の状態に設定し、且つその複数の光学要素のうち、その第1領域とその第第2領域との間の第3領域内の光学要素の一部をその第1の状態に設定すると共に、その第3領域内のその複数の光学要素の他部をその第2の状態に設定し、その複数の光学要素を介した露光光のうち、その第1の状態の光学要素からの露光光とその第2の状態の光学要素からの露光光とは位相差を有する露光装置が提供される。
また、本発明の第1の態様によれば、それぞれ光を投影光学系に導くことが可能な複数の光学要素のアレイを有する第1の空間光変調器の駆動方法が提供される。この駆動方法は、第1方向に隣接して配置されるとともにそれぞれその第1方向に交差する第2方向に伸びた第1領域及び第2領域のうち、その第1領域内でその第2方向にその投影光学系で解像されない第1のピッチで配列されたその複数の光学要素を第1の状態に設定し、その第1領域内の他の光学要素をその第1の状態と異なる第2の状態に設定し、その第2領域内でその第2方向にその投影光学系で解像されない第2のピッチで配列されたその複数の光学要素をその第2の状態に設定し、その第2領域内の他の光学要素をその第1の状態に設定するものである。
図1は、本実施形態に係るマスクレス方式の露光装置EXの概略構成を示す。図1において、露光装置EXは、パルス発光を行う露光用の光源2と、光源2からの露光用の照明光(露光光)ILで被照射面を照明する照明光学系ILSと、ほぼその被照射面又はその近傍の面上に二次元のアレイ状に配列されたそれぞれ高さが可変の微小ミラーである多数のミラー要素30を備えた空間光変調器28と、空間光変調器28を駆動する変調制御部48とを備えている。さらに、露光装置EXは、多数のミラー要素30によって生成された反射型の可変の凹凸パターン(可変の位相分布を持つマスクパターン)で反射された照明光ILを受光して、その凹凸パターン(位相分布)に対応して形成される空間像(デバイスパターン)をウエハW(基板)の表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系40と、各種制御系等とを備えている。
光源2から射出された断面形状が矩形でほぼ平行光束のパルスレーザ光よりなる照明光ILは、1対のレンズよりなるビームエキスパンダ4、照明光ILの偏光状態を制御する偏光制御光学系6及びミラー8Aを介して、Y軸に平行に、複数の回折光学素子(diffractive optical element)10A,10B等から選択された回折光学素子(図1では回折光学素子10A)に入射する。偏光制御光学系6は、例えば照明光ILの偏光方向を回転する1/2波長板、照明光ILを円偏光に変換するための1/4波長板、及び照明光ILをランダム偏光(非偏光)に変換するための楔型の複屈折性プリズム等を照明光ILの光路に交換可能に設置可能な光学系である。
図2(B)において、ベース部材32は、例えばシリコンよりなる平板状の基材32Aと、基材32Aの表面に形成された窒化ケイ素(例えばSi3N4)等の絶縁層32Bとから構成されている。また、ベース部材32の表面にX方向、Y方向に所定ピッチで支持部34が形成され、隣接するY方向の支持部34の間に、弾性変形によってZ方向に可撓性を持つ1対の2段のヒンジ部35を介して、ミラー要素30の裏面側の凸部が支持されている。支持部34、ヒンジ部35、及びミラー要素30は例えばポリシリコンから一体的に形成されている。ミラー要素30の反射面(表面)には、反射率を高めるために金属(例えばアルミニウム等)の薄膜よりなる反射膜31が形成されている。
なお、以下では、単位のない位相はradを意味する。また、位置P(i,j)のミラー要素30の反射面が基準平面A1に合致しているときの点線で示す反射光B1の波面の位相の変化量と、その反射面が間隔d1の平面A2に合致しているときの反射光B2の波面の位相の変化量との差分が第2の位相δ2である。一例として、入射角αをほぼ0°として、ミラー要素30の反射面に入射する照明光IL1の波長をλ(ここではλ=193nm)とすると、間隔d1はほぼ次のようになる。
図2(A)において、空間光変調器28の各ミラー要素30はそれぞれ入射する照明光ILの位相を0°変化させて反射する第1の状態、又は入射する照明光ILの位相を180°変化させて反射する第2の状態に制御される。以下では、その第1の状態に設定されたミラー要素30を位相0のミラー要素、その第2の状態に設定されたミラー要素30を位相πのミラー要素とも呼ぶこととする。
図1において、空間光変調器28の照明領域26A内の多数のミラー要素30のアレイで反射された照明光ILは、平均的な入射角αで投影光学系PLに入射する。不図示のコラムに支持された光軸AXWを持つ投影光学系PLは、空間光変調器28(物体面)側に非テレセントリックであり、ウエハW(像面)側にテレセントリックの縮小投影光学系である。投影光学系PLは、空間光変調器28によって設定される照明光ILの位相分布に応じた空間像の縮小像を、ウエハWの1つのショット領域内の露光領域26B(照明領域26Aと光学的に共役な領域)に形成する。投影光学系PLの投影倍率βは例えば1/10〜1/100程度である。投影光学系PLの像面側の開口数をNA、照明光ILの波長をλとして、照明条件を通常照明とすると、投影光学系PLの解像度Re(周期的パターンのピッチ又は線幅の2倍で表した解像限界)は、次のようになる。
一例として、解像度Reは、空間光変調器28のミラー要素30の像の幅(β・py)の1倍〜数倍程度である。例えば、ミラー要素30の大きさ(配列のピッチ)が数μm程度、投影光学系PLの投影倍率βが1/100程度であれば、解像度Reは数10nm〜その数倍程度である。ウエハW(基板)は、例えばシリコン又はSOI(silicon on insulator)等の円形の平板状の基材の表面に、フォトレジスト(感光材料)を数10nm〜200nm程度の厚さで塗布したものを含む。
また、露光装置EXが液浸型である場合には、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書に開示されているように、投影光学系PLの先端の光学部材とウエハWとの間に照明光ILを透過する液体(例えば純水)を供給して回収する局所液浸装置が設けられる。液浸型の場合には開口数NAを1より大きくできるため、解像度をさらに高めることができる。
