KR20100011282A - 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프 - Google Patents

듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프 Download PDF

Info

Publication number
KR20100011282A
KR20100011282A KR1020080072426A KR20080072426A KR20100011282A KR 20100011282 A KR20100011282 A KR 20100011282A KR 1020080072426 A KR1020080072426 A KR 1020080072426A KR 20080072426 A KR20080072426 A KR 20080072426A KR 20100011282 A KR20100011282 A KR 20100011282A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
pair
input signal
delay
phase difference
Prior art date
Application number
KR1020080072426A
Other languages
English (en)
Inventor
정성욱
류경호
Original Assignee
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 연세대학교 산학협력단 filed Critical 연세대학교 산학협력단
Priority to KR1020080072426A priority Critical patent/KR20100011282A/ko
Publication of KR20100011282A publication Critical patent/KR20100011282A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1534Transition or edge detectors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/156Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern
    • H03K5/1565Arrangements in which a continuous pulse train is transformed into a train having a desired pattern the output pulses having a constant duty cycle
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/081Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
    • H03L7/0812Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
    • H03L7/0814Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/10Details of the phase-locked loop for assuring initial synchronisation or for broadening the capture range
    • H03L7/107Details of the phase-locked loop for assuring initial synchronisation or for broadening the capture range using a variable transfer function for the loop, e.g. low pass filter having a variable bandwidth
    • H03L7/1077Details of the phase-locked loop for assuring initial synchronisation or for broadening the capture range using a variable transfer function for the loop, e.g. low pass filter having a variable bandwidth by changing characteristics of the phase or frequency detection means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

지연 동기 루프 회로(Delay Locked Loop, DLL)가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 DLL은 dual edge triggered phase detector 를 포함할 수 있고, 제1 신호 및 제2 신호의 듀티 사이클(duty cycle) 차이를 보정 (compensate)할 수 있다. DLL은 phase capture range를 넓히면서도 이득을 높일 수 있다. DLL은 phase locking 시간을 줄일 수 있다.
지연 동기 루프, DLL, VCDL, phase detector, duty cycle, dual edge triggered

Description

듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클 변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기 시간을 가지는 지연 동기 루프 {FAST LOCKING DELAY LOCKED LOOP WITH DUAL EDGE TRIGGERED PHASE DETECTOR AND DUTY CYCLE INVARIANT VOLTAGE CONTROLLED DELAY CELL}
본 발명은 지연 동기 루프 (Delay Locked Loop, DLL)의 회로 구성에 관련된 분야의 발명으로서, 특히 위상 검출기(phase detector) 및 전압 제어 지연 셀(Voltage Controlled Delay Cell, VCDC)의 구성에 관한 것이다. 본 연구는 지식경제부 및 전자부품연구원의 시스템집적반도체기술개발사업의 일환으로 수행하였다. [2007-8-1510, 고성능 고신뢰성 SOC를 위한 핵심요소 IP 개발]
일반적으로 DLL 회로는 외부 클럭을 변환하여 얻은 기준 클럭 (reference clock)에 대하여 위상이 앞서는 내부 클럭을 제공하는 데 사용된다. 이 때 DLL 회로는 내부 클럭이 기준 클럭에 비해 일정하게 앞서는 위상을 가지도록 할 수 있다. 일반적으로 내부 클럭은 SDRAM(Synchronous DRAM) 등과 같이 비교적 높은 집적도를 갖는 반도체 집적 회로에서, 외부 클럭과 동기되어 동작하기 위하여 생성된다.
보다 상세히 설명하면, 반도체 집적 회로의 입력 핀을 통해 입력되는 외부 클럭이 클럭 입력 버퍼로 입력되면 클럭 입력 버퍼로부터 내부 클럭이 발생한다. 이후 내부 클럭이 데이터 출력 버퍼를 제어하여 외부로 데이터가 출력된다. 이 때 내부 클럭은 클럭 버퍼에 의해 외부 클럭으로부터 일정 시간 지연되고, 또한 데이터 출력 버퍼로부터의 출력 데이터도 내부 클럭으로부터 일정 시간 지연된 후 출력된다.
따라서 출력 데이터는 외부 클럭에 대하여 많은 시간이 지연된 후에 출력되는 문제점이 있다. 다시 말해서 외부클럭 인가 후 데이터가 출력되는 시간, 즉 출력 데이터 액세스 시간이 길어지는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 DLL 회로를 사용하여 내부 클럭의 위상을 외부 클럭에 대해 일정하게 앞서도록 함으로써, 출력 데이터가 외부 클럭에 대하여 지연 없이 출력될 수 있도록 한다. 즉 DLL 회로는 외부클럭을 수신하고 일정하게 위상이 앞서는 내부 클럭을 발생하며, 내부 클럭은 데이터 출력 버퍼 등의 영역에서 기준 클럭으로 사용된다.
DLL 회로는 클럭 버퍼(clock buffer)를 포함함으로써 외부 클럭의 진폭을 변환시킨 기준 클럭을 생성한다. 이 때 생성된 기준 클럭은 위상 비교기에서 피드백 클럭 (feedback clock)과의 위상을 비교하기 위해 사용되며, 또한 쉬프트 레지스터 (shift register)의 제어에 따라 내부 클럭을 생성하는 지연 라인(delay line)의 입력 신호로서 사용된다.
본 발명의 실시예들은 위상 검출기 (phase detector)의 이득을 높임으로써 위상 locking 시간을 단축할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 위상 검출기의 이득을 높이면서도 phase capture range를 넓힐 수 있다.
