KR20100042241A - 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법 - Google Patents

반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법 Download PDF

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Abstract

와이어 쏘우에 의해 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법은,
a)하나 이상의 반도체 로드로부터 절단된 2개의 이상의 공작물을 공작물 스톡으로부터 선택하는 단계와,
b)각 로드의 2개의 단부면 중 하나 이상을 연삭하는 단계와,
c)2개 이상의 공작물을 연삭된 단부면에서 고정 수단을 사용하여 함께 접합하여 복합 로드 피스를 제조하고, 복합 로드 피스를 길이 방향으로 장착판 상에 고정하는 단계로서, 공작물들 사이에 배치된 고정 수단으로 인해 공작물들 사이에는 소정 거리만이 존재하는 것인 단계와,
d)복합 로드 피스가 고정된 장착판을 와이어 쏘우에 클램핑하는 단계와,
e)복합 로드를 와이어 쏘우에 의해 길이 방향 축선에 수직으로 절단하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법{METHOD FOR SIMULTANEOUSLY CUTTING A COMPOUND ROD OF SEMICONDUCTOR MATERIAL INTO A MULTIPLICITY OF WAFERS}
본 발명은 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법에 관한 것이다.
종래에, 반도체 재료의 공작물은 와이어 쏘우에 의해 웨이퍼로 절단된다. 종래 기술에서, 와이어 쏘우는 반도체 재료, 예컨대 실리콘으로 된 원통형의 단결정 또는 다결정 공작물을 1회의 작업으로 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하도록 사용된다. 이 경우에, 와이어 쏘우의 처리량이 방법의 경제적 능력에 매우 중요하다.
제조하는 방식으로 인해, 웨이퍼 제조에서는 보다 짧고 긴 로드 피스가 얻어진다. 또한, 예컨대 결정 특성을 시험하기 위하여 단결정으로부터 로드 부분을 절단할 필요가 있는 경우가 많다. 이들 상이한 로드 길이를 쏘잉할 때에 처리량을 증가시키기 위하여, 복수 개의 공작물이 와이어 쏘우에 동시에 클램핑되고 1회의 작업으로 절단된다.
미국 특허 제6119673호는 줄지어 동축으로 배치되는 복수 개의 원통형 공작 물을 동시 절단하는 것을 기술하고 있다. 이를 위해, 종래의 와이어 쏘우는 공통의 장착판 상에 동축 구조로 특정한 간격을 두고 고정되는 쏘잉 스트립 상에 복수 개의 공작물이 각각 접착식 부착된 상태로 사용되는데, 공통의 장착판에 의해 공작물들이 와이어 쏘우에 클램핑되고 동시에 절단된다.
이는 여전히 장착판 상에 고정되어 있는 공작물의 개수에 대응하는 다수의 웨이퍼 다발을 발생시킨다. 절단 후에, 여러 다발의 웨이퍼의 혼동을 피하기 위하여 웨이퍼 다발들 사이의 간격으로 분리판이 느슨하게 배치된다.
미국 특허 제6802928 B2호는 동일한 단면의 더미 피스가 절단 대상 공작물의 단부면 상에 접착식 부착되는 방법을 기술하고 있는데, 더미 피스는 공작물과 함께 절단된 다음 폐기된다. 이는 공작물의 2개의 단부에서 얻어지는 웨이퍼가 절단의 결말 단계 중에 펼쳐지는 것을 방지하고, 이에 따라 웨이퍼의 기하학적 형태를 개선시키기 위한 것이다. 이 방법은 와이어 쏘우의 치수에 의해 제한되는 갱(gang) 길이의 일부가 "미사용된" 더미 피스를 절단하는 데에 사용된다는 결정적인 단점을 갖는다. 더욱이, 더미 피스의 준비, 취급 및 접착식 부착은 매우 성가시고 관리가 어렵다.
미국 특허 제6119673호에 기술된 바와 같이 와이어 쏘우에서 복수 개의 공작물의 동시 절단에 있어서, 와이어 쏘우의 갱 길이는 또한 절단 대상 공작물이 제조되는 방식으로 인해 매우 상이한 길이를 갖기 때문에 최적으로 사용될 수 없다. 이 문제는 특히 공작물이 단결정 반도체 재료로 이루어질 때마다 일어나는데, 그 이유는 공지된 단결정 풀링 공정은 오직 결정의 특정한 사용 가능 길이만을 허용하 고, 즉 결정 풀링 공정(이미 위에서 언급)을 모니터하기 위하여, 결정을 분할하고 결정의 다양한 위치에서 시험 샘풀을 만들어야 하기 때문이다.