P1=N1・px …(4A), P2=N2・px …(4B)
ここで、投影光学系PLの投影倍率βを用いると、ピッチP1の位相パターンの像のピッチは、β・P1となる。また、ピッチP1,P2は投影光学系PLで解像されないように設定されているため、その位相パターンからの±1次回折光が投影光学系PLを通過しない条件を求めればよい。式(3)の投影光学系PLの解像度Re及び式(4A)、(4B)を用いると、ピッチP1,P2の位相パターンが投影光学系PLで解像されない条件、つまりピッチP1,P2の位相パターンが投影光学系PLの解像限界を超える条件は次のようになる。
β・P2=β・N2・px<λ/NA …(5B)
これらの条件から整数N1,N2の条件は次のようになる。ただし、β・px(ミラー要素30の像の幅)をDとおいている。
N1<λ/(NA・D) …(6A), N2<λ/(NA・D) …(6B)
一例として、λ=193nm、NA=1.35(液浸法の適用時)、D=β・px=20(nm)とすると、式(6A)及び(6B)の右辺はほぼ7.15となるため、ピッチP1,P2の位相パターンが投影光学系PLで解像されない条件は、次のように整数N1,N2が7以下であればよい。
また、図4(B)において、第1境界領域38A内でピッチP1内の位相0のミラー要素30Aの個数をn1(n1はN1より小さい整数)、第2境界領域38B内でピッチP2内の位相πのミラー要素30Dの個数をn2(n2はN2より小さい整数)とすると、境界線BRに対してΔyだけシフトした境界線BR1を持つ位相分布と等価な位相パターンMP1Aを形成する条件は、境界領域38A,38BのY方向の幅(ここではミラー要素30のY方向の幅と同じ)pyを用いて次のようになる。
また、シフト量Δyに対応する図4(D)の強度分布60Aが最小となる位置(境界線BR1と共役な像C3R)の位置Y1からのシフト量δ1は、投影倍率βを用いて次のようになる。ただし、β・py(ミラー要素30の像のY方向の幅)をDとおいている。
δ1={−(n1/N1)+(n2/N2)}D …(8B)
本実施形態では、ピッチP1,P2を規定する整数N1,N2が式(6A)及び(6B)を満たす範囲内で、整数N1,N2及び整数n1,n2の値の少なくとも一つを変更することによって、位相パターンMP1Aと等価な位相分布における境界線BR1のシフト量Δy、ひいては境界線BR1と共役な像のシフト量δ1を調整する。また、光学的近接効果による誤差であるOPE(Optical Proximity Error )等を考慮しないものとすると、2つの境界領域38A,38Bを用いる場合には、原則としてピッチP1とピッチP2とは異なっている。すなわち、ピッチP1,P2が互いに等しいときには、位相0のミラー要素30Aと位相πのミラー要素30Dとの一方が相殺によって省略されるため、境界領域38A,38Bのうちの一方が省略される。
δ1=(−1/5+1/4)20=1(nm) …(9A)
また、本実施形態では、図4(B)の位相パターンMP1Aと等価な位相分布の−Y方向の境界線BL1は、元の境界線BLに対して第1パターン領域37C側を正の符号としてΔyだけ移動している。このため、位相パターンMP1Aにおいて、第2パターン領域37Dに対して+Y方向に隣接して配置された1列のミラー要素30よりなる第3境界領域39Aの位相分布が第1境界領域38Aの位相分布を反転した分布となり、第3境界領域39Aに対して+Y方向に隣接して配置された(第1パターン領域37Cに対して−Y方向に隣接して配置された)1列のミラー要素30よりなる第4境界領域39Bの位相分布が第2境界領域38Bの位相分布を反転した分布となっている。境界領域39A,39Bの境界が位相パターンをシフトさせる前の境界線BLである。
また、図5(B)の位相パターンMP1Cは、第1パターン領域37Cの+Y方向の第1境界領域38Eで、X方向にピッチ4pxでそれぞれ幅pxで配列された複数のミラー要素30Aを位相0に設定し、他のミラー要素30Bを位相πに設定し、それに隣接する第2境界領域38Fにおいて、X方向にピッチ5pxでそれぞれ幅2pxで配列された複数のミラー要素30Dを位相πに設定し、他のミラー要素30Cを位相0に設定したものである。さらに、第2パターン領域37Dに+Y方向に順次隣接する第3境界領域39E及び第4境界領域39Fの位相分布は、それぞれ境界領域38E及び38Fの分布を反転した分布である。この位相分布は、図4(B)でN1=4,n1=1,N2=5,n2=2とした分布に相当するため、式(8B)からシフト量δ1は3nmとなる。
本実施形態の効果等は以下の通りである。
なお、ステップ116とステップ118とは、実質的に同時に実行することも可能である。また、ステップ118をステップ116よりも先に実行することも可能である。さらに、ミラー要素30のアレイのY軸に平行な境界線(ミラー要素30の間の領域)に対して、実質的にX方向にミラー要素30の幅よりも微細な量だけシフトした境界線で位相0の領域と位相πの領域とが分かれている位相分布と等価な位相分布を設定する場合にも本実施形態が適用できる。この場合には、ミラー要素30のアレイ中で、X方向に隣接する2つの境界領域内で、投影光学系PLに解像されないピッチで配列された複数のミラー要素30の位相を0又はπに設定すればよい。
なお、空間光変調器28の各ミラー要素30は、位相0の状態(第1の状態)及び位相πの状態(第2の状態)以外の第3の状態(位相をπ/2変化させる状態等)等を含む複数の状態に設定可能としてもよい。
