KR20100061935A - Composition of barrier rib and plasma display panel - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 격벽 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a partition wall composition and a plasma display panel.
플라즈마 디스플레이 패널은 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형성되는 형광체 층을 포함하고, 아울러 복수의 전극(Electrode)을 포함한다.The plasma display panel includes a phosphor layer formed in a discharge cell divided by a partition, and includes a plurality of electrodes.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.When the drive signal is supplied to the electrode of the plasma display panel, the discharge is generated by the drive signal supplied in the discharge cell. Here, when discharged by a drive signal in the discharge cell, the discharge gas filled in the discharge cell generates vacuum ultraviolet rays, and the vacuum ultraviolet light emits the phosphor formed in the discharge cell to emit visible light. Generate. The visible light displays an image on the screen of the plasma display panel.
본 발명은 열전도도가 높은 필러(Filler)를 사용하여 격벽을 제조함으로써 격벽의 균일도가 향상된 플라즈마 디스플레이 패널 및 격벽 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma display panel and a partition composition in which the uniformity of the partition walls is improved by manufacturing partition walls using a filler having high thermal conductivity.
본 발명에 따른 격벽 조성물은 유리 재질 및 필러(Filler)를 포함하고, 필러는 탄화규소(SiC) 및 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다.The partition composition according to the present invention may include a glass material and a filler, and the filler may include at least one material of silicon carbide (SiC) and carbon nanotubes (CNT).
또한, 필러는 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO) 및 알루미나(Al2O3) 중 적어도 하나의 재질을 더 포함할 수 있다.In addition, the filler may further include at least one material of boron nitride (BN), zinc oxide (ZnO), and alumina (Al 2 O 3 ).
또한, 유리 재질은 납(Pb) 성분을 포함하지 않을 수 있다.In addition, the glass material may not include a lead (Pb) component.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판과, 전면 기판에 대항되게 배치되는 후면 기판 및 전면 기판과 후면 기판 사이에 배치되고, 탄화규소(SiC) 및 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 격벽을 포함할 수 있다.Plasma display panel according to the present invention is disposed between the front substrate, the rear substrate disposed opposite the front substrate and the front substrate and the rear substrate, and at least one material of silicon carbide (SiC) and carbon nanotubes (CNT) It may include a partition wall.
또한, 격벽은 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO) 및 알루미나(Al2O3) 중 적어도 하나의 재질을 더 포함할 수 있다.In addition, the partition wall may further include at least one material of boron nitride (BN), zinc oxide (ZnO), and alumina (Al 2 O 3 ).
또한, 유리 재질은 납(Pb) 성분을 포함하지 않을 수 있다.In addition, the glass material may not include a lead (Pb) component.
본 발명에 따른 격벽 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널은 열전도도가 높은 필러(Filler)를 사용하여 격벽을 제조함으로써 격벽의 균일도를 향상시킬 수 있고, 이에 따라 격벽의 구조적 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.The barrier rib composition and the plasma display panel according to the present invention can improve the uniformity of the barrier rib by manufacturing the barrier rib using a filler having high thermal conductivity, thereby improving the structural reliability of the barrier rib.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 격벽 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a barrier rib composition and a plasma display panel according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining the structure of a plasma display panel.