본 발명의 실시예들은 delay line을 경유하면서 발생하는 duty cycle의 차이를 compensate할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 duty cycle의 차이를 충분히 최소화함으로써 dual edge triggered phase detector의 성능을 최적화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지연 동기 루프(DLL)는 제1 신호 및 제2 신호를 입력 받고 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호 간의 듀티 사이클 차이가 보정된 제3 신호 및 제4 신호를 생성하는 듀티 사이클 보정기(Duty Cycle Compensator), 상기 제1 신호의 정 에지(Positive edge) 및 상기 제2 신호의 정 에지 간의 제1 위상 차 및 상기 제3 신호의 부 에지 및 상기 제4 신호의 부 에지 간의 제2 위상 차에 기초하여 제어 전압을 생성하고, [-2π, 2π]의 위상 포획 범위를 가지는 위상 검출기 및 복수의 지연기 셀들을 포함하고, 상기 제어 전압에 기초하여 상기 제1 신호를 지연하여 상기 제2 신호를 생성하는 지연 회로 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지연 동기 루프의 위상 검출기는 제1 입력 신호의 정 에지 및 제2 입력 신호의 정 에지 간의 제1 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 상기 제1 위상 차에 비례하는 길이의 제1 제어 펄스 쌍을 생성하고, 상기 제1 위상 차가 [-2π, -π] 또는 [π, 2π]에 포함되면 고정된 최대 길이의 상기 제1 제어 펄스 쌍을 생성하는 정 에지 검출 수단, 상기 제1 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호를 입력 받고 상기 제1 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호 간의 듀티 사이클 차이가 보정된 제3 신호 및 제4 신호를 생성하는 듀티 사이클 보정 수단, 및 상기 제3 신호의 부 에지 및 상기 제4 신호의 부 에지 간의 제2 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 상기 제2 위상 차에 비례하는 길이의 제2 제어 펄스 쌍을 생성하고, 상기 제2 위상 차가 [-2π, -π] 또는 [π, 2π]에 포함되면 고정된 최대 길이의 상기 제2 제어 펄스 쌍을 생성하는 부 에지 검출 수단을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지연 동기 루프는 복수의 지연기 셀들을 포함할 수 있다. 이 때 복수의 지연기 셀들 각각은 제1 차동(differential) 입력 신호 쌍을 입력 받고, 상기 제1 차동 입력 신호 쌍의 정 에지가 빠르게 천이하도록 제2 차동 신호 쌍을 생성하는 제1 버퍼, 및 상기 제2 차동 신호 쌍을 보간 (interpolate)하여 제3 차동 신호 쌍을 출력하는 제2 버퍼를 포함할 수 있다. 지연 동기 루프는 이전 지연기 셀의 출력 신호 쌍을 다음 지연기 셀의 입력 신호 쌍으로 전달할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 위상 검출기 (phase detector)의 이득을 높임으로써 위상 locking 시간을 단축할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 위상 검출기의 이득을 높이면서도 phase capture range를 넓힐 수 있다.
본 발명의 실시예들은 delay line을 경유하면서 발생하는 duty cycle의 차이 를 compensate할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 duty cycle의 차이를 충분히 최소화함으로써 dual edge triggered phase detector의 성능을 최적화할 수 있다.
이하에서, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지연 동기 루프(Delay Locked Loop, DLL)(100)를 도시하는 도면이다.
도 1을 참조하면 DLL(100)은 듀티 사이클 보정기(Duty Cycle Compensator)(110), 위상 검출기(Phase Detector)(120) 및 지연 회로 라인(Delay Line)(130)을 포함할 수 있다.
듀티 사이클 보정기(110)는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout를 입력 받을 수 있다. 듀티 사이클 보정기(110)는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout의 듀티 사이클 차이가 보정된 제3 신호 φin' 및 제2 신호 φout' 를 생성할 수 있다.
위상 검출기(120)는 제1 신호 φin의 정 에지(positive edge) 및 제2 신호 φout의 정 에지 간의 제1 위상 차를 검출할 수 있다. 위상 검출기(120)는 제3 신호 φin' 의 부 에지(negative edge) 및 제2 신호 φout' 의 부 에지 간의 제2 위상 차를 검출할 수 있다. positive edge 는 rising edge라고도 불릴 수 있고 negative edge는 falling edge라고도 불릴 수 있다.
위상 검출기(120)는 제1 위상 차 및 제2 위상 차에 기초하여 제어 전압 Vctrl을 생성할 수 있다. 위상 검출기(120)는 제1 위상 차 또는 제2 위상 차가 구간 [-2π, 2π]에 포함되면 위상을 locking하는 제어 전압 Vctrl을 생성할 수 있다. 이러한 구간 [-2π, 2π]을 phase capture range라 하기도 한다.
위상 검출기(120)는 TSPC (True Single Phase Clocking) Phase Detection 기법을 이용할 수 있다. 또한 위상 검출기(120)는 제1 신호 φin의 차동 신호 쌍(differential signal pair) 및 제2 신호 φout의 차동 신호 쌍을 입력 받고, 각 차동 신호 쌍에 의해 생성된 제어 펄스를 교차 피드백하여 위상 검출 이득을 개선할 수 있다.
