KR20100076995A - 파장 변환기를 포함한 발광 소자 및 제조 방법 - Google Patents
파장 변환기를 포함한 발광 소자 및 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100076995A KR20100076995A KR1020107009183A KR20107009183A KR20100076995A KR 20100076995 A KR20100076995 A KR 20100076995A KR 1020107009183 A KR1020107009183 A KR 1020107009183A KR 20107009183 A KR20107009183 A KR 20107009183A KR 20100076995 A KR20100076995 A KR 20100076995A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conversion
- matrix material
- light emitting
- conversion layer
- low molecular
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- -1 aromatic silane derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
광 방출 표면에 변환층(5)이 증발 증착된다. 변환층(5)은 증발 증착될 수 있는 매트릭스 물질 및 증발 증착될 수 있는 변환 물질을 포함할 수 있고, 상기 두 물질들은 특히 저분자 유기 화합물들을 함유할 수 있다. 복사를 생성하도록 예정된 층들을 포함하는 층 구조체(3)도, 마찬가지로 저분자 유기 화합물들로 구성될 수 있어서, 모든 화합물들은 동일한 증발 증착 장치에서 도포될 수 있다.
Description
본 발명은 파장 변환기를 포함한 발광 소자, 특히 면 광원용으로서 파장 변환기를 포함한 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
파장 변환기는, 특히, 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 면 광원에 사용된다. 문헌 Appl. Phys. Lett. 80, 3470-3472(2002)에 기재된 전계 발광 소자의 경우, 유기성 및 무기성 형광 변환기들 그리고 폴리머 매트릭스 물질로 이루어진 혼합물이 기판의 후측에 도포된다. 변환 물질로서 구비된 물질 입자들 또는 분자들은 액상 폴리머 유기 물질로 이루어진 매트릭스에서 분산되거나 용해된 후, 얇은 층으로서 기판의 후측에 도포된다. 이러한 방식의 제조 시, 매트릭스 물질은 층 또는 얇은 필름의 형성에 적합해야 하며; 따라서 이 경우 폴리머 유기 물질이 사용된다.
본 발명의 과제는, 스퀴징(squeegeeing), 스크린 인쇄 또는 접착법을 이용하는 경우와 같이 소모적인 종래 제조 공정을 도입할 필요 없이, 면 광원이 간단한 방식으로 파장 변환기를 구비할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 적어도 일 실시예에 따르면, 파장 변환을 위해 구비된 변환층에 매트릭스 물질 및 변환 물질이 사용되고, 이러한 두 물질들은 고 진공 상태에서 기화될 수 있으며, 특히 저분자 유기 화합물들을 함유할 수 있다.
"고 진공 상태에서 기화될 수 있음"이란, 예를 들면 매트릭스 물질 및 변환 물질이 고 진공 상태에서 기화됨으로써 복사 방출을 위해 구비된 표면에 손상 없이 도포될 수 있음을 의미할 수 있다.
본 발명의 견지에서, "저분자 유기 물질들"이란 반복적(repetitive)으로 구성되지 않는 유기 분자들로 이루어진 군을 의미할 수 있다. 상기 분자들은 -예를 들면 폴리머의 경우와 달리- n배 반복된 유닛들로 구성되지 않는다. 또한, 본 발명의 견지에서, "저분자 유기 물질들"이란 개념은 올리고머, 즉 반복적으로 구성된 분자군에 속하는 물질들로 이해할 수 있으며, 이 때 n ≤ 10 이다. 또한, 본 발명의 견지에서, "저분자 유기 물질들"이란 개념은 덴드리머(dendrimer), 즉 외부쪽으로 분기화(branching)가 증가하는 분자군에 속하는 물질들로 이해할 수 있다.
저분자 유기 매트릭스 물질로서, 특히, 방향 아민, 카르바졸 또는 방향 실란 유도체가 적합하다.
유기 매트릭스 물질 대신, 기화성 무기 물질계가 사용될 수 있으며, 예를 들면 MoO3, ZnS, MgF2, Ta2O5, TiO, Al2O3 중 적어도 하나가 사용될 수 있다. 즉, 매트릭스 물질은 상기 물질들 중 하나로 구성될 수 있거나, 상기 물질들 중 적어도 하나를 함유할 수 있다.
