KR20090122361A - 방전램프, 특히 플랫램프를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방전램프를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법에서는 이하의 단계들이 실행된다: a) 플레이트형 상부(2)와 플레이트형 하부(3)를 제공하는 단계로서, 이 경우 상기 상부(2) 및/또는 하부(3)의 적어도 하나의 영역이 광투과성 재료로 형성되고; b) 상기 상부(2) 및/또는 상기 하부(3)의 표면(2a, 3a) 위에 발광층(21, 31)을 제공하는 단계; c) 상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이에 다수의 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 배치하는 단계로서, 상기 두 부분(2, 3)은 적어도 하나의 발광층(21, 31)이 나머지 부분(2, 3)을 향하도록 서로 이격된 상태로 배치되며; d) 가스 흐름(6)의 발생에 의해 상기 발광층(21, 31) 내에 또는 발광층 위에 유입된 수분 및 축적된 수분을 제거하는 단계로서, 상기 가스 흐름은 상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이를 통과하여 흐르고; e) 상기 상부(2)와 상기 하부(3)의 주변을 둘러싸는 에지(13, 14, 15, 16)에 기밀 방식의 연결을 발생시키는 단계.

Description

방전램프, 특히 플랫램프를 제조하기 위한 방법{METHOD FOR PRODUCING A DISCHARGE LAMP, IN PARTICULAR A FLAT LAMP}

본 발명은 방전램프, 특히 플랫램프의 제조 방법에 관한 것이다.

방전램프로 형성되는 플랫램프들은 본 출원인에 의해 공지되어 있으며 예를 들어 Planon®로 표기된다.

또한, US 2006/0043857 A1호에는 수은(Hg)을 함유한 방전램프가 플랫램프의 형태로 공지되어 있다. 상기 플랫램프는 서로 연결되는 플랫형의 상부와 플랫형의 하부를 포함한다. 상기 두 부분(상기 플랫형의 상부 및 상기 플랫형의 하부)의 서로 마주보는 표면들에는 각각 하나의 발광층이 형성되어 있다. 두 부분은 실질적으로 편평한 플레이트들로 형성될 수 있다. 그 반면, 특히 상부는 횡단면으로 볼 때 웨이브 모양의 형태를 갖는 플레이트형 부분으로 형성될 수 있다. 이러한 설계에 의해 서로 평행하게 배치된 다수의 방전챔버들은 결합 시 도관들(duct)의 형태로 형성될 수 있다. 용융재료 또는 납땜 유리 (소위 "프릿(frit)")가 제공됨으로써 상부와 하부는 에지들에서 서로 연결된다. 상기 용융재료는 발광 물질이 제거된, 상부와 하부의 에지 영역들에서 완전히 외면까지 연장됨으로써, 상부와 하부가 직접적으로 서로 연결되는 것이 아니라 상기 용융 재료가 그 사이에 놓인다. 두 플레이트형 부분의 융합 후 덕트형 방전챔버들은 진공 방식으로 서로 거의 분리된 상태로 배치되며, 후속하는 펌핑(pumping) 동작은 실제로 플레이트형 부분들의 서로 인접하는 영역들 안에서 발광층들을 관통하여 실행되어야한다. 그로 인해 펌핑은 하나의 펌프관(pump stem)을 통해서 아주 오랫동안 지속된다.

그 밖에 상기와 같은 유형의 플랫램프들의 제조 공정 시 중요 문제점은 상부들과 하부들이 발광층 제거 후에 거듭 불순물, 특히 물이 발광층에 축적될 수 있는 상황들에 노출된다는 것이며, 상기 불순물들은 추후에 이루어지는 펌프 공정 시 복잡한 공정에 의해서 그리고 상당한 시간이 걸려서 다시 제거되어야 한다.

따라서, 본 발명의 목적은 램프의 기능성이 개선된 방전램프, 특히 플랫램프의 제조 방법을 제공하는 것이다. 특히 펌프 공정이 단축되어야 한다.

상기 목적은 청구항 1의 특징을 갖는 방법에 의해서 달성된다.

본 발명에 따른 방법에서는 플레이트형 상부와 플레이트형 하부가 제공된다. 적어도 하나의 상부 부분 영역 및/또는 적어도 하나의 하부 부분 영역은 광투과성 재료로 형성된다. 바람직하게 상부뿐만 아니라 하부 또한 유리 재료 또는 투명한 재료로 형성된다. 이러한 경우 발광층은 상부의 표면 및/또는 하부의 표면 위에 적어도 국부적으로 제공된다. 그 다음 상부와 하부는 서로 이격된 상태로 배치되며, 다수의 스페이서 소자는 두 부분 사이에 배치된다. 특히 각이 형성된 플레이트형 부분들의 경우 에지점들에는 스페이서 소자들이 배치될 수 있다. 두 부분이 상호 위치 설정됨으로써, 발광층은 나머지 부분을 향하거나, 또는 발광층이 상부 위에 뿐만 아니라 하부 위에도 설치되는 경우에는 상기 두 부분이 서로를 향하게 된다.