위상 검출기(120)는 제1 위상차 또는 제2 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 제1 위상 차 또는 제2 위상 차에 비례하는 제어 전압 Vctrl을 생성하고, 제1 위상차 또는 제2 위상 차가 구간 [-2π, -π]에 포함되면 음의 최대 값을 가지는 제어 전압 Vctrl을 생성하고, 제1 위상차 또는 제2 위상 차가 구간 [π,2π]에 포함되면 양의 최대 값을 가지는 제어 전압 Vctrl을 생성할 수 있다.
위상 검출기(120)는 phase capture range를 높이면서도 위상 검출 이득을 높일 수 있다. 따라서 위상 검출기(120)는 dual edge triggered phase detection의 이점을 최대한 이용하여 phase locking 시간을 단축할 수 있다.
지연 회로 라인(130)은 복수의 지연기 셀(delay cell)들을 포함할 수 있다. 지연 회로 라인(130)은 제어 전압 Vctrl에 기초하여 제1 신호 φin을 지연하여 제2 신호 φout를 생성할 수 있다. 지연 회로 라인(130)은 기준 클럭 (reference clock)에 기초하여 주기적으로 반복되는 펄스를 가지는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout를 생성할 수 있다. 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout 간의 지연 시간(delay time)은 제어 전압 Vctrl에 기초하여 결정될 수 있다.
복수의 delay cell들 각각은 차동 신호 쌍을 입력 받고, 입력 받은 차동 신호 쌍을 지연하여 출력 차동 신호 쌍을 생성할 수 있다. 지연 회로 라인(130)은 이전 delay cell의 출력 차동 신호 쌍을 다음 delay cell의 입력 차동 신호 쌍으로서 전달할 수 있다.
delay cell 들 각각은 입력 차동 신호 쌍을 입력 받고, 입력 차동 신호 쌍의 정 에지(positive edge) 가 빠르게 천이하도록 조정된 제2 차동 신호 쌍을 생성하는 제1 버퍼(buffer)를 포함할 수 있다. delay cell들 각각은 또한 제2 차동 신호 쌍을 보간(interpolate)하여 출력 차동 신호 쌍을 생성하는 제2 버퍼를 포함할 수 있다. delay cell은 출력 차동 신호 쌍을 구성하는 신호들 간의 duty cycle 차이를 줄일 수 있다.
제1 버퍼는 제어 전압 Vctrl에 기초하여 제2 차동 신호 쌍에 대응하는 노드들의 방전을 적응적으로(adaptively) 보조할 수 있다.
듀티 사이클 보정기(110)는 제1 신호 φin 및 제1 신호 φin의 지연 신호 중 하나를 제2 신호 φout에 기초하여 선택하는 제1 다중화기(multiplexer)를 포함할 수 있다. 듀티 사이클 보정기(110)는 또한 제2 신호 φout 및 제2 신호 φout의 지연 신호 중 하나를 제1 신호 φin에 기초하여 선택하는 제2 다중화기를 포함할 수 있다.
듀티 사이클 보정기(110)는 negative edge가 시간 상 먼저 나타난 신호를 delay하고 negative edge가 시간 상 나중에 나타난 신호는 delay 없이 전달하여 negative edge의 발생 시점의 차이를 줄일 수 있다.
도 2는 도 1의 위상 검출기(120)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 2를 참조하면 위상 검출기(120)는 Positive Edge Triggered Phase Detector (PET-PD) (210), Negative Edge Triggered Phase Detector (NET-PD) (220), 병합 수단(230) 및 Charge Pump (240)를 포함할 수 있다.
PET-PD (210)는 제1 입력 신호 φin의 positive edge 및 제2 입력 신호 φout의 positive edge 간의 제1 위상 차에 기초하여 제1 제어 펄스 쌍 (P_DN, P_UP)을 생성할 수 있다.
PET-PD (210)는 제1 입력 신호 φin, 제1 입력 신호 φin의 반전 신호 /φin, 제2 입력 신호 φout, 제2 입력 신호 φout의 반전 신호 /φout 를 입력 받아 제1 위상 차를 검출할 수 있다.
PET-PD (210)는 제1 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 제1 위상 차에 비례하는 길이의 제1 제어 펄스 쌍을 생성하고, 상기 제1 위상 차가 [-2π, -π] 또는 [π, 2π]에 포함되면 고정된 최대 길이의 상기 제1 제어 펄스 쌍을 생성할 수 있다.
예를 들어 제2 입력 신호 φout의 positive edge가 제1 입력 신호 φin의 positive edge보다 느린 경우 제1 위상 차는 양의 값(positive value)을 가질 수 있다. 제1 위상 차가 구간 [0, π]에 포함되면 PET-PD (210)는 제1 위상 차에 비례하는 길이의 펄스를 P_UP 신호로 생성할 수 있다. 제1 위상 차가 구간 [π, 2 π]에 포함되면 PET-PD (210)는 고정된 최대 길이의 펄스를 P_UP 신호로 생성할 수 있다.
반대의 예로서 제2 입력 신호 φout의 positive edge가 제1 입력 신호 φin의 positive edge보다 빠른 경우 제1 위상 차는 음의 값(negative value)을 가질 수 있다. 제1 위상 차가 구간 [-π, 0]에 포함되면 PET-PD (210)는 제1 위상 차의 크기에 비례하는 길이의 펄스를 P_DN 신호로 생성할 수 있다. 제1 위상 차가 구간 [-2π, -π]에 포함되면 PET-PD (210)는 고정된 최대 길이의 펄스를 P_DN 신호로 생성할 수 있다.