독일 특허 제102 006 050 330호는 적어도 2개의 원통형 공작물을 와이어 쏘우에 의해 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법을 기술하고 있는데, 이 방법에서 2개 이상의 공작물이 공작물 스톡으로부터 선택되고, 공작물은 장착판 상에 줄지어 고정되며, 공작물들 사이에 특정한 최소 거리가 각각 유지되어 와이어 쏘우에 클램핑되며 와이어 쏘우에 의해 공작물의 길이 방향 축선(기학학적 축선)에 대해 수직으로 절단된다. 이 방법은 와이어 갱 길이를 보다 양호하게 사용하도록 해준다. 미국 특허 제6119673호에 기술된 방법에서와 유사하게 혼동을 피하기 위하여 웨이퍼 다발 사이에 분리 피스가 측방향으로 삽입된 다음 웨이퍼 캐리어 상에 고정된다. 분리 피스는 또한 웨이퍼 다발이 측방향으로 기울어지는 것을 보호한다.
공지된 모든 방법에 공통적인 특징은 로드 피스들을 절단하기 위하여 로드 피스들 사이에 거리가 유지되어야 한다는 것이다.
전술한 방법들에서, 이 방식으로 조립된 특정한 길이의 로드로부터 쏘잉된 웨이퍼들에서 대응하는 길이의 단일 반도체 로드로부터 절단된 웨이퍼에 비해 기하학적 변동이 발생한다는 것을 알았다. 이는 복합 로드와 단일 로드가 동일한 길이를 갖고 이에 따라 사용된 와이어 갱이 동일한 경우라도 관찰되었다.
두께 변동(TTV, GBIR) 외에, 반도체 웨이퍼의 2개의 표면의 평탄도가 매우 중요하다. 반도체 단결정, 예컨대 실리콘 단결정을 와이어 쏘우에 의해 절단한 후 에, 이에 의해 제조된 웨이퍼는 파동면을 갖는다. 후속 단계, 예컨대 연삭 또는 래핑(lapping)에서, 이 파상도는 파상도의 파장 및 진폭과 재료 제거의 깊이에 따라 부분적으로 또는 완전히 제거될 수 있다. 최악의 경우에, 수 mm에서 최대 예컨대 50 mm의 주기성을 가질 수 있는 그러한 표면 불균일성("파동", "파상도")(국부적 기하학적 형태에 부정적인 영향을 미침)은 완성된 반도체 웨이퍼에 대한 폴리싱 후에도 여전히 검출된다.
종래 기술로부터 공지된 방법들의 단점은 원하는 이상적인 웨이퍼 형태[또는 소리(sori)]로부터 실제 웨이퍼 형태의 편차 측정값으로서 휨 및 비틀림 파라미터에 특히 중요한 것으로 판명되었다. 이는 특히 웨이퍼의 휨에 관한 것이다. 휨은 SEMI 표준 M1-1105에서 규정되며, 웨이퍼 이면 상의 기준면에 대한 웨이퍼의 중간면의 최소 및 최대 편차의 차이를 나타낸다. 간단하게 표현하면, 휨은 웨이퍼 변형의 측정값을 나타낸다.
따라서, 본 발명의 목적은 그러한 기하학적 변동을 피하고, 특히 복합 로드로부터 제조되는 반도체의 휨을 개선시키는 것이다.
본 발명자들은 종래 기술에서의 이러한 기하학적 변동이 로드 피스들의 간격으로 인한 기술적 공정 변화에 기인할 수 있다는 것을 발견하였다.
상기 목적은 와이어 쏘우에 의해 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법으로서,
a)하나 이상의 반도체 로드로부터 절단된 2개의 이상의 공작물을 공작물 스톡으로부터 선택하는 단계와,
b)각 로드의 2개의 단부면 중 하나 이상을 연삭하는 단계와,
c)2개 이상의 공작물을 연삭된 단부면에서 고정 수단을 사용하여 함께 접합하여 복합 로드 피스를 제조하고, 복합 로드 피스를 길이 방향으로 장착판 상에 고정하는 단계로서, 공작물들 사이에 배치된 고정 수단으로 인해 공작물들 사이에는 소정 거리만이 존재하는 것인 단계와,
d)복합 로드 피스가 고정된 장착판을 와이어 쏘우에 클램핑하는 단계와,
e)복합 로드를 와이어 쏘우에 의해 길이 방향 축선에 수직으로 절단하는 단계를 포함하는 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법에 의해 달성된다.