이러한 경우 발광층 내에 또는 발광층 위에 유입된 수분 및 축적된 수분을 제거하기 위해 후속해서 가스 흐름(flow of gas)이 발생되며, 상기 가스 흐름은 상부와 하부 사이에 있는 방전챔버 또는 방전관의 길이 방향으로 관류한다. 특히, 상기 가스 흐름은 발광층 또는 발광층들을 스쳐 지나가며, 그로 인해 상기 유입된 수분 또는 축적된 수분이 제거될 수 있다. 상부와 하부를 둘러싸는 에지에 납땜 유리 없이, 기밀 방식의 직접 연결을 형성함으로써 상기 두 부분은 상호 접속된다. 이러한 방법으로 방전램프, 특히 플랫램프가 제조될 수 있으며, 상기 플랫램프는 종래 기술의 플랫램프들과 비교하면 더 높은 광 효율을 갖는다. 또한, 점등전압이 하강될 수 있으며, 디밍(dimming) 가능성이 개선될 수도 있다. 특히 제조공정 시 발광층들 내에 쌓여서 기능을 방해하는 불순물들이 효과적이고 경제적으로 제거될 수 있다.

하부는 유리와 발광 물질 사이에 반사층, 예를 들어 산화 알루미늄(aluminum oxid)을 포함할 수 있다.

2개의 플레이트형 상부는 실제로 모두 편평하게 형성될 수 있다. 구조적인 형상은 각이 있게, 특히 직사각형으로 형성될 수 있다. 상부와 하부를 실제로 편평하게 형성하는 것 외에 특히 상부는 플레이트형으로 형성되며 횡단면으로 볼 때 물결 모양의 패턴을 가질 수도 있다. 따라서, 상부와 하부는 기본적으로 US 2006/0043857 A1호에 따른 종래 기술의 실시예들에 기술되어 있는 형상들도 가질 수 있다. 특히, 상기 문서의 도 2 및 도 6의 횡단면들에는 이와 관련하여 편평한 실시예들뿐만 아니라 웨이브 모양의 실시예들도 도시되어 있다.

상부와 하부 사이에는 바람직하게 적어도 하나의 방전챔버가 형성된다. 특히, 다수의 방전챔버가 상부와 하부 사이에 형성될 수 있다. 방전챔버가 다수인 경우에 상기 방전챔버들은 바람직하게 서로 평행하게 형성되며 그 결과 덕트형으로 서로 나란히 연장된다. 이러한 형성은 특히 상부를 웨이브 모양의 플레이트 형태로 설계함으로써 보장될 수 있다.

바람직하게 발생된 가스 흐름은 방전챔버들을 관류하도록 방향 설정된다. 상기 실시예에 의해서는 특히 유입된 수분 및 축적된 수분의 제거가 효과적으로 달성될 수 있다. 이미 배치된 스페이서 소자들에 의해 상부와 하부로 이루어진 배열체는 바람직하게 가스 흐름이 발생되기 전에 하나의 장치 내로 삽입되며, 이러한 경우 상기 장치 내에서는 후속하여서도 상부와 하부를 둘러싸는 에지에서 기밀 방식의 연결이 발생된다. 특히 상기 장치는 오븐으로 형성된다. 이러한 절차에 의해 상기 장치 내에서는 두 가지 중요한 단계가 실행될 수 있다. 한편으로는 유입된 수분 및 축적된 수분을 제거하기 위해 가스 흐름이 발생하고, 다른 한편으로는 기밀 방식의 연결이 발생한다. 이 때문에, 가스 흐름에 의해 충분한 불순물 제거(purging)가 이루어진 후에는 재차 빼내고 상기 중간구조물의 추가 장치 내로 투입(input)하는 과정은 더 이상 필요하지 않다. 따라서, 제조는 보다 신속하고 보다 경제적인 비용으로 실행될 수 있다. 또한, 상기 방법에 의해서 물이 재차 유입되지 않도록 할 수도 있다.

또한, 상기 조치에 의해서는 가스 흐름의 발생 및 그로 인한 발광층 내에 또는 발광층 위에 유입된 수분 및 축적된 수분 제거가 기밀 방식의 연결을 발생시키는 추가의 처리 단계와 시간상으로 동시에 그리고 중복적으로 상부와 하부 사이에서 실행될 수 있도록 보장될 수도 있다. 이러한 경우, 정확히 이로 인하여 특히 효과적이고 효율적인 방법으로 제조되는 방전램프의 최적의 기능성이 보장되는데, 그 이유는 한편으로는 유입된 수분 및 축적된 수분 제거가 특히 효과적으로 실행될 수 있기 때문이기도 하지만, 상기 방법으로의 제거 후에는 매우 짧은 시간 내에 그리고 바로 두 부분 사이의 주변을 둘러싸는 에지에서 기밀 방식의 연결도 발생되기 때문이다. 수증기 비율은 온도에 종속된다. 실험에 따르면 램프는 후속하는 시점에는 더 이상 용융되기 전의 유리 온도로 가열되지 않는다. 통상적인 펌프온도는 약 300℃ 내지 350℃이며, 상기 온도는 약 500℃ 정도인 용융온도보다 현저히 더 낮다.

