CN103538157B - 晶体硅块的切割方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种晶体硅块的切割方法，包括：检测所述晶体硅块，去除晶体硅块的头尾；将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶；将夹板放置在切割平台上；采用硅胶将若干晶体硅块紧挨布置、并粘接在夹板上，在相邻的两个晶体硅块间的缝隙内填充满所述硅胶；刮平晶体硅块与所述夹板间、晶体硅块间多余的硅胶；待粘接晶体硅块与夹板和位于所述缝隙内的所述硅胶晾干后，切割晶体硅块。本发明提供的晶体硅块的切割方法中，将相邻的晶体硅块间的缝隙用硅胶填满，消除了晶体硅块间的缝隙，使得钢线在切入晶体硅块的过程中受力较均匀，从而避免了由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块的合格率。

Description

晶体硅块的切割方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，更具体地说，涉及一种晶体硅块的切割方法。

背景技术

随着煤炭、石油等不可再生能源危机的出现，人们逐渐开始利用太阳能。太阳能电池是利用太阳能的一种方法。

目前，作为太阳能电池的晶硅电池被广泛的生产和应用。请参见图1，在生产晶硅电池的过程中，需要对生产的晶体硅块4进行切割，将其切割成符合要求的晶体硅片。通常采用线锯对晶体硅块4进行切割，即通过高速运动的钢线完成对晶体硅块4的切割。在切割前需要将若干晶体硅块4放置在夹板1上，每个晶体硅块紧挨放置，一般采用硅胶2将晶体硅块4粘接在夹板1上。

晶体硅块4是由切割硅锭得到的，在截断硅锭的过程中，不可避免的会造成晶体硅块4的截面有一定的斜面，那么相邻的晶体硅块4之间会有缝隙，如图1所示。当钢线切割夹板1上的晶体硅块4时，晶体硅块4之间的缝隙会对钢线的切割造成一定的影响，因为钢线切入晶体硅块4的过程中，部分钢线未与晶体硅块4接触，使得钢线受力不均，容易导致钢线切斜、跳线，使得晶体硅块4脱落硅片，最终导致晶体硅片的切割面不平整，不能满足要求，降低了切割晶体硅块4的合格率。

另外，在切割过程中，由于钢线高速运动，晶体硅块4之间的缝隙也容易导致钢线发生断裂，需要对钢线进行维修，一定程度上延缓了切割进程，降低了切割晶体硅块4的工作效率。

综上所述，如何提供一种晶体硅块的切割方法，避免由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高切割晶体硅块的合格率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种晶体硅块的切割方法，避免了由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块的合格率。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶体硅块的切割方法，包括：

1)检测所述晶体硅块，去除所述晶体硅块的头尾；

2)将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶；

3)将夹板放置在切割平台上；

4)采用所述硅胶将若干所述晶体硅块紧挨布置、并粘接在所述夹板上，在相邻的两个所述晶体硅块间的缝隙内填充满所述硅胶；

5)刮平所述晶体硅块与所述夹板间、所述晶体硅块间多余的所述硅胶；

6)待粘接所述晶体硅块与所述夹板和位于所述缝隙内的所述硅胶晾干后，切割所述晶体硅块。

优选的，上述晶体硅块的切割方法中，所述步骤1)采用红外探伤测试仪对所述晶体硅块进行检测。

优选的，上述晶体硅块的切割方法，所述步骤1)和步骤2)之间还包括：去除所述晶体硅块的角边料。

优选的，上述晶体硅块的切割方法，所述步骤6)中切割所述晶体硅块具体操作为：采用多线切割方法切割所述晶体硅块。

优选的，上述晶体硅块的切割方法中，所述步骤6)具体为：

61)将所述晶体硅块切割成晶体硅条；

62)将所述晶体硅条切割成晶体硅片。

优选的，上述晶体硅块的切割方法，所述步骤61)和步骤62)中切割方向均为晶格生长方向。

本发明提供的晶体硅块的切割方法中，将位于夹板上相邻的晶体硅块间的缝隙用硅胶填满，具体包括以下步骤：首先检测晶体硅块，去除晶体硅块的头尾；将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶；将夹板放置在切割平台上；采用硅胶将若干所述晶体硅块紧挨布置、并粘接在夹板上，在相邻的两个晶体硅块间的缝隙内填充满硅胶；刮平晶体硅块与夹板间、晶体硅块间多余的硅胶；待粘接晶体硅块与夹板和位于缝隙内的硅胶晾干后，切割晶体硅块。本发明将相邻的晶体硅块间的缝隙用硅胶填满，消除了晶体硅块间的缝隙，使得钢线在切入晶体硅块的过程中受力较均匀，从而避免了由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块的合格率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的晶体硅块粘接在夹板上的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的晶体硅块粘接在夹板上的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例一的流程示意图；

图4为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例二的流程示意图。

上图1-2中：

夹板1、硅胶2、缝隙3、晶体硅块4。

具体实施方式

本发明提供了一种晶体硅块的切割方法，避免了由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块的合格率。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考附图2-4，图2为本发明实施例提供的晶体硅块粘接在夹板上的结构示意图；图3为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例一的流程示意图；图4为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例二的流程示意图。