상기 단계 a)에서 공작물의 절단은 와이어 쏘우에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 마찬가지로 내부 홀 쏘우가 적절하다.
단계 c)에서 사용된 고정 수단은 접착제인 것이 바람직할 수 있다.
함께 접착식 부착되는 적어도 2개의 공작물들의 2개의 단부면이 평면 평행하도록 단부면을 연삭하는 것은 2개의 로드 피스들 사이의 접착제 결합부가 가능한 한 작게 될 수 있게 한다.
바람직하게는, 단지 로드 피스들은 동일한 반도체 로드의 인접한 로드 위치로부터 함께 접합된다. 이에 따라, 2개의 로드 피스는 바람직하게는 동일한 결정 사양(예컨대, 결함 특성, 도핑 등)을 갖는다.
바람직하게는, 정확하게 2개의 로드 피스가 함께 접합된다.
더욱이, 로드 피스는 바람직하게는 (동일한 높이가 되게 하도록) 풀링 에지들을 정렬시키면서 함께 접합된다.
함께 접합된 로드는 380 mm 이하의 총 길이를 갖는 것이 바람직하다.
2성분 접착제가 접착제로서 사용되는 것이 바람직하다. 예컨대, 이를 위해 Huntsman Advanced Materials사에서 시판하는 애럴다이트 브랜드의 고성능 2성분 접착제가 적절하다.
마직막으로, 복합 로드는 와이어 쏘우에 의해 웨이퍼로 절단된다. 와이어 쏘잉 단계 자체는 종래 기술에 따라 수행된다.
복합 로드는 바람직하게는 와이어 쏘잉 단계 전에 둥글게 연삭된다. 그러나, 복합 로드를 형성하도록 조립되기 전에 공작물을 둥글게 연삭하는 것이 바람직 할 수 있다.
단결정을 개별 로드 피스로 쏘잉할 때에, 관습적으로 기하학적 축선에 대해 절단한다. 그러나, (배향 후에) 개별 로드 피스는 관습적으로 결정 축선에 평행하게 둥글게 연삭된다. 기하학적 축선과 결정 축선 간의 차이로 인해 단부면이 대응하게 경사지고, 이는 단부면의 대응하는 직각 연삭에 의해 교정된다.
단결정에서 인접한 위치를 미리 차지한 공작물의 경우에 상황은 상이하다. 여기서, 공작물을 둥글게 연삭하기 전에 복합 로드로 조립되는 공작물의 경우에 단부면의 연삭을 없애는 것, 즉 복합 재료에서 공작물을 둥글게 연삭하는 것을 생각할 수 있으며 이것이 바람직할 수 있다.
분리 피스를 사용하지 않고 복합 로드를 형성하도록 로드 피스를 조립하고 이어서 쏘잉함으로써 와이어 쏘우의 사용이 더욱 개선되기 때문에 종래 기술에 비해 경제적 가능성이 더욱 높다.
다른 한편으로, 본 발명에 따른 복합 로드는 쏘잉 공정에서 단일 로드와 유사하게 거동한다. 종래 기술에서 관찰되는 기하학적 변동이 방지될 수 있다.
바람직하게는, 이하의 절차가 상세하게 채택된다.
a)우선, 밴드 쏘우에 의해 결정으로부터 절단된, 가능하게는 상이한 길이의 공작물이 둥글게 연삭된다.