바람직하게 가스 흐름은 가열되는데, 그로 인하여 유입된 수분 및 축적된 수분의 방출이 재차 개선될 수 있으며, 전압은 상부와 하부의 유리 내에서 저지될 수 있다. 그로 인해 상기와 같은 방식으로 온도 조절된 가스 흐름에 의한 불순물 제거가 특히 효율적으로 이루어질 수 있다. 특히, 가스 흐름은 상부와 하부의 주변을 둘러싸는 에지에서 기밀 방식 연결이 실행되고 발생할 때에 장치, 특히 오븐 내부의 온도에 상응하는 온도로 가열된다. 특히, 본 발명에서는 온도가 약 550℃ 이하로 될 수 있다. 상기와 같은 방식의 가스 흐름에 의해서 상부와 하부 사이에 있는 중간챔버의 불순물 제거 동작이 실제로 실행됨으로써, 가스 흐름에 의해 상기와 같은 방식의 제거가 실행되는 것이 아니라 펌프로 뽑아내는 과정이 실시되는 제조방법들과 비교할 때 제조시간의 뚜렷한 감소가 달성될 수 있다. 가스 흐름의 상대적으로 높은 온도에 의해서는 유입된 수분 및 축적된 수분이 발광층으로부터 외부로 또는 발광층에 의해서 매우 효율적으로 방출될 수 있다.

바람직하게 단계 d)에서는 상부와 하부가 특히 단계 e)의 실행 시 실제로 오븐 내부의 온도에 상응하는 온도로 가열된다. 그로 인해 축적된 수분 및 유입된 수분의 방출이 특히 효과적으로 이루어질 수 있다.

바람직하게 수분 방출시 상부와 하부의 온도는 약 530℃ 내지 550℃이다. 바람직하게는 가스 흐름의 온도가 더 높은데, 특히 상부와 하부의 온도보다 20℃ 내지 30℃ 더 높다.

바람직하게 단계 e)에서는 방전챔버의 연장부에 수직으로 뻗는 상부와 하부의 에지들은 방전챔버와 평행하게 뻗는 에지들보다 시간상으로 앞서서 기밀 방식으로 용융된다. 그로 인해 방출 후 재차 발생되는 수분 축적이 저지될 수 있다.

바람직한 방식으로 가스 흐름의 매체는 발생된 가스 흐름의 지속 시간에 따라 변경되거나 또는 다양화된다. 따라서, 발생된 가스 흐름의 지속 시간 동안에는 동일 매체에 의해 지속적으로 불순물 제거가 이루어지는 것이 아니라 상기 매체가 시간에 따라 변경된다. 그로 인해 실질적으로 물의 방출이 현저히 개선될 수 있으며, 또한 방전램프의 추가 제조를 위해 후속되는 처리 단계들도 최적화되거나 또는 사전에 통합될 수 있다.

바람직하게 가스 흐름의 매체 교체는 연속적으로 이루어진다. 상기 절차적 방법에 의해서는 갑작스런 매체 교체 그리고 경우에 따라 추가의 제조방법에 부정적으로 작용하는 관련 반응들이 저지될 수 있다.

바람직하게 발생된 가스 흐름의 제 1 시간 단계 동안에는 질소가 매체로 사용되고, 바람직하게 제 1 시간 단계 뒤에 이어지는 제 2 시간 단계 동안에는 불활성 가스, 특히 아르곤(argon) 또는 방전램프의 충전(filling) 가스도 매체로 사용된다. 따라서, 가스 흐름이 거의 없는 경우에는 우선 유입된 수분 및 축적된 수분의 효과적인 방출이 질소 가스 흐름에 의해 보장되고, 그 후에 상기 질소 가스 흐름은 연속하여 불활성 가스 흐름으로 전환되며, 이러한 경우 상기 불활성 가스 흐름에 의해서는 특히 방전램프의 충전 가스가 미리 유입될 수 있고, 그럼에도 수분은 지속적으로 방출될 수 있다. 방전램프의 공정단계부터 제조까지 중복되는 절차적 방법에 의해서 제조시간이 감소될 수 있다.

따라서, 특히 상부와 하부의 주변을 둘러싸는 에지에서 기밀 방식의 밀봉이 이루어질 때까지, 유입된 수분 및 축적된 수분을 충전 가스 삽입을 통하여 발광층들로부터 제거하는 제조 단계의 연속적인 전환이 구현될 수 있다.