请参考附图3，图3为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例一的流程示意图，具体方法如下：

101)检测晶体硅块4，去除晶体硅块4的头尾：

对晶体硅块4经行检测，判断晶体硅块4的质量是否符合要求，若晶体硅块4的质量符合要求，去除晶体硅块4的头尾，为切割晶体硅块4做准备；

102)将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶2：

选取硅胶2中的固化组分和溶解组分，将二者按照设定的比例进行混合，制取符合要求的硅胶2；

103)将夹板1放置在切割平台上；

104)采用硅胶2将若干晶体硅块4紧挨布置、并粘接在夹板1上，在相邻的两个晶体硅块4间的缝隙3内填充满硅胶2：

将晶体硅块4紧挨布置在夹板1上，可以是两块晶体硅块4，也可以是多块晶体硅块4，通过硅胶2将晶体硅块4粘接在夹板1上，在相邻的两个晶体硅块4间的缝隙3内充满硅胶2，如图2所示；

105)刮平晶体硅块4与夹板1间、晶体硅块4间多余的硅胶2：

将多余的硅胶2刮去，为下一步切割晶体硅块4做准备；

106)待粘接晶体硅块4与夹板1和位于缝隙3内的硅胶2晾干后，切割晶体硅块4。

上述实施例提供的切割方法，实现了对晶体硅块4的切割，本发明将相邻的晶体硅块4间的缝隙3用硅胶2填满，消除了晶体硅块4间的缝隙3，使得钢线在切入晶体硅块4的过程中受力较均匀，从而避免了由于晶体硅块4间的缝隙3导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块4的合格率。

请参考附图4，图4为本发明实施例提供的晶体硅片的切割方法的实施例二的流程示意图，具体方法如下：

201)检测晶体硅块4，去除晶体硅块4的头尾：

对晶体硅块4经行检测，判断晶体硅块4是否符合要求，可以采用红外探伤测试仪对晶体硅块4进行检测，若晶体硅块4符合要求，去除晶体硅块4的头尾；

202)去除晶体硅块4的角边料：

便于在后续步骤中切割晶体硅块4，需要去除晶体硅块4的角边料；

203)将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶2：

选取硅胶2中的固化组分和溶解组分，将二者按照设定的比例进行混合，制取符合要求的硅胶2；

204)将夹板1放置在切割平台上；

205)采用硅胶2将若干晶体硅块紧挨布置、并粘接在夹板1上，在相邻的两个晶体硅块4间的缝隙3内填充满硅胶2：

将晶体硅块4紧挨布置在夹板1上，可以是两块晶体硅块4，也可以是多块晶体硅块4，通过硅胶2将晶体硅块4粘接在夹板1上，在相邻的两个晶体硅块4间的缝隙3内充满硅胶2，如图2所示；

206)刮平晶体硅块4与夹板1间、晶体硅块4间多余的硅胶2：

将多余的硅胶2刮去，为下一步切割晶体硅块4做准备；

207)待粘接晶体硅块4与夹板1和位于缝隙3内的硅胶2晾干后，将晶体硅块4切割成晶体硅条，切割方向平行于晶格的生长方向：

采用多线切割方法切割晶体硅块4，为了减少微晶区域的出现，提高切割晶体硅块4的质量，在切割过程中，切割方向平行于晶格的生长方向；

208)将晶体硅条切割成晶体硅片，切割方向平行于晶格的生长方向：

采用多线切割方法切割晶体硅条，为了减少微晶区域的出现提高切割晶体硅条的质量，在切割过程中，切割方向平行于晶格的生长方向。

上述实施例提供的晶体硅块的切割方法中，采用多线切割方法，减小切成的晶体硅片的翘曲。当然，也可以采用其他的切割方法，例如电火花线切割方法，本发明对此不作具体地的限定。

上述实施例提供的晶体硅块的切割方法中，采用红外探伤测试仪对晶体硅块4进行检测，也可以采用其他的仪器和方法经行检测，本发明对此不作具体地的限定。

上述实施例提供的晶体硅块的切割方法中，对线锯切割的方向做了明确的说明。当然，线锯切割的方向也可以垂直于晶格的生长方向，只是这样切割导致晶体硅片产生较多的微晶区域，不如平行于晶格的生长方向切割的效果好。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种晶体硅块的切割方法，其特征在于，包括：

1)检测所述晶体硅块，去除所述晶体硅块的头尾；

2)将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶；

3)将夹板放置在切割平台上；

4)采用所述硅胶将若干所述晶体硅块紧挨布置、并粘接在所述夹板上，在相邻的两个所述晶体硅块间的缝隙内填充满所述硅胶；

5)刮平所述晶体硅块与所述夹板间、所述晶体硅块间多余的所述硅胶；

6)待粘接所述晶体硅块与所述夹板和位于所述缝隙内的所述硅胶晾干后，切割所述晶体硅块。

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1)采用红外探伤测试仪对所述晶体硅块进行检测。

3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1)和步骤2)之间还包括：去除所述晶体硅块的角边料。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤6)中切割所述晶体硅块具体操作为：采用多线切割方法切割所述晶体硅块。

5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，所述步骤6)具体为：

61)将所述晶体硅块切割成晶体硅条；

62)将所述晶体硅条切割成晶体硅片。

6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述步骤61)和步骤62)中切割方向均平行于晶格的生长方向。