도 1을 살펴보면 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 복수의 표시 전극(102, 103)이 배치되는 전면 기판(101)과, 표시 전극(102, 103)과 교차하는 어드레스 전극(113, X)이 배치되는 후면 기판(111)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
여기서, 표시 전극(102, 103)은 스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z)을 의미할 수 있다.The
표시 전극(102, 103), 즉 스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z)의 상부에는 스캔 전극(102, Y) 및 서스테인 전극(103, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(104)이 배치될 수 있다.The discharge currents of the
상부 유전체 층(104)의 상부에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(105)이 형성될 수 있다. 이러한 보호 층(105)은 2차 전자 방출 계수가 높은 재질, 예컨대 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함할 수 있다.A
후면 기판(111) 상에는 어드레스 전극(113, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(113, X)의 상부에는 어드레스 전극(113, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(115)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(115)의 상부에는 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(112)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(101)과 후면 기판(111)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 제 1 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 제 2 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 제 3 방전 셀 등이 형성될 수 있다.On top of the lower
또한, 격벽(112)은 서로 교차하는 제 1 격벽(112a)과 제 2 격벽(112b)을 포함하고, 여기서, 제 1 격벽(112a)의 높이와 제 2 격벽(112b)의 높이가 서로 다를 수 있다. 또한, 제 1 격벽(112a)은 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 나란하고, 제 2 격벽(112b)은 어드레스 전극(113)과 나란할 수 있다.In addition, the
아울러, 제 1 격벽(112a)의 높이는 제 2 격벽(112b)의 높이보다 낮을 수 있다. 그러면, 배기 및 방전 가스의 주입 공정 시 패널 내부의 불순가스가 외부로 효과적으로 배기될 수 있으며, 아울러 방전 가스가 패널 내부에 고르게 확산될 수 있다.In addition, the height of the
또한, 격벽(112)은 열도도도가 우수한 재질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 격벽(112)은 열전도도가 우수한 탄화규소(Silicon Carbide : SiC) 및 탄소나노튜브(Carbon Nano-Tube : CNT) 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다. 아울러, 격벽(112)은 질화붕소(Boron Nitride : BN), 산화아연(Zinc Oxide : ZnO) 및 알루미나(Alumina : Al2O3) 중 적어도 하나의 재질을 더 포함하는 것이 가능하다.In addition, the
이러한 격벽(112)의 조성에 대해서는 이후에서 보다 상세히 설명한다.The composition of the
격벽(112)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 방전 가스가 채워질 수 있다.The discharge gas may be filled in the discharge cells partitioned by the
아울러, 격벽(112)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 적색 광을 발생시키는 제 1 형광체 층, 청색 광을 발생시키는 제 2 형광체 층 및 녹색 광을 발생시키는 제 3 형광체 층이 형성될 수 있다.In addition, a
또한, 이상의 설명에서는 상부 유전체 층(104) 및 하부 유전체 층(115)이 각각 하나의 층(Layer)인 경우만을 도시하고 있지만, 이러한 상부 유전체 층(104) 및 하부 유전체 층(115) 중 하나 이상은 복수의 층으로 이루지는 것도 가능한 것이다.In addition, the above description shows only the case where the upper
또한, 후면 기판(111) 상에 형성되는 어드레스 전극(113)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.In addition, although the width and thickness of the
스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 및 어드레스 전극(113) 중 적어도 하나로 소정의 신호가 공급되면 방전셀 내에서는 방전이 발생할 수 있다. 이와 같이, 방전셀 내에서 방전이 발생하게 되면, 방전셀 내에 채워진 방전 가스에 의해 자외선이 발생할 수 있고, 이러한 자외선이 형광체층(114)의 형광체 입자에 조사될 수 있다. 그러면, 자외선이 조사된 형광체 입자가 가시광선을 발산함으로써 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 화면에는 소정의 영상이 표시될 수 있는 것이다.When a predetermined signal is supplied to at least one of the
도 2 내지 도 3은 격벽의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 도면이다.2 to 3 are diagrams for explaining the method for producing a partition wall.
먼저, 도 2를 살펴보면 먼저 유리 재질, 필러(Filler), 유기 용매(Solvent), 바인더(Binder), 첨가제 등을 혼합하여 격벽 페이스트(Paste)를 형성(S200)할 수 있다. 여기서, 격벽 페이스트의 제조에 사용되는 유리 재질은 글라스 파우더(Glass Powder)의 형태를 갖는다.First, referring to FIG. 2, first, a glass material, a filler, an organic solvent, a binder, an additive, and the like may be mixed to form a barrier paste (S200). Here, the glass material used for manufacturing the partition paste has a form of glass powder.