NET-PD (220)는 듀티 사이클 보정기(110)에 의하여 제1 입력 신호 φin 및 제2 입력 신호 φout 간의 duty cycle 차이가 보정된 제3 신호 φin' 및 제4 신호 φout' 를 입력 받을 수 있다.
NET-PD (220)는 제3 신호 φin' 의 negative edge 및 제4 신호 φout' 의 negative edge 간의 제2 위상 차에 기초하여 제2 제어 펄스 쌍 (N_DN, N_UP)을 생성할 수 있다.
NET-PD (220)는 제3 신호 φin' 의 반전 신호 /φin' 및 제4 신호 φout' 의 반전 신호 /φout' 를 더 입력 받아 제2 위상 차를 검출할 수 있다.
제4 신호 φout' 의 negative edge가 제3 신호 φin' 의 negative edge보다 느린 경우 제2 위상 차는 양의 값을 가질 수 있다. 제2 위상 차가 구간 [0, π]에 포함되면 NET-PD (220)는 제2 위상 차에 비례하는 길이의 펄스를 N_UP 신호로 생성할 수 있다. 제2 위상 차가 구간 [π, 2π]에 포함되면 NET-PD (220)는 고정된 최 대 길이의 펄스를 N_UP 신호로 생성할 수 있다.
제4 입력 신호 φout' 의 negative edge가 제3 입력 신호 φin' 의 negative edge보다 빠른 경우 제2 위상 차는 음의 값을 가질 수 있다. 제2 위상 차가 구간 [-π, 0]에 포함되면 NET-PD (220)는 제2 위상 차의 크기에 비례하는 길이의 펄스를 N_DN 신호로 생성할 수 있다. 제2 위상 차가 구간 [-2π, -π]에 포함되면 NET-PD (220)는 고정된 최대 길이의 펄스를 N_DN 신호로 생성할 수 있다.
병합 수단(230)은 제1 제어 펄스 쌍 (P_UP, P_DN) 및 제2 제어 펄스 쌍 (N_UP, N_DN)에 기초하여 제3 제어 펄스 쌍 (DN, UP)을 생성할 수 있다.
병합 수단(230)은 P_UP 신호 및 N_UP 신호에 대하여 논리 합 연산(logical OR operation)을 수행하여 UP 신호를 생성할 수 있고, P_DN 신호 및 N_DN 신호에 대하여 논리 합 연산을 수행하여 DN 신호를 생성할 수 있다.
Charge Pump(240)는 제3 제어 펄스 쌍 (DN, UP)에 기초하여 제어 전압 Vctrl을 생성할 수 있다. Charge Pump(240)는 DN 신호의 펄스의 길이에 기초하여 제어 전압 Vctrl을 낮출 수 있고 UP 신호의 펄스의 길이에 기초하여 제어 전압 Vctrl을 높일 수 있다. Charge Pump(240)는 펄스의 시간적 길이에 기초하여 제어 전압 Vctrl의 레벨을 결정하므로 시간 지연(time delay)을 전압으로 변환하는 기능을 수행한다고 할 수 있다.
위상 검출기(120)는 신호의 positive edge 및 negative edge를 검출하고, 검출된 edge에 기초하여 위상 차이를 검출하므로 위상 검출 이득을 높일 수 있다. 따라서 위상 검출기(120)를 포함하는 DLL(100)은 phase locking 시간을 줄일 수 있 다.
도 3은 도 2의 PET-PD (210)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 3을 참조하면 PET-PD (210)는 제1 입력 신호 φin, 제1 입력 신호 φin의 반전 신호 /φin, 제2 입력 신호 φout, 및 제2 입력 신호 φout의 반전 신호 /φout를 입력 받을 수 있다.
게이트(gate) NOR1은 /φin 신호 및 P_UP 신호를 입력 받고 출력 신호를 생성한다. 편의 상 이 때의 출력 신호를 NOR1.out 이라 표시할 수 있다.
트랜지스터 P1, P3 및 N1은 NOR1.out 신호 및 제1 입력 신호 φin을 입력 받고 출력 신호를 생성할 수 있다. 이 때의 출력 신호는 트랜지스터 P3 및 N1의 출력이므로 편의 상 P3.out 이라 표시할 수 있다.
트랜지스터 P2, N3, 및 N2는 P3.out 신호 및 제1 입력 신호 φin을 입력 받고 출력 신호 P_DN을 생성할 수 있다.
게이트(gate) NOR2는 /φout 신호 및 P_DN 신호를 입력 받고 출력 신호를 생성한다. 편의 상 이 때의 출력 신호를 NOR2.out 이라 표시할 수 있다.
트랜지스터 P4, P6 및 N4는 NOR2.out 신호 및 제2 입력 신호 φout 를 입력 받고 출력 신호를 생성할 수 있다. 이 때의 출력 신호는 트랜지스터 P6 및 N4의 출력이므로 편의 상 P6.out 이라 표시할 수 있다.
트랜지스터 P5, N6, 및 N5는 P6.out 신호 및 제2 입력 신호 φout 를 입력 받고 출력 신호 P_DN을 생성할 수 있다.
PET-PD (210)는 출력 신호 쌍 P_DN, P_UP을 교차 피드백함으로써 phase capture range를 넓히면서도 이득을 높게 유지할 수 있다.
도 4는 도 1의 위상 검출기(120)의 동작 특성의 일 예를 도시하는 도면이다.
위상 검출기(120)는 위상 차를 검출하고, 위상 차에 기초하여 제어 전압 Vctrl을 생성할 수 있다.
