KR20090052281A

KR20090052281A - Plasma display panel and manufacturing method of the same

Info

Publication number: KR20090052281A
Application number: KR1020080114780A
Authority: KR
Inventors: 김공민; 유키카 야마다; 요시타카 테라오; 타다오 야기
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2007-11-20
Filing date: 2008-11-18
Publication date: 2009-05-25
Also published as: JP2009129579A

Abstract

The present invention provides a plasma display panel which can eliminate display defects and shorten the exhaust time in the sealing exhaust process.

The plasma display panel 10 according to the present invention includes a first substrate 101 and a second substrate 107 disposed to face each other, a first dielectric layer 105 formed on the first substrate, and a second substrate. The second dielectric layer 111 to be formed, the first electrode 103 provided along the first direction inside the first dielectric layer, and the second direction perpendicular to the first direction inside the second dielectric layer At the end of the second electrode 109 provided along the first dielectric layer and the first dielectric layer and the second dielectric layer, and partitioning the plurality of discharge spaces, and the second dielectric layer side of the first partition wall, A second partition wall 115 is provided along the first direction.

Dielectric layer, bulkhead, end

Description

Plasma Display Panel and Plasma Display Panel Manufacturing Method {PLASMA DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 플라스마 디스플레이 패널 및 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma display panel and a method for producing the plasma display panel.

근래, 교류형 플라스마 디스플레이 패널 (AC-Plasma Display Panel:AC-PDP)의 구조에 있어서, 고정세화가 가장 중요한 기술요인의 하나로 고 고려되고 있다.Recently, in the structure of AC-Plasma Display Panel (AC-PDP), high resolution is considered to be one of the most important technical factors.

현재 상황에서 가장 고정세인 PDP는 1920×1080픽셀의 42형FHD(Full High Definition)이지만, 이후는, 더 이상의 고정세화가 필수로 된다.PDP, which is the highest definition in the present situation, is a 42 type FHD (Full High Definition) of 1920 x 1080 pixels, but further high definition is required after that.

PDP는 각 표시 셀이 격벽("리브"라고도 한다)에 의하여 구획되므로 고정세의 PDP을 제조함에 있어서, 각 표시 셀의 배기에 대단히 긴 시간을 요하는 문제가 있다.In the PDP, since each display cell is partitioned by a partition (also called a "rib"), there is a problem that a very long time is required for exhausting each display cell in manufacturing a high-definition PDP.

따라서 표시 셀의 배기에 요하는 시간을 단축하기 위하여, 이하의 특허문헌 1에서는, 버스 전극의 두께를 변경하거나, 유전체층에 돌기를 형성하는 것에 따라, 격벽과 전면기판과의 사이에 간극을 설치하는 것이 공개되어 있다.Therefore, in order to shorten the time required for evacuation of the display cell, in Patent Document 1 below, a gap is provided between the partition wall and the front substrate by changing the thickness of the bus electrode or forming projections in the dielectric layer. Is open to the public.

특허문헌1 특개 2007-183657호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-183657

그러나 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 버스 전극의 방향을 따라 간극이 존재하기 때문에, 광누출이 생겨 혼색 등의 표시 불량이 발생하기 쉬운 문제가 있다.However, in the method described in Patent Literature 1, a gap exists along the direction of the bus electrode, so that there is a problem that light leakage occurs and display defects such as mixed colors are likely to occur.

따라서 본 발명은, 이러한 문제에 감안해서 이루어진 것으로서, 표시 불량을 없애고, 밀봉배기 공정에 있어서의 배기 시간의 단축을 실현되는 것이 가능한, 신규 동시에 개량된 플라스마 디스플레이 패널 및 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.Therefore, this invention is made | formed in view of such a problem, and is related with the manufacturing method of the new and improved plasma display panel and plasma display panel which can eliminate a display defect and realize shortening of the exhaust time in a sealing exhaust process. will be.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 서로 대향해서 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 위에 형성되는 제1 유전체층과, 상기 제2 기판 위에 형성되는 제2 유전체층과, 상기 제1 유전체층의 내부에, 제1 방향을 따라 설치되는 제1 전극과, 상기 제2 유전체층의 내부에, 상기 제1 방향에 대하여 직교하는 제2 방향을 따라 설치되는 제2 전극과, 상기 제1 유전체층과 상기 제2 유전체층 사이에 설치되고, 복수개의 방전 공간을 구획하는 제1 격벽과, 상기 제1 격벽의 상기 제2 유전체층 측의 단부에, 상기 제1 방향에 따라 설치되는 제2 격벽을 포함할 수 있다.A plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes a first substrate and a second substrate disposed to face each other, a first dielectric layer formed on the first substrate, a second dielectric layer formed on the second substrate, and A first electrode provided in the first dielectric layer in a first direction, a second electrode provided in the second dielectric layer in a second direction orthogonal to the first direction, and A first partition wall disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer and partitioning a plurality of discharge spaces, and a second partition wall disposed along the first direction at an end portion of the first dielectric wall side of the first partition wall. It may include.

상기 제1 격벽을 형성하는 재료의 유리 전이 온도는, 상기 제2 격벽을 형성하는 재료의 유리 전이 온도보다도 낮을 수 있다.The glass transition temperature of the material forming the first partition wall may be lower than the glass transition temperature of the material forming the second partition wall.

상기 제1 격벽 및 상기 제2 격벽은, Al₂O_3, SiO₂, ZnO의 최소한 어느 하나를 포함하는 필러를 이용하여 형성될 수 있다.The first partition wall and the second partition wall may be formed using a filler including at least one of Al ₂ O _3, SiO ₂ , and ZnO.

상기 제2 격벽의 두께는, 상기 제1 격벽의 상기 제2 유전체층 측의 단부의 폭의 2배보다도 작을 수 있다.The thickness of the second partition wall may be smaller than twice the width of the end portion on the side of the second dielectric layer of the first partition wall.

상기 제1 격벽을 형성하는 재료의 유리 전이 온도는, 400℃∼510℃이며, 상기 제2 격벽을 형성하는 재료의 유리 전이 온도는, 440℃∼550℃일 수 있다.The glass transition temperature of the material forming the first partition wall may be 400 ° C to 510 ° C, and the glass transition temperature of the material forming the second partition wall may be 440 ° C to 550 ° C.

상기 제2 격벽을 형성하기 위해서 이용할 수 있는 상기 필러의 첨가량은, 상기 제1 격벽을 형성하기 위해서 이용할 수 있는 상기 필러의 첨가량보다도 많을 수 있다.The amount of the filler that can be used to form the second partition may be greater than the amount of the filler that can be used to form the first partition.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은, 제1 기판 위에, 제1 방향을 따라 설치되는 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극을 덮도록 제1 유전체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 유전체층 위에, 방전 공간을 구획하는 제1 격벽을 형성 하기 위한 제1 격벽형성층을 형성하는 단계와, 상기 제1 격벽형성층 위에, 상기 제1 방향에 따라 연장 설치되는 제2 격벽형성층을 형성하는 단계와, 상기 격벽형성층 및 상기 제2 격벽형성층을 소성하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing a plasma display panel includes: forming a first electrode disposed on a first substrate in a first direction, and forming a first dielectric layer to cover the first electrode; Forming a first barrier rib forming layer on the first dielectric layer to form a first barrier rib that partitions a discharge space; and forming a second barrier rib forming layer extending along the first direction on the first barrier rib forming layer. And firing the partition wall forming layer and the second partition wall forming layer.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은, 상기 격벽형성층 및 상기 제2 격벽형성층을 소성하는 단계의 뒤에, 소성된 상기 제1 격벽형성층 및 상기 제2 격벽형성층을 가공하고, 격벽형상을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the plasma display panel manufacturing method according to an embodiment of the present invention, after the step of firing the barrier rib forming layer and the second barrier rib forming layer, processing the fired first barrier rib forming layer and the second barrier rib forming layer, the barrier rib The method may further include forming a shape.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은, 상기 격벽형성층 및 상기 제2 격벽형성층을 소성하는 단계 앞에, 상기 제1 격벽형성층 및 상기 제2 격벽형성층을 가공하고, 격벽형상을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, in the method of manufacturing a plasma display panel according to an embodiment of the present invention, the first partition wall forming layer and the second partition wall forming layer are processed before the step of firing the partition wall forming layer and the second partition wall forming layer to form a partition wall shape. It may further comprise the step.

본 발명에 의하면, 표시 불량을 없애고, 밀봉배기 공정의 배기 시간 단축을 실현할 수 있다.According to the present invention, display defects can be eliminated and the exhaust time of the sealed exhaust process can be shortened.

이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Preferred embodiment of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing below.

한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 소유하는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것으로 중복 설명을 생략한다.In addition, in this specification and drawing, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol about the component which has substantially the same functional structure.

