KR20100101452A - 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법을 개시한 것으로서, 상하 케이스의 가장자리부에 위치한 용착부들 사이의 용착 면적 증대, 그리고 이와 동일한 용착 구조를 이용한 내부 용착 벽들의 접합 및 강도 보강용 리브들의 접합을 통해, 굽힘 강도(Bending Strength)나 비틀림 강도(Torsional Strength) 등과 같은 케이스의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.
메모리 카드, 케이스, 기계 강도, 용착, 용착 돌기, 용착 홈

Description

반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저장 매체로 사용되는, 메모리 소자가 내장된 메모리 카드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
에스.디.(SD) 카드 등과 같은 메모리 카드는, 그 내부의 반도체 메모리 소자(예, 플래시 메모리)에 대용량의 영상이나 음성 및 그 밖의 정보를 저장하는 기억 장치의 하나이다. 메모리 카드는 메모리 소자에 형성된 불휘발성 메모리에 대하여 정보를 직접적이고, 또한 전기적으로 액세스하므로, 종래의 기억 장치들과는 달리 기계 시스템을 필요로 하지 않아 기록 및 판독 시간이 빠르다. 또한, 메모리 카드는 형상이 비교적 소형으로 가벼워 휴대성이 우수하기 때문에, 주로 휴대형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 또는 디지털 카메라 등과 같은 운반 가능성이 요구되는 디지털 기기의 보조 기억 장치로서 사용되고 있다.
본 발명은 기계적 강도 및 내구성이 향상된 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치의 제조 방법은, 한 쌍의 상부 및 하부 케이스 중 어느 하나의 케이스에는 둘레의 가장자리 영역을 따라 용착 홈을 형성하고, 다른 하나의 케이스에는 둘레의 가장자리 영역을 따라 상기 용착 홈과 마주보는 위치에 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 용착 돌기를 형성하고, 상기 상부 및 하부 케이스 사이에 반도체 소자가 실장된 메모리 모듈이 수용되도록 상기 용착 돌기의 끝단을 상기 용착 홈에 삽입한 상태에서, 상기 용착 돌기를 용융시키고, 상기 용착 돌기의 용융물을 상기 용착 홈, 그리고 상기 상부 및 하부 케이스의 상기 가장자리 영역의 용착면들 사이에 충전시키고, 상기 용착 돌기의 용융물을 고화시켜 상기 상부 및 하부 케이스를 접합하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 상부 및 하부 케이스의 가장자리 영역 내측에는 내부 용착 벽들이 서로 마주보도록 돌출 형성되고, 상기 내부 용착 벽들의 대향 면이 용착에 의해 접합되되, 상기 내부 용착 벽들의 대향 면 중 어느 하나에는 상기 용착 홈이 형성되고, 다른 하나에는 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 상기 용착 돌기가 형성 될 수 있다.
상기 내부 용착 벽들은 상기 수납 공간을 상기 메모리 모듈의 수용 공간과 비수용 공간으로 구획하는 분리 벽으로 제공될 수 있다.
상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역에는 강도 보강용 리브가 돌출 형성될 수 있다.
상기 상부 및 하부 케이스에 형성된 리브는 서로 마주보도록 돌출 형성되고, 상기 리브의 대향 면이 용착에 의해 접합되되, 상기 리브의 대향 면 중 일측에는 상기 용착 홈이 형성되고, 타측에는 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 상기 용착 돌기가 형성될 수 있다.
상기 리브는 길이 방향이 수평 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치된 복수 개의 제 1 리브들; 및 상기 제 1 리브들에 수직한 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치된 복수 개의 제 2 리브들을 포함할 수 있다.
상기 리브는 상기 제 1 리브들과 상기 제 2 리브들의 교차 지점들 중 대각선 방향에 위치한 교차 지점들을 연결하는 제 3 리브들을 더 포함할 수 있다.
상기 리브는 상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역을 구획하도록 상기 분리 벽에 수직하게 배치되는 제 1 리브; 상기 제 1 리브의 양측에 그 길이 방향을 따라 인접하게 배치되며, 마름모 형상을 가지는 제 2 리브들; 상기 제 2 리브의 대척점들을 연결하는 제 3 리브들; 및 상기 제 2 리브들의 접점을 통과하며, 수평 방향으로 배치되는 제 4 리브들을 포함할 수 있다.