上記の実施形態の空間光変調器28のミラー要素30のアレイにおいて、図4(B)に示すように、境界領域38A及び/又は38B内の位相0又はπのミラー要素30A,30DのピッチP1,P2を規定する整数N1,N2及び1ピッチ内のミラー要素30A,30Dの個数を規定する整数n1,n2を調整することで、境界領域38A,38Bの境界線BRに対してY方向にΔyだけシフトした境界線BR1の−Y方向で位相がπで+Y方向で位相が0となる位相分布と等価な位相分布を生成できる。この際に、例えば光学的近接効果による誤差であるOPE(Optical Proximity Error )等を考慮して、図4(B)の位相パターンMP1Aからの照明光ILによって投影光学系PLを介して像面に形成される強度分布をシミュレーションによって求め、その強度分布の図4(D)の基準となる強度分布C1からのシフト量(実際のシフト量)を求めると、この実際のシフト量が、図9(A)に示すように、整数N1,N2及びn1,n2の値を式(8B)に代入して計算される値(ターゲットシフト量)に対してある誤差を持つことが分かった。図9(A)において、点線の直線C4Tは、ターゲットシフト量(nm)と同じ縦軸の値を示し、実線の折れ線C4Rは、ターゲットシフト量に対する実際のシフト量(nm)を現している。従って、直線C4Tに対する折れ線C4Rの差分がシフト量の誤差er1となる。誤差er1は、特にターゲットシフト量が9nmのときに1.6nmで最大になっている。
また、複数のミラー要素の傾斜角と照明光ILの位相との両方を変化させる空間光変調器を用いても良い。この場合、複数のミラー要素は、複数のミラー要素が配列されている面の法線方向に平行移動すると共に、複数のミラー要素の反射面の当該法線に対する傾斜角が変更されるように傾斜する。
なお、照明光ILの利用効率が1/2に低下してもよい場合には、偏光ビームスプリッタ51の代わりに通常のビームスプリッタを使用し、1/4波長板52を省略してもよい。この場合には、偏光照明が使用できる。
また、電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図14に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクのパターンデータを上記の実施形態の露光装置EX,EXAの主制御系に記憶するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した露光装置EX,EXA(又は露光方法)により空間光変調器28で生成される位相分布(又は空間光変調器54で生成される強度分布)の空間像を基板(感応基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子(CMOS型、CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイス(電子デバイス)の製造プロセスにも広く適用できる。
また、本願に記載した上記公報、各国際公開パンフレット、米国特許、又は米国特許出願公開明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む2012年1月18日付け提出の日本国特許出願第2012−007727号の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
Claims (22)
- 第1方向に第1ピッチで配置され且つ前記第1方向と交差する第2方向に第2ピッチで配置された複数の光学要素を介した露光光を用いて物体を露光する露光方法であって、
前記複数の光学要素のうち、第1方向に延びた第1領域内の光学要素を第1の状態に設定することと、
前記複数の光学要素のうち、前記第1領域の前記第2方向側に位置する第2領域内の光学要素を前記第1の状態と異なる第2の状態に設定することと、
前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域内の複数の光学要素の一部を前記第1の状態に設定する共に、前記第3領域内の前記複数の光学要素の他部を第2の状態に設定することと、
前記第1乃至第3領域内の複数の光学要素からの露光光で前記物体を露光することと
を含み、
前記第1の状態の光学要素からの露光光と前記第2の光学要素からの露光光とは位相差を有する露光方法。 - 前記第2方向と対応する方向に周期性を持つラインアンドスペースパターンを露光する、請求項1に記載の露光方法。
- 前記露光することは、投影光学系を介した前記複数の光学要素からの露光光を前記物体に照射することを含む、請求項2に記載の露光方法。
- 前記ラインアンドスペースパターンは、前記第2ピッチに前記投影光学系の倍率を乗じた値とは異なるピッチを有する、請求項3に記載の露光方法。
- 前記複数の光学要素のうち少なくとも1つは、前記投影光学系によって解像されない大きさである、請求項3又は4に記載の露光方法。
- 前記複数の光学要素のうち、前記第2領域に関して前記第3領域と反対側の第4領域内の光学要素を前記第1状態に設定することを含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第2領域と前記第4領域との間の前記複数の光学要素のうちの一部を前記第1の状態に設定すると共に、前記第2領域と前記第4領域との間の前記複数の光学要素のうちの他部を第2の状態に設定することをさらに含む、請求項6に記載の露光方法。
- 前記第2領域は前記第1方向に延びた形状である、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第2領域には、前記第2方向に沿って配置された複数の前記光学要素が位置する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第3領域における前記一部の前記光学要素は、前記第2方向において所定の周期で配置され、
前記一部の光学要素の前記周期は、前記投影光学系によって前記一部の光学要素が解像されないように設定される請求項1乃至9のいずれか一項に記載の露光方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。 - 露光光で物体を露光する露光装置において、
前記露光光の光路中に配置される複数の光学要素を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器の前記複数の光学要素を駆動して第1の状態または第2の状態にする制御部と、を備え、
前記空間光変調器の前記複数の光学要素は、第1方向に第1ピッチで配置され且つ前記第1方向と交差する第2方向に第2ピッチで配置され、
前記制御部は、