본원 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 먼저, 플라스마 디스플레이의 고정세화에 수반하는 문제점에 대해서 검토를 거듭했다. 그 결과, 고정세화에 수반하는 문제점의 하나로서, 격벽의 폭이 좁아지는 것이, 표시 불량의 큰 요인인 것을 생각했다. 예를 들면, 4K2K(4098×2160픽셀) 이상의 고정세 패널에서는, 현재의 42형FHD 패널에 있어서의 격벽 폭의 2/3 이하로 된다. 이로 인해, 격벽의 강도가 떨어지고, 얼마 안된 충격에도 격벽 패턴이 파괴되고, 이 격벽 패턴의 파괴에 기인해서, 표시 불량이 발생하는 것으로 생각된다. 격벽의 폭이 2/3로 되면, 격벽의 강도는 약 1/2로 되는 것으로 생각된다. 이로 인해, 격벽의 폭이 좁아졌다고 해 도, 더해지는 충격에 견디는 강도를 구비한 격벽이 필요하게 된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, the inventors examined first the problem accompanying high definition of a plasma display. As a result, as one of the problems with high definition, it was considered that narrowing the width of the partition wall is a large factor of display defects. For example, in a high-definition panel of 4K2K (4098 x 2160 pixels) or more, it is 2/3 or less of the width of the partition wall in the current 42-inch FHD panel. For this reason, it is thought that the strength of a partition falls, the partition pattern is destroyed by a slight impact, and a display defect arises because of the destruction of this partition pattern. When the width of the partition wall is 2/3, the strength of the partition wall is considered to be about 1/2. For this reason, even if the width | variety of a partition becomes narrow, the partition provided with the intensity | strength to withstand the added impact is needed.

따라서 본원 발명자들은, 상술한 바와 같은 격벽을 실현하기 위해 연구한 결과, 이하에서 설명하는 바와 같은, 표시 불량을 없애고, 밀봉배기 공정에서 배기 시간의 단축을 실현할 수 있는 플라스마 디스플레이 패널에 이르렀다. Therefore, the present inventors have studied to realize the partition walls as described above. As a result, the present inventors have led to a plasma display panel capable of eliminating display defects and shortening the exhaust time in a sealed exhaust process as described below.

(제1 실시예) (First embodiment)

<본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 구성에 대해서><Configuration of Plasma Display Panel According to the Present Example>

먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하면서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널(이하, PDP라 한다)에 대하여 상세히 설명한다.First, the plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 부분 평면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널을 도 1의 A-A 절단선에서 절단한 확대 단면도이다.1 is a partial plan view for explaining a plasma display panel according to the present embodiment, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the plasma display panel according to the present embodiment cut at the cutting line A-A of FIG. 1.

또, 도 3은 본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 격벽을 설명하기 위한 설명도이고, 도 4는 본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널을 도 1의 B-B 절단선에서 절단한 확대 단면도다. 한편, 이하에서는 각 도면 중에 나타낸 좌표축을 이용하면서 설명한다.3 is an explanatory view for explaining a partition of the plasma display panel according to the present embodiment, and FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the plasma display panel according to the present embodiment cut at the cutting line B-B of FIG. 1. In addition, it demonstrates below using the coordinate axis shown in each figure.

도 1은 본 실시예에 따른 PDP(10)를 제2 기판인 전면기판(107)의 상방으로부터 내려보는 경우의 부분 평면도이다. PDP(10)는 대략 격자형상의 격벽(113)에 따라서 복수개의 방전 공간(117)으로 구획된다. 이들 방전 공간(117)은 도 1의 X축 방향 및 y축 방향에 따라 배열된다. 또 격벽(113)의 상측(도 1의 z축 정방 맞은 편)에는 제2 전극인 방전 유지 전극(109)과 제2 유전체층(111)이 설치된다. 여기에 서, 방전 유지 전극(109)은 도 1의 X축 방향을 따라 설치된다.1 is a partial plan view when the PDP 10 according to the present embodiment is viewed from above the front substrate 107 which is the second substrate. The PDP 10 is partitioned into a plurality of discharge spaces 117 along a substantially grid-shaped partition wall 113. These discharge spaces 117 are arranged along the X-axis direction and the y-axis direction in FIG. 1. Further, the discharge sustaining electrode 109 and the second dielectric layer 111 serving as the second electrode are provided above the partition wall 113 (opposite the z-axis square in FIG. 1). Here, the discharge sustain electrode 109 is provided along the X-axis direction of FIG.

격벽(113)의 하측(도 1의 z축 부방향 측)에는, 제1 전극인 어드레스 전극(103)과 제1 유전체층(105)이 설치되고, 또한 이들 하방에는, 제1 기판인 배면기판(101)이 설치된다. 여기에서, 어드레스 전극(103)은 도 1의 y축 방향을 따라 설치된다.Below the partition 113 (the z-axis negative direction side in FIG. 1), an address electrode 103 as a first electrode and a first dielectric layer 105 are provided, and below these, a back substrate as a first substrate ( 101) is installed. Here, the address electrode 103 is provided along the y-axis direction of FIG.

또, 격벽(113)의 전면기판(107) 측의 단부에는, 어드레스 전극(103) 방향(도 1의 y축 방향)을 따라, 제2 격벽인 보조 격벽(115)이 설치된다. 이러한 격벽(113) 및 보조 격벽(115)에 대해서는, 이하에서 다시 상세히 설명한다.At the end portion of the partition wall 113 on the front substrate 107 side, an auxiliary partition wall 115 that is a second partition wall is provided along the address electrode 103 direction (y-axis direction in FIG. 1). The partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115 will be described later in detail.

한편, 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 PDP(10)에서는, 방전 공간(117)의 형상이 대략 직방체일 경우를 이용해서 상세한 설명하지만, 방전 공간(117)의 형상은 대략 직방체에 한정되는 것은 아니고, 입방체도 도고, 또한 구형, 타원형상, 또는 다면체형상도 된다.On the other hand, as shown in FIG. 1, in the PDP 10 which concerns on a present Example, it demonstrates in detail using the case where the shape of the discharge space 117 is a substantially rectangular parallelepiped, The shape of the discharge space 117 is substantially a rectangular parallelepiped. It is not limited, and a cube may also be a shape, and also a spherical shape, an elliptical shape, or a polyhedron shape may be sufficient as it.

도 2는 PDP(10)를 도 1의 A-A 절단선에서 절단했을 경우의 확대 단면도이다. 도 2에서 명확해진 바와 같이, PDP(10)는 예를 들면, 배면기판(101)과, 어드레스 전극(103)과, 제1 유전체층(105)과, 전면기판(107)과, 방전 유지 전극(109)과, 제2 유전체층(111)과, 격벽(113)과, 보조 격벽(115)을 주로 구비한다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view when the PDP 10 is cut at the cut line A-A of FIG. 1. As is apparent from FIG. 2, the PDP 10 includes, for example, a back substrate 101, an address electrode 103, a first dielectric layer 105, a front substrate 107, and a discharge sustain electrode ( 109, the second dielectric layer 111, the partition wall 113, and the auxiliary partition wall 115 are mainly provided.

제1 기판인 배면기판(101)과, 제2 기판인 전면기판(107)은 소정의 크기를 가지는 기판이고, 예를 들면 소다라임글라스 등의 유리를 재료로 이용할 수 있다. 배면기판(101) 및 전면기판(107)의 크기는, 본 실시예에 따른 PDP(10)를 구비하는 플라스마 디스플레이의 화면의 크기에 따라 변경 가능하다. 이 배면기판(101) 및 전 면기판(107)의 표면에, 예를 들면 SiO₂ 등의 물질을 코팅해 두고, 배면기판(101) 및 전면기판(107)의 절연성을 담보하게 할 수도 있다. 배면기판(101)이나 전면기판(107)의 두께를 얇게 하는 것으로, PDP(10)의 박형화를 도모할 수 있고, 제조하는 PDP의 두께에 따라, 이들 기판의 두께를 변경할 수 있다. 이들 배면기판(101)과 전면기판(107)은 소정의 공간을 개재하여 서로 대향하도록 설치된다.The back substrate 101 as the first substrate and the front substrate 107 as the second substrate are substrates having a predetermined size, and glass such as soda lime glass can be used as a material. The size of the back substrate 101 and the front substrate 107 can be changed depending on the size of the screen of the plasma display including the PDP 10 according to the present embodiment. On the surfaces of the back substrate 101 and the front substrate 107, for example, a material such as SiO ₂ may be coated to ensure the insulation of the back substrate 101 and the front substrate 107. By reducing the thickness of the back substrate 101 or the front substrate 107, the thickness of the PDP 10 can be reduced, and the thickness of these substrates can be changed in accordance with the thickness of the PDP to be manufactured. These back substrates 101 and front substrate 107 are provided to face each other via a predetermined space.