바람직하게 스페이서 소자들은 상부와 하부의 재료보다 더 낮은 연화 온도를 갖는 재료로 형성된다. 상기 절차적 방법에 의해서 스페이서 소자들은 이미 상부와 하부 재료들을 변형하기 위해 필요한 온도보다 더 낮은 온도에서 변형된다. 또한, 그로 인해 맨 처음 실행된, 상부와 하부 사이에 있는 중간챔버에서 실행되는 관류와 관련하여 최적의 조치가 취해질 수 있으며, 이어서 상기 조치는 온도 상승과 더불어 두 부분, 즉 상부와 하부가 서로 이동한 후에 에지들에서 기밀 방식으로 폐쇄될 수 있도록 스페이서 소자들의 변형을 야기한다. 이 때문에 본 발명에서 제안된 조치 방법 및 제조될 방전램프의 경우 추가로 납땜 유리의 사용이 더 이상 필요하지 않고 더 이상 의도되지도 않는다. 방전램프가 완성된 상태에서 상기 스페이스 소자들은 실제로 상부와 하부 사이에 매립되어 두 부분에 의해 완전히 감싸진다. 그 밖의 에지 영역에서는 상부와 하부가 직접적으로 서로 연결된다. 이 경우에도 별도의 추가 용융재료 또는 납땜 유리, 즉 소위 "프릿(frit)"은 삽입되지 않는다.

바람직하게 상부와 하부의 주변을 둘러싸는 에지에서 기밀 방식의 연결을 발생시키기 위하여, 스페이서 소자들은 가열에 의해 상부와 하부의 서로 마주보는 표면들이 상호 인접하여 서로 연결되는 방식으로 변형되거나 그리고/또는 상부 및/또는 하부의 재료 내로 함몰된다.

바람직하게 스페이서 소자들은 상부와 하부 사이의 위치에 정확하게 배치된다. 특히, 이 경우 두 부분 중 적어도 한 곳에, 즉 상부 또는 하부에는 포지셔닝(positioning) 영역이 형성된다. 스페이스 소자는 상기 포지셔닝 영역에 삽입된다. 그로 인해 정확한 위치에 스페이서 소자들을 고정할 때 외에 추가의 제조공정 시에도 탈구되거나 또는 그와 유사한 동작이 방지될 수 있다. 그 결과 부분들의 정확한 연결도 보장될 수 있어서 상호 간의 정확한 위치 설정이 구현될 수 있다. 결과적으로 방전램프의 제조가 매우 정확하게 이루어질 수 있다. 특히, 포지셔닝 영역은 바람직하게 웨이브 모양 또는 곡류형(meandering)의 플레이트형 상부로 형성된 상부 내에서 형성될 수 있다. 스페이서 소자는 다양한 형상들을 가질 수 있다. 예를 들어 각이 지거나 또는 라운드형 혹은 타원형 혹은 그와 유사한 형태로 형성될 수 있다. 스페이스 소자가 어떻게 형성되느냐에 따라 보완적인 포지셔닝 영역이 최적의 방법으로 형성될 수 있다. 그 결과 스페이서 소자들의 정확하게 조정된 설치 및 삽입이 보장된다.

바람직하게 포지셔닝 영역의 용적은 적어도 스페이스 소자의 용적과 동일한 크기로 형성된다. 그로 인해 용융된 스페이서 소자는 완전하게 포지셔닝 영역 내에 수용될 수 있으며, 그에 의해 상부와 하부는 에지에서 직접적으로 상호 인접할 수 있다.

바람직하게 상부와 하부의 주변을 둘러싸는 에지에서 기밀 방식의 연결 발생을 위해 상부와 하부의 에지들의 가열은 가열될 에지를 따라서 온도 증감이 발생되는 방식으로 실행된다. 바람직하게 이를 위해서는 일부가 상이한 불꽃 온도를 갖는 서로 나란히 위치 설정된 다수의 버너들이 배치될 수 있다. 상기 조치에 의해 온도증감이 발생되며, 상기 온도증감에 의해 처음에는 온도가 상승되고 그 이후에는 온도 조절이 실행되며 그리고 나서는 온도가 다시 감소된다. 또한, 다수의 불꽃관을 갖는 버너가 제공될 수 있다.

바람직하게 가스 흐름 발생은 발광층들 내에 유입된 수분 및 축적된 수분을 제거하기 위해 상부와 하부의 주변을 둘러싸는 에지에서의 기밀 방식 연결과 시간상으로 동시에 실행될 수 있다. 특히 이러한 실행은 동일한 장치, 예를 들어 오븐 내에서 실행된다.

본 발명의 실시예들은 개략적인 도면들을 참조하여 이하에서 상세하게 설명된다.