상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역 중 어느 일측에는 금속 판 형상의 보강 부재가 삽입 설치되고, 상기 리브는 상기 보강 부재를 관통하고 서로 평행을 이루도록 복수 개가 이격 배치될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치는, 용착에 의해 접합된 한 쌍의 상부 및 하부 케이스; 및 상기 상부 및 하부 케이스 내부의 수납 공간에 수용되고, 반도체 소자가 실장된 메모리 모듈을 포함하되, 상기 상부 및 하부 케이스 중 어느 하나의 용착면에는 용착 홈이 형성되고, 상기 상부 및 하부 케이스 사이의 용융/고화된 접합부는 상기 용착 홈, 그리고 상기 상부 및 하부 케이스의 상기 용착면들 사이에 충전되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 메모리 장치 케이스의 용착부의 용착 면적을 증대시켜 용착부의 용착 강도를 향상시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 반도체 메모리 장치 케이스의 기계적 강도와 내구성을 향상시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 반도체 메모리 장치의 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치(1)는, 예를 들면 에스.디.(SD) 카드일 수 있으며, 케이스(10)와 메모리 모듈(20)을 포함한다. 케이스(10)는 한 쌍의 상부 케이스(100)와 하부 케이스(200)를 가진다. 메모리 모듈(20)은 상부 케이스(100)와 하부 케이스(200)의 결합에 의해 형성되는 내부 수납 공간에 수용된다.
상부 케이스(100)와 하부 케이스(200)는 폴리카보네이트(Polycarbonate) 수지나 에이.비.에스(ABS) 수지 등과 같은 플라스틱 재질로 구비될 수 있고, 외측 가장자리부의 용착(용융 및 고화)에 의해 서로 접합될 수 있다. 용착 방법으로는 초음파 용착이나 열 용착 등의 방법이 사용될 수 있다.
상부 및 하부 케이스(100,200) 사이의 용착된 접합부는 외부 정전기가 케이스(10) 내로 진입하는 것을 차단할 수 있고, 케이스(10)의 기계적 강도, 예를 들면 굽힘 강도(Bending Strength)나 비틀림 강도(Torsional Strength) 등에 영향을 줄 수 있다.
케이스(10)에 내장되는 메모리 모듈(20)은 카드 기판(22)과 반도체 소자(24) 를 포함한다. 카드 기판(22)은 유리-에폭시 수지나 비.티.(BT) 수지 등과 같은 플라스틱 재질의 인쇄 회로 기판일 수 있다. 카드 기판(22)의 내부나 상하면에는 배선망이 형성된다. 카드 기판(22)의 하면 일측에는 하부 케이스(200)의 개구부(230)를 통해 노출되도록 외부 접속 단자(미도시)가 제공된다. 카드 기판(22)의 상면에는 플래시 메모리(Flash Memory)나 컨트롤러 등과 같은 반도체 소자(24)가 실장된다. 외부 접속 단자(미도시)와 반도체 소자(24)는 카드 기판(22)의 배선망에 전기적으로 연결된다.
케이스(10)의 측부에는 스위치 노브(30)가 제공된다. 스위치 노브(30)는, 반도체 메모리 장치(10)의 쓰기 방지 및 해제를 위한 것으로, 슬라이딩 방식에 의해 위치가 조절될 수 있다.
도 3은 도 2의 상부 케이스(100)와 하부 케이스(200)의 평면도이다. 그리고 도 4a는 도 3의 A-A' 선에 따른 상부 케이스(100)의 단면도이고, 도 4b는 도 3의 B-B' 선에 따른 하부 케이스(200)의 단면도이다.
도 3, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상부 케이스(100)의 평면 구조는, 개구부(230)를 제외하면, 하부 케이스(200)의 평면 구조의 미러 이미지(Mirror Image)이다. 상부 케이스(100)는 대체로 사각형의 얇은 판 형상을 가지는 제 1 몸체(110)와, 제 1 몸체(110)의 외측 가장자리를 따라가면서 돌출 형성된 제 1 용착부(120)를 포함한다. 제 1 용착부(120)는 제 1 몸체(110)의 외측 가장자리를 따라 연속적으로 돌출 형성될 수 있고, 또한 제 1 몸체(110)의 외측 가장자리의 모서리에서 단 속(斷續, Intermittence)되도록 돌출 형성될 수 있다. 제 1 용착부(120)의 폭은 일정할 수 있으며, 또한 단속(斷續, Intermittence)되는 위치에 따라 다를 수도 있다.