제1 전극인 어드레스 전극(103)은, 후술하는 방전 유지 전극(109)과 마찬가지로 방전 공간(117)에 플라즈마 방전을 발생시키기 위해서 사용되는 전극이다. 어드레스 전극(103)은, 예를 들면, Ag, Al, Ni, Cu, Mo, 또는 Cr 등의 양호한 도전성의 금속을 이용하여 형성할 수 있다. 어드레스 전극(103)은, 배면기판(101)의 전면기판(107) 측 표면(도 2의 z축 정방 맞은 편의 표면)에 형성된다. 이때, 어드레스 전극(103) 자체가 방전 공간(117)에 노출되는 것은 바람직하지 않다. 이로 인해, 어드레스 전극(103)은 제1 유전체층(105)에 의하여 표면이 덮어진다. 한편, 제1 유전체층(105)은, SiO₂ 등을 이용해서 반사형 유전체층으로 형성할 수 있다. 또 제1 유전체층(105)의 표면에, 또한 MgO 등의 일 함수의 값이 작은 물질로 이루어지는 보호층을 형성하고, 제1 유전체층(105)을 플라즈마에 의한 제1 유전체층(105)의 스퍼터링으로부터 보호할 수도 있다. 보호층은, 방전 공간(117) 내에서 발생하는 플라즈마에 의해 유전체 등이 스퍼터링 되는 것을 보호하는 것이다.The address electrode 103 which is a 1st electrode is an electrode used in order to generate a plasma discharge in the discharge space 117 similarly to the discharge sustain electrode 109 mentioned later. The address electrode 103 can be formed using a good conductive metal such as Ag, Al, Ni, Cu, Mo, or Cr. The address electrode 103 is formed on the front substrate 107 side surface (the surface opposite to the z-axis square in FIG. 2) of the back substrate 101. At this time, it is not preferable that the address electrode 103 itself is exposed to the discharge space 117. Thus, the surface of the address electrode 103 is covered by the first dielectric layer 105. On the other hand, the first dielectric layer 105 can be formed of a reflective dielectric layer using SiO ₂ or the like. In addition, a protective layer made of a material having a small work function value such as MgO is formed on the surface of the first dielectric layer 105, and the first dielectric layer 105 is protected from sputtering of the first dielectric layer 105 by plasma. You may. The protective layer protects the dielectric or the like from being sputtered by the plasma generated in the discharge space 117.

한편, 어드레스 전극(103)은, 예를 들면, 스퍼터나 증착 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있고, 특정한 형성 방법에 한정되는 것은 아니다.In addition, the address electrode 103 can be formed using methods, such as a sputter | spatter and vapor deposition, for example, and is not limited to a specific formation method.

제2 전극인 방전 유지 전극(109)은, 방전 공간(117)에 플라즈마 방전을 발생시키는 때문에 어드레스 전극(103)과 함께 사용되는 전극이다. 방전 유지 전극(109)은, 예를 들면 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide: ITO) 등의 투명전극이나, Ag, Al, Ni, Cu, Mo, 또는 Cr등의 양호한 도전성의 금속을 이용하여 형성할 수 있다. 방전 유지 전극(109)은, 전면기판(107)의 배면기판(101) 측의 표면(도 2의 z축 부방향 측의 표면)에 형성된다. 이때, 방전 유지 전극(109)에 대해서도, 전극 자체가 방전 공간(117)에 노출되는 것은 바람직하지 않다. 이로 인해, 방전 유지 전극(109)은 제2 유전체층(111)에 의하여 표면이 덮어진다. 한편, 제2 유전체층(111)은 SiO₂ 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또, 제2 유전체층(111)의 표면에, 또한 MgO 등의 일 함수의 값이 작은 물질로 이루어지는 보호층을 형성하고, 제2 유전체층(111)을 플라즈마에 의한 제2 유전체층(111)의 스퍼터링으로부터 보호할 수도 있다.The discharge sustain electrode 109 as the second electrode is an electrode used together with the address electrode 103 because plasma discharge is generated in the discharge space 117. The discharge sustain electrode 109 is made of, for example, a transparent electrode such as indium-tin oxide (ITO), or a good conductive metal such as Ag, Al, Ni, Cu, Mo, or Cr. Can be formed. The discharge sustain electrode 109 is formed on the surface of the front substrate 107 on the back substrate 101 side (the surface of the negative z-direction side in FIG. 2). At this time, it is not preferable that the electrode itself is exposed to the discharge space 117 also for the discharge sustain electrode 109. Thus, the surface of the discharge sustain electrode 109 is covered by the second dielectric layer 111. Meanwhile, the second dielectric layer 111 may be formed using SiO ₂ or the like. In addition, a protective layer made of a material having a small work function value such as MgO is formed on the surface of the second dielectric layer 111, and the second dielectric layer 111 is formed by sputtering of the second dielectric layer 111 by plasma. You can also protect.

한편, 방전 유지 전극(109)은, 예를 들면, 스퍼터나 증착 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있고, 특정한 형성 방법에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the discharge sustain electrode 109 can be formed using a method such as sputtering or vapor deposition, for example, and is not limited to a specific formation method.

격벽(113)은, 후술하는 보조 격벽(115)과 함께, 소정의 간격을 소유하게 배치된 배면기판(101) 및 전면기판(107)에 의해 생기는 공간을 소정의 넓이를 가지는 복수개의 방전 공간(117)으로 구획한다. 다시 말해, 방전 공간(117)은, 배면기판(101)과, 전면기판(107)과, 격벽(113)과, 보조 격벽(115)에 의하여 정의되는 공간이다. 격벽(113)은, 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이 격자형으로 설치되므 로, 방전 공간(117)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상하(z축 방향)을 따라 설치되는 배면기판(101) 및 전면기판(107)과, 좌우(y축 방향)을 따라 배치되는 2개의 격벽(113) 및 보조 격벽(115)에 의해 구획된다.The partition wall 113 includes a plurality of discharge spaces having a predetermined area for a space formed by the rear substrate 101 and the front substrate 107 arranged to have a predetermined interval together with the auxiliary partition wall 115 to be described later ( 117). In other words, the discharge space 117 is a space defined by the back substrate 101, the front substrate 107, the partition wall 113, and the auxiliary partition wall 115. Since the partition wall 113 is provided in a lattice form, for example, as shown in FIG. 1, the discharge space 117 is provided with a rear substrate (up and down (z-axis direction) as shown in FIG. 2). 101 and the front substrate 107, and two partitions 113 and the auxiliary partitions 115 arranged along the left and right (y-axis directions).

도 2에 나타낸 바와 같이, 격벽(113)의 단면 형상은, 예를 들면, 테이퍼 형상으로 되어 있다. 도 2 에서는, 격벽(113)의 단면 형상은 테이퍼 형상이지만, 본 발명에 따른 격벽(113)의 단면 형상은 도면 중의 형상으로 한정되는 것은 아니고, 넓은 방전 공간(117)을 확보할 수 있는 형상이면, 여러 가지 형상을 가질 수 있고, 예를 들면 단면이 대략 장방형으로 될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape of the partition wall 113 is tapered, for example. In FIG. 2, the cross-sectional shape of the partition wall 113 is tapered, but the cross-sectional shape of the partition wall 113 according to the present invention is not limited to the shape shown in the drawing, and a shape capable of securing a wide discharge space 117 is provided. It may have various shapes, for example, may have a substantially rectangular cross section.

제2 격벽인 보조 격벽(115)은, 격벽(113)의 전면기판(107) 측의 단부에, 어드레스 전극 방향(즉, 도 2에 있어서의 X축 방향)을 따라 형성된다. 이러한 보조 격벽(115)은, 격벽(113)에 합류하는 충격을 흡수하는 완충 재료로서 기능하고, 충격에 의한 격벽(113)의 파괴를 방지할 수 있다.The auxiliary partition wall 115, which is the second partition wall, is formed at the end portion of the partition wall 113 along the front substrate 107 side along the address electrode direction (that is, the X axis direction in FIG. 2). Such an auxiliary partition wall 115 functions as a shock absorbing material that absorbs the impact that joins the partition wall 113, and can prevent destruction of the partition wall 113 due to the impact.