여기서, 유리 재질은 격벽의 강도를 충분히 높은 수준으로 형성하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 유리 재질은 5~25중량부의 SiO2, 20~45중량부의 B2O3, 15~45중량부의 ZnO, 0.1~20중량부의 MgO, 0.1~20의 SrO, 0.1~20중량부의 BaO, 0.1~10중량부의 Na2O, 0.1~10중량부의 Li2O 및, 0.1~10중량부의 Al2O3의 재질을 포함할 수 있다.Here, the glass material may be used to form the strength of the partition wall to a sufficiently high level. For example, the glass material is 5 to 25 parts by weight SiO 2 , 20 to 45 parts by weight B 2 O 3 , 15 to 45 parts by weight ZnO, 0.1 to 20 parts by weight MgO, 0.1 to 20 parts by weight SrO, 0.1 to 20 parts by weight BaO, It may comprise from 0.1 to 10 parts by weight of Na 2 O, 0.1 to 10 parts by weight of Li 2 O and, from 0.1 to 10 parts by weight of Al 2 O 3 material.
아울러, 격벽 페이스트의 제조에 사용되는 유리 재질은 납(Pb) 성분을 포함하지 않을 수 있다. 납 성분은 심각한 환경오염을 유발할 수 있으며, 인체에 심각한 악영향을 줄 수 있기 때문에 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조용으로 사용되는 유리 재질은 납 성분을 포함하지 않는 것이 바람직할 수 있는 것이다.In addition, the glass material used to manufacture the partition paste may not include a lead (Pb) component. The lead component may cause serious environmental pollution and serious adverse effects on the human body, so the glass material used for manufacturing the partition wall of the plasma display panel of the present invention may preferably contain no lead component.
아울러, 필러는 격벽을 형성하는데 있어서 격벽의 높이를 충분히 높게 유지하고, 격벽의 강도를 충분히 강하게 하기 위해 사용될 수 있다.In addition, the filler may be used to keep the height of the partition sufficiently high in forming the partition and to sufficiently strengthen the strength of the partition.
또한, 필러는 열도도도가 우수한 재질을 포함할 수 있다. 이러한 열전도도가 우수한 재질의 필러를 사용하게 되면, 격벽의 균일도를 높일 수 있다.In addition, the filler may include a material having excellent thermal conductivity. When the filler of the material excellent in thermal conductivity is used, the uniformity of a partition can be improved.
한편, 본 발명에서 격벽 제조에 사용되는 필러는 열전도도가 우수한 것이라면 특별히 제한되지 않으나 격벽의 강도를 과도하게 저하시키는 재질, 열팽창계수가 과도하게 높거나 낮은 재질 또는 용융 온도가 과도하게 높은 재질은 사용되지 않는 것이 바람직할 수 있다.On the other hand, the filler used in the production of the partition wall in the present invention is not particularly limited as long as the thermal conductivity is excellent, but a material that excessively lowers the strength of the partition wall, excessively high or low thermal expansion coefficient or material with an excessively high melting temperature is used It may be desirable not to.
예컨대, 구리(Cu)는 열전도도가 대략 397[W/mK] 정도로서 매우 우수하지만, 구리를 필러로서 사용하는 경우에는 격벽의 유전율이 과도하게 저하됨으로써 패널 특성이 악화될 수 있고, 아울러 용융점이 높아서 적용하기 어려울 수 있다.For example, copper (Cu) has a very good thermal conductivity of about 397 [W / mK]. However, when copper is used as a filler, the dielectric constant of the partition wall is excessively lowered, thereby deteriorating panel characteristics and at the same time having a high melting point. It can be difficult to apply.
이러한 내용을 고려할 때, 본 발명에 사용되는 필러는 열전도도가 우수한 탄화규소(Silicon Carbide : SiC) 및 탄소나노튜브(Carbon Nano-Tube : CNT) 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 필러는 질화붕소(Boron Nitride : BN), 산화아연(Zinc Oxide : ZnO) 및 알루미나(Alumina : Al2O3) 중 적어도 하나의 재질을 더 포함할 수 있다.In consideration of this, the filler used in the present invention may include at least one material of silicon carbide (SiC) and carbon nano-tube (CNT) having excellent thermal conductivity, and more preferably. Preferably, the filler may further include at least one material of boron nitride (BN), zinc oxide (ZnO), and alumina (Alumina: Al 2 O 3 ).