제 1 용착부(120)의 돌출 방향을 향하고 있는 제 1 용착 면(122)에는 용착 돌기(124)가 돌출 형성된다. 용착 돌기(124)의 단면 형상은 삼각형 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 사각형, 사다리꼴 모양 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
하부 케이스(200)는 상부 케이스(100)의 제 1 몸체(110)의 미러 이미지(Mirror Image) 형상을 가지는 제 2 몸체(210)와, 제 2 몸체(210)의 외측 가장자리를 따라가면서 돌출 형성된 제 2 용착부(220)를 포함한다. 제 2 몸체(210)는 얇은 판으로 제공될 수 있고, 제 2 몸체(210)의 일 측에는 메모리 모듈(20)의 외부 접속 단자(미도시)가 노출되도록 개구부(230)가 형성된다.
제 2 용착부(220)는 제 2 몸체(210)의 외측 가장자리를 따라 연속적으로 돌출 형성될 수 있고, 또한 제 2 몸체(210)의 외측 가장자리의 모서리에서 단속(斷續, Intermittence)되도록 돌출 형성될 수 있다. 제 2 용착부(220)의 폭은 일정할 수 있으며, 또한 단속(斷續, Intermittence)되는 위치에 따라 다를 수도 있다.
제 2 용착부(220)의 돌출 방향을 향하고 있는 제 2 용착 면(222)에는 용착 홈(224)이 형성된다. 용착 홈(224)의 단면 형상은 제 1 용착부(120)의 용착 돌기(124)에 대응하는 삼각형 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 용착 돌기(124)와 다른 단면 형상으로 형성될 수도 있다.
상부 케이스(100)의 제 1 용착부(120)에 형성된 용착 돌기(124)는 하부 케이스(200)의 제 2 용착부(220)에 형성된 용착 홈(224)의 체적보다 큰 체적을 가진다. 용착 돌기(124)가 용착 홈(224)보다 큰 체적을 가지면, 용착 돌기(124)의 용착(용융 및 고화)에 의한 제 1 용착부(120)와 제 2 용착부(220)의 접합시, 용착 면적이 증대될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 5 및 도 6을 참조하여 후술하기로 한다.
도 3에는, 용착 돌기(124)가 상부 케이스(100)의 제 1 용착부(120)에 형성되고, 용착 홈(224)이 하부 케이스(200)의 제 2 용착부(220)에 형성된 경우가 예시되어 있으나, 이와 반대로 용착 돌기(124)가 하부 케이스(200)의 제 2 용착부(220)에 형성되고, 용착 홈(224)이 상부 케이스(100)의 제 1 용착부(120)에 형성될 수도 있다.
도 5a와 도 5b는 상부 케이스와 하부 케이스가 용착에 의해 접합되는 과정을 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5b의 "C" 부분의 확대도이다.
도 5a와 도 5b, 그리고 도 6을 참조하여, 상부 케이스(100)의 제 1 용착부(120)와 하부 케이스(200)의 제 2 용착부(220)가 용착(용융 및 고화)에 의해 접합되는 과정을 설명하면 다음과 같다. 용착 방법으로는 초음파 진동 에너지를 이용하는 초음파 용착이 사용될 수 있다.
먼저, 메모리 모듈(미도시)이 상부 케이스(100)와 하부 케이스(200)사이의 수납 공간에 수용되고, 용착 돌기(124)의 끝단이 용착 홈(224)에 삽입되도록 상부 케이스(100)가 하부 케이스(200) 위에 위치한다. 이 상태에서, 상부 케이스(100)를 가압하면서 초음파 진동 에너지를 인가한다.(도 5a)
초음파 진동 에너지에 의해 용착 돌기(124)와 용착 홈(224)의 접촉 부분이 진동하고, 진동 마찰에 의해 용착 돌기(124)가 용융된다. 용착 돌기(124)가 용착 홈(224)보다 큰 체적을 가지므로, 용융된 용착 돌기(124) 중 일부는 용착 홈(224)에 충전되고, 나머지는 제 1 용착부(120)의 제 1 용착 면(122)과 제 2 용착부(220)의 제 2 용착 면(222) 사이에 충전되어, 접합부(J)를 형성한다. 접합부(J)는 고화되고, 고화된 접합부(J)에 의해 상부 케이스(100)의 제 1 용착부(120)와 하부 케이스(200)의 제 2 용착부(220)가 접합된다. 여기서, 용융된 용착 돌기(124)는 청구항에 따라서는 용착 돌기의 용융물이라 한다.