보조 격벽(115)은, 격벽(113)의 전면기판(107) 측의 단부에, 최소한 수μm정도의 두께로 형성되어 있으면 된다. 또, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같이, 보조 격벽(115)의 두께(즉, 도 3에 있어서의 z축 방향의 높이)을 H라고 해서, 격벽(113)의 전면기판(107) 측의 단부의 폭(즉, 도 3에 있어서의 y축 방향의 폭, 이하, 격벽의 탑 폭이라 한다.)을 W로 했을 때, 보조 격벽(115)의 두께(H)는, 격벽(113)의 탑 폭(W)의 2배 이하인 것이 바람직하다. 예를 들면, 격벽(113)의 탑 폭(W)이 30μm정도일 경우에, 보조 격벽(115)의 두께(H)는 5μm∼40μm정도로 할 수 있다.The auxiliary partition wall 115 should just be formed in the edge part by the front substrate 107 side of the partition wall 113 in thickness of at least several micrometers. For example, as shown in FIG. 3, the thickness of the auxiliary partition wall 115 (that is, the height in the z-axis direction in FIG. 3) is H, so that the front substrate 107 side of the partition wall 113 is positioned. When the width of the end portion (that is, the width in the y-axis direction in FIG. 3, hereinafter referred to as the width of the top of the partition wall) is W, the thickness H of the auxiliary partition wall 115 is equal to that of the partition wall 113. It is preferable that it is 2 times or less of the tower width W. For example, when the top width W of the partition 113 is about 30 µm, the thickness H of the auxiliary partition wall 115 may be about 5 µm to 40 µm.

보조 격벽(115)의 두께가 수μm미만인 경우, 완충 재료로서의 기능을 충분히 할 수 없어, 바람직하지 않다. 또, 보조 격벽(115)의 두께가 격벽(113)의 탑 폭(W)의 2배를 초과해도, 보조 격벽(115)의 두께가 탑 폭(W)의 2배일 경우에 비하여, 완충 재료로서의 기능에 큰 변화을 얻을 수 없기 때문에 바람직하지 않다.When the thickness of the auxiliary partition wall 115 is less than several micrometers, the function as a buffer material cannot fully be performed, and it is unpreferable. Moreover, even if the thickness of the auxiliary partition wall 115 exceeds 2 times the top width W of the partition wall 113, it is compared with the case where the thickness of the auxiliary partition wall 115 is twice the top width W as a buffer material. It is not preferable because a big change in function cannot be obtained.

상술 한 바와 같은 격벽(113) 및 보조 격벽(115)은, 소정의 유리 재료를 이용하여 형성된다. 격벽(113)을 형성할 때, 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도(Tg rib)는 보조 격벽(115)을 형성할 때, 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도(Tg sub)보다도 낮은(즉, Tg rib <Tg sub이 성립한다) 것이 바람직하다. 이러한 재료를 이용하는 것으로, 보조 격벽(115)이 격벽(113) 보다 연한 재질로 형성되는 것이 되기 때문에, 보조 격벽(115)이 충격을 흡수하는 완충 재료로서 기능하게 된다. 반대로, 격벽(113)을 형성하는 재료의 유리 전이 온도가 보조 격벽(115)을 형성하는 재료의 유리 전이 온도보다도 높은(즉, Tg rib≥Tg sub이 성립한다) 경우, 보조 격벽(115)이 격벽(113) 보다 단단한 재질로 형성되는 것이 되기 때문에, 보조 격벽(115)이 완충 재료의 기능을 달성할 수 없어, 바람직하지 않다.The partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115 which were mentioned above are formed using predetermined glass material. When forming the partition wall 113, the glass transition temperature Tg rib of the available glass material is lower than the glass transition temperature Tg sub of the available glass material when forming the auxiliary partition wall 115 (i.e., , Tg rib <Tg sub is established). By using such a material, since the auxiliary partition wall 115 is formed of a material softer than the partition wall 113, the auxiliary partition wall 115 functions as a shock absorbing material which absorbs an impact. Conversely, when the glass transition temperature of the material forming the partition wall 113 is higher than the glass transition temperature of the material forming the auxiliary partition wall 115 (that is, Tg rib ≧ Tg sub is established), the auxiliary partition wall 115 is formed. Since it is formed of a harder material than the partition wall 113, the auxiliary partition wall 115 cannot achieve the function of the buffer material, which is not preferable.

또, 격벽(113)을 형성할 때, 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도는, 예를 들면, 400℃∼510℃이며, 격벽(113)을 형성할 때, 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도는, 예를 들면, 440℃∼550℃인 것이 바람직하다. 이러한 온도범위의 유리 전이 온도를 소유하는 재료를 이용하고, 동시에, 격벽(113)의 형성에 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도(Tg rib)가, 보조 격벽(115)의 형성에 이용할 수 있는 유리 재료의 유리 전이 온도(Tg sub) 보다 낮아지도록 재료의 조합을 선택하는 것으로, 우수한 충격 흡수 기능을 소유하는 보조 격벽(115)을 형성할 수 있다.Moreover, when forming the partition 113, the glass transition temperature of the glass material which can be used is 400 degreeC-510 degreeC, for example, and when forming the partition 113, the glass transition of the glass material which can be used It is preferable that temperature is 440 degreeC-550 degreeC, for example. By using a material having a glass transition temperature in such a temperature range, and at the same time, the glass transition temperature Tg rib of the glass material which can be used for the formation of the partition wall 113 can be used for the formation of the auxiliary partition wall 115. By selecting the combination of materials to be lower than the glass transition temperature (Tg sub) of the glass material, it is possible to form the auxiliary partition wall 115 possessing excellent shock absorbing function.

예를 들면, 격벽(113)을 형성할 때, 이용할 수 있는 필러(filler)로서, 예를 들면, Al₂O₃, SiO₂, ZnO 중 최소한 어느 하나를 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 보조 격벽(115)의 형성에 이용할 수 있는 필러의 총첨가량(vol%)은, 격벽(113)의 형성에 이용할 수 있는 필러의 총첨가량(vol%) 보다 많은 것이 바람직하다. 예를 들면, 유리 재료에 대하여, 보조 격벽(115)의 형성에 이용할 수 있는 필러의 총첨가량을 30vol% 정도로 하고, 격벽(113)의 형성에 이용할 수 있는 필러의 총첨가량을 10vol% 정도로 할 수 있다.For example, as a filler (filler) that can be used in forming the barrier ribs 113, for example, it is preferable to use those containing at least any one of _{_{_{Al 2 O 3, SiO 2,}}} ZnO. In addition, the total addition amount (vol%) of the filler that can be used to form the auxiliary partition wall 115 is preferably larger than the total addition amount (vol%) of the filler that can be used to form the partition wall 113. For example, with respect to the glass material, the total amount of filler that can be used to form the auxiliary partition wall 115 may be about 30 vol%, and the total amount of filler that may be used for formation of the partition wall 113 may be about 10 vol%. have.

격벽(113)및 보조 격벽(115)을 형성하는 방법은, 공지된 모든 방법을 이용하는 것이 가능하지만, 예를 들면, 스크린 인쇄법, 샌드블라스트법, 포토리소그라피법, 또는 에칭법 등을 사용할 수 있다.As the method for forming the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115, any known method can be used, but for example, a screen printing method, a sand blast method, a photolithography method, an etching method, or the like can be used. .

이와 같이, 본 실시예에 따른 PDP(10)는 상대 방전형의 PDP로서, 2종류의 전극(103, 109)에 소정의 전압이 인가되면, 방전 공간(117)에 방전 경로가 발생되고, 플라즈마 방전이 발생한다. 본 실시예에 따른 PDP(10)에서, 방전 경로는, 격벽(113) 및 보조 격벽(115)으로 구성되는 격벽부의 높이 방향(즉, 도 2에 있어서의 z축 방향)에 따라, 대략 수직 방향으로 형성된다.As described above, the PDP 10 according to the present embodiment is a relative discharge type PDP. When a predetermined voltage is applied to the two types of electrodes 103 and 109, a discharge path is generated in the discharge space 117, and a plasma is generated. Discharge occurs. In the PDP 10 according to the present embodiment, the discharge path is approximately a vertical direction in accordance with the height direction of the partition wall portion (that is, the z-axis direction in FIG. 2) composed of the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115. Is formed.

한편, 본 실시예에 따른 방전 공간(117)의 각각은, 형광체층(도시하지 않음)이 설치된다. 형광체층은, 플라즈마 방전에 의해 발생한 자외선을 받고, 소정의 파장범위의 가시광선을 발광하는 층이며, 발광하는 가시광선의 파장은 형광체층에 포 함되는 형광체 물질을 변경하여 변화시킬 수 있다. 본 실시예에 따른 PDP(10)을 제조할 경우에는, 예를 들면, 적색(R) 발광하는 방전 공간(119), 녹색(G) 발광하는 방전 공간(121), 청색(B) 발광하는 방전 공간(123)의 3종류가 필요하기 때문에, 적어도 3종류의 형광체 물질을 구분하여 사용할 필요가 있다. 한편, 상기의 각색에서 발광하는 방전 공간을 형성하기 위해서 이용할 수 있는 형광체 물질은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 공지된 모든 형광체 물질을 사용하는 것이 가능하다.On the other hand, in each of the discharge spaces 117 according to the present embodiment, a phosphor layer (not shown) is provided. The phosphor layer is a layer that receives ultraviolet rays generated by plasma discharge and emits visible light in a predetermined wavelength range, and the wavelength of the visible light that emits light can be changed by changing a phosphor material included in the phosphor layer. When manufacturing the PDP 10 according to the present embodiment, for example, the discharge space 119 for emitting red (R), the discharge space 121 for emitting green (G), and the discharge for emitting blue (B) Since three kinds of spaces 123 are required, at least three kinds of phosphor materials need to be used separately. In addition, the fluorescent substance which can be used in order to form the discharge space which emits light in each said color is not specifically limited, It is possible to use all well-known fluorescent substance.