고 진공 상태에서 기화될 수 있는 적합한 변환 물질들은, 페릴렌, 벤조피렌, 쿠마린, 로다민 그리고 아조-, 테릴렌-, 쿼터릴렌-, 나프탈이미드-, 시아닌-, 크산텐-, 옥사진-, 안트라센-, 나프타센-, 안트라퀴논- 및 티아진-색소들을 포함한 군으로부터 선택될 수 있다. 즉, 변환 물질은 상기 물질들 중 적어도 하나로 구성될 수 있거나, 상기 물질들 중 적어도 하나를 함유할 수 있다.
이러한 변환층은, 특히, 예를 들면 유기 발광 다이오드와 같이 면으로 방출하는 변환계 전계 발광 소자를 위해 사용되며, 상기 유기 발광 다이오드는 특히 저분자 유기 화합물들로 구성될 수 있다. 저분자 유기 화합물들은 고 진공 상태에서 승화될 수 있고, 소자의 복사 생성층들이 도포될 때 이용하는 것과 동일한 증발 증착 장치(evaporation apparatus)에서 고진공 상태로 도포될 수 있다. 동일한 증발 증착 장치에서 도포되는 전체층들을 위해 저분자 유기 화합물들을 사용함으로써, 제조 공정이 실질적으로 간단해질 수 있다.
본 발명은 발광 소자, 특히 무기성 또는 유기성 물질들로 구성된 전계 발광 면 소자를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면 유기 발광 다이오드와 같은 유기 발광 소자들은 광 생성 및 전하 수송을 위한 저분자 유기층들을 포함할 수 있으나, 폴리머 유기 물질들로 구성될 수도 있다. 복사 생성 및 전류 주입을 위해 구비되는 층들의 수는 제한이 없다. 전극을 위해 금속 또는 반도체 물질, 무기 물질, 유기 물질이 사용될 수 있다. 바람직하게는, 전극들 중 적어도 하나는 생성된 복사에 대해 투명한 층의 형태로 형성되며, 직접적 또는 간접적으로 변환층을 구비한다.
본 발명을 이용하면 방출 파장, 스펙트럼의 대역폭에 있어 제한이 없다. 변환 물질은 변환층에서 형광 변환기로 역할하고, 이를 위해 매트릭스 물질에 서로 다른 농도로 제공될 수 있다; 상기 변환기 물질의 흡수 대역은 방출된 복사의 파장 영역과 적어도 일부 겹칠 수 있다. 또한, 변환층들에 복수 개의 변환 물질들이 삽입될 수 있다. 변환 물질들은 동일하거나 서로 다른 방출 파장들을 위해 구비될 수 있다. 제조는 예를 들면 복수 개의 물질원들(material sources)의 동시 기화에 의해 이루어진다.
매트릭스 물질은 모든 관련 파장들에 대해 투명할 수 있다; 또한 방출된 복사를 흡수하는 물질일 수 있어서, 그 이후 상기 흡수된 복사 에너지는 푀스터- 또는 덱스터 전달(Foerster- or Dexter-Transfer)에 의해 변환 물질에 제공된다. 또한, 기재된 방식으로 복수 개의 변환층들이 포개어져 도포되거나, 증발 증착 시 그림자 마스크를 이용하여 나란히 도포될 수 있다. 변환 소자의 색 위치는 증발 증착된 변환층의 두께, 매트릭스에서 방출 분자의 농도, 그리고 나란히 도포된 변환층들 사이의 면적비에 따라 영향을 받을 수 있다.
상기 발광 소자 외에, 파장 변환기를 포함한 발광 소자의 제조 방법도 제공되며, 본 방법에서 복사 방출을 위해 구비된 표면에 변환층이 증발 증착된다.
바람직하게는, 본 방법을 이용하여 본 명세서에 기술된 소자가 제조될 수 있다. 소자와 관련하여 개시된 전체 특징들은 본 방법에 대해서도 개시된다.
이하, 다양한 실시예들의 단면을 도시한 첨부 도면들에 의거하여, 본 발광 소자 및 제조 방법의 예가 더 상세히 기술된다.