접합부(J)는 제 1 용착부(120)의 제 1 용착 면(122), 그리고 제 2 용착부(220)의 제 2 용착 면(222) 및 용착 홈(224)에 맞닿아 있다. 접합부(J)와 제 2 용착부(220)가 맞닿아 있는 면적은, 용착 홈(224)의 존재로 인해, 접합부(J)와 제 1 용착부(120)가 맞닿아 있는 면적보다 크다.(도 5b 및 도 6)
종래에는, 도 7a에 도시된 바와 같이, 용착 돌기(124')가 용착 면들(122',222') 중 어느 일면(122')에 형성되고, 다른 일면(222')은 평면이다. 따라서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 용착 면들(122',222') 사이에 형성된 접합부(J')가 양쪽의 용착 면들(122',222')과 맞닿아 있는 면적은 동일하다.
그러나, 본 발명의 경우에는, 제 2 용착 면(222)에 용착 홈(224)이 형성되고, 제 1 용착 면(122)에 형성된 용착 돌기(124)가 용착 홈(224)보다 큰 체적을 가지므로, 종래의 경우와 비교하여 접합부(J)와 제 2 용착 면(222)이 맞닿아 있는 용착 면적이 증대된다.
용착 면적이 증대되면, 제 1 용착부(120)와 제 2 용착부(220) 간의 용착 강도가 증가한다. 이에 따라 케이스(10)의 기계적 강도, 예를 들면 굽힘 강도(Bending Strength)나 비틀림 강도(Torsional Strength) 등이 향상되어, 케이스(10)의 내구성이 좋아질 수 있다.
다시, 도 3을 참조하면, 상부 케이스(100)는 제 1 내부 용착 벽(140)을 가지고, 하부 케이스(200)는 제 2 내부 용착 벽(240)을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 내부 용착 벽들(140,240)은 케이스(10) 내부의 수납 공간을 메모리 모듈(20)이 수용되는 공간(S1)과 메모리 모듈(20)이 수납되지 않는 공간(S2)으로 구획하는 분리 벽의 형태로 제공될 수 있다. 또한, 내부 용착 벽들(140,240)은 상부 및 하부 케이스(100,200) 내측의 설계적 제약이 따르지 않는 위치에 다른 형태로 제공될 수도 있다.
제 1 내부 용착 벽(140)은 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 상부 케이스(100)의 제 1 몸체(110)로부터 돌출 형성된다. 제 2 내부 용착 벽(240)은 제 1 내부 용착 벽(140)과 마주보도록 하부 케이스(200)의 제 2 몸체(210)로부터 돌출 형성된다. 제 1 내부 용착 벽(140)의 제 2 내부 용착 벽(240)과 마주보는 면에는 용착 돌기(142)가 형성되고, 제 2 내부 용착 벽(240)의 제 1 내부 용착 벽(140)과 마주보는 면에는 용착 홈(242)이 형성될 수 있다. 반대로, 제 1 내부 용착 벽(140)에 용착 홈이 형성되고, 제 2 내부 용착 벽(240)에 용착 돌기가 형성될 수도 있다.
제 1 내부 용착 벽(140)과 제 2 내부 용착 벽(240)은 대향면의 용착에 의해 접합될 수 있으며, 용착 과정은 위에서 도 5a와 도 5b, 그리고 도 6을 참조하여 설명한 과정과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
상부 케이스(100)에는 강도 보강을 위한 리브(150)가 제공되고, 하부 케이스(200)에는 강도 보강을 위한 리브(250)가 제공될 수 있다. 리브(150,250)는 메모리 모듈(20)이 수용되지 않는 공간(S2)에 대응하는 영역에 형성될 수 있다.