도 1a 내지 도 1d는 상이한 제조 단계들로 도시한 방전램프 부분들의 측면도이고;

도 2a 내지 도 2d는 도 1a 내지 도 1d에 따른 개략적인 평면도이며;

도 3은 시간에 따라 방전램프의 플레이트형 부분들을 용융하는 동안 상이한 제조 단계들에서의 오븐 내부의 온도변동을 도시한 개략적인 그래프이고,

도 4는 도 1a에 따른 일부분의 확대 단면도이며,

도 5는 도 4에 따른 일부분의 확대 단면도이고,

도 6은 도 1b에 따른 일부분의 확대 단면도이며,

도 7은 본 발명에 따라 제조될 방전램프 부분 소자들의 추가의 실시예를 도시한 개략적인 단면도이다.

플랫램프로 형성된 방전램프(1)를 제조하기 위해 플레이트형 상부(2)와 플레이트형 하부(3)가 제공된다. 실시예에서 상부(2)와 하부(3)는 유리 재료로 형성된다. 하부(3)는 실질적으로 편평하게 형성된 직사각형 플레이트로서 형성된다. 상부(2)는 하부(3)와 유사하게 형성될 수 있다. 그러나 바람직하게 상부(2)는 하부(3)에 상응하는 직사각형 형상을 가지며 또한 횡단면으로 볼 때 웨이브형 구조를 가질 수도 있다.

그 다음에 상부(2)와 하부(3)의 각각의 표면 위에 발광층이 제공된다.

또한, 하부 위에는 추가로 반사층이 제공될 수 있다. 이러한 경우 상부(2)와 하부(3)는 제 1 장치 (도시되지 않음) 내에 삽입되며, 상기 제 1 장치 내에서는 발광층들의 발광 물질 페이스트의 유기질 성분이 열처리에 의해 연소된다. 후속하여 상부(2)와 하부(3)는 상기 제 1 장치로부터 인출되어 실질적으로 주변 조건들에 노출된다. 이러한 제조 단계 시 발광층들은 상부(2)와 하부(3)의 특정 영역들, 특히 에지 영역들에서 제거된다. 제 1 장치로부터 제 2 장치까지 이어지는 상기 경로에서 수분이 발광층들에 축적된다. 상기 발광층들은 방전램프(1)의 기능에 불리하게 작용한다.

상부(2)와 하부(3)의 특정 영역들에서 발광층들을 제거한 후에 상부(2)와 하부(3)가 추가의 제조를 위해 제 2 장치, 즉 오븐 내에 삽입된다. 그리고 나서 상기 오븐 내에서는 도 1a 내지 도 1d 또는 도 2a 내지 도 2d에서 개략적으로 도시된 제조 단계들이 실행되며, 이 경우 오븐 내에서는 도 3에 개략적으로 도시된 온도 프로파일이 형성된다.

도 1a에는 방전램프(1) 부분 소자들의 개략적인 측면도가 도시되어 있다. 본 도면에서는, 서로 이격되어 실질적으로 서로 평행하게 배치된 상부(2)와 하부(3)가 상기 시점에 존재하는 방전램프(1)의 부분 시스템을 포함한다는 것을 알 수 있다. 도 2a에 따른 상응하는 평면도에서는 상부(2)뿐만 아니라 하부(3) 또한 실시예에서 직사각형으로 형성된 것을 알 수 있다. 4개의 에지점에는 실시예에서 구형으로 형성된 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a 및 5b)이 배치된다. 그로 인해 상부(2)와 하부(3) 사이에는 일정한 갭(gap)이 형성된다. 그리고 나서 가스 흐름(6) 은 상기와 같이 설계된 중간 시스템을 관류한다. 가스 흐름(6)은 도 1a에 따른 중간 시스템이 오븐 내에 삽입된 후에 발생된다. 나타난 바와 같이, 가스 흐름(6)의 유동 방향은 상부(2)와 하부(3)를 이격되게 배치함으로써 형성되는 중간챔버 또는 갭을 통과하여 흐르도록 설정된다. 그로 인해 가스 흐름(6)은 또한 발광층들을 스쳐 지나간다. 가스 흐름(6)은 실시예에서 온도 처리되며 바람직하게 520℃를 초과하는 온도를 가진다. 특히, 가스 흐름(6)은 약 550℃의 온도로 가열된다. 중요한 것은 상부(2), 하부(3) 및 스페이서 소자들(4a 내지 5b)의 유리 재료들도 서서히 가열된다는 점이다. 특히, 상기 구성 부품들은 오븐 온도에 맞게 서서히 가열되며 도 3의 온도 프로파일에 상응하게 온도 조절된다. 바람직하게 가열은 550℃ 이하로 실행된다.

