TWI506809B - 發光二極體晶粒及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種發光二極體晶粒及其製作方法，尤其涉及一種具有高出光效率的發光二極體晶粒及其製作方法。
發光二極體(Light Emitting Diode，LED)係一種可將電流轉換成特定波長範圍的光的半導體元件。發光二極體以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與積體電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用於照明領域。
先前的發光二極體晶粒通常包括基板以及在基板表面生長的半導體發光結構。然而上述結構存在以下問題：半導體發光結構所發出的朝向基板一側的光線在進入基板後，會被基板所吸收而轉化成熱能，從而降低發光二極體晶粒的出光效率。
有鑒於此，有必要提供一種具有較高出光效率的發光二極體晶粒及其製作方法。
一種發光二極體晶粒的製作方法，其包括以下步驟：提供一基板，該基板上形成有第一圖案化磊晶阻擋層；在基板具有第一圖案化磊晶阻擋層的一面生長第一n型半導體層
，在第一n型半導體層未完全覆蓋第一圖案化磊晶阻擋層時停止生長該第一n型半導體層；將第一圖案化磊晶阻擋層去除，在原第一圖案化磊晶阻擋層的位置遺留下第一組孔洞；繼續在第一組孔洞上生長第一n型半導體層直至該第一n型半導體層完全覆蓋該第一組孔洞；在該第一n型半導體層上形成發光結構。
一種發光二極體晶粒，其包括：一基板；一形成於該基板上的n型半導體層，在該n型半導體層與該基板相接的介面上形成有第一組圖案化孔洞，該n型半導體層完全覆蓋該第一組圖案化孔洞；一形成於該n型半導體層上的發光結構，該發光結構與第一組圖案化孔洞相對設置。
在半導體發光結構與基板之間形成的第一組孔洞可提高半導體發光結構發出的朝向基板的光線經全反射向上出射的機率，從而提高發光二極體晶粒的出光效率。
10、30‧‧‧發光二極體晶粒
11、31‧‧‧基板
12、32、320‧‧‧圖案化磊晶阻擋層
13、33、330‧‧‧n型半導體層
21、41、410‧‧‧孔洞
14、34‧‧‧有源層
15、35‧‧‧p型半導體電流阻擋層
16、36‧‧‧p型半導體接觸層
17、37‧‧‧p型接觸電極
18、38‧‧‧n型接觸電極
108、308‧‧‧發光結構
109、309‧‧‧介面
圖1係本發明發光二極體晶粒的製作方法第一實施例中提供的第一種製作有圖案化磊晶阻擋層的基板的截面示意圖。
圖2係圖1中的製作有圖案化磊晶阻擋層的基板的俯視示意圖。
圖3係本發明發光二極體晶粒的製作方法第一實施例中提供的第二種製作有圖案化磊晶阻擋層的基板的截面示意圖。
圖4係在圖1中的基板上生長n型半導體層以覆蓋部分圖案化磊晶
阻擋層的截面示意圖。
圖5係將圖4的圖案化磊晶阻擋層去除後的截面示意圖。
圖6係在圖5中的基板上形成連續的n型半導體層的截面示意圖。
圖7係在圖6中的n型半導體層上形成有源層的截面示意圖。
圖8係在圖7中的有源層上形成p型半導體電流阻擋層的截面示意圖。
圖9係在圖8中的p型半導體電流阻擋層上形成p型半導體接觸層的截面示意圖。
圖10係在圖9中的n型半導體層與p型半導體接觸層上分別製作電極的截面示意圖。
圖11係本發明發光二極體晶粒的製作方法第二實施例中提供的製作有第一圖案化磊晶阻擋層的基板的截面示意圖。
圖12係在圖11中的基板上生長第一n型半導體層以覆蓋部分第一圖案化磊晶阻擋層的截面示意圖。
圖13係將圖12的第一圖案化磊晶阻擋層去除後的截面示意圖。
圖14係在圖13中的基板上形成連續的第一n型半導體層的截面示意圖。
圖15係將圖14中的基板上的第一n型半導體層部分蝕刻掉的截面示意圖。
圖16係在圖15中的第一n型半導體層上形成第二圖案化磊晶阻擋層的截面示意圖。
圖17係在圖15中的第一n型半導體層上生長第二n型半導體層以覆蓋部分第二圖案化磊晶阻擋層的截面示意圖。
圖18係在係將圖17的第二圖案化磊晶阻擋層去除後的截面示意圖。