이후, 스크린 프린팅(Screen Printing) 법 등을 이용하여 격벽 페이스트를 후면기판에 도포(S210)할 수 있다.Thereafter, the barrier rib paste may be applied to the rear substrate by using a screen printing method (S210).
이러한 격벽 페이스트의 도포 공정에서는 격벽 페이스트를 충분한 두께로 도포하기 위해 수회에 걸쳐 격벽 페이스트를 후면기판에 도포할 수 있다.In such a coating process of the barrier rib paste, the barrier rib paste may be applied to the rear substrate several times in order to apply the barrier rib paste to a sufficient thickness.
아울러, 각각의 격벽 페이스트의 도포 공정 사이에는 건조 공정이 더 포함될 수 있다.In addition, a drying process may be further included between the application processes of each partition paste.
이러한 격벽 페이스트의 도포 공정을 거친 이후에는 도 3의 (a)와 같이 후면기판(111)의 상부에 격벽 재료층(300)이 형성될 수 있다. 도 3에서 식별번호 113은 어드레스 전극(X)이고, 식별번호 115는 하부 유전체층이다.After the barrier paste is applied, the
격벽 페이스트의 도포 공정 이후에 현상 공정(S220)을 수행할 수 있다.After the coating process of the partition paste, the developing process S220 may be performed.
이러한 현상 공정에서는 도 3의 (b)와 같이 격벽 재료층(300)의 상부에 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask : 310)를 배치하고, 포토 마스크를 이용하여 격벽 재료층(300)을 노광할 수 있다. 여기서, 격벽 재료층(300)을 노광하기 위해 격벽 재료층(300)의 상부에 포토레지스트(Photo-Resist)층을 형성하는 것이 가능하다.In this development step, as shown in FIG. 3B, a
이후에 노광된 격벽 재료층(300)을 샌드블라스트 또는 에칭 등의 방법으로 식각함으로써 현상 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, the exposed partition
이러한 현상 공정 이후에 격벽 재료층(300)의 상부에 포토레지스트층이 잔존하는 경우에는 상기한 포토레지스트층을 제거하는 공정이 더 추가될 수 있다.After the developing process, if the photoresist layer remains on the
이후, 현상된 격벽 재료층(300)에 소정의 열을 가하여 소성 공정(S230)을 수행하게 되면, 도 3의 (c)의 경우와 같이 격벽(112)이 형성될 수 있다.Thereafter, when the baking process S230 is performed by applying a predetermined heat to the developed
한편, 도 2 내지 도 3에서는 에칭 공정 또는 샌드블라스트 공정을 이용하여 격벽(112)을 제조하는 방법의 일례만을 설명하고 있지만, 그린시트(Green Sheet)를 이용한 라미네이팅(Laminating) 공법을 이용하여 격벽(112)을 형성하는 것도 가능할 수 있다.2 to 3 illustrate only an example of a method of manufacturing the
한편, 격벽 페이스트의 형성 공정에서 함께 혼합되는 유리 재질과 필러는 그 밀도가 서로 다르다. 이러한 유리 재질과 필러의 밀도 차이에 의해 소성 시 격벽의 균일도가 저하될 수 있다.On the other hand, the glass material and filler which are mixed together in the formation process of a partition paste differ in density from each other. Due to the difference in density between the glass material and the filler, uniformity of the partition wall may be reduced during firing.
본 발명에서는 유리 재질과 필러의 밀도 차이에 따른 격벽 균일도의 저하를 방지하기 위해 아래의 표 1과 같이 필러의 재질을 열전도도가 우수한 것으로 사용 한다.In the present invention, in order to prevent the lowering of the uniformity of the partition wall according to the density difference between the glass material and the filler, the material of the filler is used as having excellent thermal conductivity as shown in Table 1 below.
이하의 표 1을 살펴보면 탄화규소(SiC) 재질은 열전도도(Thermal Conductivity)가 대략 77.5[W/mK]이고, 탄소나노튜브(CNT) 재질의 열전도도는 대략 1200[W/mK]으로 충분히 높은 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 below, the silicon carbide (SiC) material has a thermal conductivity of about 77.5 [W / mK], and the carbon nanotube (CNT) material has a high thermal conductivity of about 1200 [W / mK]. It can be seen that.