도 4를 참조하면 위상 차가 구간 [-2π, -π]에 포함되면 제어 전압 Vctrl은 음의 최대 전압 -VDD를 가질 수 있다. 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 제어 전압 Vctrl은 위상 차에 비례하는 값을 가질 수 있다. 위상 차가 구간 [π, 2π]에 포함되면 제어 전압 Vctrl은 양의 최대 전압 VDD를 가질 수 있다.
위상 검출기(120)는 dual edge triggered phase detector (DET-PD)의 성능을 이용하여 구간 [-π, π]에서는 높은 이득을 얻을 수 있고, 이득 특성 곡선을 개선함으로써 구간 [-2π, -π] 및 구간 [π, 2π]도 phase capture range로 포함할 수 있다.
도 5는 도 1의 지연 회로 라인(130)의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 5를 참조하면 지연 회로 라인(130)은 N개의 delay cell들을 포함할 수 있다.
Delay Cell 1 (510)는 기준 클럭(reference clock)을 입력 받아 주기적으로 반복되는 펄스를 생성할 수 있다. 펄스의 주기는 기준 클럭의 주기에 기초하여 결정되고 펄스의 기준 클럭에 대한 지연 시간(delay time)은 제어 전압 Vctrl에 기초하여 결정될 수 있다.
Delay Cell 2 (520)는 Delay Cell 1 (510)의 출력 펄스를 입력 받아 Vctrl에 기초하여 지연된 펄스를 생성할 수 있다.
Delay Cell N (530)는 이전 Delay Cell (N-1)의 출력 펄스를 입력 받아 신호 φout을 생성할 수 있다.
신호 φin 및 신호 φout는 주기적으로 반복되는 펄스 신호이다. 이 때 펄스의 주기는 기준 클럭의 주기에 기초하여 결정될 수 있다. 신호 φin 및 신호 φout 간의 위상 차는 제어 전압 Vctrl에 기초하여 결정될 수 있다.
도 5에 대응하는 다른 실시예에 따라서는 Delay Cell 1 (510)는 차동 신호 쌍 (differential signal pair)을 생성할 수 있다. 지연 회로 라인(130)은 이전 Delay Cell의 차동 신호 쌍을 다음 Delay Cell의 입력으로 전달할 수 있다.
지연 회로 라인(130)은 voltage controlled delay line (VCDL)이라 불리기도 한다.
도 6은 도 5의 Delay Cell 1 (510)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 6을 참조하면 Delay Cell 1 (510)은 제1 버퍼(buffer) (610) 및 제2 버퍼 (620)를 포함할 수 있다.
제1 버퍼 (610)는 제1 차동 입력 신호 쌍 (in+, in-)을 입력 받고, 제1 차동 입력 신호 쌍의 positive edge 가 빠르게 천이되도록 조정된 제2 차동 신호 쌍 (out+, out-)을 생성할 수 있다.
이 때 제1 차동 입력 신호 쌍 (in+, in-)은 이전 Delay Cell의 출력 차동 신호 쌍일 수 있다.
제1 차동 입력 신호 쌍은 트랜지스터 P51 및 P52 각각의 게이트 단자(gate terminal)에 연결된다. 트랜지스터 N51 및 N52 각각의 게이트 단자는 상대방의 드레인 단자(drain terminal)에 연결된다. 트랜지스터 N51의 드레인 단자는 또한 트랜지스터 P51의 드레인 단자에 연결되고 out-로 명명된다. 트랜지스터 P51은 in+ 신호를 입력 받아 out- 신호를 출력한다. 트랜지스터 N52의 드레인 단자는 트랜지스터 P52의 드레인 단자에 연결되고 out+로 명명된다. 트랜지스터 P52는 in- 신호를 입력 받아 out+ 신호를 출력한다.
트랜지스터 N53 및 N54는 제어 전압 Vctrl에 기초하여 제2 차동 신호 쌍(out+, out-)에 대응하는 노드의 방전을 적응적으로(adaptively) 보조할 수 있다.
펄스 신호가 복수의 delay cell들을 거치면서 edge의 slope가 완만하게 변화되는 경우가 빈번하다. edge의 slope가 완만하면 triggering point를 찾기가 어려우므로 제1 버퍼(610)는 신호의 positive edge의 slope를 복원함으로써 위상 검출기(120)가 위상 차를 쉽게 검출할 수 있도록 한다.
또한 제1 버퍼(610)는 positive edge의 slope를 복원하고 negative edge의 slope를 상대적으로 작게 복원함으로써 out+, out- 신호의 edge 간의 거리를 좁혀 duty cycle을 1/2에 가깝게 조정할 수 있다.
in+, in-의 positive edge의 slope가 지나치게 완만한 경우, 트랜지스터 P51 및 P52가 turn off 되는 시점이 늦어 out+, out-의 negative edge가 완만해지는 경향이 있을 수 있다. 트랜지스터 N53 및 N54는 Vctrl에 기초하여 adaptive하게 out+, out-에 대응하는 node의 discharging을 지원함으로써 out+, out-의 negative edge의 slope를 개선할 수 있다.
제2 버퍼(620)는 8개의 인버터(inverter)들 (I1 내지 I8)을 포함할 수 있다.
I1는 out- 신호를 입력 받고 I3는 I1의 출력을 입력 받을 수 있다.
I2는 out+ 신호를 입력 받고 I4는 I2의 출력을 입력 받을 수 있다.
I5는 out- 신호를 입력 받고 I4 및 I5의 출력은 하나의 노드(node)에 연결된다. I7은 I4 및 I5의 출력이 연결된 노드를 입력으로 하고 φout- 를 생성할 수 있다.