상기 가스 흐름(6)에 의해서, 특히 도 1a에 따른 방전램프(1) 및 특정 온도 프로파일의 중간시스템 쪽으로 향하는 상기 가스 흐름의 유동 방향에 의해서 상부(2)와 하부(3)의 발광층들 내에 유입된 수분 및 축적된 수분이 제거된다. 가스 흐름(6)의 유동 방향은 바람직하게 후속하여 명시적으로 형성될, 방전램프(1)의 방전챔버(7, 8, 9 및 10)를 통과하여 상기 방전램프의 길이 방향으로 흐르도록 설정된다. 이어서 하부(3)에 상부(2)를 연결함으로써 명시적으로 형성될 덕트형 방전챔버들(7 내지 10)은 별도의 간격유지 소자들에 의해 실제로 편평하게 형성된 상부(2)와 실제로 편평하게 형성된 하부(3) 사이에 형성될 수 있다. 그러나 상기 방전챔버들은 특히 횡단면으로 볼 때 물결 모양의 구조를 갖는 상부(2)가 실제로 편평하게 형성된 하부(3) 위에 제공됨으로써 형성될 수도 있다. 상기와 같은 유형의 설계는 도 7의 개략적인 도면을 참조하여 이하에서 추가로 설명된다.

이어서 추가의 처리 단계에서는 특정 온도효과, 예를 들어 특수하게 위치 설정된 버너에 의해 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a 및 5b)의 변형이 이루어진다. 상기 실시예에서 스페이서 소자들(4a 내지 5b)은 상부(2)와 하부(3)의 재료보다 더 낮은 연화 온도를 갖는 재료로 형성된다. 그 결과, 예를 들어 버너의 불꽃에 의해 발생될 수 있는 온도 영향력에 의해 스페이서 소자들(4a 내지 5b)의 변형은 상부(2)와 하부(3)의 변형에 필요한 온도와 비교해 더 낮은 온도에서 달성될 수 있다.

도 2b에 도시된 해당 버너들의 불꽃들(11 및 12)을 통해서는 스페이서 소자들(4a 내지 5b)의 특정한 열처리 및 그에 따른 스페이서 소자들의 특정한 변형이 달성될 수 있다. 동시에 계속해서 가스 흐름(6)이 발생되어 상부(2)와 하부(3) 사이의 중간챔버를 관류한다. 스페이서 소자들(4a 내지 5b)의 점차적인 변형에 의해 상부(2)와 하부(3)는 근접하게 되고 그 후 특히 도 1c 및 도 2c에 도시된 에지 영역들(13, 14, 15 및 16)에서 직접적으로 서로 접한다. 스페이서 소자(4a 내지 5b)의 용적은 스페이서 소자(4a 내지 5b)가 배치된, 특히 상부(2) 내에 형성된 포지셔닝 영역(22)의 용적 이하이다(도 4 및 도 5).

도 1b 또는 도 2b에 따른 제조 단계로부터 도 1c 또는 도 2c로의 전환 시 처음에는 가스 흐름(6)이 중단되고 그리고 나서 상부(2)와 하부(3) 사이의 상기 에지 영역들(13 및 15)에서 실링 또는 기밀 방식 연결이 발생될 수 있다. 그러나 상기 에지 영역들(13 및 15)에서 발생하는 상기 기밀 방식 연결 동안에는 적어도 부분적으로 가스 흐름(6)이 존재할 수도 있다. 맨 처음 방전챔버들(7 내지 10)의 연장부 에 수직으로 뻗는 마주 놓인 2개의 에지 영역들(13 및 15)이 융화된다.

특히, 가스 흐름(6)이 관류되거나 또는 발생되는 시간 동안, 즉 제 1 시간 단계 동안 가스 흐름(6)은 제 1 매체, 즉 실시예에 기술된 질소를 포함할 수 있다. 제 1 시간 단계 다음에 이어지는 제 2 시간 단계 동안에는 제 1 매체 질소로부터 제 2 매체로 연속 교체가 이루어질 수 있다. 실시예에서 제 2 매체는 불활성 가스, 특히 방전램프의 완성 상태에서 방전챔버들(7 내지 10) 내에 존재하는 충전 가스(filling gas)일 수 있다. 따라서, 가스 흐름(6)에 의해 한편으로는 발광층들에 유입된 수분 및 축적된 수분의 제거가 확실히 이루어질 수 있으며, 그와 동시에 방전에 필요한 방전램프(1)의 충전 가스도 유입될 수 있다.

도 1c 및 도 2c에 도시된 바와 같이 에지 영역(13 및 15)에서의 기밀 방식 연결은 실시예에서 길이 방향(x-방향)으로 연속하여 배치된 다수의 버너에 의해 발생된다. 바람직하게 상기 버너들의 불꽃은 기밀 방식의 연결 발생 동안 온도증감을 가질 수 있다. 특히 초기 단계 동안에는 온도가 상승될 수 있으며, 이 경우에는 온도가 감소되는 소정 시간 동안 온도 조절이 실행되면서 동시에 불꽃 온도가 다시 감소된다(도 3의 온도 프로파일 참조). 결과적으로 에지들(13 및 15)에서 발생될 기밀 방식의 밀봉을 따라서, 상기 발생 동안에는 온도 증감이 가열될 에지(13 및 15)를 따라서 발생된다.