圖19係在圖18中的第一n型半導體層上形成連續的第二n型半導體層的截面示意圖。
圖20係在圖19中的第二n型半導體層上依次形成有源層、p型半導體電流阻擋層、p型半導體接觸層的截面示意圖。
圖21係在圖20中的第二n型半導體層與p型半導體接觸層上分別製作電極的截面示意圖。
以下將結合附圖對本發明發光二極體晶粒的製作方法作進一步的詳細說明。
第一實施例
請參見圖1，首先提供一基板11，並在基板11上製作圖案化磊晶阻擋層12，基板11可由藍寶石，碳化矽(SiC)，矽(Si)等材料形成。
圖案化磊晶阻擋層12可為多個互不相連的獨立圖形，例如圖2所示，圖案化磊晶阻擋層12由多條平行排列的長條狀二氧化矽層所組成。圖案化磊晶阻擋層12亦可為一個連續的圖形，例如圖3所示，圖案化磊晶阻擋層12由交叉排列的條狀二氧化矽層組成，從而形成網格結構。當然，圖案化磊晶阻擋層12的組成形狀可根據
需要進行設計。圖案化磊晶阻擋層12可由二氧化矽(SiO2)，氮化矽(SiN)等材料形成。
如圖4所示，採用金屬有機氣相沈積方法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或分子束外延生長方法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)在基板11的具有圖案化磊晶阻擋層12的表面生長n型半導體層13。在n型半導體層13未完全覆蓋圖案化磊晶阻擋層12時停止生長n型半導體層13。n型半導體層13可由氮化鎵(GaN)基III-V族半導體化合物形成，例如n-AlxInyGa1-x-yN。在本實施例中，圖案化磊晶阻擋層12由多條平行排列的長條狀二氧化矽層所組成，二氧化矽層沿垂直於其延伸方向的截面形狀為梯形。當然，二氧化矽層亦可具有其他截面形狀，例如弧形。相鄰兩條二氧化矽層之間基本被n型半導體層13覆蓋，而每個圖案化磊晶阻擋層12的上方還保持部分裸露區域。根據實際需要，可藉由設定生成n型半導體層13的反應條件來控制圖案化磊晶阻擋層12上方裸露區域的多少。
如圖5所示，使用蝕刻液去除圖案化磊晶阻擋層12。可理解的是，圖案化磊晶阻擋層12所用材料不同，採用的蝕刻液亦不同，例如：由二氧化矽形成的圖案化磊晶阻擋層12可用緩衝蝕刻液(Buffered Oxide Etch)來進行蝕刻。該緩衝蝕刻液由氫氟酸與氟化銨按照一定的比例混合而成。由於氫氟酸對含矽的物質具有較強的腐蝕作用，當緩衝蝕刻液注入到圖案化磊晶阻擋層12的上方的裸露區域中時，其可有效對圖案化磊晶阻擋層12進行蝕刻。當圖案化磊晶阻擋層12被完全去除後，在其所在的位置遺留下與原圖案化磊晶阻擋層12形狀相吻合的孔洞21。
如圖6所示，採用金屬有機氣相沈積方法或分子束外延生長方法在基板11上繼續生長n型半導體層13。n型半導體層13的新生成部分會優先填充孔洞21上方的裸露區域直至n型半導體層13完全覆蓋孔洞21。
參見圖7-圖9，在n型半導體層13上形成包括有源層14，p型半導體電流阻擋層(current blocking layer)15，以及p型半導體接觸層(contact layer)16的發光結構108。如圖7所示，在n型半導體層13上形成有源層14，有源層14可為同質結構(homostructure)、異質結構(heterostructure)、雙異質結構(double-heterostructure)、量子阱結構(Quantum well structure)及多重量子阱(Muti-Quantum well structure)中的一種。有源層14可受電流激發而產生光子而向外輻射出特定波長的光。如圖8所示，在有源層14上形成p型半導體電流阻擋層15。p型半導體電流阻擋層15可由GaN基III-V族半導體化合物形成，例如p-AluInvGa1-u-vN。如圖9所示，在p型半導體電流阻擋層15上形成p型半導體接觸層16。p型半導體接觸層16可由GaN基III-V族半導體化合物形成，例如p-AlmInnGa1-m-nN。