I6는 out+ 신호를 입력 받고 I3 및 I6의 출력은 또 하나의 노드에 연결된다. I8은 I3 및 I6의 출력이 연결된 노드를 입력으로 하고 φout+를 생성할 수 있다.
제2 버퍼(620)는 제2 차동 신호 쌍(out+, out-)을 interpolate하여 차동 출력 신호 쌍(φout+, φout-)을 생성할 수 있다.
Delay Cell 1 (510)은 펄스 신호가 VCDL을 경유하는 동안 발생한 duty cycle distortion을 제거하고 복원된 duty cycle을 가지는 펄스 신호를 생성할 수 있다.
듀티 사이클 보정기(110)는 Delay Cell 1 (510)에 의하여 제거되지 못한 duty cycle distortion을 compensation할 수 있다. DLL (100)은 duty cycle의 distortion을 제거함으로써 DET-PD 기법에 의한 높은 이득을 유지할 수 있고, 따라서 phase locking time 을 줄일 수 있다.
도 7은 도 1의 듀티 사이클 보정기(110)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 7을 참조하면 듀티 사이클 보정기(110)는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φ out을 입력 받아 보정된 제3 신호 φin' 및 보정된 제4 신호 φout' 을 생성할 수 있다.
듀티 사이클 보정기(110)는 반전된 제1 신호 /φin 및 반전된 제2 신호 /φout을 입력 받아 반전된 제3 신호 /φin' 및 반전된 제4 신호 /φout' 을 더 생성할 수 있다.
Delay (720)는 제1 신호 φin의 지연 신호를 생성할 수 있다. 다중화기 (multiplexer)(710)는 제1 신호 φin 및 제1 신호 φin의 지연 신호 중 하나를 제2 신호 φout에 기초하여 제3 신호 φin'으로 선택할 수 있다.
다중화기(710)는 제2 신호 φout이 논리 "1"에 대응할 때 제1 신호 φin의 지연 신호를 제3 신호 φin'으로 선택하고 제2 신호 φout이 논리 "0"에 대응할 때 제1 신호 φin를 제3 신호 φin'으로 선택할 수 있다.
Delay (760)는 제2 신호 φout의 지연 신호를 생성할 수 있다. 다중화기 (750)는 제2 신호 φout 및 제2 신호 φout의 지연 신호 중 하나를 제1 신호 φin에 기초하여 제4 신호 φout'으로 선택할 수 있다.
다중화기(750)는 제1 신호 φin이 논리 "1"에 대응할 때 제2 신호 φout의 지연 신호를 제4 신호 φout'으로 선택하고 제1 신호 φin이 논리 "0"에 대응할 때 제2 신호 φout를 제4 신호 φout'으로 선택할 수 있다.
설명의 편의 상 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout의 positive edge가 동기되었거나 거의 동기된 경우를 가정한다. 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout 중 시간 상으로 앞선 negative edge를 가지는 신호는 좀 더 delay되므로 듀티 사이클 보정 기(110)는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout 간의 negative edge의 시간 차이를 줄일 수 있다. 따라서 듀티 사이클 보정기(110)는 제1 신호 φin 및 제2 신호 φout 간의 duty cycle 차이를 보정할 수 있다.
Delay (740)는 반전된 제1 신호 /φin의 지연 신호를 생성할 수 있다. 다중화기 (730)는 반전된 제1 신호 /φin 및 반전된 제1 신호 /φin의 지연 신호 중 하나를 제2 신호 φout에 기초하여 제3 신호의 반전 신호 /φin'으로 선택할 수 있다.
다중화기(730)는 제2 신호 φout이 논리 "1"에 대응할 때 반전된 제1 신호 /φin의 지연 신호를 제3 신호의 반전 신호 /φin'으로 선택하고 제2 신호 φout이 논리 "0"에 대응할 때 반전된 제1 신호 /φin를 제3 신호의 반전 신호 /φin'으로 선택할 수 있다.
Delay (780)는 반전된 제2 신호 /φout의 지연 신호를 생성할 수 있다. 다중화기 (770)는 반전된 제2 신호 /φout 및 반전된 제2 신호 /φout의 지연 신호 중 하나를 제1 신호 φin에 기초하여 제4 신호의 반전 신호 /φout'으로 선택할 수 있다.