격벽(113)이나 보조 격벽(115)에 결손이 생기고, 다른 색을 발광하는 방전 공간이 공간적으로 연결되어 버리면, 한 쪽 방전 공간이 어느 색의 광을 발광하고 있을 때에, 공간적으로 연결되어 있는 방전 공간에도 발광이 생겨 버리는 경우가 있고, 혼색 등의 표시 불량이 원인이 된다. 이로 인해, 예를 들면 도 2에 나타낸 바와 같이, 적색(R) 발광하는 방전 공간 (이하, R 영역(119)이라 한다)(119), 녹색(G) 발광하는 방전 공간(이하, G 영역(121)이라 한다)(121), 청색(B) 발광하는 방전 공간(이하, B 영역(123)이라 한다)(123)이, y축 방향을 따라 순차로 형성되어 있을 경우, R 영역(119)과 G 영역(121)의 경계부는, 격벽(113)과 보조 격벽(115)에 의해서, 완전히 구획될 필요가 있다. 마찬가지로, G 영역(121)과 B 영역(123)의 경계부는 격벽(113)과 보조 격벽(115)에 의해서, 완전히 구획될 필요가 있다.If a deficiency occurs in the partition wall 113 or the auxiliary partition wall 115 and the discharge spaces emitting different colors are spatially connected, the discharge spaces are spatially connected when one discharge space emits light of a certain color. Light emission may also occur in the space, which causes display defects such as mixed color. For this reason, as shown, for example, in FIG. 2, red (R) discharge space (henceforth R area | region 119) 119, green (G) discharge space (hereafter, G area | region ( 121) and R region 119 when the discharge space (hereinafter referred to as B region 123) 123 which emits blue (B) light is sequentially formed along the y-axis direction. The boundary between the and G regions 121 needs to be completely partitioned by the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115. Similarly, the boundary between the G region 121 and the B region 123 needs to be completely partitioned by the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115.

이와 같은 형광체층은, 방전 공간(117) 내에 있고, 방전 경로가 아닌 장소이면 어디에 설치되어 있어도 상관없다. 또, 형광체층을, 형광체층으로부터의 발광이 투과해 가는 기판인 전면기판(107)에 설치할 경우에는, 투과율을 저하시키지 않기 위하여 형광체층의 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다. 또, 형광체층은, 예를 들 면, 스크린 인쇄법이나 포토리소그라피법 등의, 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다.Such a phosphor layer may be provided in the discharge space 117 and provided where it is not a discharge path. In the case where the phosphor layer is provided on the front substrate 107 which is a substrate through which light emission from the phosphor layer is transmitted, it is preferable to reduce the thickness of the phosphor layer so as not to lower the transmittance. In addition, the phosphor layer can be formed using a known method such as screen printing or photolithography.

또, 방전 공간(117)은 진공 상태가 아니고, 예를 들면, Xe이 주방전 가스인 Ne-Xe 가스 등이 봉입되어 있다. 또, 필요에 따라, 방전 가스 Ne의 일정량이, He으로 대체될 수도 있다.The discharge space 117 is not in a vacuum state, and for example, a Ne-Xe gas or the like in which Xe is a gas discharge gas is sealed. If necessary, a certain amount of discharge gas Ne may be replaced with He.

계속해서, 도 4을 참조하면, 본 실시예에 따른 PDP(10)에 대하여 상세히 설명한다. PDP(10)를 도 1의 A-A 절단선에서 절단한 확대 단면도에서는, 인접하는 방전 공간은 각각 다른 색의 광을 발색하는 방전 공간이었지만, PDP(10)을 B-B 절단선에서 절단한 확대 단면도에서는, 인접하는 방전 공간은, 동일한 색의 광을 발색하는 방전 공간이 된다.4, the PDP 10 according to the present embodiment will be described in detail. In the enlarged sectional view which cut | disconnected the PDP 10 by the AA cutting line of FIG. 1, although the adjacent discharge space was the discharge space which develops light of a different color, in the enlarged sectional view which cut | disconnected the PDP 10 by the BB cutting line, Adjacent discharge spaces become discharge spaces that emit light of the same color.

배면기판(101), 전면기판(107), 어드레스 전극(103), 제1 유전체층(105), 방전 유지 전극(109), 제2 유전체층(111), 및 격벽(113)에 대해서는, 도 2에서 설명한 것과 각각 동일한 기능을 가지고, 동일한 작용 효과를 나타내는 것이기 때문에 이하에서 상세한 설명은 생략한다.The back substrate 101, the front substrate 107, the address electrode 103, the first dielectric layer 105, the discharge sustain electrode 109, the second dielectric layer 111, and the partition 113 are shown in FIG. Since each has the same function as described and shows the same effect, detailed description is abbreviate | omitted below.

도 1 및 도 4로부터 명확히 나타난 바와 같이, 도 4의 y축 방향을 따른 격벽(113) 위에는 보조 격벽(115)이 형성되지 않는다. 그 결과, 격벽(113)과 제2 유전체층(111)의 사이에는, 도 4에 나타낸 것 같은 간극(125)이 형성된다.As clearly shown in FIGS. 1 and 4, the auxiliary partition wall 115 is not formed on the partition wall 113 along the y-axis direction of FIG. 4. As a result, a gap 125 as shown in FIG. 4 is formed between the partition wall 113 and the second dielectric layer 111.

X축 방향을 따라 배치된 방전 공간은, 각각 같은 색의 광을 발색하는 방전 공간(117)이고, 도 4에 나타낸 단면도에서는, G 영역(121)이 된다. 격벽(113)을 개재하여 서로 인접하는 방전 공간은 같은 색의 광을 발색하는 방전 공간이기 때문 에, 어느 방전 공간에서 발생한 플라즈마에 의해, 인접하는 방전 공간의 형광체층(도시하지 않음)이 발광했어도 혼색에 기인하는 표시 불량이 발생하지 않는다.The discharge spaces arranged along the X-axis direction are discharge spaces 117 that respectively emit light of the same color, and in the cross-sectional view shown in FIG. 4, the discharge spaces are the G regions 121. Since the discharge spaces adjacent to each other via the partition 113 are discharge spaces that emit light of the same color, even if the phosphor layer (not shown) of the adjacent discharge spaces emits light by plasma generated in any discharge space. Display defects due to mixed color do not occur.

본 실시예에 따른 PDP(10)에서는, 이러한 간극(125)을 방전 가스의 밀봉·배기 도입 경로로 이용한다. 이러한 경로가 형성되는 것에 의해, 방전 가스의 밀봉배기공정에서 배기 시간의 단축을 실현할 수 있다.In the PDP 10 according to the present embodiment, the gap 125 is used as a sealing and exhaust introduction path of the discharge gas. By forming such a path, it is possible to shorten the exhaust time in the sealing exhaust process of the discharge gas.

<본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 동작에 대해서><Operation of the plasma display panel according to the present embodiment>

계속해서, 본 실시예에 따른 PDP10의 동작에 대하여 설명한다. 어드레스 전극(103) 및 방전 유지 전극(109) 사이에, 방전 개시전압보다도 큰 교류 전압이 인가 되면, 각 전극에 인가되는 전압의 극성이 변화될 때마다, 어드레스 전극(103) 및 방전 유지 전극(109) 사이에 방전 경로가 형성되고, 이 방전 경로 중에 존재하는 방전 가스 중에 플라즈마 방전이 발생하여, 자외선이 방전 공간 중에 방사된다. 방전 공간 중에 방사된 자외선은, 방전 공간 중에 설치된 형광체층(도시하지 않음) 중의 형광체에 즈음하여, 이 자외선이 소유하는 에너지에 의해, 형광체가 발광한다. 형광체로부터의 발광은, 예를 들면 전면기판(107)을 투과하고, PDP(10)의 외부로 진행된다.Subsequently, the operation of the PDP10 according to the present embodiment will be described. When an alternating voltage greater than the discharge start voltage is applied between the address electrode 103 and the discharge sustain electrode 109, the address electrode 103 and the discharge sustain electrode (for each time the polarity of the voltage applied to each electrode changes). A discharge path is formed between 109 and the plasma discharge is generated in the discharge gas existing in the discharge path, and ultraviolet rays are emitted in the discharge space. Ultraviolet rays emitted in the discharge space emit light on the phosphor in the phosphor layer (not shown) provided in the discharge space, and the phosphor emits light by the energy possessed by the ultraviolet ray. Light emission from the phosphor passes through the front substrate 107 and proceeds outside of the PDP 10, for example.