如圖10所示，從p型半導體接觸層16開始進行蝕刻直至露出n型半導體層13，分別在p型半導體接觸層16與露出的n型半導體層13上分別製作p型接觸電極17與n型接觸電極18。p型接觸電極17與n型接觸電極18可利用真空蒸鍍或濺鍍的方法形成於p型半導體接觸層16與露出的n型半導體層13上。p型接觸電極17與n型接觸電極18的製作材料可為鈦(Ti)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鎢(W)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉻(Cr)與金(Au)任意之一
或者其合金。
當在p型接觸電極17與n型接觸電極18兩端施加正向電壓時，p型半導體接觸層16中的空穴與n型半導體層13中的電子將在電場的作用下在有源層14中複合，能量以光線的形式釋放。有源層14發出的朝向基板11的光線傳輸到孔洞21的斜面時，由於孔洞21的截面呈傾斜形狀，其增大了光線在n型半導體層13與空氣之間介面的入射角。因此，有源層14所發出的光線將在n型半導體層13與空氣之間介面發生全反射，然後反轉向上，從p型半導體接觸層16的表面出射。也就是，位於n型半導體層13與基板11之間的孔洞21可提高有源層14發出的朝向基板11的光線經全反射向上出射的機率，從而提高發光二極體晶粒10的出光效率。
第二實施例
請參見圖11，在一個基板31製作圖案化磊晶阻擋層32。請參見圖12，在基板31的具有圖案化磊晶阻擋層32的表面生長n型半導體層33，此時，n型半導體層33未完全覆蓋圖案化磊晶阻擋層32時停止生長n型半導體層33。請參見圖13，使用緩衝蝕刻液去除圖案化磊晶阻擋層32，在其所在的位置遺留下與原圖案化磊晶阻擋層32形狀相吻合的孔洞41。請參見圖14，在基板31上繼續生長n型半導體層33直至n型半導體層33完全覆蓋孔洞41。上述步驟與第一實施例中的基本相同，在此不再贅述。
請參見圖15，將n型半導體層33蝕刻至接近孔洞41的位置。在此，可利用感應耦合等離子體反應離子蝕刻(ICP-RIE)的幹蝕刻方式來對n型半導體層33進行蝕刻。
請參見圖16，在n型半導體層33上形成圖案化磊晶阻擋層320。在此，圖案化磊晶阻擋層320的位置可與初始形成的圖案化磊晶阻擋層32的不同，亦可理解為圖案化磊晶阻擋層320與圖案化磊晶阻擋層12的圖案不同。
請參見圖17，採用金屬有機氣相沈積方法或分子束外延生長方法在n型半導體層33具有圖案化磊晶阻擋層320的表面生長n型半導體層330。在n型半導體層330未完全覆蓋圖案化磊晶阻擋層320時停止生長n型半導體層330，使圖案化磊晶阻擋層320的上方還保持部分裸露區域。n型半導體層330可由氮化鎵(GaN)基III-V族半導體化合物形成，例如n-AlxInyGa1-x-yN。
請參見圖18，使用緩衝蝕刻液去除圖案化磊晶阻擋層320。該緩衝蝕刻液由氫氟酸與氟化銨按照一定的比例混合而成。由於氫氟酸對含矽的物質具有較強的腐蝕作用，當緩衝蝕刻液注入到圖案化磊晶阻擋層320的上方的裸露區域中時，其可有效對圖案化磊晶阻擋層320進行蝕刻。當圖案化磊晶阻擋層320被完全去除後，在其所在的位置遺留下與原圖案化磊晶阻擋層320形狀相吻合的孔洞410。
請參見圖19，採用金屬有機氣相沈積方法或分子束外延生長方法在n型半導體層33上繼續生長n型半導體層330。n型半導體層330的新生成部分會優先填充孔洞410上方的裸露區域直至n型半導體層330完全覆蓋孔洞410。在此，孔洞410之間的區域被n型半導體層330填滿，同時與n型半導體層33結為一體，通常n型半導體層330與n型半導體層33採用相同的材料，所以二者可被認為是n型的半導體整體結構。
請參見圖20，依次在n型半導體層330上形成包括有源層34、p型半導體電流阻擋層35、p型半導體接觸層36的發光結構。有源層34、p型半導體電流阻擋層35以及p型半導體接觸層36分別與第一實施例中的有源層14、p型半導體電流阻擋層15以及p型半導體接觸層16基本相同，在此不再贅述。