둥글게 연삭한 후에, 로드 피스의 단부면은 결정 축선과 배향 세팅에 대해 정해진 각도 세팅으로 연삭된다. 이때, 로드 피스의 2개의 단부면은 서로 정확하게 평행하다;
b)이 방식으로 마련된 로드 피스를 보관하고 조립 계획 시스템에 이용할 수 있게 한다. 계획 시스템은 갱 길이의 최대한의 사용을 위한 최적의 구성을 결정하고 이것을 복합 로드의 준비를 위해 제안한다;
c)선택된 로드 피스를 접합을 위해 준비한다. 즉, 접합될 위치를 세척하고, (예컨대 톱니 모양의 주걱에 의해) 정해진 층 두께로 시멘트를 도포하며, 접합 장치에 의해 정렬하고, 다발을 조립하고 동일한 높이로 고정하며, 접합하고 쏘잉 스트립을 고정하고, 최종적으로 접착제를 경화시킨다;
d)복합 로드를 와이어 쏘우에 의해 쏘잉한다;
e)접합 위치를 검출하고, 시멘트를 제거하며, 로드를 분리시킨다. 로드 피스는 재료 확인을 위한 측방향 표면 상의 대응하는 마킹에 의해 미리 마련되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 종래 기술에서의 기하학적 변동을 피하고, 특히 복합 로드로부터 제조되는 반도체의 휨을 개선시킬 수 있다.
가능한 한 효율적으로 와이어 쏘우에서 와이어 갱 길이를 사용하기 위하여, (동일한 원래의 반도체 로드로부터) 2개의 로드 피스를 함께 접합하고, 와이어 쏘잉에 의해 웨이퍼로 만들고, 즉 웨이퍼로 절단하였다.
이를 위해, 둥글게 연삭되지 않은 상태인 실리콘의 로드 피스를 97 mm와 91 mm의 길이를 각각 갖는 2개의 로드 피스로 쏘잉하였다. 2개의 로드 피스를 단부면 에 애럴다이트 브랜드의 2성분 접착제를 피복하고 정확한 풀링 에지와 정렬하여 함께 접합하였다.
이어서, 이 "복합 로드"를 둥글게 연삭하고 아연 와이어를 이용하여 와이어 쏘우에 의해 웨이퍼로 쏘잉하고 완전히 분석하였다.
이 경우의 이점은 사용된 애럴다이트 브랜드의 2성분 접착제가 쏘잉될 수 있다는 것이다. 실시예에서, 2개의 로드 피스들의 로드 배향은 동일하였다.
실질적으로 공작물은 와이어 쏘우의 갱 길이가 최적으로 사용되도록 가능한 상이한 길이의 공작물 스톡으로부터 선택된다. 분리 피스가 사용되지 않기 때문에, 조립된 공작물들 사이의 접착제 결합부가 최소가 되고 이에 따라 와이어 쏘우의 능력이 보다 양호하게 활용되는데, 이는 종래 기술에 비해 공정의 생산성을 더 증가시킨다.
종래의 와이어 쏘우가 본 발명에 따른 방법에 사용될 수 있다. 이들 와이어 쏘우의 필수 구성요소는 장치 프레임, 전방 이송 장치 및 쏘잉 공구를 포함하고, 쏘잉 공구는 일단의 평행한 와이어 섹션으로 이루어진다. 공작물은 일반적으로 장착판 상에 고정되고 장착판과 함께 와이어 쏘우에 클램핑된다.
일반적으로, 와이어 쏘우의 와이어 갱은 적어도 2개(선택적으로 심지어는 3개, 4개 또는 그 이상)의 와이어 안내 롤들 사이에서 텐션되는 다수의 평행한 와이어 섹션에 의해 형성되고, 와이어 안내 롤은 회전 가능하게 장착되고 와이어 안내 롤들 중 적어도 하나가 구동된다. 와이어 섹션은 일반적으로 단일의 유한 와이어에 속하는데, 이 유한 와이어는 롤 시스템 둘레에 나선형으로 안내되고 스톡 롤로 부터 리시버 롤 상으로 풀린다. 갱 길이는 제1 와이어 섹션으로부터 마지막 와이어 섹션까지 와이어 안내 롤의 축선에 평행한 방향으로 와이어 섹션에 대해 수직하게 측정된 와이어 갱의 길이를 말한다.
쏘잉 공정 중에, 전방 이송 장치는 와이어 섹션과 공작물의 상호 반대측의 상대 운동을 포함한다. 이 전방 이송 운동의 결과로서, 쏘잉 현탁액이 가해지는 와이어는 평행한 쏘잉 자국을 형성하도록 공작물을 통해 작용한다. 슬러리라고도 하는 쏘잉 현탁액은 액체 내에 부유하는 예컨대 실리콘 카바이드의 경질 재료 입자를 함유한다. 경질 재료 입자가 견고하게 부착된 쏘잉 와이어가 또한 사용될 수 있다. 이 경우에, 쏘잉 현탁액을 가할 필요는 없다. 와이어와 공작물을 과열에 대해 보호하는 동시에 공작물 지스러기(swarf)를 절단 홈으로부터 멀리 이송시키는 액체 냉각 윤활유를 공급할 필요가 있을 뿐이다.