한편, 본 실시예에 따른 PDP(10)에, 어드레스 전극(103) 및 방전 유지 전극(109)을 제어하는 드라이브 회로나, 그 밖의 장치를 접속하는 것으로, 본 실시예에 따른 PDP(10)를 구비한 플라스마 디스플레이를 제조할 수 있다. PDP을 구비한 플라스마 디스플레이를 제조하는 방법에 대해서는, 공지된 모든 방법을 적용할 수 있다.On the other hand, the PDP 10 according to the present embodiment is connected to a PDP 10 according to the present embodiment by connecting a drive circuit for controlling the address electrode 103 and the discharge sustaining electrode 109 or other devices. Plasma display provided can be manufactured. As for the method for producing a plasma display having a PDP, all known methods can be applied.

<본 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법에 대해서><Method of manufacturing plasma display panel according to the present embodiment>

계속해서, 도 5a 및 도 5b를 참조하면서, 본 실시예에 따른 PDP의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 5a 및 도 5b는 본 실시예에 따른 PDP의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다. 본 실시예에 따른 PDP(10)는 예를 들면, 이하에 나타난 단계를 거쳐서 제조할 수 있다.Subsequently, a manufacturing method of the PDP according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 5A and 5B. 5A and 5B are explanatory views for explaining the manufacturing method of the PDP according to the present embodiment. The PDP 10 according to the present embodiment can be manufactured through, for example, the steps shown below.

다시 말해, 본 실시예에 따른 PDP(10)는 예를 들면, 배면기판(101) 위에 어드레스 전극(103) 및 제1 유전체층(105)을 제조하는 단계와, 제1 유전체층(105) 위에 격벽형성층(151)을 형성하는 단계와, 격벽형성층(151) 위에 보조 격벽형성층(153)을 형성하는 단계와, 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 소성하는 단계와, 격벽형상을 형성하는 단계와, 방전 유지 전극(109) 및 제2 유전체층(111)이 형성된 전면기판(107)을 배치하는 단계를 거쳐서 제조할 수 있다.In other words, the PDP 10 according to the present exemplary embodiment may include, for example, fabricating an address electrode 103 and a first dielectric layer 105 on the back substrate 101, and forming a barrier rib forming layer on the first dielectric layer 105. Forming an 151, forming an auxiliary barrier rib forming layer 153 on the barrier rib forming layer 151, firing the barrier rib forming layer 151 and the auxiliary barrier rib forming layer 153, and forming a barrier rib shape. And the front substrate 107 on which the discharge sustain electrode 109 and the second dielectric layer 111 are formed may be manufactured.

배면기판(101) 위에 어드레스 전극(103) 및 제1 유전체층(105)을 제조하는 단계는, 배면기판(101)으로 이용하는 유리 기판 위에, 소정의 방법으로 어드레스 전극(103)을 형성한 후, 전극인출부 이외의 장소에 제1 유전체층(105)로 반사형 유전체층을 형성하는 단계이다.The manufacturing of the address electrode 103 and the first dielectric layer 105 on the back substrate 101 may include forming an address electrode 103 on a glass substrate used as the back substrate 101 by a predetermined method, and then The reflective dielectric layer is formed of the first dielectric layer 105 at a place other than the lead portion.

제1 유전체층(105) 위에 격벽형성층(151)을 형성하는 단계는, 예를 들면 도 5a (a)에 나타낸 바와 같이, 전술한 필러를 포함하는 유리 재료를 사용하고, 제1 유전체층(105) 위로 격벽형성층(151)을 형성하는 단계이다.Forming the barrier rib forming layer 151 over the first dielectric layer 105 uses a glass material comprising the above-described filler, for example, as shown in FIG. 5A (a), above the first dielectric layer 105. It is a step of forming the barrier rib forming layer 151.

격벽형성층(151) 위에 보조 격벽형성층(153)을 형성하는 단계는, 예를 들면 도5a (b)에 나타낸 바와 같이, 전술한 필러를 포함하는 유리 재료를 사용하고, 격 벽형성층(151) 위에 보조 격벽형성층(153)을 패터닝하는 단계이다. 이러한 단계를 거치는 것으로, 어드레스 전극(103)에 대하여 평행한, 복수개의 보조 격벽형성층(153)이 형성된다.Forming the auxiliary barrier rib forming layer 153 on the barrier rib forming layer 151, for example, as shown in Figure 5a (b), using a glass material containing the above-described filler, on the barrier rib forming layer 151 The auxiliary barrier rib forming layer 153 is patterned. Through this step, a plurality of auxiliary partition wall forming layers 153 parallel to the address electrode 103 are formed.

격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 소성하는 단계는, 예를 들면 도5a (c)에 나타낸 바와 같이, 형성한 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 동시에 소성하는 단계이다. 이 단계를 거치는 것으로, 보조 격벽형성층(153)은 보조 격벽(115)으로 된다.The step of firing the partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 may include firing the formed partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 simultaneously, for example, as shown in FIG. 5A (c). to be. Through this step, the auxiliary partition wall forming layer 153 becomes the auxiliary partition wall 115.

격벽형상을 형성하는 단계는, 예를 들면 도5a (d)에 나타낸 바와 같이, 소성후의 격벽형성층(155) 및 보조 격벽(115)에 드라이필름레지스트(Dry Film Resist: DFR) 등의 레지스트층(157)을 형성하는 단계와, 예를 들면 도 5b (e)에 나타낸 바와 같이, 레지스트층(157)을 격벽의 형성 패턴에 맞추어 노광·현상하는 단계와, 예를 들면 도 5b (f)에 나타낸 바와 같이, 소성 후의 격벽형성층(155)을 가공하는 단계와, 예를 들면 도 5b (g)에 나타낸 바와 같이, 잔존하고 있는 레지스트층(157)을 제거하는 단계를 포함한다.The forming of the barrier rib shape may include, for example, a resist layer such as a dry film resist (DFR) on the barrier rib forming layer 155 and the auxiliary barrier rib 115 after firing, as shown in FIG. 5A (d). 157), for example, as shown in Fig. 5B (e), exposing and developing the resist layer 157 in accordance with the formation pattern of the partition wall, and for example as shown in Fig. 5B (f). As described above, the method includes processing the partition wall forming layer 155 after firing, and removing the remaining resist layer 157 as shown in FIG. 5B (g), for example.

이러한 단계를 거치는 것으로, 도 5b (g)에 나타낸 바와 같이, 격벽(113) 및 보조 격벽(115)이 형성된 배면기판(101)을 제조할 수 있다.By passing through these steps, as shown in FIG. 5B (g), the back substrate 101 on which the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115 are formed can be manufactured.

또, 레지스트층(157)을 제거하는 단계의 뒤에, 형광체층을 형성하는 단계를 또 포함해도 된다.In addition, after the step of removing the resist layer 157, a step of forming a phosphor layer may be further included.

다른 한편으로, 전면기판(107)으로 이용되는 유리 기판에 대하여, ITO 등을 이용해서 투명한 모선전극을 형성한 후에, 인쇄법 등을 이용해서 버스 전극을 형성 함으로써, 전면기판(107) 위에 방전 유지 전극(109)을 형성할 수 있다. 그 후, 방전 유지 전극(109) 위에 제2 유전체층(111)을 형성함으로써, 방전 유지 전극(109) 및 제2 유전체층(111)이 형성되는 전면기판(107)을 제조 할 수 있다. 또, 제2 유전체층(111)을 형성한 후에, 유전체층을 보호하는 보호막으로서 MgO 등을 성막할 수도 있다.On the other hand, after the transparent bus bar electrode is formed on the glass substrate used as the front substrate 107 by using ITO or the like, a bus electrode is formed by using a printing method or the like, thereby maintaining the discharge on the front substrate 107. The electrode 109 can be formed. Thereafter, by forming the second dielectric layer 111 on the discharge sustain electrode 109, the front substrate 107 on which the discharge sustain electrode 109 and the second dielectric layer 111 are formed can be manufactured. After the second dielectric layer 111 is formed, MgO or the like may be formed as a protective film for protecting the dielectric layer.