請參見圖21，從p型半導體接觸層36開始進行蝕刻直至露出n型半導體層330，分別在p型半導體接觸層36與露出的n型半導體層330上分別製作p型接觸電極37與n型接觸電極38。p型接觸電極37與n型接觸電極38可利用真空蒸鍍或濺鍍的方法形成於p型半導體接觸層36與露出的n型半導體層330上。p型接觸電極37與n型接觸電極38的製作材料可為鈦(Ti)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鎢(W)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉻(Cr)與金(Au)任意之一或者其合金。
當在p型接觸電極37與n型接觸電極38兩端施加正向電壓時，p型半導體接觸層36中的空穴與n型半導體層33、330中的電子將在電場的作用下在有源層34中複合，能量以光線的形式釋放。有源層34發出的朝向基板31的光線傳輸到孔洞410、41的斜面時，由於孔洞410、41的截面呈傾斜形狀，其增大了光線在n型半導體層33、330與空氣之間介面的入射角。因此，有源層34所發出的光線將在n型半導體層33、330與空氣之間介面發生全反射，然後反轉向上，從p型半導體接觸層36的表面出射。也就是，位於n型半導體層330與基板31之間的孔洞410、41可提高有源層34發出的朝向基板31的光線經全反射向上出射的機率，從而提高發光二極體晶粒30的出光效率。
此外，由於與原圖案化磊晶阻擋層320形狀相吻合的孔洞410相比於與原圖案化磊晶阻擋層32形狀相吻合的孔洞41具有不同的圖案，也就是說孔洞410與孔洞41的排佈方式不同，有源層34所發出的光線將在n型半導體層33、330與空氣之間介面發生全反射的機率會進一步增加，從而進一步提高發光二極體晶粒30的出光效率。當然，孔洞410亦可與孔洞41具有相同的排佈方式，同樣可增加有源層34所發出的光線在n型半導體層33、330與空氣之間介面發生全反射的機率。
第三實施例
如圖10所示，一種發光二極體晶粒10包括基板11，形成於基板11上的n型半導體層13，形成於n型半導體層13與基板11相接的介面109上的孔洞21，形成於n型半導體層13上的發光結構108。孔洞21呈圖案化分佈，並且n型半導體層13完全覆蓋孔洞21。發光結構108與圖案化孔洞21相對設置，發光結構108包括依次形成於n型半導體層13的有源層14，p型半導體電流阻擋層15，以及p型半導體接觸層16。在p型半導體接觸層16上形成有p型接觸電極17，在n型半導體層13上形成有n型接觸電極18。
在發光結構108與基板11之間形成的圖案化孔洞21可提高發光結構108發出的朝向基板11的光線經全反射向上出射的機率，從而提高發光二極體晶粒10的出光效率。
第四實施例
如圖21所示，一種發光二極體晶粒30包括基板31，形成於基板31上的n型半導體層33、330，以及形成於n型半導體層330上的發光
結構308。圖中所示n型半導體層33與n型半導體層330均由n型半導體形成，其實質上為融合在一起的半導體層。在n型半導體層33與基板31相接的介面309上形成有孔洞41，在n型半導體層330中形成有孔洞410。孔洞41、410均呈圖案化分佈，並且n型半導體層33、330分別完全覆蓋孔洞41、410。圖案化孔洞41與圖案化孔洞410具有不同的圖案，也就是孔洞41與410具有不同的位置、例如交錯排佈。發光結構308與圖案化孔洞41、410相對設置，發光結構308包括依次形成於n型半導體層330的有源層34，p型半導體電流阻擋層35，以及p型半導體接觸層36。在p型半導體接觸層36上形成有p型接觸電極37，在n型半導體層330上形成有n型接觸電極38。
在發光結構308與基板31之間形成的圖案化孔洞41可提高發光結構308發出的朝向基板31的光線經全反射向上出射的機率，從而提高發光二極體晶粒30的出光效率。並且，在發光結構308與基板31之間形成的圖案化孔洞410可進一步提高有源層34發出的朝向基板31的光線經全反射向上出射的機率，提高發光二極體晶粒30的出光效率。