복합 로드를 형성하도록 조립되는 원통형 공작물은 와이어 쏘우에 의해 처리될 수 있는 재료, 예컨대 실리콘 등의 다결정 또는 단결정 반도체 재료로 이루어질 수 있다. 단결정 실리콘의 경우에, 공작물은 일반적으로 실질적으로 원통형인 실리콘 단결정을 수 센티미터 내지 수십 센티미터의 길이를 갖는 결정 피스로 쏘잉함으로써 제조된다. 결정 피스의 최소로 길이는 일반적으로 5 cm이다. 공작물, 예컨대 실리콘으로 이루어지는 결정 피스는 일반적으로 매우 상이한 길이를 갖지만 항상 동일한 단면을 갖는다. "원통형"이라는 용어는 공작물의 단면이 원형이어야 하는 의미로서 해석되어서는 않된다. 오히려, 공작물은 일반화된 임의의 실린더의 형태를 가질 수 있지만, 본 발명은 원통형 단면을 갖는 공작물에 적용되는 것이 바 람직하다. 일반화된 실린더는 폐쇄된 준선 곡선과 2개의 평행한 평면을 갖는 실린더 표면, 즉 실린더의 베이스 표면에 의해 경계가 정해지는 본체이다.
복합 로드는 바람직하게는 장착판에 직접적으로 고정되지 않고, 우선 소위 쏘잉 스트립 또는 쏘잉 지지부 상에 고정된다. 공작물은 일반적으로 접착제 부착에 의해 쏘잉 스트립 상에 고정된다.
장착판은 복합 로드가 고정된 상태로 와이어 쏘우에 클램핑되고, 동시에 그리고 실질적으로 길이 방향 축선에 대해 수직으로 웨이퍼로 절단된다.
이하, 본 발명을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 복합 로드(1)를 형성하도록 조립된 2개의 공작물(11, 12)과, 접착제 결합부(2), 쏘잉 스트립(3) 및 장착판(4)을 개략적으로 도시하고 있다.
공작물(11, 12)은 2성분 접착제에 의해 조립되어 복합 로드(1)를 형성한다. 2개의 공작물이 함께 접착식 부착되는 단부면의 제조 정밀도는 접착제 결합부(2)가 가능한 한 적게 선택되도록 한다.
복합 로드(1)를 형성하도록 조립된 공작물(11, 12)은 쏘잉 스트립(3)에 접합된다. 복합 로드(1)는 2개의 공작물(11, 12)을 구비하고 쏘잉 스트립(3)은 장착판(4)에 고정되어 와이어 쏘우에 클램핑된다.
표 1은 종래 기술에 따라 조립된 로드 피스(컬럼 2)와 본 발명에 따른 복합 로드(컬럼 3)용 기하학적 파라미터의 다양한 비교값을 보여주고 있다.
3개의 상이한 분위수(quantile) 값의 3개의 값이 각 파라미터에 대해 제공된다. 따라서, Wav_max 97.7% = 6.29 ㎛/mm는 웨이퍼의 97.7%가 56.29 ㎛/mm 이하의 Wav_max를 갖는 것을 의미한다.
종래 기술에 비한 상당한 개선이 실질적으로 모든 연구된 파라미터와 변위수 값에 대해 발견되었다.
쏘우의 전방 이송 방향에서 웨이퍼의 기하학적 형태는, 예컨대 스캐닝 용량 센서 쌍에 의해 결정된다. 우선, 전면 및 배면 신호들의 차이를 취한다. 파상도를 결정하기 위하여, 10 mm의 길이를 갖는 윈도우를 얻어진 평가 곡선에 통과시킨다. 윈도우 내의 최대 편차는 윈도우 중앙에 대한 순수값을 발생시킨다(롤링 박스카 필터링). 웨이퍼에 걸쳐 전체 스캔 내의 가장 큰 편차(피크 대 골(PV))는 파상도_최대(Wav_max)이다. Wav_in은 동일한 방식으로 결정되지만, 스캔의 처음 50 mm(와이어 쏘우 절개 구역)가 고려된다(Wav_out은 이와 유사함).