前記複数の光学要素のうち、前記第1方向に延びた第1領域内の光学要素を前記第1の状態に設定し、前記第1領域の前記第2方向側に位置する第2領域内の光学要素を前記第1の状態と異なる第2の状態に設定し、且つ前記複数の光学要素のうち、前記第1領域と前記第第2領域との間の第3領域内の光学要素の一部を前記第1の状態に設定すると共に、前記第3領域内の前記複数の光学要素の他部を前記第2の状態に設定し、
前記複数の光学要素を介した露光光のうち、前記第1の状態の光学要素からの露光光と前記第2の状態の光学要素からの露光光とは位相差を有する露光装置。 - 前記複数の光学要素からの露光光で前記第2方向と対応する方向に周期性を持つラインアンドスペースパターンを露光する、請求項12に記載の露光装置。
- 前記複数の光学要素からの露光光を前記物体に投影する投影光学系を備える、請求項13に記載の露光装置。
- 前記ラインアンドスペースパターンは、前記第2ピッチに前記投影光学系の倍率を乗じた値とは異なるピッチを有する、請求項14に記載の露光装置。
- 前記複数の光学要素のうち少なくとも1つは、前記投影光学系によって解像されない大きさである、請求項14又は15に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記複数の光学要素のうち、前記第2領域に関して前記第3領域と反対側の第4領域内の前記光学要素を前記第1状態に設定する、請求項12乃至16のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第2領域と前記第4領域との間の前記複数の光学要素のうちの一部を前記第1の状態に設定すると共に、前記第2領域と前記第4領域との間の前記複数の光学要素の内の他部を前記第2の状態に設定する、請求項17に記載の露光装置。
- 前記第2領域は前記第1方向に延びた形状である、請求項12乃至18のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2領域には、前記第2方向に沿って配置された複数の前記光学要素が位置する、請求項12乃至19のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第3領域における前記一部の前記光学要素は、前記第2方向において所定の周期で配置され、
前記一部の光学要素の前記周期は、前記投影光学系によって前記一部の光学要素が解像されないように設定される請求項12乃至20のいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項12乃至21のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI557432B (zh) | 2011-06-13 | 2016-11-11 | 尼康股份有限公司 | 照明方法、曝光方法、元件製造方法、照明光學系統、以及曝光裝置 |
WO2014104001A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社ニコン | 空間光変調器及びその駆動方法、並びに露光方法及び装置 |
CN105763332B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-02-22 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种基于多点函数拟合的波前反馈控制的方法 |
KR20180092738A (ko) * | 2017-02-10 | 2018-08-20 | 한국전자통신연구원 | 디지털 마이크로 미러 소자를 이용한 거리 정보 획득 장치 및 방법 |
WO2018168923A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム |
WO2019064502A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
KR20220122705A (ko) | 2020-01-10 | 2022-09-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI836287B (zh) * | 2021-11-04 | 2024-03-21 | 邱俊榮 | 曝光裝置與曝光方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
US6312134B1 (en) * | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
US6271957B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-08-07 | Affymetrix, Inc. | Methods involving direct write optical lithography |
US6493867B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-12-10 | Ball Semiconductor, Inc. | Digital photolithography system for making smooth diagonal components |
US6537738B1 (en) | 2000-08-08 | 2003-03-25 | Ball Semiconductor, Inc. | System and method for making smooth diagonal components with a digital photolithography system |
US6473237B2 (en) | 2000-11-14 | 2002-10-29 | Ball Semiconductor, Inc. | Point array maskless lithography |