另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
Claims (7)
- 一種發光二極體晶粒的製作方法，其包括以下步驟：提供一基板，該基板上形成有第一圖案化磊晶阻擋層；在基板具有第一圖案化磊晶阻擋層的一面生長第一n型半導體層，在第一n型半導體層未完全覆蓋第一圖案化磊晶阻擋層時停止生長該第一n型半導體層；將第一圖案化磊晶阻擋層去除，在原第一圖案化磊晶阻擋層的位置遺留下第一組孔洞；繼續在第一組孔洞上生長第一n型半導體層直至該第一n型半導體層完全覆蓋該第一組孔洞；在第一n型半導體層上形成發光結構；將已完全覆蓋該第一組孔洞的第一n型半導體層蝕刻至接近第一組孔洞的位置；在第一n型半導體層上形成第二圖案化磊晶阻擋層；在第一n型半導體層具有第二圖案化磊晶阻擋層的一面生長第二n型半導體層，在第二n型半導體層未完全覆蓋第二圖案化磊晶阻擋層時停止生長該第二n型半導體層；將第二圖案化磊晶阻擋層去除，在原第二圖案化磊晶阻擋層的位置遺留下第二組孔洞；繼續在第二組孔洞上生長第二n型半導體層直至該第二n型半導體層完全覆蓋該第二組孔洞；該第二圖案化磊晶阻擋層與該第一圖案化磊晶阻擋層具有不同的位置且相互交錯設置。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該第二圖案化磊晶阻擋層與該第一圖案化磊晶阻擋層具有不同的圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該第一圖案化磊晶阻擋層為一個連續的圖形或多個互不相連的獨立圖形。
- 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該第一圖案化磊晶阻擋層由排列成網格結構或多條平行排列的長條狀二氧化矽層組成。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該第一圖案化磊晶阻擋層由二氧化矽形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該基板由藍寶石、矽或碳化矽形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶粒的製作方法，其中：該發光結構包括依次設置在該第一n型半導體層上的有源層、p型半導體電流阻擋層以及p型半導體接觸層。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW508841B (en) * | 2000-06-19 | 2002-11-01 | Nichia Corp | Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate |
| US20100163906A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Chang Hee Hong | Light Emitting Device with Air Bars and Method of Manufacturing the Same |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW508841B (en) * | 2000-06-19 | 2002-11-01 | Nichia Corp | Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate |
| US20100163906A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Chang Hee Hong | Light Emitting Device with Air Bars and Method of Manufacturing the Same |
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