도 1은 전기 전도 기판을 포함한 탑이미터 LED(Top-Emitter LED)의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 2는 전기 전도 기판을 포함한 보톰이미터 LED(Bottom-Emitter LED)의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 3은 후방 전극을 포함하지 않은 탑이미터 OLED의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 4는 후방 전극을 포함하지 않은 보톰이미터 OLED의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 2는 전기 전도 기판을 포함한 보톰이미터 LED(Bottom-Emitter LED)의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 3은 후방 전극을 포함하지 않은 탑이미터 OLED의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 4는 후방 전극을 포함하지 않은 보톰이미터 OLED의 실시예를 단면도로 도시한다.
도 1은 제1실시예를 개략적 단면도로 도시한다. 후방 전극으로서 구비된 제1전극층(1)은 전기 전도 기판(2)의 후측에 도포된다. 기판(2)의 전면측에 층 구조체(3)가 위치하고, 상기 층 구조체는 발광 소자의 공지된 층들을 포함할 수 있으며, 상기 층들에 대한 상세 사항은 본 발명에 있어 중요하지 않으므로 도시되지 않는다. 층 구조체(3)는 특히 복사 생성을 위해 구비된 활성층들을 포함한다. 또한, 경계층들 또는 전류 주입을 위한 클래딩층들이 구비될 수 있다. 기판(2)과 반대 방향인 층 구조체(3)의 측에 제2전극층(4)이 위치하고, 상기 실시예에서 제2전극층은 전면으로 도포되며, 방출될 복사에 대해 투명한 물질로 구성된다. 상측에서 볼 때, 제2전극층(4)상에 변환층(5)이 도포되며, 상기 변환층은 매트릭스 물질 및 변환 물질을 포함하고, 상기 두 물질들은 저분자 유기 화합물들인 것이 바람직하다. 복사는 화살표로 표시된 방향으로 상측을 향해 전면으로 방출된다.
도 2는 도 1에 상응하여 다른 실시예의 개략적 단면도를 도시하며, 이 때 변환층(5)은 소자의 하측 또는 후측에, 즉 제1전극층(1)의 후측 표면에 도포되어 있다. 이 때, 기판(2) 및 제1전극층(1)은 방출될 복사에 대해 투명한 물질로 형성되고, 화살표로 표시된 방향으로 광이 방출된다.
방출측에 위치한 전극층은 예를 들면 투광성일 수 있고, 방출면을 링형 또는 프레임형으로 둘러쌀 수 있다. 이러한 실시예에서, 변환층은 층 구조체의 표면에 위치한 전극층내의 광출사면에 도포되거나, 기판 물질상에 직접 도포될 수 있다.
본 발명의 매우 유리한 이점은, 발광 소자가 저분자 유기 발광 다이오드인 실시예에서 도출되는데, 이 때 상기 발광 다이오드의 전계 발광층들뿐만 아니라 변환층의 성분들도 동일한 장치로 증발 증착될 수 있다는 것이다.
도 3에 따라 박막 봉지부를 포함한 탑이미터 OLED에서, 변환층(5)은 투명한 덮개 전극, 즉 제2전극층(4)의 도포 직후에 제조될 수 있다. 즉, 변환 물질로 코팅되기 위한 부가적 공정(예를 들면 스쿼징, 스크린 인쇄, 접착)이 더 이상 필요하지 않다. 상기 실시예에서, 제1전극층(1)은 기판(2)의 전면측에서 기판(2)과 층 구조체(3)사이에 배치된다.
도 4에 따른 보톰이미터 OLED에서, 변환층(5)은 유기 층 구조체(3)의 제조와 동시에 기판(2)의 후측에 증착될 수 있다. 상기 실시예에서도, 변환 물질로의 코팅을 위한 부가적 공정(예를 들면 스쿼징, 스크린 인쇄, 접착)은 더 이상 필요하지 않다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2007 046 338.5 및 10 2007 053 069.4의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 참조로 포함된다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재에 의해 상기 실시예에 한정되지는 않는다. 오히려, 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하며, 이는 특히 특허 청구 범위에서 특징들의 각 조합을 포함하고, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예들에 제공되지 않더라도 그러하다.