- 표 1 -Table 1
상기한 표 1과 같이 탄화규소(SiC) 및 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 하나의 재질을 필러의 재질로 사용하게 되면, 격벽 재료의 소성 중 유리 재질의 입자, 즉 글라스 파우더가 보다 용이하게 용융될 수 있어서 격벽의 균일도를 향상시킬 수 있다.When using at least one of silicon carbide (SiC) and carbon nanotubes (CNT) as a filler material, as shown in Table 1 above, glass particles, that is, glass powder, are more easily melted during firing of the partition material. It can be to improve the uniformity of the partition wall.
한편, 본 발명과는 다르게 열전도도가 상대적으로 낮은 재질을 필러의 재질로 사용하는 경우를 살펴보면 아래의 도 4 및 표 2와 같다.On the other hand, when using a material having a relatively low thermal conductivity as a material of the filler, unlike the present invention is shown in Figure 4 and Table 2 below.
도 4는 비교 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a diagram for explaining a comparative example.
본 발명과 다른 비교 예는 표 2와 같이 실리카(Silica : SiO2) 또는 산화티탄(Titanium Oxide : TiO2) 중 적어도 하나를 필러의 재질로 사용하는 경우이다.In the present invention and another comparative example, at least one of silica (Silica: SiO 2 ) or titanium oxide (Titanium Oxide: TiO 2 ) is used as a material of the filler.
- 표 2 -Table 2
실리카(SiO2)의 열전도도는 대략 1.38[W/mK]이고, 산화티탄(TiO2)의 열전도도는 대략 7.4[W/mK]이다.The thermal conductivity of silica (SiO 2 ) is approximately 1.38 [W / mK], and the thermal conductivity of titanium oxide (TiO 2 ) is approximately 7.4 [W / mK].
표 2와 같은 재질의 필러를 사용하여 격벽을 형성하는 경우를 살펴보면 도 4의 경우와 같다.Looking at the case of forming the partition wall using the filler of the material shown in Table 2 as in the case of FIG.
도 4를 살펴보면, (a)와 같이 현상 공정을 마친 격벽 재료층(420)은 유리 재질 입자(410)와 필러(400)가 뒤엉켜 있는 구조를 갖는다. 물론, (a)의 경우에서는 도시하지는 않았지만 유리 재질 입자(410) 및 필러(400) 이외에도 유기 용매, 바인더 등의 재질이 더 혼합될 수 있는 것이다.Referring to FIG. 4, the
이후, 소성 공정을 거치게 되면, 도 4의 (b)의 경우와 같이 유리 재질 입자(410) 또는 필러(400)가 용융되어 격벽(112)을 형성할 수 있다. 여기서, 필러(400) 및 유리 재잴 입자(410)와 함께 혼합되는 유기 용매 및 바인더 등의 재질은 연속되어 사라질 수 있다.Subsequently, when the firing process is performed, as in the case of FIG. 4B, the
그러나 표 2에서 설명한 것과 같이 열전도도가 낮은 필러(400)를 사용하게 되면, 도 4의 (b)의 경우와 같이 필러(400)의 주변에 용융되지 않고, 결정 상태를 유지하는 유리 재질 입자(410)가 존재할 수 있다.However, when the
이러한 현상은 필러(400)와 유리 재질 입자(410)의 입도 차이 및 필러(400) 의 열전도도가 낮음으로 인해 필러(400)의 주위에 배치되는 유리 재질 입자(410)에 충분히 열이 전달되지 못하기 때문에 발생할 수 있다.This phenomenon is due to the difference in the particle size of the
도 4의 (b)와 같은 현상이 발생하게 되면, 격벽(112)의 균일도가 저하되고, 이에 따라 격벽(112)의 강도가 약해짐으로써 구조적 신뢰성이 저하될 수 있는 것이다.When the phenomenon as shown in (b) of FIG. 4 occurs, the uniformity of the
아울러, 도 4의 (b)와 같은 경우에는 유리 재질의 입자(410)가 용융되지 않음으로 인해 격벽 내부에 공간이 형성될 수 있다. 이러한 공간에는 필러(400)의 열전도도가 낮음으로 인해 유기 용매 또는 바인더 등의 재질이 완전히 연소되지 못하고 잔존할 수 있다.In addition, in the case of (b) of FIG. 4, a space may be formed in the partition wall because the
이러한 유기 용매 또는 바인더 등의 잔존물은 패널 특성을 악화시키는 원인이 될 수 있다.Residues such as organic solvents or binders may cause deterioration of panel characteristics.