다중화기(770)는 제1 신호 φin이 논리 "1"에 대응할 때 반전된 제2 신호 /φout의 지연 신호를 제4 신호의 반전 신호 /φout'으로 선택하고 제1 신호 φin이 논리 "0"에 대응할 때 반전된 제2 신호 /φout를 제4 신호의 반전 신호 /φout'으로 선택할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 지연 동기(phase locking) 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 본 발명의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지연 동기 루프(Delay Locked Loop, DLL)(100)를 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1의 위상 검출기(120)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 PET-PD (210)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 4는 도 1의 위상 검출기(120)의 동작 특성의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 1의 지연 회로 라인(130)의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 6은 도 5의 Delay Cell 1 (510)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
도 7은 도 1의 듀티 사이클 보정기(110)의 일 예를 상세히 도시하는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: Duty Cycle Compensator
120: Phase Detector
130: Delay Line

Claims (17)

  1. 제1 신호 및 제2 신호를 입력 받고 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호 간의 듀티 사이클 차이가 보정된 제3 신호 및 제4 신호를 생성하는 듀티 사이클 보정기;
    상기 제1 신호의 정 에지 및 상기 제2 신호의 정 에지 간의 제1 위상 차 및 상기 제3 신호의 부 에지 및 상기 제4 신호의 부 에지 간의 제2 위상 차에 기초하여 제어 전압을 생성하고, [-2π, 2π] 의 위상 포획 범위를 가지는 위상 검출기; 및
    복수의 지연기 셀들을 포함하고, 상기 제어 전압에 기초하여 상기 제1 신호를 지연하여 상기 제2 신호를 생성하는 지연 회로 라인
    을 포함하는 지연 동기 루프 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위상 검출기는
    상기 제1 위상차 또는 상기 제2 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 상기 제1 위상 차 또는 상기 제2 위상 차에 비례하는 상기 제어 전압을 생성하고, 상기 제1 위상차 또는 상기 제2 위상 차가 구간 [-2π, -π]에 포함되면 음의 최대 값을 가지는 상기 제어 전압을 생성하고, 상기 제1 위상차 또는 상기 제2 위상 차가 구간 [π, 2π]에 포함되면 양의 최대 값을 가지는 상기 제어 전압을 생성하는 지연 동기 루프 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 지연기 셀들 각각은
    제1 차동 입력 신호 쌍을 입력 받고, 상기 제1 차동 입력 신호 쌍의 정 에지가 빠르게 천이하도록 조정된 제2 차동 신호 쌍을 생성하는 제1 버퍼; 및
    상기 제2 차동 신호 쌍을 보간하여 제3 차동 신호 쌍을 출력하는 제2 버퍼
    를 포함하고,
    상기 지연 회로 라인은
    이전 지연기 셀의 출력 신호 쌍을 다음 지연기 셀의 입력 신호 쌍으로 전달하는 지연 동기 루프 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 버퍼는
    상기 제어 전압에 기초하여 상기 제2 차동 신호 쌍에 대응하는 노드의 방전을 적응적으로 보조하는 지연 동기 루프 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 듀티 사이클 보정기는
    상기 제1 신호 및 상기 제1 신호의 지연 신호 중 하나를 상기 제2 신호에 기초하여 선택하는 제1 다중화기; 및
    상기 제2 신호 및 상기 제2 신호의 지연 신호 중 하나를 상기 제1 신호에 기초하여 선택하는 제2 다중화기
    를 포함하는 지연 동기 루프 회로.
  6. 제1 입력 신호의 정 에지 및 제2 입력 신호의 정 에지 간의 제1 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 상기 제1 위상 차에 비례하는 길이의 제1 제어 펄스 쌍을 생성하고, 상기 제1 위상 차가 [-2π, -π] 또는 [π, 2π]에 포함되면 고정된 최대 길이의 상기 제1 제어 펄스 쌍을 생성하는 정 에지 검출 수단;
    상기 제1 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호를 입력 받고 상기 제1 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호 간의 듀티 사이클 차이가 보정된 제3 신호 및 제4 신호를 생성하는 듀티 사이클 보정 수단; 및
    상기 제3 신호의 부 에지 및 상기 제4 신호의 부 에지 간의 제2 위상 차가 구간 [-π, π]에 포함되면 상기 제2 위상 차에 비례하는 길이의 제2 제어 펄스 쌍을 생성하고, 상기 제2 위상 차가 [-2π, -π] 또는 [π, 2π]에 포함되면 고정된 최대 길이의 상기 제2 제어 펄스 쌍을 생성하는 부 에지 검출 수단
    을 포함하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 제어 펄스 쌍 및 상기 제2 펄스 쌍에 기초하여 제3 제어 펄스 쌍을 생성하는 병합 수단
    을 더 포함하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 제어 펄스 쌍 및 상기 제2 제어 펄스 쌍에 기초하여 지연 동기 루프 회로의 제어 전압을 생성하는 전압 변환 수단
    을 더 포함하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 정 에지 검출 수단은
    상기 제1 입력 신호, 상기 제1 입력 신호의 반전 신호, 상기 제2 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호의 반전 신호를 입력 받는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 부 에지 검출 수단은
    상기 제1 입력 신호, 상기 제1 입력 신호의 반전 신호, 상기 제2 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호의 반전 신호를 입력 받는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 듀티 사이클 보정 수단은
    상기 제1 입력 신호 및 상기 제1 입력 신호의 지연 신호 중 하나를 상기 제2 입력 신호에 기초하여 상기 제3 신호로 선택하는 제1 다중화기; 및
    상기 제2 입력 신호 및 상기 제2 입력 신호의 지연 신호 중 하나를 상기 제1 입력 신호에 기초하여 상기 제4 신호로 선택하는 제2 다중화기
    를 포함하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 다중화기는
    상기 제2 입력 신호가 논리 "1"에 대응할 때 상기 제1 입력 신호의 지연 신호를 상기 제3 신호로 선택하고, 상기 제2 입력 신호가 논리 "0"에 대응할 때 상기 제1 입력 신호를 상기 제3 신호로 선택하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2 다중화기는
    상기 제1 입력 신호가 논리 "1"에 대응할 때 상기 제2 입력 신호의 지연 신호를 상기 제4 신호로 선택하고, 상기 제1 입력 신호가 논리 "0"에 대응할 때 상기 제2 입력 신호를 상기 제4 신호로 선택하는 지연 동기 루프 회로의 위상 검출기.