US6606739B2 (en) | 2000-11-14 | 2003-08-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Scaling method for a digital photolithography system |
SE0100336L (sv) | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
US7302111B2 (en) * | 2001-09-12 | 2007-11-27 | Micronic Laser Systems A.B. | Graphics engine for high precision lithography |
JP3881865B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-02-14 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法 |
SE0104238D0 (sv) * | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for patterning a workpiece |
EP1947513B1 (en) | 2002-08-24 | 2016-03-16 | Chime Ball Technology Co., Ltd. | Continuous direct-write optical lithography |
KR101098070B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2011-12-26 | 마이크로닉 마이데이터 아베 | 고정밀도 패턴 인쇄 방법 |
US7064880B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projector and projection method |
JP2005123586A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投影装置および投影方法 |
US7016014B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6963434B1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-08 | Asml Holding N.V. | System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2006128194A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7209216B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography |
JP2007094116A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | フレームデータ作成装置、方法及び描画装置 |
US7440078B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
TWI432908B (zh) * | 2006-03-10 | 2014-04-01 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統及投射方法 |
KR20090026116A (ko) * | 2006-06-09 | 2009-03-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8189172B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2009071116A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ricoh Co Ltd | マスクレス露光装置及びマスクレス露光装置の露光方法 |
KR101708943B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2017-02-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 제어 장치, 노광 방법 및 노광 장치 |
JP2010182934A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
WO2012043497A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の駆動方法、露光用パターンの生成方法、並びに露光方法及び装置 |
US8767270B2 (en) * | 2011-08-24 | 2014-07-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Single-pass imaging apparatus with image data scrolling for improved resolution contrast and exposure extent |
WO2013108560A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の駆動方法、露光用パターンの生成方法、並びに露光方法及び装置 |
US20150227075A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Nikon Corporation | Method for improved cd control on 2-phase digital scanner with no loss to image fidelity |
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Cited By (2)
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