반면에, 본 발명에서는 표 1에서 설명한 바와 같이 열전도도가 매우 우수한 재질, 예컨대 탄화규소(SiC) 및 탄소나노튜브(CNT) 재질을 포함하는 필러를 사용하여 격벽을 제조하기 때문에, 소성 시 필러가 주위의 유리 재질 입자들로 충분히 열을 전달할 수 있다.On the other hand, in the present invention, as described in Table 1, since the partition wall is manufactured by using a filler including a material having excellent thermal conductivity, for example, silicon carbide (SiC) and carbon nanotube (CNT) material, Enough heat can be transferred to the surrounding glass particles.
이에 따라, 필러 주위의 유리 재질 입자들이 충분히 용융됨으로써 도 4의 (b)와 같은 현상의 발생을 방지할 수 있고, 따라서 격벽의 균일도를 향상시키며 구조적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것이다.Accordingly, the glass particles around the filler are sufficiently melted to prevent the occurrence of a phenomenon as shown in FIG. 4B, and thus, to improve the uniformity of the partition wall and to improve the structural reliability.
아울러, 필러의 열전도도가 충분히 높기 때문에 필러 주위의 유기 용매 또는 바인더 등의 재질을 완전히 연소(Burn-Out)시키는 것이 가능함으로써 패널 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the thermal conductivity of the filler is sufficiently high, it is possible to completely burn out a material such as an organic solvent or a binder around the filler, thereby improving panel characteristics.
한편, 본 발명에서는 필러를 탄화규소(SiC) 재질만으로 사용하는 것이 가능하고, 또는 탄소나노튜브(CNT) 재질만을 사용하는 것이 가능할 수 있다.On the other hand, in the present invention, the filler may be used only with silicon carbide (SiC) material, or it may be possible to use only carbon nanotube (CNT) material.
아울러, 탄화규소(SiC) 재질과 탄소나노튜브(CNT) 재질을 혼합하여 필러로서 사용하는 것도 가능할 수 있다.In addition, a silicon carbide (SiC) material and a carbon nanotube (CNT) material may be mixed and used as a filler.
이와 같이, 탄화규소(SiC) 재질과 탄소나노튜브(CNT) 재질을 혼합하여 필러로서 사용하는 경우에는, 탄소나노튜브(CNT)의 열전도도가 탄화규소(SiC)의 열전도도보다 높은 것을 고려할 때, 필러에서 탄소나노튜브(CNT) 재질의 함유량을 탄화규소(SiC) 재질의 함유량보다 더 많게 하는 것이 가능하다.As described above, when the silicon carbide (SiC) material and the carbon nanotube (CNT) material are mixed and used as a filler, considering that the thermal conductivity of the carbon nanotube (CNT) is higher than that of the silicon carbide (SiC) In addition, it is possible to make the content of the carbon nanotube (CNT) material in the filler more than that of the silicon carbide (SiC) material.
아울러, 본 발명에서 격벽 제조에 사용하는 필러는 탄화규소(SiC) 및 탄소나노튜브(CNT) 재질 이외에도 열전도도가 충분히 높은 다른 재질을 추가로 사용하는 것이 가능하다.In addition, in the present invention, the filler used for the manufacture of the partition wall may further use other materials having sufficiently high thermal conductivity in addition to silicon carbide (SiC) and carbon nanotube (CNT) materials.
예를 들면, 본 발명에서 필러는 아래의 표 3의 질화붕소(Boron Nitride : BN), 산화아연(Zinc Oxide : ZnO) 및 알루미나(Alumina : Al2O3) 중 적어도 하나의 재질을 더 포함할 수 있다.For example, in the present invention, the filler may further include at least one material of boron nitride (Bron Nitride: BN), zinc oxide (ZnO), and alumina (Alumina: Al 2 O 3 ) shown in Table 3 below. Can be.