그러나 버너들은 x-방향으로 에지들(13 및 15)을 따라 이동하여 밀봉을 발생시킬 수도 있다. 이 경우에도 상응하는 온도 프로파일이 발생될 수 있다.

그 다음 후속하는 추가의 제조 단계에서는 도 1d 및 도 2d의 도면들에 따라 마주 놓인 추가의 에지들(14 및 16)이 가열되고, 그로 인해 부분들(2 및 3)은 상기 에지들(14 및 16)에서 기밀 방식으로 연결되거나 또는 밀봉된다. 이 때문에, 도 1c 및 도 2c로부터 출발하여 상기 시점까지 제조된 상부(2)를 갖는 중간시스템은 하부(3) 방향으로 약 90° 회전한다.

도 1a 내지 도 2d에서 설명한 제조 단계들에 앞서는 단계들 및 후속하는 추가의 단계들은 이하에서 상세하게 설명되지 않는데, 그 이유는 상기 단계들은 본 발명을 이해함에 있어 그 중요성이 낮기 때문이다. 특히 전극들 및 그와 같은 장치들의 설치는 본 발명에서 부여되는 의미가 적다. 그러나 중요한 언급은 예를 들어 형성된 펌프관에 의해 후속적으로 이루어지는 펌핑은 선행 기술과 비교해 볼 때 훨씬 감소된 지속 시간으로 실행될 수 있는데, 그 이유는 실제로 펌프로 퍼내야하는 저수(storage water)가 전혀 존재하지 않으며 바람직하게는 충전 가스도 이미 발전램프(1) 내로 유입되었기 때문이다.

도 3에는 개략적인 방식으로 하나의 그래프가 도시되며, 상기 그래프에서는 도 1a 내지 도 2d에 따른 공정 단계 동안의 오븐 내부의 온도가 도시된다. 이 경우 시간에 따른 온도 파형은 처음에는 증가하며 가스 흐름(6)의 발생 및 유지 동안에는 최댓값으로 증가하여 그 지점에서 유지된다. 이러한 경우 상기 최대 온도 값은 도 1c, 도 2c, 도 1d 및 도 2d에 대한 설명에 따라 후속하는 밀봉 시에도 유지된다. 이 때문에 후속하여서는 템퍼링 시 온도가 상기 최댓값에서부터 시작하여 서서히 감소된다. 이 경우 도시된 그래프에서 상기 온도 감소는 프로세스의 시작 시 최댓값으로 상승되는 온도보다 더 긴 시간 범위에 걸쳐서 실행된다.

도 4에는 도 1a의 부분 확대 단면도(I)가 개략적인 방식으로 도시된다. 상기 확대 도면에서는, 상부(2)와 하부(3)가 상기 제조 단계에서 서로 이격된 상태로 배치되고, 도면에 도시된 스페이스 소자(5b)가 x-방향으로 외측 단부로부터 내부로 뒤로 물러난 상태로 위치 설정되어 있음을 알 수 있다. 이 목적을 위해 실시예에서는 하부(3)와 마주하는 표면(2a)에서 상부(2)에 하나의 덴트(dent)가 형성될 수 있으며, 상기 덴트는 포지셔닝 영역(22)을 형성한다. 상기 포지셔닝 영역에는 실시예에서 구형으로 형성된 스페이서 소자(5b)가 삽입되고 정확한 위치에 배치된다. 또한, 도 5에 따른 도면에는 상부(2)와 하부(3)의 표면들(2a 및 3a)에 있는 발광층들(21 및 31)이 개략적으로 도시된다.

도 5에는 도 4로부터 추가로 부분 확대한 도면이 도시된다. 포지셔닝 영역(22)의 용적(V)은 실시예에서 구형의 전체 스페이서 소자(5b)의 용적과 같다. 스페이서 소자(5b)가 용융된 상태에서 상기 스페이서 소자의 용적은 포지셔닝 영역(22)의 용적(V)(파선으로 처리됨) 안에 완전히 포함된다.

도 6에는 추가의 부분 확대 도면(Ⅱ)이 도시되며, 상기 도면의 경우에는 도 1b의 도면에 따라 스페이서 소자(5b)가 변형되며, 그에 따라 도시된 에지(14)에서는 상부(2)와 하부(3)가 직접적으로 서로 인접한다. 스페이서 소자(5b)는 도 6에 따른 도면의 상부(2) 및 하부(3)와 유사하게 내부에 포함되도록 위치 설정된다.

도 4에 기술된, 포지셔닝 영역(22)의 용적 사이즈 설계에 의해 상부(2)와 하부(3)는 에지들(13 내지 16) 영역에서 서로 직접적으로 인접한다. 추가의 영역들에서는 개별 발광층들이 서로 인접한다. 이러한 설계 및 조립은 방전램프(1)를 납 땜 유리 없이 제조하는 것을 가능케 한다.