상부 케이스(100)에 제공되는 리브(150)는 제 1 리브들(150a)과 제 2 리브들(150b)을 포함한다. 제 1 리브들(150a)과 제 2 리브들(150b)은 상부 케이스(100)의 제 1 몸체(110)로부터 돌출 형성된다. 제 1 리브들(150a)은 길이 방향이 수평 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치되고, 제 2 리브들(150b)은 제 1 리브들(150a)에 수직한 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치될 수 있다.
하부 케이스(200)에 제공되는 리브(250)는 제 1 리브들(250a)과 제 2 리브들(250b)을 포함한다. 제 1 리브들(250a)과 제 2 리브들(250b)은 상부 케이스(100)에 제공된 제 1 리브들(150a) 및 제 2 리브들(150b)과 마주보도록 하부 케이스(200)의 제 2 몸체(210)로부터 돌출 형성될 수 있다.
상부 케이스(100)에 제공된 리브(150)와 하부 케이스(200)에 제공된 리브(250)는 대향면의 용착에 의해 접합될 수 있다. 리브(150: 150a,150b)의 리브(250: 250a,250b)와 마주보는 면에는 용착 돌기(152a,152b)가 형성되고, 리브(250: 250a,250b)의 리브(150: 150a,150b)와 마주보는 면에는 용착 홈(252a,252b)이 형성될 수 있다. 반대로, 리브(150: 150a,150b)에 용착 홈이 형성되고, 리브(250: 250a,250b)에 용착 돌기가 형성될 수도 있다. 리브(150)와 리브(250)의 용착 과정은 위에서 도 5a와 도 5b, 그리고 도 6을 참조하여 설명한 과정과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 3에는 용착 돌기 또는 용착 홈이 리브들에 모두 형성된 경우가 예시되어 있으나, 이는 하나의 예에 불과하고, 용착 돌기 또는 용착 홈은 일부의 리브들에 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 제 1 용착부(120)와 제 2 용착부(220) 사이의 용착 면적 증대, 그리고 이와 유사한 용착 구조를 이용한 내부 용착 벽들(140,240)의 접합과 강도 보강용 리브들(150,250)의 접합을 통해, 케이스(10)의 기계적 강도, 예를 들면 굽힘 강도(Bending Strength)나 비틀림 강도(Torsional Strength) 등을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 8 내지 도 10을 참조하여 다른 실시 예들에 따른 상부 케이스와 하부 케이스를 설명한다. 도 8 내지 도 10에 도시된 상부 케이스 및 하부 케이 스는, 리브의 구조만 상이할뿐, 도 3에 도시된 상부 케이스 및 하부 케이스와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구조를 가지는 리브에 대해서만 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상부 케이스(100')에 제공되는 리브(150')는 제 1 리브들(150a'), 제 2 리브들(150b'), 그리고 제 3 리브들(150c')을 포함한다. 제 1 리브들(150a'), 제 2 리브들(150b'), 그리고 제 3 리브들(150c')은 상부 케이스(100')의 제 1 몸체(110')로부터 돌출 형성된다. 제 1 리브들(150a')은 길이 방향이 수평 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치될 수 있다. 제 2 리브들(150b')은 제 1 리브들(150a')에 수직한 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치될 수 있다. 제 3 리브들(150c')은 제 1 리브들(150a')과 제 2 리브들(150b')의 교차 지점들 중 대각선 방향에 위치한 교차 지점들을 연결하도록 배치될 수 있다.
하부 케이스(200')에 제공되는 리브(250')는 제 1 리브들(250a'), 제 2 리브들(250b'), 그리고 제 3 리브들(250c')을 포함한다. 제 1 리브들(250a'), 제 2 리브들(250b'), 그리고 제 3 리브들(250c')은 상부 케이스(100')에 제공된 제 1 리브들(150a'), 제 2 리브들(150b'), 그리고 제 3 리브들(150c')과 마주보도록 하부 케이스(200')의 제 2 몸체(210')로부터 돌출 형성될 수 있다.