휨 및 비틀림은 웨이퍼의 변형 측정값을 나타낸다. 비틀림은 기준면(3차원)으로부터 전체 웨이퍼의 중간 섬유의 최대 편차(상방 및 하방)의 합계이다.
Figure 112009063263632-PAT00001
선형 형태 범위(LSR)는 직선 기준선(2차원)으로부터 쏘우의 전방 이송 방향으로 스캔의 중간 섬유의 최대 편차의 합계에 대응한다.
이전에 TTV라고도 한 GBIR은 전체 두께 변동(최대 두께와 최소 두께 간의 차이)에 대응한다.
예컨대, 상기 기하학적 파라미터를 결정하기 위해서는 E+H Eichhorn+Hausmann사의 측정 기구 MX 7012(쏘잉된 웨이퍼를 위한 고해상도 두께 및 표면 프로파일러)가 적절하다.
또한, 절단된 웨이퍼의 비틀림 분포[비틀림 개수(㎛)에 대한 분위수 값(%)]가 일단 단일 로드(개별 공작물로부터 조립되지 않음), 본 발명에 따른 복합 로드 및 종래 기술에 따라 공작물로부터 조립된 로드(서로 분리되어 있고 분리 피스를 갖춤)에 대해 결정된다. 모든 로드는 380 mm의 동일한 길이, 동일한 결정 사양 및 동일한 배향을 갖는다.
종래 기술에서 조립된 공작물에 비해 비틀림 분포에 있어서 상당한 개선이 발견되었다. 이는 와이어 쏘잉 중에 본 발명에 따른 복합 로드가 공작물로부터 조립된 단일 로드와 같이 거동하지 않는다는 것을 증명한다.
이에 따라, 벅찬 비틀림 사양을 갖는 주문을 위해, 본 발명은 복합 로드로부터 비교적 낮은 레벨로 "비틀림" 기하학적 파라미터의 비교적 좁은 분포를 갖는 다수의 웨이퍼를 제조할 수 있게 한다.
도 2는 마찬가지로 종래 기술에 따라 2개의 공작물로부터 조립된 로드와 본 발명에 따른 복합 로드의 Wav-max 파라미터의 분포를 도시하고 있는데, 상기 복합 로드는 또한 본 발명에 따라 2개의 공작물로부터 조립되지만 이들 공작물은 고정 수단(2성분 접착제)에 의해서만 서로 분리되어 있다. Wav-max 값은 공작물 A와 공작물 B의 접합 위치 근처에서 공작물 A와 공작물 B의 7개의 로트에 대해 각각 표시되어 있다. 절단 후에, 로트는 나중에 카세트(웨이퍼 박스) 내에 수용되는 복수 개의 웨이퍼를 구비한다("분할 로트"). 웨이퍼 당 Wav_max 값은 각 로트에 대해 결정되었다. 참조 번호 5는 복합 로드의 공작물 A와 공작물 B 간의 부착 위치 또는 접합 위치를 보여준다.
종래 기술에 따른 이중 로드에서는 로트 A1과 B1 간에 거리가 존재한다. 공작물은 함께 접합되지 않고, 쏘잉 스트립 상에서 서로로부터 특정 거리에서 접합된다.
종래 기술에 따른 이중 로드에서 로트 A1과 B1 사이에 Wav-max 값의 상당한 도약이 발견되었다. 그러한 파상도의 도약은 본 발명에 따른 복합 로드에서는 쏘잉 후에 발생하지 않는다. 로트 A1과 B1의 파상도 값은 실질적으로 동일하고, 이는 본 발명에 따른 방법의 이점을 보여준다.
로트 B7에 이어지는 로트(도면에 나타내지 않음)는 보다 높은 Wav-max 값을 보여준다. 이에 의해, 표 1에 표기한 보다 높은 분위수 값이 또한 설명된다. 그러나, 그러한 파상도에 있어서의 상승은 또한 단일 로드에서 발생하고, 본 발명의 범위에서 주의 집중 대상은 아니다. 도 2는 단지 공작물 A와 공작물 B의 천이 구역에서 파상도의 프로파일에 관한 것이다.