표 3에서와 같이 질화붕소(BN)의 열전도도는 대략 20.0[W/mK]이고, 산화아연(ZnO)의 열전도도는 대략 23.4[W/mK]이고, 알루미나(Al2O3)의 열전도도는 대략 30.0[W/mK]로서, 열전도도가 상대적으로 높은 수준인 것을 알 수 있다.As shown in Table 3, the thermal conductivity of boron nitride (BN) is approximately 20.0 [W / mK], the thermal conductivity of zinc oxide (ZnO) is approximately 23.4 [W / mK], and the thermal conductivity of alumina (Al 2 O 3 ). The figure is approximately 30.0 [W / mK], which shows that the thermal conductivity is relatively high.
따라서 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO) 및 알루미나(Al2O3) 중 적어도 하나를 필러의 재료로 사용하더라도 앞선 도 4의 (b)와 같은 현상의 발생을 충분히 방지할 수 있는 것이다.Therefore, even if at least one of boron nitride (BN), zinc oxide (ZnO) and alumina (Al 2 O 3 ) is used as the filler material, it is possible to sufficiently prevent the occurrence of the phenomenon as shown in FIG.
- 표 3 -Table 3
한편, 격벽 페이스트의 제조에 사용되는 유리 재질이 납(Pb) 성분을 포함하는 경우에는 납(Pb)이 열전도도는 대략 34.9[W/mK] 정도로 상대적으로 높다.On the other hand, when the glass material used for the manufacture of the partition paste contains a lead (Pb) component, the thermal conductivity of lead (Pb) is relatively high at about 34.9 [W / mK].
따라서 유리 재질이 납(Pb) 성분을 포함하지 않는 경우에는 앞선 표 2에서와 같은 재질의 필러를 사용하더라도 도 4의 (b)와 같은 현상의 발생이 저감될 수 있을 것이다.Therefore, when the glass material does not contain a lead (Pb) component, the occurrence of the phenomenon as shown in FIG.
그러나 납(Pb)은 인체에 악영향을 주는 등 심각한 환경오염을 발생시키기 때문에 사용이 제한되는 것이 바람직할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서 격벽 페이스트의 제조에 사용되는 유리 재질은 납(Pb) 성분을 포함하지 않는 것이 바람직할 수 있다.However, since lead (Pb) may cause serious environmental pollution, such as adversely affecting the human body, it may be desirable to limit its use. Accordingly, in the present invention, it may be preferable that the glass material used for manufacturing the partition paste does not contain a lead (Pb) component.
아울러, 본 발명에서 유리 재질이 열전도도가 상대적으로 높은 납(Pb) 성분을 포함하지 않기 때문에 앞선 표 2에서와 같은 재질의 필러를 사용하게 되면 도 4의 (b)와 같은 현상이 발생할 수 있는 것이다.In addition, in the present invention, since the glass material does not include a lead (Pb) component having a relatively high thermal conductivity, when the filler of the same material as in Table 2 is used, a phenomenon such as (b) of FIG. 4 may occur. will be.
따라서 격벽 제조에 사용되는 유리 재질이 납(Pb) 성분을 포함하지 않는 경 우에는 표 1 또는 표 3에서와 같이 열전도도가 높은 재질을 필러로 사용하는 것이 바람직할 수 있는 것이다.Therefore, when the glass material used to manufacture the partition does not contain lead (Pb), it may be desirable to use a material having high thermal conductivity as a filler, as shown in Table 1 or Table 3.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.As such, the technical configuration of the present invention described above can be understood by those skilled in the art that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the exemplary embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and the meaning and scope of the claims are as follows. And all changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면.1 is a diagram for explaining the structure of a plasma display panel;
도 2 내지 도 3은 격벽의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 도면.2 to 3 are views for explaining a method for producing a partition wall.
도 4는 비교 예를 설명하기 위한 도면.4 is a diagram for explaining a comparative example.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080120300A KR20100061935A (en) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | Composition of barrier rib and plasma display panel |
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2008
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