Claims (15)
- 파장 변환기를 포함하고, 광 방출 표면에서 매트릭스 물질 및 변환 물질을 함유한 변환층(5)을 구비하는 발광 소자에 있어서,
상기 매트릭스 물질뿐만 아니라 상기 변환 물질도 고 진공 상태에서 기화될 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 매트릭스 물질 및 상기 변환 물질은 복사 생성층들과 함께 증발 증착(evaporation)될 수 있는 것으로 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 매트릭스 물질뿐만 아니라 상기 변환 물질도 저분자 유기 화합물들을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 청구항 3에 있어서,
상기 매트릭스 물질은 방향 아민, 카르바졸 및 방향 실란 유도체를 포함한 군으로부터 선택된 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 매트릭스 물질은 MoO3, ZnS, MgF2, Ta2O5, TiO, Al2O3이란 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 파장 변환기를 포함한 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서,
복사 방출을 위해 구비된 표면에 변환층(5)이 증발 증착되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 증발 증착은 고 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 변환층(5)은 증발 증착된 매트릭스 물질 및 적어도 하나의 증발 증착된 변환 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 매트릭스 물질 및 상기 변환 물질은 저분자 유기 화합물들을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 매트릭스 물질은 방향 아민, 카르바졸 및 방향 실란 유도체를 포함한 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 매트릭스 물질은 MoO3, ZnS, MgF2, Ta2O5, TiO, Al2O3이란 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 7 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증발 증착은 소자의 복사 생성층들이 증발 증착될 때 이용하는 것과 동일한 장치에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 7 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 변환층(5)은 방출될 복사에 대해 투명한 물질로 구성된 전극층(1, 4)상에 도포되는 것을 특징으로 하는 방법. - 청구항 7 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법으로 유기 발광 다이오드를 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007046338.5 | 2007-09-27 | ||
| DE102007046338 | 2007-09-27 | ||
| DE102007053069A DE102007053069A1 (de) | 2007-09-27 | 2007-11-07 | Lichtemittierendes Bauelement mit Wellenlängenkonverter und Herstellungsverfahren |
| DE102007053069.4 | 2007-11-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100076995A true KR20100076995A (ko) | 2010-07-06 |
Family
ID=40384465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107009183A KR20100076995A (ko) | 2007-09-27 | 2008-09-15 | 파장 변환기를 포함한 발광 소자 및 제조 방법 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8487329B2 (ko) |
| EP (1) | EP2193558A1 (ko) |
| JP (1) | JP2010541138A (ko) |
| KR (1) | KR20100076995A (ko) |
| CN (1) | CN101809777A (ko) |
| DE (1) | DE102007053069A1 (ko) |
| TW (1) | TWI420720B (ko) |
| WO (1) | WO2009039833A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014100837A1 (de) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements |
| DE102023108532A1 (de) | 2023-04-03 | 2024-10-10 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05307111A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Hoya Corp | カラーフィルターの製造方法 |
| JP4709458B2 (ja) | 2000-02-23 | 2011-06-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光ルミネセンス層およびその形成方法 |
| WO2002011209A2 (en) * | 2000-08-01 | 2002-02-07 | Emagin Corporation | Method of patterning color changing media for organic light emitting diode display devices |
| EP1191821B1 (en) * | 2000-09-25 | 2009-05-27 | Konica Corporation | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent material used therefor |
| JP2002184575A (ja) | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Tdk Corp | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
| SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
| TW576124B (en) | 2002-05-28 | 2004-02-11 | Ritdisplay Corp | Full color organic light-emitting display device |
| JP2004204289A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 成膜装置とその方法および表示パネルの製造装置とその方法 |
| DE10312679B4 (de) | 2003-03-21 | 2006-08-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Ändern einer Umwandlungseigenschaft einer Spektrumsumwandlungsschicht für ein lichtemittierendes Bauelement |
| WO2005005571A1 (en) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Colour changing media for light emitting display devices |
| JP2005190667A (ja) | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 色変換膜及び色変換ディスプレイ |
| US7057339B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-06-06 | Eastman Kodak Company | OLED with color change media |