상부 케이스(100')에 제공된 리브(150')와 하부 케이스(200')에 제공된 리브(250')는 대향면의 용착에 의해 접합될 수 있다. 여기서, 설명되지 않은 도면 번호 120'는 제 1 용착부이고, 124'는 용착 돌기이고, 140'는 제 1 내부 용착 벽이고, 142'는 용착 돌기이고, 220'는 제 2 용착부이고, 224'는 용착 홈이고, 230'는 개구부이고, 240'는 제 2 내부 용착 벽이고, 242'는 용착 홈이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상부 케이스(100")에 제공되는 리브(150")는 제 1 내지 제 4 리브들(150a",150b",150c",150d")을 포함한다. 제 1 내지 제 4 리브들(150a",150b",150c",150d")은 상부 케이스(100")의 제 1 몸체(110")로부터 돌출 형성된다. 제 1 리브(150a")는 제 1 내부 용착 벽(140")에 수직하게 배치될 수 있다. 제 2 리브들(150b")은 제 1 리브(150a")의 양측에 그 길이 방향을 따라 인접하게 배치될 수 있으며, 마름모 형상을 가질 수 있다. 제 3 리브들(150c")은 제 2 리브들(150b")의 대척점들을 연결하도록 배치될 수 있다. 제 4 리브들(150d")은 제 2 리브들(150b")의 접점을 통과하며, 수평 방향으로 배치될 수 있다.
하부 케이스(200")에 제공되는 리브(250")는 제 1 내지 제 4 리브들(250a",250b",250c",250d")을 포함한다. 제 1 내지 제 4 리브들(250a",250b",250c",250d")은 상부 케이스(100")에 제공된 제 1 내지 제 4 리브들(150a",150b",150c",150d")과 마주보도록 하부 케이스(200")의 제 2 몸체(210")로부터 돌출 형성될 수 있다.
상부 케이스(100")에 제공된 리브(150")와 하부 케이스(200")에 제공된 리브(250")는 대향면의 용착에 의해 접합될 수 있다. 여기서, 설명되지 않은 도면 번호 120"는 제 1 용착부이고, 124"는 용착 돌기이고, 142"는 용착 돌기이고, 220"는 제 2 용착부이고, 224"는 용착 홈이고, 230"는 개구부이고, 240"는 제 2 내부 용착 벽이고, 242"는 용착 홈이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상부 케이스(100''')에 제공되는 리브(150''')는 상부 케이스(100''')의 제 1 몸체(110''')로부터 돌출 형성된다. 리브(150''')는 길이 방향이 제 1 내부 용착 벽(140''')에 수직한 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 복수 개가 이격 배치될 수 있다. 하부 케이스(200''')에 제공되는 리브(250''')는 상부 케이스(100''')에 제공된 리브(150''')와 마주보도록 하부 케이스(200''')의 제 2 몸체(210''')로부터 돌출 형성될 수 있다. 상부 케이스(100''')에 제공된 리브(150''')와 하부 케이스(200''')에 제공된 리브(250''')는 대향면의 용착에 의해 접합될 수 있다.
하부 케이스(200''')에는 리브(250''') 이외에도 강도 보강을 위한 보강 부재(260)가 설치될 수 있다. 보강 부재(260)는 금속 재질의 판 부재로 구비될 수 있다. 보강 부재(260)에는, 도 11에 도시된 바와 같이, 리브들(250''')이 관통하도록 홀들(262)이 형성되고, 보강 부재(260)를 고정하기 위한 핀들(254)이 관통하도록 홀들(264)이 형성될 수 있다. 보강 부재(260)는 홀들(262,264)에 리브(250''')와 핀들(254)이 삽입된 상태로 하부 케이스(200''')의 제 2 몸체(210''')와 맞닿도록 설치될 수 있다. 보강 부재(260)는 상부 케이스(100''')에 설치될 수도 있으며, 하부 케이스(200''')에 설치되는 경우와 동일한 구성에 의해 상부 케이스(100''')에 설치될 수 있다.
여기서, 설명되지 않은 도면 번호 120'''는 제 1 용착부이고, 124'''는 용착 돌기이고, 142'''는 용착 돌기이고, 220'''는 제 2 용착부이고, 224'''는 용착 홈 이고, 230'''는 개구부이고, 240'''는 제 2 내부 용착 벽이고, 242'''는 용착 홈이다.
이상에서는 반도체 메모리 장치로 에스.디.(SD) 카드를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것이 아니고, 반도체 소자가 실장된 기판을 한 쌍의 케이스 내에 수납하는 각종의 반도체 메모리 장치에 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 반도체 메모리 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 상부 케이스와 하부 케이스의 평면도이다.