  14. 복수의 지연기 셀들을 포함하고,
    상기 복수의 지연기 셀들 각각은
    제1 차동 입력 신호 쌍을 입력 받고, 상기 제1 차동 입력 신호 쌍의 정 에지가 빠르게 천이하도록 조정된 제2 차동 신호 쌍을 생성하는 제1 버퍼; 및
    상기 제2 차동 신호 쌍을 보간하여 제3 차동 신호 쌍을 출력하는 제2 버퍼
    를 포함하고,
    이전 지연기 셀의 출력 신호 쌍을 다음 지연기 셀의 입력 신호 쌍으로 전달하는 지연 동기 루프 회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 버퍼는
    상기 제어 전압에 기초하여 상기 제2 차동 신호 쌍에 대응하는 노드의 방전을 적응적으로 보조하는 지연 동기 루프 회로.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 버퍼는
    상기 제1 차동 입력 신호 쌍이 게이트 단자에 연결되는 피모스 트랜지스터 쌍;
    게이트 단자는 상대방의 드레인 단자에 연결되고, 드레인 단자는 각각 상기 피모스 트랜지스터 쌍과 반전되어 상기 제2 차동 신호 쌍과 연결되는 엔모스 트랜지스터 쌍
    을 포함하는 지연 동기 루프 회로.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제2 버퍼는
    상기 제2 차동 신호 쌍의 음의 신호를 입력 받는 제1 인버터;
    상기 제2 차동 신호 쌍의 양의 신호를 입력 받는 제2 인버터;
    상기 제1 인버터의 출력을 입력 받는 제3 인버터;
    상기 제2 인버터의 출력을 입력 받는 제4 인버터;
    상기 제2 차동 신호 쌍의 음의 신호를 입력 받는 제5 인버터;
    상기 제2 차동 신호 쌍의 양의 신호를 입력 받는 제6 인버터;
    상기 제4 인버터의 출력 및 상기 제4 인버터의 출력이 연결된 노드를 입력으로 하는 제7 인버터; 및
    상기 제3 인버터의 출력 및 상기 제6 인버터의 출력이 연결된 노드를 입력으로 하는 제8 인버터
    를 포함하는 지연 동기 루프 회로.
KR1020080072426A 2008-07-24 2008-07-24 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프 KR20100011282A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080072426A KR20100011282A (ko) 2008-07-24 2008-07-24 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080072426A KR20100011282A (ko) 2008-07-24 2008-07-24 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100011282A true KR20100011282A (ko) 2010-02-03

Family

ID=42085776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080072426A KR20100011282A (ko) 2008-07-24 2008-07-24 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100011282A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101331442B1 (ko) * 2012-06-29 2013-11-21 포항공과대학교 산학협력단 듀티 싸이클 보정기능이 루프 내에 내장된 지연고정루프
US9385730B2 (en) 2013-05-09 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-rotating phase locked loop and method of controlling operation thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101331442B1 (ko) * 2012-06-29 2013-11-21 포항공과대학교 산학협력단 듀티 싸이클 보정기능이 루프 내에 내장된 지연고정루프
US8803577B2 (en) 2012-06-29 2014-08-12 SK Hynix Inc. Delay locked loop with a loop-embedded duty cycle corrector
US9385730B2 (en) 2013-05-09 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-rotating phase locked loop and method of controlling operation thereof
US9654118B2 (en) 2013-05-09 2017-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase-rotating phase locked loop and method of controlling operation thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8542044B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method for driving the same
KR102222622B1 (ko) 지연 고정 루프 회로
KR100810070B1 (ko) 지연고정루프
KR100733471B1 (ko) 반도체 기억 소자의 지연 고정 루프 회로 및 그 제어 방법
KR101606187B1 (ko) 지연 동기 루프 회로 및 지연 동기 루프 회로의 동작 방법
KR101659840B1 (ko) 스큐드 게이트 타입 듀티 교정회로를 갖는 디지털 지연 동기 루프 및 그의 듀티 교정방법
US6452432B2 (en) Signal processing circuits having a pair of delay locked loop (DLL) circuits for adjusting a duty-cycle of a periodic digital signal and methods of operating same
US7994834B2 (en) Duty cycle corrector and clock generator having the same
KR101201842B1 (ko) 위상 보정 회로
JP2007068139A (ja) 遅延固定ループ
US8373478B2 (en) Semiconductor device and delay locked loop circuit thereof
JP2009278528A (ja) Dll回路、および半導体装置
US20170005782A1 (en) Clock generation circuit and method and semiconductor apparatus and electronic system using the same
KR102468261B1 (ko) 듀티 보정 회로
US7872508B2 (en) Delay locked loop circuit
KR101847543B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
US20090115486A1 (en) Apparatus and method for generating multi-phase clocks
KR20110134197A (ko) 전압제어지연라인, 상기 전압제어지연라인을 구비하는 지연고정루프회로 및 다중위상클럭생성기
KR20100011282A (ko) 듀얼 에지에서 트리거되는 위상 검출기 및 듀티 사이클변화가 적은 전압 제어 지연 셀을 포함하고 빠른 동기시간을 가지는 지연 동기 루프
KR101074453B1 (ko) 지연 동기 루프 및 그것의 지연 동기 방법
US8258838B2 (en) Delay locked loop for expanding a delay range
KR20110130941A (ko) 듀티 보정 회로, 이를 포함하는 지연동기루프 회로 및 듀티 보정 방법
KR100907928B1 (ko) 반도체 메모리 장치
JP2000188540A (ja) クロック発生回路
KR20080002590A (ko) 지연고정 루프회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application