| TW200706060A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Univision Technology Inc | Color filter conversion apparatus and OLED apparatus thereof |
| US20080265749A1 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-30 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Phosphor-Converted Electroluminescent Device with Absorbing Filter |
| JP4674524B2 (ja) | 2005-10-13 | 2011-04-20 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌ発光ディスプレイの製造方法 |
| JP2007115419A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機発光素子 |
| KR20070042367A (ko) * | 2005-10-18 | 2007-04-23 | 삼성전자주식회사 | 온도 보상이 된 구동 전압 생성 회로 및 이를 포함하는액정 표시 장치, 그리고 구동 전압 생성 방법 |
| WO2007055287A1 (ja) | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 有機ｅｌ発光ディスプレイ |
| JP2007164123A (ja) | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 色変換機能付カラーフィルタ、有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2007172948A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2007204289A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nagoya Institute Of Technology | 酸化亜鉛ナノ粒子の合成方法 |
-
2007
- 2007-11-07 DE DE102007053069A patent/DE102007053069A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-15 KR KR1020107009183A patent/KR20100076995A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-15 CN CN200880109080A patent/CN101809777A/zh active Pending
- 2008-09-15 US US12/680,610 patent/US8487329B2/en active Active
- 2008-09-15 EP EP08801332A patent/EP2193558A1/de not_active Withdrawn
- 2008-09-15 JP JP2010526160A patent/JP2010541138A/ja active Pending
- 2008-09-15 WO PCT/DE2008/001540 patent/WO2009039833A1/de active Application Filing
- 2008-09-19 TW TW097135990A patent/TWI420720B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010541138A (ja) | 2010-12-24 |
| US20100295074A1 (en) | 2010-11-25 |
| DE102007053069A1 (de) | 2009-04-02 |
| TW200926476A (en) | 2009-06-16 |
| US8487329B2 (en) | 2013-07-16 |
| WO2009039833A1 (de) | 2009-04-02 |
| TWI420720B (zh) | 2013-12-21 |
| EP2193558A1 (de) | 2010-06-09 |
| CN101809777A (zh) | 2010-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5348825B2 (ja) | 光を放射するデバイス | |
| KR101317011B1 (ko) | 구조화된 발광 전환층 | |
| EP1691429B1 (en) | Enhancement of light extraction with cavity and surface modification | |
| US8330348B2 (en) | Structured luminescence conversion layer | |
| US20070096634A1 (en) | Structured luminescence conversion layer | |
| JP5603346B2 (ja) | 光共振器を備える有機発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US20140246665A1 (en) | Encapsulation for an Organic Electronic Device | |
| US20080074037A1 (en) | Organic semiconductor device, method for producing organic semiconductor device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device | |
| US7839080B2 (en) | Organic light emitting device including photo responsive material and a method of fabricating the same | |
| JP2006245003A (ja) | エレクトロルミネセンス装置 | |
| KR20140128308A (ko) | 유기 전자 소자 및 유기 전자 소자의 제조 방법 | |
| KR102431235B1 (ko) | 발광 컴포넌트 및 발광 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 | |
| JP2008525977A (ja) | エレクトロルミネセンス有機発光素子およびその製造方法 | |
| KR20090071573A (ko) | 잠재적 활성화된 층을 갖는 유기 발광 디바이스 | |
| US20080188156A1 (en) | Method for Structuring a Light Emitting Device | |
| US20170012179A1 (en) | Light-emitting device and method of producing a light-emitting device | |
| JP6037616B2 (ja) | 有機発光構成素子の製造方法 | |
| US20150200382A1 (en) | Organic light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| KR20100076995A (ko) | 파장 변환기를 포함한 발광 소자 및 제조 방법 | |
| US20190326554A1 (en) | Encapsulation structure of organic light emitting diode and encapsulating method | |
| JP2007027130A (ja) | 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス | |
| CN1819301A (zh) | 有机电致发光元件、有机电致发光装置以及制造方法 | |
| WO2018051617A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN116847690A (zh) | 显示面板、制备方法以及显示装置 | |
| CN115377316A (zh) | 显示器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101002533; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160428 Effective date: 20170925 |