KR20100056739A - 발광소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 기판;상기 기판 상에 상호 이격되어 형성된 복수의 돌기;상기 복수의 돌기를 덮도록 형성되며, 발광 영역을 갖는 반도체층;상기 반도체층의 상면에서 상기 기판을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 점차 넓어지는 복수의 언더컷 편향홈을 포함하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 언더컷 편향홈은 상기 돌기가 형성되지 않은 기판 영역의 상측에 대응형성되는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 복수의 돌기가 형성되지 않은 기판 영역에 편향홈 유도 패턴이 더 형성되고, 상기 편향홈 유도 패턴 상측에 대응하여 언더컷 편향홈이 형성되는 발광소자.
- 청구항 3에 있어서,상기 복수의 돌기 및 복수의 언더컷 편향홈 각각은 주기적 배열을 갖도록 형성되는 발광소자.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판 또는 상기 기판 상에 형성된 편향홈 유도 패턴과 접하는 반도체층의 내측 경사각이 30° 내지 70°가 되도록 형성되는 발광소자.
- 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 복수의 돌기 및 복수의 편향홈 유도 패턴을 형성하는 단계;상기 복수의 돌기 및 복수의 편향홈 유도 패턴이 형성된 기판 상에 상기 기판을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 점차 좁아지는 편향홈을 갖는 반도체층을 형성하는 단계;상기 복수의 편향홈의 내측 영역을 습식 식각하여 기판을 향하는 방향으로 갈수록 폭이 점차 넓어지는 언더컷 편향홈을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 기판 상에 SiOx, SiNx, W 및 Pt 중 어느 하나의 물질로 이루어진 마스크 박막을 형성한 후, 상기 마스크 박막을 패터닝하여 상호 이격된 복수의 돌기 및 편향홈 유도 패턴을 형성하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 복수의 돌기 및 복수의 편향홈 유도 패턴은 주기적 배열을 갖도록 형성하고, 상기 돌기 및 편향홈 유도 패턴은 서로 다른 크기로 형성하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 돌기는 5㎛ 이하의 크기로 형성하고, 상기 편향홈 유도 패턴은 5㎛ 이상의 크기로 형성하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 편향홈의 내측 영역을 습식 식각하여 언더컷 편향홈을 형성하는 단계에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 편향홈에 의해 노출된 편향홈 유도 패턴을 함께 제거하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 언더컷 편향홈의 형성 단계는, 수산화칼륨, 황산, 인산 및 알루에치(4H8PO4+4CH8COOH+HNO8+H2O) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각 용액을 이용하여 실시하는 발광소자의 제조 방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 반도체층은 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하고, 선택적 MOCVD 법으로 형성하는 발광소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080115696A KR101005301B1 (ko) | 2008-11-20 | 2008-11-20 | 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080115696A KR101005301B1 (ko) | 2008-11-20 | 2008-11-20 | 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100056739A true KR20100056739A (ko) | 2010-05-28 |
KR101005301B1 KR101005301B1 (ko) | 2011-01-04 |
Family
ID=42280695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080115696A KR101005301B1 (ko) | 2008-11-20 | 2008-11-20 | 발광소자 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101005301B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012020896A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Uv light emitting diode and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW536841B (en) | 2001-03-21 | 2003-06-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Semiconductor light emitting element |
US7803648B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-09-28 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof |
KR100871614B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-12-02 | 전북대학교산학협력단 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
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2008
- 2008-11-20 KR KR1020080115696A patent/KR101005301B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012020896A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Uv light emitting diode and method of manufacturing the same |
CN103069584A (zh) * | 2010-08-11 | 2013-04-24 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | Uv发光二极管及其制造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101005301B1 (ko) | 2011-01-04 |
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