상술한 바와 같은 방법으로 형성된 전면기판(107)을 보조 격벽(115) 위에 배치하는 것으로, 본 실시예에 따른 PDP(10)를 제조할 수 있다. 그 후, 방전 공간 내부를 배기한 뒤에 소정의 방전 가스를 주입하고, 방전 공간을 밀봉하는 단계를 행한다.By arranging the front substrate 107 formed by the above-described method on the auxiliary partition wall 115, the PDP 10 according to the present embodiment can be manufactured. Thereafter, after discharging the inside of the discharge space, a predetermined discharge gas is injected to seal the discharge space.

이러한 방법에 의해 격벽(113) 및 보조 격벽(115)을 형성함에서, 보조 격벽(115) 위에 전면기판(107)을 설치했을 때에 생기는 충격이 보조 격벽(115)에 의해 흡수되는 때문에, 전면기판(107)의 설치에 따라 생길 수 있는 격벽(113)의 파괴를 방지할 수 있다.In the formation of the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115 by this method, since the impact generated when the front substrate 107 is installed on the auxiliary partition wall 115 is absorbed by the auxiliary partition wall 115, the front substrate It is possible to prevent destruction of the partition wall 113 that may occur due to the installation of the 107.

또, 본 실시예에 따른 제조 방법에서는, 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 동시에 소성하는 것이 가능하기 때문에, 소성 회수를 증가시키지 않고 보조 격벽(115)을 형성할 수 있다.In addition, in the manufacturing method according to the present embodiment, since the partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 can be baked at the same time, the auxiliary partition wall 115 can be formed without increasing the number of firings.

여기에서, 배면기판(101) 위에 어드레스 전극(103) 및 제1 유전체층(105)을 형성하는 단계와, 전면기판(107) 위에 방전 유지 전극(109)과 제2 유전체층(111)을 형성하는 단계는, 임의의 순차로 행하는 것이 가능하고, 상기 2개의 단계를 병행할 수도 있다.Here, forming an address electrode 103 and a first dielectric layer 105 on the back substrate 101, and forming a discharge sustain electrode 109 and the second dielectric layer 111 on the front substrate 107. Can be performed in any order, and the two steps can be performed in parallel.

한편, 전술한 설명에서는, 배면기판(101) 위에 격벽(113) 및 보조 격벽(115)을 형성하고, 마지막으로 전면기판(107)을 설치할 경우에 대하여 설명했지만, 전면기판(107) 측에서 플라스마 디스플레이 패널을 제조해 가는 경우에는, 배면기판(101)과 격벽(113) 사이에 보조 격벽(115)을 배치하는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the above description, the case where the partition wall 113 and the auxiliary partition wall 115 are formed on the rear substrate 101 and the front substrate 107 is finally provided has been described, but the plasma on the front substrate 107 side has been described. When manufacturing the display panel, it is preferable to arrange the auxiliary partition wall 115 between the back substrate 101 and the partition wall 113.

또, 전술한 설명에서는, 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 소성하는 단계 뒤에, 격벽형상을 형성하는 단계를 실시할 경우에 대하여 설명했지만, 격벽형상을 형성하는 단계를 행한 후에, 격벽형상이 형성된 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)을 소성하는 단계를 행해도 좋다.In the above description, the case where the partition wall shape is formed after the step of firing the partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 has been described, but after the step of forming the partition wall shape, The step of firing the partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 in which the partition wall shape is formed may be performed.

계속해서, 본 발명에 따른 PDP의 제조 방법에 대해서, 실시예를 나타내면서 상세히 설명한다. 한편, 본 발명에 따른 PDP가 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또, 이하의 예에서는, 용제로서 부틸칼비톨 아세테이트(Butyl Carbitol Acetate: BCA)을 이용할 경우에 대해서 상세히 설명하지만, 이용 가능한 용제는 BCA에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 타르피네올(terpineol) 등의 용제도 사용할 수 있다.Next, the manufacturing method of the PDP which concerns on this invention is demonstrated in detail, showing an Example. On the other hand, the PDP according to the present invention is not limited to the following examples. In addition, in the following examples, although the case where butyl carbitol acetate (BCA) is used as a solvent is demonstrated in detail, the solvent which can be used is not limited to BCA, For example, tarpineol (terpineol) Solvents, such as these, can also be used.

(실시예1)Example 1

<배면기판의 형성><Formation of back substrate>

먼저, 유리 기판(101) 위에 인쇄법을 이용해서 어드레스 전극을 Ag, Al, Ni, Cu, Mo 또는 Cr등을 원료로 하여 형성하고, 건조 후, 전극재료가 소결하고, 동시에, 유리 기판이 용융하지 않는 온도, 예를 들면, 520℃∼600℃의 온도 범위에서 소성한다.First, an address electrode is formed using Ag, Al, Ni, Cu, Mo, or Cr as a raw material on the glass substrate 101 by printing, and after drying, the electrode material is sintered, and at the same time, the glass substrate is melted. It bakes at the temperature which does not, for example, the temperature range of 520 degreeC-600 degreeC.

그 다음에, 반사형 유전체층을 전극인출부 이외의 장소에 코팅 장치로 형성하고, 반사형 유전체층 형성에 이용한 BCA 등이 증발하는 온도인 80℃∼200℃에서 건조한다.Next, the reflective dielectric layer is formed by a coating apparatus at a place other than the electrode lead-out portion, and dried at 80 ° C to 200 ° C, which is a temperature at which BCA or the like used for forming the reflective dielectric layer evaporates.

계속해서, 전술한 필러를 포함하는 유리 재료를 사용하고, 격벽형성층(151)을 코팅 장치로 형성하고, BCA 등의 용제가 증발하는 온도인 80℃∼200℃에서 건조한다.Subsequently, using the glass material containing the above-mentioned filler, the partition formation layer 151 is formed with a coating apparatus, and it is dried at 80 degreeC-200 degreeC which is a temperature at which solvents, such as BCA, evaporate.

그 다음에, 전술한 필러를 포함하는 유리 재료를 사용하고, 인쇄법으로 보조 격벽형성층(153)을 형성하고, BCA 등의 용제가 증발하는 온도인 80℃∼200℃에서 건조한다.Next, using the glass material containing the above-mentioned filler, the auxiliary partition wall forming layer 153 is formed by the printing method and dried at 80 to 200 degreeC which is a temperature at which solvents, such as BCA, evaporate.

계속해서, 격벽형성층(151) 및 보조 격벽형성층(153)이 소결하고, 동시에, 유리 기판(101)이 용융하지 않는 온도인 520℃∼600℃에서 소성한다.Subsequently, the partition wall forming layer 151 and the auxiliary partition wall forming layer 153 are sintered, and at the same time, the glass substrate 101 is baked at temperatures of 520 ° C. to 600 ° C. at which the glass substrate 101 does not melt.

그 다음에, 라미네이터를 이용해서 유전체층 위에 DFR를 붙이고, 격벽 패턴으로 노광·현상했다. 이로 인해, 개구부를 형성했다. 계속해서, 샌드블라스트 장치로 개구부를 제거하여 격벽형상을 형성한다.Subsequently, DFR was stuck on the dielectric layer using a laminator and exposed and developed in a partition pattern. For this reason, the opening part was formed. Subsequently, the opening is removed with a sandblasting device to form a partition wall shape.

그 다음에, R, G, B의 3색으로 각각 발광하는 형광체를, 인쇄법에 의하여 스트라이프형으로 형성하고, 용제가 증발하는 온도인 80℃∼200℃에서 건조했다. 건조 종료 후에, 계속해서, 형광체가 소결하는 온도인 400℃∼500℃에서, 형광체를 소성한다.Subsequently, phosphors emitting light in three colors of R, G, and B were each formed in a stripe shape by a printing method, and dried at 80 ° C to 200 ° C, which is a temperature at which the solvent evaporates. After completion of drying, the phosphor is fired at 400 ° C to 500 ° C, which is a temperature at which the phosphor is sintered.

<전면기판의 형성><Formation of front substrate>

먼저, 유리 기판 위에 ITO막을 0.1μm∼0.5μm정도 스퍼터링법으로 형성한다. 계속해서, 라미네이터를 이용하고, ITO 막 위에 DFR를 붙여, 노광·현상·에칭 처리하여 모선전극을 형성한다.First, an ITO film is formed on a glass substrate by the sputtering method about 0.1 micrometer-about 0.5 micrometer. Subsequently, using a laminator, a DFR is pasted on the ITO film to expose, develop and etch to form a bus electrode.

그 다음에, 인쇄법을 이용해서 버스 전극을 형성하고, BCA 등의 용제가 증발하는 온도인 80℃∼200℃에서 건조한다. 건조 종료 후에, 전극이 소결하고, 동시에, 유리 기판이 용융하지 않는 온도인 520℃∼600℃의 온도 범위에서, 전극을 소성한다.Next, a bus electrode is formed using a printing method and dried at 80 ° C to 200 ° C, which is a temperature at which a solvent such as BCA evaporates. After completion of drying, the electrode is sintered and at the same time, the electrode is fired at a temperature range of 520 ° C to 600 ° C, which is a temperature at which the glass substrate does not melt.