도 4 내지 도 6의 도면에서 알 수 있듯이, 본 도면에 도시된 실시예의 경우 선행 기술에서 요구되는 추가의 용융 재료 또는 납땜 유리가 더 이상 사용되지 않는다.

도 7에는 추가의 실시예의 개략적인 단면도가 도시되며, 이 경우 상부(2)는 플레이트형으로 형성되었으며 단면도에서는 물결 모양의 형상을 갖는다.

Claims (18)

1. 방전램프를 제조하기 위한 방법으로서,

   a) 플레이트형 상부(2)와 플레이트형 하부(3)를 제공하는 단계 ― 이 경우 상기 상부(2) 및/또는 하부(3) 중 적어도 하나의 영역이 광투과성 재료로 형성됨 ―;

   b) 상기 상부(2) 및/또는 상기 하부(3)의 표면(2a, 3a) 위에 발광층(21, 31)을 제공하는 단계;

   c) 상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이에 다수의 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 배치하는 단계 ― 상기 두 부분들(2, 3)은 상기 발광층 중 적어도 하나의 발광층(21, 31)이 나머지 부분(2, 3)을 향하도록 서로 이격된 상태로 배치됨 ―;

   d) 가스 흐름(6)의 발생에 의해 상기 발광층(21, 31) 내에 또는 발광층 위에 유입된 수분 및 축적된 수분을 제거하는 단계 ― 상기 가스 흐름은 상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이를 통과하여 흐름 ―;

   e) 상기 상부(2)와 상기 하부(3)의 주변을 둘러싸는 에지(13, 14, 15, 16)에 기밀 방식의 연결을 형성하는 단계를 포함하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이에 적어도 하나의 방전챔버(7, 8, 9, 10)를 형성하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 상부(2)와 상기 하부(3) 사이에 평행하게 배치된 다수의 방전챔버들(7, 8, 9, 10)을 형성하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

   상기 가스 흐름(6)은 상기 방전챔버들(7, 8, 9, 10)을 관류하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 갖는 상기 상부(2)와 상기 하부(3)를 단계 d)의 실행 전에 오븐 내부로 삽입하며, 상기 오븐 내에서 또한 단계 d)를 실행하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   특히 단계 e)의 실행 시 실제로 오븐 내부의 온도에 상응하는 온도로 상기 가스 흐름(6)을 가열하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 가스 흐름(6)의 매체를 상기 발생된 가스 흐름(6)의 지속시간에 따라 변경하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 가스 흐름(6)의 매체의 교체를 연속적으로 실행하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,

   상기 발생된 가스 흐름(6)의 제 1 시간 단계 동안에는 질소를 매체로 사용하며, 그리고 제 2 시간 단계 동안에는 불활성 가스, 특히 아르곤(argon) 또는 방전램프(1)의 충전(filling) 가스를 매체로 사용하는,

   방전램프를 제조하기 위한 방법.
10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 상기 상부(2)와 상기 하부(3)의 재료보다 더 낮은 연화 온도를 갖는 재료로 형성하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,

    단계 e)에서는 상기 상부(2)와 상기 하부(3)의 서로 마주하는 표면들(2a, 3a)이 에지들(13 내지 16)에 연결되도록 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 가열에 의해 변형시키거나 그리고/또는 상기 상부(2) 및/또는 상기 하부(3)의 영역(22) 내부로 함몰시키는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,

    단계 c)에서는 상기 스페이서 소자들(4a, 4b, 5a, 5b)을 적어도 두 부분(2, 3) 중 한 부분 내에, 특히 상기 상부(2) 내에 형성된 하나의 포지셔닝(positioning) 영역(22)에 배치하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 포지셔닝 영역(22)의 용적을 하나의 스페이스 부분(4a, 4b, 5a, 5b)의 용적과 동일한 크기로 형성하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,

    단계 e)에서는 상기 상부(2)와 상기 하부(3)의 에지들(13 내지 16)을 버너 불꽃의 소정의 온도 프로파일에 노출시키는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 단계 d) 및 상기 단계 e)를 시간상으로 동시에 실행하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 하부(3)에 하나의 반사기층을 형성하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,

    단계 d)에서는 상기 상부(2)와 상기 하부(3)를 가열하며, 특히 실제로 단계 e)를 실행할 때의 오븐 내부 온도에 상응하는 온도로 가열하는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.
18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 단계 e)에서는 방전챔버(7, 8, 9, 10)의 연장부에 수직으로 연장하는 에지들(13, 15)을 상기 방전챔버(7, 8, 9, 10)와 평행하게 연장하는 에지들(14, 16)보다 앞서서 기밀 방식으로 용융시키는,

    방전램프를 제조하기 위한 방법.

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