도 4a는 도 3의 A-A' 선에 따른 상부 케이스의 단면도이다.
도 4b는 도 3의 B-B' 선에 따른 하부 케이스의 단면도이다.
도 5a와 도 5b는 상부 케이스와 하부 케이스가 용착에 의해 접합되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5b의 "C" 부분의 확대도이다.
도 7a 및 도 7b는 종래의 용착 구조를 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 다른 실시 예에 따른 상부 케이스와 하부 케이스의 평면도들이다.
도 11은 도 10의 하부 케이스의 분해 사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
20: 메모리 모듈 100: 상부 케이스
120: 제 1 용착부 124: 용착 돌기
200: 하부 케이스 220: 제 2 용착부
224: 용착 홈

Claims (10)

  1. 한 쌍의 상부 및 하부 케이스 중 어느 하나의 케이스에는 둘레의 가장자리 영역을 따라 용착 홈을 형성하고,
    다른 하나의 케이스에는 둘레의 가장자리 영역을 따라 상기 용착 홈과 마주보는 위치에 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 용착 돌기를 형성하고,
    상기 상부 및 하부 케이스 사이에 반도체 소자가 실장된 메모리 모듈이 수용되도록 상기 용착 돌기의 끝단을 상기 용착 홈에 삽입한 상태에서, 상기 용착 돌기를 용융시키고,
    상기 용착 돌기의 용융물을 상기 용착 홈, 그리고 상기 상부 및 하부 케이스의 상기 가장자리 영역의 용착면들 사이에 충전시키고,
    상기 용착 돌기의 용융물을 고화시켜 상기 상부 및 하부 케이스를 접합하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 케이스의 가장자리 영역 내측에는 내부 용착 벽들이 서로 마주보도록 돌출 형성되고, 상기 내부 용착 벽들의 대향 면이 용착에 의해 접합되되,
    상기 내부 용착 벽들의 대향 면 중 어느 하나에는 상기 용착 홈이 형성되고, 다른 하나에는 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 상기 용착 돌기가 형성되는 것 을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 내부 용착 벽들은 상기 수납 공간을 상기 메모리 모듈의 수용 공간과 비수용 공간으로 구획하는 분리 벽으로 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역에는 강도 보강용 리브가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 케이스에 형성된 리브는 서로 마주보도록 돌출 형성되고, 상기 리브의 대향 면이 용착에 의해 접합되되,
    상기 리브의 대향 면 중 일측에는 상기 용착 홈이 형성되고, 타측에는 상기 용착 홈보다 큰 체적을 가지는 상기 용착 돌기가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 리브는,
    길이 방향이 수평 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치된 복수 개의 제 1 리브들; 및
    상기 제 1 리브들에 수직한 방향을 향하고, 서로 평행을 이루도록 이격 배치된 복수 개의 제 2 리브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 리브는,
    상기 제 1 리브들과 상기 제 2 리브들의 교차 지점들 중 대각선 방향에 위치한 교차 지점들을 연결하는 제 3 리브들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 리브는,
    상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역을 구획하도록 상기 분리 벽에 수직하게 배치되는 제 1 리브;
    상기 제 1 리브의 양측에 그 길이 방향을 따라 인접하게 배치되며, 마름모 형상을 가지는 제 2 리브들;
    상기 제 2 리브의 대척점들을 연결하는 제 3 리브들; 및
    상기 제 2 리브들의 접점을 통과하며, 수평 방향으로 배치되는 제 4 리브들
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 메모리 모듈의 비수용 공간에 대응하는 상기 상부 및 하부 케이스의 영역 중 어느 일측에는 금속 판 형상의 보강 부재가 삽입 설치되고,
    상기 리브는 상기 보강 부재를 관통하고 서로 평행을 이루도록 복수 개가 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
  10. 용착에 의해 접합된 한 쌍의 상부 및 하부 케이스; 및
    상기 상부 및 하부 케이스 내부의 수납 공간에 수용되고, 반도체 소자가 실장된 메모리 모듈을 포함하되,
    상기 상부 및 하부 케이스 중 어느 하나의 용착면에는 용착 홈이 형성되고,
    상기 상부 및 하부 케이스 사이의 용착(용융/고화)된 접합부는 상기 용착 홈, 그리고 상기 상부 및 하부 케이스의 상기 용착면들 사이에 충전되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
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