그 다음에, 코팅 장치를 사용해서 제2 유전체층을 형성한 후, 용제가 증발하는 온도에서 건조한다. 건조 종료 후에, 유전체가 소결하고, 동시에, 유리 기판이 용융하지 않는 온도인 520℃∼600℃의 온도 범위에서, 유전체층을 소성한다.Next, after forming the second dielectric layer using the coating apparatus, the solvent is dried at a temperature at which the solvent evaporates. After completion of drying, the dielectric is sintered, and at the same time, the dielectric layer is fired at a temperature range of 520 ° C to 600 ° C, which is a temperature at which the glass substrate does not melt.

계속해서, 제2 유전체층 위에, 보호층으로서 MgO막을 0.3μm∼1.0μm정도 진공증착법으로 형성한다.Subsequently, an MgO film is formed on the second dielectric layer as a protective layer by a vacuum deposition method of about 0.3 µm to 1.0 µm.

<조립> <Assembly>

상기한 바와 같이 제조한 배면기판에, 유리 프릿 등으로 이루어지는 씰제를 도포하고, 씰제가 굳어지는 온도인 400℃∼500℃로 소성한다. 그 후, 배면기판에 형성된 보조 격벽 위에 전면기판을 설치하고, 개구부에 Ne-Xe의 혼합 가스를 충전한 뒤에, 상기의 소성 온도보다 높은 소성 온도에서 소성한다. 상기한 바와 같이 해서, 본 실시예에 따른 PDP을 제조했다.On the back substrate manufactured as described above, a sealant made of glass frit or the like is applied and fired at 400 ° C to 500 ° C, which is a temperature at which the sealant solidifies. Thereafter, the front substrate is provided on the auxiliary partition wall formed in the back substrate, and the opening is filled with a mixed gas of Ne-Xe, and then fired at a firing temperature higher than the firing temperature. As described above, the PDP according to the present embodiment was produced.

전술한 방법으로 형성한 PDP에 대하여, 격벽의 파괴 유무를 검증했지만, 전면기판의 설치에 수반하는 보조 격벽의 파괴는 확인되지 않았다.With respect to the PDP formed by the above-described method, the presence or absence of breakage of the partition wall was verified, but the destruction of the auxiliary partition wall accompanying the installation of the front substrate was not confirmed.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라스마 디스플레이 패널에서는, 보조 격벽을 완충 재료(쿠션 재료)로 이용하고, 격벽에 가해지는 충격을 흡수시킬 수 있기 때문에, 충격에 의한 격벽의 파괴를 방지할 수 있고, 나아가서는 표시 불량을 방지할 수 있다.As described above, in the plasma display panel according to the present invention, since the auxiliary barrier rib is used as a cushioning material (cushion material) and the shock applied to the barrier rib can be absorbed, breakage of the barrier rib due to the impact can be prevented. Furthermore, display defects can be prevented.

또, 본 발명에서는 다른 색을 발색하는 서로 인접한 방전 공간을 구획하는 격벽 위에만, 보조 격벽을 형성하기 위하여, 같은 색을 발색하는 인접한 방전 공간을 구획하는 격벽 위에는 보조 격벽이 형성되지 않는다. 이로 인해, 기판과 격벽 사이에 간극이 생기고, 가스의 밀봉·배기 도입 경로를 확보할 수 있다. 이에 따라, 가스의 밀봉·배기에 수반하는 시간을 단축할 수 있다.In addition, in this invention, in order to form an auxiliary partition only in the partition which partitions adjacent discharge space which colors different colors, an auxiliary partition is not formed on the partition which partitions adjacent discharge space which colors the same color. For this reason, a clearance gap arises between a board | substrate and a partition, and the gas sealing and exhaust introduction path can be ensured. Thereby, the time accompanying sealing and exhaust of gas can be shortened.

또한, 격벽을 형성하는 재료와 보조 격벽을 형성하는 재료를 동시에 소성하는 것이 가능한 때문에, 소성 회수를 증가시지 않고 플라스마 디스플레이 패널을 형성할 수 있다.In addition, since the material for forming the partition walls and the material for forming the auxiliary partition walls can be fired at the same time, the plasma display panel can be formed without increasing the number of firings.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명이 바람직한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자이면, 특허청구의 범위에 기재된 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 이를 수 있는 것은 명확하기 때문에 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated about preferred embodiment, referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this example. As those skilled in the art, it is obvious that various changes or modifications can be made within the scope described in the claims, and therefore, they naturally belong to the technical scope of the present invention.

예를 들면, 상술한 실시예에서는, 플라스마 디스플레이가 어드레스 전극과 방전 유지 전극의 2종류의 전극을 소유하는 2전극 구조인 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명에 따른 플라스마 디스플레이의 전극의 종류는 전술한 경우에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 3종류 이상의 전극을 소유하는 3전극 구조도 된다.For example, in the above-described embodiment, the case where the plasma display has a two-electrode structure having two kinds of electrodes of an address electrode and a discharge sustaining electrode has been described, but the type of the electrode of the plasma display according to the present invention is described above. It is not limited to the case, For example, the three-electrode structure which has three or more types of electrodes is also good.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 부분평면도이다.1 is a partial plan view for explaining a plasma display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 동실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating the structure of a plasma display panel according to the embodiment.

도 3은 동실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 격벽을 설명하기 위한 설명도이다.3 is an explanatory diagram for explaining a partition of the plasma display panel according to the embodiment.

도 4는 동실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a plasma display panel according to the embodiment.

도 5a는 동실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다.5A is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a plasma display panel according to the embodiment.

도 5b는 동실시예에 따른 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다. 5B is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a plasma display panel according to the embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 플라스마 디스플레이 패널 101 : 배면기판10: plasma display panel 101: back substrate

103 : 어드레스 전극 105 : 제1유전체층103: address electrode 105: first dielectric layer

107 : 전면기판 109 : 방전 유지 전극107: front substrate 109: discharge sustaining electrode

111 : 제2유전체층 113 : 격벽111: second dielectric layer 113: partition wall

115 : 보조 격벽 117 : 방전 공간115: auxiliary bulkhead 117: discharge space

119 : R영역 121 : G영역119: R area 121: G area

123 : B영역 125 : 간극123: B area 125: gap

151 : 격벽형성층 153 : 보조 격벽형성층151: partition wall forming layer 153: auxiliary partition wall forming layer

155 : 소성후의 격벽형성층 157 : 레지스트층155: barrier rib forming layer after firing 157: resist layer

W : 격벽의 폭 H : 보조 격벽의 높이W: Width of bulkhead H: Height of auxiliary bulkhead

Claims

A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

A first dielectric layer formed on the first substrate,

A second dielectric layer formed on the second substrate;

A first electrode provided in the first dielectric layer along a first direction;

A second electrode provided in the second dielectric layer along a second direction orthogonal to the first direction;

A first partition wall disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer and partitioning a plurality of discharge spaces;

And a second partition wall disposed along the first direction at an end portion of the first partition wall on the side of the second dielectric layer.

According to claim 1,

The glass transition temperature of the material forming the first partition wall is

And a plasma display panel lower than the glass transition temperature of the material forming the second partition.

The method according to any one of claims 1 and 2,

The first partition wall and the second partition wall,

A plasma display panel formed using a filler including at least one of Al 2 O 3, SiO 2, and ZnO.

The method according to any one of claims 1 and 2,

And a thickness of the second partition wall is less than twice the width of an end portion of the first partition wall on the side of the second dielectric layer.

The method of claim 2,

The glass transition temperature of the material which forms the said 1st partition is 400 degreeC-510 degreeC,

The glass transition temperature of the material which forms the said 2nd partition wall is 440 degreeC-550 degreeC.

The method of claim 3, wherein

The addition amount of the said filler which can be used for forming a said 2nd partition is more plasma display panel than the addition amount of the said filler which can be used for forming a said 1st partition.

Forming a first electrode on the first substrate, the first electrode being disposed in a first direction, and forming a first dielectric layer to cover the first electrode;

Forming a first partition wall forming layer on the first dielectric layer to form a first partition wall that partitions a discharge space;

Forming a second partition wall forming layer on the first partition wall forming layer, the second partition wall forming layer extending along the first direction;

Firing the barrier rib forming layer and the second barrier rib forming layer.

The method of claim 7, wherein

And after the step of firing the barrier rib forming layer and the second barrier rib forming layer, processing the fired first barrier rib forming layer and the second barrier rib forming layer and forming a partition wall shape.

The method of claim 7, wherein

And processing the first partition wall forming layer and the second partition wall forming layer and forming a partition wall shape before the step of firing the partition wall forming layer and the second partition wall forming layer.