따라서, 벅찬 파상도 사양의 주문을 위해, 본 발명은 특히 도 2에 도시된 바와 같이 조립된 공작물의 부착 위치 구역에서 종래 기술에서 관찰된 도약을 피하면서, 복합 로드로부터 "파상도" 파라미터(표 1 참조)의 비교적 좁은 분포를 갖는 다수의 웨이퍼를 제조할 수 있게 한다.
도 1은 복합 로드를 형성하도록 조립된 2개의 공작물과, 접착제 결합부, 쏘잉 스트립 및 장착판을 개략적으로 도시하고 있다.
도 2는 종래 기술에 따라 2개의 공작물로부터 조립된 로드와 본 발명에 따른 복합 로드의 Wav-max 파라미터의 분포를 도시하고 있다.

Claims (16)

  1. 와이어 쏘우에 의해 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법으로서,
    a)하나 이상의 반도체 로드로부터 절단된 2개의 이상의 공작물을 공작물 스톡으로부터 선택하는 단계와,
    b)각 로드의 2개의 단부면 중 하나 이상을 연삭하는 단계와,
    c)2개 이상의 공작물을 연삭된 단부면에서 고정 수단을 사용하여 함께 접합하여 복합 로드 피스를 제조하고, 복합 로드 피스를 길이 방향으로 장착판 상에 고정하는 단계로서, 공작물들 사이에 배치된 고정 수단으로 인해 공작물들 사이에는 소정 거리만이 존재하는 것인 단계와,
    d)복합 로드 피스가 고정된 장착판을 와이어 쏘우에 클램핑하는 단계와,
    e)복합 로드를 와이어 쏘우에 의해 길이 방향 축선에 수직으로 절단하는 단계
    를 포함하는 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계 a)에서 공작물은 와이어 쏘우 또는 내부 홀 쏘우에 의해 절단되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공작물은 동일한 반도체 로드의 인접한 로드 위치로부터 함께 접합되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 정확하게 2개의 공작물이 함께 접합되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공작물은 (동일한 높이가 되게 하도록) 풀링 에지들을 정렬시키면서 함께 접합되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 함께 접합된 로드는 380 mm 이하의 총 길이를 갖는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고정 수단은 2개의 이상의 공작물을 함께 접합하기 위한 접착제인 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 고정 수단은 2개 이상의 공작물을 접합하기 위한 2성 분 접착제인 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복합 로드는 단계 e)에 따른 와이어 쏘잉 단계 전에 둥글게 연삭되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공작물은 복합 로드를 형성하도록 조립되기 전에 미리 둥글게 연삭되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 단계 b)에 따른 단부면의 연삭을 수행하지 않고, 공작물은 원래의 반도체 로드에서 인접한 로드 위치를 차지하면 공작물을 둥글게 연삭하기 전에 조립되어 복합 로드를 형성하는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공작물의 2개의 단부면은 결정 격자에 대해 정해진 각도 세팅과 배향 세팅으로 연삭되어, 공작물의 단부면이 서로 정확하게 평행한 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 공장물에는 재료 확인을 위해 측방향 표면에 대응하는 마킹이 마련되는 것인 반도체 재료의 복합 로드를 다수의 웨이퍼로 동시에 절단하는 방법.
  14. 복합 로드로서, 평행한 단부면 상에 함께 부착되는 반도체 재료의 2개 이상의 공작물을 포함하고, 공작물로부터 조립되지 않은 반도체 재료의 단일 로드로서 실질적으로 거동하며, 와이어 쏘우에 의해 다수의 웨이퍼로 절단된 경우에, 특히 복합 로드로부터 제조된 웨이퍼의 비틀림 값의 분포는 단지 비실질적으로 단일 로드로부터 제조된 웨이퍼의 비틀림 값과 상이한 것인 복합 로드.
  15. 제14항에 있어서, 제2 공작물의 단부면과 함께 접합된 단부면 구역에서 제1 공작물로부터 절단된 웨이퍼의 Wav-max 파라미터는 마찬가지로 제1 공작물의 단부면과 함께 접합된 단부면 구역에서 제2 공작물로부터 절단된 웨이퍼의 Wav-max와 단지 비실질적으로 상이한 것인 복합 로드.
  16. 제14항 또는 제15항에 따른 복합 로드로부터 와이어 쏘우에 의해 절단된 반도체 웨이퍼.
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